JPS633121Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】

本考案は製造が容易で電気的特性が安定し、か
つ小型化が可能なバリスタに関する。 一般に、バリスタの電圧電流特性は次式で表わ
される。 Ｉ＝（Ｖ／Ｃ）〓 ここに、Ｉはバリスタを流れる電流、Ｖは印加
電圧、Ｃは定数である。αは非直線性を表わす指
数で、αが大きければ大きいほど非直線性が良い
ことを示す。 αは次式より実験的に求められる。 α＝１／10g（V₁₀／V₁） ここに、V₁およびV₁₀はＩ＝1mAおよび10mA
におけるバリスタの電圧である。 一般に、バリスタの特性は立上り電圧としての
V₁と非直線指数αとで表示される。 従来のバリスタはバリスタ素体に電極を取り付
けかつ電極にリード線を取り付けた構成であつ
た。 バリスタ素体には次のごときものがある。 (1) 素体内部に電圧非直線性を発現するものとし
て酸化亜鉛、炭化珪素、酸化鉄、酸化錫等を主
体としてなるもの。 (2) 素体表面に電圧非直線性を発現するものとし
て、酸化鉄または酸化亜鉛を主体とした酸化物
半導体よりなるもの、酸化鉄または酸化亜鉛を
主体とした酸化物半導体の表面に厚み0.01〜
10μmの酸化錫被膜を形成したもの、および酸
化鉄または酸化亜鉛を主体とした酸化物半導体
の表面にアンチモン、ビスマス、亜鉛の中の少
なくとも１種をSb₂O₃，Bi₂O₃，ZnOの形に換
算して0.01〜30重量％を含む厚み0.01〜10μmの
酸化錫被膜を形成したもの。 これらのバリスタ素体のいずれにおいても、電
極へのリード線取り付けは一般にははんだ付けが
用いられるため、電極としてははんだ付け性が良
好で、かつ耐はんだ性のある金属を用いる必要が
あり、さらに電極へのリード線の取り付け工程は
複雑であり、素体が小さくなればなるほど製造が
困難となり、またはんだ浴槽から発生する鉛蒸気
に対する公害対策も必要であつた。 本考案は上記の従来技術の問題点を解決し、製
造が容易で電気的特性が安定し、かつ小型化が可
能なバリスタを提供するもので、その要旨とする
ところは、バリスタ素体の全表面を酸化錫被膜で
覆い、該バリスタ素体の両端にそれぞれ金属キヤ
ツプを嵌着させ、該金属キヤツプにリード線を溶
接せしめてなることを特徴とするバリスタ、にあ
る。 次に、本考案を図面を参照して説明する。 第１図ｅは本考案の一実施例の断面図、同じく
第１図ａ〜ｄはいずれもバリスタ素体と金属キヤ
ツプ及びバリスタ素体と金属キヤツプと電極との
組合せよりなるバリスタの断面図の断面図、第２
図は第１図ｅの実施例の電圧電流特性を示すグラ
フ図、第３図は酸化錫被膜に添加されるBi₂O₃の
添加量が30重量％を超えた場合の電圧電流特性を
示すグラフ図である。 第１図ａは円柱状のバリスタ素体１の両端にそ
れぞれ金属キヤツプ２を嵌着せしめて固定し、こ
の金属キヤツプ２にリード線４を溶接して取り付
けてなるバリスタの基本的構成を示すものであ
る。この場合は本考案のｅの場合とともにバリス
タ素体１には電極は取り付けてなく、金属キヤツ
プ２自体が電極として作用する場合である。 バリスタ素体１に電極を取り付ける必要がある
場合にはバリスタ素体１の両端に嵌着した金属キ
ヤツプ２は当然該電極と電気的に接続した状態に
あることが要求される。第１図ｂ〜ｄに示される
各バリスタはいずれもこの場合に該当するもので
ある。 本考案のバリスタは以上の構成によつて、第２
図に示すように、非直線性が良好で安定した電圧
電流特性を示すものである。 上記金属キヤツプ２のバリスタ素体１の両端へ
の嵌着は機械的に行なうことができる。この金属
キヤツプ２の材質はFe，Cu，Al，Ni、ステンレ
スステイール、コバール、しんちゆう等の金属ま
たは合金が使用される。また、これら金属キヤツ
プ２にはIn，Sn，Pb，Cr、はんだ等のめつきを
施したものも使用できる。特に、Al，Fe、しん
ちゆう等の軟らかい金属で作られた金属キヤツ
プ、またはIn，Sn，Pb，Cr等の軟らかい金属を
めつきした金属キヤツプを用いる場合には、これ
らのキヤツプをバリスタ素体の両端に機械的に嵌
着させる際に摩擦力によつてバリスタ素体表面に
キヤツプの金属がこすりつけられ、電極としての
面積が拡大されるため、電流容量が増加するとと
もに特性もさらに安定する。第１図ｂ，ｃに示す
ように、金属キヤツプ２の下にあらかじめ電極３
を形成することもできる。その場合は蒸着、電極
ペースト中への浸漬、無電解メツキ等によつてバ
リスタ素体１の全表面に電極材料を取り付けた
後、取り付けた電極材料をグラインダー、レーザ
ー等によつて分離して電極３を形成してもよく、
またマスキング、曲面印刷法、スタンプ法等によ
つてあらかじめ分離した状態の電極３を形成して
もよい。さらに、第１図ｄに示すように、バリス
タ素体１に金属キヤツプ２を嵌着した後、金属キ
ヤツプ２に電気的に接続させて電極３を形成して
もよい。 次に、金属キヤツプ２へのリード線４の取り付
け方法としては電気溶接法を用いることができ
る。この場合、はんだ付けを行なわないので、金
属キヤツプとしてははんだ付け性、耐はんだ性に
ついて考慮を払う必要がなく、また鉛蒸気による
公害の心配もない。 以上はバリスタ素体が円柱状または円筒状の場
合であるが、金属キヤツプがその両端に嵌着固定
可能なものであれば、バリスタ素体の形状は限定
されるものではない。 本考案は、さらに上述したように、バリスタ素
体として、表面層に発現される電圧非直線性を利
用するものを使用することができる。このような
表面層の電圧非直線性を利用したバリスタとして
は酸化鉄系半導体、酸化亜鉛系半導体等の酸化物
半導体表面にガラス層もしくはBi₂O₃等の熱拡散
層を形成したもの、酸化物半導体と非オーミツク
電極との接合面での電位障壁を利用したもの等が
知られている。 本考案のバリスタ素体として、上記の如き表面
層の電圧非直線性を利用したものを使用する場
合、このバリスタ素体の内部は低抵抗であるた
め、印加された電圧はほとんど表面層にかかり、
しかもその電界の方向は表面から内部に向つて平
等にかかるため、流れる電流の密度が均一とな
り、電気的特性はより安定したものとなる。ま
た、当然のことながら本考案のバリスタは素体内
部に電圧非直線性を発現するバリスタに比べて、
低電圧用のものの製造をより容易ならしめるので
ある。 本考案のバリスタ本体は第１図ｅに示すように
酸化物半導体６の表面に厚み0.01〜10μmの酸化
錫被膜５を形成したものである。この素体を使用
する場合、金属キヤツプ２の嵌着工程において、
酸化錫被膜５がいわゆるクツシヨンの役目を果た
し、素体に与える機械的損傷を減少させ、バリス
タの安定製造を可能とする。また、この場合はリ
ード線４の溶接工程において、通常の酸化物半導
体の表面にガラス層もしくはBi₂O₃等の熱拡散層
を形成させたものに比べて、溶接時の電力を大き
くすることができるのでリード線４の溶接を容易
ならしめるのである。 上記酸化物半導体６の表面における酸化錫被膜
５の形成は通常の化学的または物理的蒸着法等に
よつて行なう。この酸化錫被膜５は厚みにおいて
0.01μm未満では酸化物半導体６の表面粗さのた
め、均一かつ緻密に形成させることが困難であ
り、また厚みが10μmを超えると、非直線指数α
が小さくなり、バリスタとして好ましくない。 この酸化錫被膜５にはアンチモン、ビスマス、
亜鉛の中の少なくとも一種を、Sb₂O₃，Bi₂O₃，
ZnOの形に換算して0.01〜30重量％含ませること
ができる。これらのアンチモン、ビスマス、亜鉛
の添加によつて、酸化錫被膜の電気的特性に変化
をもたらし、それによつて、基体として同一の酸
化物半導体を用いた場合でも、バリスタ電圧V₁
を２〜60Vの広い範囲に調節可能ならしめるもの
であり、しかもその場合、αは３以上の大きい値
を示す。これらアンチモン、ビスマス、亜鉛の添
加量はそれぞれSb₂O₃，Bi₂O₃，ZnOの形に換算
して0.01重量％未満では添加した効果がほとんど
あらわれず、また30重量％を超えると、アンチモ
ンの場合は耐パルス性が悪くなるとともにαも低
下し、ビスマスの場合は、第３図に示すように、
ヒステリシスが生じ、かつ耐パルス性も悪くな
り、さらに亜鉛の場合は同じく耐パルス性が悪化
する。 本考案は、以上のように、バリスタ素体の全表
面を酸化錫被膜で覆い、該バリスタ素体の両端に
それぞれ金属キヤツプを嵌着して固定し、この金
属キヤツプにリード線を溶接によつて取り付ける
ことによつて、リード線の取り付けに際してはん
だ付けを行なう必要がなく、製造工程の自動化が
容易で鉛蒸気の公害もなく、かつ安定した特性を
有し、小型化も可能なバリスタを提供するもの
で、その工業的価値はきわめて大きい。 次に、本考案を実施例によつてさらに具体的に
説明するが、本考案はその要旨を超えない限り以
下の実施例によつて限定されるものではない。 実施例 １ 酸化第二鉄にTiO₂を１モル％添加した原料を
押出成形して直径２mm、長さ５mmの円柱体とし、
これを1300℃で焼成してバリスタ素体とし、この
素体に第１表に示す組成の酸化錫被膜をスプレー
法にて800℃で形成し、素体の両端に錫めつきを
した鉄キヤツプを嵌着した後、鉄キヤツプに0.5
mmφのはんだめつき軟銅線を電気溶接し、第１図
ｅのごときバリスタを製造した。上記酸化錫被膜
の厚みは約1μmである。本実施例のバリスタNo.１
〜No.13は第１表に示す立上り電圧V₁とαとを有
し、いずれも安定したバリスタ特性を示した。

【表】

【表】 実施例 ２ 実施例１と同一の基体を用い、実施例１と同一
方法でSnO₂85重量％、Sb₂O₃ ５重量％、Bi₂O₃
５重量％、ZnO ５重量％よりなる酸化錫被膜を
それぞれ厚みが0.01μm，0.1μm，1μm，10μmと
なるよう形成し、その素体表面に端面を含めて端
面から1.5mmの位置までそれぞれ銀電極を取り付
け、実施例１と同様に両端に錫めつきをした鉄キ
ヤツプを嵌着し、0.5mmφのはんだめつき軟銅線
を電気溶接し、バリスタを製造した。本実施例バ
リスタのNo.14〜No.17は第２表に示す立上り電圧
V₁と非直線指数αとを有し、いずれも安定した
バリスタ特性を示した。

【表】 【図面の簡単な説明】

第１図第１図ｅは本考案の一実施例の断面図、
第１図ａ〜ｄはいずれもバリスタ素体と金属キヤ
ツプの組合せ及びバリスタ素体と金属キヤツプと
電極との組合せよりなり、それぞれ金属キヤツプ
にリード線を溶接で固着せしめたバリスタの断面
図、第２図は第１図ｅの実施例の電圧電流特性を
示すグラフ図、第３図は酸化錫被膜に添加される
Bi₂O₃の添加量が30重量％を超えた場合の電圧電
流特性を示すグラフ図である。 図において、１……バリスタ素体、２……金属
キヤツプ、３……電極、４……リード線、５……
酸化錫被膜。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. バリスタ素体の全表面を酸化錫被膜で覆い、該
   バリスタ素体の両端にそれぞれ金属キヤツプを嵌
   着させ、該金属キヤツプにリード線を溶接せしめ
   てなることを特徴とするバリスタ。