JP2000138105A - 負特性サーミスタ装置 - Google Patents
負特性サーミスタ装置Info
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- G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 負特性サーミスタ装置に備えるサーミスタ素
体上の銀を主成分とする電極に、錫を主成分とする半田
を用いてリード線を半田付けすると、高温下において、
半田中の錫が電極中へ拡散し、その結果、サーミスタ素
体と電極とのオーミック接触を損ね、サーミスタ装置の
抵抗値を徐々に上昇させてしまう。 【解決手段】 リード線５を電極３に半田付けすると
き、半田４として、錫を主成分とし、ニッケルを０．０
５重量％〜１．０重量％含有する組成を有するものを用
いることによって、錫が電極３中へ拡散することを抑制
するとともに、リード線５として、鉛を含有しない金属
からなるものを用いることによって、ニッケルによる錫
拡散抑制効果が鉛によって阻害されることを防止する。
体上の銀を主成分とする電極に、錫を主成分とする半田
を用いてリード線を半田付けすると、高温下において、
半田中の錫が電極中へ拡散し、その結果、サーミスタ素
体と電極とのオーミック接触を損ね、サーミスタ装置の
抵抗値を徐々に上昇させてしまう。 【解決手段】 リード線５を電極３に半田付けすると
き、半田４として、錫を主成分とし、ニッケルを０．０
５重量％〜１．０重量％含有する組成を有するものを用
いることによって、錫が電極３中へ拡散することを抑制
するとともに、リード線５として、鉛を含有しない金属
からなるものを用いることによって、ニッケルによる錫
拡散抑制効果が鉛によって阻害されることを防止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、負特性サーミス
タ装置に関するもので、特に、サーミスタ素体上の電極
に導電性の端子部材を半田付けした構造を有する負特性
サーミスタ装置に関するものである。
タ装置に関するもので、特に、サーミスタ素体上の電極
に導電性の端子部材を半田付けした構造を有する負特性
サーミスタ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】この発明にとって興味ある負特性サーミ
スタ装置として、たとえば、図１に示すような負特性サ
ーミスタ装置１がある。図１は、このサーミスタ装置１
を図解的に示す断面図である。
スタ装置として、たとえば、図１に示すような負特性サ
ーミスタ装置１がある。図１は、このサーミスタ装置１
を図解的に示す断面図である。
【０００３】負特性サーミスタ装置１は、負のサーミス
タ特性を有する、たとえば円板状のサーミスタ素体２を
備える。サーミスタ素体２の相対向する主面上には、サ
ーミスタ素体２の表面にオーミック接触するように、電
極３がそれぞれ形成される。また、これら電極３には、
半田４を用いて、導電性の端子部材としてのリード線５
がそれぞれ半田付けされる。さらに、サーミスタ素体２
を覆うように、耐湿性および耐熱性に優れた樹脂からな
る外装６が破線で示すように付与されることもある。
タ特性を有する、たとえば円板状のサーミスタ素体２を
備える。サーミスタ素体２の相対向する主面上には、サ
ーミスタ素体２の表面にオーミック接触するように、電
極３がそれぞれ形成される。また、これら電極３には、
半田４を用いて、導電性の端子部材としてのリード線５
がそれぞれ半田付けされる。さらに、サーミスタ素体２
を覆うように、耐湿性および耐熱性に優れた樹脂からな
る外装６が破線で示すように付与されることもある。
【０００４】上述した電極３の材料としては、たとえば
銀を主成分とするものが用いられる。
銀を主成分とするものが用いられる。
【０００５】また、このサーミスタ装置１がたとえば突
入電流抑制用として用いられる場合には、使用時におい
て発熱するため、高温に耐えるように、半田４として
は、錫の含有量の多いもの、すなわち錫を主成分とする
ものが用いられる。
入電流抑制用として用いられる場合には、使用時におい
て発熱するため、高温に耐えるように、半田４として
は、錫の含有量の多いもの、すなわち錫を主成分とする
ものが用いられる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ように、電極３が銀を主成分とし、かつ半田４が錫を主
成分とする場合、高温環境下に比較的長時間さらされる
と、図３に示すように、まず、半田４に含有される錫
（Ｓｎ）が電極３内に固相拡散し、その結果、電極３と
サーミスタ素体２との結合が外れ、電極３中の銀が半田
４中へ固相拡散する。これによって、電極３中の銀が錫
と反応してＡｇ3 Ｓｎに変化して、電極３とサーミスタ
素体２とのオーミック接触が損なわれ、サーミスタ装置
１の抵抗値が徐々に上昇する、という不具合を招く。
ように、電極３が銀を主成分とし、かつ半田４が錫を主
成分とする場合、高温環境下に比較的長時間さらされる
と、図３に示すように、まず、半田４に含有される錫
（Ｓｎ）が電極３内に固相拡散し、その結果、電極３と
サーミスタ素体２との結合が外れ、電極３中の銀が半田
４中へ固相拡散する。これによって、電極３中の銀が錫
と反応してＡｇ3 Ｓｎに変化して、電極３とサーミスタ
素体２とのオーミック接触が損なわれ、サーミスタ装置
１の抵抗値が徐々に上昇する、という不具合を招く。
【０００７】上述のＡｇ3 Ｓｎ化を引き起こす高温環境
は、たとえば、リード線５を電極３に半田付けする場合
においてもたらされたり、あるいはその後の使用時にお
いてもたらされたりする。そして、このＡｇ3 Ｓｎ化
は、サーミスタ装置１の使用時の高温環境によって促進
される。特に、１４０℃以上の温度で、この問題が顕著
である。
は、たとえば、リード線５を電極３に半田付けする場合
においてもたらされたり、あるいはその後の使用時にお
いてもたらされたりする。そして、このＡｇ3 Ｓｎ化
は、サーミスタ装置１の使用時の高温環境によって促進
される。特に、１４０℃以上の温度で、この問題が顕著
である。
【０００８】このようなことから、サーミスタ装置１が
前述のように突入電流抑制用である場合には、高温に耐
えるように、前述したように、半田４中の錫の含有量が
多くされるが、一方では、サーミスタ装置１には電流が
常時流れ、したがってサーミスタ装置１は常時発熱状態
にあるので、上述の問題が深刻なものとなる。また、サ
ーミスタ装置１を高温用のセンサとして用いる場合に
も、同様の問題に遭遇する。
前述のように突入電流抑制用である場合には、高温に耐
えるように、前述したように、半田４中の錫の含有量が
多くされるが、一方では、サーミスタ装置１には電流が
常時流れ、したがってサーミスタ装置１は常時発熱状態
にあるので、上述の問題が深刻なものとなる。また、サ
ーミスタ装置１を高温用のセンサとして用いる場合に
も、同様の問題に遭遇する。
【０００９】そこで、この発明の目的は、上述した問題
を解決し得る、負特性サーミスタ装置を提供しようとす
ることである。
を解決し得る、負特性サーミスタ装置を提供しようとす
ることである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明は、上述した技
術的課題を解決するため、簡単に言えば、リード線のよ
うな端子部材を負特性サーミスタ素体上の電極に半田付
けするために用いる半田の組成を改良し、組み合わせる
端子部材の組成を特定したものである。
術的課題を解決するため、簡単に言えば、リード線のよ
うな端子部材を負特性サーミスタ素体上の電極に半田付
けするために用いる半田の組成を改良し、組み合わせる
端子部材の組成を特定したものである。
【００１１】より詳細には、この発明は、負のサーミス
タ特性を有するサーミスタ素体と、サーミスタ素体の表
面にオーミック接触するように形成された、銀を主成分
とする電極と、電極に半田付けされた、導電性の端子部
材とを備える、負特性サーミスタ装置に向けられるもの
であって、端子部材を電極に半田付けするための半田
は、錫を主成分としながらも、ニッケルを０．０５重量
％〜１．０重量％含有する組成とすることによって、錫
の電極への拡散すなわちＡｇ3 Ｓｎの生成を抑制し、か
つ、ニッケル添加による錫拡散抑制効果に悪影響を及ぼ
す鉛を排除するため、端子部材は、その母材および表面
処理のいずれにおいても鉛を含まない金属から構成する
ことを特徴としている。
タ特性を有するサーミスタ素体と、サーミスタ素体の表
面にオーミック接触するように形成された、銀を主成分
とする電極と、電極に半田付けされた、導電性の端子部
材とを備える、負特性サーミスタ装置に向けられるもの
であって、端子部材を電極に半田付けするための半田
は、錫を主成分としながらも、ニッケルを０．０５重量
％〜１．０重量％含有する組成とすることによって、錫
の電極への拡散すなわちＡｇ3 Ｓｎの生成を抑制し、か
つ、ニッケル添加による錫拡散抑制効果に悪影響を及ぼ
す鉛を排除するため、端子部材は、その母材および表面
処理のいずれにおいても鉛を含まない金属から構成する
ことを特徴としている。
【００１２】この発明において、好ましくは、半田とし
ては、錫、銀およびニッケルを含有する組成を有するも
のが用いられる。
ては、錫、銀およびニッケルを含有する組成を有するも
のが用いられる。
【００１３】また、この発明において、端子部材は、リ
ード線で構成されても、金属板からなるリード端子また
は端子板で構成されてもよいが、リード線によって構成
されるとき、リード線としては、好ましくは、銀線、銅
線、錫めっき鉄線、錫めっきステンレス線、または錫め
っき銅線が用いられる。
ード線で構成されても、金属板からなるリード端子また
は端子板で構成されてもよいが、リード線によって構成
されるとき、リード線としては、好ましくは、銀線、銅
線、錫めっき鉄線、錫めっきステンレス線、または錫め
っき銅線が用いられる。
【００１４】
【発明の実施の形態】前述した図１は、この発明の一実
施形態を説明するためにも用いられる。
施形態を説明するためにも用いられる。
【００１５】図１に示した負特性サーミスタ装置１は、
前述したように、負のサーミスタ特性を有する、たとえ
ば円板状のサーミスタ素体２を備える。サーミスタ素体
２の相対向する主面上には、サーミスタ素体２の表面に
オーミック接触するように、電極３がそれぞれ形成され
る。また、これら電極３には、半田４を用いて、導電性
の端子部材としてのリード線５がそれぞれ半田付けされ
る。さらに、この実施形態では、サーミスタ素体２を覆
うように、耐湿性および耐熱性に優れた、たとえばシリ
コーン樹脂からなる外装６が破線で示すように付与され
る。
前述したように、負のサーミスタ特性を有する、たとえ
ば円板状のサーミスタ素体２を備える。サーミスタ素体
２の相対向する主面上には、サーミスタ素体２の表面に
オーミック接触するように、電極３がそれぞれ形成され
る。また、これら電極３には、半田４を用いて、導電性
の端子部材としてのリード線５がそれぞれ半田付けされ
る。さらに、この実施形態では、サーミスタ素体２を覆
うように、耐湿性および耐熱性に優れた、たとえばシリ
コーン樹脂からなる外装６が破線で示すように付与され
る。
【００１６】上述した電極３の材料としては、銀を主成
分とするものが用いられる。
分とするものが用いられる。
【００１７】また、半田４としては、錫の含有量の多い
もの、すなわち錫を主成分とするものが用いられるが、
この発明では、ここにニッケルが添加されることを特徴
としている。すなわち、半田４は、錫を主成分とし、ニ
ッケルを０．０５重量％〜１．０重量％含有する組成を
有している。一例を挙げると、半田４としては、錫、銀
およびニッケルを含有する組成を有するものを用いるこ
とができる。
もの、すなわち錫を主成分とするものが用いられるが、
この発明では、ここにニッケルが添加されることを特徴
としている。すなわち、半田４は、錫を主成分とし、ニ
ッケルを０．０５重量％〜１．０重量％含有する組成を
有している。一例を挙げると、半田４としては、錫、銀
およびニッケルを含有する組成を有するものを用いるこ
とができる。
【００１８】このように、錫を主成分とする半田４に、
ニッケルを０．０５重量％〜１．０重量％含有させるこ
とにより、半田４中の錫が電極３へ侵入または拡散する
ことを抑制できる。この理由は、以下のように考えるこ
とができる。
ニッケルを０．０５重量％〜１．０重量％含有させるこ
とにより、半田４中の錫が電極３へ侵入または拡散する
ことを抑制できる。この理由は、以下のように考えるこ
とができる。
【００１９】図２を参照して、電極３にリード線５を半
田付けする時点において、錫を主成分とする半田４と銀
を主成分とする電極３との間に、安定なＡｇ−Ｓｎ−Ｎ
ｉからなる３元化合物層７が形成され、これによって、
半田４中の錫（Ｓｎ）が電極３へ固相拡散することが阻
止される。
田付けする時点において、錫を主成分とする半田４と銀
を主成分とする電極３との間に、安定なＡｇ−Ｓｎ−Ｎ
ｉからなる３元化合物層７が形成され、これによって、
半田４中の錫（Ｓｎ）が電極３へ固相拡散することが阻
止される。
【００２０】その結果、サーミスタ素体２の表面に対す
る電極３のオーミック接触を確保して、高温環境におい
て抵抗値が徐々に上昇するといった現象が生じることを
大幅に低減することができる。
る電極３のオーミック接触を確保して、高温環境におい
て抵抗値が徐々に上昇するといった現象が生じることを
大幅に低減することができる。
【００２１】なお、ニッケルの含有量が０．０５重量％
未満の場合、錫の電極３への侵入または拡散を抑制する
効果が小さい。他方、ニッケルの含有量が１．０重量％
を超えると、錫の電極３への侵入または拡散に対する抑
制効果が大きいものの、半田４の表面に割れが生じ、実
用にならない。
未満の場合、錫の電極３への侵入または拡散を抑制する
効果が小さい。他方、ニッケルの含有量が１．０重量％
を超えると、錫の電極３への侵入または拡散に対する抑
制効果が大きいものの、半田４の表面に割れが生じ、実
用にならない。
【００２２】また、上述したようなニッケルによる錫の
侵入または拡散に対する抑制効果は、鉛の存在によって
阻害されることが本件発明者によって見出された。そこ
で、このような錫拡散抑制効果に悪影響を及ぼす鉛を排
除するため、リード線５は、その母材および表面処理の
いずれにおいても鉛を含まない金属から構成される。そ
のため、リード線５としては、たとえば、銀線、銅線、
錫めっき鉄線、錫めっきステンレス線、または錫めっき
銅線を有利に用いることができる。
侵入または拡散に対する抑制効果は、鉛の存在によって
阻害されることが本件発明者によって見出された。そこ
で、このような錫拡散抑制効果に悪影響を及ぼす鉛を排
除するため、リード線５は、その母材および表面処理の
いずれにおいても鉛を含まない金属から構成される。そ
のため、リード線５としては、たとえば、銀線、銅線、
錫めっき鉄線、錫めっきステンレス線、または錫めっき
銅線を有利に用いることができる。
【００２３】
【実施例】図１を参照して、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｆｅ、
Ｌａ、ＣｏおよびＣｒの各酸化物を含む成形体を焼結さ
せて、負特性サーミスタ素体２を得た。次いで、このサ
ーミスタ素体２の表面に、Ａｇを主成分とする導電性ペ
ーストを印刷により付与し、８００℃〜８５０℃の温度
にて焼成して、電極３を形成した。
Ｌａ、ＣｏおよびＣｒの各酸化物を含む成形体を焼結さ
せて、負特性サーミスタ素体２を得た。次いで、このサ
ーミスタ素体２の表面に、Ａｇを主成分とする導電性ペ
ーストを印刷により付与し、８００℃〜８５０℃の温度
にて焼成して、電極３を形成した。
【００２４】次に、半田４として、Ａｇを３．５重量％
含有するとともに、表１に示す各含有量をもってＮｉを
含有し、かつ、残部がＳｎとされた組成を有するものを
それぞれ用意した。
含有するとともに、表１に示す各含有量をもってＮｉを
含有し、かつ、残部がＳｎとされた組成を有するものを
それぞれ用意した。
【００２５】他方、リード線５として、表１に示す各素
材のものを用意した。
材のものを用意した。
【００２６】
【表１】 なお、表１において、試料番号に＊を付した試料は、こ
の発明の範囲外のものである。
の発明の範囲外のものである。
【００２７】次に、表１に示す各試料について、まず、
半田４をリード線５にディップにより付与した後、この
リード線５をリフローにより電極３に半田付けした。
半田４をリード線５にディップにより付与した後、この
リード線５をリフローにより電極３に半田付けした。
【００２８】次いで、サーミスタ素体２全体を、耐湿性
および耐熱性に優れた樹脂にディップして、樹脂外装６
を施すことによって、負特性サーミスタ装置１を完成さ
せた。
および耐熱性に優れた樹脂にディップして、樹脂外装６
を施すことによって、負特性サーミスタ装置１を完成さ
せた。
【００２９】次に、これら各試料に係るサーミスタ装置
１に対して、１６０℃の高温放置試験を実施し、この試
験前と１０００時間後との各抵抗値を測定し、それに基
づいて抵抗値変化率を評価した。その結果が上記表１に
示されている。
１に対して、１６０℃の高温放置試験を実施し、この試
験前と１０００時間後との各抵抗値を測定し、それに基
づいて抵抗値変化率を評価した。その結果が上記表１に
示されている。
【００３０】表１を参照して、試料１〜６においては、
リード線５として、Ｐｂを含む金属からなるもの、具体
的には、Ｓｎ／ＰｂめっきＣｕ線を用いている。これら
試料１〜６において、Ｎｉを０．０５重量％〜１．０重
量％含有する試料２〜６は、Ｎｉを含有しない試料１に
比べて、抵抗値変化率が低く、Ｎｉによる抵抗値変化抑
制効果、すなわち半田４中のＳｎが電極３へ固相拡散す
ることを抑制する効果が現れている。
リード線５として、Ｐｂを含む金属からなるもの、具体
的には、Ｓｎ／ＰｂめっきＣｕ線を用いている。これら
試料１〜６において、Ｎｉを０．０５重量％〜１．０重
量％含有する試料２〜６は、Ｎｉを含有しない試料１に
比べて、抵抗値変化率が低く、Ｎｉによる抵抗値変化抑
制効果、すなわち半田４中のＳｎが電極３へ固相拡散す
ることを抑制する効果が現れている。
【００３１】しかしながら、上述の抵抗値変化抑制効果
が現れているとされた試料２〜６であっても、抵抗値変
化率は、試料６の７．８％が最小であるにすぎず、その
効果は未だ満足されるものではなく、さらに改善の余地
が残されている。
が現れているとされた試料２〜６であっても、抵抗値変
化率は、試料６の７．８％が最小であるにすぎず、その
効果は未だ満足されるものではなく、さらに改善の余地
が残されている。
【００３２】これらに対して、試料７〜１８において
は、リード線５として、Ｐｂを含まない金属からなるも
の、具体的には、試料７ではＡｇ線、試料８ではＣｕ
線、試料９ではＳｎめっきＦｅ線、試料１０ではＳｎめ
っきステンレス線、および、試料１１〜１８ではＳｎめ
っきＣｕ線を用いている。
は、リード線５として、Ｐｂを含まない金属からなるも
の、具体的には、試料７ではＡｇ線、試料８ではＣｕ
線、試料９ではＳｎめっきＦｅ線、試料１０ではＳｎめ
っきステンレス線、および、試料１１〜１８ではＳｎめ
っきＣｕ線を用いている。
【００３３】これら試料７〜１８において、Ｎｉを０．
０５重量％〜１．０重量％含有する試料７〜１０および
１３〜１７は、いずれも、Ｎｉを含有しない試料１１ま
たはＮｉを０．０５重量％未満しか含有しない試料１２
に比べて、抵抗値変化率が極めて低く、Ｎｉによる抵抗
値変化抑制効果が大きく現れている。
０５重量％〜１．０重量％含有する試料７〜１０および
１３〜１７は、いずれも、Ｎｉを含有しない試料１１ま
たはＮｉを０．０５重量％未満しか含有しない試料１２
に比べて、抵抗値変化率が極めて低く、Ｎｉによる抵抗
値変化抑制効果が大きく現れている。
【００３４】また、さらに注目すべきことに、Ｎｉを
０．０５重量％〜１．０重量％含有するにも関わらず、
試料２〜６のように、Ｐｂを含有する金属からなるリー
ド線５を用いたものでは、抵抗値変化率が比較的高い
が、試料７〜１０および１３〜１７のように、Ｐｂを含
有しない金属からなるリード線５を用いたものでは、抵
抗値変化率が極めて低く抑えられている。このことか
ら、ＰｂがＮｉによるＳｎ拡散抑制効果に悪影響を与え
ることがわかる。
０．０５重量％〜１．０重量％含有するにも関わらず、
試料２〜６のように、Ｐｂを含有する金属からなるリー
ド線５を用いたものでは、抵抗値変化率が比較的高い
が、試料７〜１０および１３〜１７のように、Ｐｂを含
有しない金属からなるリード線５を用いたものでは、抵
抗値変化率が極めて低く抑えられている。このことか
ら、ＰｂがＮｉによるＳｎ拡散抑制効果に悪影響を与え
ることがわかる。
【００３５】また、試料１８のように、１．０重量％を
超えてＮｉを含有する場合には、抵抗値変化率が低い
が、半田４の表面に割れが生じる不具合が発生した。
超えてＮｉを含有する場合には、抵抗値変化率が低い
が、半田４の表面に割れが生じる不具合が発生した。
【００３６】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、負特
性サーミスタ装置に備えるサーミスタ素体上に形成され
た銀を主成分とする電極に、たとえばリード線のような
導電性の端子部材を半田付けする際に用いる半田とし
て、錫を主成分としながら、これにニッケルを０．０５
重量％〜１．０重量％添加したものが用いられるので、
ニッケルによる錫の拡散抑制効果に基づき、高温環境下
に置かれても、電極中の銀のＡｇ3 Ｓｎ化が進行しにく
くなり、そのため、サーミスタ素体表面に対する電極の
オーミック接触が阻害されることを防止することができ
る。
性サーミスタ装置に備えるサーミスタ素体上に形成され
た銀を主成分とする電極に、たとえばリード線のような
導電性の端子部材を半田付けする際に用いる半田とし
て、錫を主成分としながら、これにニッケルを０．０５
重量％〜１．０重量％添加したものが用いられるので、
ニッケルによる錫の拡散抑制効果に基づき、高温環境下
に置かれても、電極中の銀のＡｇ3 Ｓｎ化が進行しにく
くなり、そのため、サーミスタ素体表面に対する電極の
オーミック接触が阻害されることを防止することができ
る。
【００３７】したがって、突入電流抑制用の負特性サー
ミスタ装置の場合や、高温用のセンサとして用いられる
負特性サーミスタ装置の場合のように、高温環境下で使
用される負特性サーミスタ装置であっても、オーミック
接触が損なわれることによる抵抗値の上昇が抑制され
る。この点で、この発明は、特に、これらの用途に向け
られる負特性サーミスタ装置において有利に適用するこ
とができる。
ミスタ装置の場合や、高温用のセンサとして用いられる
負特性サーミスタ装置の場合のように、高温環境下で使
用される負特性サーミスタ装置であっても、オーミック
接触が損なわれることによる抵抗値の上昇が抑制され
る。この点で、この発明は、特に、これらの用途に向け
られる負特性サーミスタ装置において有利に適用するこ
とができる。
【００３８】また、この発明によれば、端子部材は、そ
の母材および表面処理のいずれにおいても鉛を含まない
金属から構成されるので、上述したニッケルによる錫の
拡散抑制効果が鉛によって減殺されることを防止でき
る。
の母材および表面処理のいずれにおいても鉛を含まない
金属から構成されるので、上述したニッケルによる錫の
拡散抑制効果が鉛によって減殺されることを防止でき
る。
【００３９】この発明において、半田として、錫、銀お
よびニッケルを含有する組成を有するものを用いると、
半田においても、鉛を含まない組成とすることができる
ので、上述したようなニッケルによる錫の拡散抑制効果
が鉛によって減じられることを防止する効果のより完璧
化を図ることができるとともに、半田付け時の鉛の蒸発
による環境悪化の問題を引き起こすことも回避できる。
よびニッケルを含有する組成を有するものを用いると、
半田においても、鉛を含まない組成とすることができる
ので、上述したようなニッケルによる錫の拡散抑制効果
が鉛によって減じられることを防止する効果のより完璧
化を図ることができるとともに、半田付け時の鉛の蒸発
による環境悪化の問題を引き起こすことも回避できる。
【００４０】また、この発明において、端子部材を、銀
線、銅線、錫めっき鉄線、錫めっきステンレス線、また
は錫めっき銅線からなるリード線によって構成すると、
鉛を含まない端子部材を入手容易なものから選択して用
いることができるようになる。
線、銅線、錫めっき鉄線、錫めっきステンレス線、また
は錫めっき銅線からなるリード線によって構成すると、
鉛を含まない端子部材を入手容易なものから選択して用
いることができるようになる。
【図１】この発明にとって興味ある、かつこの発明の一
実施形態が適用され得る負特性サーミスタ装置１の全体
を図解的に示す断面図である。
実施形態が適用され得る負特性サーミスタ装置１の全体
を図解的に示す断面図である。
【図２】図１に示したサーミスタ装置１の一部を拡大し
て示す断面図であり、この発明による錫（Ｓｎ）拡散抑
制効果を図解するものである。
て示す断面図であり、この発明による錫（Ｓｎ）拡散抑
制効果を図解するものである。
【図３】図１に示したサーミスタ装置１の一部を拡大し
て示す断面図であり、錫（Ｓｎ）の拡散を図解するもの
である。
て示す断面図であり、錫（Ｓｎ）の拡散を図解するもの
である。
１ 負特性サーミスタ装置 ２ サーミスタ素体 ３ 電極 ４ 半田 ５ リード線（端子部材） ７ ３元化合物層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高岡 英清 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 山下 是如 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 5E028 AA04 BA03 BB10 CA16 DA00 EA00 EB00 FA00 GA00 HA00 JA12 JB01 JC11 5E034 BA09 BB01 DA03 DC02 DC04 DC10
Claims (3)
- 【請求項１】 負のサーミスタ特性を有するサーミスタ
素体と、 前記サーミスタ素体の表面にオーミック接触するように
形成された、銀を主成分とする電極と、 前記電極に半田付けされた、導電性の端子部材と、 を備え、 前記端子部材は、鉛を含まない金属からなり、かつ、 前記端子部材を前記電極に半田付けするための半田は、
錫を主成分とし、ニッケルを０．０５重量％〜１．０重
量％含有する組成を有することを特徴とする、負特性サ
ーミスタ装置。 - 【請求項２】 前記半田は、錫、銀およびニッケルを含
有する組成を有する、請求項１に記載の負特性サーミス
タ装置。 - 【請求項３】 前記端子部材は、リード線によって構成
され、前記リード線は、銀線、銅線、錫めっき鉄線、錫
めっきステンレス線、および錫めっき銅線から選ばれた
１種である、請求項１または２に記載の負特性サーミス
タ装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10308511A JP2000138105A (ja) | 1998-10-29 | 1998-10-29 | 負特性サーミスタ装置 |
| KR1019990037643A KR100324097B1 (ko) | 1998-10-29 | 1999-09-06 | 부특성 서미스터 장치 |
| DE19947602A DE19947602A1 (de) | 1998-10-29 | 1999-10-04 | NTC-Thermistorbauelement |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10308511A JP2000138105A (ja) | 1998-10-29 | 1998-10-29 | 負特性サーミスタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000138105A true JP2000138105A (ja) | 2000-05-16 |
Family
ID=17981916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10308511A Pending JP2000138105A (ja) | 1998-10-29 | 1998-10-29 | 負特性サーミスタ装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000138105A (ja) |
| KR (1) | KR100324097B1 (ja) |
| DE (1) | DE19947602A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017050000A1 (zh) * | 2015-09-25 | 2017-03-30 | 株式会社村田制作所 | 带引线的电子元件组件及其制造方法 |
| JP2021061738A (ja) * | 2019-10-07 | 2021-04-15 | スマート エレクトロニクス インク | 回路保護装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040032178A (ko) * | 2002-10-01 | 2004-04-17 | 이성래 | 회로기판의 리이드 프레임 제조방법 |
-
1998
- 1998-10-29 JP JP10308511A patent/JP2000138105A/ja active Pending
-
1999
- 1999-09-06 KR KR1019990037643A patent/KR100324097B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-10-04 DE DE19947602A patent/DE19947602A1/de not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017050000A1 (zh) * | 2015-09-25 | 2017-03-30 | 株式会社村田制作所 | 带引线的电子元件组件及其制造方法 |
| US10176909B2 (en) | 2015-09-25 | 2019-01-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component module with leads and method for manufacturing the same |
| JP2021061738A (ja) * | 2019-10-07 | 2021-04-15 | スマート エレクトロニクス インク | 回路保護装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19947602A1 (de) | 2000-05-18 |
| KR100324097B1 (ko) | 2002-02-16 |
| KR20000028640A (ko) | 2000-05-25 |
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