JPH0974003A - セラミック電子部品 - Google Patents
セラミック電子部品Info
- Publication number
- JPH0974003A JPH0974003A JP7226258A JP22625895A JPH0974003A JP H0974003 A JPH0974003 A JP H0974003A JP 7226258 A JP7226258 A JP 7226258A JP 22625895 A JP22625895 A JP 22625895A JP H0974003 A JPH0974003 A JP H0974003A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- external electrode
- ceramic body
- metal coating
- film
- ceramic
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐酸性、耐アルカリ性及び実装時の耐フラッ
クス性に優れ、かつ長期信頼性も高い絶縁被膜をセラミ
ック体表面に設けたセラミック電子部品を得る。 【解決手段】 セラミック体１の全表面にディッピング
法にてＮｉを主成分としたペーストを塗布、乾燥させて
Ｎｉ金属被膜２を形成する。次に、セラミック体１の両
端部にディッピング法にてＡｇを主成分としたペースト
を塗布、乾燥して外部電極３を形成後、８００℃の温度
にて焼成した。このとき、Ｎｉ金属被膜２は外部電極３
に覆われた部分を残して酸化物になり、絶縁被膜２ａと
される。外部電極３に覆われた部分のＮｉ金属被膜２は
酸化されず、金属膜の状態として残るため外部電極３の
下地層とされる。
クス性に優れ、かつ長期信頼性も高い絶縁被膜をセラミ
ック体表面に設けたセラミック電子部品を得る。 【解決手段】 セラミック体１の全表面にディッピング
法にてＮｉを主成分としたペーストを塗布、乾燥させて
Ｎｉ金属被膜２を形成する。次に、セラミック体１の両
端部にディッピング法にてＡｇを主成分としたペースト
を塗布、乾燥して外部電極３を形成後、８００℃の温度
にて焼成した。このとき、Ｎｉ金属被膜２は外部電極３
に覆われた部分を残して酸化物になり、絶縁被膜２ａと
される。外部電極３に覆われた部分のＮｉ金属被膜２は
酸化されず、金属膜の状態として残るため外部電極３の
下地層とされる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミック電子部
品、例えばサーミスタ、コンデンサ、圧電体、磁性体、
バリスタ、抵抗体等に関する。
品、例えばサーミスタ、コンデンサ、圧電体、磁性体、
バリスタ、抵抗体等に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のセラミック電子部品、例えばサー
ミスタは、図１２に示すように、セラミック体２１の両
端部に外部電極２３が設けられ、この外部電極２３を残
してセラミック体２１の表面を覆うようにガラス被膜２
２が設けられている。外部電極２３の表面には耐半田性
向上のためにめっき膜が形成されている。ガラス被膜２
２は、このめっき膜を形成する際にめっき膜がセラミッ
ク体２１の表面に成長するのを防止するためと、セラミ
ック電子部品を印刷配線板等に半田付けする際に使用さ
れるフラックスや空気中の活性ガス等からセラミック体
２１を保護するためのものである。
ミスタは、図１２に示すように、セラミック体２１の両
端部に外部電極２３が設けられ、この外部電極２３を残
してセラミック体２１の表面を覆うようにガラス被膜２
２が設けられている。外部電極２３の表面には耐半田性
向上のためにめっき膜が形成されている。ガラス被膜２
２は、このめっき膜を形成する際にめっき膜がセラミッ
ク体２１の表面に成長するのを防止するためと、セラミ
ック電子部品を印刷配線板等に半田付けする際に使用さ
れるフラックスや空気中の活性ガス等からセラミック体
２１を保護するためのものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ガラス
被膜２２は、耐酸性、耐アルカリ性が劣り、外部電極２
３の表面に施されるめっき膜形成時、めっき液中に溶解
することがあり、目的とするめっき成長防止および耐環
境性改善の役割を果たさないおそれがあった。また、印
刷配線板に半田付けする時に使用されるフラックスや空
気中のガスと水分とで成る電解質溶液にも溶解すること
があった。さらに、ガラス被膜２２は、ガラス粉末を主
成分とするペーストの状態で印刷され、熱処理により膜
とするが、熱処理時に粘度低下が大きく、セラミック体
２１の中に浸透したり、セラミック体２１の表面から垂
れ落ちたりして被膜として形成させることが難しかっ
た。
被膜２２は、耐酸性、耐アルカリ性が劣り、外部電極２
３の表面に施されるめっき膜形成時、めっき液中に溶解
することがあり、目的とするめっき成長防止および耐環
境性改善の役割を果たさないおそれがあった。また、印
刷配線板に半田付けする時に使用されるフラックスや空
気中のガスと水分とで成る電解質溶液にも溶解すること
があった。さらに、ガラス被膜２２は、ガラス粉末を主
成分とするペーストの状態で印刷され、熱処理により膜
とするが、熱処理時に粘度低下が大きく、セラミック体
２１の中に浸透したり、セラミック体２１の表面から垂
れ落ちたりして被膜として形成させることが難しかっ
た。
【０００４】そこで、本発明の目的は、耐酸性、耐アル
カリ性及び実装時の耐フラックス性に優れ、かつ長期信
頼性も高い絶縁被膜をセラミック体表面に設けたセラミ
ック電子部品を提供することにある。
カリ性及び実装時の耐フラックス性に優れ、かつ長期信
頼性も高い絶縁被膜をセラミック体表面に設けたセラミ
ック電子部品を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】以上の目的を達成するた
め、本発明に係るセラミック電子部品は、セラミック体
の表面に金属被膜を設け、この金属被膜を焼成して少な
くとも所定の部分を絶縁被膜化したことを特徴とする。
また、本発明に係るセラミック電子部品は、セラミック
体の表面に金属被膜を設けると共に、前記金属被膜の所
定の部分に外部電極を設け、前記金属被膜を焼成して前
記外部電極にて覆われている部分を残して前記金属被膜
を絶縁被膜化したことを特徴とする。ここに、金属被膜
の材料として、例えばＮｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｃｏ，
Ｆｅ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｍｇの少なくとも一つの金属
又はこれらの二つ以上の金属からなる合金を主成分とす
る材料が用いられる。
め、本発明に係るセラミック電子部品は、セラミック体
の表面に金属被膜を設け、この金属被膜を焼成して少な
くとも所定の部分を絶縁被膜化したことを特徴とする。
また、本発明に係るセラミック電子部品は、セラミック
体の表面に金属被膜を設けると共に、前記金属被膜の所
定の部分に外部電極を設け、前記金属被膜を焼成して前
記外部電極にて覆われている部分を残して前記金属被膜
を絶縁被膜化したことを特徴とする。ここに、金属被膜
の材料として、例えばＮｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｃｏ，
Ｆｅ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｍｇの少なくとも一つの金属
又はこれらの二つ以上の金属からなる合金を主成分とす
る材料が用いられる。
【０００６】
【作用】以上の構成により、セラミック体の表面に設け
られた金属被膜は、外部電極に覆われた部分を残して焼
成時に酸化物になり、絶縁化する。この絶縁被膜はセラ
ミック体が外部に曝されるのを防止する。一方、外部電
極に覆われた金属被膜は焼成時に酸素不足となり、金属
被膜のままであるため外部電極下地層として機能する。
られた金属被膜は、外部電極に覆われた部分を残して焼
成時に酸化物になり、絶縁化する。この絶縁被膜はセラ
ミック体が外部に曝されるのを防止する。一方、外部電
極に覆われた金属被膜は焼成時に酸素不足となり、金属
被膜のままであるため外部電極下地層として機能する。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るセラミック電
子部品の実施形態について添付図面を参照して説明す
る。各実施形態では、負特性サーミスタ（以下、ＮＴＣ
サーミスタとする）を例にして説明する。 ［第１実施形態、図１〜図６］Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕ
の化合物をバインダー剤とともに混練し、スラリーを調
整した。これをドクターブレード法にてシート状に成形
後、１００×５０（ｍｍ）にカットしグリーンシートと
した。グリーンシートを複数枚重ねて圧着した後、カッ
トして２．１×１．５×１．３（ｍｍ）の生チップを形
成、これを１３００℃の温度で１時間焼成し、図１に示
すセラミック体１（１．７×１．２×１．０（ｍｍ））
を得た。
子部品の実施形態について添付図面を参照して説明す
る。各実施形態では、負特性サーミスタ（以下、ＮＴＣ
サーミスタとする）を例にして説明する。 ［第１実施形態、図１〜図６］Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕ
の化合物をバインダー剤とともに混練し、スラリーを調
整した。これをドクターブレード法にてシート状に成形
後、１００×５０（ｍｍ）にカットしグリーンシートと
した。グリーンシートを複数枚重ねて圧着した後、カッ
トして２．１×１．５×１．３（ｍｍ）の生チップを形
成、これを１３００℃の温度で１時間焼成し、図１に示
すセラミック体１（１．７×１．２×１．０（ｍｍ））
を得た。
【０００８】次に、図２に示すように、バレル処理によ
りセラミック体１の角、稜線部に丸みをつけた。さら
に、図３に示すように有機ビヒクル中に金属Ｎｉ粉末と
固着剤たるガラス粉を分散させたＮｉペーストを、この
セラミック体１の全面にディッピング法にて塗布、乾燥
させてＮｉ金属被膜２を形成した。Ｎｉ金属被膜２の膜
厚は、０．０５〜２０μｍが好ましい。膜厚が０．０５
μｍ未満では保護膜として十分機能せず、また２０μｍ
を超えると、焼成時に酸化物にならないで外部電極間で
短絡回路を形成することになり、サーミスタとして機能
しないからである。この後、図４に示すようにＡｇを主
成分とし、ガラスを固着剤とした外部電極ペーストをデ
ィッピング法によりセラミック体１の両端部に塗布、乾
燥して外部電極３を形成した。
りセラミック体１の角、稜線部に丸みをつけた。さら
に、図３に示すように有機ビヒクル中に金属Ｎｉ粉末と
固着剤たるガラス粉を分散させたＮｉペーストを、この
セラミック体１の全面にディッピング法にて塗布、乾燥
させてＮｉ金属被膜２を形成した。Ｎｉ金属被膜２の膜
厚は、０．０５〜２０μｍが好ましい。膜厚が０．０５
μｍ未満では保護膜として十分機能せず、また２０μｍ
を超えると、焼成時に酸化物にならないで外部電極間で
短絡回路を形成することになり、サーミスタとして機能
しないからである。この後、図４に示すようにＡｇを主
成分とし、ガラスを固着剤とした外部電極ペーストをデ
ィッピング法によりセラミック体１の両端部に塗布、乾
燥して外部電極３を形成した。
【０００９】この後、セラミック体１を８００℃の温度
にて焼成した。このとき、図５に示すように、セラミッ
ク体１の表面に形成されたＮｉ金属被膜２は、外部電極
３に覆われた部分を残して酸化物になり、絶縁被膜２ａ
とされる。外部電極３に覆われた部分のＮｉ金属被膜２
は酸素不足となり酸化されず、金属膜の状態として残る
ため外部電極３の下地層として機能する。
にて焼成した。このとき、図５に示すように、セラミッ
ク体１の表面に形成されたＮｉ金属被膜２は、外部電極
３に覆われた部分を残して酸化物になり、絶縁被膜２ａ
とされる。外部電極３に覆われた部分のＮｉ金属被膜２
は酸素不足となり酸化されず、金属膜の状態として残る
ため外部電極３の下地層として機能する。
【００１０】図６はこうして得られたＮＴＣサーミスタ
の外観を示す斜視図である。このＮＴＣサーミスタはセ
ラミック体１が外界に曝されていないため、実装時に使
用される半田付け用フラックスによる劣化や、空気中の
ガス、水分等に起因する特性劣化を防止することができ
る。
の外観を示す斜視図である。このＮＴＣサーミスタはセ
ラミック体１が外界に曝されていないため、実装時に使
用される半田付け用フラックスによる劣化や、空気中の
ガス、水分等に起因する特性劣化を防止することができ
る。
【００１１】［第２実施形態、図７〜図１１］Ｍｎ，Ｎ
ｉ，Ｃｏ，Ｃｕの化合物をバインダー剤とともに混練
し、スラリーを調整した。これをドクターブレード法に
てシート状に成形後、１００×５０（ｍｍ）にカットし
グリーンシートとした。グリーンシートの表面にＰｔを
主成分とするペーストを印刷し、内部電極を形成した。
次に、このグリーンシートを複数枚重ねて圧着した後、
カットして２．１×１．５×１．３（ｍｍ）の生チップ
を形成、これを１３００℃の温度で１時間焼成し、図７
に示すように、内部電極１２を有するセラミック体１１
（１．７×１．２×１．０（ｍｍ））を得た。
ｉ，Ｃｏ，Ｃｕの化合物をバインダー剤とともに混練
し、スラリーを調整した。これをドクターブレード法に
てシート状に成形後、１００×５０（ｍｍ）にカットし
グリーンシートとした。グリーンシートの表面にＰｔを
主成分とするペーストを印刷し、内部電極を形成した。
次に、このグリーンシートを複数枚重ねて圧着した後、
カットして２．１×１．５×１．３（ｍｍ）の生チップ
を形成、これを１３００℃の温度で１時間焼成し、図７
に示すように、内部電極１２を有するセラミック体１１
（１．７×１．２×１．０（ｍｍ））を得た。
【００１２】次に、図８に示すように、バレル処理によ
りセラミック体１１の角、稜線部に丸みをつけた。さら
に、図９に示すように、セラミック体１１の表面にスパ
ッタリング法にてＣｒ金属被膜１３を形成した。Ｃｒ金
属被膜１３の膜厚は、０．０５〜２０μｍが好ましい。
膜厚が０．０５μｍ未満では保護膜として十分機能せ
ず、また２０μｍを超えると、焼成時に酸化物にならな
いで外部電極間で短絡回路を形成することになり、サー
ミスタとして機能しないからである。この後、図１０に
示すように、Ａｇを主成分とし、ガラスを固着剤とした
外部電極ペーストをディッピング法によりセラミック体
１１の両端部に塗布、乾燥させて外部電極１４を形成し
た。
りセラミック体１１の角、稜線部に丸みをつけた。さら
に、図９に示すように、セラミック体１１の表面にスパ
ッタリング法にてＣｒ金属被膜１３を形成した。Ｃｒ金
属被膜１３の膜厚は、０．０５〜２０μｍが好ましい。
膜厚が０．０５μｍ未満では保護膜として十分機能せ
ず、また２０μｍを超えると、焼成時に酸化物にならな
いで外部電極間で短絡回路を形成することになり、サー
ミスタとして機能しないからである。この後、図１０に
示すように、Ａｇを主成分とし、ガラスを固着剤とした
外部電極ペーストをディッピング法によりセラミック体
１１の両端部に塗布、乾燥させて外部電極１４を形成し
た。
【００１３】この後、セラミック体１１を８００℃の温
度にて焼成した。このとき、図１１に示すように、セラ
ミック体１１の表面に形成されたＣｒ金属被膜１３は、
外部電極１４に覆われた部分を残して酸化物になり、絶
縁被膜１３ａとされる。外部電極１４に覆われたＣｒ金
属被膜１３は酸素不足となり酸化されず、金属膜の状態
として残るため外部電極１４の下地層として機能する。
度にて焼成した。このとき、図１１に示すように、セラ
ミック体１１の表面に形成されたＣｒ金属被膜１３は、
外部電極１４に覆われた部分を残して酸化物になり、絶
縁被膜１３ａとされる。外部電極１４に覆われたＣｒ金
属被膜１３は酸素不足となり酸化されず、金属膜の状態
として残るため外部電極１４の下地層として機能する。
【００１４】さらに、外部電極１４の半田喰われを防止
するため、外部電極１４表面に電解Ｎｉめっき及び電解
Ｓｎめっきが施される。このとき、セラミック体１１は
絶縁被膜１３ａによってめっき液から保護され、セラミ
ック体１１がめっき液中に溶解するおそれがない。ま
た、絶縁被膜１３ａは絶縁性であるため、外部電極１４
以外にめっき膜が成長するおそれもない。
するため、外部電極１４表面に電解Ｎｉめっき及び電解
Ｓｎめっきが施される。このとき、セラミック体１１は
絶縁被膜１３ａによってめっき液から保護され、セラミ
ック体１１がめっき液中に溶解するおそれがない。ま
た、絶縁被膜１３ａは絶縁性であるため、外部電極１４
以外にめっき膜が成長するおそれもない。
【００１５】こうして得られたＮＴＣサーミスタは、セ
ラミック体１１が外界に曝されていないため、実装時に
使用される半田付け用フラックスによる劣化や、空気中
のガス、水分等に起因する特性劣化を防止することがで
きる。
ラミック体１１が外界に曝されていないため、実装時に
使用される半田付け用フラックスによる劣化や、空気中
のガス、水分等に起因する特性劣化を防止することがで
きる。
【００１６】［他の実施形態］なお、本発明に係るセラ
ミック電子部品は前記実施形態に限定するものではな
く、その要旨の範囲内で変更することができる。
ミック電子部品は前記実施形態に限定するものではな
く、その要旨の範囲内で変更することができる。
【００１７】セラミック電子部品は、負特性サーミスタ
に限らず、正特性サーミスタ、コンデンサ、圧電体、磁
性体、バリスタ、抵抗体等であってもよい。また、金属
被膜の材料としては、Ｎｉ，Ｃｒ以外に、Ｍｎ，Ｃｕ，
Ｃｏ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｍｇの少なくとも一つ
の金属又はこれらの二つ以上の金属からなる合金を主成
分とする材料であってもよい。また、金属被膜は、必ず
しもセラミック体全体を被覆する必要はなく、例えば外
部電極が形成される部分には金属被膜が形成されないよ
うにしてもよい。この場合は、外部電極焼成と金属被膜
酸化処理を別工程で実行することができ、金属被膜は全
体が絶縁被膜化される。
に限らず、正特性サーミスタ、コンデンサ、圧電体、磁
性体、バリスタ、抵抗体等であってもよい。また、金属
被膜の材料としては、Ｎｉ，Ｃｒ以外に、Ｍｎ，Ｃｕ，
Ｃｏ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｍｇの少なくとも一つ
の金属又はこれらの二つ以上の金属からなる合金を主成
分とする材料であってもよい。また、金属被膜は、必ず
しもセラミック体全体を被覆する必要はなく、例えば外
部電極が形成される部分には金属被膜が形成されないよ
うにしてもよい。この場合は、外部電極焼成と金属被膜
酸化処理を別工程で実行することができ、金属被膜は全
体が絶縁被膜化される。
【００１８】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、セラミック体の表面に金属被膜を設け、この金
属被膜を焼成して少なくとも所定の部分を絶縁被膜化し
たので、絶縁被膜化された部分は、外部電極表面のめっ
き時にセラミックの保護膜として働き、めっき液にセラ
ミックが溶解することがない。また絶縁性を有するの
で、外部電極以外にめっき膜が成長することもない。さ
らに、セラミック体の表面が絶縁被膜によって覆われて
外部に曝されていないため、実装時のフラックスによる
特性劣化や、空気中のガス、イオンその他の影響により
引き起こされる特性劣化を防止することができる。
よれば、セラミック体の表面に金属被膜を設け、この金
属被膜を焼成して少なくとも所定の部分を絶縁被膜化し
たので、絶縁被膜化された部分は、外部電極表面のめっ
き時にセラミックの保護膜として働き、めっき液にセラ
ミックが溶解することがない。また絶縁性を有するの
で、外部電極以外にめっき膜が成長することもない。さ
らに、セラミック体の表面が絶縁被膜によって覆われて
外部に曝されていないため、実装時のフラックスによる
特性劣化や、空気中のガス、イオンその他の影響により
引き起こされる特性劣化を防止することができる。
【図１】本発明に係るセラミック電子部品の第１実施形
態の製造手順を示す断面図。
態の製造手順を示す断面図。
【図２】図１に続く製造手順を示す断面図。
【図３】図２に続く製造手順を示す断面図。
【図４】図３に続く製造手順を示す断面図。
【図５】第１実施形態のセラミック電子部品の断面図。
【図６】図５に示したセラミック電子部品の外観を示す
斜視図。
斜視図。
【図７】本発明に係るセラミック電子部品の第２実施形
態の製造手順を示す断面図。
態の製造手順を示す断面図。
【図８】図７に続く製造手順を示す断面図。
【図９】図８に続く製造手順を示す断面図。
【図１０】図９に続く製造手順を示す断面図。
【図１１】第２実施形態のセラミック電子部品の断面
図。
図。
【図１２】従来のセラミック電子部品の断面図。
１…セラミック体 ２…金属被膜 ２ａ…絶縁被膜 ３…外部電極 １１…セラミック体 １３…金属被膜 １３ａ…絶縁被膜 １４…外部電極
Claims (3)
- 【請求項１】 セラミック体の表面に金属被膜を設け、
この金属被膜を焼成して少なくとも所定の部分を絶縁被
膜化したことを特徴とするセラミック電子部品。 - 【請求項２】 セラミック体の表面に金属被膜を設ける
と共に、前記金属被膜の所定の部分に外部電極を設け、
前記金属被膜を焼成して前記外部電極にて覆われている
部分を残して前記金属被膜を絶縁被膜化したことを特徴
とするセラミック電子部品。 - 【請求項３】 前記金属被膜がＮｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃ
ｕ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｍｇの少なくとも
一つの金属又はこれらの二つ以上の金属からなる合金を
主成分とする材料であることを特徴とする請求項１又は
２記載のセラミック電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7226258A JPH0974003A (ja) | 1995-09-04 | 1995-09-04 | セラミック電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7226258A JPH0974003A (ja) | 1995-09-04 | 1995-09-04 | セラミック電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0974003A true JPH0974003A (ja) | 1997-03-18 |
Family
ID=16842386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7226258A Pending JPH0974003A (ja) | 1995-09-04 | 1995-09-04 | セラミック電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0974003A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001155957A (ja) * | 1999-04-30 | 2001-06-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品 |
| KR100405153B1 (ko) * | 2000-07-21 | 2003-11-12 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 칩형 전자부품 및 이의 제조방법 |
| CN109545551A (zh) * | 2017-09-21 | 2019-03-29 | 太阳诱电株式会社 | 陶瓷电子器件和陶瓷电子器件的制造方法 |
-
1995
- 1995-09-04 JP JP7226258A patent/JPH0974003A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001155957A (ja) * | 1999-04-30 | 2001-06-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品 |
| KR100405153B1 (ko) * | 2000-07-21 | 2003-11-12 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 칩형 전자부품 및 이의 제조방법 |
| CN109545551A (zh) * | 2017-09-21 | 2019-03-29 | 太阳诱电株式会社 | 陶瓷电子器件和陶瓷电子器件的制造方法 |
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