JP4560874B2 - セラミック電子部品 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、セラミック電子部品に関するもので、特にセラミック素体と外部電極とリード端子と半田から構成されるセラミック電子部品に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
セラミック電子部品としては、セラミック素体上に形成された外部電極とリード端子を半田により接合し、コンデンサ、サーミスタ、バリスタ等の電気的特性を発現するものがある。セラミック素体としては、誘電体、絶縁体、半導体、圧電体、磁性体等が用いられている。外部電極としては、スパッタや蒸着による薄膜電極、厚膜電極、メッキ電極が用いられている。リード端子には、Cu、Fe等の芯材にSn−Pb、Snメッキ等が施されており、半田としてはSnとPbを主成分とする合金が一般に使用されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のセラミック電子部品は、高温下に長期間曝された場合に、Ag、Cu、Ni等の外部電極の金属成分と半田に含まれるSnとの相互拡散により、外部電極と半田との接合界面に金属間化合物が生成される。特に外部電極の金属成分がNiP合金である無電解メッキの場合、SnとNiとの相互拡散によりPの偏析層が電極層内に形成され、そのP偏析層界面でマイクロクラックが発生するために接合強度が大きく低下する。さらに、Sn−Pb半田を用いた場合、Snの拡散により金属間化合物と半田との界面にはPbリッチ相が生成される。この柔らかいPbリッチ相と硬くて脆い金属間化合物層が接する構造の場合、応力に対してクラック等が発生するため接合信頼性の低下を招く。
【0004】
本発明の目的は、上述の問題点を解決すべくなされたもので、高温下に長時間曝されても安定した電気的特性を備え、かつ十分なリード端子接合強度を備えるセラミック電子部品を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明のセラミック電子部品は、セラミック素体と、前記セラミック素体に設けられNiPまたはNiB合金の層として膜形成された外部電極と、Cu成分を含有しPb成分を含有しない半田(不可避不純物、半田槽における汚染ならびにリード端子からの混入を除く)により外部電極に接続されたリード端子と、セラミック素体と外部電極を覆うように形成された外装樹脂とからなるセラミック電子部品であって、
外部電極と半田との界面に、CuSn金属間化合物層を備えることを特徴とする。
【0007】
また、本発明のセラミック電子部品は、リード端子が、Pbを含まない金属線を芯材とし、金属線の表面にPbを含まない合金またはPb以外の金属によってメッキ処理されたリード端子(何れも不可避不純物を除く)であることを特徴とするものでもよい。
【0008】
また、上述の半田は、半田100重量%のうちCu0.1〜3重量%含有することが好ましい。
【0009】
また、上述の半田は、Sn−0.7重量%CuまたはSn−3.5重量%Ag−0.7重量%Cu(何れも不可避不純物、半田槽における汚染ならびにリード端子からの混入を除く)であることがさらに好ましい。
【0010】
【発明の実施の形態】
本発明の中の一つの実施形態のセラミック電子部品を図1に示して説明する。
セラミック電子部品1は、セラミック素体2と、外部電極3,3と、半田4,4と、リード端子5,5と、外装樹脂6から構成される。セラミック素体2は、セラミックグリーンシートを焼成した円板型の焼結体からなる。外部電極3、3は、セラミック素体2の両主面に形成された一対の電極膜からなる。半田4,4は、外部電極3,3とリード端子5,5をそれぞれ電気的かつ機械的に接合するように外部電極3,3上に形成されている。外装樹脂6は、セラミック素体2と外部電極3,3と半田4,4を覆うように形成されている。
【0011】
セラミック素体2は、例えば誘電体、絶縁体、半導体、圧電体、磁性体として機能する材料からなるものを適宜用いることができる。なお、図1に示したセラミック素体2の形状は円板型であるが、セラミック素体2の形状は特に円板型に限定されることなく、外部電極3,3を形成するのに十分な面を備えるのであれば、例えば角板型等を適宜用いることができ、何れの場合においても本発明の効果が得られる。
【0012】
外部電極3,3は、セラミック素体2の両主面に形成された電極膜であり、例えば、無電解Niメッキにより形成される場合、メッキ浴中の還元剤成分の種類によりNiPあるいはNiB合金等の層として膜形成されている。なお、外部電極の形状ならびに大きさは、本発明の実施形態に限定されることなく、例えば、セラミック素体3,3両主面の全体に形成、あるいは任意の形状のギャップ幅を取って形成することができ、何れの場合においても本発明の効果が得られる。また、外部電極の層数は、本発明の実施形態に限定されることなく、例えば、第1層の外部電極上にさらに第2層の外部電極を形成してもよく、何層であっても本発明の効果が得られる。
【0013】
半田4,4は、広くPbフリー半田全般を適宜用いることができるが、外部電極3,3との界面に、十分なCuSn金属間化合物層を形成するためには、Cuを0.01〜10重量%含有する組成であることが好ましい。さらに好ましい半田としては、Sn−0.7Cu、Sn−3.5Ag−0.7Cu等の代表的なPbフリー半田が挙げられ、これらを適宜用いることができる。なお、不可避不純物としてPbを含有することは妨げない。また、半田槽におけるフロー半田付け時に、不可抗力として外部電極を構成する材料の一部が混入してPbを含有することは妨げない。また、半田付け時ならびに半田付け後において、リード端子を構成する材料の一部が混入してPbを含有することは妨げない。
【0014】
また、半田4,4の形状ならびに大きさは、本発明の実施形態に限定されることなく、例えば、外部電極3,3の全体に形成、あるいは外部電極3,3上の任意の一部分であってもよく、何れの場合においても本発明の効果が得られる。
【0015】
半田付けの方法は、特に限定はしないが、例えば、浸漬法やリフロー加熱による方法が挙げられ、何れの方法によっても本発明の効果が得られる。
【0016】
リード端子5,5は、広くPbフリーのリード端子全般を適宜用いることができるが、不可避不純物としてPbを含有することを妨げない。例えば、Cu、Fe、Ni、Au等からなる金属線を芯材として、必要に応じて金属線の表面にSn、Cu、Pd、Au、Sn−Cu、Sn−Ag、Sn−Ag−Cuメッキを施したリード端子を適宜用いることができる。メッキ方法としては、例えば無電解メッキ、電解メッキ、溶融メッキ等の方法が挙げられるが、メッキに含まれている金属組成が導電成分として機能していれば、何れの方法によっても本発明の効果が得られる。なお、外部電極3に接合されるリード端子5の数は、本発明の実施形態に限定されることなく、1つの外部電極3に2本以上のリード端子5を接合しても本発明の効果が得られる。
【0017】
外装樹脂5は、例えば、エポキシ樹脂、シリコン樹脂等が挙げられるが、特にこれらに限定されることなく、絶縁性、耐湿性、耐衝撃性、耐熱性等に優れるものであれば代表的な樹脂を適宜用いることができる。
【0018】
【実施例】
まず、コンデンサとして機能する、8mmφのチタン酸バリウム等からなるセラミック素体を準備し、このセラミック素体の両主面全体に無電解Niメッキにより厚み約1ミクロンのNiPあるいはNiB合金膜を形成し、これを外部電極とした。
【0019】
次いで、表1に示した組成からなるリード端子と半田とを準備し、上述の外部電極に浸漬工法により半田付けをおこない、実施例1〜10ならびに比較例1〜5の試験サンプルを各々10個ずつ作製した。なお、上述の浸漬工法による半田付けは、各々の半田の液相温度により250〜350℃の範囲で実施した。
【0020】
次いで、リード端子に上述の半田を予備半田付けした後、上述の外部電極に上述のリード端子をリフロー半田付けして、実施例11〜15ならびに比較例6〜8の試験サンプルを各々10個ずつ作製した。なお、上述のリフロー半田付けは、各々の半田の液相温度により250〜350℃の範囲で実施した。
【0021】
【表1】
【0022】
そこで、実施例1〜15ならびに比較例1〜8の試験サンプルについて、まず、
初期状態における静電容量、誘電損失、リード端子接合強度を測定し、試験サンプル10個の平均値を求め、これを表2にまとめた。
【0023】
次いで、大気中125℃の高温下で2000時間放置した後、静電容量、誘電損失、リード端子接合強度を再び測定し、試験サンプル10個の平均値を求め、さらにリード端子の接合強度の低下率を算出し、これを表2にまとめた。
【0024】
なお、静電容量と誘電損失については、高温放置後に室温で24時間放置した後、試験サンプルのリード端子を静電容量測定器の検出端子と接続し測定した。
【0025】
また、リード端子接合強度については、高温放置後の試験サンプルのリード端子を双方向に引張り、リード端子接合部がセラミック素体両主面から剥離する時の最大強度を測定した。
【0026】
【表2】
【0027】
表2から明らかなように、実施例1〜15の試験サンプルは、リード端子接合強度の低下率が半田付け工法に関係なく、8.6〜14.1%の範囲であり、初期からほとんど低下しておらず、実用上十分な強度を備えていることがわかる。
【0028】
これに対して、比較例1〜8の試験サンプルは、接合強度が初期から50%以上低下しており、高温放置により接合信頼性が著しく低下している。
【0029】
なお、静電容量と誘電損失については、応力が加わらない限り半田接合部で電気的接続が確保されているため、実施例ならびに比較例とも高温放置後においても変化していない。
【0030】
【発明の効果】
以上のように本発明のセラミック電子部品は、セラミック素体と、セラミック素体に設けられた外部電極と、Cu成分を含有しPb成分を含有しない半田により外部電極に接続されたリード端子と、セラミック素体と外部電極を覆うように形成された外装樹脂とからなるセラミック電子部品であって、外部電極と半田との界面に、CuSn金属間化合物層を備えることを特徴とすることで、高温下に長期間曝されても安定した電気的特性を備え、かつ十分なリード端子接合強度を備える。
【0031】
また、本発明のセラミック電子部品におけるリード端子は、芯材となる金属線がPbを含まない合金またはPb以外の金属によってメッキ処理されたリード端子であり、半田は、Sn基半田からなることを特徴とすることで、環境に優しく、高温下に長期間曝されても安定した電気的特性を備え、かつ十分なリード端子接合強度を備えるセラミック電子部品が得られる。
【0032】
また、本発明のセラミック電子部品における外部電極が、NiP、NiB合金を主成分とする無電解メッキ膜である場合のように、SnとNiとの相互拡散によりPの偏析層が電極層内に形成され易い形態であっても、外部電極と半田との界面にCuSn金属間化合物層を備えることから、高温下に長期間曝されても安定した電気的特性を備え、かつ十分なリード端子接合強度を備えるセラミック電子部品が得られる。
【0033】
また、本発明のセラミック電子部品における半田は、半田100重量%のうちCu0.1〜3重量%含有することを特徴とすることで、外部電極と半田との界面に十分なCuSn金属間化合物層をが形成され、かつ高温下に長期間曝されても安定した電気的特性を備え、かつ十分なリード端子接合強度を備えるセラミック電子部品が得られる。
【0034】
また、上述の半田が、Sn−0.7重量%CuまたはSn−3.5重量%Ag−0.7重量%Cuであることを特徴とすることで、外部電極と半田との界面により好適な程度のCuSn金属間化合物層をが形成され、かつ高温下に長期間曝されても安定した電気的特性を備え、かつ十分なリード端子接合強度を備えるセラミック電子部品が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る一つの実施の形態のセラミック電子部品の説明図である。
【符号の説明】
1 セラミック電子部品
2 セラミック素体
3 外部電極
4 半田
5 リード端子
6 外装樹脂
Claims (4)
- セラミック素体と、前記セラミック素体に設けられNiPまたはNiB合金の層として膜形成された外部電極と、Cu成分を含有しPb成分を含有しない半田により前記外部電極に接続されたリード端子と、前記セラミック素体と前記外部電極を覆うように形成された外装樹脂とからなるセラミック電子部品であって、
前記外部電極と前記半田との界面に、CuSn金属間化合物層を備えることを特徴とする、セラミック電子部品。 - 前記リード端子は、Pbを含まない金属線を芯材とし、前記金属線の表面にPbを含まない合金またはPb以外の金属によってメッキ処理されたリード端子であることを特徴とする、請求項1に記載のセラミック電子部品。
- 前記半田は、半田100重量%のうちCu0.1〜3重量%含有することを特徴とする、請求項1または2に記載のセラミック電子部品。
- 前記半田は、Sn−0.7重量%CuまたはSn−3.5重量%Ag−0.7重量%Cuであることを特徴とする、請求項1または2に記載のセラミック電子部品。
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