JP4240356B2

JP4240356B2 - Ｐｂフリーはんだ組成物およびはんだ付け物品

Info

Publication number: JP4240356B2
Application number: JP2002184719A
Authority: JP
Inventors: 英清高岡; 邦彦浜田
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2002-06-25
Filing date: 2002-06-25
Publication date: 2009-03-18
Anticipated expiration: 2022-06-25
Also published as: JP2004025232A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、不可避不純物を除いてＰｂを含まない高温はんだ組成物、および該はんだ組成物を用いたはんだ付け物品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、はんだ耐熱性が必要な電子部品の構成部材などのはんだ付けには、Ｐｂ比率の高いＳｎ−Ｐｂ系はんだを使用することが一般的に行われてきた。しかしながら、従来のＳｎ−Ｐｂ系はんだは、Ｐｂを含んでいるため、環境面より使用が制限されつつある。
【０００３】
そこで近年、Ｐｂを含まないいわゆるＰｂフリーはんだが検討されている。そのなかで、耐熱性に優れたいわゆる高温Ｐｂフリーはんだとしては、はんだ合金の固相線温度が比較的高いＢｉ基合金が有力である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の高耐熱性Ｂｉ基合金は脆く、はんだとしての接合強度が小さいという問題点を有している。
【０００５】
そこで、本発明の目的は、Ｂｉ基合金はんだの接合強度を改善して、耐熱性に優れたＰｂフリーはんだ組成物を提供することにある。また、このはんだ組成物を用いたはんだ付け物品を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明のＰｂフリーはんだ組成物は、副成分としてＡｇ、Ｃｕ、ＺｎおよびＳｂのうちの少なくとも１種とＢｉとからなるＢｉ基合金を９９．５〜９９．７重量％と、０．３〜０．５重量％のＮｉとからなり、固相線温度が２５０℃以上であり、液相線温度が３００℃以下であることを特徴とする。
【０００７】
すなわち、発明者らは、Ｂｉ基合金の強度向上手段として、母相への異相の析出が効果的であると考えた。そして、Ｂｉ基合金に異相を析出する元素としては種々の元素があるが、その中でも特定量のＮｉが特に有効であることを見出した。
【０００８】
また、本発明のはんだ付け物品は、物品の導体部をはんだにより接合してなるはんだ付け物品であって、前記はんだは、上述のＰｂフリーはんだ組成物を用いたことを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明のＰｂフリーはんだ組成物は、副成分としてＡｇ、Ｃｕ、ＺｎおよびＳｂのうちの少なくとも１種とＢｉとからなるＢｉ基合金を９９．５〜９９．７重量％と、０．３〜０．５重量％のＮｉとからなり、固相線温度が２５０℃以上であり、液相線温度が３００℃以下のものである。
【００１０】
すなわち、本発明のＢｉ基はんだ合金は高耐熱性のＰｂフリーはんだ合金である。これに対して、同じＢｉ系はんだでも、例えばＢｉ−Ｓｎ合金はんだやＢｉ−Ｉｎ合金はんだの場合は、固相線温度が１５０℃以下と低く、はんだ耐熱性に劣り、高耐熱性という本発明のはんだ組成物の条件を満足し得ない。なお、固相線温度は、はんだ付け物品をリフローなどで再加熱したときの、はんだの再溶融を防ぐ点より、２５０℃以上に限定されるものである。また、液相線温度は、はんだ付け時の温度を抑えて、はんだ付け作業を容易にすると共に、はんだ付け物品に及ぼす特性劣化などの熱影響を防止する点より、３００℃以下に限定されるものである。
【００１１】
また、Ｂｉ基合金に異相を析出する元素としてのＮｉの含有量は、０．３〜０．５重量％の範囲内とされる。Ｎｉの含有量が０．３重量％未満の場合には、Ｂｉ母相への異相の析出量が少なく接合強度向上への効果が小さい。一方、Ｎｉの含有量が０．５重量％を超える場合には、液相線温度が上昇し、はんだ付け時にブリッジ不良などのはんだ付き不良、外観不良が生じる。この問題点を解消させるために、より高い温度ではんだ付けをすると、高温により電子部品などのはんだ付け物品の特性が劣化するという問題点が新たに発生する。
【００１２】
なお、本発明のＰｂフリーはんだは、はんだ組成中に上記成分以外に微量の不可避不純物を含むものであってもよい。不可避不純物としては、例えばＰｂ、Ｎａなどが挙げられる。
【００１３】
上述した本発明のＰｂフリーはんだ組成物を用いることによって、実用上十分な接合強度を有し、且つ高いはんだ耐熱性を有するはんだ付け物品を得ることができる。
【００１４】
次に、本発明のはんだ付け物品の実施の形態を、はんだ付け物品がセラミックコンデンサである場合を例にして、図１に基づいて説明する。
【００１５】
セラミックコンデンサ１は、セラミック素体２と、セラミック素体２の両主面に形成された一対の容量電極３，３と、容量電極３，３にはんだ５，５で電気的・機械的に接合されたリード線４，４と、セラミック素体２と容量電極３，３とはんだ５，５を完全に覆い、リード線４，４の一端を覆うように形成された外装樹脂６とからなる。このセラミックコンデンサ１において、はんだ５，５が本発明のＰｂフリーはんだ組成物からなる。
【００１６】
セラミック素体２は、例えばＢａＴｉＯ₃系の誘電体セラミックからなる。容量電極３は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉなどからなり、セラミック素体２の表面に焼付、めっきなどの方法で形成される。リード線４は、はんだ引きＣｕ線、Ｓｎ引き導線などからなる。また、外装樹脂６はエポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、シリコン系樹脂などが用いられる。
【００１７】
なお、本発明のはんだ付け物品は、上記セラミックコンデンサに限定されるものではない。複数の誘電体層と容量電極が交互に積み重ねられた積層タイプのセラミックコンデンサ、セラミック素体が圧電体材料からなる圧電フィルタなどの圧電体デバイス、セラミック素体が半導体材料からなる正特性サーミスタなどの半導体デバイス、セラミック素体が磁性体材料からなるインダクタなどの磁性体デバイス、さらには、絶縁基板上にＬ、Ｃ、Ｒ、半導体チップなどが集積されたハイブリッドＩＣなど、はんだ付け部分を備える種々の物品を対象とするものである。
【００１８】
【実施例】
まず、表１に示す組成からなる実施例１〜６、および比較例１〜７のはんだ組成物を作製した。表１には、それぞれのはんだ組成物の溶融特性（固相線温度および液相線温度）を示す。なお、溶融特性は熱流束ＤＳＣ（示差走査熱量測定法）で測定した。
【００１９】
【表１】

【００２０】
次に、Ｎｉ板を準備し、このＮｉ板をＵ字型リード線で挟み、表１に示す組成の溶融はんだに浸漬し、はんだ付けして試料を作製した。なお、Ｎｉ板には圧延Ｎｉ板（８ｍｍ×８ｍｍ×０．１ｍｍ）を用い、Ｕ字成形リ−ド線には０．５６ｍｍφ溶融ＳｎメッキＣｕ線を用い、そしてフラックスにはＨ−５２（タムラ製作所製）を用いてはんだ付けした。また、はんだ付け温度は３３０℃、はんだ浸漬時間は５秒とし、はんだ浸漬深さは１０ｍｍ、浸漬速度は１０ｍｍ／秒とした。
【００２１】
次に、得られた試料について、接合強度を評価した。具体的には、Ｕ字型リード線のＵ字部を切断したあと、リード線を双方向に定速で引張り破断時の強度を求めた。
【００２２】
また、はんだ耐熱性を評価した。具体的には、得られた試料をピーク温度２６０℃でリフロー加熱した後、はんだの流れまたはリード線取れのいずれかの不良が発生していないかどうかを確認した。
【００２３】
以上の評価結果を表２に示す。
【００２４】
【表２】

【００２５】
表１および表２から明らかなように、副成分としてＡｇ、Ｃｕ、ＺｎおよびＳｂのうちの少なくとも１種を含有するＢｉ基合金に、０．３〜０．５重量％のＮｉを含有させ、固相線温度が２５０℃以上であって、液相線温度が３００℃以下のはんだ組成物とすることにより、接合強度が大きく耐熱性に優れたＰｂフリーはんだ組成物を得ることができる。
【００２６】
まず接合強度について、副成分としてＡｇ、またはＡｇおよびＣｕを含有するＢｉ基合金に０．３〜０．５重量％のＮｉを含有させた実施例１〜３は、Ａｇを含有するＢｉ基合金であってＮｉを含有しない比較例２よりも接合強度が大きい。同様に、副成分としてＣｕを含有するＢｉ基合金にＮｉを含有させた実施例４は、Ｎｉを含有しない比較例４よりも接合強度が大きい。副成分としてＺｎを含有するＢｉ基合金にＮｉを含有させた実施例５は、Ｎｉを含有しない比較例５よりも接合強度が大きい。副成分としてＳｂを含有するＢｉ基合金にＮｉを含有させた実施例６は、Ｎｉを含有しない比較例６よりも接合強度が大きい。また、副成分としてＡｇを含有するＢｉ基合金に０．１重量％のＮｉを含有させた比較例３は、Ｎｉを含有しない比較例２と同等の接合強度しか得られない。
【００２７】
以上のことより、副成分としてＡｇ、Ｃｕ、ＺｎおよびＳｂのうちの少なくとも１種を含有するＢｉ基合金の接合強度向上のためには、０．３〜０．５重量％のＮｉを含有させるのが有効であることが分かる。
【００２８】
なお、従来の汎用Ｓｎ−Ｐｂはんだである比較例１、汎用Ｐｂフリーはんだである比較例７と比較すると、実施例１〜６ははいずれも相対的に小さい接合強度を示している。しかしながら、実施例１〜６が示す０．２３Ｎ・ｍｍ^-2以上の接合強度自体は、実用上問題になることのない十分な強度である。
【００２９】
次に、はんだ耐熱性について、実施例１〜４、６のはんだ流れ・端子取れ不良率は０％であり、また実施例５のはんだ流れ・端子取れ不良率は５％であり、いずれも良好なはんだ耐熱性を示す。
【００３０】
一方、従来の汎用Ｓｎ−Ｐｂはんだである比較例１のはんだ流れ・端子取れ不良率は２０％であり、実施例と比較して若干はんだ耐熱性に劣る。また、汎用Ｐｂフリーはんだである比較例７については、はんだ流れ・端子取れ不良率は１００％であり、はんだ耐熱性に劣る。これは、これらはんだの固相線温度が１８２℃または２２１℃と、はんだ耐熱試験温度の２６０℃よりも大幅に低く、はんだ耐熱試験時にはんだが完全に再溶融したためであると考えられる。
【００３１】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、本発明のＰｂフリーはんだ組成物によれば、副成分としてＡｇ、Ｃｕ、ＺｎおよびＳｂのうちの少なくとも１種を含有するＢｉ基合金に、０．３〜０．５重量％のＮｉを含有させ、固相線温度を２５０℃以上とし、液相線温度を３００℃以下とすることにより、実用上十分な接合強度を有し、かつ優れたはんだ耐熱性を有するはんだ組成物と、このはんだ組成物を用いたはんだ付け物品を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のはんだ付け物品の一例を示すセラミックコンデンサの断面図である。
【符号の説明】
１セラミックコンデンサ
２セラミック素体
３容量電極
４リード線
５はんだ
６外装樹脂

Claims

副成分としてＡｇ、Ｃｕ、ＺｎおよびＳｂのうちの少なくとも１種とＢｉとからなるＢｉ基合金を９９．５〜９９．７重量％と、０．３〜０．５重量％のＮｉとからなり、固相線温度が２５０℃以上であり、液相線温度が３００℃以下であることを特徴とするＰｂフリーはんだ組成物。
物品の導体部をはんだにより接合してなるはんだ付け物品であって、前記はんだは、請求項１に記載のＰｂフリーはんだ組成物を用いたことを特徴とする、はんだ付け物品。