JP3575311B2 - Pbフリー半田および半田付け物品 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、Pbフリー半田および半田付き物品に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来より、電子機器や電子部品と電気的および機械的接続を得るために半田が用いられている、この半田は、SnとPbを主成分としたものが一般的に用いられてきたが、環境問題を考慮してPbを含まないSnを主成分とし残部がAg,Bi,Cu,In,Sb等からなる半田、いわゆるPbフリー半田、が用いられている。近年においてはこのPbフリー半田を用いることによって、半田付き性が良好な電気的接合部を有する半田付け物品が製造されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、Snを主成分とする半田、特にPbフリー半田は、半田付け時または半田付け後の熱エージングを行った場合に、電気的接合部に電極喰われが起こりやすい。また、半田付けする電極としてSnへ拡散しやすい組成を用いる場合や電極厚みが薄い場合に、より一層電極喰われが起こりやすいという問題点があった。
【0004】
また、従来よりSn,Agを主成分とするPbフリー半田があるが、半田付け時における耐電極喰われ性の向上を目的としてNiを添加した場合、硬いSnAg合金が更に一層硬くなり塑性変形能が著しく低下するという問題点があった。塑性変形能が低下して半田の絞りが悪くなると耐熱衝撃性が低下し、クラックの発生による抵抗値の増加や回路オープン等の原因となる。
【0005】
本発明の目的は、半田付け時または半田付け後にエージングを行った時に電極喰われが生じにくく、半田引張り強度、耐熱衝撃性に優れるPbフリー半田および半田付き物品を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の一つの実施形態のPbフリー半田は、Ni0.01ないし0.5重量%と、Ag0.5ないし3.39重量%と、Sn96.6重量%以上と、を含有してなることを特徴とする。
【0008】
また、本発明の他の実施形態のPbフリー半田は、Ni0.01ないし0.5重量%と、Cu0.5ないし2.0重量%ならびにSb0.5ないし5.0重量%のうち少なくとも1種と、残部Snと、を含有してなることを特徴とする。
【0009】
本発明の半田付け物品は、溶融したSnへ拡散しやすい遷移金属導体を含有する部品と、上述した実施形態のPbフリー半田と、からなり、前記Pbフリー半田を前記部品に塗布し接合させ、前記遷移金属導体と電気的および機械的に接合してなることを特徴とする。
【0010】
また、本発明の半田付け物品においては、前記遷移金属導体は、Cu,Ag,Ni,Au,Pd,Pt,Znの単体もしくは合金のうち少なくとも1種類を用いることを特徴とする。
【0011】
【発明の実施の形態】
本発明のPbフリー半田において、Niの添加量は全体100重量%のうち0.01ないし0.5重量%が好ましい。Niの添加量が0.01重量%未満であると耐電極喰われ性が劣化し半田付け時の電極残存面積が低下する。他方、Niの添加量が0.05重量%を超えると、Pbフリー半田の液相線温度が上昇し、同じ温度で半田付けした場合にブリッジ不良や外観不良が生じ、これを回避するために高い温度で半田付けすると高熱による電子部品の特性不良が生じる。
【0012】
また、本発明の主にSn−Ni−Cuの3元素からなるPbフリー半田において、Cuの添加量は全体100重量%のうち0.5ないし2.0重量%であることが好ましい。Cuの添加量が0.5重量%未満であると、接合強度の改善効果が小さい。他方、Cuの添加量が2.0重量%を超えると、過剰にCu6Sn5,Cu3Sn等の硬くて脆い金属化合物が析出することで接合強度が低下する。また、Pbフリー半田の液相線温度が上昇し、同じ温度で半田付けした場合にブリッジ不良や外観不良が生じ、これを回避するために高い温度で半田付けすると高熱により電子部品が破壊され特性不良が生じる。また、Sn,Ni等の添加量が減少することに伴う不具合が生じる。
【0013】
また、本発明の主にSn−Ni−Agの3元素からなるPbフリー半田において、Agの添加量は全体100重量%のうち0.5ないし3.39重量%であることが好ましい。Agの添加量が0.5重量%未満であると、接合強度の改善効果が小さい。他方、Agの添加量が3.39重量%を超えると、過剰にAg3Sn等の硬い金属化合物が析出することで接合強度が低下する。また、Pbフリー半田の液相線温度が上昇し、同じ温度で半田付けした場合にブリッジ不良や外観不良が生じ、これを回避するために高い温度で半田付けすると高熱により電子部品が破壊され特性不良が生じる。また、Sn,Ni等の添加量が減少することに伴う不具合が生じる。
【0015】
また、本発明の主にSn−Ni−Pbの3元素からなるPbフリー半田において、Sbの添加量は全体100重量%のうち0.5ないし5.0重量%であることが好ましい。Sbの添加量が0.5重量%未満であると、接合強度の改善効果が小さい。他方、Sbの添加量が5.0重量%を超えると、半田引張り強度が低下して耐熱衝撃性や加工性が低下するとともに、SnまたはNi等の添加量が減少することに伴う不具合が生じる。
【0016】
また、本発明の半田付け物品における、溶融したSnへ拡散しやすい遷移金属導体の組成は、例えばCu,Ag,Ni,Au,Pd,Pt,Znの単体もしく合金等があり、合金としてはAg/Pd,Ag/Pt等がある。より好ましくは、Cu,Ag,Niの単体もしくはその合金である。
【0017】
なお、本発明のPbフリー半田は、半田組成中に上記成分以外に微量の不可避不純物を含むものであってもよい。不可避不純物としては、例えばPb,Bi,Cu,Na等が挙げられる。
【0018】
本発明の半田付け物品は、接合される部品と、部品の遷移金属導体と電気的および機械的に接合したPbフリー半田とを含めた全体をさす。例えば、部品搭載基板に形成された導体と部品に形成された導体を電気的および機械的に接続させたもの、電子部品素子と端子とを電気的および機械的に接続させたもの、電子部品素子の電極同士を電気的および機械的に接続させたもの等がある。
【0019】
本発明の半田付け物品は、例えば本発明のPbフリー半田を溶融させボール状に加工し、半田ボールを部品に載せてフラックスを塗布した後、大気中で所定の温度に加熱して部品の導体を結合することにより得られる。また、半田槽中に本発明のPbフリー半田を液相温度より高い温度で溶融させ、フラックスを塗布した部品を静止溶融半田中に浸漬する浸漬半田付けにより部品の導体を結合することでも得られる。また、噴流半田槽中に本発明のPbフリー半田を液相温度より高い温度で溶融させ、フラックスを塗布した部品を溶融半田に接触させるフロー半田付けにより部品の導体を結合することによっても得られる。また、部品をPbフリー半田中に浸漬した時、溶融した半田中で揺動を行ってもよい。なお、部品と溶融した半田との接触回数は特に限定しない。
【0020】
本発明のPbフリー半田を接合させる部品としては、例えばガラスエポキシ製やフェノール製のプリント基板、アルミナやムライト等のセラミック基板、金属の表面にセラミック等の絶縁膜を有する基板等が挙げられる。Pbフリー半田と電気的に接合させる遷移金属からなる導体部分としては、プリント基板等の配線回路、電子部品の端子電極、リード端子等が挙げられる。
【0021】
【実施例】
本発明のPbフリー半田および半田付け物品について、実施例に基づいて具体的に説明する。まず、表1に示す組成割合でSn,Pb,Ni,Ag,Cu,Sbを混合してなる複数の半田を準備し、それぞれ実施例1ないし8と比較例1ないし7の半田とした。
【0022】
次に、Cu電極あるいはAg電極を印刷焼成した複数の単板コンデンサを準備し静電容量を測定した。次にあらかじめ260℃に溶融しておいた実施例1ないし8と比較例1ないし7の半田にそれぞれ浸漬し、静電容量変化法に基づき半田浸漬前後の単板コンデンサの静電容量の差分値をとり、浸漬前の静電容量に対する前記差分値を求めて電極の残存率を算出して、半田付け時の電極残存面積率の測定を行った。なお、Cu電極は10秒間浸漬後の容量変化、Ag電極は電極喰われしやすいため3秒間浸漬後の容量変化を測定した。
【0023】
次に、実施例1ないし8と比較例1ないし7の半田についてJISZ3197に準拠して半田広がり率を測定した。なお、評価温度は作業性を考慮して液相線温度+30℃とした。
【0024】
次に、表面を溶融したSnでめっき処理したCuリード線でCu板を挟みこみ、あらかじめ260℃に溶融しておいた試料1ないし8および比較例1ないし7の半田に浸漬して半田付けして、試料1ないし8および比較例1ないし7の試験片を得た。これらの試験片を引張り試験機を用いてCuリード線を引張り、それぞれ接合強度を測定した。
【0025】
次に、実施例1ないし8と比較例1ないし7の半田を、それぞれ液相線温度+100℃に加熱して溶融し、黒鉛鋳型に流し込んで凝固させた後に148時間常温エージングして試料1ないし8および比較例1ないし7の試験片を得た。これらの試験片を引張り速度5mm/sで引張り、それぞれ半田引張り強度を測定した。なお、試験片形状は平板型で試験部分は8×3mmの長方形断面とし、切り欠きは無しとした。
【0026】
次に、引張り強度試験を実施した後の試料1ないし8および比較例1ないし7の断面積を測定し半田絞りを算出した。なお、評価方法はJISZ2241(6.11項)に準拠した。
【0027】
次に、Al2O3からなる基板上にAgからなる厚膜電極を形成し、表面を溶融したSnでめっき処理したCuリード線でこれを挟み込み、あらかじめ260℃に溶融しておいた試料1ないし8および比較例1ないし7の半田に浸漬して半田付けした。これらを−30℃と+125℃30分保持を1サイクルとするに保持した熱衝撃槽に500サイクル投入して試料1ないし8および比較例1ないし7のフィレットを外観観察してクラックの有無を判別し、それぞれ耐熱衝撃性を測定した。なお、半田付けはリード線側をガラスエポキシ基板に取り付け、基板側に形成されたフィレットを評価個所とした。耐熱衝撃性の評価はクラックのないものを○とした。
【0028】
こうして測定した電極残存面積率、広がり率、接合強度、半田引張り強度、半田絞り、耐熱衝撃性を表1にまとめた。なお、本発明の範囲内となるPbフリー半田および半田付け物品については総合評価を○とした。
【0029】
【表1】
【0030】
表1から明らかであるように、Sn−Niを含有する実施例1ないし8の半田は何れもCu電極における電極残存面積率が95%以上、広がり率65%以上、接合強度17N以上、半田引張り強度30以上、半田絞り55以上、耐熱衝撃性優良となり満足できる結果となった。
【0031】
他方、比較例3ないし7の半田も、Cu電極における電極残存面積率が95%以上となったが、耐熱衝撃性試験においてクラックが発生し、本発明の範囲外となった。その理由としては、比較例4ないし7は半田絞りが42ないし51%と低いことが挙げられる。
【0032】
なお、比較例3はPb40重量%を含有するため本発明の範囲外である。
【0033】
また、比較例1および2の半田は、半田絞りならびに耐熱衝撃性ともに優れたが、Cu電極における電極残存面積率がそれぞれ89.2%,7.0%、Ag電極における電極残存面積率がそれぞれ31.7%,0%と劣るため、本発明の範囲外となった。
【0034】
【発明の効果】
以上のように、本発明のPbフリー半田によれば、電極喰われしやすい遷移金属導体を含有する部品の接合に用いても、所望する半田付き性、接合強度、半田引張り強度、半田絞りを維持しつつ電極喰われを防ぎ、耐熱衝撃性に優れる。
【0035】
また、本発明の半田付け物品は、溶融したSnへ拡散しやすい遷移金属導体を含有する部品と、上述した実施形態のPbフリー半田と、からなり、前記Pbフリー半田を前記部品に塗布し接合させ、前記遷移金属導体と電気的に接合してなることを特徴とすることで、溶融したSnへ拡散しやすい遷移金属導体に対しても、所望する半田付き性、接合強度、半田引張り強度、半田絞りを維持しつつ電極喰われを防ぎ、耐熱衝撃性に優れる本発明のPbフリー半田の上述した効果が存分に発揮される。
【0036】
また、本発明の半田付け物品において前記遷移金属導体は、Cu,Ag,Ni,Au,Pd,Pt,Znの単体もしくは合金のうち少なくとも1種からなることを特徴とすることで、溶融したSnへ拡散しやすい遷移金属導体に対しても、所望する半田付き性、接合強度、半田引張り強度、半田絞りを維持しつつ電極喰われを防ぎ、耐熱衝撃性に優れる本発明のPbフリー半田の上述した効果が存分に発揮される。
【0037】
また、一般的に半田付け性向上のためにN2雰囲気中で半田付けすることが多いが、本発明のPbフリー半田はNiの添加量が少ないために大気中で容易に半田付けすることができ、半田付け作業性に優れる。
【0038】
また、本発明のPbフリー半田は、Ag等の高価な電極喰われ抑制元素の添加量が少ないため、従来のPbフリー半田に比べて半田コストを削減することが出来る。
Claims (4)
- Ni0.01ないし0.5重量%と、Ag0.5ないし3.39重量%と、Sn96.6重量%以上と、を含有してなることを特徴とするPbフリー半田。
- Ni0.01ないし0.5重量%と、Cu0.5ないし2.0重量%ならびにSb0.5ないし5.0重量%のうち少なくとも1種と、残部Snと、を含有してなることを特徴とするPbフリー半田。
- 溶融したSnへ拡散しやすい遷移金属導体を含有する部品と、請求項1ないし2の何れかに記載のPbフリー半田と、からなり、
前記Pbフリー半田を前記部品に塗布し接合させ、前記遷移金属導体と電気的および機械的に接合してなることを特徴とする半田付け物品。 - 前記遷移金属導体は、Cu,Ag,Ni,Au,Pd,Pt,Znの単体もしくは合金のうち少なくとも1種からなることを特徴とする請求項3に記載の半田付け物品。
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