JP2002057177A - はんだボールおよびその製造方法 - Google Patents

はんだボールおよびその製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 はんだボールに要求される高い真球度と寸法
精度を合せ持ちながら、平滑な表面形状と清浄な表面を
有するはんだボールとその製造方法を提供する。 【解決手段】 主にSnからなり、1.0〜4.5質量
%Agを含有した場合または、0.3〜1.2質量%C
uを含有した時の、その他の元素が合計で0.01〜
0.2質量%であるはんだボール若しくは、主にSnか
らなり、1.0〜4.5質量%Agかつ0.3〜1.2
質量%Cuを含有し、その他の元素が合計で0.006
〜0.1質量%であるはんだボール。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置などに
使用されるはんだボールにおいて、特に表面形状が平滑
であり、搬送性と搭載性に優れているはんだボールおよ
びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイス実装技術のBGA(ボー
ル・グリッド・アレイ)は広く用いられている。このB
GAは、キャリアにバンプを設けてはんだパットを形成
し、最終的に基板との接合を行うためには、キャリア上
のアレイ当り、数百、多くの場合数千ものはんだボール
を、精度良くしかも同一平面に取付けられる。このため
に、はんだボールには真球度0.95以上の真球に近い
精度と、平滑な表面と、ボールの直径100〜1000
μmで±10μm以内の寸法精度が要求される場合が多
い。このように用いられるはんだボールの製造方法とし
ては、油中造球法が一般的である。この方法は、微細に
切断したはんだを油中で加熱溶解し、次いで冷却して得
るものである。しかし、この方法では、微細なはんだ片
を製造する工程や洗浄工程が必須であり、不経済であ
る。
【0003】最近、この方法に代わるより経済的な方法
として、るつぼ内の溶湯に圧力と振動を付与して前記る
つぼの低部に設けたオリフィスから溶湯を押出し、前記
オリフィスから滴下した溶湯を急冷凝固させて、はんだ
ボールを製造する方法が、米国特許第5,266,09
8号に開示され、均一液滴噴霧法と呼ばれている。この
方法に基づいて本発明者等は、はんだボールを製造する
ために改良を加え、特願2000−70535号として
提案している。この特願2000−70535号に提案
する均一液滴噴霧装置は、装置の最上部にピエゾ素子な
どを用いた振動装置が設置され、その下に上記溶湯を保
持する炉がある。炉の下にはオリフィスと呼ぶ穴があ
り、オリフィスの外にはこのオリフィスから押し出され
た溶湯の分断と凝固雰囲気を制御する回収チャンバーが
ある。このチャンバーの底ではんだボールを回収する構
造を提案している。
【0004】ここで詳細に図1を用いて、上述の均一液
滴噴霧装置をより具体的に説明する。ピエゾ素子(1)で
振動を発生させ、振動棒(3)を介して、溶湯(4)に振動が
伝わる。溶解チャンバー(5)にはガス供給口(2)よりガス
が供給され加圧された状態になっている。圧力によって
オリフィス(6)から押し出された溶湯は、振動が与えら
れているので一定の間隔で分断され、液滴(8)が形成さ
れる。電極板(7)では、電極板と溶湯の間に電位を与え
ており、これによって液滴を同一電荷に帯電させて液滴
同士が接することを防止している。これらの液滴は、チ
ャンバー(9)内を落下中に自身の表面張力によって球状
化され、ガス雰囲気を飛行中に冷却され、凝固する。回
収チャンバー(9)内には、ガス供給口(11)より、不活性
ガスが供給されていおり、液滴などの酸化を防止してい
る。また、回収チャンバー内の圧力は、溶解チャンバー
(5)中より低くしてある。最終的には、球状凝固体(10)
として、チャンバーの底部に回収される。
【0005】図1に示す装置では、炉と回収チャンバー
は、雰囲気の制御と減圧や加圧ができるようになってい
る。炉の圧力を回収チャンバーより高くすることによっ
て、オリフィスより溶湯を噴出させる。ピエゾ素子など
で発生させた振動をステンレスやセラミック製の棒等を
用いて、炉の中で溶湯にこの振動を付加する。振動が付
加された液柱には、一定の間隔で流量の大小があり、こ
のために一定間隔で切断され、均一な体積の液滴とな
る。さらに、均一な体積の液滴は、自身の表面張力によ
って球状になる。その後に、凝固させることによって、
均一に球状化したはんだボールを得る。また、液柱の周
辺に電極を設置し、液柱とこの電極の間に電位差を持た
せる。これによって、切断された液滴を同符号に帯電さ
せ、各液滴が反発して、凝固中の接触による形状や粒径
の不良を防止している。この方法は、真球度と寸法精度
の良いはんだボールを、高い生産性で製造することを可
能にする。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明者等が種々の組
成のはんだボールを、上述した均一液滴噴霧法によっ
て、鉛フリー材として注目されるSn−Ag系、Sn−
Cu系、Sn−Ag−Cu系の製造したところ、はんだ
ボールの表面形状の凹凸に差異が生じた。はんだボール
において、表面形状は非常に重要である。その主な理由
は以下の二つである。
【0007】第一の理由は、例えばはんだボールをBG
Aパッケージに実装する装置では、はんだボールを連続
的に供給するために停滞することなく転がることが求め
られるからである。もし、転がりが悪いと、装置の途中
ではんだボールの供給が止まりので、この供給部分の調
整などが頻繁に必要となり、生産効率を著しく低下させ
る。第二の理由は、例えばはんだボールをBGAパッケ
ージに高精度で搭載する方法として、BGAパッケージ
に合わせて高精度に配置したノズル部分を真空に引き、
この部分にはんだボールを吸着させ、所定の位置に配列
する方法がある。この際に、はんだボールの表面の凸凹
がはげしいと吸着できず、はんだボールが搭載されない
端子ができ、BGAパッケージそのものが不良となるか
らである。
【0008】この他に、はんだボールには、表面が清浄
であることも求められる。はんだボール表面が汚れてい
ると、フラックスを用いても酸化層を除去することが出
来なくなり、接合強度を低下させることになる。このこ
とを考えると、従来の油中冷却は、洗浄を行うにして
も、品質の安定性や生産性の点から好ましくない。液体
窒素中のような極低温環境で冷却させることも技術的に
は可能であるが、Snを主とした組成のはんだボールで
は、極低温の安定相であるαSnになるために非常に脆
いものになる。この脆いはんだボールは分級などで欠け
を生じるので、真球度の高いボールを得られなくなる。
本発明の目的は、はんだボールに要求される高い真球度
と寸法精度を合せ持ちながら、平滑な表面形状と清浄な
表面を有するはんだボールとその製造方法を提供するこ
とである。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明者等は上述したは
んだボール表面形状(凹凸)について鋭意検討した結
果、鉛フリー材として注目されるSn−Ag系、Sn−
Cu系、Sn−Ag−Cu系におけるはんだボールの表
面形状の平滑性が、合金中の微量元素の含有量に相関が
あることを見出し、表面平滑なはんだボールを得るため
には、適正な微量元素添加量が存在することを知見し、
本発明に到達した。
【0010】即ち本発明の第一は、主にSnからなり、
1.0〜4.5質量%Ag、その他の元素が合計で0.
01〜0.2質量%であるはんだボールである。また本
発明の第二は、主にSnからなり、0.3〜1.2質量
%Cuを含有し、その他の元素が合計で0.01〜0.
2質量%であるはんだボールであり、本発明の第三は、
主にSnからなり、1.0〜4.5質量%Agかつ0.
3〜1.2質量%Cuを含有し、その他の元素が合計で
0.006〜0.1質量%であるはんだボールである。
【0011】また、本発明は、これらの組成系におい
て、その他の元素のうちGeを0.1質量%以下を添加
することも可能であり、上述のはんだボールは、球状化
した液滴をガス雰囲気中で冷却凝固させたするはんだボ
ール。また本発明は、上述のはんだボールの製造方法に
おいて、はんだ溶湯をるつぼ内に保持し、該溶湯に圧力
と振動を付与して、前記るつぼの底部に設けたオリフィ
スから溶湯を押出し、該オリフィスから滴下した球状液
滴をガス雰囲気中で冷却凝固させるはんだボールの製造
方法である。
【0012】
【発明の実施の形態】本発明の最も重要な点は、Sn−
Agを基本元素とする場合では、SnとAg以外の元素
を合計で0.01質量%以上含有することであり、Sn
−Cuを基本元素とする場合は、SnとCu以外の元素
を合計で0.01質量%以上含有することであり、Sn
−Ag−Cuを基本元素とする場合ではSn、Ag、C
u以外の元素を0.006質量%以上含有することであ
る。本発明においては、Sn−Ag系、Sn−Cu系、
Sn−Ag−Cu系の共晶を構成するSn、Ag、Cu
以外の元素は、基本的に表面形状を改善する点からはど
のような元素でも良い。ただし、はんだとして必要な特
性を損なわない元素であることが良いことは当然であ
る。よって、本発明で言うその他の元素のうち、好まし
い元素は、Ge、Ni、P、Mn、Au、Pd、Pt、
S、Bi、Sb、Inである。さらにこれらの元素は一
種または二種以上添加してもよい。また、ここに列挙し
た個々の元素は、その他の元素全体の中での主となって
いることが好ましい。特に、このうちGeについては耐
酸化性を向上させるなど有益な効果がある。Ni、P、
Mn、Au、Pd、Pt、S、Inなども融点を低下さ
せる効果や接合強度を高める効果などがあり、用途に適
したはんだ特性にできるので好ましい。Sbは強度を向
上させる効果がある元素である。
【0013】次に本発明において、Sn−Agあるいは
Sn−Cuを基本元素とする場合は、その他の元素の含
有量を合計で0.01質量%とした理由を説明する。図
2に示すように、その他の元素を0.01質量%未満し
か含まないSn−3.5質量%Agでは表面形状が非常
に凹凸になる。一方、図3に示すように、その他の元素
を0.01質量%以上含有するSn−3.5質量%Ag
では、平滑な表面になっている。このように、その他の
元素が0.01質量%以上含有していると、表面形状が
平滑になることがわかる。Sn−AgあるいはSn−C
uを基本元素とする場合は、その他の元素が0.01質
量%未満になると、表面形状が凹凸になる原因は明らか
に出来ていない。
【0014】しかし、本発明者は次のように推定してい
る。表面形状が凹凸になっているはんだボールの金属組
織を観察すると、明確な結晶粒界がなくβ−Sn単結晶
と分散するAg−SnまたはCu−Sn系の金属間化合
物相からなると考えられるような金属組織である。ま
た、共晶組成でない組成系であってもデンドライトが認
められない金属組織であると表面形状が凹凸となる。一
方、平滑な表面のはんだボールの金属組織を観察する
と、β−Sn多結晶と考えられような金属組織であり、
かつ、共晶組成でない組成系ではデンドライトが認めら
れる。このような金属組織の違いから、その他の元素量
0.01質量%未満の単結晶組織の方が、その他の元素
量0.01質量%以上の多結晶組織に比較して、急激に
凝固したと考えられる。多結晶の方が緩やかに凝固でき
た理由は、その他の元素を多く含有したために固液共存
領域が広がると同時に融点が低くなったためと考えられ
る。これによって、結晶粒の複数個生成やデンドライト
の成長が可能となったと推定している。
【0015】はんだがボール状に急激に凝固すると、凝
固時の体積収縮による形状変化を表面張力によって球状
に修正する時間がなく凝固が完了するために、凹凸の形
状となる。一方、凝固が比較的に緩やかに進行すると、
一部が凝固し体積収縮が起こって、液滴表面に凹凸が発
生しても、再度表面張力によって形状を曲面に補正する
時間があると考えている。また、表面が不均一核生成の
核として働くものと推定しており、この核生成部は平滑
形状を取ることから、多結晶体は必然的に平滑な表面の
割合が増えるものと考えている。
【0016】Sn−AgあるいはSn−Cuを基本元素
とする場合は、その他の元素の含有量の上限は0.2質
量%とした。これは、0.2質量%を越えて含有させて
も表面形状を平滑にする効果はあるが、0.2質量%の
場合と比較して、表面形状の効果に差異はない。一方
で、はんだの特性に与える影響が大きくなる。よって、
はんだの必要特性である強度などの変化が、許容できる
範囲内ということから、上限を0.2質量%とした。
【0017】一方、基本元素がSn−Ag−Cuの3種
類になる場合では、その他の元素の下限を0.006質
量%とした。この系では、SnにAgとCuを共に含有
しているので、微量元素として添加する場合に近い効果
効果が得られ、少量でも表面が平滑になる効果が認めら
れるためである。。また、基本元素がSn―Ag―Cu
の3種類の場合では、その他の元素の上限を0.1質量
%とした。これは、この系では、その他の元素を0.1
質量%含有した段階で、これを越えて含有した場合と表
面形状改善の差異がなくなるからである。
【0018】本発明において、基本元素は、主にSnか
らなり1.0〜4.5質量%Ag、主にSnからなり
0.3〜1.2質量%Cu、および主にSnからなり
1.0〜4.5Ag質量%Agかつ0.3〜1.2質量
%Cuの3種類とした。この理由は、“鉛フリーはんだ
規格化のための研究開発プロジェクト”成果報告発表
会、平成12年6月22日 芝浦工業大学 主催:社団
法人 日本溶接協会、企画:鉛フリーはんだ規格化のた
めの研究開発プロジェクト委員会で報告されているよう
に、この基本組成系がはんだとしての特性に特に優れて
いるからである。例えば、SnにAgやCuを適量添加
することによって、融点の最適化、ぬれ性の向上などが
可能である。
【0019】その他の元素の中にGeを含有させると、
耐酸化性を向上させることが可能である。含有量として
は、0.005質量%以上を含有させるとその効果はよ
り明確なものとなる。また、不可避的に含有する不純物
があるので、基本元素がSn−Ag−Cuの3種類の場
合においても、その他の元素の影響が機械的な強度など
のはんだ特性に現れないようにするために、Ge量を
0.1質量%以下とした。
【0020】本発明のはんだボールは、例えば図1に示
す均一液滴噴霧装置を用いてるつぼ内の溶湯に圧力と振
動を付与して、このるつぼの底部に設けたオリフィスか
ら溶湯を押出し、このオリフィスから滴下した溶湯が球
状化し、ガス雰囲気中で冷却凝固させると良い。ガス雰
囲気とは、窒素、アルゴンや炭酸ガスの不活性ガス雰囲
気、さらにはこれらのガスに一部HやCOガスなどを
混合した還元性ガス雰囲気中で冷却を行うことによっ
て、清浄な表面を有するはんだボールを得ることが出来
る。
【0021】また、本発明者が検討した結果、ガス油中
冷却を採用した均一液滴噴霧法の装置、あるいは、はん
だ片を油中で加熱溶融し冷却する方法では、形状を補正
するために、加熱した油に入れ表面張力で球形にし、油
に温度勾配をつくり徐々に凝固させることができる。す
なわち、凝固速度を遅くできるものである。これに対し
て、ガス雰囲気中で冷却を採用した均一液滴法の装置で
は、空中で球状に凝固するため、形状を補正する必要が
ないが、凝固は非常に急激に進むことになる。そのため
本発明で課題となる表面形状の凹凸の問題が顕著にな
る。すなわち、本発明者は、清浄な表面を得るためにガ
ス雰囲気中で冷却を行う場合には、その他の元素を適量
含有させることが表面形状を平滑にするために非常に重
要である。このように、はんだボールの凹凸の発生は、
凝固速度が早い場合に顕著になると推定されるため、本
発明の適用は、冷却速度の速い空冷凝固のはんだボール
に対して特に有効である。
【0022】
【実施例】本発明の実施例について説明する。図1に示
す均一液滴噴霧法を用いた製造装置により、はんだ溶湯
をるつぼ内に保持し、該溶湯に圧力と振動を付与して、
該るつぼの底部に設けたオリフィスから溶湯を押出し、
該オリフィスから滴下した球状液滴を窒素ガス雰囲気中
で冷却凝固させることにより、直径600μmのはんだ
ボールを製造した。表1に供試した組成を挙げると同時
に、各組成と表面形状の相関について行った実験結果を
まとめる。このはんだボールの評価方法について説明す
る。図2に示すような表面形状になったものを○とし
た。図3に示すような凹凸のある表面形状になったもの
を×とした。
【0023】No.1からNo.6は、Sn―1.0〜
4.5質量%Agについて、微量のその他の元素を添加
して、比較検討した結果である。表1に各組成と表面形
状の相関について行った実験結果をまとめる。No.1
〜6は、Sn−Agを基本元素とする合金系についての
結果である。本発明のその他の元素を0.01質量%以
上含有しているNo.1〜3の表面形状は平滑であっ
た。No.1、2、3には、それぞれMn、Ge、Bi
が添加されている。一方、その他の元素の含有量が0.
01質量%未満であるNo.4〜6の表面形状は、凹凸
になった。この結果から、Sn−Agを基本元素とする
系で表面形状を平滑にするためには、その他の元素を
0.01質量%以上含有する必要があることがわかる。
【0024】No.7〜12は、Sn−Cuを基本元素
とする合金系についての結果である。本発明のその他の
元素を0.01質量%以上含有するNo.7〜9の表面
形状は平滑であった。No.7、8、9には、それぞれ
Ni、Sb、Pが添加されている。一方、その他の元素
の含有量が0.01質量%未満であるNo.10〜12
の表面形状は、凹凸になった。この結果から、Sn−C
uを基本元素とする系で表面形状を平滑にするために
は、その他の元素を0.01質量%以上含有する必要が
あることがわかる。
【0025】No.13〜22は、Sn−Ag−Cuを
基本元素とする合金系についての結果である。本発明の
その他の元素を0.006質量%以上含有しているN
o.13〜17の表面形状は平滑であった。No.1
3、14、15、16、17には、それぞれAu、P
d、Ge、In、GeとInが添加されている。一方、
その他の元素の含有量が0.006未満であるNo.1
8〜22の表面形状は、凹凸になった。この結果から、
Sn−Ag−Cuを基本元素とする系で表面形状を平滑
にするためには、その他の元素を0.006質量%以上
含有する必要があることがわかる。
【0026】
【表1】
【0027】表1に示した本発明のはんだボールを30
0個用意し、表面清浄を目視と電子顕微鏡で確認し、表
面清浄が保たれていることを確認した。次に、真球度と
寸法精度を測定し、真球度は0.95〜0.97、寸法
精度は600μm±7μmの範囲内であった。
【0028】
【発明の効果】表面形状が平滑なはんだボール、BGA
パッケージに実装する際に扱いやすくなり、生産性の向
上や合格率の向上に寄与する。よって、本発明のはんだ
ボールおよびその製造方法は、工業的に非常に重要なも
のである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のはんだボールを製造する装置の一例を
示す模式図である。
【図2】本発明のはんだボールの表面形態を示す顕微鏡
写真である。
【図3】比較材のはんだボールの表面形態を示す顕微鏡
写真である。
【符号の説明】
1.ピエゾ素子、2.ガス供給口、3.振動棒、4.溶
湯、5.溶解チャンバー、6.オリフィス、7.電極
板、8.液滴、9.チャンバー、10.球状凝固体、1
1.ガス供給口

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 主にSnからなり、1.0〜4.5質量
    %Agを含有し、その他の元素が合計で0.01〜0.
    2質量%であることを特徴とするはんだボール。
  2. 【請求項2】 主にSnからなり、0.3〜1.2質量
    %Cuを含有し、その他の元素が合計で0.01〜0.
    2質量%であることを特徴とするはんだボール。
  3. 【請求項3】 主にSnからなり、1.0〜4.5質量
    %Agかつ0.3〜1.2質量%Cuを含有し、その他
    の元素が合計で0.006〜0.1質量%であることを
    特徴とするはんだボール。
  4. 【請求項4】 その他の元素中、Geの含有量が0.1
    質量%以下であることを特徴とする請求項1乃至3の何
    れかに記載のはんだボール。
  5. 【請求項5】 請求項1乃至4の何れかに記載のはんだ
    ボールは、球状化した液滴をガス雰囲気中で冷却凝固さ
    せたことを特徴とするはんだボール。
  6. 【請求項6】 請求項1乃至4の何れかに記載のはんだ
    ボールの製造方法において、はんだ溶湯をるつぼ内に保
    持し、該溶湯に圧力と振動を付与して、前記るつぼの底
    部に設けたオリフィスから溶湯を押出し、該オリフィス
    から滴下した球状液滴をガス雰囲気中で冷却凝固させる
    ことを特徴とするはんだボールの製造方法。
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Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002307187A (ja) * 2001-02-09 2002-10-22 Taiho Kogyo Co Ltd 鉛フリーはんだ及びはんだ継手
JP2003001481A (ja) * 2001-06-15 2003-01-08 Senju Metal Ind Co Ltd 鉛フリーはんだボールおよびその製造方法
WO2004030428A1 (ja) * 2002-09-27 2004-04-08 Neomax Materials Co., Ltd. はんだ被覆ボールおよびその製造方法、ならびに半導体接続構造の形成方法
JP2004154865A (ja) * 2002-10-17 2004-06-03 Senju Metal Ind Co Ltd 鉛フリーはんだボール用合金とはんだボール
JP2005040847A (ja) * 2003-07-25 2005-02-17 Hitachi Metals Ltd はんだボールの製造方法
WO2005035180A1 (ja) 2003-10-07 2005-04-21 Senju Metal Industry Co., Ltd. 鉛フリーはんだボール
JP2005538851A (ja) * 2002-09-18 2005-12-22 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 非共晶はんだ組成物
CN1295054C (zh) * 2003-08-20 2007-01-17 中国科学院金属研究所 一种Sn-Ag-Cu-X共晶型合金无铅电子焊料
JP2007038228A (ja) * 2005-07-29 2007-02-15 Nihon Almit Co Ltd はんだ合金
JP2007111715A (ja) * 2005-10-19 2007-05-10 Nihon Almit Co Ltd はんだ合金
WO2007081006A1 (ja) * 2006-01-16 2007-07-19 Hitachi Metals, Ltd. はんだ合金、はんだボールおよびそれを用いたはんだ接合部
WO2007092762A2 (en) 2006-02-03 2007-08-16 Texas Instruments Incorporated Semiconductor device with improved solder joint
CN100421861C (zh) * 2002-03-08 2008-10-01 株式会社日立制作所 焊料
WO2009131114A1 (ja) * 2008-04-23 2009-10-29 千住金属工業株式会社 鉛フリーはんだ
CN101801589B (zh) * 2007-07-18 2013-05-15 千住金属工业株式会社 车载电子电路用In掺入无铅焊料
JP2013237089A (ja) * 2012-05-17 2013-11-28 Mitsubishi Materials Corp バンプ用はんだ合金粉末、ペースト及びこれを用いたはんだバンプ
JP2013237090A (ja) * 2012-05-17 2013-11-28 Mitsubishi Materials Corp バンプ用はんだ合金粉末、ペースト及びこれを用いたはんだバンプ
US20140183733A1 (en) * 2013-01-03 2014-07-03 Duksan Hi-Metal Co., Ltd Metal core solder ball and heat dissipation structure for semiconductor device using the same
JP2017159314A (ja) * 2016-03-08 2017-09-14 千住金属工業株式会社 はんだ合金、はんだボール、チップソルダ、はんだペースト及びはんだ継手
EP3165323A4 (en) * 2015-05-26 2018-03-07 Senju Metal Industry Co., Ltd. Solder alloy, solder ball, chip solder, solder paste and solder joint
CN109570814A (zh) * 2019-01-14 2019-04-05 哈尔滨理工大学 一种添加微纳米颗粒的复合焊膏
CN113634758A (zh) * 2021-08-16 2021-11-12 广州海普电子材料科技有限公司 一种震动喷射式加工生产bga锡球设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1177367A (ja) * 1997-09-05 1999-03-23 Murata Mfg Co Ltd 半田組成物
JPH1177366A (ja) * 1997-07-16 1999-03-23 Fuji Electric Co Ltd はんだ合金
JPH11277290A (ja) * 1998-01-28 1999-10-12 Murata Mfg Co Ltd Pbフリ―半田および半田付け物品
JP2000015479A (ja) * 1998-07-07 2000-01-18 Uchihashi Estec Co Ltd はんだ合金及び電子部品の実装方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1177366A (ja) * 1997-07-16 1999-03-23 Fuji Electric Co Ltd はんだ合金
JPH1177367A (ja) * 1997-09-05 1999-03-23 Murata Mfg Co Ltd 半田組成物
JPH11277290A (ja) * 1998-01-28 1999-10-12 Murata Mfg Co Ltd Pbフリ―半田および半田付け物品
JP2000015479A (ja) * 1998-07-07 2000-01-18 Uchihashi Estec Co Ltd はんだ合金及び電子部品の実装方法

Cited By (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002307187A (ja) * 2001-02-09 2002-10-22 Taiho Kogyo Co Ltd 鉛フリーはんだ及びはんだ継手
JP2003001481A (ja) * 2001-06-15 2003-01-08 Senju Metal Ind Co Ltd 鉛フリーはんだボールおよびその製造方法
CN100421861C (zh) * 2002-03-08 2008-10-01 株式会社日立制作所 焊料
JP2005538851A (ja) * 2002-09-18 2005-12-22 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 非共晶はんだ組成物
US7265046B2 (en) 2002-09-27 2007-09-04 Neomax Material Co., Ltd. Method of making a solder ball
WO2004030428A1 (ja) * 2002-09-27 2004-04-08 Neomax Materials Co., Ltd. はんだ被覆ボールおよびその製造方法、ならびに半導体接続構造の形成方法
CN100405883C (zh) * 2002-09-27 2008-07-23 株式会社新王材料 焊料包覆球及其制造方法和半导体连接构造的形成方法
JP2004154865A (ja) * 2002-10-17 2004-06-03 Senju Metal Ind Co Ltd 鉛フリーはんだボール用合金とはんだボール
JP2005040847A (ja) * 2003-07-25 2005-02-17 Hitachi Metals Ltd はんだボールの製造方法
CN1295054C (zh) * 2003-08-20 2007-01-17 中国科学院金属研究所 一种Sn-Ag-Cu-X共晶型合金无铅电子焊料
KR100923900B1 (ko) 2003-10-07 2009-10-28 센주긴조쿠고교 가부시키가이샤 무연 솔더볼
US7750475B2 (en) 2003-10-07 2010-07-06 Senju Metal Industry Co., Ltd. Lead-free solder ball
WO2005035180A1 (ja) 2003-10-07 2005-04-21 Senju Metal Industry Co., Ltd. 鉛フリーはんだボール
JP2007038228A (ja) * 2005-07-29 2007-02-15 Nihon Almit Co Ltd はんだ合金
JP2007111715A (ja) * 2005-10-19 2007-05-10 Nihon Almit Co Ltd はんだ合金
WO2007081006A1 (ja) * 2006-01-16 2007-07-19 Hitachi Metals, Ltd. はんだ合金、はんだボールおよびそれを用いたはんだ接合部
JP4836009B2 (ja) * 2006-01-16 2011-12-14 日立金属株式会社 はんだ合金、はんだボールおよびそれを用いたはんだ接合部
CN101374630B (zh) * 2006-01-16 2012-01-04 日立金属株式会社 焊料合金、焊球及使用了它们的焊料接合部
WO2007092762A2 (en) 2006-02-03 2007-08-16 Texas Instruments Incorporated Semiconductor device with improved solder joint
EP1987540A4 (en) * 2006-02-03 2018-09-19 Texas Instruments Incorporated Semiconductor device with improved solder joint
CN101801589B (zh) * 2007-07-18 2013-05-15 千住金属工业株式会社 车载电子电路用In掺入无铅焊料
CN102066042A (zh) * 2008-04-23 2011-05-18 千住金属工业株式会社 无铅焊料
US8220692B2 (en) 2008-04-23 2012-07-17 Senju Metal Industry Co., Ltd. Lead-free solder
KR101184234B1 (ko) 2008-04-23 2012-09-19 센주긴조쿠고교 가부시키가이샤 납프리 땜납
JP4968381B2 (ja) * 2008-04-23 2012-07-04 千住金属工業株式会社 鉛フリーはんだ
WO2009131114A1 (ja) * 2008-04-23 2009-10-29 千住金属工業株式会社 鉛フリーはんだ
JP2013237089A (ja) * 2012-05-17 2013-11-28 Mitsubishi Materials Corp バンプ用はんだ合金粉末、ペースト及びこれを用いたはんだバンプ
JP2013237090A (ja) * 2012-05-17 2013-11-28 Mitsubishi Materials Corp バンプ用はんだ合金粉末、ペースト及びこれを用いたはんだバンプ
US20140183733A1 (en) * 2013-01-03 2014-07-03 Duksan Hi-Metal Co., Ltd Metal core solder ball and heat dissipation structure for semiconductor device using the same
US10661394B2 (en) * 2013-01-03 2020-05-26 Duksan Hi-Metal Co., Ltd. Metal core solder ball and heat dissipation structure for semiconductor device using the same
EP3165323A4 (en) * 2015-05-26 2018-03-07 Senju Metal Industry Co., Ltd. Solder alloy, solder ball, chip solder, solder paste and solder joint
US11465244B2 (en) 2015-05-26 2022-10-11 Senju Metal Industry Co., Ltd. Solder alloy, solder ball, chip solder, solder paste and solder joint
WO2017154957A1 (ja) * 2016-03-08 2017-09-14 千住金属工業株式会社 はんだ合金、はんだボール、チップソルダ、はんだペースト及びはんだ継手
RU2688980C1 (ru) * 2016-03-08 2019-05-23 Сендзу Метал Индастри Ко., Лтд. Припойный сплав, шариковый вывод из припоя, припой для микросхемы, припойная паста и паяное соединение
EP3427888A4 (en) * 2016-03-08 2019-09-25 Senju Metal Industry Co., Ltd SOLDERING, SOLDERING BALL, CHIP SOLDER, SOLDERING PASTE AND SOLDERING
JP2017159314A (ja) * 2016-03-08 2017-09-14 千住金属工業株式会社 はんだ合金、はんだボール、チップソルダ、はんだペースト及びはんだ継手
US10773345B2 (en) 2016-03-08 2020-09-15 Senju Metal Industry Co., Ltd. Solder alloy, solder ball, chip solder, solder paste, and solder joint
CN109570814A (zh) * 2019-01-14 2019-04-05 哈尔滨理工大学 一种添加微纳米颗粒的复合焊膏
CN113634758A (zh) * 2021-08-16 2021-11-12 广州海普电子材料科技有限公司 一种震动喷射式加工生产bga锡球设备

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