JP3391325B2 - コンデンサ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、コンデンサ、例え
ばパルス発生用コンデンサ（非線形コンデンサ）等とし
て使用されるコンデンサに関する。

【０００２】

【従来の技術】ＨＩＤランプ、例えば、高圧ナトリウム
ランプやメタルハライドランプに用いられるパルス発生
用コンデンサは、非線形特性を有する必要がある。従
来、このパルス発生用コンデンサの非線形特性を得るた
め、電極ペーストとしてＡｇ粉末にホウケイ酸ガラスや
ホウケイ酸鉛ガラスをワニスと共に添加したものを採用
していた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところが、ホウケイ酸
ガラスやホウケイ酸鉛ガラスは、電極を焼付けるとき
に、セラミック素体に拡散し、セラミック素体が本来持
っているパルス性能を十分に引き出せないという問題が
あった。また、電極ペーストの印刷条件や焼付け条件に
よってガラスの厚みや状態が変わり、非線形特性がばら
つくという問題があった。

【０００４】さらに、電極ペーストに添加されたガラス
は、電極とセラミック素体との接合力を強める作用もす
る。ところで、一般に、パルス発生用コンデンサは、電
極にはんだ付けされたリード端子を有している。そし
て、パルス発生用コンデンサは、ＨＩＤランプの口金内
で使用されるため、高温に晒される。ところが、このリ
ード端子を有したパルス発生用コンデンサが高温に晒さ
れると、電気的特性が低下するという問題があった。こ
れは、リード端子と電極を電気的に接続するはんだ中の
Ｓｎが電極中に拡散し、電極中のガラスと金属との結合
を弱めたり、ガラスとセラミック素体との結合を弱める
からである。このため、従来のパルス発生用コンデンサ
は、高温に晒される環境での使用に適さなかった。

【０００５】そこで、本発明の目的は電気的特性が安定
しているコンデンサを提供することにある。さらに、本
発明の他の目的は、電極にはんだ付けされたリード端子
を有し、かつ、高温に晒されても電気的特性が低下しな
いコンデンサを提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段と作用】以上の目的を達成
するため、本発明に係るコンデンサは、板状のセラミッ
ク素体の表裏面にそれぞれガラス層を介して第１金属層
を設けたことを特徴とする。

【０００７】以上の構成により、ガラス層がセラミック
素体と第１金属層を分離するため、電気的特性のばらつ
きが抑えられる。また、セラミック素体が非線形コンデ
ンサ素体のときには、ガラス層の材料として、ホウケイ
酸鉛ビスマス系ガラスやホウケイ酸バリウム系ガラスを
採用するのが望ましい。これらのガラスは、電極を焼付
けるときにセラミック素体に拡散しにくいため、セラミ
ック素体が本来有しているパルス性能を引き出せるから
である。

【０００８】また、前記ガラス層は、セラミック素体と
ガラス粉末を攪拌しながら熱処理したり、金属粉末とガ
ラス粉末を含むペーストを塗布、焼付けることにより量
産性良く形成される。特に、セラミック素体とガラス粉
末を攪拌しながら熱処理すると、ガラス層がセラミック
素体の表面に均一に形成され、特性のばらつきをさらに
小さくすることができるとともに、耐電圧も向上する。

【０００９】また、Ｓｎより酸素との結合力が強い材料
で第１金属層を形成することにより、コンデンサが高温
に晒されてはんだ付け用のはんだに含まれているＳｎが
電極に拡散しても、第１金属層がＳｎの拡散を防止し、
ガラス層へＳｎが侵入しないようにする。このため、コ
ンデンサの電気的特性が劣化しなくなる。ここに、Ｓｎ
より酸素との結合が強い材料としては、Ｔｉ，Ｍｏ，
Ｗ，Ｖ，Ｃｒ，Ｎｉおよびそれらの合金等がある。

【００１０】また、本発明に係るコンデンサは、Ｐｂ含
有率が２．５ｗｔ％以下であるはんだで、第１金属層あ
るいは第１金属層上に設けられた第２金属層にリード端
子がはんだ付けされていることを特徴とする。または、
本発明に係るコンデンサは、Ｐｂ含有率が５ｗｔ％以下
であるめっきで被覆されたリード端子が、第１金属層あ
るいは第２金属層にはんだ付けされていることを特徴と
する。

【００１１】以上の構成により、はんだ付け用のはんだ
に含まれるＰｂの含有量やリード端子を被覆するめっき
に含まれるＰｂの含有量が少ないため、電極に拡散する
Ｐｂの量が少なくなり、ガラス層へＰｂが侵入しにくく
なる。このため、コンデンサの電気特性が劣化しにくく
なる。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下に、本発明に係るコンデンサ
の実施の形態について添付の図面を参照して説明する。

【００１３】［コンデンサの構成、図１〜図３］以下、
ＨＩＤランプの始動用に用いられるパルス発生用コンデ
ンサ（非線形コンデンサ）を例にして、その基本的な構
成を製造方法とともに説明する。

【００１４】図１に示された板状のセラミック素体２
は、チタン酸ジルコン酸バリウムやチタン酸ストロンチ
ウム等を主成分とするセラミック粉末とバインダを混練
してスラリー状にしたものを、成形金型に充填して乾式
プレスした後、焼成して形成される。次に、ホウケイ酸
鉛ビスマス系ガラスやホウケイ酸バリウム系ガラス等の
ガラスペーストを印刷法等の方法により、セラミック素
体２の上下面にそれぞれ０．０１〜０．１μｍの厚さで
塗布した後、８５０℃で焼付けしてガラス層３を形成す
る。

【００１５】次に、図２に示すように、ガラス層３の表
面に、それぞれ第１電極層４がスパッタリング法、真空
蒸着法、印刷法等の方法により形成される。第１電極層
４の材料としては、Ｓｎより酸素との結合力が強く、Ｓ
ｎバリア効果のある金属を使用するのが好ましい。具体
的には、Ｔｉ，Ｍｏ，Ｖ，Ｃｒ，Ｎｉあるいはこれらの
合金等である。この後、第１電極層４の表面に、それぞ
れ第２電極層５がスパッタリング法、真空蒸着法、印刷
法等の方法により形成される。第２電極層５の材料とし
ては、はんだ付けが容易な金属を使用するのが好まし
い。具体的には、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉあるいはこれ
らの合金等である。

【００１６】次に、図３に示すように、第２電極層５の
それぞれの表面に、リード端子７がリフロー法によりは
んだ付けされる。はんだ６及びリード端子７のめっき
は、Ｓｎ，Ｓｎ／Ａｇ，Ｓｎ／Ｃｕ等のようにＰｂの量
が少ない（または、含まない）ものがよい。この後、リ
ード端子７の導出部を残して、エポキシ粉体樹脂を流動
浸漬法にてコンデンサ１の表面に塗布して外装８を形成
する。

【００１７】以上の構成からなる非線形コンデンサ１
は、ガラス層３がセラミック素体２と第１電極層４を分
離しているので、電気的特性のばらつきを抑えることが
できる。また、ホウケイ酸鉛ビスマス系ガラスやホウケ
イ酸バリウム系ガラスを使用しているので、電極層４，
５を焼付けるときに、これらのガラスはセラミック素体
２に拡散せずセラミック素体２が本来有しているパルス
性能を引き出すことができる。

【００１８】さらに、第１電極層４をＳｎより酸素との
結合力が強い金属で形成することにより、コンデンサ１
が高温に晒されてはんだ６に含まれているＳｎが電極層
５，４側に拡散しても、第１電極層４がＳｎの拡散を防
止し、ガラス層３へＳｎが侵入しないようにする。これ
により、コンデンサ１の電気的特性の劣化を防止するこ
とができる。また、はんだ６及びリード端子７のめっき
として、Ｓｎ，Ｓｎ／Ａｇ，Ｓｎ／Ｃｕ等のようにＰｂ
の量が少ない（または、含まない）ものを採用している
ので、コンデンサ１が高温に晒されても、電極層５，４
側に拡散するＰｂの量が少なく、ガラス層３へＰｂが侵
入しにくくなる。これにより、コンデンサ１の電気特性
の劣化を防止することができる。

【００１９】［ガラス層について、図４〜図９］次に、
ガラス層３について、より詳細に説明する。ガラス層３
の代表的な形成方法は以下の３種類である。第１の形成
方法は、前述したように、ホウケイ酸鉛ビスマス系ガラ
スやホウケイ酸バリウム系ガラス等のガラスペーストを
印刷法等の方法により、セラミック素体２の上下面にそ
れぞれ０．０１〜０．１μｍの厚さで塗布した後、８５
０℃で焼付けしてガラス層３を形成する方法である。

【００２０】例えば、図４に示すように、チタン酸ジル
コン酸バリウムを主成分とするセラミック粉末を用い
て、直径が１８ｍｍ、厚みが１ｍｍの円板形セラミック
素体２を形成した後、このセラミック素体２の上下面
に、ホウケイ酸バリウム系ガラスペーストを用いて印刷
法で、直径が１６ｍｍの円形パターンのガラス層３を形
成した。次に、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ等を用い
てスパッタリング法、真空蒸着法、印刷法等の方法によ
り、ガラス層３の表面に第１電極層４を形成した。本実
施形態では、厚み０．３μｍのＣｕ層をスパッタリング
法で形成した。

【００２１】図５は、製作した複数個の非線形コンデン
サ１の発生パルス電圧を測定した結果を示すグラフであ
る。比較のために、ガラス層３を形成しなかったコンデ
ンサの発生パルス電圧の測定結果も併せて記載してい
る。図５から、ガラス層３を形成しているコンデンサ１
は発生パルス電圧が高く安定しているのに対して、ガラ
ス層３を形成しなかったコンデンサは発生パルス電圧が
低く、かつ、ばらつきも大きいことが分かる。

【００２２】なお、発生パルス電圧は、図６に示すよう
に、交流電源１６と、４００ワットの高圧水銀ランプ用
安定器１７と、ブレークオーバ電圧が１５０Ｖのサイリ
スタスイッチ１８とで構成される回路を使って測定し
た。非線形コンデンサ１に交流電源１６の交流電圧を印
加すると、非線形コンデンサ１のヒステリシスによって
急激に分極の反転が生じ、反転時に電流が流れる。さら
に、交流電圧を上げると、分極が飽和して電流は非常に
小さくなる。非線形コンデンサ１と直列に安定器（コイ
ル）１７が接続されているため、この電流の変化に応じ
たパルス電圧（逆起電力）が安定器（コイル）１７の両
端間に発生する。実際に使用するときには、高圧ナトリ
ウムランプ、メタルハライドランプ等のＨＩＤランプ２
０を点線の矢印で示した位置に接続する。

【００２３】ガラス層３の第２の形成方法は、金属粉末
とガラス粉末とを含むペーストを印刷法等の方法によ
り、セラミック素体２の上下面にそれぞれ例えば５μｍ
の厚さで厚膜塗布した後、高温で焼付けして形成する方
法である。この場合、図７に示すように、厚膜のセラミ
ック素体２側にガラスが析出してガラス層３が形成さ
れ、逆に、反対側（厚膜の表面側）は金属粉末リッチと
なって焼結電極層２５が形成される。ガラス層３の厚み
は、０．０１〜０．１μｍになるように調整するのが好
ましい。金属粉末としては、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ等
が使用される。

【００２４】ガラス層３の第３の形成方法は、図８に示
すように、セラミック素体２とホウケイ酸バリウム系ガ
ラス粉末１２を円筒状のアルミナポット１５に入れた
後、このポット１５を８５０℃の高温炉の中で軸Ｌを中
心にして矢印Ｋ方向に回転させる方法である。これによ
り、セラミック素体２とホウケイ酸バリウム系ガラス粉
末１２がポット１５内で攪拌され、ホウケイ酸バリウム
系ガラス粉末１２がセラミック素体２の表面に均一に付
着して焼付けられ、図９に示すように均一な厚さのガラ
ス層３がセラミック素体２の全表面に形成される。ガラ
ス層３の厚みは、０．０１〜０．１μｍに設定するのが
好ましい。

【００２５】この後、ガラス層３の表面に、厚み０．３
μｍのＣｕ層（第１電極層）４をスパッタリング法で形
成した。この方法で得られるコンデンサ１は、ガラス層
３がセラミック素体２の表面に均一に形成されているた
め、印刷法によって形成したガラス層を有するコンデン
サと比較して、特性のばらつきがさらに小さくなる。図
１０は、第３の形成方法で制作したガラス層３を有する
複数のコンデンサ１の発生パルス電圧を測定した結果を
示すグラフである。比較のため、ガラス層を印刷法によ
って形成したコンデンサの発生パルス電圧の測定結果も
併せて記載している。

【００２６】［第１電極層について、図１１〜図１５］
次に、第１電極層４について、より詳細に説明する。第
１電極層４は、前述したように、Ｓｎより酸素との結合
力が強く、Ｓｎバリア効果のある金属（Ｔｉ，Ｍｏ，
Ｖ，Ｃｒ，Ｎｉあるいはこれらの合金等）からなること
が好ましい。例えば、図１１に示すように、チタン酸ジ
ルコン酸バリウムを主成分とするセラミック粉末を用い
て、直径が１２ｍｍ、厚みが１ｍｍの円板形セラミック
素体２を形成した後、このセラミック素体２の上下面
に、ホウケイ酸バリウム系ガラスペーストを用いて印刷
法で、直径が１１ｍｍで厚さが０．０１μｍの円形パタ
ーンのガラス層３を形成した。

【００２７】次に、このガラス層３の上にスパッタリン
グ法により、第１電極層４として厚みが０．５μｍのモ
ネル（Ｎｉ−Ｃｕ合金）層を形成するとともに、第２電
極層５として厚みが０．３μｍのＣｕ層を形成した。こ
の後、第２電極層５のそれぞれの表面に、リード端子で
あるはんだめっき軟銅線７を、Ｓｎ／Ａｇ＝９６．５／
３．５のクリームはんだ６を用いたリフロー法によりは
んだ付けした。

【００２８】こうして得られたリード端子７付き非線形
コンデンサ１は、高温に晒されて、はんだ６中のＳｎが
電極に拡散しても、第１電極層４がＳｎの拡散を防止
し、ガラス層３へＳｎが侵入しにくい。この結果、非線
形コンデンサ１の発生パルス電圧の低下を防ぐことがで
きる。図１２は、コンデンサ１を１５０℃の雰囲気中に
放置し、１時間後、１００時間後、３００時間後、１０
００時間後の発生パルス電圧の変化率を測定した結果を
示すグラフである（実線２９参照）。比較のために、セ
ラミック素体の上下面にそれぞれガラス層を介してＡｇ
電極を形成したコンデンサの発生パルス電圧の変化率の
測定結果も併せて記載している（点線３０参照）。Ｓｎ
バリア効果のある第１金属層４を設けているコンデンサ
１は、１５０℃の高温に晒されても、発生パルス電圧は
高く安定している。これに対して、Ｓｎバリア効果のあ
る金属層を設けていないコンデンサは、１５０℃の高温
に晒されると、発生パルス電圧は著しく低下している。

【００２９】さらに、１５０℃に１０００時間晒したコ
ンデンサを、Ｘ線マイクロアナライザを用いて分析した
ところ、Ｓｎバリア効果のある金属層を設けていないコ
ンデンサは、ガラス層全体に略均一にＳｎが拡散してい
たのに対して、Ｓｎバリア効果のある第１電極層４を設
けているコンデンサ１は、ガラス層３へのＳｎの拡散が
ほとんど認められなかった。

【００３０】また、図１３に示すように、チタン酸スト
ロンチウムを主成分とするセラミック粉末を用いて、直
径が１３ｍｍ、厚みが０．５ｍｍの円板形セラミック素
体２を形成した後、このセラミック素体２の上下面に、
Ａｇ粉末とガラス粉末をバインダ（ワニス）とともに混
練したペーストを用いて印刷法で厚膜塗布した後、８５
０℃で焼付けしてガラス層３を形成した。この時、厚膜
のセラミック素体２側にガラスが析出してガラス層３が
形成され、逆に、反対側（厚膜の表面側）はＡｇ粉末リ
ッチとなって、焼結電極層（第３電極層）２５が形成さ
れる。このＡｇ焼結電極層２５の上にスパッタリング法
により、第１電極層４として厚みが０．２μｍのＴｉ層
を形成するとともに、第２電極層５として厚みが０．３
μｍのＣｕ層を形成した。次に、第２電極層５のそれぞ
れの表面に、リード端子であるはんだめっき軟銅線７
を、Ｓｎ／Ａｇ＝９６．５／３．５のクリームはんだ６
を用いたリフロー法によりはんだ付けした。

【００３１】こうして得られたリード端子７付きセラミ
ックコンデンサ１は、高温に晒されて、はんだ６中のＳ
ｎが電極に拡散しても、第１電極層４がＳｎの拡散を防
止し、ガラス層３へＳｎが侵入しないようにする。この
結果、コンデンサ１の静電容量の低下および誘電損失の
上昇を防ぐことができる。図１４および図１５は、それ
ぞれ、コンデンサ１を１５０℃の雰囲気中に放置し、１
時間後、３００時間後、５００時間後、１０００時間後
の静電容量変化率および誘電損失変化率を測定した結果
を示すグラフである（実線３７，３９参照）。ここに、
静電容量および誘電損失は、測定周波数が１ＫＨｚ、測
定電圧が１Ｖｒｍｓの条件の下で測定した。比較のため
に、第１電極層４及び第２電極層５を形成しなかったコ
ンデンサの静電容量変化率および誘電損失変化率の測定
結果も併せて記載している（点線３８，４０参照）。Ｓ
ｎバリア効果のある第１電極層４を設けているコンデン
サ１は、１５０℃の高温に晒されても静電容量と誘電損
失の劣化は確認できなかった。これに対して、Ｓｎバリ
ア効果のある金属層を設けていないコンデンサは、１５
０℃の高温に晒されると、時間経過とともに静電容量の
低下と誘電損失の上昇が見られる。

【００３２】［はんだおよびリード端子のめっきについ
て、図１６〜図１８］次に、はんだ６およびリード端子
７のめっきについて、より詳細に説明する。前述したよ
うに、はんだ６およびリード端子７のめっきには、Ｓ
ｎ，Ｓｎ／Ａｇ，Ｓｎ／Ｃｕ等のようにＰｂの量が少な
い（または、含まない）ものを使用することが好まし
い。より具体的には、はんだ６には、Ｐｂ含有量が２．
５ｗｔ％以下のものが使用される。リード端子７のめっ
きには、Ｐｂ含有量が５ｗｔ％以下のものが使用され
る。

【００３３】例えば、図１６に示すように、チタン酸ジ
ルコン酸バリウムを主成分とするセラミック粉末を用い
て、直径が１２ｍｍ、厚みが１ｍｍの円板形セラミック
素体２を形成した後、このセラミック素体２の上下面
に、Ａｇ粉末とガラス粉末をバインダ（ワニス）ととも
に混練したペーストを用いて印刷法で５μｍの厚さで厚
膜塗布した後、８５０℃で焼付けしてガラス層３を形成
した。この時、厚膜のセラミック素体２側にガラスが析
出してガラス層３が形成され、逆に、反対側（厚膜の表
面側）はＡｇ粉末リッチとなって、焼結電極層（第３電
極層）２５が形成される。このＡｇ焼結電極層２５の上
にスパッタリング法により、第１電極層（Ｓｎバリア
層）４として厚みが０．５μｍのモネル（Ｎｉ−Ｃｕ）
層を形成するとともに、第２電極層５として厚みが０．
３μｍのＣｕ層を形成した。

【００３４】次に、第２電極層５の表面に、リード端子
であるＳｎめっき軟銅線７を、Ｓｎ／Ａｇ＝９６．５／
３．５、Ｓｎ／Ｐｂ／Ａｇ＝９５．８／０．７／３．
５，９４／２．５／３．５，９１．５／５／３．５，８
６．５／１０／３．５およびＳｎ／Ｐｂ＝６０／４０の
６種類のクリームはんだ６を用いたリフロー法によりは
んだ付けした。

【００３５】図１７は、こうして得られたコンデンサ１
を１５０℃の雰囲気中に放置し、１時間後、１００時間
後、３００時間後、１０００時間後の発生パルス電圧の
変化率を測定した結果を示すグラフである。図１７か
ら、はんだ６中のＰｂ含有量が２．５ｗｔ％以下と少な
い場合、コンデンサ１が高温に晒されて、はんだ６中の
Ｐｂが電極に拡散しても、その量は少なく、ガラス層３
へＰｂが侵入しにくくなることが分かる。つまり、はん
だ６中のＰｂ含有量が２．５ｗｔ％以下の場合には、パ
ルス電圧変化率を実用上問題とならない程度（−４％以
下）に抑えることができる。

【００３６】また、これとは別に、第２電極層５の表面
に、それぞれＳｎ＝１００，Ｓｎ／Ｐｂ＝９９．３／
０．７，９７．５／２．５，９５／５，９０／１０，６
０／４０の６種類のめっきで被覆された軟銅線からなる
リード端子７をＳｎ／Ａｇ＝９６．５／３．５のクリー
ムはんだ６を用いたリフロー法によりはんだ付けした。
図１８は、こうして得られたコンデンサ１を１５０℃の
雰囲気中に放置し、１時間後、１００時間後、３００時
間後、１０００時間後の発生パルス電圧の変化率を測定
した結果を示すグラフである。

【００３７】図１８から、リード端子７のめっき中のＰ
ｂ含有量が５ｗｔ％以下と少ない場合、コンデンサ１が
高温に晒されて、めっき中のＰｂが電極に拡散しても、
その量は少なく、ガラス層３へＰｂが侵入しにくくなる
ことが分かる。つまり、めっき中のＰｂ含有量が５ｗｔ
％以下の場合には、パルス電圧変化率を実用上問題とな
らない程度（−４％以下）に抑えることができる。

【００３８】なお、本発明に係るコンデンサは前記実施
形態に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々
に変更することができる。

【００３９】

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、ガラス層がセラミック素体と第１金属層を分離
するため、電気的特性のばらつきを抑えることができ
る。また、セラミック素体が非線形コンデンサ素体のと
きには、ガラス層の材料として、ホウケイ酸鉛ビスマス
系ガラスやホウケイ酸バリウム系ガラスを採用すること
により、これらのガラスは、電極を焼付けるときにセラ
ミック素体に拡散しにくいため、セラミック素体が本来
有しているパルス性能を引き出すことができる。

【００４０】また、前記ガラス層は、セラミック素体と
ガラス粉末を攪拌しながら熱処理したり、金属粉末とガ
ラス粉末を含むペーストを塗布、焼付けすることにより
量産性良く形成することができる。特に、セラミック素
体とガラス粉末を攪拌しながら熱処理すると、ガラス層
がセラミック素体の表面により均一に形成され、特性の
ばらつきをさらに小さくすることができるとともに、耐
電圧も向上する。

【００４１】また、Ｓｎより酸素との結合力が強い材料
で第１金属層を形成することにより、コンデンサが高温
に晒されて、はんだ付け用のはんだに含まれているＳｎ
が電極に拡散しても、第１金属層がＳｎの拡散を防止
し、ガラス層へＳｎが侵入しないようにする。このた
め、コンデンサの電気的特性が劣化しなくなる。

【００４２】さらに、はんだ付け用のはんだに含まれる
Ｐｂの含有量を２．５ｗｔ％以下にしたり、リード端子
を被覆するめっきに含まれるＰｂの含有量を５ｗｔ％以
下にしたりすることにより、電極に拡散するＰｂの量が
少なくなり、ガラス層へＰｂが侵入しにくくなる。この
ため、コンデンサの電気特性が劣化しにくくなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るコンデンサの製造手順を示す断面
図。

【図２】図１に続く製造手順を示す断面図。

【図３】本発明に係るコンデンサの一実施形態を示す断
面図。

【図４】第１のガラス層の形成方法を説明するための断
面図。

【図５】図４で示したコンデンサの発生パルス電圧を測
定した結果を示すグラフ。

【図６】発生パルス電圧の測定回路を示す電気回路図。

【図７】第２のガラス層の形成方法を説明するための断
面図。

【図８】第３のガラス層の形成方法に使用される装置を
示す概略構成図。

【図９】第３のガラス層の形成方法を説明するための断
面図。

【図１０】図９で示したコンデンサの発生パルス電圧を
測定した結果を示すグラフ。

【図１１】第１電極層の一実施例を説明するための断面
図。

【図１２】図１１で示したコンデンサの高温放置時間と
発生パルス電圧の変化率との関係を示すグラフ。

【図１３】第１電極層の他の実施例を説明するための断
面図。

【図１４】図１３で示したコンデンサの高温放置時間と
静電容量変化率との関係を示すグラフ。

【図１５】図１３で示したコンデンサの高温放置時間と
誘電損失変化率との関係を示すグラフ。

【図１６】はんだおよびリード端子のめっきの実施例を
説明するための断面図。

【図１７】図１６で示したコンデンサにおいて、種々の
はんだを使用した場合のそれぞれの高温放置時間と発生
パルス電圧の変化率との関係を示すグラフ。

【図１８】図１６で示したコンデンサにおいて、種々に
めっきされたリード端子を使用した場合のそれぞれの高
温放置時間と発生パルス電圧の変化率との関係を示すグ
ラフ。

【符号の説明】

１…コンデンサ ２…セラミック素体 ３…ガラス層 ４…第１電極層 ５…第２電極層 ６…はんだ ７…リード端子 １２…ガラス粉末

フロントページの続き (72)発明者 長井 昭 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株 式会社村田製作所内 (72)発明者 山岡 修 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株 式会社村田製作所内 (72)発明者 永島 満 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株 式会社村田製作所内 (72)発明者 井原 裕子 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株 式会社村田製作所内 (56)参考文献 特開 平９−246088（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−214258（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−117202（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01G 4/12

Claims (10)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 板状のセラミック素体の表裏面にそれぞ
   れガラス層を介して第１金属層を設け、前記セラミック
   素体が非線形コンデンサ素体であり、前記第１金属層が
   Ｓｎより酸素との結合力が強い材料からなり、Ｐｂ含有
   率が２．５ｗｔ％以下であるはんだで前記第１金属層に
   リード端子がはんだ付けされていることを特徴とするコ
   ンデンサ。
2. 【請求項２】 板状のセラミック素体の表裏面にそれぞ
   れガラス層を介して第１金属層を設け、前記セラミック
   素体が非線形コンデンサ素体であり、前記第１金属層が
   Ｓｎより酸素との結合力が強い材料からなり、Ｐｂ含有
   率が５ｗｔ％以下であるめっきで被覆されたリード端子
   が前記第１金属層にはんだ付けされていることを特徴と
   するコンデンサ。
3. 【請求項３】 前記ガラス層の材料がホウケイ酸鉛ビス
   マス系ガラスおよびホウケイ酸バリウム系ガラスのいず
   れか一つであることを特徴とする請求項１または請求項
   ２記載のコンデンサ。
4. 【請求項４】 前記ガラス層が前記セラミック素体とガ
   ラス粉末を攪拌しながら熱処理することにより形成され
   ていることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか
   に記載のコンデンサ。
5. 【請求項５】 前記ガラス層が金属粉末とガラス粉末を
   含むペーストを塗布、焼付けすることにより形成されて
   いることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに
   記載のコンデンサ。
6. 【請求項６】 Ｓｎより酸素との結合力が強い前記材料
   が、Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｃｒ，Ｎｉおよびそれらの合
   金のうちの一つであることを特徴とする請求項１〜請求
   項５のいずれかに記載のコンデンサ。
7. 【請求項７】 前記第１金属層の表面にさらに第２金属
   層を設けたことを特徴とする請求項１〜請求項６のいず
   れかに記載のコンデンサ。
8. 【請求項８】 前記第２金属層が、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，
   Ｎｉおよびこれらの合金のうちの一つであることを特徴
   とする請求項７記載のコンデンサ。
9. 【請求項９】 前記第１金属層または／および前記第２
   金属層が、真空蒸着およびスパッタリングのいずれか一
   つにより形成されていることを特徴とする請求項１〜請
   求項８のいずれかに記載のコンデンサ。
10. 【請求項１０】 前記ガラス層の厚みが０．０１〜０．
    １μｍであることを特徴とする請求項１〜請求項９のい
    ずれかに記載のコンデンサ。