JP2001267174A - リード端子付きセラミック電子部品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電極に対してリード端子を容易かつ確実には
んだ付けすることが可能で、リード端子の接続信頼性が
高く、しかも、高温下での使用による特性劣化の少ない
リード端子付きセラミック電子部品を提供する。 【解決手段】 電極５ａ，５ｂを、セラミック素子１０
を構成するセラミックの表面と密着するように形成され
た、Ｎｉ−Ｔｉ合金からなる第１電極層１ａ，１ｂと、
第１電極層１ａ，１ｂの上に形成された、Ｃｕ、Ａｇ、
及びＡｕからなる群より選ばれる少なくとも１種からな
る第２電極層２ａ，２ｂと、第２電極層２ａ，２ｂ上に
形成された、Ｎｉ−Ｔｉ合金からなる第３電極層３ａ，
３ｂと、第３電極層３ａ，３ｂ上に形成された、Ｃｕ、
Ａｇ、及びＡｕからなる群より選ばれる少なくとも１種
からなる第４電極層４ａ，４ｂとを具備する４層構造と
し、この４層構造の電極５ａ，５ｂ上に、リード端子７
ａ，７ｂをはんだ６ａ，６ｂにより接合する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、セラミック電子部
品に関し、詳しくは、セラミック素子に形成された電極
に、はんだによりリード端子を接合した構造を有するリ
ード端子付きセラミック電子部品に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、誘電体セラミックからなる単板
（板状セラミック素体）に電極を配設してなる単板型セ
ラミックコンデンサ（いわゆる板物セラミックコンデン
サ）は、通常、板状セラミック素体の表裏両面に電極が
設けられ、かつ、電極にリード端子がはんだにより接合
された構造を有している。

【０００３】そして、従来は、上記電極として、はんだ
付けが容易な金属であるＡｇやＣｕなどを導電成分とす
る電極ペーストを塗布、焼き付けすることにより形成さ
れた焼付け電極や、湿式めっき法などの方法により形成
されるメッキ電極などが採用されている。また、近年
は、はんだに含まれているＳｎの拡散が生じにくい金属
であるＮｉやＺｎなどを導電成分とする電極ペーストを
塗布、焼付け、あるいは湿式めっきすることにより形成
されるＮｉ電極やＺｎ電極などの採用が検討されるに至
っている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、ＡｇやＣｕな
どからなる焼付け電極や湿式めっき電極にリード端子を
はんだにより接合した構造を有するセラミックコンデン
サは、高温下（例えば１５０℃程度の温度）で使用した
場合、リード端子の接合に用いられているはんだに含ま
れているＳｎが電極内に拡散し、セラミック素子を構成
するセラミックと電極の密着力が低下し、場合によって
は、セラミックコンデンサの誘電損失が増加したり、電
極とセラミックの間に発生した空隙でコロナ放電が生じ
てセラミック素子が破壊したりするというような問題点
がある。

【０００５】また、ＮｉやＺｎなどからなる焼付け電極
や湿式めっき電極は、リード端子を電極に接合する際の
はんだ接合が必ずしも容易ではないため、信頼性の見地
などからは問題があるとされている塩素系フラックスを
用いたり、接合用の電極を別に設けたりすることが必要
になる場合がある。

【０００６】そこで、これらの問題を解決するために、
セラミックに密着させるべき電極層をスパッタリング法
により形成した後、その上に、はんだ付け性に優れた電
極材料からなるはんだ接合層を形成する方法（多層構造
法）が提案されているが、この方法で電極を形成するこ
とによって得られる製品においても、高温下で使用した
場合に特性が劣化する場合があり、高温下での使用によ
る特性劣化の問題を十分に解決することができていない
のが実情である。

【０００７】本発明は、上記問題点を解決するものであ
り、電極に対してリード端子を容易かつ確実にはんだ付
けすることが可能で、リード端子の接続信頼性が高く、
しかも、高温下での使用による特性劣化の少ないリード
端子付きセラミック電子部品を提供することを目的とす
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明（請求項１）のリード端子付きセラミック電
子部品は、セラミック素子の表面に配設された電極にリ
ード端子が取り付けられた構造を有するリード端子付き
セラミック電子部品であって、前記電極が、(a)セラミ
ック素子を構成するセラミックの表面と密着するように
形成された、Ｎｉ−Ｔｉ合金からなる第１電極層と、
(b)前記第１電極層の上に形成された、Ｃｕ、Ａｇ、及
びＡｕからなる群より選ばれる少なくとも１種からなる
第２電極層と、(c)前記第２電極層上に形成された、Ｎ
ｉ−Ｔｉ合金からなる第３電極層と、(d)前記第３電極
層上に形成された、Ｃｕ、Ａｇ、及びＡｕからなる群よ
り選ばれる少なくとも１種からなる第４電極層とを備え
た４層構造を有しており、かつ、前記リード端子が、前
記４層構造を有する電極に、はんだにより接合されてい
ることを特徴としている。

【０００９】電極を、セラミック素子を構成するセラミ
ックの表面と密着するように形成されたＮｉ−Ｔｉ合金
からなる第１電極層と、第１電極層の上に形成されたＣ
ｕ、Ａｇ、及びＡｕからなる群より選ばれる少なくとも
１種からなる第２電極層と、第２電極層上に形成された
Ｎｉ−Ｔｉ合金からなる第３電極層と、第３電極層上に
形成されたＣｕ、Ａｇ、及びＡｕからなる群より選ばれ
る少なくとも１種からなる第４電極層とを備えた４層構
造とし、この４層構造の電極上に、リード端子をはんだ
付けすることにより、リード端子を電極に確実に接合す
ることが可能になるとともに、製品の高温環境下での使
用における特性劣化を抑制、防止することが可能にな
る。

【００１０】本発明においては、第１電極層の構成材料
として、セラミックと適度な結合力が得ることが可能な
Ｎｉ−Ｔｉ合金を用いている。なお、セラミックとの結
合力はセラミック中の酸素と金属（合金）の結合により
得られるものと考えられ、金属と酸素の結合力が弱い場
合には密着不足が生じ、強すぎる場合はセラミックの還
元による特性劣化が生じるが、Ｎｉ−Ｔｉ合金を用いた
場合、他の特性の劣化を招くことなく十分な結合力を得
ることができる。

【００１１】また、第２電極層は、高温環境下での導電
性を確保し、特性劣化を防止する機能を果たす電極層で
あり、本発明では、この第２電極層の構成材料として、
Ｃｕ、Ａｇ、及びＡｕからなる群より選ばれる少なくと
も１種を用いるようにしている。

【００１２】また、第３電極層は、はんだ成分の拡散が
第２電極層にまで進行しないようにする機能を果たす電
極層であり、本発明では、第３電極層の構成材料とし
て、はんだ成分が拡散しにくいＮｉ−Ｔｉ合金を用いて
いる。

【００１３】また、第４電極層は、リード端子がはんだ
付けされる電極層であり、本発明においては、はんだ濡
れ性の良好な金属として、Ｃｕ、Ａｇ、及びＡｕからな
る群より選ばれる少なくとも１種を用いるようにしてい
る。

【００１４】すなわち、本発明では、リード端子付きセ
ラミック電子部品において、リード端子と電極との接続
信頼性を高く維持するとともに、高温条件下での使用に
おける特性劣化を抑制することができるように、 第１電極層には、セラミックとの適度な結合性を確保
する機能 第２電極層には、高温下での導電性を確保する機能 第３電極層には、はんだ成分の拡散を防止する機能 第４電極層には、良好なはんだ濡れ性を確保する機能 を持たせるようにしている。

【００１５】また、請求項２のリード端子付きセラミッ
ク電子部品は、前記電極を構成する、第１電極層、第２
電極層、第３電極層及び第４電極層が、それぞれスパッ
タリング法により形成されたものであることを特徴とし
ている。

【００１６】電極を構成する、第１電極層、第２電極
層、第３電極層及び第４電極層を、それぞれスパッタリ
ング法により形成することにより、セラミック素子を構
成するセラミックへの密着性及びはんだ付け性に優れた
電極を、容易かつ確実に形成することが可能になる。

【００１７】また、請求項３のリード端子付きセラミッ
ク電子部品は、前記第１電極層及び第３電極層を構成す
るＮｉ−Ｔｉ合金のＴｉ含有率（Ｔｉ比率）が、５〜２
０重量％の範囲にあることを特徴としている。

【００１８】第１電極層及び第３電極層を構成するＮｉ
−Ｔｉ合金のＴｉ含有率（Ｔｉ比率）を５〜２０重量％
とすることにより、セラミック素子への密着性及びはん
だ付け性に優れた電極を、容易かつ確実に形成すること
が可能になり、本発明を実効あらしめることができる。
なお、Ｎｉ−Ｔｉ合金のＴｉ含有率（Ｔｉ比率）を５〜
２０重量％の範囲としたのは、Ｔｉ含有率が５重量％以
下になると、セラミック素子を構成するセラミックへの
密着性が確保できなくなりばかりでなく、Ｎｉの割合が
多くなりすぎて、Ｎｉ−Ｔｉ合金が磁性を持つに至り、
マグネトロンスパッタリング法を適用することができな
くなり、また、Ｔｉ含有率が２０重量％を越えると、セ
ラミックとの反応により、電極とセラミックの間に異相
が生じ、誘電損失を増加させることになることによる。

【００１９】また、請求項４のリード端子付きセラミッ
ク電子部品は、前記第１電極層及び第３電極層を構成す
るＮｉ−Ｔｉ合金のＴｉ含有率（Ｔｉ比率）が、５〜１
０重量％の範囲にあることを特徴としている。

【００２０】Ｎｉ−Ｔｉ合金のＴｉ含有率（Ｔｉ比率）
を５〜１０重量％としたのは、Ｔｉ含有率を５〜１０重
量％とすることにより、セラミック素子を構成するセラ
ミックへの密着性に優れ、かつ、電極とセラミックの間
に異相が生じることによる誘電損失の増加をより確実に
抑制することが可能になることによる。

【００２１】また、請求項５のリード端子付きセラミッ
ク電子部品は、前記セラミック素子が、誘電体セラミッ
クからなる単板型セラミックコンデンサ用の板状セラミ
ック素体であって、前記セラミック電子部品が単板型セ
ラミックコンデンサであることを特徴としている。

【００２２】本発明を、セラミック素子が誘電体セラミ
ックからなる単板型セラミックコンデンサ用の板状セラ
ミック素体であるリード端子付き単板型セラミックコン
デンサに適用することにより、電極のセラミック素子へ
の密着性に優れ、かつ、リード端子の電極へのはんだ付
け強度が大きく、しかも、高温下で使用した場合の特性
の安定性に優れたリード端子付きセラミックコンデンサ
を得ることが可能になり、特に有意義である。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を示し
てその特徴とするところをさらに詳しく説明する。な
お、この実施形態では、板状セラミック素体（単板型セ
ラミックコンデンサ用のセラミック素子）の表裏の両面
に配設された電極にリード端子が接合された構造を有す
るリード端子付き単板型セラミックコンデンサを例にと
って説明する。

【００２４】図１に示すように、この実施形態のリード
端子付き単板型セラミックコンデンサ（以下、単に「コ
ンデンサ」ともいう）は、誘電体セラミックからなる板
状セラミック素体１０と、セラミック素体１０の表裏の
両面に形成された電極５ａ，５ｂと、電極５ａ，５ｂに
はんだ６ａ，６ｂにより接合されたリード端子７ａ，７
ｂとを具備している。

【００２５】なお、セラミック素体１０は、具体的に
は、例えば、ＢａＴｉＯ３系、ＳｒＴｉＯ３系、ＴｉＯ
２系などの誘電体セラミックから形成されている。ま
た、電極５ａ，５ｂは、セラミック素体１０を加熱し
て、所定の温度に昇温した後、マグネトロンスパッタリ
ング法によりセラミック素体１０の両面に形成されてい
る。なお、スパッタリングを行う際の、セラミック素体
１０の加熱温度は任意であるが、セラミック素体１０内
の残留熱応力を小さくする見地からは、１５０℃以下に
設定することが好ましい。

【００２６】そして、この実施形態のコンデンサにおい
ては、電極５ａ，５ｂは、それぞれ第１電極層１ａ，１
ｂ，第２電極層２ａ，２ｂ，第３電極層３ａ，３ｂ，第
４電極層４ａ，４ｂからなる４層構造を有している。電
極５ａ，５ｂを構成する第１電極層１ａ，１ｂは、それ
ぞれＮｉ−Ｔｉ合金から形成され、セラミック素体１０
の両面（表面）に密着するように形成されている。この
Ｎｉ−Ｔｉ合金は、セラミック素体１０を構成するセラ
ミックとの間で適度な結合力を得ることが可能で、しか
も、セラミックの還元による特性劣化の生じにくい電極
材料である。なお、Ｎｉ−Ｔｉ合金としては、Ｔｉ含有
率（Ｔｉ比率）が５〜２０重量％の範囲の組成のものが
用いられる。これは、Ｎｉ−Ｔｉ合金中のＴｉ含有率が
５重量％以下になるとセラミックの結合力が不十分にな
って所望の結合強度が選られず、また、Ｔｉ含有率が２
０重量％以上になると、セラミックの還元による特性劣
化が生じることによる。

【００２７】また、電極５ａ，５ｂを構成する第２電極
層２ａ，２ｂは、それぞれ第１電極層１ａ，１ｂの表面
に設けられ、Ｃｕ、Ａｇ、及びＡｕから選ばれる少なく
とも１種から形成されている。この第２電極層２ａ，２
ｂは、導電性を確保するために設けられた電極層であ
る。

【００２８】また、電極５ａ，５ｂを構成する第３電極
層３ａ，３ｂは、第２電極層２ａ，２ｂが酸化されるこ
とにより、あるいは、リード端子７ａ，７ｂを接合する
ために用いられたはんだ６ａ，６ｂからのはんだ成分が
拡散されることにより、導電性が劣化すること防止する
ための電極層であり、Ｎｉ−Ｔｉ合金から形成されてい
る。すなわち、Ｎｉ−Ｔｉ合金からなる第３電極層は、
耐腐食性が高く、かつ、はんだ成分であるＳｎ、Ｐｂの
拡散を防止して、第２電極層２ａ，２ｂを保護する機能
を果たす。

【００２９】また、電極５ａ，５ｂを構成する第４電極
層５ａ，５ｂは、はんだ６ａ，６ｂに対する濡れ性の良
好な電極層であって、リード端子のはんだ付け性を確保
する機能を果たす。

【００３０】次に、本発明の一実施形態にかかるコンデ
ンサの電気特性について説明する。 ［コンデンサ（試料）の作成］まず、特性の測定に供す
るコンデンサ（試料）として、以下の方法によりリード
端子付き単板型セラミックコンデンサを作成した。 直径が１３mm、厚さが０．５mmの円板状のＢａＴｉ０
３系の誘電体セラミックからなるセラミック素体１０
を、１０−２Ｐａの真空中で１００℃に加熱した後、マ
グネトロンスパッタリング法により、セラミック素体１
０の上下両面に、Ｎｉ−Ｔｉ合金（Ｔｉ含有率７．５重
量％のＮｉ−Ｔｉ合金）からなる第１電極層１ａ，１ｂ
を２００ｎｍの厚みで形成する。 次に、第１電極層１ａ，１ｂ上に、マグネトロンスパ
ッタリング法により、Ｃｕからなる第２電極層２ａ，２
ｂを２００ｎｍの厚みで形成する。 それから、第２電極層２ａ，２ｂ上に、マグネトロン
スパッタリング法により、Ｎｉ−Ｔｉ合金（Ｔｉ含有率
７．５重量％の合金）からなる第３電極層３ａ，３ｂ
を、１００ｎｍの厚みで形成する。 さらに、第３電極層３ａ，３ｂ上に、マグネトロンス
パッタリング法により、Ｃｕからなる第４電極層４ａ，
４ｂを１００ｎｍの厚みで形成する。 それから、セラミック素体１０の両面に形成された４
層構造の電極５ａ，５ｂに、はんだ引き軟銅線からなる
直径０．６ｍｍのリード端子７ａ，７ｂを、それぞれは
んだ６ａ，６ｂにて接合させることにより、特性測定用
の試料となるリード端子付き単板型セラミックコンデン
サを得る。

【００３１】［特性の測定］上述のようにして作成した
コンデンサ（実施例１）を、１２５℃の温度に保持した
状態で１０００ｈｒ放置し、これを試料として、電気特
性（誘電率、誘電損失及び絶縁抵抗）を測定した。その
結果を表１に示す。

【００３２】

【表１】

【００３３】なお、表１には、電極のはんだ濡れ性、セ
ラミック素体への電極の密着力についてのデータを併せ
て示す。また、表１には、上記実施形態の試料について
の電気特性とともに、下記の比較例１，２，３について
測定した電気特性を併せて示す。 電極としてＣｕ厚膜電極を設けたコンデンサ（比較例
１） それぞれ、スパッタリング法により形成された、 (a)Ｃｕからなる第１電極層（下層電極）：厚み３００n
m (b)Ｔｉからなる第２電極層（中間電極層）：厚み１０
０nm (c)Ｎｉ−Ｃｕからなる第３電極層（上層電極）：厚み
３００nm を備えた三層構造の電極を有するコンデンサ（比較例
２） それぞれ、スパッタリング法により形成された、 (a)Ｃｕからなる第１電極層（下層電極）：厚み３００n
m (b)Ｎｉ−Ｃｕからなる第２電極層（上層電極）：厚み
３００nm を備えた二層構造の電極を有するコンデンサ（比較例
３）

【００３４】表１より、実施形態のコンデンサは、高温
下に長時間放置した後においても、誘電率、誘電損失及
び絶縁抵抗の諸電気特性、及び電極のはんだ濡れ性、セ
ラミック素体への電極の密着力のいずれもが、少なくと
も各比較例と同等か、あるいはそれ以上に優れているこ
とがわかる。

【００３５】また、前記実施例１のコンデンサにおい
て、第１電極層と、第３電極層の構成材料であるＮｉ−
Ｔｉ合金のＴｉ含有率（Ｔｉ比率）を変化させた場合に
おける、Ｔｉ含有率と誘電損失及びセラミック素体への
電極の密着力の関係を表２に示す。

【００３６】

【表２】

【００３７】表２より、Ｔｉ含有率が５〜２０重量％の
範囲にある場合に、誘電損失及び電極の密着力の両方の
特性について、実用上問題のない好ましい結果が得られ
ることがわかる。

【００３８】なお、上記実施形態では、リード端子付き
単板型セラミックコンデンサを例にとって説明したが、
本発明は、これに限られるものではなく、セラミック素
子に形成された電極に、はんだによりリード端子を接合
した構造を有する種々のセラミック電子部品に適用する
ことが可能である。

【００３９】また、上記実施形態では、第２電極層及び
第４電極層として、Ｃｕからなる電極層を形成するよう
にしているが、第２電極層及び第４電極層の構成材料と
しては、Ｃｕに限らず、Ｃｕ、Ａｇ、及びＡｕの少なく
とも１種からなる種々の組成のものを用いることが可能
である。

【００４０】本発明は、さらにその他の点においても上
記実施形態に限定されるものではなく、セラミック素子
やリード端子の具体的な形状、電極の配設パターンなど
に関し、発明の要旨の範囲内において、種々の応用、変
形を加えることが可能である。

【００４１】

【発明の効果】上述のように、本発明（請求項１）のリ
ード端子付きセラミック電子部品は、電極を、セラミッ
ク素子を構成するセラミックの表面と密着するように形
成されたＮｉ−Ｔｉ合金からなる第１電極層と、第１電
極層の上に形成されたＣｕ、Ａｇ、及びＡｕからなる群
より選ばれる少なくとも１種からなる第２電極層と、第
２電極層上に形成されたＮｉ−Ｔｉ合金からなる第３電
極層と、第３電極層上に形成されたＣｕ、Ａｇ、及びＡ
ｕからなる群より選ばれる少なくとも１種からなる第４
電極層とを備えた４層構造とし、この４層構造の電極上
に、リード端子をはんだ付けすることにより、リード端
子を電極に確実に接合することが可能になるとともに、
製品の高温環境下での使用における特性劣化を抑制、防
止することができるようになる。

【００４２】すなわち、本発明では、 第１電極層（下地電極層）として、セラミックとの密
着性の高いＮｉ−Ｔｉ合金を用い、その上に、導電性
を確保するためのＣｕなどからなる第２電極層を形成
し、さらにその上に、はんだ成分の拡散を抑えるため
のＮｉ−Ｔｉ合金からなる第３電極層を形成し、表層
として、はんだ付け性に優れたＣｕなどからなる第４電
極層を形成することにより４層構造の電極を形成し、各
電極層のそれぞれに、上述のような機能を果たさせるよ
うにしているので、リード端子の接合強度を向上させ、
かつ、高温環境下での使用における特性の劣化を効率よ
く防止して、信頼性を向上させことが可能になる。

【００４３】また、請求項２のリード端子付きセラミッ
ク電子部品のように、電極を構成する、第１電極層、第
２電極層、第３電極層及び第４電極層を、それぞれスパ
ッタリング法により形成することにより、セラミック素
子を構成するセラミックへの密着性及びはんだ付け性に
優れた電極を、容易かつ、確実に形成することが可能に
なり、本発明をさらに実効あらしめることができる。

【００４４】また、請求項３のリード端子付きセラミッ
ク電子部品のように、第１電極層及び第３電極層を構成
するＮｉ−Ｔｉ合金のＴｉ含有率（Ｔｉ比率）を５〜２
０重量％とすることにより、セラミック素子への密着性
及びはんだ付け性に優れた電極を、確実に形成すること
が可能になり、本発明を実効あらしめることができる。

【００４５】また、請求項４のリード端子付きセラミッ
ク電子部品のように、Ｎｉ−Ｔｉ合金のＴｉ含有率（Ｔ
ｉ比率）を５〜１０重量％とした場合、セラミック素子
を構成するセラミックへの密着性に優れ、かつ、セラミ
ック間に異相が生じることによる誘電損失を増加の少な
いリード端子付きセラミック電子部品をより確実に得る
ことが可能になる。

【００４６】また、請求項５のように、本発明を、セラ
ミック素子が誘電体セラミックからなる単板型セラミッ
クコンデンサ用の板状セラミック素体であるリード端子
付き単板型セラミックコンデンサに適用することによ
り、電極のセラミック素子への密着性に優れ、かつ、リ
ード端子の電極へのはんだ付け強度が大きく、しかも、
高温下で使用した場合の特性の安定性に優れたリード端
子付きセラミックコンデンサを得ることが可能になり、
特に有意義である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態にかかるリード端子付きセ
ラミック電子部品（リード端子付き単板型セラミックコ
ンデンサ）の断面図である。

【符号の説明】

１ａ，１ｂ 第１電極層 ２ａ，２ｂ 第２電極層 ３ａ，３ｂ 第３電極層 ４ａ，４ｂ 第４電極層 ５ａ，５ｂ 電極 ６ａ，６ｂ はんだ ７ａ，７ｂ リード端子 １０ セラミック素体

フロントページの続き (72)発明者 山岡 修 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 5E001 AB01 AC04 AC09 AF04 AH03 AJ01

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】セラミック素子の表面に配設された電極に
   リード端子が取り付けられた構造を有するリード端子付
   きセラミック電子部品であって、 前記電極が、(a)セラミック素子を構成するセラミック
   の表面と密着するように形成された、Ｎｉ−Ｔｉ合金か
   らなる第１電極層と、(b)前記第１電極層の上に形成さ
   れた、Ｃｕ、Ａｇ、及びＡｕからなる群より選ばれる少
   なくとも１種からなる第２電極層と、(c)前記第２電極
   層上に形成された、Ｎｉ−Ｔｉ合金からなる第３電極層
   と、(d)前記第３電極層上に形成された、Ｃｕ、Ａｇ、
   及びＡｕからなる群より選ばれる少なくとも１種からな
   る第４電極層とを備えた４層構造を有しており、かつ、 前記リード端子が、前記４層構造を有する電極に、はん
   だにより接合されていることを特徴とするリード端子付
   きセラミック電子部品。
2. 【請求項２】前記電極を構成する、第１電極層、第２電
   極層、第３電極層及び第４電極層が、それぞれスパッタ
   リング法により形成されたものであることを特徴とする
   請求項１記載のリード端子付きセラミック電子部品。
3. 【請求項３】前記第１電極層及び第３電極層を構成する
   Ｎｉ−Ｔｉ合金のＴｉ含有率（Ｔｉ比率）が、５〜２０
   重量％の範囲にあることを特徴とする請求項１又は２記
   載のリード端子付きセラミック電子部品。
4. 【請求項４】前記第１電極層及び第３電極層を構成する
   Ｎｉ−Ｔｉ合金のＴｉ含有率（Ｔｉ比率）が、５〜１０
   重量％の範囲にあることを特徴とする請求項１又は２記
   載のリード端子付きセラミック電子部品。
5. 【請求項５】前記セラミック素子が、誘電体セラミック
   からなる単板型セラミックコンデンサ用の板状セラミッ
   ク素体であって、前記セラミック電子部品が単板型セラ
   ミックコンデンサであることを特徴とする請求項１〜４
   のいずれかに記載のリード端子付きセラミック電子部
   品。