JPH05214550A - 無電解Ｎｉ−Ｐメッキ電極膜 - Google Patents
無電解Ｎｉ−Ｐメッキ電極膜Info
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- JPH05214550A JPH05214550A JP5439392A JP5439392A JPH05214550A JP H05214550 A JPH05214550 A JP H05214550A JP 5439392 A JP5439392 A JP 5439392A JP 5439392 A JP5439392 A JP 5439392A JP H05214550 A JPH05214550 A JP H05214550A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
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- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/5025—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials with ceramic materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/51—Metallising, e.g. infiltration of sintered ceramic preforms with molten metal
- C04B41/5144—Metallising, e.g. infiltration of sintered ceramic preforms with molten metal with a composition mainly composed of one or more of the metals of the iron group
Abstract
(57)【要約】
【目的】 セラミック素体の材料組成などに影響を受け
ることなく、無電解メッキ電極膜の密着強度を増大さ
せ、信頼性を向上させる。 【構成】 セラミックコンデンサやセラミック半導体な
どのセラミック素体上に無電解メッキを施し、これを２
００〜５００℃の温度で熱処理することにより形成され
るＮｉ−Ｐ電極膜のＰ含有率を６〜９重量％とする。
ることなく、無電解メッキ電極膜の密着強度を増大さ
せ、信頼性を向上させる。 【構成】 セラミックコンデンサやセラミック半導体な
どのセラミック素体上に無電解メッキを施し、これを２
００〜５００℃の温度で熱処理することにより形成され
るＮｉ−Ｐ電極膜のＰ含有率を６〜９重量％とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、セラミック半導体な
どのセラミック素体上に形成される電極膜に関し、詳し
くは、無電解メッキによりセラミック素体上に形成され
る無電解Ｎｉ−Ｐメッキ電極膜に関する。
どのセラミック素体上に形成される電極膜に関し、詳し
くは、無電解メッキによりセラミック素体上に形成され
る無電解Ｎｉ−Ｐメッキ電極膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】セラミックコンデンサ、セラミック半導
体などのセラミック電子部品は、セラミック素体上に電
極を配設することにより形成されている。そして、セラ
ミック素体上に電極膜を配設する方法としては、通常、
硫酸ニッケルや次亜リン酸ナトリウムなどの形でニッケ
ル（Ｎｉ）とリン（Ｐ）を含む無電解メッキ浴にセラミ
ック素体を浸漬して無電解メッキを施すことにより、Ｎ
ｉ−Ｐ電極膜を形成する方法が用いられている。
体などのセラミック電子部品は、セラミック素体上に電
極を配設することにより形成されている。そして、セラ
ミック素体上に電極膜を配設する方法としては、通常、
硫酸ニッケルや次亜リン酸ナトリウムなどの形でニッケ
ル（Ｎｉ）とリン（Ｐ）を含む無電解メッキ浴にセラミ
ック素体を浸漬して無電解メッキを施すことにより、Ｎ
ｉ−Ｐ電極膜を形成する方法が用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、無電解メッキ
によりセラミック素体上にＮｉ−Ｐ電極膜（無電解メッ
キ膜）を形成する場合、メッキ対象物（被メッキ物）で
あるセラミック素体の材料組成などが変化すると、形成
されるＮｉ−Ｐ電極膜の密着強度にばらつきが生じ、電
極の密着不良を生じるという問題点がある。ところが、
メッキ対象物であるセラミックとしては、一般に、材料
組成の異なる種々のセラミックが用いられるため、電極
の密着不良の発生を防止することにより信頼性を向上さ
せることは容易ではない。
によりセラミック素体上にＮｉ−Ｐ電極膜（無電解メッ
キ膜）を形成する場合、メッキ対象物（被メッキ物）で
あるセラミック素体の材料組成などが変化すると、形成
されるＮｉ−Ｐ電極膜の密着強度にばらつきが生じ、電
極の密着不良を生じるという問題点がある。ところが、
メッキ対象物であるセラミックとしては、一般に、材料
組成の異なる種々のセラミックが用いられるため、電極
の密着不良の発生を防止することにより信頼性を向上さ
せることは容易ではない。
【０００４】また、無電解メッキにより形成されるＮｉ
−Ｐ電極膜は、一般に、３５０〜４００℃の温度条件下
に熱処理を行うことにより密着強度が向上することが知
られているが、熱処理による密着強度の増大効果にはば
らつきがあり、その原因は必ずしも明らかではない。
−Ｐ電極膜は、一般に、３５０〜４００℃の温度条件下
に熱処理を行うことにより密着強度が向上することが知
られているが、熱処理による密着強度の増大効果にはば
らつきがあり、その原因は必ずしも明らかではない。
【０００５】そのため、セラミック素体の材料組成など
にかかわらず、安定で、セラミック素体に対する大きな
密着強度を有する無電解メッキ膜の開発が望まれてい
る。
にかかわらず、安定で、セラミック素体に対する大きな
密着強度を有する無電解メッキ膜の開発が望まれてい
る。
【０００６】この発明は、上記問題点を解決するもので
あり、無電解メッキにより、任意の組成のセラミック素
体上に強固に密着させることが可能な無電解Ｎｉ−Ｐメ
ッキ電極膜を提供することを目的とする。
あり、無電解メッキにより、任意の組成のセラミック素
体上に強固に密着させることが可能な無電解Ｎｉ−Ｐメ
ッキ電極膜を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、発明者等は種々実験検討を行い、無電解メッキ電極
膜中のＰ濃度を所定の濃度に調整することにより、セラ
ミック素体への密着強度が確実に向上することを知り、
この発明を完成した。すなわち、この発明の無電解Ｎｉ
−Ｐメッキ電極膜は、セラミックコンデンサやセラミッ
ク半導体などのセラミック素体上に無電解メッキを施
し、これを２００〜５００℃の温度で熱処理することに
より形成されるＮｉ−Ｐ電極膜であって、Ｐ含有率が６
〜９重量％の範囲にあることを特徴とする。
に、発明者等は種々実験検討を行い、無電解メッキ電極
膜中のＰ濃度を所定の濃度に調整することにより、セラ
ミック素体への密着強度が確実に向上することを知り、
この発明を完成した。すなわち、この発明の無電解Ｎｉ
−Ｐメッキ電極膜は、セラミックコンデンサやセラミッ
ク半導体などのセラミック素体上に無電解メッキを施
し、これを２００〜５００℃の温度で熱処理することに
より形成されるＮｉ−Ｐ電極膜であって、Ｐ含有率が６
〜９重量％の範囲にあることを特徴とする。
【０００８】
【作用】無電解メッキにより形成されるＮｉ−Ｐ電極膜
中のＰ（リン）含有率が６〜９重量％になるようにその
組成を調整することにより、セラミック素体の材料組成
などに影響されることなく、無電解Ｎｉ−Ｐメッキ電極
膜の密着強度を増大させ、信頼性を向上させることがで
きる。
中のＰ（リン）含有率が６〜９重量％になるようにその
組成を調整することにより、セラミック素体の材料組成
などに影響されることなく、無電解Ｎｉ−Ｐメッキ電極
膜の密着強度を増大させ、信頼性を向上させることがで
きる。
【０００９】
【実施例】以下、実施例を示して、この発明の無電解Ｎ
ｉ−Ｐメッキ電極膜の特徴をさらに詳しく説明する。
ｉ−Ｐメッキ電極膜の特徴をさらに詳しく説明する。
【００１０】無電解メッキにより形成されるＮｉ−Ｐ電
極膜の組成、すなわち、Ｐ含有率は、無電解メッキ浴条
件（メッキ浴の構成成分及びその濃度）やメッキ条件
（メッキ温度、ｐＨ、メッキ時間）などにより定まる。
極膜の組成、すなわち、Ｐ含有率は、無電解メッキ浴条
件（メッキ浴の構成成分及びその濃度）やメッキ条件
（メッキ温度、ｐＨ、メッキ時間）などにより定まる。
【００１１】そこで、無電解メッキ浴条件（メッキ浴の
構成成分及びその濃度）とメッキ条件（メッキ温度、ｐ
Ｈ、メッキ時間）を調整することにより、セラミック素
体上にＰ含有率の異なる厚さ約１μmの無電解Ｎｉ−Ｐ
メッキ電極膜を形成した後、３５０℃の温度で熱処理を
行った。
構成成分及びその濃度）とメッキ条件（メッキ温度、ｐ
Ｈ、メッキ時間）を調整することにより、セラミック素
体上にＰ含有率の異なる厚さ約１μmの無電解Ｎｉ−Ｐ
メッキ電極膜を形成した後、３５０℃の温度で熱処理を
行った。
【００１２】なお、膜厚が１μm、Ｐ含有率が６〜８重
量％の無電解メッキ電極膜を得るための無電解メッキ浴
条件及びメッキ条件の具体例を以下に示す。 無電解メッキ浴条件（構成成分及びその濃度） ＮｉＳＯ4・５Ｈ2Ｏ （硫酸ニッケル） ； ２０ｇ／ｌ ＮａＨ2ＰＯ2・Ｈ2Ｏ（次亜リン酸ナトリウム） ； ３０ｇ／ｌ ＣＨ2ＮＨ2ＣＯＯＨ（グリシン） ； ２０ｇ／ｌ メッキ条件 メッキ温度 ； ５０℃ ｐＨ ； ６．０ メッキ時間 ； ２０分間
量％の無電解メッキ電極膜を得るための無電解メッキ浴
条件及びメッキ条件の具体例を以下に示す。 無電解メッキ浴条件（構成成分及びその濃度） ＮｉＳＯ4・５Ｈ2Ｏ （硫酸ニッケル） ； ２０ｇ／ｌ ＮａＨ2ＰＯ2・Ｈ2Ｏ（次亜リン酸ナトリウム） ； ３０ｇ／ｌ ＣＨ2ＮＨ2ＣＯＯＨ（グリシン） ； ２０ｇ／ｌ メッキ条件 メッキ温度 ； ５０℃ ｐＨ ； ６．０ メッキ時間 ； ２０分間
【００１３】但し、上記の無電解メッキ浴条件、メ
ッキ条件はあくまでも例示であり、これに限定されるも
のではない。
ッキ条件はあくまでも例示であり、これに限定されるも
のではない。
【００１４】それから、この無電解Ｎｉ−Ｐメッキ電極
膜に、先端を略直角に曲折させたリードの先端部（曲折
部）を無電解メッキ電極膜と略平行になるような状態で
当接させてはんだ付けした後、リードを無電解Ｎｉ−Ｐ
メッキ電極膜に対して略垂直方向に引張ることにより引
張り強度（ＴＳ値）を測定した。このＴＳ値は、無電解
メッキその他の方法で形成される種々の電極膜の密着強
度を表す指標となるものである。
膜に、先端を略直角に曲折させたリードの先端部（曲折
部）を無電解メッキ電極膜と略平行になるような状態で
当接させてはんだ付けした後、リードを無電解Ｎｉ−Ｐ
メッキ電極膜に対して略垂直方向に引張ることにより引
張り強度（ＴＳ値）を測定した。このＴＳ値は、無電解
メッキその他の方法で形成される種々の電極膜の密着強
度を表す指標となるものである。
【００１５】図１に、熱処理を施した無電解Ｎｉ−Ｐメ
ッキ電極膜と熱処理を施していない無電解Ｎｉ−Ｐメッ
キ電極膜についてのＰ含有率とＴＳ値との関係を示す。
ッキ電極膜と熱処理を施していない無電解Ｎｉ−Ｐメッ
キ電極膜についてのＰ含有率とＴＳ値との関係を示す。
【００１６】図１より、熱処理を施した無電解Ｎｉ−Ｐ
メッキ電極膜においては、Ｐ含有率が６〜８重量％の範
囲に、ＴＳ値が最も高くなるピークが存在しており、Ｐ
濃度をこの範囲に保持することにより、無電解Ｎｉ−Ｐ
メッキ電極膜のセラミック素体への密着強度が向上する
ことがわかる。
メッキ電極膜においては、Ｐ含有率が６〜８重量％の範
囲に、ＴＳ値が最も高くなるピークが存在しており、Ｐ
濃度をこの範囲に保持することにより、無電解Ｎｉ−Ｐ
メッキ電極膜のセラミック素体への密着強度が向上する
ことがわかる。
【００１７】なお、熱処理を施していない無電解Ｎｉ−
Ｐメッキ電極膜は、密着強度が熱処理を施したものより
劣っており、また、Ｐ含有率との関係においてＴＳ値が
最も高くなるピークは特に認められなかった。
Ｐメッキ電極膜は、密着強度が熱処理を施したものより
劣っており、また、Ｐ含有率との関係においてＴＳ値が
最も高くなるピークは特に認められなかった。
【００１８】なお、上記実施例では３５０℃で熱処理し
た場合について説明したが、熱処理温度はこれに限られ
るものではない。但し、無電解Ｎｉ−Ｐメッキ電極膜の
密着強度を向上させる見地からは、熱処理温度は２００
〜５００℃の範囲が好ましく、３５０〜４５０℃の範囲
がより好ましい。
た場合について説明したが、熱処理温度はこれに限られ
るものではない。但し、無電解Ｎｉ−Ｐメッキ電極膜の
密着強度を向上させる見地からは、熱処理温度は２００
〜５００℃の範囲が好ましく、３５０〜４５０℃の範囲
がより好ましい。
【００１９】また、上記実施例では、無電解Ｎｉ−Ｐメ
ッキ電極膜の膜厚が１μmである場合について説明した
が、膜厚についてもこれに制約されるものではなく、必
要に応じて１μmを越える膜厚にすることも可能であ
り、また１μm未満の膜厚にすることも可能である。
ッキ電極膜の膜厚が１μmである場合について説明した
が、膜厚についてもこれに制約されるものではなく、必
要に応じて１μmを越える膜厚にすることも可能であ
り、また１μm未満の膜厚にすることも可能である。
【００２０】
【発明の効果】上述のように、この発明の無電解Ｎｉ−
Ｐメッキ電極膜は、Ｐ含有量を６〜８重量％にしている
ので、被メッキ物であるセラミック素体の材料組成など
に影響されることがなく、無電解メッキにより形成され
る電極膜（無電解Ｎｉ−Ｐメッキ電極膜）の密着強度を
確実に増大させることが可能になり、信頼性を向上させ
ることができる。
Ｐメッキ電極膜は、Ｐ含有量を６〜８重量％にしている
ので、被メッキ物であるセラミック素体の材料組成など
に影響されることがなく、無電解メッキにより形成され
る電極膜（無電解Ｎｉ−Ｐメッキ電極膜）の密着強度を
確実に増大させることが可能になり、信頼性を向上させ
ることができる。
【図１】この発明の一実施例にかかる無電解Ｎｉ−Ｐメ
ッキ電極膜の、Ｐ含有率とＴＳ値との関係を示す図であ
る。
ッキ電極膜の、Ｐ含有率とＴＳ値との関係を示す図であ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 林 映克 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内
Claims (1)
- 【請求項１】 セラミックコンデンサやセラミック半導
体などのセラミック素体上に無電解メッキを施し、これ
を２００〜５００℃の温度で熱処理することにより形成
されるＮｉ−Ｐ電極膜であって、Ｐ含有率が６〜９重量
％の範囲にあることを特徴とする無電解Ｎｉ−Ｐメッキ
電極膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5439392A JPH05214550A (ja) | 1992-02-04 | 1992-02-04 | 無電解Ｎｉ−Ｐメッキ電極膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5439392A JPH05214550A (ja) | 1992-02-04 | 1992-02-04 | 無電解Ｎｉ−Ｐメッキ電極膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05214550A true JPH05214550A (ja) | 1993-08-24 |
Family
ID=12969443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5439392A Pending JPH05214550A (ja) | 1992-02-04 | 1992-02-04 | 無電解Ｎｉ−Ｐメッキ電極膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05214550A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001274037A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-10-05 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品 |
| EP2380864A1 (fr) * | 2010-04-23 | 2011-10-26 | Omega SA | Elément céramique incrusté d'au moins un décor métallique |
| JP2012043841A (ja) * | 2010-08-13 | 2012-03-01 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型セラミック電子部品およびその製造方法 |
-
1992
- 1992-02-04 JP JP5439392A patent/JPH05214550A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001274037A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-10-05 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品 |
| JP4560874B2 (ja) * | 2000-03-28 | 2010-10-13 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品 |
| EP2380864A1 (fr) * | 2010-04-23 | 2011-10-26 | Omega SA | Elément céramique incrusté d'au moins un décor métallique |
| EP2383244A1 (fr) * | 2010-04-23 | 2011-11-02 | Omega SA | Elément céramique incrusté d'au moins un décor métallique |
| CN102233702A (zh) * | 2010-04-23 | 2011-11-09 | 奥米加股份有限公司 | 镶嵌有至少一个金属装饰物的陶瓷元件 |
| JP2011230506A (ja) * | 2010-04-23 | 2011-11-17 | Omega Sa | 少なくとも１つの金属装飾が嵌め込まれたセラミック要素 |
| US9453287B2 (en) | 2010-04-23 | 2016-09-27 | Omega Sa | Ceramic element inlaid with at least one metallic decoration |
| JP2012043841A (ja) * | 2010-08-13 | 2012-03-01 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型セラミック電子部品およびその製造方法 |
| KR101313699B1 (ko) * | 2010-08-13 | 2013-10-01 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 적층형 세라믹 전자부품 및 그 제조방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19991130 |