JPS62254381A - 接触子の製造方法 - Google Patents
接触子の製造方法Info
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- JPS62254381A JPS62254381A JP9912386A JP9912386A JPS62254381A JP S62254381 A JPS62254381 A JP S62254381A JP 9912386 A JP9912386 A JP 9912386A JP 9912386 A JP9912386 A JP 9912386A JP S62254381 A JPS62254381 A JP S62254381A
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Landscapes
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- Manufacture Of Switches (AREA)
- Contacts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、りん青銅−賜系接触子の製造方法に関する
ものであり、更に詳しくはこのりん青銅−錫系に固有の
高温でのめっき層の剥離問題を生じないりん青銅−１８
系接触子の製造方法に関するものである。
ものであり、更に詳しくはこのりん青銅−錫系に固有の
高温でのめっき層の剥離問題を生じないりん青銅−１８
系接触子の製造方法に関するものである。
一般に電子機器類には、回路接続用のコネクタやＩＣソ
ケット等の接触子が多数使用されている。
ケット等の接触子が多数使用されている。
これらの接触子用の材料としては、概ねばね材でしかも
、低コストのりん青銅を母材とし耐食性を良くするため
１ζ錫系めっきを施したものが主に使用されている。
、低コストのりん青銅を母材とし耐食性を良くするため
１ζ錫系めっきを施したものが主に使用されている。
そしてそれらの密着性を考慮して上記母材上に銅下地め
っきを施したり、加熱溶融処理を行うなど配慮されてい
る。例えば第６図に特開昭５９−１８４４８２号による
従来の銅下地めっきを施したりん青銅錫めっき材を示す
。同図において、（１）？よりん青銅、（２）は銅下地
めっき、（３）は錫めっきであり、前記銅下地めっき（
２）かりん青銅（１）と賜めっき（３）との密着性を向
上させている。
っきを施したり、加熱溶融処理を行うなど配慮されてい
る。例えば第６図に特開昭５９−１８４４８２号による
従来の銅下地めっきを施したりん青銅錫めっき材を示す
。同図において、（１）？よりん青銅、（２）は銅下地
めっき、（３）は錫めっきであり、前記銅下地めっき（
２）かりん青銅（１）と賜めっき（３）との密着性を向
上させている。
（発明が解決しようとする問題点）
ところでかかるりん青銅錫めっき材は長時間の加熱によ
り母材から、錫めっき層が剥離する現象が知られている
。
り母材から、錫めっき層が剥離する現象が知られている
。
従来、りん青銅錫めっき材は、１μｍ程度の銅下地めっ
きを施すのが一般的であったが、１０５℃で５日間程度
加熱するだけで、剥離するものもあり、極めて信頼性の
低いものであった。これに対し、りん青銅に錫を電気め
っきした後、加熱溶融処理（以下リフローと呼ぶ）を行
うことにより上記耐熱剥離が減少すると言われているが
、しかしこのりフロー錫でも、長時間、１０５℃で加熱
すると剥離してくる。
きを施すのが一般的であったが、１０５℃で５日間程度
加熱するだけで、剥離するものもあり、極めて信頼性の
低いものであった。これに対し、りん青銅に錫を電気め
っきした後、加熱溶融処理（以下リフローと呼ぶ）を行
うことにより上記耐熱剥離が減少すると言われているが
、しかしこのりフロー錫でも、長時間、１０５℃で加熱
すると剥離してくる。
りん青銅錫めっき材におけろかかる剥離の原因に関して
は、一般的には母材から錫層に向い、６層（Ｃｕ３Ｓｎ
） 、１層（Ｃｕ６Ｓｎ）が生成され、母材とＣｕ、Ｓ
ｎの層間にりんの濃縮及び酸素が強く検出される層（カ
ーケンダールボイドと推定される空孔が認められる）が
生成され、この酸素が強く検出される層（ＣｕＯ層と言
われている）が比較的もろい層であるために、この層で
剥離が生じると考えられている。他方りん青銅錫めっき
材の上記リフロー品は、＃４＃Ｉ＠Ｒがあまり生じない
が、これはりフローにより、めっき層の多孔性が改善さ
れ酸素の供給が抑制されるためと考えられている。
は、一般的には母材から錫層に向い、６層（Ｃｕ３Ｓｎ
） 、１層（Ｃｕ６Ｓｎ）が生成され、母材とＣｕ、Ｓ
ｎの層間にりんの濃縮及び酸素が強く検出される層（カ
ーケンダールボイドと推定される空孔が認められる）が
生成され、この酸素が強く検出される層（ＣｕＯ層と言
われている）が比較的もろい層であるために、この層で
剥離が生じると考えられている。他方りん青銅錫めっき
材の上記リフロー品は、＃４＃Ｉ＠Ｒがあまり生じない
が、これはりフローにより、めっき層の多孔性が改善さ
れ酸素の供給が抑制されるためと考えられている。
従来のりん青ｆＩＢ系めっき材（リフローを含む）には
、以上のような問題点があり、高温状態に長時間さらさ
れた場合、密着性の改善に関して厳しい要求がなされて
いるのが実情である。
、以上のような問題点があり、高温状態に長時間さらさ
れた場合、密着性の改善に関して厳しい要求がなされて
いるのが実情である。
ここにこの発明は上記のような問題点を肝消す 。
べ（なされたもので、高温状態に長時間さらしても、は
とんどめっきの剥離が起こらないようなりん青銅錫めっ
き材を提供することを目的とする。
とんどめっきの剥離が起こらないようなりん青銅錫めっ
き材を提供することを目的とする。
この発明に係るりん青銅錫系めっき材は、要するにリフ
ロー錫めっき品又はリフロー半田めっき品で、かかろリ
フローを行った後、１４０℃以上の温度で加熱処理する
ことにより上述の問題が解決されることを見出しこの発
明に到達したのである。
ロー錫めっき品又はリフロー半田めっき品で、かかろリ
フローを行った後、１４０℃以上の温度で加熱処理する
ことにより上述の問題が解決されることを見出しこの発
明に到達したのである。
即ち本発明は、りん青銅を母材としその表面接点金属と
して錫又は錫−鉛合金を具備させた接触子を製造するに
あたり、該りん青銅母材上に、直接あるいは銅下地めっ
きを施した後編めっき又は半田めっきを行い、続いて５
５０〜６８０℃の温度で加熱溶融（リフロー）処理を施
したものを、さらに１４０℃以上の温度ど加熱処理する
ことを特徴とする接触子の製造方法である。
して錫又は錫−鉛合金を具備させた接触子を製造するに
あたり、該りん青銅母材上に、直接あるいは銅下地めっ
きを施した後編めっき又は半田めっきを行い、続いて５
５０〜６８０℃の温度で加熱溶融（リフロー）処理を施
したものを、さらに１４０℃以上の温度ど加熱処理する
ことを特徴とする接触子の製造方法である。
この発明は、りん青ｆ１Ｂめっき材又は半田めっき材を
上述の温度でリフロー処理、及び１４０℃以上の温度に
、ある一定時間以上さらすことにより、該めっき層の多
孔性が改善され、酸素の供給が抑制され上述の作用を呈
するものと考えられる。
上述の温度でリフロー処理、及び１４０℃以上の温度に
、ある一定時間以上さらすことにより、該めっき層の多
孔性が改善され、酸素の供給が抑制され上述の作用を呈
するものと考えられる。
以下、この発明の実施例を図面を参照して説明する。第
１図おいて、（１）は、りん青銅母材、（４）は上述の
加熱処理によって生成した拡散層、（３）はＳｎ系めっ
きである。このりん青銅母材（１）上のＳｎ系めっき材
３は、リフロー品で、しかもこれを１４０℃以上の高温
に何時間かさらし熱処理する。この処理により該めっき
層の多孔性が改善され、酸素の供給が抑制されてめっき
の密着性が改善されると考えられる。この発明における
上記リフロー処理は、バーナー直火型炉、エレマ炉等の
加熱炉を用い、温度５５０〜６８０℃の温度下、３．１
０秒間の加熱処理を意味する。
１図おいて、（１）は、りん青銅母材、（４）は上述の
加熱処理によって生成した拡散層、（３）はＳｎ系めっ
きである。このりん青銅母材（１）上のＳｎ系めっき材
３は、リフロー品で、しかもこれを１４０℃以上の高温
に何時間かさらし熱処理する。この処理により該めっき
層の多孔性が改善され、酸素の供給が抑制されてめっき
の密着性が改善されると考えられる。この発明における
上記リフロー処理は、バーナー直火型炉、エレマ炉等の
加熱炉を用い、温度５５０〜６８０℃の温度下、３．１
０秒間の加熱処理を意味する。
次に、上記１４０℃以上の熱処理にどれくらいの時間が
必要となるかに関しての結果を第２図に示す。同図中斜
線部は剥離しない領域を表わし、高温になればなるほど
、その耐熱試験をかける時間が少なくなり、すなわち、
１４０℃で４８（ｈ）１６０℃’ｔ’５（ｈ）、１８０
℃テ１ （ｈ）トナ７＋。これらの時間を超え耐熱試
験を行うことにより、耐熱剥離時間がかなり長くなるか
、またはほとんど剥離しなくなる。
必要となるかに関しての結果を第２図に示す。同図中斜
線部は剥離しない領域を表わし、高温になればなるほど
、その耐熱試験をかける時間が少なくなり、すなわち、
１４０℃で４８（ｈ）１６０℃’ｔ’５（ｈ）、１８０
℃テ１ （ｈ）トナ７＋。これらの時間を超え耐熱試
験を行うことにより、耐熱剥離時間がかなり長くなるか
、またはほとんど剥離しなくなる。
参考例としてりん青銅上同様のりフロー錫めっき品の耐
熱剥離の経時変化を第３図に示した。同図によれば１２
０℃２５０（ｈ）ですでに剥離し、１４０℃以上ではま
っｔこく剥離しなくなってぃろのがわかる。この１４０
℃以上でまったく剥離しな（なる原因は、明確にはなし
得ないがりん冑銅錫めっき材を上述の温度でのりフロー
処理、及び１４０℃以上の温度にある一定時間以上さら
すことにより、該めっき層の多孔性が改善され、酸素の
供給が抑制されることによるものと考えられる。
熱剥離の経時変化を第３図に示した。同図によれば１２
０℃２５０（ｈ）ですでに剥離し、１４０℃以上ではま
っｔこく剥離しなくなってぃろのがわかる。この１４０
℃以上でまったく剥離しな（なる原因は、明確にはなし
得ないがりん冑銅錫めっき材を上述の温度でのりフロー
処理、及び１４０℃以上の温度にある一定時間以上さら
すことにより、該めっき層の多孔性が改善され、酸素の
供給が抑制されることによるものと考えられる。
即ち本発明ではりん青銅上りフロー錫めっき品が上述の
如く１４０℃以上の高温、特に具体的にはたとえば１４
０℃で４８（ｈ）、１６０℃で８（ｈ）、１８０℃で１
（ｈ）にてさらすことにより熱処理し、めっき層の多孔
性が改善され、酸素供給が抑制されその結果、耐熱剥離
する時間が長くなるか又はほとんど剥離しなくなるとい
結果が得られるのである。
如く１４０℃以上の高温、特に具体的にはたとえば１４
０℃で４８（ｈ）、１６０℃で８（ｈ）、１８０℃で１
（ｈ）にてさらすことにより熱処理し、めっき層の多孔
性が改善され、酸素供給が抑制されその結果、耐熱剥離
する時間が長くなるか又はほとんど剥離しなくなるとい
結果が得られるのである。
尚上記試験においては、母材としてりん青銅３種を用い
、銅下地めっき厚０．１μｍ（シアン浴）、錫めっき厚
１μｍ（硫酸浴）とし、熱処理は電気炉中１４０℃以上
で熱処理を行ったものを１８０゜密着曲げによる剥離試
験を行ったものである。
、銅下地めっき厚０．１μｍ（シアン浴）、錫めっき厚
１μｍ（硫酸浴）とし、熱処理は電気炉中１４０℃以上
で熱処理を行ったものを１８０゜密着曲げによる剥離試
験を行ったものである。
次にりん青銅２種を用い９７１半田めっき品で同様の＃
４熱試験を行った結果を第４図に示す。同図で２１部は
剥離しない領域を表わし、リフロー賜めっき品と同様に
、高温になればなるほど、その耐熱試験をかける時間が
少なくなることが明らかである。すなわち、１６０℃で
２４（ｈ）、１８０℃で７（ｈ）であった。これらの時
間以上耐熱試験を行えば、上記と同様に＃４＃４剥離す
る時間が長くなるか、またはほとんど剥離しなくなる。
４熱試験を行った結果を第４図に示す。同図で２１部は
剥離しない領域を表わし、リフロー賜めっき品と同様に
、高温になればなるほど、その耐熱試験をかける時間が
少なくなることが明らかである。すなわち、１６０℃で
２４（ｈ）、１８０℃で７（ｈ）であった。これらの時
間以上耐熱試験を行えば、上記と同様に＃４＃４剥離す
る時間が長くなるか、またはほとんど剥離しなくなる。
参考までに、同様にしてレノし青銅上９／１半田めっき
品のＮ４熱剥離の経時変化を第５図に示した。
品のＮ４熱剥離の経時変化を第５図に示した。
同図から、暗灰色の層からの剥離は、１３０℃２００（
ｈ）ですでに剥離、１６０℃以上ではまったく剥離しな
いことがわかる。
ｈ）ですでに剥離、１６０℃以上ではまったく剥離しな
いことがわかる。
尚上記において半田めっき厚は２μｍ（ホウフッ化浴）
とした。用いる半田は好ましくは８５〜９５％５ｎ−５
〜１５％ｐｂである。
とした。用いる半田は好ましくは８５〜９５％５ｎ−５
〜１５％ｐｂである。
本発明は、以上の如くりん青銅上りフロー錫めっき品又
は半田めっき品を１４０℃以上の高温下で一定時間熱処
理を行うことにより上述した耐熱剥離する時間がかなり
長くなるか、又はほとんど剥離しなくなるのであり、上
記要求に応じ得る効第１図はこの発明の一実施例にょろ
りん青銅上りフロー錫めっき晶析面図、第２図は同実施
例品の剥離試験結果、第３図は同Ｎ４＃１剥離の経時変
化、第４図は、乙の発明の他の実施例の半田めっき品の
剥離試験結果、第５図は同耐熱剥離の経時変化を示し、
第６図は従来のりん青銅上編めっき材の断面図である。
は半田めっき品を１４０℃以上の高温下で一定時間熱処
理を行うことにより上述した耐熱剥離する時間がかなり
長くなるか、又はほとんど剥離しなくなるのであり、上
記要求に応じ得る効第１図はこの発明の一実施例にょろ
りん青銅上りフロー錫めっき晶析面図、第２図は同実施
例品の剥離試験結果、第３図は同Ｎ４＃１剥離の経時変
化、第４図は、乙の発明の他の実施例の半田めっき品の
剥離試験結果、第５図は同耐熱剥離の経時変化を示し、
第６図は従来のりん青銅上編めっき材の断面図である。
Claims (2)
- （１）りん青銅を母材としその表面接点金属として錫を
具備させた接触子を製造するにあたり、該りん青銅母材
上に、直接あるいは銅下地めっきを施した後編めっきを
行い、続いて５５０〜６８０℃の温度で加熱溶融（リフ
ロー）処理を施したものを、さらに１４０℃以上の温度
で加熱処理することを特徴とする接触子の製造方法。 - （２）りん青銅を母材としその表面接点金属として錫−
鉛合金を具備させた接触子を製造するにあたり、該りん
青銅母材上に、直接あるいは銅下地めっきを施した後８
５〜９５％錫−５〜１５％鉛めっきを行い、続いてリフ
ロー処理を行ったものを、さらに１４０℃以上の温度で
加熱処理することを特徴とする接触子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9912386A JPS62254381A (ja) | 1986-04-28 | 1986-04-28 | 接触子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9912386A JPS62254381A (ja) | 1986-04-28 | 1986-04-28 | 接触子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62254381A true JPS62254381A (ja) | 1987-11-06 |
Family
ID=14238990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9912386A Pending JPS62254381A (ja) | 1986-04-28 | 1986-04-28 | 接触子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62254381A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6430122A (en) * | 1987-07-24 | 1989-02-01 | Nippon Mining Co | Manufacture of contactor |
| JPS6430123A (en) * | 1987-07-24 | 1989-02-01 | Nippon Mining Co | Manufacture of contactor |
| JPH0379166U (ja) * | 1989-12-04 | 1991-08-12 |
-
1986
- 1986-04-28 JP JP9912386A patent/JPS62254381A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6430122A (en) * | 1987-07-24 | 1989-02-01 | Nippon Mining Co | Manufacture of contactor |
| JPS6430123A (en) * | 1987-07-24 | 1989-02-01 | Nippon Mining Co | Manufacture of contactor |
| JPH0379166U (ja) * | 1989-12-04 | 1991-08-12 |
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