JPH0945136A - 多層メッキのリード線とリードフレーム - Google Patents
多層メッキのリード線とリードフレームInfo
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- JPH0945136A JPH0945136A JP21116595A JP21116595A JPH0945136A JP H0945136 A JPH0945136 A JP H0945136A JP 21116595 A JP21116595 A JP 21116595A JP 21116595 A JP21116595 A JP 21116595A JP H0945136 A JPH0945136 A JP H0945136A
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- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 リード線において、有毒な鉛を含有せず、し
かも所定のＳｎ系合金のメッキ層を形成する。 【解決手段】 金属素線上に、厚さ３〜８μｍである錫
メッキの下地層と、厚さ１〜５μｍであるアンチモン，
インジウム又はビスマスメッキの表面層とを形成し、全
体のメッキ厚さが１０μｍ以上である。
かも所定のＳｎ系合金のメッキ層を形成する。 【解決手段】 金属素線上に、厚さ３〜８μｍである錫
メッキの下地層と、厚さ１〜５μｍであるアンチモン，
インジウム又はビスマスメッキの表面層とを形成し、全
体のメッキ厚さが１０μｍ以上である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、有毒な鉛を含有せず、
しかも所定のＳｎ系合金のメッキ層を形成できる多層メ
ッキのリード線とリードフレームに関する。
しかも所定のＳｎ系合金のメッキ層を形成できる多層メ
ッキのリード線とリードフレームに関する。
【０００２】
【従来の技術】現在のリードフレームは、後でプリント
基板に半田付けするために表面に半田（錫−鉛合金）メ
ッキやニッケルメッキを施している。また、現在のリー
ド線でも、プリント基板に容易に接合できるように、金
属素線上に半田メッキを施している。この半田メッキに
含まれる鉛は有毒であり、急性の鉛中毒では激烈な胃腸
炎の症状を呈し、ショックを起こして死亡することもあ
る。この鉛中毒は、活字・鉛管などの鉛をあつかう作業
者に多く発生し、慢性では貧血、鉛疝痛、歯ぐきの変
色、便秘、神経麻痺などを起こし、小児では脳炎様の症
状を呈する。
基板に半田付けするために表面に半田（錫−鉛合金）メ
ッキやニッケルメッキを施している。また、現在のリー
ド線でも、プリント基板に容易に接合できるように、金
属素線上に半田メッキを施している。この半田メッキに
含まれる鉛は有毒であり、急性の鉛中毒では激烈な胃腸
炎の症状を呈し、ショックを起こして死亡することもあ
る。この鉛中毒は、活字・鉛管などの鉛をあつかう作業
者に多く発生し、慢性では貧血、鉛疝痛、歯ぐきの変
色、便秘、神経麻痺などを起こし、小児では脳炎様の症
状を呈する。
【０００３】 このため、子供用の文房具や玩具に鉛を
使用することは既に禁止されつつあり、ヨーロッパ諸国
では、環境保全の面から人が接触する可能性があるすべ
ての商品から鉛を追放することが提案されている。電気
業界においても、鉛による環境汚染の問題を重要視し、
電子機器およびその部品から鉛を完全に除去することが
急務の課題となっている。
使用することは既に禁止されつつあり、ヨーロッパ諸国
では、環境保全の面から人が接触する可能性があるすべ
ての商品から鉛を追放することが提案されている。電気
業界においても、鉛による環境汚染の問題を重要視し、
電子機器およびその部品から鉛を完全に除去することが
急務の課題となっている。
【０００４】 リード線やリードフレームは、素材表面
に半田メッキを施したものが主流であり、特に半光沢又
は光沢の半田メッキはプレッシャークッカーテストや恒
温恒湿の加熱試験などの加速劣化試験後において半田濡
れ速度および半田付け性が優れている。このような半田
メッキをリード線やリードフレームに使用できないなら
ば、製造コストおよびメッキ性能の点から半田メッキと
最も類似する錫メッキに代替される可能性が高い。
に半田メッキを施したものが主流であり、特に半光沢又
は光沢の半田メッキはプレッシャークッカーテストや恒
温恒湿の加熱試験などの加速劣化試験後において半田濡
れ速度および半田付け性が優れている。このような半田
メッキをリード線やリードフレームに使用できないなら
ば、製造コストおよびメッキ性能の点から半田メッキと
最も類似する錫メッキに代替される可能性が高い。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】錫メッキだけをリード
線やリードフレームの表面に施すと、メッキ加工後にお
いて髭状単結晶のウィスカーが発生して成長する可能性
がある。このウィスカーは、環境温度５０〜１００℃で
メッキ厚を大きくするほど長くなる傾向があり、銅合金
との溶接不良を起こしたり、電子部品における短絡事故
の原因となる。錫メッキにおけるウィスカー発生を防止
するには、錫メッキ層を極端に薄くすればよい反面、こ
れでは所定の半田付け性を到底維持できない。
線やリードフレームの表面に施すと、メッキ加工後にお
いて髭状単結晶のウィスカーが発生して成長する可能性
がある。このウィスカーは、環境温度５０〜１００℃で
メッキ厚を大きくするほど長くなる傾向があり、銅合金
との溶接不良を起こしたり、電子部品における短絡事故
の原因となる。錫メッキにおけるウィスカー発生を防止
するには、錫メッキ層を極端に薄くすればよい反面、こ
れでは所定の半田付け性を到底維持できない。
【０００６】 リード線やリードフレームの表面メッキ
金属を金や銀にすると、他の金属に比べて欠陥は少ない
けれども、金は他の金属に比べて非常に高価であり、一
方、銀は比較的安価であっても、硫化によって表面の劣
化をまねきやすく、マイグレーションを起こして短絡事
故を発生するおそれもある。
金属を金や銀にすると、他の金属に比べて欠陥は少ない
けれども、金は他の金属に比べて非常に高価であり、一
方、銀は比較的安価であっても、硫化によって表面の劣
化をまねきやすく、マイグレーションを起こして短絡事
故を発生するおそれもある。
【０００７】 本発明は、リード線及びリードフレーム
に関する前記の問題点を改善するために提案されたもの
であり、素材表面に錫メッキを介してアンチモン，イン
ジウム又はビスマスをメッキすることにより、有毒な鉛
を全く含有しない多層メッキのリード線を提供すること
を目的としている。本発明の他の目的は、メッキ後の拡
散作用で所定のＳｎ系合金のメッキ層を形成する多層メ
ッキのリードフレームを提供することである。
に関する前記の問題点を改善するために提案されたもの
であり、素材表面に錫メッキを介してアンチモン，イン
ジウム又はビスマスをメッキすることにより、有毒な鉛
を全く含有しない多層メッキのリード線を提供すること
を目的としている。本発明の他の目的は、メッキ後の拡
散作用で所定のＳｎ系合金のメッキ層を形成する多層メ
ッキのリードフレームを提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係るリード線１は、図１に示すように２層
メッキであり、金属素線２上に、まず厚さ３〜８μｍで
あるＳｎメッキの下地層３を形成し、ついで厚さ１〜５
μｍであるＳｂ，Ｉｎ又はＢｉメッキの表面層５を形成
する。Ｓｎメッキの下地層３において、リード線１の接
合効果を発揮できる最低のメッキ厚が３μｍであり、厚
みが８μｍを超えるとウィスカーが発生する可能性が高
くなる。Ｓｂ，Ｉｎ又はＢｉメッキの表面層５は、拡散
作用で所定の合金を形成する最低のメッキ厚が１μｍで
あり、５μｍを超えても接合効果の増大が少ない。ま
た、全体のメッキ厚さが１０μｍ以上になると、一般に
リード線１の接合効果を十分に発揮できることになる。
に、本発明に係るリード線１は、図１に示すように２層
メッキであり、金属素線２上に、まず厚さ３〜８μｍで
あるＳｎメッキの下地層３を形成し、ついで厚さ１〜５
μｍであるＳｂ，Ｉｎ又はＢｉメッキの表面層５を形成
する。Ｓｎメッキの下地層３において、リード線１の接
合効果を発揮できる最低のメッキ厚が３μｍであり、厚
みが８μｍを超えるとウィスカーが発生する可能性が高
くなる。Ｓｂ，Ｉｎ又はＢｉメッキの表面層５は、拡散
作用で所定の合金を形成する最低のメッキ厚が１μｍで
あり、５μｍを超えても接合効果の増大が少ない。ま
た、全体のメッキ厚さが１０μｍ以上になると、一般に
リード線１の接合効果を十分に発揮できることになる。
【０００９】 図２に示すリード線１は、３層メッキの
場合には金属素線２，下地層３及びＳｂ，Ｉｎ又はＢｉ
メッキの中間層４上に、さらに厚さ１μｍ以下であるＳ
ｎメッキの表面層５を形成している。表面層５における
Ｓｎメッキは、比較的硬い光沢又は半光沢メッキである
と好ましく、その厚みが１μｍを超えるとウィスカー発
生の可能性が高くなる。
場合には金属素線２，下地層３及びＳｂ，Ｉｎ又はＢｉ
メッキの中間層４上に、さらに厚さ１μｍ以下であるＳ
ｎメッキの表面層５を形成している。表面層５における
Ｓｎメッキは、比較的硬い光沢又は半光沢メッキである
と好ましく、その厚みが１μｍを超えるとウィスカー発
生の可能性が高くなる。
【００１０】 本発明において、金属素線２は、例えば
銅線，銅覆鋼線（ＣＰ又はＥＦ線），ニッケル線，鉄
線，アルミニウム線又はこれらの合金線であり、鉄又は
その合金には炭素鋼，ステンレス鋼などを含み、銅合金
としてはリン青銅，黄銅（真鍮）などが例示できる。ま
た、金属素線２には、銅，ニッケルなどのメッキ層をあ
らかじめ薄く形成しておいてもよい。
銅線，銅覆鋼線（ＣＰ又はＥＦ線），ニッケル線，鉄
線，アルミニウム線又はこれらの合金線であり、鉄又は
その合金には炭素鋼，ステンレス鋼などを含み、銅合金
としてはリン青銅，黄銅（真鍮）などが例示できる。ま
た、金属素線２には、銅，ニッケルなどのメッキ層をあ
らかじめ薄く形成しておいてもよい。
【００１１】 図３に例示するリードフレーム６は、フ
レーム素材表面に、厚さ３〜８μｍであるＳｎメッキ層
を形成し、ついで厚さ１〜５μｍであるＳｂ，Ｉｎ又は
Ｂｉの中間メッキ層を形成している。図示しないけれど
も、本発明は、リードフレーム６の代わりに電子部品ケ
ースについて実施してもよい。この場合、用いるフレー
ム素材については、主としてＣｕ又はＣｕ−０.３％Ｓ
ｎなどのＣｕ合金、４２％Ｎｉ−ＦｅなどのＦｅ合金で
あり、ケース素材については前記の金属素線２と同様の
材料が適用可能である。
レーム素材表面に、厚さ３〜８μｍであるＳｎメッキ層
を形成し、ついで厚さ１〜５μｍであるＳｂ，Ｉｎ又は
Ｂｉの中間メッキ層を形成している。図示しないけれど
も、本発明は、リードフレーム６の代わりに電子部品ケ
ースについて実施してもよい。この場合、用いるフレー
ム素材については、主としてＣｕ又はＣｕ−０.３％Ｓ
ｎなどのＣｕ合金、４２％Ｎｉ−ＦｅなどのＦｅ合金で
あり、ケース素材については前記の金属素線２と同様の
材料が適用可能である。
【００１２】 金属素線２などの素材として鋼材を使用
する場合には、該鋼材の前処理が必要であり、少なくと
も鋼材を陽極としてアルカリ電解脱脂洗浄と酸電解洗浄
とを行い、さらに該鋼線を陰極としてアルカリ電解脱脂
洗浄した後に酸浸漬洗浄する。各洗浄工程の終了後にそ
の都度水洗することを要する。鋼材を陰極とするアルカ
リ電解脱脂洗浄は、該鋼材を陽極とするアルカリ電解脱
脂又は酸電解洗浄と工程順を入れ替えてもよい。
する場合には、該鋼材の前処理が必要であり、少なくと
も鋼材を陽極としてアルカリ電解脱脂洗浄と酸電解洗浄
とを行い、さらに該鋼線を陰極としてアルカリ電解脱脂
洗浄した後に酸浸漬洗浄する。各洗浄工程の終了後にそ
の都度水洗することを要する。鋼材を陰極とするアルカ
リ電解脱脂洗浄は、該鋼材を陽極とするアルカリ電解脱
脂又は酸電解洗浄と工程順を入れ替えてもよい。
【００１３】
【作用】リード線１又はリードフレーム６において、メ
ッキ層３又は５中のＳｎは、常温でも多少拡散するけれ
ども、メッキ後に全体を熱処理することで効果的に拡散
し、メッキ層４のＳｂ，Ｉｎ又はＢｉと所定の合金を形
成する。形成される合金はＳｎ−Ｓｂ，Ｓｎ−Ｉｎ又は
Ｓｎ−Ｂｉであり、Ｓｎ−Ｓｂは強度、耐高温クリープ
性が共晶半田よりも優れ、Ｓｎ−Ｉｎは強度、耐クリー
プ性に問題なく、Ｓｎ−Ｂｉは耐疲労性に優れ且つ金素
材への拡散が少ない。
ッキ層３又は５中のＳｎは、常温でも多少拡散するけれ
ども、メッキ後に全体を熱処理することで効果的に拡散
し、メッキ層４のＳｂ，Ｉｎ又はＢｉと所定の合金を形
成する。形成される合金はＳｎ−Ｓｂ，Ｓｎ−Ｉｎ又は
Ｓｎ−Ｂｉであり、Ｓｎ−Ｓｂは強度、耐高温クリープ
性が共晶半田よりも優れ、Ｓｎ−Ｉｎは強度、耐クリー
プ性に問題なく、Ｓｎ−Ｂｉは耐疲労性に優れ且つ金素
材への拡散が少ない。
【００１４】 リード線１又はリードフレーム６は、２
層メッキではＳｎメッキの下地層３の上にＳｂ，Ｉｎ又
はＢｉメッキの表面層５を形成することにより、Ｓｎメ
ッキにおけるウィスカーの発生を未然に防止している。
また、Ｓｎメッキの表面層５をＳｂ，Ｉｎ又はＢｉメッ
キの中間層４上に形成する３層の場合でも、該表面層の
の厚さは１μｍ以下であり、非常に薄いのでウィスカー
の影響は少ない。
層メッキではＳｎメッキの下地層３の上にＳｂ，Ｉｎ又
はＢｉメッキの表面層５を形成することにより、Ｓｎメ
ッキにおけるウィスカーの発生を未然に防止している。
また、Ｓｎメッキの表面層５をＳｂ，Ｉｎ又はＢｉメッ
キの中間層４上に形成する３層の場合でも、該表面層の
の厚さは１μｍ以下であり、非常に薄いのでウィスカー
の影響は少ない。
【００１５】
【実施例】次に、本発明を実施例に基づいて説明する。 実施例１ 図１に示すように、前処理した直径０.５ｍｍの銅被覆
鋼線２を下記の浴組成の電気メッキ浴に浸漬し、約１０
Ａ／ｄｍ2の電流密度によって厚さ８μｍのＳｎメッキ
層３を形成する。
鋼線２を下記の浴組成の電気メッキ浴に浸漬し、約１０
Ａ／ｄｍ2の電流密度によって厚さ８μｍのＳｎメッキ
層３を形成する。
【００１６】 ホウフッ化第一錫 １８０ｇ／ｌ ホウフッ化水素酸 ９０ｇ／ｌ 半光沢剤（品名：５１３Ｙ） １０ｍｌ／ｌ 分散剤（品名：５１４Ｈ） １０ｇ／ｌ
【００１７】 次にＳｎメッキ層３を形成した銅被覆鋼
線２を、下記の電気メッキ浴条件のＳｂメッキ液に浸漬
する。Ｓｎメッキ層３を形成した銅被覆鋼線２の走行に
よって、厚さ２μｍのＳｂメッキ層４を形成する。
線２を、下記の電気メッキ浴条件のＳｂメッキ液に浸漬
する。Ｓｎメッキ層３を形成した銅被覆鋼線２の走行に
よって、厚さ２μｍのＳｂメッキ層４を形成する。
【００１８】 ホウフッ化アンチモン １５０ｇ／ｌ ホウフッ化水素酸 １９０ｇ／ｌ 分散剤 ３０ｍｌ／ｌ
【００１９】実施例２〜５ 実施例１で用いた銅被覆鋼線２について、実質的に実施
例１と同様に処理して各種の厚みのＳｎメッキ層３及び
Ｓｂメッキ層４を形成する。得たリード線１の融点を測
定すると下記の表１のようになり、Ｓｎメッキ層３又は
Ｓｂメッキ層４の厚みを変更することにより、リード線
１の用途に応じてその融点を容易に調整できる。
例１と同様に処理して各種の厚みのＳｎメッキ層３及び
Ｓｂメッキ層４を形成する。得たリード線１の融点を測
定すると下記の表１のようになり、Ｓｎメッキ層３又は
Ｓｂメッキ層４の厚みを変更することにより、リード線
１の用途に応じてその融点を容易に調整できる。
【００２０】
【表１】
【００２１】実施例６ 前処理した直径０.５ｍｍの銅線２を下記の浴組成の電
気メッキ浴に浸漬し、液温１５〜２０℃及び２０〜２５
Ａ／ｄｍ2の電流密度によって厚さ８μｍのＳｎメッキ
層３を形成する。 アルカノールスルホン酸第一錫 ２１０ｇ／ｌ 遊離酸 ６０ｇ／ｌ 光沢剤及び分散剤 ３０ｍｌ／ｌ
気メッキ浴に浸漬し、液温１５〜２０℃及び２０〜２５
Ａ／ｄｍ2の電流密度によって厚さ８μｍのＳｎメッキ
層３を形成する。 アルカノールスルホン酸第一錫 ２１０ｇ／ｌ 遊離酸 ６０ｇ／ｌ 光沢剤及び分散剤 ３０ｍｌ／ｌ
【００２２】 次にＳｎメッキ層３を形成した銅線２
を、下記の電気メッキ浴条件のＩｎメッキ液に浸漬し、
液温１８〜３０℃，ｐＨ１.５〜２.０，陰極電流密度２
Ａ／ｄｍ2,によって、厚さ２μｍのＩｎメッキ層４を形
成する。
を、下記の電気メッキ浴条件のＩｎメッキ液に浸漬し、
液温１８〜３０℃，ｐＨ１.５〜２.０，陰極電流密度２
Ａ／ｄｍ2,によって、厚さ２μｍのＩｎメッキ層４を形
成する。
【００２３】 ホウフッ化インジウム １００〜１１０ｇ／ｌ ホウ酸 ２２〜３０ｇ／ｌ ホウフッ化アンモニウム ４０〜５０ｇ／ｌ
【００２４】実施例７ 実施例６で厚さ８μｍのＳｎメッキ層３を形成した銅線
２を、下記の電気メッキ浴条件のＢｉメッキ液に浸漬
し、液温２５℃，電流密度２Ａ／ｄｍ2によって、厚さ
２μｍのＢｉメッキ層４を形成する。
２を、下記の電気メッキ浴条件のＢｉメッキ液に浸漬
し、液温２５℃，電流密度２Ａ／ｄｍ2によって、厚さ
２μｍのＢｉメッキ層４を形成する。
【００２５】 メタンスルホン酸ビスマス １００ｇ／ｌ 遊離酸 １９０ｇ／ｌ ＰＥＧＮＰＥ １０ｇ／ｌ
【００２６】実施例８ 実施例３で厚さ７μｍのＳｎメッキ層３及び厚さ４μｍ
のＳｂメッキ層４を形成した銅被覆鋼線２を、所定の電
気メッキ浴条件のＳｎメッキ液に浸漬する。銅被覆鋼線
２の走行によって、厚さ１μｍのＳｎメッキの表面層５
を形成する。
のＳｂメッキ層４を形成した銅被覆鋼線２を、所定の電
気メッキ浴条件のＳｎメッキ液に浸漬する。銅被覆鋼線
２の走行によって、厚さ１μｍのＳｎメッキの表面層５
を形成する。
【００２７】実施例９ 実施例４で厚さ６μｍのＳｎメッキ層３及び厚さ５μｍ
のＳｂメッキ層４を形成した銅被覆鋼線２を、所定の電
気メッキ浴条件のＳｎメッキ液に浸漬する。銅被覆鋼線
２の走行によって、厚さ１μｍのＳｎメッキの表面層５
を形成する。
のＳｂメッキ層４を形成した銅被覆鋼線２を、所定の電
気メッキ浴条件のＳｎメッキ液に浸漬する。銅被覆鋼線
２の走行によって、厚さ１μｍのＳｎメッキの表面層５
を形成する。
【００２８】
【発明の効果】本発明に係るリード線又はリードフレー
ムでは、メッキ層中のＳｎが常温又はメッキ後の熱処理
で拡散することにより、所定のＳｎ−Ｓｂ，Ｓｎ−Ｉｎ
又はＳｎ−Ｂｉ合金を形成する。これらのＳｎ系合金
は、市販のメッキ浴が存在しないために、電気メッキ法
によって製造するには各金属の多層構造とするのが容易
で効率的である。Ｓｎ系合金において、Ｓｎ−Ｓｂは耐
高温クリープ性が共晶半田よりも優れ、Ｓｎ−Ｉｎは強
度、耐クリープ性に問題なく、Ｓｎ−Ｂｉは耐疲労性に
優れ且つ金素材への拡散が少ない。
ムでは、メッキ層中のＳｎが常温又はメッキ後の熱処理
で拡散することにより、所定のＳｎ−Ｓｂ，Ｓｎ−Ｉｎ
又はＳｎ−Ｂｉ合金を形成する。これらのＳｎ系合金
は、市販のメッキ浴が存在しないために、電気メッキ法
によって製造するには各金属の多層構造とするのが容易
で効率的である。Ｓｎ系合金において、Ｓｎ−Ｓｂは耐
高温クリープ性が共晶半田よりも優れ、Ｓｎ−Ｉｎは強
度、耐クリープ性に問題なく、Ｓｎ−Ｂｉは耐疲労性に
優れ且つ金素材への拡散が少ない。
【００２９】 本発明のリード線とリードフレームは、
素材上にＳｎ及びＳｂ，Ｉｎ又はＢｉからなるメッキ層
を有するだけであり、有毒な鉛を全く含有していない。
このため、本発明のリード線又はリードフレームを製造
する際に、鉛による環境汚染の問題が生じることがな
く、これらを使用した電気製品を米国及びヨーロッパ諸
国へ輸出することも問題なく可能である。
素材上にＳｎ及びＳｂ，Ｉｎ又はＢｉからなるメッキ層
を有するだけであり、有毒な鉛を全く含有していない。
このため、本発明のリード線又はリードフレームを製造
する際に、鉛による環境汚染の問題が生じることがな
く、これらを使用した電気製品を米国及びヨーロッパ諸
国へ輸出することも問題なく可能である。
【００３０】 このリード線とリードフレームは、その
保管温度がたとえ５０〜１００℃に達しても、ウィスカ
ーを発生して銅合金と溶接不良を起こしたり、電子部品
において短絡事故を発生することはない。Ｓｎメッキ及
びＳｂ，Ｉｎ又はＢｉメッキは、一般に電気メッキ法に
よって連続的に形成するので、メッキ時間が掛からずに
大量生産に向いている。また、表面にＳｎメッキを施し
たリード線又はリードフレームは、特に硬い光沢又は半
光沢メッキであると、これらの半田付け性及び滑り性が
良好になる。
保管温度がたとえ５０〜１００℃に達しても、ウィスカ
ーを発生して銅合金と溶接不良を起こしたり、電子部品
において短絡事故を発生することはない。Ｓｎメッキ及
びＳｂ，Ｉｎ又はＢｉメッキは、一般に電気メッキ法に
よって連続的に形成するので、メッキ時間が掛からずに
大量生産に向いている。また、表面にＳｎメッキを施し
たリード線又はリードフレームは、特に硬い光沢又は半
光沢メッキであると、これらの半田付け性及び滑り性が
良好になる。
【図１】 本発明のリード線を示す拡大断面図である。
【図２】 リード線の変形例を示す拡大断面図である。
【図３】 本発明のリードフレームを例示する部分平面
図である。
図である。
【符号の説明】 １ リード線 ２ 金属素線 ３ 下地層 ４ 中間層 ５ 表面層 ６ リードフレーム
Claims (6)
- 【請求項１】 金属素線上に、まず厚さ３〜８μｍであ
る錫メッキの下地層を形成し、ついで厚さ１〜５μｍで
あるアンチモン，インジウム又はビスマスメッキの表面
層を形成し、全体のメッキ厚さが１０μｍ以上であるリ
ード線。 - 【請求項２】 フレーム素材表面に、まず厚さ３〜８μ
ｍである錫メッキの下地層を形成し、ついで厚さ１〜５
μｍであるアンチモン，インジウム又はビスマスメッキ
の表面層を形成し、全体のメッキ厚さが１０μｍ以上で
あるリードフレーム。 - 【請求項３】 金属素線上に、厚さ３〜８μｍである錫
メッキの下地層と、厚さ１〜５μｍであるアンチモン，
インジウム又はビスマスメッキの中間層と、厚さ１μｍ
以下である錫メッキの表面層とを順次形成し、全体のメ
ッキ厚さが１０μｍ以上であるリード線。 - 【請求項４】 フレーム素材表面に、厚さ３〜８μｍで
ある錫メッキの下地層と、厚さ１〜５μｍであるアンチ
モン，インジウム又はビスマスメッキの中間層と、厚さ
１μｍ以下である錫メッキの表面層とを順次形成し、全
体のメッキ厚さが１０μｍ以上であるリードフレーム。 - 【請求項５】 メッキ済みのリード線を熱処理すること
により、メッキ層中の錫を拡散させてアンチモン，イン
ジウム又はビスマスとの合金を形成させる請求項１又は
３に記載のリード線。 - 【請求項６】 メッキ済みのフレームを熱処理すること
により、メッキ層中の錫を拡散させてアンチモン，イン
ジウム又はビスマスとの合金を形成させる請求項２又は
４に記載のリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21116595A JP2942476B2 (ja) | 1995-07-26 | 1995-07-26 | 多層メッキのリード線とリードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21116595A JP2942476B2 (ja) | 1995-07-26 | 1995-07-26 | 多層メッキのリード線とリードフレーム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0945136A true JPH0945136A (ja) | 1997-02-14 |
| JP2942476B2 JP2942476B2 (ja) | 1999-08-30 |
Family
ID=16601487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21116595A Expired - Fee Related JP2942476B2 (ja) | 1995-07-26 | 1995-07-26 | 多層メッキのリード線とリードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2942476B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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