JPH1084065A - 電子部品用導電材料 - Google Patents
電子部品用導電材料Info
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- JPH1084065A JPH1084065A JP23775796A JP23775796A JPH1084065A JP H1084065 A JPH1084065 A JP H1084065A JP 23775796 A JP23775796 A JP 23775796A JP 23775796 A JP23775796 A JP 23775796A JP H1084065 A JPH1084065 A JP H1084065A
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- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半田付け性に優れる電子部品用導電材料の提
供。 【解決手段】 導電性基体の表面にNi又はNi合金の下地
層が形成され、その上に厚さが 0.005〜0.1 μｍのPd又
はPd合金の中間層が形成され、更にその上に厚さが単原
子層(0.001μｍ) 〜 0.1μｍのAu又はAu合金の表層が形
成されている。 【効果】 表層に耐酸化性に優れるAu層又はAu合金層を
形成したものなので、その下方のPd又はPd合金の中間層
の酸化が確実に抑止され、前記Pd又はPd合金の半田付け
性向上効果が十分に発揮される。依って良好な半田付け
性が得られる。
供。 【解決手段】 導電性基体の表面にNi又はNi合金の下地
層が形成され、その上に厚さが 0.005〜0.1 μｍのPd又
はPd合金の中間層が形成され、更にその上に厚さが単原
子層(0.001μｍ) 〜 0.1μｍのAu又はAu合金の表層が形
成されている。 【効果】 表層に耐酸化性に優れるAu層又はAu合金層を
形成したものなので、その下方のPd又はPd合金の中間層
の酸化が確実に抑止され、前記Pd又はPd合金の半田付け
性向上効果が十分に発揮される。依って良好な半田付け
性が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半田付け性を改善
した電子部品用導電材料に関する。
した電子部品用導電材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】ダイオード、トランジスター、ＩＣ等の
半導体、コンデンサー、抵抗等の各種電子部品には、各
々の素子部をプリント基板等の外部回路に接続する為の
リード部が形成されている。このうちリード線やリード
フレームの多くはCu、 Cu-Fe、Cu-Zn、 Cu-Sn等のCu合
金、又はCu被覆鋼線等の線材にNiめっきした材料が主に
用いられている。しかし、前記リード線等はNiめっき層
が酸化し易い為、外部回路との接続を半田付けで行う際
には酸化力の強いフラックスを用いてNiめっき層の酸化
膜を除去する必要があった。この為作業環境が悪化する
という問題があった。このようなことから、Niめっきリ
ード線の半田付け性を改善する為に、Niめっき層の上に
酸化し難いPd又はPd合金層を形成したリード線が提案さ
れた（特開昭59−149609号公報）。
半導体、コンデンサー、抵抗等の各種電子部品には、各
々の素子部をプリント基板等の外部回路に接続する為の
リード部が形成されている。このうちリード線やリード
フレームの多くはCu、 Cu-Fe、Cu-Zn、 Cu-Sn等のCu合
金、又はCu被覆鋼線等の線材にNiめっきした材料が主に
用いられている。しかし、前記リード線等はNiめっき層
が酸化し易い為、外部回路との接続を半田付けで行う際
には酸化力の強いフラックスを用いてNiめっき層の酸化
膜を除去する必要があった。この為作業環境が悪化する
という問題があった。このようなことから、Niめっきリ
ード線の半田付け性を改善する為に、Niめっき層の上に
酸化し難いPd又はPd合金層を形成したリード線が提案さ
れた（特開昭59−149609号公報）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体の製
造では、Siチップにリード材を 350〜400 ℃の高温で半
田付けする。又Si樹脂のキュアーは大気中で 200〜250
℃に加熱してなされる。このような熱履歴を受けると、
前記の表層にPd（Pd合金）層をめっきしたリード線で
も、前記Pd（Pd合金）層が僅かながら酸化して、外部導
体との半田付け性が低下するという問題があった。本発
明は、製造工程で加熱されても半田付け性が低下しない
電子部品用導電材料の提供を目的とする。
造では、Siチップにリード材を 350〜400 ℃の高温で半
田付けする。又Si樹脂のキュアーは大気中で 200〜250
℃に加熱してなされる。このような熱履歴を受けると、
前記の表層にPd（Pd合金）層をめっきしたリード線で
も、前記Pd（Pd合金）層が僅かながら酸化して、外部導
体との半田付け性が低下するという問題があった。本発
明は、製造工程で加熱されても半田付け性が低下しない
電子部品用導電材料の提供を目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
導電性基体の表面にNi又はNi合金の下地層が形成され、
その上に厚さが 0.005〜0.1 μｍのPd又はPd合金の中間
層が形成され、更にその上に厚さが単原子層(0.001μ
ｍ) 〜 0.1μｍのAu又はAu合金の表層が形成されている
ことを特徴とする電子部品用導電材料である。
導電性基体の表面にNi又はNi合金の下地層が形成され、
その上に厚さが 0.005〜0.1 μｍのPd又はPd合金の中間
層が形成され、更にその上に厚さが単原子層(0.001μ
ｍ) 〜 0.1μｍのAu又はAu合金の表層が形成されている
ことを特徴とする電子部品用導電材料である。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明の電子部品用導電材料は、
従来の導電性基体上にNi（Ni合金）層とPd（Pd合金）層
を順に形成したものの上に、耐酸化性に優れるAu（Au合
金）層を更に形成したものであり、前記Au（Au合金）層
がPd（Pd合金）層の酸化を防止してPd（Pd合金）の優れ
た半田付け性が有効に発現されるようにしたものであ
る。
従来の導電性基体上にNi（Ni合金）層とPd（Pd合金）層
を順に形成したものの上に、耐酸化性に優れるAu（Au合
金）層を更に形成したものであり、前記Au（Au合金）層
がPd（Pd合金）層の酸化を防止してPd（Pd合金）の優れ
た半田付け性が有効に発現されるようにしたものであ
る。
【０００６】本発明において、導電性基体にはCu又はCu
合金線材を始めとする導電性を有する任意の金属材料が
用いられる。特に、少なくとも表面にCu層又はCu合金層
を有する導電性基体がめっき性に優れ望ましい。導電性
基体は各種リード部の機械的強度や導電性の基準に応じ
て選定される。例えば、機械的強度が重視される場合は
Cu合金又はCu被覆鋼材が選ばれ、導電性が重視される場
合はCuが選ばれる。
合金線材を始めとする導電性を有する任意の金属材料が
用いられる。特に、少なくとも表面にCu層又はCu合金層
を有する導電性基体がめっき性に優れ望ましい。導電性
基体は各種リード部の機械的強度や導電性の基準に応じ
て選定される。例えば、機械的強度が重視される場合は
Cu合金又はCu被覆鋼材が選ばれ、導電性が重視される場
合はCuが選ばれる。
【０００７】本発明において、下地層にはNi又はNi合金
が用いられる。前記Ni又はNi合金は耐熱性に優れ種々の
加熱工程において導電性基体の表層への拡散を防止する
バリヤとしての役目を果たす。前記Ni合金にはNi−Co
系、Ni−Fe系、Ni−Zn系、Ni−Sn系、Ni−Co−P 系等の
任意のNi合金が適用できる。
が用いられる。前記Ni又はNi合金は耐熱性に優れ種々の
加熱工程において導電性基体の表層への拡散を防止する
バリヤとしての役目を果たす。前記Ni合金にはNi−Co
系、Ni−Fe系、Ni−Zn系、Ni−Sn系、Ni−Co−P 系等の
任意のNi合金が適用できる。
【０００８】本発明において、中間層にはPd又はPd合金
が用いられる。前記Pd又はPd合金は半田付け性を向上さ
せる。前記Pd合金にはPd−Ni系合金等が適用できる。中
間層の厚さを 0.005〜0.1 μｍに規定した理由は、 0.0
05μｍ未満ではその効果が十分に得られず、 0.1μｍを
超えるとその効果が飽和し、コストアップを招くだけと
なる為である。
が用いられる。前記Pd又はPd合金は半田付け性を向上さ
せる。前記Pd合金にはPd−Ni系合金等が適用できる。中
間層の厚さを 0.005〜0.1 μｍに規定した理由は、 0.0
05μｍ未満ではその効果が十分に得られず、 0.1μｍを
超えるとその効果が飽和し、コストアップを招くだけと
なる為である。
【０００９】本発明において、表層にはAu又はAu合金が
用いられる。前記Au又はAu合金は酸化し難く半田付け性
を向上させる。前記Au合金にはAu−Pd系、Au−Co系、Au
−Ni系、Au−Ag系等の合金が適用できる。前記表層の厚
さを単原子層(0.001μｍ) 〜 0.1μｍに規定した理由
は、単原子層未満の厚さではその効果が全く得られず、
0.1 μｍを超えると半田中にSn-Au系金属間化合物が増
加して半田接合性が劣化し、リード線が脱落する恐れが
ある為である。
用いられる。前記Au又はAu合金は酸化し難く半田付け性
を向上させる。前記Au合金にはAu−Pd系、Au−Co系、Au
−Ni系、Au−Ag系等の合金が適用できる。前記表層の厚
さを単原子層(0.001μｍ) 〜 0.1μｍに規定した理由
は、単原子層未満の厚さではその効果が全く得られず、
0.1 μｍを超えると半田中にSn-Au系金属間化合物が増
加して半田接合性が劣化し、リード線が脱落する恐れが
ある為である。
【００１０】本発明のリード線の製造方法は、例えば、
導電性基体を連続的に供給し、その上に下地層、中間
層、表層を順に電気めっきする方法が生産性に富み適し
ている。下地層のNi-B系合金やNi-P系合金等には従来よ
り無電解めっきが多く採用されているが、電気めっきの
方がめっき速度が速くコスト的に有利である。
導電性基体を連続的に供給し、その上に下地層、中間
層、表層を順に電気めっきする方法が生産性に富み適し
ている。下地層のNi-B系合金やNi-P系合金等には従来よ
り無電解めっきが多く採用されているが、電気めっきの
方がめっき速度が速くコスト的に有利である。
【００１１】
【実施例】以下に、本発明を実施例により詳細に説明す
る。走行する 0.6mmφの無酸素銅線に電解脱脂、水洗、
酸洗、水洗の前処理工程を施し、次いで下地層めっき、
水洗、中間層めっき、水洗、表層めっき、水洗、乾燥の
めっき工程を施し、これをコイル状に巻取ってリード線
を製造した。製造設備には、前処理、各層のめっき、巻
取りが連続的に行えるめっき設備を用いた。下地層、中
間層、表層の材質及び厚さは種々に変化させた。比較の
為、中間層の厚さが本発明の規定外のもの、Au（Au合
金）層のないものについても実施例と同じ方法によりリ
ード線を製造した。
る。走行する 0.6mmφの無酸素銅線に電解脱脂、水洗、
酸洗、水洗の前処理工程を施し、次いで下地層めっき、
水洗、中間層めっき、水洗、表層めっき、水洗、乾燥の
めっき工程を施し、これをコイル状に巻取ってリード線
を製造した。製造設備には、前処理、各層のめっき、巻
取りが連続的に行えるめっき設備を用いた。下地層、中
間層、表層の材質及び厚さは種々に変化させた。比較の
為、中間層の厚さが本発明の規定外のもの、Au（Au合
金）層のないものについても実施例と同じ方法によりリ
ード線を製造した。
【００１２】以下にめっき条件を記す。 〔Niめっき〕 めっき液：NiSO4 240g/l、 NiCl2 45g/l、 H3BO3 30g/
l。 めっき条件：電流密度 5A/dm2、温度 50℃。 〔Ni-5wt%Co 合金めっき〕 めっき液：NiSO4 240g/l、 NiCl2 45g/l、CoSO4 15g/l
、H3BO3 30g/l。 めっき条件：電流密度 5A/dm2、温度 55℃。 〔Pdめっき〕 めっき液：Pd(NH3)2Cl2 40g/l、NH4OH 90ml/l、 (NH4)
2SO4 50g/l。 めっき条件：電流密度 1A/dm2、温度 30℃。 〔Pd-20wt%Ni合金めっき〕 めっき液： Pd(NH3)2Cl2 40g/l、 NiSO4 45g/l、NH4OH
90ml/l、(NH4)2SO4 50g/l。 めっき条件：電流密度 1A/dm2、温度 30℃。 〔Auめっき〕 めっき液：KAu(CN)2 15g/l、 KCN 30g/l、 K2CO3 30g/
l、 Na2HPO4 20g/l。 めっき条件：電流密度 0.5A/dm2、温度 60℃。
l。 めっき条件：電流密度 5A/dm2、温度 50℃。 〔Ni-5wt%Co 合金めっき〕 めっき液：NiSO4 240g/l、 NiCl2 45g/l、CoSO4 15g/l
、H3BO3 30g/l。 めっき条件：電流密度 5A/dm2、温度 55℃。 〔Pdめっき〕 めっき液：Pd(NH3)2Cl2 40g/l、NH4OH 90ml/l、 (NH4)
2SO4 50g/l。 めっき条件：電流密度 1A/dm2、温度 30℃。 〔Pd-20wt%Ni合金めっき〕 めっき液： Pd(NH3)2Cl2 40g/l、 NiSO4 45g/l、NH4OH
90ml/l、(NH4)2SO4 50g/l。 めっき条件：電流密度 1A/dm2、温度 30℃。 〔Auめっき〕 めっき液：KAu(CN)2 15g/l、 KCN 30g/l、 K2CO3 30g/
l、 Na2HPO4 20g/l。 めっき条件：電流密度 0.5A/dm2、温度 60℃。
【００１３】得られた各々のリード線を大気中で 180℃
に24時間加熱したのち半田濡れ性と半田接合性を調べ
た。半田濡れ性は MIL法に準じて調べた。即ち、リード
線を長さ30mmに切断してピンとし、これをアセトンで十
分洗浄したのち 230℃に加熱した共晶半田浴に５秒間浸
漬し、ピンに付着した半田の面積（濡れ面積）を15倍の
拡大鏡を用いて測定した。この半田付着面積をピンの浸
漬面積で徐して半田濡れ性を表した。半田接合性は各々
のリード線を共晶半田浴に浸漬して半田を付着させ、こ
の半田付着部分を銅条に接触してリード線と銅条とを半
田付けし、この半田付けしたリード線と銅条とを 155℃
のエアバス内に 100時間放置後、リード線と銅条をそれ
ぞれチャックに挟んで引張試験を行って調べた。条と半
田間で破断したものは半田接合性が良好（○）、めっき
層と半田間で剥離が生じたものは半田接合性が不良
（×）と判定した。以上の試験を各試料について５本づ
つ行った。結果を表１に示す。
に24時間加熱したのち半田濡れ性と半田接合性を調べ
た。半田濡れ性は MIL法に準じて調べた。即ち、リード
線を長さ30mmに切断してピンとし、これをアセトンで十
分洗浄したのち 230℃に加熱した共晶半田浴に５秒間浸
漬し、ピンに付着した半田の面積（濡れ面積）を15倍の
拡大鏡を用いて測定した。この半田付着面積をピンの浸
漬面積で徐して半田濡れ性を表した。半田接合性は各々
のリード線を共晶半田浴に浸漬して半田を付着させ、こ
の半田付着部分を銅条に接触してリード線と銅条とを半
田付けし、この半田付けしたリード線と銅条とを 155℃
のエアバス内に 100時間放置後、リード線と銅条をそれ
ぞれチャックに挟んで引張試験を行って調べた。条と半
田間で破断したものは半田接合性が良好（○）、めっき
層と半田間で剥離が生じたものは半田接合性が不良
（×）と判定した。以上の試験を各試料について５本づ
つ行った。結果を表１に示す。
【００１４】
【表１】 （注）※：５本の平均値。§：○は５本とも○、×は５本とも×。 *:Pd-20wt%Ni 合金。 #:Ni-5wt%Co合金。
【００１５】表１より明らかなように、本発明のリード
線 (No.1〜5)はいずれも、半田濡れ性と半田接合性に優
れている。他方、比較例品のNo.6はPd層が薄い為半田濡
れ性が低下した。又No.7,8はAu層がない為大気中 180℃
の加熱でPd層の表面が僅かながら酸化して半田濡れ性が
低下した。No.9は接合性に劣化が見られるが、これは A
u-Sn系金属間化合物が多く形成された為である。
線 (No.1〜5)はいずれも、半田濡れ性と半田接合性に優
れている。他方、比較例品のNo.6はPd層が薄い為半田濡
れ性が低下した。又No.7,8はAu層がない為大気中 180℃
の加熱でPd層の表面が僅かながら酸化して半田濡れ性が
低下した。No.9は接合性に劣化が見られるが、これは A
u-Sn系金属間化合物が多く形成された為である。
【００１６】以上、リード線について説明したが、本発
明の導電材料は、リードフレーム等、他のリード部に用
いても同様の効果が得られるものである。
明の導電材料は、リードフレーム等、他のリード部に用
いても同様の効果が得られるものである。
【００１７】
【発明の効果】以上に述べたように、本発明のリード線
は、表層に耐酸化性に優れるAu層又はAu合金層を形成し
たものなので、その下方のPd又はPd合金の中間層の酸化
が確実に抑止され、前記Pd又はPd合金の半田付け性向上
効果が十分に発揮される。依って良好な半田付け性が得
られ、工業上顕著な効果を奏する。
は、表層に耐酸化性に優れるAu層又はAu合金層を形成し
たものなので、その下方のPd又はPd合金の中間層の酸化
が確実に抑止され、前記Pd又はPd合金の半田付け性向上
効果が十分に発揮される。依って良好な半田付け性が得
られ、工業上顕著な効果を奏する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２５Ｄ 3/48 Ｃ２５Ｄ 3/48 Ｈ０１Ｂ 5/02 Ｈ０１Ｂ 5/02 Ａ
Claims (1)
- 【請求項１】 導電性基体の表面にNi又はNi合金の下地
層が形成され、その上に厚さが 0.005〜0.1 μｍのPd又
はPd合金の中間層が形成され、更にその上に単原子層
(0.001μｍ) 厚から 0.1μｍ厚のAu又はAu合金の表層が
形成されていることを特徴とする電子部品用導電材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23775796A JPH1084065A (ja) | 1996-09-09 | 1996-09-09 | 電子部品用導電材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23775796A JPH1084065A (ja) | 1996-09-09 | 1996-09-09 | 電子部品用導電材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1084065A true JPH1084065A (ja) | 1998-03-31 |
Family
ID=17020010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23775796A Pending JPH1084065A (ja) | 1996-09-09 | 1996-09-09 | 電子部品用導電材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1084065A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000223634A (ja) * | 1999-01-28 | 2000-08-11 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JP2003008228A (ja) * | 2001-06-22 | 2003-01-10 | Ibiden Co Ltd | 多層プリント配線板およびその製造方法 |
| WO2005117112A1 (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | 半導体装置用リードフレーム |
| US7632112B2 (en) | 2004-12-03 | 2009-12-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electrical contact component, coaxial connector, and electrical circuit device including the same |
| KR101167650B1 (ko) * | 2004-05-27 | 2012-07-20 | 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 | 반도체 장치용 리드 프레임 |
-
1996
- 1996-09-09 JP JP23775796A patent/JPH1084065A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000223634A (ja) * | 1999-01-28 | 2000-08-11 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JP2003008228A (ja) * | 2001-06-22 | 2003-01-10 | Ibiden Co Ltd | 多層プリント配線板およびその製造方法 |
| WO2005117112A1 (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | 半導体装置用リードフレーム |
| US7408248B2 (en) | 2004-05-27 | 2008-08-05 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Lead frame for semiconductor device |
| KR101167650B1 (ko) * | 2004-05-27 | 2012-07-20 | 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 | 반도체 장치용 리드 프레임 |
| TWI419294B (zh) * | 2004-05-27 | 2013-12-11 | Shinko Electric Ind Co | 用於半導體裝置之引線框 |
| US7632112B2 (en) | 2004-12-03 | 2009-12-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electrical contact component, coaxial connector, and electrical circuit device including the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20040414 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20040514 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20041126 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |