JPS6242037B2 - - Google Patents
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- JPS6242037B2 JPS6242037B2 JP59084640A JP8464084A JPS6242037B2 JP S6242037 B2 JPS6242037 B2 JP S6242037B2 JP 59084640 A JP59084640 A JP 59084640A JP 8464084 A JP8464084 A JP 8464084A JP S6242037 B2 JPS6242037 B2 JP S6242037B2
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Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は電気、電子機器等に多量に用いられる
耐熱性AgメツキCu系基材の経済的な製造法に関
するものである。 〔従来技術〕 一般に電気、電子機器等に用いられるCu、Cu
―Sn、Cu―Zn、Cu―Fe、Cu―Ti、Cu―Ni等の
Cu合金、Cu被覆Al、Cuの被覆鋼等のCu被覆材
にはAgメツキが施されている。これはAg特有の
優れた耐食性、電気接続性、半田付け性、溶接性
等を利用するためである。また、これ等基材は高
温度条件で処理されることが多く、半導体などの
電子部品のリード線やリードフレームは素子のろ
う付け、ボンデイング、封止レジンのキユアー等
を200〜450℃で行なつている。例えばダイオード
のリード線は高導電性のCu線にAgをメツキし、
その一端をヘツダー加工して、素子と高融点半田
を用いて300〜350℃の温度でろう付けし、しかる
後シリコン樹脂等でモールド封止し、200〜250℃
の温度で10時間以上キユアーしている。このよう
にして完成したダイオードのリード線は、プリン
ト基板に挿入して半田付けされる。 〔発明が解決しようとする問題点〕 Agは高価な貴金属であり、経済的な理由から
Agメツキの薄肉化が強く望まれている。 AgとCuは相互に拡散し易いためAgメツキを薄
肉化すると、高温処理によりCuが表面に拡散
し、Ag特有の特性を損なうばかりか、半田付け
等を困難にする欠点がある。これを改善するため
Cu系基材にNi、Co又はこれ等の合金をメツキ
し、その上にAgメツキを施す方法が堤案されて
いる。Ni、Co又はこれ等の合金メツキはCuとAg
の拡散防止のためのバリヤーとして有効に作用す
るも、Agメツキ層とバリヤー間の密着剤を低下
するため、実用化されていない。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は上記欠点を解消するため、鋭意検討の
結果、経済的な耐熱性AgメツキCu系基材の製造
法を開発したもので、Cu又はCu合金基材に、Ni
又はNi―Co合金をメツキし、その上にAgメツキ
を施す方法において、Ni又はNi―Co合金メツキ
上に、Cu分を含むAgストライクメツキを施し、
その上にAgメツキを行なうことを特徴とするも
のである。 即ち本発明はCu又はCu合金基材に、常法に従
つてNi、Ni―Co、Ni―Co―Ｐ等の合金をメツキ
し、その上にCu分を含むAgストライクメツキを
施してAg―Cu合金を析出せしめ、その上に所望
の厚さのAgメツキを行なうものである。Cu分を
含むAgストライクメツキとしては通常Agメツキ
の密着性を向上するために行なうAgCN系Agス
トライクメツキ浴にCu分を添加すればよく、例
えばAgCN0.3〜30g／ｌ、CuCN1〜60g／ｌ、
NaCNやKCN等のCN化合物15〜100g／ｌからな
るメツキ浴を用い、１〜50A／ｄm2の電流密度で
メツキする。Cu分を含むAgストライクメツキに
より析出せしめるAg―Cu合金メツキとしては、
Cu分を３〜25％とすることが望ましい。 〔作用〕 Ni又はNi―Co合金メツキ上にCu分を含むAgス
トライクメツキを施すことにより、Agストライ
クメツキの結晶を微細化すると共に、Agメツキ
Cu系基材の高温処理におけるAgメツキ層の密着
力を向上する。即ちAgはNiと全く固溶しない
が、Cu分は相互に拡散して密着力を向上し、更
に高温処理により外気からAg層に浸入するO2と
結合してNi又はNi―Co合金層の表面が酸化する
のを防止し、Ag層の密着力ばかりか、半田付け
等の特性の劣化を防止する。Ag層に浸入したO2
はAg層とNi又はNi―Co金層層の中間にあるAg―
Cu合金層において、Cu分と結合し、Ag中に分散
したCuxOとなるため、これによる害はほとんど
ない。Cu分を含むAgストライクメツキの効果
は、特に200℃以上の高温処理において顕著とな
る。即ちAgの酸化物は180〜190℃以上で分散す
ると共に、格子拡散が活発となり、外気からO2
の浸入も激しくなるが、Cu分を含むAgストライ
クメツキ層中のCu分により有効に捕捉され、O2
浸入による害が防止される。 〔実施例〕 (1) 直径0.6mmのCu線にAgメツキを施してダイオ
ード用リード線を製造した。常法に従つてCu
線を脱脂、活性化してから、下記メツキ浴を用
いてCu線上に厚さ0.2μのNiメツキ、Ag―Cu
ストライクメツキ（Cu12％）、厚さ2.5μのAg
メツキを順次施した。 Niメツキ NiSO4 250g／ｌ NiCl2 30g／ｌ H3BO3 40g／ｌ PH 2.8 浴 温 55℃ 電流密度 3.0A／ｄm2 Ag―Cuストライクメツキ AgCN 2.5g／ｌ CuCN 12g／ｌ KCN 60g／ｌ K2CO3 15g／ｌ 浴 温 25℃ 電流密度 7.5A／ｄm2 時 間 15秒 Agメツキ AgCN 30g／ｌ KCN 60g／ｌ K2CO3 25g／ｌ 浴 温 25℃ 電流密度 2.0A／ｄm2 (2) 実施例(1)において、Niメツキに代えて下記
メツキを用い、厚さ0.3μのNi―10％Co合金メ
ツキを施した。 Ni―10％Co合金メツキ NiSO4 240g／ｌ NiCl2 30g／ｌ CoSO4 20g／ｌ H3BO3 45g／ｌ 浴 温 45℃ 電流密度 2.5A／ｄm2 (3) 実施例(1)においてAgメツキの厚さを1.5μと
した。 〔比較例〕 (1)〜(3) 実施例(1)〜(3)において、Ag―Cuストラ
イクメツキに代えて、下記メツキ浴を用い、
Agストライクメツキを施した。 Agストライクメツキ Ag 3.1g／ｌ KCN 35g／ｌ 浴 温 25℃ 電流密度 7.5A／ｄm2 時 間 15秒 (4)〜(5) 比較例(1)において、Agメツキの厚さを
それぞれ3.5μと５μとした。 (6) 実施例(1)において、Ag―Cuストライクメツ
キに代えて下記メツキ浴を用い、Cuストライ
クメツキとAgストライクメツキを２段に施し
た。 Cuストライクメツキ CuCN 20g／ｌ NaCN 45g／ｌ NaOH 5g／ｌ 浴 温 35℃ 電流密度 3.0A／ｄm2 時 間 15秒 Agストライクメツキ AgCN 3g／ｌ KCN 35g／ｌ 浴 温 25℃ 電流密度 7.5A／ｄm2 時 間 15秒 (7) 比較例(1)においてNiメツキを省略し、Cu線
上に直線AgストライクメツキとAgメツキを施
した。 このようにして製造した各ダイオード用リード
線を長さ45mmに切断し、１端をヘツダー加工して
リードピンを形成し、１対のピンのヘツダー間に
半導体素子を狭んで、Pd―3.5％Sn―1.5％Ag合
金半田を用いて325℃で雰囲気ろう付けし、これ
をシリコン樹脂でモールド封止してから大気中
210℃で18時間キユアーした。このキユアー後の
リード線について、MIL法に準じて235℃の共晶
半田浴中に５秒間浸漬し、半田濡れ面積を測定し
た。またキユアー後のリード線について左右両方
向に20回捻回し、Agメツキ層の剥離状態を観察
した。これ等の結果を第１表に示す。
耐熱性AgメツキCu系基材の経済的な製造法に関
するものである。 〔従来技術〕 一般に電気、電子機器等に用いられるCu、Cu
―Sn、Cu―Zn、Cu―Fe、Cu―Ti、Cu―Ni等の
Cu合金、Cu被覆Al、Cuの被覆鋼等のCu被覆材
にはAgメツキが施されている。これはAg特有の
優れた耐食性、電気接続性、半田付け性、溶接性
等を利用するためである。また、これ等基材は高
温度条件で処理されることが多く、半導体などの
電子部品のリード線やリードフレームは素子のろ
う付け、ボンデイング、封止レジンのキユアー等
を200〜450℃で行なつている。例えばダイオード
のリード線は高導電性のCu線にAgをメツキし、
その一端をヘツダー加工して、素子と高融点半田
を用いて300〜350℃の温度でろう付けし、しかる
後シリコン樹脂等でモールド封止し、200〜250℃
の温度で10時間以上キユアーしている。このよう
にして完成したダイオードのリード線は、プリン
ト基板に挿入して半田付けされる。 〔発明が解決しようとする問題点〕 Agは高価な貴金属であり、経済的な理由から
Agメツキの薄肉化が強く望まれている。 AgとCuは相互に拡散し易いためAgメツキを薄
肉化すると、高温処理によりCuが表面に拡散
し、Ag特有の特性を損なうばかりか、半田付け
等を困難にする欠点がある。これを改善するため
Cu系基材にNi、Co又はこれ等の合金をメツキ
し、その上にAgメツキを施す方法が堤案されて
いる。Ni、Co又はこれ等の合金メツキはCuとAg
の拡散防止のためのバリヤーとして有効に作用す
るも、Agメツキ層とバリヤー間の密着剤を低下
するため、実用化されていない。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は上記欠点を解消するため、鋭意検討の
結果、経済的な耐熱性AgメツキCu系基材の製造
法を開発したもので、Cu又はCu合金基材に、Ni
又はNi―Co合金をメツキし、その上にAgメツキ
を施す方法において、Ni又はNi―Co合金メツキ
上に、Cu分を含むAgストライクメツキを施し、
その上にAgメツキを行なうことを特徴とするも
のである。 即ち本発明はCu又はCu合金基材に、常法に従
つてNi、Ni―Co、Ni―Co―Ｐ等の合金をメツキ
し、その上にCu分を含むAgストライクメツキを
施してAg―Cu合金を析出せしめ、その上に所望
の厚さのAgメツキを行なうものである。Cu分を
含むAgストライクメツキとしては通常Agメツキ
の密着性を向上するために行なうAgCN系Agス
トライクメツキ浴にCu分を添加すればよく、例
えばAgCN0.3〜30g／ｌ、CuCN1〜60g／ｌ、
NaCNやKCN等のCN化合物15〜100g／ｌからな
るメツキ浴を用い、１〜50A／ｄm2の電流密度で
メツキする。Cu分を含むAgストライクメツキに
より析出せしめるAg―Cu合金メツキとしては、
Cu分を３〜25％とすることが望ましい。 〔作用〕 Ni又はNi―Co合金メツキ上にCu分を含むAgス
トライクメツキを施すことにより、Agストライ
クメツキの結晶を微細化すると共に、Agメツキ
Cu系基材の高温処理におけるAgメツキ層の密着
力を向上する。即ちAgはNiと全く固溶しない
が、Cu分は相互に拡散して密着力を向上し、更
に高温処理により外気からAg層に浸入するO2と
結合してNi又はNi―Co合金層の表面が酸化する
のを防止し、Ag層の密着力ばかりか、半田付け
等の特性の劣化を防止する。Ag層に浸入したO2
はAg層とNi又はNi―Co金層層の中間にあるAg―
Cu合金層において、Cu分と結合し、Ag中に分散
したCuxOとなるため、これによる害はほとんど
ない。Cu分を含むAgストライクメツキの効果
は、特に200℃以上の高温処理において顕著とな
る。即ちAgの酸化物は180〜190℃以上で分散す
ると共に、格子拡散が活発となり、外気からO2
の浸入も激しくなるが、Cu分を含むAgストライ
クメツキ層中のCu分により有効に捕捉され、O2
浸入による害が防止される。 〔実施例〕 (1) 直径0.6mmのCu線にAgメツキを施してダイオ
ード用リード線を製造した。常法に従つてCu
線を脱脂、活性化してから、下記メツキ浴を用
いてCu線上に厚さ0.2μのNiメツキ、Ag―Cu
ストライクメツキ（Cu12％）、厚さ2.5μのAg
メツキを順次施した。 Niメツキ NiSO4 250g／ｌ NiCl2 30g／ｌ H3BO3 40g／ｌ PH 2.8 浴 温 55℃ 電流密度 3.0A／ｄm2 Ag―Cuストライクメツキ AgCN 2.5g／ｌ CuCN 12g／ｌ KCN 60g／ｌ K2CO3 15g／ｌ 浴 温 25℃ 電流密度 7.5A／ｄm2 時 間 15秒 Agメツキ AgCN 30g／ｌ KCN 60g／ｌ K2CO3 25g／ｌ 浴 温 25℃ 電流密度 2.0A／ｄm2 (2) 実施例(1)において、Niメツキに代えて下記
メツキを用い、厚さ0.3μのNi―10％Co合金メ
ツキを施した。 Ni―10％Co合金メツキ NiSO4 240g／ｌ NiCl2 30g／ｌ CoSO4 20g／ｌ H3BO3 45g／ｌ 浴 温 45℃ 電流密度 2.5A／ｄm2 (3) 実施例(1)においてAgメツキの厚さを1.5μと
した。 〔比較例〕 (1)〜(3) 実施例(1)〜(3)において、Ag―Cuストラ
イクメツキに代えて、下記メツキ浴を用い、
Agストライクメツキを施した。 Agストライクメツキ Ag 3.1g／ｌ KCN 35g／ｌ 浴 温 25℃ 電流密度 7.5A／ｄm2 時 間 15秒 (4)〜(5) 比較例(1)において、Agメツキの厚さを
それぞれ3.5μと５μとした。 (6) 実施例(1)において、Ag―Cuストライクメツ
キに代えて下記メツキ浴を用い、Cuストライ
クメツキとAgストライクメツキを２段に施し
た。 Cuストライクメツキ CuCN 20g／ｌ NaCN 45g／ｌ NaOH 5g／ｌ 浴 温 35℃ 電流密度 3.0A／ｄm2 時 間 15秒 Agストライクメツキ AgCN 3g／ｌ KCN 35g／ｌ 浴 温 25℃ 電流密度 7.5A／ｄm2 時 間 15秒 (7) 比較例(1)においてNiメツキを省略し、Cu線
上に直線AgストライクメツキとAgメツキを施
した。 このようにして製造した各ダイオード用リード
線を長さ45mmに切断し、１端をヘツダー加工して
リードピンを形成し、１対のピンのヘツダー間に
半導体素子を狭んで、Pd―3.5％Sn―1.5％Ag合
金半田を用いて325℃で雰囲気ろう付けし、これ
をシリコン樹脂でモールド封止してから大気中
210℃で18時間キユアーした。このキユアー後の
リード線について、MIL法に準じて235℃の共晶
半田浴中に５秒間浸漬し、半田濡れ面積を測定し
た。またキユアー後のリード線について左右両方
向に20回捻回し、Agメツキ層の剥離状態を観察
した。これ等の結果を第１表に示す。
【表】
このように本発明によれば従来のメツキ工程と
同一でAgストライクメツキ浴の組成を変更する
のみで、高温処理に耐える高品質のAgメツキCu
系基材を得ることができるばかりか、従来法に比
べてAgメツキ厚さを節減し得るなど経済的に優
れており、工業上顕著な効果を奏するものであ
る。
同一でAgストライクメツキ浴の組成を変更する
のみで、高温処理に耐える高品質のAgメツキCu
系基材を得ることができるばかりか、従来法に比
べてAgメツキ厚さを節減し得るなど経済的に優
れており、工業上顕著な効果を奏するものであ
る。
Claims (1)
- １ Cu又はCu合金基材にNi又はNi―Co合金をメ
ツキし、その上にAgメツキを施す方法におい
て、Ni又はNi―Co合金メツキ上にCu分を含むAg
ストライクメツキを施し、その上にAgメツキを
行なうことを特徴とする耐熱性AgメツキCu系基
材の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8464084A JPS60228695A (ja) | 1984-04-26 | 1984-04-26 | 耐熱性ＡｇメツキＣｕ系基材の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8464084A JPS60228695A (ja) | 1984-04-26 | 1984-04-26 | 耐熱性ＡｇメツキＣｕ系基材の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60228695A JPS60228695A (ja) | 1985-11-13 |
| JPS6242037B2 true JPS6242037B2 (ja) | 1987-09-05 |
Family
ID=13836286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8464084A Granted JPS60228695A (ja) | 1984-04-26 | 1984-04-26 | 耐熱性ＡｇメツキＣｕ系基材の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60228695A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5650661A (en) * | 1993-12-27 | 1997-07-22 | National Semiconductor Corporation | Protective coating combination for lead frames |
| US5436082A (en) * | 1993-12-27 | 1995-07-25 | National Semiconductor Corporation | Protective coating combination for lead frames |
| US5728285A (en) * | 1993-12-27 | 1998-03-17 | National Semiconductor Corporation | Protective coating combination for lead frames |
| JP6466837B2 (ja) * | 2013-06-24 | 2019-02-06 | オリエンタル鍍金株式会社 | めっき材の製造方法及びめっき材 |
| WO2015092978A1 (ja) * | 2013-12-20 | 2015-06-25 | オリエンタル鍍金株式会社 | 銀めっき部材及びその製造方法 |
| WO2015092979A1 (ja) * | 2013-12-20 | 2015-06-25 | オリエンタル鍍金株式会社 | 銀めっき部材及びその製造方法 |
| JP6553333B2 (ja) * | 2014-06-05 | 2019-07-31 | Ｊｘ金属株式会社 | 電子部品用金属材料、それを用いたコネクタ端子、コネクタ及び電子部品 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4884743A (ja) * | 1972-02-16 | 1973-11-10 |
-
1984
- 1984-04-26 JP JP8464084A patent/JPS60228695A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4884743A (ja) * | 1972-02-16 | 1973-11-10 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60228695A (ja) | 1985-11-13 |
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