JPH10284667A - 耐食性、耐酸化性に優れる電気電子機器用部品材料、及びその製造方法 - Google Patents
耐食性、耐酸化性に優れる電気電子機器用部品材料、及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH10284667A JPH10284667A JP9086999A JP8699997A JPH10284667A JP H10284667 A JPH10284667 A JP H10284667A JP 9086999 A JP9086999 A JP 9086999A JP 8699997 A JP8699997 A JP 8699997A JP H10284667 A JPH10284667 A JP H10284667A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alloy
- plating
- corrosion resistance
- electronic equipment
- component material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 120
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 title claims abstract description 69
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 title claims abstract description 69
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 title claims description 35
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 title claims description 35
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 76
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 72
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 70
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 67
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 30
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 21
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 238000004445 quantitative analysis Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 202
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 85
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 58
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 55
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 54
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 50
- 239000002585 base Substances 0.000 claims description 41
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 38
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 25
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 20
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 claims description 15
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims description 14
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 claims description 13
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 12
- 238000005554 pickling Methods 0.000 claims description 11
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 9
- -1 iron ion Chemical class 0.000 claims description 9
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 7
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 111
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 89
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 23
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 20
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 18
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 15
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 11
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 11
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 8
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 7
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 6
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 238000007431 microscopic evaluation Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910017827 Cu—Fe Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910017876 Cu—Ni—Si Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910017709 Ni Co Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910003267 Ni-Co Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910018100 Ni-Sn Inorganic materials 0.000 description 4
- 241000080590 Niso Species 0.000 description 4
- 229910003262 Ni‐Co Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910018532 Ni—Sn Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 4
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 4
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910017770 Cu—Ag Inorganic materials 0.000 description 3
- XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N Cyanide Chemical compound N#[C-] XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910018605 Ni—Zn Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910020816 Sn Pb Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910020922 Sn-Pb Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910009038 Sn—P Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910008783 Sn—Pb Inorganic materials 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004453 electron probe microanalysis Methods 0.000 description 3
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 3
- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 description 3
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000521 B alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017755 Cu-Sn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017927 Cu—Sn Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N Protium Chemical compound [1H] YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N 0.000 description 2
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020900 Sn-Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910019314 Sn—Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 229920001429 chelating resin Polymers 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LPLMZAJYUPAYQZ-UHFFFAOYSA-N diazanium;difluoride Chemical compound [NH4+].[NH4+].[F-].[F-] LPLMZAJYUPAYQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 2
- ZUFQODAHGAHPFQ-UHFFFAOYSA-N pyridoxine hydrochloride Chemical compound Cl.CC1=NC=C(CO)C(CO)=C1O ZUFQODAHGAHPFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 2
- DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N (R)-(-)-Propylene glycol Chemical compound C[C@@H](O)CO DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N 0.000 description 1
- 229910015365 Au—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017518 Cu Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017532 Cu-Be Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017752 Cu-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017816 Cu—Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017943 Cu—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018098 Ni-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018529 Ni—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020220 Pb—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020810 Sn-Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020938 Sn-Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018757 Sn—Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019192 Sn—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008937 Sn—Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 1
- 229910004337 Ti-Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910011209 Ti—Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001361 White metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003916 acid precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N ammonium fluoride Chemical compound [NH4+].[F-] LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000010835 comparative analysis Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N copper zinc Chemical compound [Cu].[Zn] TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-AHCXROLUSA-N copper-60 Chemical compound [60Cu] RYGMFSIKBFXOCR-AHCXROLUSA-N 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- UREBDLICKHMUKA-CXSFZGCWSA-N dexamethasone Chemical compound C1CC2=CC(=O)C=C[C@]2(C)[C@]2(F)[C@@H]1[C@@H]1C[C@@H](C)[C@@](C(=O)CO)(O)[C@@]1(C)C[C@@H]2O UREBDLICKHMUKA-CXSFZGCWSA-N 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004680 hydrogen peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- SQZYOZWYVFYNFV-UHFFFAOYSA-L iron(2+);disulfamate Chemical compound [Fe+2].NS([O-])(=O)=O.NS([O-])(=O)=O SQZYOZWYVFYNFV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011417 postcuring Methods 0.000 description 1
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 description 1
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- 238000004881 precipitation hardening Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000017550 sodium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 235000019795 sodium metasilicate Nutrition 0.000 description 1
- 239000001488 sodium phosphate Substances 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- IIACRCGMVDHOTQ-UHFFFAOYSA-M sulfamate Chemical compound NS([O-])(=O)=O IIACRCGMVDHOTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K trisodium phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])([O-])=O RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910000406 trisodium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019801 trisodium phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000010969 white metal Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｃｕ又はＣｕ合金、Ｆｅ合金基材にＮｉなど
のバリア被膜を形成し、さらにその上層に様々な特性を
有する貴金属や白金族元素を被覆した被膜構成の電気電
子機器用部品材料において、耐食性や加熱工程後のはん
だ濡れ性などの劣化問題を解決する。 【解決手段】 ＣｕもしくはＣｕ合金基材、又はＦｅ合
金基材から成る電気電子機器用部品材料表面の一部及至
全面に、少なくとも１層の、且つ、合計の厚さが０．１
μｍ以上である、Ｎｉ又はＮｉ合金被膜と、少なくとも
１層の、且つ、合計の厚さが０．０１μｍ以上１μｍ以
下の、貴金属又は白金族金属、及至はこれらの合金被膜
を有する電気電子機器用部品材料において、基材バリア
としてのＮｉ又はＮｉ合金被膜中のＣｕ又はＦｅの定量
分析値が１．０ｗｔ％以下である耐食性、耐酸化性に優
れる電気電子機器用部品材料。
のバリア被膜を形成し、さらにその上層に様々な特性を
有する貴金属や白金族元素を被覆した被膜構成の電気電
子機器用部品材料において、耐食性や加熱工程後のはん
だ濡れ性などの劣化問題を解決する。 【解決手段】 ＣｕもしくはＣｕ合金基材、又はＦｅ合
金基材から成る電気電子機器用部品材料表面の一部及至
全面に、少なくとも１層の、且つ、合計の厚さが０．１
μｍ以上である、Ｎｉ又はＮｉ合金被膜と、少なくとも
１層の、且つ、合計の厚さが０．０１μｍ以上１μｍ以
下の、貴金属又は白金族金属、及至はこれらの合金被膜
を有する電気電子機器用部品材料において、基材バリア
としてのＮｉ又はＮｉ合金被膜中のＣｕ又はＦｅの定量
分析値が１．０ｗｔ％以下である耐食性、耐酸化性に優
れる電気電子機器用部品材料。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気電子機器に用
いられる部品又は材料とその製造方法に関する。
いられる部品又は材料とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】各種電気電子機器にはＦｅ系材料やＣｕ
又はＣｕ合金材料が広く使用されている。その代表的用
途が個別半導体や集積回路パッケージ用のリード線やリ
ードピン、リードフレームなどのリード材料であり、さ
らにはソケット類やコネクタ、スイッチ類の端子や接点
バネ等々の導電材料用途である。これらは導電性や熱伝
導性、機械的強度や加工性、耐食性、或は経済性など、
何れもＣｕ系やＦｅ−Ｎｉ系合金の優れた特性を利用し
たものである。また、最近の半導体集積回路、回路形成
技術、部品実装技術の発展はめざましく、これらに多用
される材料、特に半導体パッケージ用リード材料用途の
Ｃｕ合金材料において種々の合金開発がなされ、これが
端子、接点バネなどのコンタクト材料用途にも応用され
るようになっている。そして、これらの多くが部品材料
の信頼性を向上させるために、めっきを始めとする種々
の表面処理が施されて使用されている。
又はＣｕ合金材料が広く使用されている。その代表的用
途が個別半導体や集積回路パッケージ用のリード線やリ
ードピン、リードフレームなどのリード材料であり、さ
らにはソケット類やコネクタ、スイッチ類の端子や接点
バネ等々の導電材料用途である。これらは導電性や熱伝
導性、機械的強度や加工性、耐食性、或は経済性など、
何れもＣｕ系やＦｅ−Ｎｉ系合金の優れた特性を利用し
たものである。また、最近の半導体集積回路、回路形成
技術、部品実装技術の発展はめざましく、これらに多用
される材料、特に半導体パッケージ用リード材料用途の
Ｃｕ合金材料において種々の合金開発がなされ、これが
端子、接点バネなどのコンタクト材料用途にも応用され
るようになっている。そして、これらの多くが部品材料
の信頼性を向上させるために、めっきを始めとする種々
の表面処理が施されて使用されている。
【０００３】例えば、前述の用途のうち、多くの必要特
性と厳しい信頼性を要求されるＩＣ用リードフレームを
例として以下に説明する。その１例の断面図を図１に、
平面図を図２に示すと、フレームのタブ部１に素子（例
えばＳｉチップ）２がエポキシなどの接着剤や半田又は
Ａｕ−Ｓｉなどの金属ろうなどの接着層３を介してダイ
ボンドされる。そして、素子上の電極パッド４とフレー
ムのインナーリード端部５とは、Ａｕなどの金属細線６
を介してワイヤボンディングされる。さらにこれらはエ
ポキシなどの樹脂７により封止モールドされ、フレーム
のアウターリード部８の多くはＳｎ又はＳｎ−Ｐｂめっ
きされた後に曲げなどの加工をうけてパッケージが作ら
れている。
性と厳しい信頼性を要求されるＩＣ用リードフレームを
例として以下に説明する。その１例の断面図を図１に、
平面図を図２に示すと、フレームのタブ部１に素子（例
えばＳｉチップ）２がエポキシなどの接着剤や半田又は
Ａｕ−Ｓｉなどの金属ろうなどの接着層３を介してダイ
ボンドされる。そして、素子上の電極パッド４とフレー
ムのインナーリード端部５とは、Ａｕなどの金属細線６
を介してワイヤボンディングされる。さらにこれらはエ
ポキシなどの樹脂７により封止モールドされ、フレーム
のアウターリード部８の多くはＳｎ又はＳｎ−Ｐｂめっ
きされた後に曲げなどの加工をうけてパッケージが作ら
れている。
【０００４】例えばこのリードフレームの材料として
は、基材として古くからのコバール合金（Ｆｅ−Ｎｉ−
Ｃｏ系）や４２アロイに代表されるＦｅ−Ｎｉ系合金に
加え、最近では各種特性を向上させた様々なＣｕ合金材
料が多用されている。Ｆｅ−Ｎｉ系合金は熱伝導性、導
電率には劣るものの、機械的強度が高い上に熱膨張率が
シリコンチップや封止材料に近く、他方、Ｃｕ系材料は
熱、電気の良導体でもあり、従来劣っていた強度も近年
飛躍的に改善されている。特にＣｕ系材料は、半導体パ
ッケージや配線材料、接合部品の高密度化、小型化に伴
って、さらに高強度、高導電性のリードフレームやコン
タクト材料が要求される様になり、これに対応して銅マ
トリックス中に合金元素を微細に析出させて、強度と導
電率の向上を図った析出硬化型の銅合金も種々開発され
用いられている。これら銅合金の一例を以下に示す。
は、基材として古くからのコバール合金（Ｆｅ−Ｎｉ−
Ｃｏ系）や４２アロイに代表されるＦｅ−Ｎｉ系合金に
加え、最近では各種特性を向上させた様々なＣｕ合金材
料が多用されている。Ｆｅ−Ｎｉ系合金は熱伝導性、導
電率には劣るものの、機械的強度が高い上に熱膨張率が
シリコンチップや封止材料に近く、他方、Ｃｕ系材料は
熱、電気の良導体でもあり、従来劣っていた強度も近年
飛躍的に改善されている。特にＣｕ系材料は、半導体パ
ッケージや配線材料、接合部品の高密度化、小型化に伴
って、さらに高強度、高導電性のリードフレームやコン
タクト材料が要求される様になり、これに対応して銅マ
トリックス中に合金元素を微細に析出させて、強度と導
電率の向上を図った析出硬化型の銅合金も種々開発され
用いられている。これら銅合金の一例を以下に示す。
【０００５】Ｃｕ−Ｓｎ系（例えば４Ｓｎ−０．０１
Ｐ，６Ｓｎ−０．１Ｐ，８Ｓｎ−０．１Ｐ，３．５Ｓｎ
−０．２Ｃｒ−０．１Ｐ），Ｃｕ−Ｚｎ系（例１０Ｚ
ｎ），Ｃｕ−Ｆｅ系（例２．４Ｆｅ−０．３Ｚｎ−０．
０４Ｐ，１．５Ｆｅ−０．６Ｓｎ−０．８Ｃｏ−０．１
Ｐ，１Ｆｅ−０．５Ｓｎ−０．５Ｚｎ−０．０２Ｐ，
０．１Ｆｅ−０．０３Ｐ），Ｃｕ−Ｃｏ系（例０．３Ｃ
ｏ−０．１Ｐ），Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ系（例９．５Ｎｉ−
２．３Ｓｎ，０．１Ｎｉ−２．５Ｓｎ−０．１Ｐ），Ｃ
ｕ−Ｚｒ系（例０．１５Ｚｒ），Ｃｕ−Ｓｎ−Ｃｒ系
（例０．２５Ｓｎ−０．２５Ｃｒ−０．２Ｚｎ，０．１
５Ｓｎ−０．１Ｃｒ），Ｃｕ−Ｂｅ系（例１．７Ｂｅ−
０．３Ｃｏ，０．５Ｂｅ−２．５Ｃｏ），Ｃｕ−Ｎｉ−
Ｓｉ系（例３Ｎｉ−０．６Ｓｉ−０．５２Ｚｎ），Ｃｕ
−Ｓｎ−Ｔｉ−Ｎｉ系（例２Ｓｎ−０．２５Ｔｉ−１．
５Ｎｉ−０．５Ｚｎ）等。
Ｐ，６Ｓｎ−０．１Ｐ，８Ｓｎ−０．１Ｐ，３．５Ｓｎ
−０．２Ｃｒ−０．１Ｐ），Ｃｕ−Ｚｎ系（例１０Ｚ
ｎ），Ｃｕ−Ｆｅ系（例２．４Ｆｅ−０．３Ｚｎ−０．
０４Ｐ，１．５Ｆｅ−０．６Ｓｎ−０．８Ｃｏ−０．１
Ｐ，１Ｆｅ−０．５Ｓｎ−０．５Ｚｎ−０．０２Ｐ，
０．１Ｆｅ−０．０３Ｐ），Ｃｕ−Ｃｏ系（例０．３Ｃ
ｏ−０．１Ｐ），Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ系（例９．５Ｎｉ−
２．３Ｓｎ，０．１Ｎｉ−２．５Ｓｎ−０．１Ｐ），Ｃ
ｕ−Ｚｒ系（例０．１５Ｚｒ），Ｃｕ−Ｓｎ−Ｃｒ系
（例０．２５Ｓｎ−０．２５Ｃｒ−０．２Ｚｎ，０．１
５Ｓｎ−０．１Ｃｒ），Ｃｕ−Ｂｅ系（例１．７Ｂｅ−
０．３Ｃｏ，０．５Ｂｅ−２．５Ｃｏ），Ｃｕ−Ｎｉ−
Ｓｉ系（例３Ｎｉ−０．６Ｓｉ−０．５２Ｚｎ），Ｃｕ
−Ｓｎ−Ｔｉ−Ｎｉ系（例２Ｓｎ−０．２５Ｔｉ−１．
５Ｎｉ−０．５Ｚｎ）等。
【０００６】ところで電気電子機器に用いられるこれら
の部品材料は、前述の導電率、強度などの１次特性のほ
かに、主に表面性状に関係する多くの２次特性−例え
ば、耐酸化性、ボンディング性、半田付け性、接点特
性、モールド性、耐食性など−を必要とするため、多く
は全面又は一部を表面処理したり、めっきなどの表面被
膜を形成した後に用いられている。これらの表面特性
は、電気電子部品製品の製造工程や最終性能に、大きな
影響を及ぼす重要な特性であることから、従来より様々
な改良提案もなされて来ている。その主なものはめっき
による被膜形成であり、リードフレームに関する一部を
以下に示した。
の部品材料は、前述の導電率、強度などの１次特性のほ
かに、主に表面性状に関係する多くの２次特性−例え
ば、耐酸化性、ボンディング性、半田付け性、接点特
性、モールド性、耐食性など−を必要とするため、多く
は全面又は一部を表面処理したり、めっきなどの表面被
膜を形成した後に用いられている。これらの表面特性
は、電気電子部品製品の製造工程や最終性能に、大きな
影響を及ぼす重要な特性であることから、従来より様々
な改良提案もなされて来ている。その主なものはめっき
による被膜形成であり、リードフレームに関する一部を
以下に示した。
【０００７】フレーム加工品にＣｕめっきを施して密着
性を向上させる方法（特開昭５９−５８８３３）、Ｓｎ
又はＳｎ合金めっきを行って耐食性、Ａｇめっき性、半
田付け性、ボンディング性を高める方法（特開昭５９−
１７５７５４、特開昭６３−１８７６５４）、Ａｇめっ
き性と半田付け性を向上するための表面処理方法（特開
平０１−３０１９００）、フレーム成形品にＣｕ−Ｚｎ
合金めっきを施してモールド封止性、半田付け性を向上
させる方法（特開昭６０−１８５３、特開昭６２−２０
４５５８）、フレーム材に、Ｃｕ−Ｓｎ合金めっきを施
して封止性、半田付け性を向上させる方法（特開昭６０
−２４０４５、特開昭６２−２０４５５８）、Ｃｕ帯板
にＮｉ−Ｓｎ合金を施して樹脂封止性を向上させる方法
（特開昭６０−２６２４４９）、フレーム材にストライ
プＮｉめっきを施した後ストライプＣｕめっきを施し
て、後のＡｇめっき層密着性を向上させる方法（特開昭
６１−４２１６１）、フレーム材にＣｕめっきを施した
後Ｃｕ酸化膜を形成してレジン封止性を向上させる方法
（特開昭６１−１３９０５０）、Ｃｕ合金条基材にＣｕ
めっきを施した後圧延加工して密着性を向上させたり製
造工程を合理化する方法（特開昭６１−２０１７６２、
特開昭６２−９６５８、特開昭６３−１０７０５４）、
フレーム材にＮｉ合金めっき、Ｓｎ合金めっき、Ｃｕ合
金めっきを順次施して後のＡｇめっき層、半田層の密着
性を向上する方法（特開昭６２−１４４５２）、Ｃｕ−
Ｓｎ系合金基板にＮｉ−Ｃｏ合金めっきして後のＡｇメ
ッキ密着性を向上する方法（特開昭６２−７０５９
６）、フレーム全体にＰｂ−Ｓｎ系合金めっきを施して
Ｃｕの直接ボンディングを可能にする方法（特開昭６２
−１０５４５７）、フレーム材にＮｉめっき、Ｎｉ−Ｐ
系めっきを施して半田耐熱性を改善する方法（特開昭６
３−６９２４０）、Ｎｉめっき後Ｃｕめっきを施して半
田耐熱性を向上する方法（特開昭６３−２４９３６
１）、フレーム材料にＣｕ−Ａｇ合金めっきを施して金
線の直接ボンディングを可能とする方法（特開平０１−
１７８４１、特開平０１−２５７３５７）、フレーム材
にＮｉ−Ｚｎ合金めっきを施して樹脂密着性を向上する
方法（特開平０１−２４５５５１）、外装貴金属めっき
をＰｄとする場合の下地めっきをＮｉ（特開昭５９−１
６８６５９）、Ｓｎ−Ｃｏ（特開平０３−２２５９４
７）、Ｓｎ−Ｎｉ（特開平０３−１０２８５７）、Ｚｎ
−Ｃｕ（特開平０５−３６８７８）とする方法、などの
種々の方法であり、さらにはこれらの多層化、複合化を
図った種々の被膜形成方法が提案されている。このほか
に、Ｃｕ酸化皮膜を形成して主にレジン密着性、ワイヤ
ー接合性を向上する方法（特開平０３−６２９６１）、
或は逆に酸化皮膜等を除去してダイレクトボンディング
性を向上させる方法（特開平０３−６８７８８）なども
ある。
性を向上させる方法（特開昭５９−５８８３３）、Ｓｎ
又はＳｎ合金めっきを行って耐食性、Ａｇめっき性、半
田付け性、ボンディング性を高める方法（特開昭５９−
１７５７５４、特開昭６３−１８７６５４）、Ａｇめっ
き性と半田付け性を向上するための表面処理方法（特開
平０１−３０１９００）、フレーム成形品にＣｕ−Ｚｎ
合金めっきを施してモールド封止性、半田付け性を向上
させる方法（特開昭６０−１８５３、特開昭６２−２０
４５５８）、フレーム材に、Ｃｕ−Ｓｎ合金めっきを施
して封止性、半田付け性を向上させる方法（特開昭６０
−２４０４５、特開昭６２−２０４５５８）、Ｃｕ帯板
にＮｉ−Ｓｎ合金を施して樹脂封止性を向上させる方法
（特開昭６０−２６２４４９）、フレーム材にストライ
プＮｉめっきを施した後ストライプＣｕめっきを施し
て、後のＡｇめっき層密着性を向上させる方法（特開昭
６１−４２１６１）、フレーム材にＣｕめっきを施した
後Ｃｕ酸化膜を形成してレジン封止性を向上させる方法
（特開昭６１−１３９０５０）、Ｃｕ合金条基材にＣｕ
めっきを施した後圧延加工して密着性を向上させたり製
造工程を合理化する方法（特開昭６１−２０１７６２、
特開昭６２−９６５８、特開昭６３−１０７０５４）、
フレーム材にＮｉ合金めっき、Ｓｎ合金めっき、Ｃｕ合
金めっきを順次施して後のＡｇめっき層、半田層の密着
性を向上する方法（特開昭６２−１４４５２）、Ｃｕ−
Ｓｎ系合金基板にＮｉ−Ｃｏ合金めっきして後のＡｇメ
ッキ密着性を向上する方法（特開昭６２−７０５９
６）、フレーム全体にＰｂ−Ｓｎ系合金めっきを施して
Ｃｕの直接ボンディングを可能にする方法（特開昭６２
−１０５４５７）、フレーム材にＮｉめっき、Ｎｉ−Ｐ
系めっきを施して半田耐熱性を改善する方法（特開昭６
３−６９２４０）、Ｎｉめっき後Ｃｕめっきを施して半
田耐熱性を向上する方法（特開昭６３−２４９３６
１）、フレーム材料にＣｕ−Ａｇ合金めっきを施して金
線の直接ボンディングを可能とする方法（特開平０１−
１７８４１、特開平０１−２５７３５７）、フレーム材
にＮｉ−Ｚｎ合金めっきを施して樹脂密着性を向上する
方法（特開平０１−２４５５５１）、外装貴金属めっき
をＰｄとする場合の下地めっきをＮｉ（特開昭５９−１
６８６５９）、Ｓｎ−Ｃｏ（特開平０３−２２５９４
７）、Ｓｎ−Ｎｉ（特開平０３−１０２８５７）、Ｚｎ
−Ｃｕ（特開平０５−３６８７８）とする方法、などの
種々の方法であり、さらにはこれらの多層化、複合化を
図った種々の被膜形成方法が提案されている。このほか
に、Ｃｕ酸化皮膜を形成して主にレジン密着性、ワイヤ
ー接合性を向上する方法（特開平０３−６２９６１）、
或は逆に酸化皮膜等を除去してダイレクトボンディング
性を向上させる方法（特開平０３−６８７８８）なども
ある。
【０００８】但し、従来実用化されているリードフレー
ム製品の表面形態の多くは以下の様に収束される。即
ち、ワイヤボンディングされるインナーリード部やダイ
パッド部上への部分Ａｇめっき、又は下地Ｃｕめっきを
介しての部分Ａｇめっき、或は全面Ｎｉめっきなどであ
る。他方、貴金属めっきを省いたり、基材上に直接Ａｕ
細線でワイヤボンディングを行う方法も、ごく一部の簡
単なトランジスタ等で用いられているものの、信頼性に
乏しく広くは用いられていない。そして、めっきの有無
に関らず、樹脂モールド後のアウターリード部には、半
田付けのためにＳｎ又はＳｎ−Ｐｂめっきが施される。
ム製品の表面形態の多くは以下の様に収束される。即
ち、ワイヤボンディングされるインナーリード部やダイ
パッド部上への部分Ａｇめっき、又は下地Ｃｕめっきを
介しての部分Ａｇめっき、或は全面Ｎｉめっきなどであ
る。他方、貴金属めっきを省いたり、基材上に直接Ａｕ
細線でワイヤボンディングを行う方法も、ごく一部の簡
単なトランジスタ等で用いられているものの、信頼性に
乏しく広くは用いられていない。そして、めっきの有無
に関らず、樹脂モールド後のアウターリード部には、半
田付けのためにＳｎ又はＳｎ−Ｐｂめっきが施される。
【０００９】ところで、最近実用化され始めたリードフ
レームに、特公昭６３−４９３８２や特開平４−１１５
５５８に示される、リードフレーム全面へ下地Ｎｉ又は
Ｎｉ合金めっきを介してＰｄめっきしたもの、或はその
後さらにＡｕめっきを施したものが有る。これらはボン
ディング性と共に半田付けもそのまま可能であるため
に、アウターリード部へ予めＳｎ−Ｐｂめっきなどを施
す必要も無い等、多くの利点が有り、今後様々な半導体
パッケージへ適用されることが期待される。また、リー
ドフレーム用途以外にも、ダイオードやトランジスタの
個別半導体、ＩＣ、コンデンサ、抵抗、水晶振動子など
の気密端子用リード線や接点端子を始めとするコンタク
ト材料において、Ｎｉめっきを施した後、ＡｇやＡｕ、
或はＰｄ、Ｐｄ合金などのめっき皮膜を形成したＣｕ又
はＣｕ合金やＦｅ系合金から成る部材も用いられ、これ
らも貴金属めっきリードフレームと同様に、今後さらに
普及していく傾向にある。
レームに、特公昭６３−４９３８２や特開平４−１１５
５５８に示される、リードフレーム全面へ下地Ｎｉ又は
Ｎｉ合金めっきを介してＰｄめっきしたもの、或はその
後さらにＡｕめっきを施したものが有る。これらはボン
ディング性と共に半田付けもそのまま可能であるため
に、アウターリード部へ予めＳｎ−Ｐｂめっきなどを施
す必要も無い等、多くの利点が有り、今後様々な半導体
パッケージへ適用されることが期待される。また、リー
ドフレーム用途以外にも、ダイオードやトランジスタの
個別半導体、ＩＣ、コンデンサ、抵抗、水晶振動子など
の気密端子用リード線や接点端子を始めとするコンタク
ト材料において、Ｎｉめっきを施した後、ＡｇやＡｕ、
或はＰｄ、Ｐｄ合金などのめっき皮膜を形成したＣｕ又
はＣｕ合金やＦｅ系合金から成る部材も用いられ、これ
らも貴金属めっきリードフレームと同様に、今後さらに
普及していく傾向にある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ｃｕ又
はＣｕ合金やＦｅ系合金基材上へのＮｉ又はＮｉ合金被
膜と、さらにその上層への貴金属又は白金族金属層、及
至はこれらの合金層被膜の被膜構成は、各被膜元素間の
電極電位差が大きくなり過ぎることを原因とする腐食を
起こし易くする。例えば、リード部材やコンタクト部材
が用いられる、半導体やコネクタ、スイッチなどのパッ
ケージされた部品においても、内部へ徐々に浸透して来
る水分や微量アニオンが存在しており、基材に対するバ
リア被膜とはいえ、Ｎｉ又はＮｉ合金被膜の通常避け得
ないピンホールを通して、基材成分のＣｕやＦｅが上層
の貴金属との大きな電極電位差を駆動力として酸化、並
びに腐食反応を起こしてしまう。そのため腐食試験を行
うとひどい場合には緑青や赤さびの生成を伴うなど、耐
食性劣化という大きな問題が派生して来た。特に前述の
ような、ＡｇめっきからＰｄめっき、及至はＰｄめっき
後Ａｕ薄層めっきへの移行は、基材−最外層貴金属元素
間の電極電位差がさらに広がることになるため、益々耐
食性低下が大きな問題となって来ている。従来用いられ
ている下地Ｎｉめっき後Ａｕめっきされるコンタクト部
材での耐食性、特に暴露雰囲気によるガス腐食劣化など
も依然大きな問題となっている。他方、基材バリア被膜
のピンホールの多少、大小は、素材に大きく左右され
る。通常様々な表面欠陥を有するのが素材であり、また
通常のめっき前処理では除去できない酸化物や元素の残
留があるために、このような箇所ではめっき欠陥が発生
し易くなる。
はＣｕ合金やＦｅ系合金基材上へのＮｉ又はＮｉ合金被
膜と、さらにその上層への貴金属又は白金族金属層、及
至はこれらの合金層被膜の被膜構成は、各被膜元素間の
電極電位差が大きくなり過ぎることを原因とする腐食を
起こし易くする。例えば、リード部材やコンタクト部材
が用いられる、半導体やコネクタ、スイッチなどのパッ
ケージされた部品においても、内部へ徐々に浸透して来
る水分や微量アニオンが存在しており、基材に対するバ
リア被膜とはいえ、Ｎｉ又はＮｉ合金被膜の通常避け得
ないピンホールを通して、基材成分のＣｕやＦｅが上層
の貴金属との大きな電極電位差を駆動力として酸化、並
びに腐食反応を起こしてしまう。そのため腐食試験を行
うとひどい場合には緑青や赤さびの生成を伴うなど、耐
食性劣化という大きな問題が派生して来た。特に前述の
ような、ＡｇめっきからＰｄめっき、及至はＰｄめっき
後Ａｕ薄層めっきへの移行は、基材−最外層貴金属元素
間の電極電位差がさらに広がることになるため、益々耐
食性低下が大きな問題となって来ている。従来用いられ
ている下地Ｎｉめっき後Ａｕめっきされるコンタクト部
材での耐食性、特に暴露雰囲気によるガス腐食劣化など
も依然大きな問題となっている。他方、基材バリア被膜
のピンホールの多少、大小は、素材に大きく左右され
る。通常様々な表面欠陥を有するのが素材であり、また
通常のめっき前処理では除去できない酸化物や元素の残
留があるために、このような箇所ではめっき欠陥が発生
し易くなる。
【００１１】昨今の高強度、高導電性を目的とした基材
マトリックス中に様々な合金元素を析出させた材料を用
いた場合には、めっき欠陥要因はさらに多くなる。前述
のＦｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金や様々なＣｕ合金
では、製造工程中の熱処理や大気酸化、内部酸化によっ
て、添加金属の酸化物が表層にも生成しており、さらに
析出型合金の場合には表層又は母材マトリックス中に多
数の微細な晶出物、析出物として金属間化合物や酸化
物、元素が分散析出してもいる。これら酸化物や晶出、
析出物は難溶性のものが多いために、表面処理に際して
は障害となる。これらの表面への残留は部品材料表面の
清浄化と酸化膜除去を難しくし、また、めっきなど表面
被膜形成の場合にはピンホールや不めっき、突起上電着
などの被膜欠陥原因となり易く、耐食性を大きく損なう
結果となる。
マトリックス中に様々な合金元素を析出させた材料を用
いた場合には、めっき欠陥要因はさらに多くなる。前述
のＦｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金や様々なＣｕ合金
では、製造工程中の熱処理や大気酸化、内部酸化によっ
て、添加金属の酸化物が表層にも生成しており、さらに
析出型合金の場合には表層又は母材マトリックス中に多
数の微細な晶出物、析出物として金属間化合物や酸化
物、元素が分散析出してもいる。これら酸化物や晶出、
析出物は難溶性のものが多いために、表面処理に際して
は障害となる。これらの表面への残留は部品材料表面の
清浄化と酸化膜除去を難しくし、また、めっきなど表面
被膜形成の場合にはピンホールや不めっき、突起上電着
などの被膜欠陥原因となり易く、耐食性を大きく損なう
結果となる。
【００１２】さらにはまた、バリア被膜のピンホールの
存在は、貴金属との基材電食をもたらすだけでなく、パ
ッケージング工程などにおけるダイボンディング後ポス
トキュアやモールド後の熱履歴により基材元素を酸化さ
せるという弊害をも生じさせる。基材酸化物はボンディ
ング性、モールド性、特に半田付け性を大きく劣化させ
るために、パッケージング工程の加熱条件が制約される
という問題に繋がる。貴金属を被膜しないバリア被膜だ
けの構成では、特別な場合を除き、例え通常のピンホー
ルを有する被膜でも腐食は軽微に止まるか、或は実際上
あまり問題にはならない。そしてまた、これらは基材元
素が腐食するものであり、そのバリア被膜であるべきＮ
ｉ又はＮｉ合金被膜にピンホール等の被膜欠陥が無けれ
ば、貴金属被膜によっても電位差腐食は容易には起こり
得ないものと考えることも出来るので、そこで、めっき
被膜を必要以上にまで厚くしてピンホール等の防止を図
らなければならないという問題もあった。また、このよ
うな背景、考えのもとで、極力ピンホールを無くす様に
充分配慮しためっき前処理を施したり、或はバリア被膜
を厚くしても、さらに貴金属乃至白金族元素を被覆した
被膜構成では、容易に耐食性、耐酸化性が向上しないと
いう不可解な現象が起きるという問題もあった。このよ
うに従来から用いられて来た、特に電気電子機器用途の
Ｃｕ又はＣｕ合金やＦｅ系合金から成る基材にＮｉ又は
Ｎｉ合金バリア被膜を形成し、さらにその上層に貴金属
や白金族元素の被覆を施した部品材料には、特に耐食性
や耐酸化性に劣るという問題点があった。今後多様化さ
れる傾向に有る貴金属乃至白金族元素の性質と、部品材
料やその最終製品の使用環境の広がり（例えば、電子部
品工場の林立する東南アジア地域を始めとする高湿度、
高Ｃｌ雰囲気、強酸性雨の高腐食環境）から考えて、こ
の電気電子機器部品材料の問題点の解決が切望されてい
る。
存在は、貴金属との基材電食をもたらすだけでなく、パ
ッケージング工程などにおけるダイボンディング後ポス
トキュアやモールド後の熱履歴により基材元素を酸化さ
せるという弊害をも生じさせる。基材酸化物はボンディ
ング性、モールド性、特に半田付け性を大きく劣化させ
るために、パッケージング工程の加熱条件が制約される
という問題に繋がる。貴金属を被膜しないバリア被膜だ
けの構成では、特別な場合を除き、例え通常のピンホー
ルを有する被膜でも腐食は軽微に止まるか、或は実際上
あまり問題にはならない。そしてまた、これらは基材元
素が腐食するものであり、そのバリア被膜であるべきＮ
ｉ又はＮｉ合金被膜にピンホール等の被膜欠陥が無けれ
ば、貴金属被膜によっても電位差腐食は容易には起こり
得ないものと考えることも出来るので、そこで、めっき
被膜を必要以上にまで厚くしてピンホール等の防止を図
らなければならないという問題もあった。また、このよ
うな背景、考えのもとで、極力ピンホールを無くす様に
充分配慮しためっき前処理を施したり、或はバリア被膜
を厚くしても、さらに貴金属乃至白金族元素を被覆した
被膜構成では、容易に耐食性、耐酸化性が向上しないと
いう不可解な現象が起きるという問題もあった。このよ
うに従来から用いられて来た、特に電気電子機器用途の
Ｃｕ又はＣｕ合金やＦｅ系合金から成る基材にＮｉ又は
Ｎｉ合金バリア被膜を形成し、さらにその上層に貴金属
や白金族元素の被覆を施した部品材料には、特に耐食性
や耐酸化性に劣るという問題点があった。今後多様化さ
れる傾向に有る貴金属乃至白金族元素の性質と、部品材
料やその最終製品の使用環境の広がり（例えば、電子部
品工場の林立する東南アジア地域を始めとする高湿度、
高Ｃｌ雰囲気、強酸性雨の高腐食環境）から考えて、こ
の電気電子機器部品材料の問題点の解決が切望されてい
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、電気電子機器
用部品材料の品質、性能に対する要請に鑑みて成された
ものであり、電気電子機器用途に多用される耐食性、耐
酸化性に優れる貴金属乃至白金族金属被覆Ｎｉ又はＮｉ
合金被膜を少なくとも各１層を表層に有する、Ｃｕ又は
Ｃｕ合金、乃至はＦｅ系合金から成る部品材料、及びそ
の製造法を提供するものである。 （１）ＣｕもしくはＣｕ合金基材、又はＦｅ合金基材か
ら成る電気電子機器用部品材料表面の一部及至全面に、
少なくとも１層の、且つ、合計の厚さが０．１μｍ以上
である、Ｎｉ又はＮｉ合金被膜と、少なくとも１層の、
且つ、合計の厚さが０．０１μｍ以上１μｍ以下の、貴
金属又は白金族金属、及至はこれらの合金被膜を有する
電気電子機器用部品材料において、基材バリアとしての
Ｎｉ又はＮｉ合金被膜中のＣｕの定量分析値が１．０ｗ
ｔ％以下であることを特徴とする耐食性、耐酸化性に優
れる電気電子機器用部品材料。 （２）ＣｕもしくはＣｕ合金基材、又はＦｅ合金基材か
ら成る電気電子機器用部品材料表面の一部及至全面に、
少なくとも１層の、且つ、合計の厚さが０．１μｍ以上
である、Ｎｉ又はＮｉ合金被膜と、少なくとも１層の、
且つ、合計の厚さが０．０１μｍ以上１μｍ以下の、貴
金属又は白金族金属、及至はこれらの合金被膜を有する
電気電子機器用部品材料において、基材バリアとしての
Ｎｉ又はＮｉ合金被膜中のＦｅの定量分析値が１．０ｗ
ｔ％以下であることを特徴とする耐食性、耐酸化性に優
れる電気電子機器用部品材料。 （３）前記貴金属がＡｕ、Ａｇ、Ｐｄのうちから選ばれ
る少なくとも１種であることを特徴とする請求項１又は
２に記載の耐食性、耐酸化性に優れる電気電子機器用部
品材料。 （４）ＣｕもしくはＣｕ合金基材、又はＦｅ合金基材か
ら成る電気電子機器用部品材料表面の一部及至全面に、
少なくとも１層のＮｉ又はＮｉ合金めっき被膜と、少な
くとも１層の貴金属もしくは白金族金属、又はこれらの
合金めっき被膜を形成する方法において、前記Ｎｉ又は
Ｎｉ合金めっきを、めっき液中の含まれる銅イオン（Ｃ
ｕ2+、Ｃｕ+ ）濃度が１ｐｐｍ以下であるＮｉめっき液
を用いて行うことを特徴とする耐食性、耐酸化性に優れ
る電気電子機器用部品材料の製造方法。 （５）ＣｕもしくはＣｕ合金基材、又はＦｅ合金基材か
ら成る電気電子機器用部品材料表面の一部及至全面に、
少なくとも１層のＮｉ又はＮｉ合金めっき被膜と、少な
くとも１層の貴金属もしくは白金族金属、又はこれらの
合金めっき被膜を形成する方法において、前記Ｎｉ又は
Ｎｉ合金めっきを、めっき液中の含まれる鉄イオン（Ｆ
ｅ2+、Ｆｅ3+）濃度が１．５ｐｐｍ以下であるＮｉめっ
き液を用いて行うことを特徴とする耐食性、耐酸化性に
優れる電気電子機器用部品材料の製造方法。 （６）前記Ｎｉ又はＮｉ合金めっきを、めっき液温が１
０℃〜４５℃の範囲内にて行うことを特徴とする請求項
４又は５に記載の耐食性に優れる電気電子機器用部品材
料の製造方法。 （７）前記Ｎｉ又はＮｉ合金めっきを、カソード電流密
度が１５Ａ／ｄｍ2 〜４０Ａ／ｄｍ2 の範囲内にて行う
ことを特徴とする請求項４〜６のいずれか１項に記載の
耐食性、耐酸化性に優れる電気電子機器用部品材料の製
造方法。 （８）前記Ｎｉ又はＮｉ合金めっきを、めっき液のＮｉ
濃度が１０ｇ／ｄｍ3 〜５０ｇ／ｄｍ3 の範囲内にて行
うことを特徴とする請求項４〜７のいずれか１項に記載
の耐食性、耐酸化性に優れる電気電子機器用部品材料の
製造方法。 （９）前記Ｎｉ又はＮｉ合金めっき、並びに貴金属又は
白金族金属及至はこれらの合金めっきに先立って、ア
ルカリカソード脱脂処理、基材表層溶解処理、アル
カリアノード処理、酸洗処理、の各工程を→→
→の順番に少なくとも各１回ずつ実施する前処理を行
うことを特徴とする請求項４〜８のいずれか１項に記載
の耐食性、耐酸化性に優れる電気電子機器用部品材料の
製造方法。 （１０）前記基材表層溶解処理に用いる処理液が、酸と
過酸化物を含有するか、酸と可溶性フッ化物を含有する
か、或は酸と過酸化物と可溶性フッ化物を含有するか、
の何れかであることを特徴とする請求項９に記載の耐食
性、耐酸化性に優れる電気電子機器用部品材料の製造方
法。 （１１）前記貴金属もしくは白金族金属がＡｕ、Ａｇ、
Ｐｄのうちの少なくとも１種であることを特徴とする請
求項４〜１０のいずれか１項に記載の耐食性、耐酸化性
に優れる電気電子機器用部品材料の製造方法。 以下、説明において上記（１）〜（１１）項の各発明
を、それぞれ、本発明の第１〜１１発明と称する。
用部品材料の品質、性能に対する要請に鑑みて成された
ものであり、電気電子機器用途に多用される耐食性、耐
酸化性に優れる貴金属乃至白金族金属被覆Ｎｉ又はＮｉ
合金被膜を少なくとも各１層を表層に有する、Ｃｕ又は
Ｃｕ合金、乃至はＦｅ系合金から成る部品材料、及びそ
の製造法を提供するものである。 （１）ＣｕもしくはＣｕ合金基材、又はＦｅ合金基材か
ら成る電気電子機器用部品材料表面の一部及至全面に、
少なくとも１層の、且つ、合計の厚さが０．１μｍ以上
である、Ｎｉ又はＮｉ合金被膜と、少なくとも１層の、
且つ、合計の厚さが０．０１μｍ以上１μｍ以下の、貴
金属又は白金族金属、及至はこれらの合金被膜を有する
電気電子機器用部品材料において、基材バリアとしての
Ｎｉ又はＮｉ合金被膜中のＣｕの定量分析値が１．０ｗ
ｔ％以下であることを特徴とする耐食性、耐酸化性に優
れる電気電子機器用部品材料。 （２）ＣｕもしくはＣｕ合金基材、又はＦｅ合金基材か
ら成る電気電子機器用部品材料表面の一部及至全面に、
少なくとも１層の、且つ、合計の厚さが０．１μｍ以上
である、Ｎｉ又はＮｉ合金被膜と、少なくとも１層の、
且つ、合計の厚さが０．０１μｍ以上１μｍ以下の、貴
金属又は白金族金属、及至はこれらの合金被膜を有する
電気電子機器用部品材料において、基材バリアとしての
Ｎｉ又はＮｉ合金被膜中のＦｅの定量分析値が１．０ｗ
ｔ％以下であることを特徴とする耐食性、耐酸化性に優
れる電気電子機器用部品材料。 （３）前記貴金属がＡｕ、Ａｇ、Ｐｄのうちから選ばれ
る少なくとも１種であることを特徴とする請求項１又は
２に記載の耐食性、耐酸化性に優れる電気電子機器用部
品材料。 （４）ＣｕもしくはＣｕ合金基材、又はＦｅ合金基材か
ら成る電気電子機器用部品材料表面の一部及至全面に、
少なくとも１層のＮｉ又はＮｉ合金めっき被膜と、少な
くとも１層の貴金属もしくは白金族金属、又はこれらの
合金めっき被膜を形成する方法において、前記Ｎｉ又は
Ｎｉ合金めっきを、めっき液中の含まれる銅イオン（Ｃ
ｕ2+、Ｃｕ+ ）濃度が１ｐｐｍ以下であるＮｉめっき液
を用いて行うことを特徴とする耐食性、耐酸化性に優れ
る電気電子機器用部品材料の製造方法。 （５）ＣｕもしくはＣｕ合金基材、又はＦｅ合金基材か
ら成る電気電子機器用部品材料表面の一部及至全面に、
少なくとも１層のＮｉ又はＮｉ合金めっき被膜と、少な
くとも１層の貴金属もしくは白金族金属、又はこれらの
合金めっき被膜を形成する方法において、前記Ｎｉ又は
Ｎｉ合金めっきを、めっき液中の含まれる鉄イオン（Ｆ
ｅ2+、Ｆｅ3+）濃度が１．５ｐｐｍ以下であるＮｉめっ
き液を用いて行うことを特徴とする耐食性、耐酸化性に
優れる電気電子機器用部品材料の製造方法。 （６）前記Ｎｉ又はＮｉ合金めっきを、めっき液温が１
０℃〜４５℃の範囲内にて行うことを特徴とする請求項
４又は５に記載の耐食性に優れる電気電子機器用部品材
料の製造方法。 （７）前記Ｎｉ又はＮｉ合金めっきを、カソード電流密
度が１５Ａ／ｄｍ2 〜４０Ａ／ｄｍ2 の範囲内にて行う
ことを特徴とする請求項４〜６のいずれか１項に記載の
耐食性、耐酸化性に優れる電気電子機器用部品材料の製
造方法。 （８）前記Ｎｉ又はＮｉ合金めっきを、めっき液のＮｉ
濃度が１０ｇ／ｄｍ3 〜５０ｇ／ｄｍ3 の範囲内にて行
うことを特徴とする請求項４〜７のいずれか１項に記載
の耐食性、耐酸化性に優れる電気電子機器用部品材料の
製造方法。 （９）前記Ｎｉ又はＮｉ合金めっき、並びに貴金属又は
白金族金属及至はこれらの合金めっきに先立って、ア
ルカリカソード脱脂処理、基材表層溶解処理、アル
カリアノード処理、酸洗処理、の各工程を→→
→の順番に少なくとも各１回ずつ実施する前処理を行
うことを特徴とする請求項４〜８のいずれか１項に記載
の耐食性、耐酸化性に優れる電気電子機器用部品材料の
製造方法。 （１０）前記基材表層溶解処理に用いる処理液が、酸と
過酸化物を含有するか、酸と可溶性フッ化物を含有する
か、或は酸と過酸化物と可溶性フッ化物を含有するか、
の何れかであることを特徴とする請求項９に記載の耐食
性、耐酸化性に優れる電気電子機器用部品材料の製造方
法。 （１１）前記貴金属もしくは白金族金属がＡｕ、Ａｇ、
Ｐｄのうちの少なくとも１種であることを特徴とする請
求項４〜１０のいずれか１項に記載の耐食性、耐酸化性
に優れる電気電子機器用部品材料の製造方法。 以下、説明において上記（１）〜（１１）項の各発明
を、それぞれ、本発明の第１〜１１発明と称する。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明において基材としてはＣｕ
もしくはＣｕ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金、又はＦｅ−Ｎｉ−
Ｃｏ合金、ステンレスなどのＦｅ系合金が用いられる。
この発明の基材表面乃至基材表層に形成される少なくと
も１層のＮｉ又はＮｉ合金のうち、Ｎｉ合金には、Ｎｉ
−Ｃｏ、Ｎｉ−Ｐｄ、Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｂなどの合金が
用いられる。また、基材上に形成されたＮｉ又はＮｉ合
金被膜上層にさらに少なくとも１層被覆される貴金属又
は白金族金属、乃至はこれらの合金被膜には、例えばＡ
ｕ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ａｕ
−Ａｇ、Ｐｄ−Ａｕ、Ｐｄ−Ａｇ、Ｐｄ−Ｎｉなどが適
用されるが、これらは各々の用途の電気電子部品や製造
工程において必要とされる、前出の表面特性を満たす元
素やその合金が任意に用いられる。但し、前出のように
現状、好ましくはＡｇ、Ａｕ、或はＰｄ、Ｐｄ合金が用
いられている。
もしくはＣｕ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金、又はＦｅ−Ｎｉ−
Ｃｏ合金、ステンレスなどのＦｅ系合金が用いられる。
この発明の基材表面乃至基材表層に形成される少なくと
も１層のＮｉ又はＮｉ合金のうち、Ｎｉ合金には、Ｎｉ
−Ｃｏ、Ｎｉ−Ｐｄ、Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｂなどの合金が
用いられる。また、基材上に形成されたＮｉ又はＮｉ合
金被膜上層にさらに少なくとも１層被覆される貴金属又
は白金族金属、乃至はこれらの合金被膜には、例えばＡ
ｕ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ａｕ
−Ａｇ、Ｐｄ−Ａｕ、Ｐｄ−Ａｇ、Ｐｄ−Ｎｉなどが適
用されるが、これらは各々の用途の電気電子部品や製造
工程において必要とされる、前出の表面特性を満たす元
素やその合金が任意に用いられる。但し、前出のように
現状、好ましくはＡｇ、Ａｕ、或はＰｄ、Ｐｄ合金が用
いられている。
【００１５】Ｎｉ又はＮｉ合金被膜の合計の厚さを０．
１μｍ以上とするのは、０．１μｍ未満では厚さが薄過
ぎて基材を全面覆うことが出来ずにピンホールが多くて
基材バリア被膜として機能することが出来ないためであ
る。その被膜厚さの合計の上限は特には設けるものでは
なく、用途部品のコストと性能との兼合いから決めれば
良いが、通常厚くとも３〜５μｍ程度、曲げ加工される
用途にはせいぜい１〜２μｍに止めることが望ましい。
さらには貴金属又は白金族金属、乃至はこれらの合金被
膜の合計の厚さを０．０１〜１μｍと限定する理由は、
下限は０．０１μｍ未満では例えば、ワイヤボンディン
グ性、半田付け性、接点特性などの電気電子機器用途特
性を満たさないためであり、上限の１μｍを越える厚さ
ではコストが上昇して好ましくない点に加え、貴金属乃
至白金族元素によっては被膜の割れや下地Ｎｉ又はＮｉ
合金皮膜からの剥離を生ずるようになるためである。
１μｍ以上とするのは、０．１μｍ未満では厚さが薄過
ぎて基材を全面覆うことが出来ずにピンホールが多くて
基材バリア被膜として機能することが出来ないためであ
る。その被膜厚さの合計の上限は特には設けるものでは
なく、用途部品のコストと性能との兼合いから決めれば
良いが、通常厚くとも３〜５μｍ程度、曲げ加工される
用途にはせいぜい１〜２μｍに止めることが望ましい。
さらには貴金属又は白金族金属、乃至はこれらの合金被
膜の合計の厚さを０．０１〜１μｍと限定する理由は、
下限は０．０１μｍ未満では例えば、ワイヤボンディン
グ性、半田付け性、接点特性などの電気電子機器用途特
性を満たさないためであり、上限の１μｍを越える厚さ
ではコストが上昇して好ましくない点に加え、貴金属乃
至白金族元素によっては被膜の割れや下地Ｎｉ又はＮｉ
合金皮膜からの剥離を生ずるようになるためである。
【００１６】第１〜第３発明の電気電子機器用部品材料
において、Ｎｉ又はＮｉ合金被膜中のＣｕ又はＦｅの含
有量を１．０ｗｔ％以下とするのは、基材バリアのため
の被膜でありながら易腐食元素のＣｕ又はＦｅを含有す
ることは、Ｎｉ又はＮｉ合金被膜のピンホールによる耐
食性劣化に言及する前の問題として回避する必要がある
ためである。通常被膜の厚さを厚くするとピンホールが
減少して耐食性が向上するものであるが、Ｎｉ又はＮｉ
合金被膜中に微量とは言え、一定量以上のＣｕ、Ｆｅを
含有している場合には却って耐食性を落としていること
が判明した。ＥＰＭＡのＺＡＦ法による定量分析で被膜
中に１．０ｗｔ％を越える量のＣｕ又はＦｅが含有され
ている場合には、この傾向が顕著になり被膜の厚さを増
すにつれて却って著しく腐食し易くなる。これは被膜に
含有されるＣｕ又はＦｅの総量が増えるためである。Ｃ
ｕ又はＦｅの含有量は、１．０ｗｔ％以下が好ましい。
ＥＰＭＡ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐｒｏｂｅ ｘ−ｒａｙ
Ｍｉｃｒｏ Ａｎａｌｙｚｅｒ）におけるＺＡＦ補正
法による定量分析とは、１００％に近い純度の元素との
特性Ｘ線強度の比を測定し、これにマトリックスの原子
番号補正、自己吸収補正、二次Ｘ線の蛍光励起補正など
の各補正を行うことによって合金中の含有元素の濃度を
決定する、電子線を用いた周知の定量分析方法である。
本発明においてＣｕ又はＦｅの定量分析値を１．０ｗｔ
％以下とするＮｉ又はＮｉ合金被膜は、Ｎｉ又はＮｉ合
金被膜が複数層存在する場合は、実質的に基材バリアた
る層（通常、最下層の基材の上の被膜）がその条件を満
たせば良いが、全てのＮｉ又はＮｉ合金被膜がその条件
を満足するのが好ましい。第１発明において、Ｎｉ又は
Ｎｉ合金被膜中のＣｕ定量分析値が１．０ｗｔ％である
場合はＦｅの含有量は定量分析限界値以下である。第２
発明においてＮｉ又はＮｉ合金被膜中のＦｅ定量分析値
が１．０ｗｔ％である場合はＣｕの含有量は定量分析限
界値以下である。第１〜第３発明においてＮｉ又はＮｉ
合金被膜中のＣｕとＦｅの含有量の合計は、定量分析値
で１．０ｗｔ％以下である。Ｃｕ又はＣｕ合金基材を用
いる場合にはＣｕを、Ｆｅ合金基材を用いる場合には、
Ｆｅを含有し易くなるが、新しく建浴調製後のめっき液
にも不純物としてＣｕイオンやＦｅイオンも含有されて
いる場合が多いので、いずれの基材を用いてもＮｉ又は
Ｎｉ合金被膜中へのＣｕとＦｅの両方の含有の可能性が
ある。本発明に係る電気電子機器用部品材料の具体的な
構造は、その用途などにより異なるが被膜が部品や材料
表面の一部分を、例えば矩形状の様なスポットやストラ
イプ状などに被覆したものや露出全表面を被覆したもの
であり、好ましくは基材バリアの役目を果たすＮｉ又は
Ｎｉ合金被膜は全面に有する構造が望ましい。Ｃｕもし
くはＣｕ合金基材又はＦｅ合金基材上の、Ｎｉ又はＮｉ
合金被膜と貴金属又は白金族金属、乃至はこれらの合金
被膜の積層数は、通常２〜３であり、その積層状態（順
序）は例えば、３層では基材側／Ｎｉ又はＮｉ合金被膜
／貴金属又は白金族／貴金属又は白金族／最外層側であ
るが、これに制限されるものはない。
において、Ｎｉ又はＮｉ合金被膜中のＣｕ又はＦｅの含
有量を１．０ｗｔ％以下とするのは、基材バリアのため
の被膜でありながら易腐食元素のＣｕ又はＦｅを含有す
ることは、Ｎｉ又はＮｉ合金被膜のピンホールによる耐
食性劣化に言及する前の問題として回避する必要がある
ためである。通常被膜の厚さを厚くするとピンホールが
減少して耐食性が向上するものであるが、Ｎｉ又はＮｉ
合金被膜中に微量とは言え、一定量以上のＣｕ、Ｆｅを
含有している場合には却って耐食性を落としていること
が判明した。ＥＰＭＡのＺＡＦ法による定量分析で被膜
中に１．０ｗｔ％を越える量のＣｕ又はＦｅが含有され
ている場合には、この傾向が顕著になり被膜の厚さを増
すにつれて却って著しく腐食し易くなる。これは被膜に
含有されるＣｕ又はＦｅの総量が増えるためである。Ｃ
ｕ又はＦｅの含有量は、１．０ｗｔ％以下が好ましい。
ＥＰＭＡ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐｒｏｂｅ ｘ−ｒａｙ
Ｍｉｃｒｏ Ａｎａｌｙｚｅｒ）におけるＺＡＦ補正
法による定量分析とは、１００％に近い純度の元素との
特性Ｘ線強度の比を測定し、これにマトリックスの原子
番号補正、自己吸収補正、二次Ｘ線の蛍光励起補正など
の各補正を行うことによって合金中の含有元素の濃度を
決定する、電子線を用いた周知の定量分析方法である。
本発明においてＣｕ又はＦｅの定量分析値を１．０ｗｔ
％以下とするＮｉ又はＮｉ合金被膜は、Ｎｉ又はＮｉ合
金被膜が複数層存在する場合は、実質的に基材バリアた
る層（通常、最下層の基材の上の被膜）がその条件を満
たせば良いが、全てのＮｉ又はＮｉ合金被膜がその条件
を満足するのが好ましい。第１発明において、Ｎｉ又は
Ｎｉ合金被膜中のＣｕ定量分析値が１．０ｗｔ％である
場合はＦｅの含有量は定量分析限界値以下である。第２
発明においてＮｉ又はＮｉ合金被膜中のＦｅ定量分析値
が１．０ｗｔ％である場合はＣｕの含有量は定量分析限
界値以下である。第１〜第３発明においてＮｉ又はＮｉ
合金被膜中のＣｕとＦｅの含有量の合計は、定量分析値
で１．０ｗｔ％以下である。Ｃｕ又はＣｕ合金基材を用
いる場合にはＣｕを、Ｆｅ合金基材を用いる場合には、
Ｆｅを含有し易くなるが、新しく建浴調製後のめっき液
にも不純物としてＣｕイオンやＦｅイオンも含有されて
いる場合が多いので、いずれの基材を用いてもＮｉ又は
Ｎｉ合金被膜中へのＣｕとＦｅの両方の含有の可能性が
ある。本発明に係る電気電子機器用部品材料の具体的な
構造は、その用途などにより異なるが被膜が部品や材料
表面の一部分を、例えば矩形状の様なスポットやストラ
イプ状などに被覆したものや露出全表面を被覆したもの
であり、好ましくは基材バリアの役目を果たすＮｉ又は
Ｎｉ合金被膜は全面に有する構造が望ましい。Ｃｕもし
くはＣｕ合金基材又はＦｅ合金基材上の、Ｎｉ又はＮｉ
合金被膜と貴金属又は白金族金属、乃至はこれらの合金
被膜の積層数は、通常２〜３であり、その積層状態（順
序）は例えば、３層では基材側／Ｎｉ又はＮｉ合金被膜
／貴金属又は白金族／貴金属又は白金族／最外層側であ
るが、これに制限されるものはない。
【００１７】第４発明の製造方法は、少なくとも１層を
有するＮｉ又はＮｉ合金めっき被膜を、めっき液中に含
まれる銅イオン（Ｃｕ2+、Ｃｕ+ ）濃度が１ｐｐｍ以下
であるＮｉ又はＮｉ合金めっき液を用いて行う被膜形成
方法であり、これはＮｉ又はＮｉ合金めっき液中含有銅
イオンが１ｐｐｍを越えると電析Ｎｉ被膜中へのＣｕの
共析量が増大して飛躍的に耐食性を劣化させるためであ
る。この傾向は密度の高いパターンを有するリードフレ
ームのような部材ではさらに強くなる。従って、めっき
液へ不可避的に混入して来る銅イオン濃度と、電析被膜
中のＣｕ含有量を限定する必要がある。特にＣｕ又はＣ
ｕ合金基材を用いる場合には、多量のＣｕ基材をめっき
処理し続けると次第にめっき液中へＣｕが不可避的に溶
解蓄積して来る。ＣｕはＮｉよりも標準電極電位が貴で
あり、一般にこの様な場合にはＣｕの優先的な析出が起
こる。また、めっきの電流密度を始めとするめっき条件
にもよるが、その溶存濃度が高くなるにつれてめっき時
にＮｉ又はＮｉ合金中に共析して来るＣｕ量は飛躍的に
増大して来る。耐食性や耐酸化性はそれぞれの部品材料
によって要求レベルが異なるが、リードフレームの様な
要求品質の厳しい部材では、一般にＮｉ又はＮｉ合金め
っき液中の不純物（Ｃｕ）濃度が１ｐｐｍを越えると、
前記の電析Ｎｉ被膜中の銅の共析量が多くなって耐食
性、耐酸化性を大きく劣化させて、その許容レベルを下
回ってしまう。従って、めっき液の貯液層などの循環ラ
インの何れかにおいて、例えば０．２Ａ／ｄｍ2 程度の
低カソード電流密度で弱電解することによりＣｕイオン
を除去して、１ｐｐｍ以下の一定限度以下に保つ必要が
ある。キレート樹脂への通液による吸着除去等々、その
他の除去方法も有効であるが、弱電解法では、Ｚｎ、Ｐ
ｂ、Ｆｅなどその他の多くの金属不純物イオンも同時に
除去出来る利点も有り望ましい。
有するＮｉ又はＮｉ合金めっき被膜を、めっき液中に含
まれる銅イオン（Ｃｕ2+、Ｃｕ+ ）濃度が１ｐｐｍ以下
であるＮｉ又はＮｉ合金めっき液を用いて行う被膜形成
方法であり、これはＮｉ又はＮｉ合金めっき液中含有銅
イオンが１ｐｐｍを越えると電析Ｎｉ被膜中へのＣｕの
共析量が増大して飛躍的に耐食性を劣化させるためであ
る。この傾向は密度の高いパターンを有するリードフレ
ームのような部材ではさらに強くなる。従って、めっき
液へ不可避的に混入して来る銅イオン濃度と、電析被膜
中のＣｕ含有量を限定する必要がある。特にＣｕ又はＣ
ｕ合金基材を用いる場合には、多量のＣｕ基材をめっき
処理し続けると次第にめっき液中へＣｕが不可避的に溶
解蓄積して来る。ＣｕはＮｉよりも標準電極電位が貴で
あり、一般にこの様な場合にはＣｕの優先的な析出が起
こる。また、めっきの電流密度を始めとするめっき条件
にもよるが、その溶存濃度が高くなるにつれてめっき時
にＮｉ又はＮｉ合金中に共析して来るＣｕ量は飛躍的に
増大して来る。耐食性や耐酸化性はそれぞれの部品材料
によって要求レベルが異なるが、リードフレームの様な
要求品質の厳しい部材では、一般にＮｉ又はＮｉ合金め
っき液中の不純物（Ｃｕ）濃度が１ｐｐｍを越えると、
前記の電析Ｎｉ被膜中の銅の共析量が多くなって耐食
性、耐酸化性を大きく劣化させて、その許容レベルを下
回ってしまう。従って、めっき液の貯液層などの循環ラ
インの何れかにおいて、例えば０．２Ａ／ｄｍ2 程度の
低カソード電流密度で弱電解することによりＣｕイオン
を除去して、１ｐｐｍ以下の一定限度以下に保つ必要が
ある。キレート樹脂への通液による吸着除去等々、その
他の除去方法も有効であるが、弱電解法では、Ｚｎ、Ｐ
ｂ、Ｆｅなどその他の多くの金属不純物イオンも同時に
除去出来る利点も有り望ましい。
【００１８】第５発明の製造方法は、少なくとも１層を
有するＮｉ又はＮｉ合金めっき被膜を、めっき液中に含
まれる鉄イオン（Ｆｅ2+、Ｆｅ3+）濃度が１．５ｐｐｍ
以下であるＮｉ又はＮｉ合金めっき液を用いて行う被膜
形成方法であり、これはＮｉ又はＮｉ合金めっき液中の
含有Ｆｅイオンが１．５ｐｐｍを越えると電析Ｎｉ被膜
中へのＦｅの共析量が増大して耐食性を劣化させるため
である。この傾向は密度の高いパターンを有するリード
フレームのような部材ではさらに強くなる。従って、め
っき液へ不可避的に混入して来る鉄イオン濃度と、電析
被膜中のＦｅ含有量を限定する必要がある。特にＦｅ系
合金基材を用いる場合には、多量のＦｅ系合金基材をめ
っき処理し続けると次第にめっき液中へＦｅが不可避的
に溶解蓄積して来るので必須となる。ＦｅはＮｉよりも
標準電極電位が卑であるが、ＮｉとＦｅが共存するよう
な鉄族の場合には、一般の場合とは異なり卑なＦｅから
優先的に析出が起こる。また、めっきの電流密度を始め
とするめっき条件にもよるが、その溶存濃度が高くなる
につれて、めっき時にＮｉ又はＮｉ合金中に共析して来
るＦｅ量は飛躍的に増大して来る。耐食性や耐酸化性は
それぞれの部品材料によって要求レベルが異なるが、リ
ードフレームの様な要求品質の厳しい部材では、一般に
ＦｅのＮｉ又はＮｉ合金めっき液中の不純物濃度が１．
５ｐｐｍを越えると、前記の電析Ｎｉ被膜中のＦｅの共
析量が多くなって耐食性、耐酸化性を大きく劣化させ
て、その許容レベルを下回ってしまう。従って、前記銅
イオンの場合と同様にめっき液の貯液層などの循環ライ
ンの何れかにおいて、例えば０．２Ａ／ｄｍ2 程度の低
カソード電流密度で弱電解することにより鉄イオンを除
去して、１．５ｐｐｍ以下の一定限度以下に保つ必要が
ある。キレート樹脂への通液による吸着や酸化と高ｐＨ
処理による除去等々、その他の除去方法も有効である
が、弱電解法では、Ｃｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｐｂなどその他
の多くの有害金属不純物イオンも同時に除去できる利点
も有り望ましい。Ｆｅイオン、Ｃｕイオン両者共含む場
合は、Ｆｅ量×２／３＋Ｃｕ量≦１ｐｐｍにする必要が
ある。
有するＮｉ又はＮｉ合金めっき被膜を、めっき液中に含
まれる鉄イオン（Ｆｅ2+、Ｆｅ3+）濃度が１．５ｐｐｍ
以下であるＮｉ又はＮｉ合金めっき液を用いて行う被膜
形成方法であり、これはＮｉ又はＮｉ合金めっき液中の
含有Ｆｅイオンが１．５ｐｐｍを越えると電析Ｎｉ被膜
中へのＦｅの共析量が増大して耐食性を劣化させるため
である。この傾向は密度の高いパターンを有するリード
フレームのような部材ではさらに強くなる。従って、め
っき液へ不可避的に混入して来る鉄イオン濃度と、電析
被膜中のＦｅ含有量を限定する必要がある。特にＦｅ系
合金基材を用いる場合には、多量のＦｅ系合金基材をめ
っき処理し続けると次第にめっき液中へＦｅが不可避的
に溶解蓄積して来るので必須となる。ＦｅはＮｉよりも
標準電極電位が卑であるが、ＮｉとＦｅが共存するよう
な鉄族の場合には、一般の場合とは異なり卑なＦｅから
優先的に析出が起こる。また、めっきの電流密度を始め
とするめっき条件にもよるが、その溶存濃度が高くなる
につれて、めっき時にＮｉ又はＮｉ合金中に共析して来
るＦｅ量は飛躍的に増大して来る。耐食性や耐酸化性は
それぞれの部品材料によって要求レベルが異なるが、リ
ードフレームの様な要求品質の厳しい部材では、一般に
ＦｅのＮｉ又はＮｉ合金めっき液中の不純物濃度が１．
５ｐｐｍを越えると、前記の電析Ｎｉ被膜中のＦｅの共
析量が多くなって耐食性、耐酸化性を大きく劣化させ
て、その許容レベルを下回ってしまう。従って、前記銅
イオンの場合と同様にめっき液の貯液層などの循環ライ
ンの何れかにおいて、例えば０．２Ａ／ｄｍ2 程度の低
カソード電流密度で弱電解することにより鉄イオンを除
去して、１．５ｐｐｍ以下の一定限度以下に保つ必要が
ある。キレート樹脂への通液による吸着や酸化と高ｐＨ
処理による除去等々、その他の除去方法も有効である
が、弱電解法では、Ｃｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｐｂなどその他
の多くの有害金属不純物イオンも同時に除去できる利点
も有り望ましい。Ｆｅイオン、Ｃｕイオン両者共含む場
合は、Ｆｅ量×２／３＋Ｃｕ量≦１ｐｐｍにする必要が
ある。
【００１９】第６発明の製造方法においてＮｉ又はＮｉ
合金めっき液の温度を１０〜４５℃に、また第７発明に
てＮｉ又はＮｉ合金めっきにおけるカソード電流密度を
１５〜４０Ａ／ｄｍ2 に、さらに第８発明にてＮｉ又は
Ｎｉ合金めっき液の濃度を１０〜５０ｇ／ｄｍ3 に、そ
れぞれさらに限定するのは、Ｃｕ又はＦｅの共析が最小
限に抑られた上に、これらのめっき条件による電析Ｎｉ
又はＮｉ合金被膜を有するとさらに耐食性が良好になる
ためである。これらのめっき条件は被膜をより平滑に電
析させ得る傾向が有り、基材をより均一に被覆してピン
ホールの生成を抑止する。めっき液の温度は低い方が耐
食性に優れる傾向にあるが、電流密度が高い場合には余
りに液温が低いとヤケ状の電着となってしまい、却って
基材の均一被覆性を落とすので１０℃を下限とし、上限
は被膜の平滑被覆性の落とさない温度として４５℃とす
る。電流密度範囲は、低過ぎると耐食性が劣り、高過ぎ
ると電流集中が勝る結果、却ってピンホールやめっき欠
陥が発生する理由から限定した。Ｎｉ又はＮｉ合金金属
の合計濃度範囲の限定は、低金属濃度ほど、より平滑で
ピンホールの少ない耐食性に優れるめっき被膜が得られ
る傾向にあることから、５０ｇ／ｄｍ3 を上限とし、低
濃度が良好とは言え、めっき設備によっては金属イオン
補給の観点からはある程度の濃度維持が必要であること
から下限を１０ｇ／ｄｍ3 に限定する。また、その他の
めっき液の条件として耐食性をさらに向上させるには、
被膜をアタックしたり基材元素の直接の腐食原因であ
る、Ｃｌイオンを含有しないＮｉめっき液を使用するの
が望ましい。しかし、めっき液成分として添加せずとも
不純物としてもＣｌは混入してくるため、Ｃｌイオン１
００ｐｐｍ以下として管理したＮｉめっき液を用いる。
合金めっき液の温度を１０〜４５℃に、また第７発明に
てＮｉ又はＮｉ合金めっきにおけるカソード電流密度を
１５〜４０Ａ／ｄｍ2 に、さらに第８発明にてＮｉ又は
Ｎｉ合金めっき液の濃度を１０〜５０ｇ／ｄｍ3 に、そ
れぞれさらに限定するのは、Ｃｕ又はＦｅの共析が最小
限に抑られた上に、これらのめっき条件による電析Ｎｉ
又はＮｉ合金被膜を有するとさらに耐食性が良好になる
ためである。これらのめっき条件は被膜をより平滑に電
析させ得る傾向が有り、基材をより均一に被覆してピン
ホールの生成を抑止する。めっき液の温度は低い方が耐
食性に優れる傾向にあるが、電流密度が高い場合には余
りに液温が低いとヤケ状の電着となってしまい、却って
基材の均一被覆性を落とすので１０℃を下限とし、上限
は被膜の平滑被覆性の落とさない温度として４５℃とす
る。電流密度範囲は、低過ぎると耐食性が劣り、高過ぎ
ると電流集中が勝る結果、却ってピンホールやめっき欠
陥が発生する理由から限定した。Ｎｉ又はＮｉ合金金属
の合計濃度範囲の限定は、低金属濃度ほど、より平滑で
ピンホールの少ない耐食性に優れるめっき被膜が得られ
る傾向にあることから、５０ｇ／ｄｍ3 を上限とし、低
濃度が良好とは言え、めっき設備によっては金属イオン
補給の観点からはある程度の濃度維持が必要であること
から下限を１０ｇ／ｄｍ3 に限定する。また、その他の
めっき液の条件として耐食性をさらに向上させるには、
被膜をアタックしたり基材元素の直接の腐食原因であ
る、Ｃｌイオンを含有しないＮｉめっき液を使用するの
が望ましい。しかし、めっき液成分として添加せずとも
不純物としてもＣｌは混入してくるため、Ｃｌイオン１
００ｐｐｍ以下として管理したＮｉめっき液を用いる。
【００２０】第９及び第１０発明は、めっきに先立って
行う前処理に関する方法であって、前記Ｎｉ又はＮｉ合
金めっき、並びに貴金属又は貴金属合金めっきに先立っ
て、アルカリソード脱脂処理、基材表層溶解処理、
アルカリアノード処理、酸洗処理、の各工程を→
→→の順番に少なくとも各１回ずつ実施するめっ
きの前処理方法であり、さらに、基材表層溶解処理に
用いる処理液が、酸と過酸化物を含有するか、酸と可溶
性フッ化物を含有するか、或は酸と過酸化物と可溶性フ
ッ化物を含有するか、の何れかであることを限定しため
っきの前処理方法である。一般的には、例えば、のア
ルカリ脱脂液での浸漬処理、或はカソードやアノードに
分極した電解脱脂を行った後に酸洗処理を行うが、これ
らの一連の処理をめっき工程の前に施すとさらに耐食性
に優れるめっき被膜が得られる。のアルカリカソード
脱脂処理は、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、メタ
ケイ酸ナトリウム、リン酸三ナトリウムなどの水溶液に
界面活性剤等の添加剤を加えた、公知のアルカリ系脱脂
液を用いて、カソード側に保持して電解脱脂を行うもの
である。
行う前処理に関する方法であって、前記Ｎｉ又はＮｉ合
金めっき、並びに貴金属又は貴金属合金めっきに先立っ
て、アルカリソード脱脂処理、基材表層溶解処理、
アルカリアノード処理、酸洗処理、の各工程を→
→→の順番に少なくとも各１回ずつ実施するめっ
きの前処理方法であり、さらに、基材表層溶解処理に
用いる処理液が、酸と過酸化物を含有するか、酸と可溶
性フッ化物を含有するか、或は酸と過酸化物と可溶性フ
ッ化物を含有するか、の何れかであることを限定しため
っきの前処理方法である。一般的には、例えば、のア
ルカリ脱脂液での浸漬処理、或はカソードやアノードに
分極した電解脱脂を行った後に酸洗処理を行うが、これ
らの一連の処理をめっき工程の前に施すとさらに耐食性
に優れるめっき被膜が得られる。のアルカリカソード
脱脂処理は、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、メタ
ケイ酸ナトリウム、リン酸三ナトリウムなどの水溶液に
界面活性剤等の添加剤を加えた、公知のアルカリ系脱脂
液を用いて、カソード側に保持して電解脱脂を行うもの
である。
【００２１】の基材表層溶解処理は、１）硫酸や硝酸
などの酸に、過酸化水素、オゾンなどの過酸化物を加え
た水溶液、或は、２）酸に、フッ化水素水や酸性又は中
性フッ化アンモニウム、酸性又は中性フッ化ナトリウ
ム、酸性又は中性フッ化カリウムなどの可溶性フッ化物
を加えた水溶液、さらには３）酸と過酸化物に、さらに
これらの可溶性フッ化物を添加した水溶液が、それぞれ
使用される基材の種類、合金組成によって選択される。
但し、酸と過酸化物を含有する場合には、その含有比を
酸／過酸化物≧０．５（モル比）とするのが好ましい。
酸は表面酸化皮膜を溶解する作用を有し、過酸化物は酸
素イオンを遊離して基材を酸化させる作用を有し、酸と
共存して基材表層を溶解する。また、可溶性フッ化物に
はフッ素イオンを遊離して析出物をも分解して溶解させ
る作用が有る。酸と過酸化物の含有モル比が０．５未満
の様な酸に対する過酸化物の濃度が極端に高い場合に
は、基材表面を溶解するのではなく、却って表面を酸化
皮膜が生成するまでに酸化してしまうことがある。通常
は室温に近い温度で浸漬処理される。例えば、通常の銅
又は銅合金の場合には、１）、２）、３）の何れの水溶
液も用いることが出来るが、４２アロイや４〜１０ｗｔ
％程度の高Ｓｎ含有Ｃｕ合金、或は前述した元素や金属
間化合物などを析出させて機械的性能を改善させたＣｕ
合金などは、３）の様な可溶性フッ化物を含有して、析
出物を分解、溶解し得る水溶液を使用する方が良い。特
に、Ｎｉ2 ＳｉやＦｅx Ｐなどの難溶性の析出物を含有
した、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系のコルソン合金やＣｕ−Ｆｅ
−Ｐ系合金はフッ化物を含有した酸−過酸化物系水溶液
を用いた方が良い。これら過酸化水素などの分解防止、
安定剤として公知の脂肪族アルコールを添加しても何ら
差し支えない。これらは市販もされており、ＣＰＢ４０
やＣＰＥ１０００（三菱瓦斯化学（株））、或はアクタ
ン７０を添加したメルポリッシュカパー６０（メルテッ
クス（株））などを用いても良い。
などの酸に、過酸化水素、オゾンなどの過酸化物を加え
た水溶液、或は、２）酸に、フッ化水素水や酸性又は中
性フッ化アンモニウム、酸性又は中性フッ化ナトリウ
ム、酸性又は中性フッ化カリウムなどの可溶性フッ化物
を加えた水溶液、さらには３）酸と過酸化物に、さらに
これらの可溶性フッ化物を添加した水溶液が、それぞれ
使用される基材の種類、合金組成によって選択される。
但し、酸と過酸化物を含有する場合には、その含有比を
酸／過酸化物≧０．５（モル比）とするのが好ましい。
酸は表面酸化皮膜を溶解する作用を有し、過酸化物は酸
素イオンを遊離して基材を酸化させる作用を有し、酸と
共存して基材表層を溶解する。また、可溶性フッ化物に
はフッ素イオンを遊離して析出物をも分解して溶解させ
る作用が有る。酸と過酸化物の含有モル比が０．５未満
の様な酸に対する過酸化物の濃度が極端に高い場合に
は、基材表面を溶解するのではなく、却って表面を酸化
皮膜が生成するまでに酸化してしまうことがある。通常
は室温に近い温度で浸漬処理される。例えば、通常の銅
又は銅合金の場合には、１）、２）、３）の何れの水溶
液も用いることが出来るが、４２アロイや４〜１０ｗｔ
％程度の高Ｓｎ含有Ｃｕ合金、或は前述した元素や金属
間化合物などを析出させて機械的性能を改善させたＣｕ
合金などは、３）の様な可溶性フッ化物を含有して、析
出物を分解、溶解し得る水溶液を使用する方が良い。特
に、Ｎｉ2 ＳｉやＦｅx Ｐなどの難溶性の析出物を含有
した、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系のコルソン合金やＣｕ−Ｆｅ
−Ｐ系合金はフッ化物を含有した酸−過酸化物系水溶液
を用いた方が良い。これら過酸化水素などの分解防止、
安定剤として公知の脂肪族アルコールを添加しても何ら
差し支えない。これらは市販もされており、ＣＰＢ４０
やＣＰＥ１０００（三菱瓦斯化学（株））、或はアクタ
ン７０を添加したメルポリッシュカパー６０（メルテッ
クス（株））などを用いても良い。
【００２２】のアルカリアノード処理というのは、例
えば、前出のアルカリ脱脂液と同類のアルカリ水溶液
中で基材をアノード側に分極して処理することをいう。
これにより表面に露出している難溶性の元素や合金、或
はこれらの酸化物をアノード溶解させたり、アノード溶
出し難いものでもマトリックスのＣｕやＦｅ、Ｎｉほか
の固溶成分のアノード溶出によって、或は酸素ガスを発
生させて、析出化合物を物理的に表層から脱落させる作
用を有し、後のめっき工程でピンホール等のめっき欠陥
の原因になる表面残留物質を極力除くことが出来る。前
記析出元素の例としてはＣｒが代表的であり、析出化合
物としてはＢｅ−Ｃｕ，Ｚｒ−Ｃｕ，Ｆｅ−Ｐ，Ｔｉ−
Ｎｉ，Ｔｉ−Ｎｉ−Ｓｎ，Ｎｉ−Ｓｉ，Ｎｉ−Ｓｎの各
系の化合物などがある。しかしながら、アルカリアノー
ド処理を行うと、基材表面のマトリックスと、場合によ
って表面に残留している析出元素や金属間化合物が酸化
するために、その後めっき前に酸化膜を溶解除去して表
面を活性化する必要があるので、アノード処理後酸洗処
理を行う。Ｃｕ系合金には通常硫酸水溶液が、Ｆｅ系合
金には塩酸水溶液や硫酸水溶液など、何れも酸化皮膜を
溶解するだけの、非酸化性の酸の希薄水溶液が用いら
れ、通常室温前後の液温条件にて浸漬処理される。
えば、前出のアルカリ脱脂液と同類のアルカリ水溶液
中で基材をアノード側に分極して処理することをいう。
これにより表面に露出している難溶性の元素や合金、或
はこれらの酸化物をアノード溶解させたり、アノード溶
出し難いものでもマトリックスのＣｕやＦｅ、Ｎｉほか
の固溶成分のアノード溶出によって、或は酸素ガスを発
生させて、析出化合物を物理的に表層から脱落させる作
用を有し、後のめっき工程でピンホール等のめっき欠陥
の原因になる表面残留物質を極力除くことが出来る。前
記析出元素の例としてはＣｒが代表的であり、析出化合
物としてはＢｅ−Ｃｕ，Ｚｒ−Ｃｕ，Ｆｅ−Ｐ，Ｔｉ−
Ｎｉ，Ｔｉ−Ｎｉ−Ｓｎ，Ｎｉ−Ｓｉ，Ｎｉ−Ｓｎの各
系の化合物などがある。しかしながら、アルカリアノー
ド処理を行うと、基材表面のマトリックスと、場合によ
って表面に残留している析出元素や金属間化合物が酸化
するために、その後めっき前に酸化膜を溶解除去して表
面を活性化する必要があるので、アノード処理後酸洗処
理を行う。Ｃｕ系合金には通常硫酸水溶液が、Ｆｅ系合
金には塩酸水溶液や硫酸水溶液など、何れも酸化皮膜を
溶解するだけの、非酸化性の酸の希薄水溶液が用いら
れ、通常室温前後の液温条件にて浸漬処理される。
【００２３】尚、これら〜の処理の順序は、→
→→の順番に実施する必要がある。但し、この間や
前後に他の処理を行うことは可能でもあるが、最終的に
めっき前にこの順に少なくとも各１回の処理が実施され
ていれば良い。例えば、（１）必ずめっき前には酸洗
工程を入れる必要があり、（２）基材表面溶解処理を行
った後には必ずアルカリアノード処理を少なくとも１
回実施した後酸洗を実施する必要があり、さらには
アノード処理を行った後には基材溶解処理を行わずに
次の酸洗処理するか、又はアノード処理後再び基
材溶解処理をする場合には酸洗前に必ず再びアルカ
リアノード処理を行わなければならない。これら一連の
前処理を実施すると、Ｃｕ又はＦｅの被膜中への共析量
とは無関係に、前述したピンホールのさらに少ないＮｉ
又はＮｉ合金被膜は得られ、貴金属被膜後に耐食性に更
に優れる結果が得られる。尚、何れの処理の後にも水洗
処理は必要であり、さらにはめっき直前には脱イオン水
洗浄してめっき液の汚染防止を図ることが望ましい。第
３発明と第１１発明では、前記貴金属又は白金族金属、
及至はこれらの合金の主元素がＡｕ、Ａｇ、Ｐｄのうち
の少なくとも１種であり、これらは基材バリアとしての
Ｎｉ又はＮｉ合金上に被膜した場合にも、電極電位が高
いために特に耐食性、加熱時の耐酸化性が問題となり易
い。しかしながら、本発明による表層被膜構成、及び被
膜形成、製造方法によれば、優れた耐食性能、耐酸化性
能を備えた電気電子機器用途部品材料が可能となる。
→→の順番に実施する必要がある。但し、この間や
前後に他の処理を行うことは可能でもあるが、最終的に
めっき前にこの順に少なくとも各１回の処理が実施され
ていれば良い。例えば、（１）必ずめっき前には酸洗
工程を入れる必要があり、（２）基材表面溶解処理を行
った後には必ずアルカリアノード処理を少なくとも１
回実施した後酸洗を実施する必要があり、さらには
アノード処理を行った後には基材溶解処理を行わずに
次の酸洗処理するか、又はアノード処理後再び基
材溶解処理をする場合には酸洗前に必ず再びアルカ
リアノード処理を行わなければならない。これら一連の
前処理を実施すると、Ｃｕ又はＦｅの被膜中への共析量
とは無関係に、前述したピンホールのさらに少ないＮｉ
又はＮｉ合金被膜は得られ、貴金属被膜後に耐食性に更
に優れる結果が得られる。尚、何れの処理の後にも水洗
処理は必要であり、さらにはめっき直前には脱イオン水
洗浄してめっき液の汚染防止を図ることが望ましい。第
３発明と第１１発明では、前記貴金属又は白金族金属、
及至はこれらの合金の主元素がＡｕ、Ａｇ、Ｐｄのうち
の少なくとも１種であり、これらは基材バリアとしての
Ｎｉ又はＮｉ合金上に被膜した場合にも、電極電位が高
いために特に耐食性、加熱時の耐酸化性が問題となり易
い。しかしながら、本発明による表層被膜構成、及び被
膜形成、製造方法によれば、優れた耐食性能、耐酸化性
能を備えた電気電子機器用途部品材料が可能となる。
【００２４】
【実施例】以下に本発明を実施例によりさらに詳細に説
明する。 実施例１ 次に挙げる厚さ０．２５ｍｍのＣｕ合金とＦｅ合金の板
を、幅３４ｍｍ、長さ１７２ｍｍの２８ｐｉｎのフレー
ム８連のリードフレームにエッチング加工したものを耐
食性評価用基材として用いた。また、幅１０ｍｍ、長さ
６０ｍｍの板形状をはんだ濡れ性試験用基材とした。但
し、リード線の評価として、０．５ｍｍΦ、長さ１５０
ｍｍのＡｇ入りＣｕ線も両試験用に基材として用いた。
Ｃｕ−２．３ｗｔ％Ｆｅ−０．１ｗｔ％Ｚｎ−０．１ｗ
ｔ％Ｐ（Ｃｕ−Ｆｅ系），Ｃｕ−２ｗｔ％Ｓｎ−０．１
ｗｔ％Ｆｅ−０．０３ｗｔ％Ｐ（Ｃｕ−Ｓｎ−Ｆｅ
系），Ｃｕ−２．５ｗｔ％Ｎｉ−０．６ｗｔ％Ｓｉ−
０．５ｗｔ％Ｚｎ（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系），Ｃｕ−８ｗ
ｔ％Ｓｎ−０．２ｗｔ％Ｐ（Ｃｕ−Ｓｎ−Ｐ系），６２
ｗｔ％Ｃｕ−１７ｗｔ％Ｎｉ−２１ｗｔ％Ｚｎ（Ｃｕ−
Ｎｉ−Ｚｎ系），Ｆｅ−４２ｗｔ％Ｎｉ（Ｆｅ−Ｎｉ
系），Ｃｕ−０．０３ｗｔ％Ａｇ（Ｃｕ−Ａｇ系／
線）。めっき前処理として次の様な処理を組み合わせて
行った。アルカリカソード脱脂：クリーナ１６０（メ
ルテックス（株））６ｗｔ％水溶液、６０℃でカソード
電流密度３Ａ／ｄｍ2 での電解脱脂、基材表面溶解処
理：溶解処理液として、１）１０ｗｔ％硫酸と３ｗｔ％
過酸化水素を含有した水溶液、２）１０ｗｔ％硫酸と１
ｗｔ％酸性フッ化アンモニウムを含有した水溶液、３）
１０ｗｔ％硫酸と３ｗｔ％過酸化水素、１ｗｔ％酸性フ
ッ化アンモニウムを含有した水溶液、の３種類を適宜用
いた。表面溶解処理をする場合、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合
金に３）液をＣｕ−高Ｓｎ−Ｐ系には２）液を用い、そ
の他は１）液を用いて室温にて３０秒浸漬処理した。
アルカリアノード処理：の液を別途建浴し、６０℃で
アノード電流密度４Ａ／ｄｍ2 でアノード処理した。
酸洗処理：１０ｗｔ％硫酸水溶液に室温で３０秒浸漬処
理した。用いた工程は、→、→→→、の２
通りで各処理後には水洗を行い、めっき前には脱イオン
水洗浄を行った。続いて、基材バリア被膜のＮｉ又はＮ
ｉ合金被膜を、次に挙げる各めっき液を用いて、液温４
０℃、カソード電流密度２０Ａ／ｄｍ2 の条件にて行っ
た。尚、めっき液中のＣｕ2+の量は新建浴直後の液につ
いての原子吸光法による定量分析値をもとに、スルファ
ミン酸Ｃｕによって添加調整した。この時の、めっき液
中の鉄イオンの濃度は０．３ｐｐｍであった（被膜中
０．３ｗｔ％未満であった。）。また各被膜形成条件に
おけるＮｉ又はＮｉ合金電析被膜中に含まれるＣｕ量
は、基材上にめっきした約５μｍ厚さの被膜を、ＥＰＭ
ＡのＺＡＦ補正法による定量分析ｎ＝５を行うことから
求めた。分析条件は、ＥＰＭＡ−２３００（（株）島津
製作所）、加速電圧１０ｋＶ、試料電流１０-7Ａで行
い、標準試料には９９．９９％純度を用いた。
明する。 実施例１ 次に挙げる厚さ０．２５ｍｍのＣｕ合金とＦｅ合金の板
を、幅３４ｍｍ、長さ１７２ｍｍの２８ｐｉｎのフレー
ム８連のリードフレームにエッチング加工したものを耐
食性評価用基材として用いた。また、幅１０ｍｍ、長さ
６０ｍｍの板形状をはんだ濡れ性試験用基材とした。但
し、リード線の評価として、０．５ｍｍΦ、長さ１５０
ｍｍのＡｇ入りＣｕ線も両試験用に基材として用いた。
Ｃｕ−２．３ｗｔ％Ｆｅ−０．１ｗｔ％Ｚｎ−０．１ｗ
ｔ％Ｐ（Ｃｕ−Ｆｅ系），Ｃｕ−２ｗｔ％Ｓｎ−０．１
ｗｔ％Ｆｅ−０．０３ｗｔ％Ｐ（Ｃｕ−Ｓｎ−Ｆｅ
系），Ｃｕ−２．５ｗｔ％Ｎｉ−０．６ｗｔ％Ｓｉ−
０．５ｗｔ％Ｚｎ（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系），Ｃｕ−８ｗ
ｔ％Ｓｎ−０．２ｗｔ％Ｐ（Ｃｕ−Ｓｎ−Ｐ系），６２
ｗｔ％Ｃｕ−１７ｗｔ％Ｎｉ−２１ｗｔ％Ｚｎ（Ｃｕ−
Ｎｉ−Ｚｎ系），Ｆｅ−４２ｗｔ％Ｎｉ（Ｆｅ−Ｎｉ
系），Ｃｕ−０．０３ｗｔ％Ａｇ（Ｃｕ−Ａｇ系／
線）。めっき前処理として次の様な処理を組み合わせて
行った。アルカリカソード脱脂：クリーナ１６０（メ
ルテックス（株））６ｗｔ％水溶液、６０℃でカソード
電流密度３Ａ／ｄｍ2 での電解脱脂、基材表面溶解処
理：溶解処理液として、１）１０ｗｔ％硫酸と３ｗｔ％
過酸化水素を含有した水溶液、２）１０ｗｔ％硫酸と１
ｗｔ％酸性フッ化アンモニウムを含有した水溶液、３）
１０ｗｔ％硫酸と３ｗｔ％過酸化水素、１ｗｔ％酸性フ
ッ化アンモニウムを含有した水溶液、の３種類を適宜用
いた。表面溶解処理をする場合、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合
金に３）液をＣｕ−高Ｓｎ−Ｐ系には２）液を用い、そ
の他は１）液を用いて室温にて３０秒浸漬処理した。
アルカリアノード処理：の液を別途建浴し、６０℃で
アノード電流密度４Ａ／ｄｍ2 でアノード処理した。
酸洗処理：１０ｗｔ％硫酸水溶液に室温で３０秒浸漬処
理した。用いた工程は、→、→→→、の２
通りで各処理後には水洗を行い、めっき前には脱イオン
水洗浄を行った。続いて、基材バリア被膜のＮｉ又はＮ
ｉ合金被膜を、次に挙げる各めっき液を用いて、液温４
０℃、カソード電流密度２０Ａ／ｄｍ2 の条件にて行っ
た。尚、めっき液中のＣｕ2+の量は新建浴直後の液につ
いての原子吸光法による定量分析値をもとに、スルファ
ミン酸Ｃｕによって添加調整した。この時の、めっき液
中の鉄イオンの濃度は０．３ｐｐｍであった（被膜中
０．３ｗｔ％未満であった。）。また各被膜形成条件に
おけるＮｉ又はＮｉ合金電析被膜中に含まれるＣｕ量
は、基材上にめっきした約５μｍ厚さの被膜を、ＥＰＭ
ＡのＺＡＦ補正法による定量分析ｎ＝５を行うことから
求めた。分析条件は、ＥＰＭＡ−２３００（（株）島津
製作所）、加速電圧１０ｋＶ、試料電流１０-7Ａで行
い、標準試料には９９．９９％純度を用いた。
【００２５】Ｎｉめっき液：Ｎｉ（ＮＨ2 ＳＯ3 ）2 ・
４Ｈ2 Ｏ １６０ｇ／ｄｍ3 、Ｈ3ＢＯ3 ３０ｇ／ｄ
ｍ3 、４０℃ Ｎｉ−Ｃｏ合金めっき液：Ｎｉ（ＮＨ2 ＳＯ3 ）2 ・４
Ｈ2 Ｏ １６０ｇ／ｄｍ3 、Ｃｏ（ＮＨ2 ＳＯ3 ）2 ・
４Ｈ2 Ｏ １０ｇ／ｄｍ3 、Ｈ3 ＢＯ3 ３０ｇ／ｄｍ
3 、４０℃ Ｎｉ−Ｐ合金めっき液：ＮｉＳＯ4 ・６Ｈ2 Ｏ １７５
ｇ／ｄｍ3 、Ｈ3 ＰＯ4 ５０ｇ／ｄｍ3 、Ｈ3 ＰＯ3
１ｇ／ｄｍ3 、７５℃ Ｎｉ−Ｂ合金めっき液：ＮｉＳＯ4 ・６Ｈ2 Ｏ １７５
ｇ／ｄｍ3 、（ＣＨ3）3 Ｎ・ＢＨ3 ５０ｇ／ｄｍ
3 、６５℃ Ｎｉ−Ｐｄ合金めっき液：パラブライト−ＴＮ２０（日
本高純度化学（株））、４０℃ 貴金属又は白金族金属、或はその合金被膜は、次に挙げ
るめっき液を用いて行った。 Ｐｄめっき液：パラブライト−ＳＳＴ−Ｌ（日本高純度
化学（株））、６０℃、３Ａ／ｄｍ2 Ａｕめっき液：アフタープレーティング（日本高純度化
学（株））、５０℃、１Ａ／ｄｍ2 Ａｇめっき液：ＫＡｇ（ＣＮ）2 ５０ｇ／ｄｍ3 、Ｋ
ＣＮ ７０ｇ／ｄｍ3、ＫＯＨ １０ｇ／ｄｍ3 、ＫＣ
Ｏ3 ２０ｇ／ｄｍ3 、２５℃ ３Ａ／ｄｍ2 Ｐｄ−Ａｕめっき液：ＡＵＲＵＮＡ５４９（デグサジャ
パン（株））、５５℃０．５Ａ／ｄｍ2 Ｐｄ−Ａｇめっき液：パラブライト−ＳＳＴ−ＷＡＢＰ
（日本高純度化学（株））、６５℃、２Ａ／ｄｍ2 Ｐｄ−Ｎｉめっき液：ＰｄＮｉ４６６（デグサジャパン
（株））、４５℃、１０Ａ／ｄｍ2 Ｐｔめっき液：プラタネックスIII ＬＳ（日本エレクト
ロプレーティング・エンジニヤーズ）、７５℃、２Ａ／
ｄｍ2 Ｉｒめっき液：イリデックス１００（日本エレクトロプ
レーティング・エンジニヤーズ）、８５℃、０．１５Ａ
／ｄｍ2 Ｒｈめっき液：ローデックス（日本エレクトロプレーテ
ィング・エンジニヤーズ）、５０℃、１．３Ａ／ｄｍ2 Ｒｕめっき液：ルテネックス（日本エレクトロプレーテ
ィング・エンジニヤーズ）、６０℃、１Ａ／ｄｍ2
４Ｈ2 Ｏ １６０ｇ／ｄｍ3 、Ｈ3ＢＯ3 ３０ｇ／ｄ
ｍ3 、４０℃ Ｎｉ−Ｃｏ合金めっき液：Ｎｉ（ＮＨ2 ＳＯ3 ）2 ・４
Ｈ2 Ｏ １６０ｇ／ｄｍ3 、Ｃｏ（ＮＨ2 ＳＯ3 ）2 ・
４Ｈ2 Ｏ １０ｇ／ｄｍ3 、Ｈ3 ＢＯ3 ３０ｇ／ｄｍ
3 、４０℃ Ｎｉ−Ｐ合金めっき液：ＮｉＳＯ4 ・６Ｈ2 Ｏ １７５
ｇ／ｄｍ3 、Ｈ3 ＰＯ4 ５０ｇ／ｄｍ3 、Ｈ3 ＰＯ3
１ｇ／ｄｍ3 、７５℃ Ｎｉ−Ｂ合金めっき液：ＮｉＳＯ4 ・６Ｈ2 Ｏ １７５
ｇ／ｄｍ3 、（ＣＨ3）3 Ｎ・ＢＨ3 ５０ｇ／ｄｍ
3 、６５℃ Ｎｉ−Ｐｄ合金めっき液：パラブライト−ＴＮ２０（日
本高純度化学（株））、４０℃ 貴金属又は白金族金属、或はその合金被膜は、次に挙げ
るめっき液を用いて行った。 Ｐｄめっき液：パラブライト−ＳＳＴ−Ｌ（日本高純度
化学（株））、６０℃、３Ａ／ｄｍ2 Ａｕめっき液：アフタープレーティング（日本高純度化
学（株））、５０℃、１Ａ／ｄｍ2 Ａｇめっき液：ＫＡｇ（ＣＮ）2 ５０ｇ／ｄｍ3 、Ｋ
ＣＮ ７０ｇ／ｄｍ3、ＫＯＨ １０ｇ／ｄｍ3 、ＫＣ
Ｏ3 ２０ｇ／ｄｍ3 、２５℃ ３Ａ／ｄｍ2 Ｐｄ−Ａｕめっき液：ＡＵＲＵＮＡ５４９（デグサジャ
パン（株））、５５℃０．５Ａ／ｄｍ2 Ｐｄ−Ａｇめっき液：パラブライト−ＳＳＴ−ＷＡＢＰ
（日本高純度化学（株））、６５℃、２Ａ／ｄｍ2 Ｐｄ−Ｎｉめっき液：ＰｄＮｉ４６６（デグサジャパン
（株））、４５℃、１０Ａ／ｄｍ2 Ｐｔめっき液：プラタネックスIII ＬＳ（日本エレクト
ロプレーティング・エンジニヤーズ）、７５℃、２Ａ／
ｄｍ2 Ｉｒめっき液：イリデックス１００（日本エレクトロプ
レーティング・エンジニヤーズ）、８５℃、０．１５Ａ
／ｄｍ2 Ｒｈめっき液：ローデックス（日本エレクトロプレーテ
ィング・エンジニヤーズ）、５０℃、１．３Ａ／ｄｍ2 Ｒｕめっき液：ルテネックス（日本エレクトロプレーテ
ィング・エンジニヤーズ）、６０℃、１Ａ／ｄｍ2
【００２６】以上の基本的なめっき処理工程をもと作成
した本発明例（Ｎｏ．１〜４２）、従来例（Ｎｏ．４３
〜５５）の供試材（各ｎ＝２）の各種条件を表１、２及
び３に示した（なお、表中の組成を示す％はｗｔ％を示
す。以下同様。）。従来例のうち、Ｎｏ．５３〜５５に
Ａｇめっき部材を比較評価したが、密着性保持のために
公知のシアン化Ｃｕとシアン化Ｎａ含有液によるＣｕス
トライク下地めっきを行った。尚、Ｎｏ．４０とＮｏ．
４７はＮｉ→Ｐｄ−Ｎｉ合金→Ｎｉ→Ｐｄの４層の被膜
構成、Ｎｏ．４１とＮｏ．４８はＮｉ→Ｐｄ→Ｐｄ−Ｎ
ｉ合金→Ｐｄ→Ａｕの５層構成であり、各被膜の厚さは
蛍光Ｘ線で測定してめっき時間を調整した。フレーム形
状試料をＪＩＳＺ ２３７１に基づいた塩水噴霧試験を
Ｃｕ合金について２４時間、Ｆｅ合金については６時間
実施した。そして、目視外観により相対的に（優）◎→
○→△→×（劣）４段階評価した。また、板状のめっき
試料を３３５℃のホットプレート上にて４５秒加熱保持
したものを、放冷後に半分の長さに切断したものの端部
がめっきされている側を、２３０℃、Ｓｎ−Ｐｂ共晶は
んだ、ＲＭＡタイプフラックス、動的濡れ性試験機 Ｗ
ＥＴ−３０００（レスカ（株））を用いて、メニスコグ
ラフ法により濡れ時間（ゼロクロス時間）を測定して比
較評価した。これらの試験結果を表１、２及び３に示し
た。
した本発明例（Ｎｏ．１〜４２）、従来例（Ｎｏ．４３
〜５５）の供試材（各ｎ＝２）の各種条件を表１、２及
び３に示した（なお、表中の組成を示す％はｗｔ％を示
す。以下同様。）。従来例のうち、Ｎｏ．５３〜５５に
Ａｇめっき部材を比較評価したが、密着性保持のために
公知のシアン化Ｃｕとシアン化Ｎａ含有液によるＣｕス
トライク下地めっきを行った。尚、Ｎｏ．４０とＮｏ．
４７はＮｉ→Ｐｄ−Ｎｉ合金→Ｎｉ→Ｐｄの４層の被膜
構成、Ｎｏ．４１とＮｏ．４８はＮｉ→Ｐｄ→Ｐｄ−Ｎ
ｉ合金→Ｐｄ→Ａｕの５層構成であり、各被膜の厚さは
蛍光Ｘ線で測定してめっき時間を調整した。フレーム形
状試料をＪＩＳＺ ２３７１に基づいた塩水噴霧試験を
Ｃｕ合金について２４時間、Ｆｅ合金については６時間
実施した。そして、目視外観により相対的に（優）◎→
○→△→×（劣）４段階評価した。また、板状のめっき
試料を３３５℃のホットプレート上にて４５秒加熱保持
したものを、放冷後に半分の長さに切断したものの端部
がめっきされている側を、２３０℃、Ｓｎ−Ｐｂ共晶は
んだ、ＲＭＡタイプフラックス、動的濡れ性試験機 Ｗ
ＥＴ−３０００（レスカ（株））を用いて、メニスコグ
ラフ法により濡れ時間（ゼロクロス時間）を測定して比
較評価した。これらの試験結果を表１、２及び３に示し
た。
【００２７】
【表１】
【００２８】
【表２】
【００２９】
【表３】
【００３０】実施例２ 次に、基材バリア被膜のめっき条件の相違による耐食性
を試験評価した。実施例１のＮｏ．３とＮｏ．１１の条
件を基本として、液温、電流密度、Ｎｉ濃度のそれぞれ
の条件を変化させて、実施例１のフレーム形状部材をｎ
＝２で１μｍ厚さのＮｉめっき、その後０．１μｍ厚さ
のＰｄめっきをした。これらを実施例１同様塩水噴霧試
験を行い、外観評価と共に実態顕微鏡観察による微視的
評価も行った。めっき条件と評価結果を表４に示した。
微視的評価は表４の下に示すように相対的な６段階とし
た。
を試験評価した。実施例１のＮｏ．３とＮｏ．１１の条
件を基本として、液温、電流密度、Ｎｉ濃度のそれぞれ
の条件を変化させて、実施例１のフレーム形状部材をｎ
＝２で１μｍ厚さのＮｉめっき、その後０．１μｍ厚さ
のＰｄめっきをした。これらを実施例１同様塩水噴霧試
験を行い、外観評価と共に実態顕微鏡観察による微視的
評価も行った。めっき条件と評価結果を表４に示した。
微視的評価は表４の下に示すように相対的な６段階とし
た。
【００３１】
【表４】
【００３２】実施例１の評価結果（表１、２及び３）か
ら、本発明例のＮｏ．１〜Ｎｏ．４２は、従来例Ｎｏ．
４３〜Ｎｏ．５２の、Ｎｉ又はＮｉ合金めっき液のＣｕ
2+不純物量と、Ｎｉ又はＮｉ合金めっき被膜中のＣｕ含
有量の相違を除く、前処理条件とめっき被膜構成が同一
の条件における比較から、それらのＣｕの含有量の低い
条件のものが、特に耐食性に優れることが判る。例え
ば、Ｎｏ．３とＮｏ．４３、Ｎｏ．８とＮｏ．４４、Ｎ
ｏ．１１とＮｏ．４５、Ｎｏ．１６とＮｏ．４６、Ｎ
ｏ．４０とＮｏ．４７、Ｎｏ．４１とＮｏ．４８、Ｎ
ｏ．４２とＮｏ．４９、Ｎｏ．３１とＮｏ．５０、Ｎ
ｏ．２４とＮｏ．５１、Ｎｏ．２５とＮｏ．５２、の比
較で判り、はんだ濡れ性も同様にＣｕ含有量の少ない供
試材に優れている。また、従来例よりも優れることもは
っきり判る。また、これらは合金種や、線、フレームの
形状によらない。前処理では、カソード脱脂後表面を溶
解し、さらにアノード処理、酸洗活性化の工程の方が優
れていることも判明した。例えば、Ｎｏ．１〜８とＮ
ｏ．９〜１６、Ｎｏ．１７とＮｏ．１８、Ｎｏ．２２と
Ｎｏ．２３、Ｎｏ．２５とＮｏ．２６の比較から、或は
従来例のＮｏ．４３とＮｏ．４５、Ｎｏ．４４とＮｏ．
４６の比較からも理解出来る。また、この際用いた基材
表面溶解処理液成分による特性の差までは見出せない
が、Ｃｕ含有量の少ない条件では何れも良好である。ま
た、表４に示される実施例２の結果からは、外観評価で
はすべて良好な耐食性評価結果を示しているが、良好な
中でも微視的な評価からは、それぞれの中にもさらに優
劣の評価を示している。即ち、Ｃｕの含有量の少ない条
件では、Ｎｉめっき条件によってさらに良好な耐食性特
性を得ることが可能で、それは液温、カソード電流密
度、さらにはＮｉ濃度の限定条件から得られることがわ
かる。
ら、本発明例のＮｏ．１〜Ｎｏ．４２は、従来例Ｎｏ．
４３〜Ｎｏ．５２の、Ｎｉ又はＮｉ合金めっき液のＣｕ
2+不純物量と、Ｎｉ又はＮｉ合金めっき被膜中のＣｕ含
有量の相違を除く、前処理条件とめっき被膜構成が同一
の条件における比較から、それらのＣｕの含有量の低い
条件のものが、特に耐食性に優れることが判る。例え
ば、Ｎｏ．３とＮｏ．４３、Ｎｏ．８とＮｏ．４４、Ｎ
ｏ．１１とＮｏ．４５、Ｎｏ．１６とＮｏ．４６、Ｎ
ｏ．４０とＮｏ．４７、Ｎｏ．４１とＮｏ．４８、Ｎ
ｏ．４２とＮｏ．４９、Ｎｏ．３１とＮｏ．５０、Ｎ
ｏ．２４とＮｏ．５１、Ｎｏ．２５とＮｏ．５２、の比
較で判り、はんだ濡れ性も同様にＣｕ含有量の少ない供
試材に優れている。また、従来例よりも優れることもは
っきり判る。また、これらは合金種や、線、フレームの
形状によらない。前処理では、カソード脱脂後表面を溶
解し、さらにアノード処理、酸洗活性化の工程の方が優
れていることも判明した。例えば、Ｎｏ．１〜８とＮ
ｏ．９〜１６、Ｎｏ．１７とＮｏ．１８、Ｎｏ．２２と
Ｎｏ．２３、Ｎｏ．２５とＮｏ．２６の比較から、或は
従来例のＮｏ．４３とＮｏ．４５、Ｎｏ．４４とＮｏ．
４６の比較からも理解出来る。また、この際用いた基材
表面溶解処理液成分による特性の差までは見出せない
が、Ｃｕ含有量の少ない条件では何れも良好である。ま
た、表４に示される実施例２の結果からは、外観評価で
はすべて良好な耐食性評価結果を示しているが、良好な
中でも微視的な評価からは、それぞれの中にもさらに優
劣の評価を示している。即ち、Ｃｕの含有量の少ない条
件では、Ｎｉめっき条件によってさらに良好な耐食性特
性を得ることが可能で、それは液温、カソード電流密
度、さらにはＮｉ濃度の限定条件から得られることがわ
かる。
【００３３】実施例３ 次に挙げる厚さ０．２５ｍｍのＣｕ合金とＦｅ合金の板
を、幅３４ｍｍ、長さ１７２ｍｍの２８ｐｉｎのフレー
ム８連のリードフレームにエッチング加工したものを耐
食性評価用基材として用いた。また、一部の被覆条件を
除いて、幅１０ｍｍ、長さ６０ｍｍの板形状をはんだ濡
れ性試験用基材とした。但し、リード線評価として、
０．５ｍｍΦ、長さ１５０ｍｍのＡｇ入りＣｕ線も両試
験用に基材として用いた。Ｃｕ−２．３ｗｔ％Ｆｅ−
０．１ｗｔ％Ｚｎ−０．１ｗｔ％Ｐ（Ｃｕ−Ｆｅ系），
Ｃｕ−２ｗｔ％Ｓｎ−０．１ｗｔ％Ｆｅ−０．０３ｗｔ
％Ｐ（Ｃｕ−Ｓｎ−Ｆｅ系），Ｃｕ−２．５ｗｔ％Ｎｉ
−０．６ｗｔ％Ｓｉ−０．５ｗｔ％Ｚｎ（Ｃｕ−Ｎｉ−
Ｓｉ系），Ｃｕ−８ｗｔ％Ｓｎ−０．２ｗｔ％Ｐ（Ｃｕ
−Ｓｎ−Ｐ系），６２ｗｔ％Ｃｕ−１７ｗｔ％Ｎｉ−２
１ｗｔ％Ｚｎ（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｚｎ系），Ｆｅ−４２ｗｔ
％Ｎｉ（Ｆｅ−Ｎｉ系），Ｃｕ−０．０３ｗｔ％Ａｇ
（Ｃｕ−Ａｇ系／線）。めっき前処理として次の様な処
理を組み合わせて行った。アルカリカソード脱脂：ク
リーナ１６０（メルテックス（株））６ｗｔ％水溶液、
６０℃でカソード電流密度３Ａ／ｄｍ2 での電解脱脂、
基材表面溶解処理：溶解処理液として、１）１０ｗｔ
％硫酸と３ｗｔ％過酸化水素を含有した水溶液、２）１
０ｗｔ％硫酸と１ｗｔ％酸性フッ化アンモニウムを含有
した水溶液、３）１０ｗｔ％硫酸と３ｗｔ％過酸化水
素、１ｗｔ％酸性フッ化アンモニウムを含有した水溶
液、の３種類を適宜用いた。表面溶解処理をする場合、
Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金に３）液をＣｕ−高Ｓｎ−Ｐ系
には２）液を用い、その他は１）液を用いて室温にて３
０秒浸漬処理した。アルカリアノード処理：の液を
別途建浴し、６０℃でアノード電流密度４Ａ／ｄｍ2 で
アノード処理した。酸洗処理：１０ｗｔ％硫酸水溶液
に室温で３０秒浸漬処理した。用いた工程は、→、
→→→、の２通りで各処理後には水洗を行い、
めっき前には脱イオン水洗浄を行った。続いて、基材バ
リア被膜のＮｉ又はＮｉ合金被膜を、次に挙げる各めっ
き液を用いて、液温４０℃、カソード電流密度２０Ａ／
ｄｍ2 の条件にて行った。尚、めっき液中のＦｅイオン
の量は新建浴直後の液についての原子吸光法による定量
分析値をもとに、スルファミン酸第一鉄［Ｆｅ（ＮＨ2
ＳＯ3 ）2 ・５Ｈ2 Ｏ］によって添加調整した。このと
きの、めっき液中の銅イオンの濃度は０．１ｐｐｍであ
った（被膜中０．３ｗｔ％未満であった。）。また、各
被膜形成条件におけるＮｉ又はＮｉ合金電析被膜中に含
まれるＦｅ量は、基材上にめっきした約５μｍ厚さの被
膜を、ＥＰＭＡのＺＡＦ補正法による定量分析ｎ＝５を
行うことから求めた。分析条件は、ＥＰＭＡ−２３００
（（株）島津製作所）、加速電圧１０ｋＶ、試料電流１
０-7Ａで行い、標準試料には９９．９９％純度を用い
た。
を、幅３４ｍｍ、長さ１７２ｍｍの２８ｐｉｎのフレー
ム８連のリードフレームにエッチング加工したものを耐
食性評価用基材として用いた。また、一部の被覆条件を
除いて、幅１０ｍｍ、長さ６０ｍｍの板形状をはんだ濡
れ性試験用基材とした。但し、リード線評価として、
０．５ｍｍΦ、長さ１５０ｍｍのＡｇ入りＣｕ線も両試
験用に基材として用いた。Ｃｕ−２．３ｗｔ％Ｆｅ−
０．１ｗｔ％Ｚｎ−０．１ｗｔ％Ｐ（Ｃｕ−Ｆｅ系），
Ｃｕ−２ｗｔ％Ｓｎ−０．１ｗｔ％Ｆｅ−０．０３ｗｔ
％Ｐ（Ｃｕ−Ｓｎ−Ｆｅ系），Ｃｕ−２．５ｗｔ％Ｎｉ
−０．６ｗｔ％Ｓｉ−０．５ｗｔ％Ｚｎ（Ｃｕ−Ｎｉ−
Ｓｉ系），Ｃｕ−８ｗｔ％Ｓｎ−０．２ｗｔ％Ｐ（Ｃｕ
−Ｓｎ−Ｐ系），６２ｗｔ％Ｃｕ−１７ｗｔ％Ｎｉ−２
１ｗｔ％Ｚｎ（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｚｎ系），Ｆｅ−４２ｗｔ
％Ｎｉ（Ｆｅ−Ｎｉ系），Ｃｕ−０．０３ｗｔ％Ａｇ
（Ｃｕ−Ａｇ系／線）。めっき前処理として次の様な処
理を組み合わせて行った。アルカリカソード脱脂：ク
リーナ１６０（メルテックス（株））６ｗｔ％水溶液、
６０℃でカソード電流密度３Ａ／ｄｍ2 での電解脱脂、
基材表面溶解処理：溶解処理液として、１）１０ｗｔ
％硫酸と３ｗｔ％過酸化水素を含有した水溶液、２）１
０ｗｔ％硫酸と１ｗｔ％酸性フッ化アンモニウムを含有
した水溶液、３）１０ｗｔ％硫酸と３ｗｔ％過酸化水
素、１ｗｔ％酸性フッ化アンモニウムを含有した水溶
液、の３種類を適宜用いた。表面溶解処理をする場合、
Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金に３）液をＣｕ−高Ｓｎ−Ｐ系
には２）液を用い、その他は１）液を用いて室温にて３
０秒浸漬処理した。アルカリアノード処理：の液を
別途建浴し、６０℃でアノード電流密度４Ａ／ｄｍ2 で
アノード処理した。酸洗処理：１０ｗｔ％硫酸水溶液
に室温で３０秒浸漬処理した。用いた工程は、→、
→→→、の２通りで各処理後には水洗を行い、
めっき前には脱イオン水洗浄を行った。続いて、基材バ
リア被膜のＮｉ又はＮｉ合金被膜を、次に挙げる各めっ
き液を用いて、液温４０℃、カソード電流密度２０Ａ／
ｄｍ2 の条件にて行った。尚、めっき液中のＦｅイオン
の量は新建浴直後の液についての原子吸光法による定量
分析値をもとに、スルファミン酸第一鉄［Ｆｅ（ＮＨ2
ＳＯ3 ）2 ・５Ｈ2 Ｏ］によって添加調整した。このと
きの、めっき液中の銅イオンの濃度は０．１ｐｐｍであ
った（被膜中０．３ｗｔ％未満であった。）。また、各
被膜形成条件におけるＮｉ又はＮｉ合金電析被膜中に含
まれるＦｅ量は、基材上にめっきした約５μｍ厚さの被
膜を、ＥＰＭＡのＺＡＦ補正法による定量分析ｎ＝５を
行うことから求めた。分析条件は、ＥＰＭＡ−２３００
（（株）島津製作所）、加速電圧１０ｋＶ、試料電流１
０-7Ａで行い、標準試料には９９．９９％純度を用い
た。
【００３４】Ｎｉめっき液：Ｎｉ（ＮＨ2 ＳＯ3 ）2 ・
４Ｈ2 Ｏ １６０ｇ／ｄｍ3 、Ｈ3ＢＯ3 ３０ｇ／ｄ
ｍ3 、４０℃ Ｎｉ−Ｃｏ合金めっき液：Ｎｉ（ＮＨ2 ＳＯ3 ）2 ・４
Ｈ2 Ｏ １６０ｇ／ｄｍ3 、Ｃｏ（ＮＨ2 ＳＯ3 ）2 ・
４Ｈ2 Ｏ １０ｇ／ｄｍ3 、Ｈ3 ＢＯ3 ３０ｇ／ｄｍ
3 、４０℃ Ｎｉ−Ｐ合金めっき液：ＮｉＳＯ4 ・６Ｈ2 Ｏ １７５
ｇ／ｄｍ3 、Ｈ3 ＰＯ4 ５０ｇ／ｄｍ3 、Ｈ3 ＰＯ3
１ｇ／ｄｍ3 、７５℃ Ｎｉ−Ｂ合金めっき液：ＮｉＳＯ4 ・６Ｈ2 Ｏ １７５
ｇ／ｄｍ3 、（ＣＨ3）3 Ｎ・ＢＨ3 ５０ｇ／ｄｍ
3 、６５℃ Ｎｉ−Ｐｄ合金めっき液：パラブライト−ＴＮ２０（日
本高純度化学（株））、４０℃ 貴金属又は白金族金属、或はその合金被膜は、次に挙げ
るめっき液を用いて行った。 Ｐｄめっき液：パラブライト−ＳＳＴ−Ｌ（日本高純度
化学（株））、６０℃、３Ａ／ｄｍ2 Ａｕめっき液：アフタープレーティング（日本高純度化
学（株））、５０℃、１Ａ／ｄｍ2 Ａｇめっき液：ＫＡｇ（ＣＮ）2 ５０ｇ／ｄｍ3 、Ｋ
ＣＮ ７０ｇ／ｄｍ3、ＫＯＨ １０ｇ／ｄｍ3 、ＫＣ
Ｏ3 ２０ｇ／ｄｍ3 、２５℃、３Ａ／ｄｍ2 Ｐｄ−Ａｕめっき液：ＡＵＲＵＮＡ５４９（デグサジャ
パン（株））、５５℃０．５Ａ／ｄｍ2 Ｐｄ−Ａｇめっき液：パラブライト−ＳＳＴ−ＷＡＢＰ
（日本高純度化学（株））、６５℃、２Ａ／ｄｍ2 Ｐｄ−Ｎｉめっき液：ＰｄＮｉ４６６（デグサジャパン
（株））、４５℃、１０Ａ／ｄｍ2 Ｐｔめっき液：プラタネックスIII ＬＳ（日本エレクト
ロプレーティング・エンジニヤーズ）、７５℃、２Ａ／
ｄｍ2 Ｉｒめっき液：イリデックス１００（日本エレクトロプ
レーティング・エンジニヤーズ）、８５℃、０．１５Ａ
／ｄｍ2 Ｒｈめっき液：ローデックス（日本エレクトロプレーテ
ィング・エンジニヤーズ）、５０℃、１．３Ａ／ｄｍ2 Ｒｕめっき液：ルテネックス（日本エレクトロプレーテ
ィング・エンジニヤーズ）、６０℃、１Ａ／ｄｍ2
４Ｈ2 Ｏ １６０ｇ／ｄｍ3 、Ｈ3ＢＯ3 ３０ｇ／ｄ
ｍ3 、４０℃ Ｎｉ−Ｃｏ合金めっき液：Ｎｉ（ＮＨ2 ＳＯ3 ）2 ・４
Ｈ2 Ｏ １６０ｇ／ｄｍ3 、Ｃｏ（ＮＨ2 ＳＯ3 ）2 ・
４Ｈ2 Ｏ １０ｇ／ｄｍ3 、Ｈ3 ＢＯ3 ３０ｇ／ｄｍ
3 、４０℃ Ｎｉ−Ｐ合金めっき液：ＮｉＳＯ4 ・６Ｈ2 Ｏ １７５
ｇ／ｄｍ3 、Ｈ3 ＰＯ4 ５０ｇ／ｄｍ3 、Ｈ3 ＰＯ3
１ｇ／ｄｍ3 、７５℃ Ｎｉ−Ｂ合金めっき液：ＮｉＳＯ4 ・６Ｈ2 Ｏ １７５
ｇ／ｄｍ3 、（ＣＨ3）3 Ｎ・ＢＨ3 ５０ｇ／ｄｍ
3 、６５℃ Ｎｉ−Ｐｄ合金めっき液：パラブライト−ＴＮ２０（日
本高純度化学（株））、４０℃ 貴金属又は白金族金属、或はその合金被膜は、次に挙げ
るめっき液を用いて行った。 Ｐｄめっき液：パラブライト−ＳＳＴ−Ｌ（日本高純度
化学（株））、６０℃、３Ａ／ｄｍ2 Ａｕめっき液：アフタープレーティング（日本高純度化
学（株））、５０℃、１Ａ／ｄｍ2 Ａｇめっき液：ＫＡｇ（ＣＮ）2 ５０ｇ／ｄｍ3 、Ｋ
ＣＮ ７０ｇ／ｄｍ3、ＫＯＨ １０ｇ／ｄｍ3 、ＫＣ
Ｏ3 ２０ｇ／ｄｍ3 、２５℃、３Ａ／ｄｍ2 Ｐｄ−Ａｕめっき液：ＡＵＲＵＮＡ５４９（デグサジャ
パン（株））、５５℃０．５Ａ／ｄｍ2 Ｐｄ−Ａｇめっき液：パラブライト−ＳＳＴ−ＷＡＢＰ
（日本高純度化学（株））、６５℃、２Ａ／ｄｍ2 Ｐｄ−Ｎｉめっき液：ＰｄＮｉ４６６（デグサジャパン
（株））、４５℃、１０Ａ／ｄｍ2 Ｐｔめっき液：プラタネックスIII ＬＳ（日本エレクト
ロプレーティング・エンジニヤーズ）、７５℃、２Ａ／
ｄｍ2 Ｉｒめっき液：イリデックス１００（日本エレクトロプ
レーティング・エンジニヤーズ）、８５℃、０．１５Ａ
／ｄｍ2 Ｒｈめっき液：ローデックス（日本エレクトロプレーテ
ィング・エンジニヤーズ）、５０℃、１．３Ａ／ｄｍ2 Ｒｕめっき液：ルテネックス（日本エレクトロプレーテ
ィング・エンジニヤーズ）、６０℃、１Ａ／ｄｍ2
【００３５】以上の基本的なめっき処理工程をもとに作
成した本発明例（Ｎｏ．１〜４２）、従来例（Ｎｏ．４
３〜５５）の供試材（各ｎ＝２）の各種条件を表５、６
及び７に示した。Ｎｏ．５３〜５５にＡｇめっき部材を
比較評価したが、密着性保持のために公知のシアン化Ｃ
ｕとシアン化Ｎａ含有液によるＣｕストライク下地めっ
きを行った。尚、Ｎｏ．４０とＮｏ．４７はＮｉ→Ｐｄ
−Ｎｉ合金→Ｎｉ→Ｐｄの４層の被膜構成、Ｎｏ．４１
とＮｏ．４８はＮｉ→Ｐｄ→Ｐｄ−Ｎｉ合金→Ｐｄ→Ａ
ｕの５層構成であり、各被膜の厚さは蛍光Ｘ線で測定し
てめっき時間を調整した。フレーム形状試料をＪＩＳＺ
２３７１に基づいた塩水噴霧試験をＣｕ合金について
２４時間、Ｆｅ合金については６時間実施した。そし
て、目視外観により相対的に（優）◎→○→△→×
（劣）４段階評価した。また、一部を除いて作製した、
板状のめっき試料を３３５℃のホットプレート上にて４
５秒加熱保持したものを、放冷後に半分の長さに切断し
たものの端部がめっきされている側を、２３０℃、Ｓｎ
−Ｐｂ共晶はんだ、ＲＭＡタイプフラックス、動的濡れ
性試験機ＷＥＴ−３０００（レスカ（株））を用いて、
メニスコグラフ法により濡れ時間（ゼロクロス時間）を
測定して比較評価した。この試験結果を表５、６及び７
に示した。
成した本発明例（Ｎｏ．１〜４２）、従来例（Ｎｏ．４
３〜５５）の供試材（各ｎ＝２）の各種条件を表５、６
及び７に示した。Ｎｏ．５３〜５５にＡｇめっき部材を
比較評価したが、密着性保持のために公知のシアン化Ｃ
ｕとシアン化Ｎａ含有液によるＣｕストライク下地めっ
きを行った。尚、Ｎｏ．４０とＮｏ．４７はＮｉ→Ｐｄ
−Ｎｉ合金→Ｎｉ→Ｐｄの４層の被膜構成、Ｎｏ．４１
とＮｏ．４８はＮｉ→Ｐｄ→Ｐｄ−Ｎｉ合金→Ｐｄ→Ａ
ｕの５層構成であり、各被膜の厚さは蛍光Ｘ線で測定し
てめっき時間を調整した。フレーム形状試料をＪＩＳＺ
２３７１に基づいた塩水噴霧試験をＣｕ合金について
２４時間、Ｆｅ合金については６時間実施した。そし
て、目視外観により相対的に（優）◎→○→△→×
（劣）４段階評価した。また、一部を除いて作製した、
板状のめっき試料を３３５℃のホットプレート上にて４
５秒加熱保持したものを、放冷後に半分の長さに切断し
たものの端部がめっきされている側を、２３０℃、Ｓｎ
−Ｐｂ共晶はんだ、ＲＭＡタイプフラックス、動的濡れ
性試験機ＷＥＴ−３０００（レスカ（株））を用いて、
メニスコグラフ法により濡れ時間（ゼロクロス時間）を
測定して比較評価した。この試験結果を表５、６及び７
に示した。
【００３６】
【表５】
【００３７】
【表６】
【００３８】
【表７】
【００３９】実施例４ 次に、基材バリア被膜のめっき条件の相違による耐食性
を試験評価した。実施例３のＮｏ．３とＮｏ．１１の条
件を基本として、液温、電流密度、Ｎｉ濃度のそれぞれ
の条件を変化させて、実施例３のフレーム形状部材をｎ
＝２で１μｍ厚さのＮｉめっき、その後０．１μｍ厚さ
のＰｄめっきをした。これらを実施例１同様塩水噴霧試
験を行い、外観評価と共に実態顕微鏡観察による微視的
腐食評価も行った。めっき条件と評価結果を表８に示し
た。微視的評価は表８の下に示すように相対的な６段階
とした。
を試験評価した。実施例３のＮｏ．３とＮｏ．１１の条
件を基本として、液温、電流密度、Ｎｉ濃度のそれぞれ
の条件を変化させて、実施例３のフレーム形状部材をｎ
＝２で１μｍ厚さのＮｉめっき、その後０．１μｍ厚さ
のＰｄめっきをした。これらを実施例１同様塩水噴霧試
験を行い、外観評価と共に実態顕微鏡観察による微視的
腐食評価も行った。めっき条件と評価結果を表８に示し
た。微視的評価は表８の下に示すように相対的な６段階
とした。
【００４０】
【表８】
【００４１】実施例３の評価結果（表５、６及び７）か
ら、本発明例のＮｏ．１〜Ｎｏ．４２は、従来例Ｎｏ．
４３〜Ｎｏ．５２の、Ｎｉ又はＮｉ合金めっき液のＦｅ
イオンの不純物量と、Ｎｉ又はＮｉ合金めっき被膜中の
Ｆｅ含有量の相違を除く、前処理条件とめっき被膜構成
が同一の条件における比較から、それらのＦｅの含有量
の低い条件のものが、特に耐食性に優れることが判る。
例えば、Ｎｏ．３とＮｏ．４３、Ｎｏ．８とＮｏ．４
４、Ｎｏ．１１とＮｏ．４５、Ｎｏ．１６とＮｏ．４
６、Ｎｏ．４０とＮｏ．４７、Ｎｏ．４１とＮｏ．４
８、Ｎｏ．４２とＮｏ．４９、Ｎｏ．３１とＮｏ．５
０、Ｎｏ．２４とＮｏ．５１、Ｎｏ．２５とＮｏ．５
２、の比較で判り、はんだ濡れ性も同様にＦｅ含有量の
少ない供試材に優れている。また、従来例との比較にお
いては、標準電極電位差の大きい貴金属や白金属被覆処
理にもかかわらず、同等以上の特性を有することが判
る。また、これらは合金種や、線、フレームの形状によ
らない。前処理では、カソード脱脂後表面を溶解し、さ
らにアノード処理、酸洗活性化の工程の方が優れている
ことも判明した。例えば、Ｎｏ．１〜８とＮｏ．９〜１
６、Ｎｏ．１７とＮｏ．１８、Ｎｏ．２２とＮｏ．２
３、Ｎｏ．２５とＮｏ．２６、の比較から、或は従来例
のＮｏ．４３とＮｏ．４５、Ｎｏ．４４とＮｏ．４６の
比較からも理解出来る。また、この際用いた基材表面溶
解処理液成分による特性の差までは見出せないが、Ｆｅ
含有量の少ない条件では何れも良好である。また、表８
に示される実施例４の結果からは、外観評価ではすべて
良好な耐食性評価結果を示しているが、良好な中でも微
視的な評価からは、それぞれの中にもさらに優劣の評価
を示している。すなわち、Ｆｅの含有量の少ない条件で
は、Ｎｉめっき条件によってさらに良好な耐食性特性を
得ることが可能で、それは液温、カソード電流密度、さ
らにはＮｉ濃度の限定条件から得られることがわかる。
ら、本発明例のＮｏ．１〜Ｎｏ．４２は、従来例Ｎｏ．
４３〜Ｎｏ．５２の、Ｎｉ又はＮｉ合金めっき液のＦｅ
イオンの不純物量と、Ｎｉ又はＮｉ合金めっき被膜中の
Ｆｅ含有量の相違を除く、前処理条件とめっき被膜構成
が同一の条件における比較から、それらのＦｅの含有量
の低い条件のものが、特に耐食性に優れることが判る。
例えば、Ｎｏ．３とＮｏ．４３、Ｎｏ．８とＮｏ．４
４、Ｎｏ．１１とＮｏ．４５、Ｎｏ．１６とＮｏ．４
６、Ｎｏ．４０とＮｏ．４７、Ｎｏ．４１とＮｏ．４
８、Ｎｏ．４２とＮｏ．４９、Ｎｏ．３１とＮｏ．５
０、Ｎｏ．２４とＮｏ．５１、Ｎｏ．２５とＮｏ．５
２、の比較で判り、はんだ濡れ性も同様にＦｅ含有量の
少ない供試材に優れている。また、従来例との比較にお
いては、標準電極電位差の大きい貴金属や白金属被覆処
理にもかかわらず、同等以上の特性を有することが判
る。また、これらは合金種や、線、フレームの形状によ
らない。前処理では、カソード脱脂後表面を溶解し、さ
らにアノード処理、酸洗活性化の工程の方が優れている
ことも判明した。例えば、Ｎｏ．１〜８とＮｏ．９〜１
６、Ｎｏ．１７とＮｏ．１８、Ｎｏ．２２とＮｏ．２
３、Ｎｏ．２５とＮｏ．２６、の比較から、或は従来例
のＮｏ．４３とＮｏ．４５、Ｎｏ．４４とＮｏ．４６の
比較からも理解出来る。また、この際用いた基材表面溶
解処理液成分による特性の差までは見出せないが、Ｆｅ
含有量の少ない条件では何れも良好である。また、表８
に示される実施例４の結果からは、外観評価ではすべて
良好な耐食性評価結果を示しているが、良好な中でも微
視的な評価からは、それぞれの中にもさらに優劣の評価
を示している。すなわち、Ｆｅの含有量の少ない条件で
は、Ｎｉめっき条件によってさらに良好な耐食性特性を
得ることが可能で、それは液温、カソード電流密度、さ
らにはＮｉ濃度の限定条件から得られることがわかる。
【００４２】
【発明の効果】以上に詳述したように、本発明の電気電
子機器用部品材料と、その製造方法によれば、今後の使
用が拡大する傾向に有る、Ｃｕ又はＣｕ合金、Ｆｅ合金
基材にＮｉなどのバリア被膜を形成し、さらにその上層
に様々な特性を有する貴金属や白金族元素を被覆した被
膜構成の部材において、優れた特性の一方で大きな問題
となる、耐食性や加熱工程後のはんだ濡れ性などの劣化
問題を解決することが可能になり、特性向上のみならず
経済性の点でも有利な新規部材を益々広く適用すること
ができる。
子機器用部品材料と、その製造方法によれば、今後の使
用が拡大する傾向に有る、Ｃｕ又はＣｕ合金、Ｆｅ合金
基材にＮｉなどのバリア被膜を形成し、さらにその上層
に様々な特性を有する貴金属や白金族元素を被覆した被
膜構成の部材において、優れた特性の一方で大きな問題
となる、耐食性や加熱工程後のはんだ濡れ性などの劣化
問題を解決することが可能になり、特性向上のみならず
経済性の点でも有利な新規部材を益々広く適用すること
ができる。
【図１】一般に使用されているリードフレームによるパ
ッケージの一例の断面図
ッケージの一例の断面図
【図２】一般に使用されているリードフレームの一例の
平面図
平面図
１ タブ部 ２ 素子 ３ 接着層 ４ 電極パッド ５ インナーリード端部 ６ 金属細線 ７ 樹脂 ８ アウターリード部
Claims (11)
- 【請求項１】 ＣｕもしくはＣｕ合金基材、又はＦｅ合
金基材から成る電気電子機器用部品材料表面の一部及至
全面に、少なくとも１層の、且つ、合計の厚さが０．１
μｍ以上である、Ｎｉ又はＮｉ合金被膜と、少なくとも
１層の、且つ、合計の厚さが０．０１μｍ以上１μｍ以
下の、貴金属又は白金族金属、及至はこれらの合金被膜
を有する電気電子機器用部品材料において、基材バリア
としてのＮｉ又はＮｉ合金被膜中のＣｕの定量分析値が
１．０ｗｔ％以下であることを特徴とする耐食性、耐酸
化性に優れる電気電子機器用部品材料。 - 【請求項２】 ＣｕもしくはＣｕ合金基材、又はＦｅ合
金基材から成る電気電子機器用部品材料表面の一部及至
全面に、少なくとも１層の、且つ、合計の厚さが０．１
μｍ以上である、Ｎｉ又はＮｉ合金被膜と、少なくとも
１層の、且つ、合計の厚さが０．０１μｍ以上１μｍ以
下の、貴金属又は白金族金属、及至はこれらの合金被膜
を有する電気電子機器用部品材料において、基材バリア
としてのＮｉ又はＮｉ合金被膜中のＦｅの定量分析値が
１．０ｗｔ％以下であることを特徴とする耐食性、耐酸
化性に優れる電気電子機器用部品材料。 - 【請求項３】 前記貴金属又は白金族金属がＡｕ、Ａ
ｇ、Ｐｄのうちから選ばれる少なくとも１種であること
を特徴とする請求項１又は２に記載の耐食性、耐酸化性
に優れる電気電子機器用部品材料。 - 【請求項４】 ＣｕもしくはＣｕ合金基材、又はＦｅ合
金基材から成る電気電子機器用部品材料表面の一部及至
全面に、少なくとも１層のＮｉ又はＮｉ合金めっき被膜
と、少なくとも１層の貴金属もしくは白金族金属、又は
これらの合金めっき被膜を形成する方法において、前記
Ｎｉ又はＮｉ合金めっきを、めっき液中の含まれる銅イ
オン濃度が１ｐｐｍ以下であるＮｉめっき液を用いて行
うことを特徴とする耐食性、耐酸化性に優れる電気電子
機器用部品材料の製造方法。 - 【請求項５】 ＣｕもしくはＣｕ合金基材、又はＦｅ合
金基材から成る電気電子機器用部品材料表面の一部及至
全面に、少なくとも１層のＮｉ又はＮｉ合金めっき被膜
と、少なくとも１層の貴金属もしくは白金族金属、又は
これらの合金めっき被膜を形成する方法において、前記
Ｎｉ又はＮｉ合金めっきを、めっき液中の含まれる鉄イ
オン濃度が１．５ｐｐｍ以下であるＮｉめっき液を用い
て行うことを特徴とする耐食性、耐酸化性に優れる電気
電子機器用部品材料の製造方法。 - 【請求項６】 前記Ｎｉ又はＮｉ合金めっきを、めっき
液温が１０℃〜４５℃の範囲内にて行うことを特徴とす
る請求項４又は５に記載の耐食性に優れる電気電子機器
用部品材料の製造方法。 - 【請求項７】 前記Ｎｉ又はＮｉ合金めっきを、カソー
ド電流密度が１５Ａ／ｄｍ2 〜４０Ａ／ｄｍ2 の範囲内
にて行うことを特徴とする請求項４〜６のいずれか１項
に記載の耐食性、耐酸化性に優れる電気電子機器用部品
材料の製造方法。 - 【請求項８】 前記Ｎｉ又はＮｉ合金めっきを、めっき
液のＮｉ濃度が１０ｇ／ｄｍ3 〜５０ｇ／ｄｍ3 の範囲
内にて行うことを特徴とする請求項４〜７のいずれか１
項に記載の耐食性、耐酸化性に優れる電気電子機器用部
品材料の製造方法。 - 【請求項９】 前記Ｎｉ又はＮｉ合金めっき、並びに貴
金属又は白金族金属及至はこれらの合金めっきに先立っ
て、アルカリカソード脱脂処理、基材表層溶解処
理、アルカリアノード処理、酸洗処理、の各工程を
→→→の順番に少なくとも各１回ずつ実施する
前処理を行うことを特徴とする請求項４〜８のいずれか
１項に記載の耐食性、耐酸化性に優れる電気電子機器用
部品材料の製造方法。 - 【請求項１０】 前記基材表層溶解処理に用いる処理液
が、酸と過酸化物を含有するか、酸と可溶性フッ化物を
含有するか、或は酸と過酸化物と可溶性フッ化物を含有
するか、の何れかであることを特徴とする請求項９に記
載の耐食性、耐酸化性に優れる電気電子機器用部品材料
の製造方法。 - 【請求項１１】 前記貴金属もしくは白金族金属がＡ
ｕ、Ａｇ、Ｐｄのうちの少なくとも１種であることを特
徴とする請求項４〜１０のいずれか１項に記載の耐食
性、耐酸化性に優れる電気電子機器用部品材料の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9086999A JPH10284667A (ja) | 1997-04-04 | 1997-04-04 | 耐食性、耐酸化性に優れる電気電子機器用部品材料、及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9086999A JPH10284667A (ja) | 1997-04-04 | 1997-04-04 | 耐食性、耐酸化性に優れる電気電子機器用部品材料、及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10284667A true JPH10284667A (ja) | 1998-10-23 |
Family
ID=13902579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9086999A Pending JPH10284667A (ja) | 1997-04-04 | 1997-04-04 | 耐食性、耐酸化性に優れる電気電子機器用部品材料、及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10284667A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002252141A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-09-06 | Hitachi Metals Ltd | 電子部品 |
| JP2003015339A (ja) * | 2001-07-05 | 2003-01-17 | Mitsubishi Chemicals Corp | 電子写真感光体用支持体の製造方法、電子写真感光体、画像形成装置 |
| EP1535730A1 (de) * | 2003-11-28 | 2005-06-01 | Wieland-Werke AG | Schichtenfolge zur Herstellung eines Verbundmaterials für elektromechanische Bauelemente |
| US7189630B2 (en) | 2003-11-28 | 2007-03-13 | Wieland-Werke Ag | Layer sequence for producing a composite material for electromechanical components |
| JP2014167155A (ja) * | 2013-02-28 | 2014-09-11 | Kobe Steel Ltd | Ａｇめっき電極部材の製造方法 |
| JP2016143731A (ja) * | 2015-01-30 | 2016-08-08 | Ｓｈマテリアル株式会社 | リードフレーム及びその製造方法 |
| JP2017197802A (ja) * | 2016-04-27 | 2017-11-02 | 矢崎総業株式会社 | メッキ材および、このメッキ材を用いた端子 |
| KR101891444B1 (ko) * | 2017-09-29 | 2018-08-23 | 주식회사프로스트 | 니켈 도금에 의해 내식성이 강한 번들타입의 판형 열교환모듈 및 이의 제조방법 |
| JP6766282B1 (ja) * | 2020-02-26 | 2020-10-07 | 松田産業株式会社 | パラジウム−ニッケル合金めっき膜及びその製造方法 |
| JP7061247B1 (ja) * | 2020-12-28 | 2022-04-28 | 松田産業株式会社 | ニッケル電解めっき皮膜及びめっき構造体 |
-
1997
- 1997-04-04 JP JP9086999A patent/JPH10284667A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002252141A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-09-06 | Hitachi Metals Ltd | 電子部品 |
| JP4534183B2 (ja) * | 2001-02-26 | 2010-09-01 | 日立金属株式会社 | 電子部品 |
| JP2003015339A (ja) * | 2001-07-05 | 2003-01-17 | Mitsubishi Chemicals Corp | 電子写真感光体用支持体の製造方法、電子写真感光体、画像形成装置 |
| EP1535730A1 (de) * | 2003-11-28 | 2005-06-01 | Wieland-Werke AG | Schichtenfolge zur Herstellung eines Verbundmaterials für elektromechanische Bauelemente |
| US7189630B2 (en) | 2003-11-28 | 2007-03-13 | Wieland-Werke Ag | Layer sequence for producing a composite material for electromechanical components |
| JP2014167155A (ja) * | 2013-02-28 | 2014-09-11 | Kobe Steel Ltd | Ａｇめっき電極部材の製造方法 |
| JP2016143731A (ja) * | 2015-01-30 | 2016-08-08 | Ｓｈマテリアル株式会社 | リードフレーム及びその製造方法 |
| JP2017197802A (ja) * | 2016-04-27 | 2017-11-02 | 矢崎総業株式会社 | メッキ材および、このメッキ材を用いた端子 |
| KR101891444B1 (ko) * | 2017-09-29 | 2018-08-23 | 주식회사프로스트 | 니켈 도금에 의해 내식성이 강한 번들타입의 판형 열교환모듈 및 이의 제조방법 |
| JP6766282B1 (ja) * | 2020-02-26 | 2020-10-07 | 松田産業株式会社 | パラジウム−ニッケル合金めっき膜及びその製造方法 |
| JP7061247B1 (ja) * | 2020-12-28 | 2022-04-28 | 松田産業株式会社 | ニッケル電解めっき皮膜及びめっき構造体 |
| JP7096955B1 (ja) * | 2020-12-28 | 2022-07-06 | 松田産業株式会社 | Ｎｉ電解めっき皮膜を備えるめっき構造体及び該めっき構造体を含むリードフレーム |
| WO2022145290A1 (ja) * | 2020-12-28 | 2022-07-07 | 松田産業株式会社 | Ｎｉ電解めっき皮膜を備えるめっき構造体及び該めっき構造体を含むリードフレーム |
| TWI790062B (zh) * | 2020-12-28 | 2023-01-11 | 日商松田產業股份有限公司 | 具備Ni電鍍皮膜之鍍敷結構體及含有該鍍敷結構體之引線框 |
| CN116324002A (zh) * | 2020-12-28 | 2023-06-23 | 松田产业株式会社 | 具有Ni电镀膜的镀敷结构体和包含该镀敷结构体的引线框架 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6646330B2 (en) | Lead frame for semiconductor device, process for producing the same and semiconductor device using the same | |
| US7808109B2 (en) | Fretting and whisker resistant coating system and method | |
| JP5026031B2 (ja) | スズ層を有する金属デュプレックスの製造方法 | |
| US20050121330A1 (en) | Chromium-free antitarnish adhesion promoting treatment composition | |
| US6677056B2 (en) | Method for producing tin-silver alloy plating film, the tin-silver alloy plating film and lead frame for electronic parts having the plating film | |
| JPH11350188A (ja) | 電気・電子部品用材料とその製造方法、およびその材料を用いた電気・電子部品 | |
| TWI386523B (zh) | ＳｎＢ電鍍液以及使用該電鍍液的電鍍方法 | |
| EP2270260A1 (en) | Electronic component and method for manufacturing the same | |
| WO2017179447A1 (ja) | リードフレーム材およびその製造方法 | |
| JPH09148508A (ja) | 半導体装置用リードフレーム及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH10284667A (ja) | 耐食性、耐酸化性に優れる電気電子機器用部品材料、及びその製造方法 | |
| US6575354B2 (en) | Method for producing tin-silver alloy plating film, the tin-silver alloy plating film and lead frame for electronic parts having the film | |
| JP3667926B2 (ja) | 金／ニッケル／ニッケル３層めっき銅合金電子部品およびその製造方法 | |
| JP3836257B2 (ja) | 耐食性に優れる電気電子機器用部品材料の製造方法 | |
| EP0132596A2 (en) | Solderable nickel-iron alloy article and method for making same | |
| JP3402228B2 (ja) | 鉛を含まない錫ベース半田皮膜を有する半導体装置 | |
| JPH048883B2 (ja) | ||
| JPH10284666A (ja) | 電子部品機器 | |
| JP3403299B2 (ja) | 半導体素子用リードフレームのメッキ方法 | |
| JP7096955B1 (ja) | Ｎｉ電解めっき皮膜を備えるめっき構造体及び該めっき構造体を含むリードフレーム | |
| JPH0987899A (ja) | 電子機器用銅合金材料の製造方法 | |
| JPH09223771A (ja) | 電子部品用リード部材及びその製造方法 | |
| JPH0373962B2 (ja) | ||
| JPH04174546A (ja) | 銅合金製半導体リードフレームの製造方法 | |
| JP3077963B2 (ja) | 半導体装置用リードフレーム |