JP2002252141A - 電子部品 - Google Patents
電子部品Info
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- JP2002252141A JP2002252141A JP2001051050A JP2001051050A JP2002252141A JP 2002252141 A JP2002252141 A JP 2002252141A JP 2001051050 A JP2001051050 A JP 2001051050A JP 2001051050 A JP2001051050 A JP 2001051050A JP 2002252141 A JP2002252141 A JP 2002252141A
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- Japan
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- plating
- electronic component
- hydrogen
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- Chemically Coating (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 端子密着強度およびはんだ濡れ性に優れた電
子部品を提供する。 【解決手段】 セラミック基体に複数の外部電極を有す
る電子部品であって、前記外部電極はセラミック基体に
形成される下地層と、当該下地層の表面に電解又は無電
解めっきで形成される導体層からなり、前記導体層中の
水素の含有量が０．０５ｗｔ％以下であることを特徴と
した。
子部品を提供する。 【解決手段】 セラミック基体に複数の外部電極を有す
る電子部品であって、前記外部電極はセラミック基体に
形成される下地層と、当該下地層の表面に電解又は無電
解めっきで形成される導体層からなり、前記導体層中の
水素の含有量が０．０５ｗｔ％以下であることを特徴と
した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミック基体に
下地層と、当該下地層の表面に電解又は無電解めっきで
形成される導体層を有する外部電極を備えた電子部品に
関するものである。
下地層と、当該下地層の表面に電解又は無電解めっきで
形成される導体層を有する外部電極を備えた電子部品に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、携帯電話に代表される移動体通信
等の高周波機器の発展と普及に伴い、誘電体セラミミッ
クを基体とした電子部品が急激に普及するようになっ
た。これらの電子部品はAg,Cu等からなる外部電極を有
し、はんだ付けにより基板上に実装されるが、外部電極
のみでははんだに溶融してしまう、あるいははんだに対
し濡れ性が悪い等の問題があり、表面に被膜（導体層）
を形成させるのが一般的である。被膜の種類としてはN
i,Ni-P,Sn,Sn-Pb,Au等の多層あるいは単層が用いられ
る。この被膜形成には電解メッキ法や無電解メッキ法が
用いられている。
等の高周波機器の発展と普及に伴い、誘電体セラミミッ
クを基体とした電子部品が急激に普及するようになっ
た。これらの電子部品はAg,Cu等からなる外部電極を有
し、はんだ付けにより基板上に実装されるが、外部電極
のみでははんだに溶融してしまう、あるいははんだに対
し濡れ性が悪い等の問題があり、表面に被膜（導体層）
を形成させるのが一般的である。被膜の種類としてはN
i,Ni-P,Sn,Sn-Pb,Au等の多層あるいは単層が用いられ
る。この被膜形成には電解メッキ法や無電解メッキ法が
用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
のメッキ法を用いて外部電極上に金属被膜を生成した場
合以下の問題点がある。すなわち、電解メッキ法を用い
て金属被膜を形成する際には陰極の電流効率が１００％
ではないため、メッキ液中の水を分解し水素ガスを生じ
る。この水素ガスの一部分はメッキ膜中に取り込まれ
る。メッキ膜中に水素ガスが取り込まれると金属被膜の
密度が減少し電気抵抗が増大するばかりでなく、はんだ
付け時に熱により水素が放出され、はんだ中に吸蔵され
るため脆い合金を形成する。このため、実装基板と電子
部品との端子密着強度が著しく劣化する。無電解メッキ
時においても還元剤が酸化される反応に伴い水素を発生
するため同様の現象が発生する。また、電解メッキ法で
はセラミックの基体に形成された外部電極に電導させる
必要があるために一般に安価な鉄を主成分とする金属球
をチップ部品と混合し金属球を介して外部電極に導電さ
せることで外部電極にめっきを施す方法が広く用いられ
ている。この場合、金属球中のFeがメッキ液中に溶出
し、メッキ時に金属被膜と共に析出する。鉄球にはニッ
ケルメッキ等を施す場合もあるが、この場合でもニッケ
ルメッキのピンホールから鉄成分がメッキ液中に溶出
し、同様の現象が起こる。このようにメッキ被膜に溶出
した鉄はメッキ被膜組織を荒くし、はんだ濡れ不良を引
き起こすばかりではなく、時間の経過と共に酸化するた
め端子の劣化を招く。そこで本発明の目的は、端子密着
強度およびはんだ濡れ性に優れた電子部品を提供するこ
とである。
のメッキ法を用いて外部電極上に金属被膜を生成した場
合以下の問題点がある。すなわち、電解メッキ法を用い
て金属被膜を形成する際には陰極の電流効率が１００％
ではないため、メッキ液中の水を分解し水素ガスを生じ
る。この水素ガスの一部分はメッキ膜中に取り込まれ
る。メッキ膜中に水素ガスが取り込まれると金属被膜の
密度が減少し電気抵抗が増大するばかりでなく、はんだ
付け時に熱により水素が放出され、はんだ中に吸蔵され
るため脆い合金を形成する。このため、実装基板と電子
部品との端子密着強度が著しく劣化する。無電解メッキ
時においても還元剤が酸化される反応に伴い水素を発生
するため同様の現象が発生する。また、電解メッキ法で
はセラミックの基体に形成された外部電極に電導させる
必要があるために一般に安価な鉄を主成分とする金属球
をチップ部品と混合し金属球を介して外部電極に導電さ
せることで外部電極にめっきを施す方法が広く用いられ
ている。この場合、金属球中のFeがメッキ液中に溶出
し、メッキ時に金属被膜と共に析出する。鉄球にはニッ
ケルメッキ等を施す場合もあるが、この場合でもニッケ
ルメッキのピンホールから鉄成分がメッキ液中に溶出
し、同様の現象が起こる。このようにメッキ被膜に溶出
した鉄はメッキ被膜組織を荒くし、はんだ濡れ不良を引
き起こすばかりではなく、時間の経過と共に酸化するた
め端子の劣化を招く。そこで本発明の目的は、端子密着
強度およびはんだ濡れ性に優れた電子部品を提供するこ
とである。
【０００４】
【問題を解決するための手段】本発明は、セラミック基
体に複数の外部電極を有する電子部品であって、前記外
部電極はセラミック基体に形成される下地層と、当該下
地層の表面に電解又は無電解めっきで形成される導体層
からなり、前記導体層中の水素の含有量を０．０５ｗｔ
％以下とた電子部品である。本発明においては、前記導
体層中のＦｅ成分を１ｗｔ％以下とするのが好ましい。
体に複数の外部電極を有する電子部品であって、前記外
部電極はセラミック基体に形成される下地層と、当該下
地層の表面に電解又は無電解めっきで形成される導体層
からなり、前記導体層中の水素の含有量を０．０５ｗｔ
％以下とた電子部品である。本発明においては、前記導
体層中のＦｅ成分を１ｗｔ％以下とするのが好ましい。
【０００５】
【発明の実施の形態】上記問題を解決するために様々な
検討を行った結果、以下の方法でメッキ金属被膜を形成
することにより問題が解決されることが分かった。つま
り、電解メッキ法でメッキを行う際には電流効率を極力
向上させるために、電流密度0.1〜0.5A/dm2でメッキす
ることとすると導体層中の水素の含有量が０．０５ｗｔ
％以下とすることが出来る。電流密度が0.1 A/dm2未満
であると、析出速度が非常に遅く経済的ではなく、かつ
浴中の不純物成分が優先的に析出するため適切な金属被
膜が得られない。また、浴中にはラウリル硫酸ナトリウ
ムのような界面活性剤を添加することが望ましい。界面
活性剤を添加することにより、表面張力が減少しメッキ
浴中で発生した水素の気泡が外部電極より離れやすくな
り、大気中に出て行きやすくなる。添加量は添加剤の種
類と浴種によって決まるが0.05g/L程度が望ましい。添
加量がこれよりも少ないと充分な効果が期待できず、多
すぎると添加剤が無駄になるばかりでなく液面が泡立ち
作業の妨げとなる。また、この時使用するときのダミー
ボールはＦｅ以外の金属、例えばＳｎ,Cu,Ni,Ti等の金
属を主成分とする金属球を用いることが望ましい。Feを
主成分とするダミーボールを用いるとめっき浴中にFeが
溶出する原因となる。また、無電解めっきで金属皮膜を
形成する場合は還元剤の量を極力少なくしなければなら
ない。還元剤は金属被膜の析出に不可欠であるが、反応
の際に水素ガスを発生し、その水素ガスが金属被膜中に
取り込まれる。例えば、無電解Niめっきでは一般に次亜
燐酸ナトリームが還元剤として用いられるがその添加量
は５０ｇ／Ｌ以下が望ましい。また、無電解めっき法で
あっても界面活性剤を添加して水素の吸着を防止するこ
とが望ましい。このようにして得られた金属皮膜は水素
の含有量が0.05wt%以下で、Feの含有量が１ｗｔ％以下
である。水素の含有量が0.05wt%よりも多いとはんだ付
け時に水素が放出され、はんだ中に取り込まれ、脆い合
金を形成する。またFe量が１wt%よりも多いと時間の経
過と共に端子が劣化し、濡れ性不良等の不具合を生じ
る。
検討を行った結果、以下の方法でメッキ金属被膜を形成
することにより問題が解決されることが分かった。つま
り、電解メッキ法でメッキを行う際には電流効率を極力
向上させるために、電流密度0.1〜0.5A/dm2でメッキす
ることとすると導体層中の水素の含有量が０．０５ｗｔ
％以下とすることが出来る。電流密度が0.1 A/dm2未満
であると、析出速度が非常に遅く経済的ではなく、かつ
浴中の不純物成分が優先的に析出するため適切な金属被
膜が得られない。また、浴中にはラウリル硫酸ナトリウ
ムのような界面活性剤を添加することが望ましい。界面
活性剤を添加することにより、表面張力が減少しメッキ
浴中で発生した水素の気泡が外部電極より離れやすくな
り、大気中に出て行きやすくなる。添加量は添加剤の種
類と浴種によって決まるが0.05g/L程度が望ましい。添
加量がこれよりも少ないと充分な効果が期待できず、多
すぎると添加剤が無駄になるばかりでなく液面が泡立ち
作業の妨げとなる。また、この時使用するときのダミー
ボールはＦｅ以外の金属、例えばＳｎ,Cu,Ni,Ti等の金
属を主成分とする金属球を用いることが望ましい。Feを
主成分とするダミーボールを用いるとめっき浴中にFeが
溶出する原因となる。また、無電解めっきで金属皮膜を
形成する場合は還元剤の量を極力少なくしなければなら
ない。還元剤は金属被膜の析出に不可欠であるが、反応
の際に水素ガスを発生し、その水素ガスが金属被膜中に
取り込まれる。例えば、無電解Niめっきでは一般に次亜
燐酸ナトリームが還元剤として用いられるがその添加量
は５０ｇ／Ｌ以下が望ましい。また、無電解めっき法で
あっても界面活性剤を添加して水素の吸着を防止するこ
とが望ましい。このようにして得られた金属皮膜は水素
の含有量が0.05wt%以下で、Feの含有量が１ｗｔ％以下
である。水素の含有量が0.05wt%よりも多いとはんだ付
け時に水素が放出され、はんだ中に取り込まれ、脆い合
金を形成する。またFe量が１wt%よりも多いと時間の経
過と共に端子が劣化し、濡れ性不良等の不具合を生じ
る。
【０００６】
【実施例】（実施例１）以下、本発明の実施例について
チップ型セラミック部品を例として説明する。まず、ア
ルミナを主成分とするセラミックグリーンシートを作製
した。このセラミックグリーンシートの表面に、主にAg
を主成分とする電極用ペーストをスクリーン印刷法によ
り印刷し、内部電極を形成した。ここで各グリーンシー
トに形成した内部電極は、パターンが異なるため、後で
内部電極と外部端子を電気的に接合させたときに、導通
性の異なる外部端子ができる。これらのそれぞれの印刷
パターンの異なる内部電極を形成したセラミックグリー
ンシートを複数枚数積層して圧着し、積層体ブロックを
得た。この積層体ブロックを積層方向に切断し、チップ
状の積層体を作製した。このチップ状の積層体を、空気
中で９００℃、１時間焼成して、チップ型セラミックと
し、側面に内部電極が露出するようにバレル研磨を行っ
た。続いてチップ型セラミックの側面にAgを主成分とす
る外部端子を形成させ、内部電極と電気的に接合させ
た。この外部端子上に、一般的に使用されているワット
浴成分のニッケルメッキ浴で、メッキを行い、２〜３μ
ｍのニッケルメッキ膜を形成させて試料チップとした。
以上の操作により作製した試料チップの外部端子にNiお
よびはんだめっきを施した。直径の平均粒径が0.6mm、
のSnを主成分としたダミーボール１リットルと前記述の
試料を１０００個をバレルに投入した。これらを前処理
の後、Ｎiめっきを施した。Niめっき液中にはラウリル
硫酸ナトリウムを0.05g／Ｌを添加した。電流密度は0.1
A/dm2 とし、めっき時間は９０分とした。さらに、Niめ
っき後に水洗しはんだめっきを行った。はんだめっき電
流は0.1A/dm2とし、めっき時間は９０分とした。このよ
うに電解めっき法で作成した金属被膜の膜厚を蛍光Ｘ線
膜厚計で測定したところNi３〜５μm、はんだめっき４
〜５μmであった。このようにして作成した試料を、SEM
-EDXにて金属皮膜中のFe量の分析を行った後、強度試験
を行った。また、６００℃に加熱し、その時に金属皮膜
より発生する水素量をガスクロマト法にて測定した。強
度試験は、基板にはんだ付けした部品を引き剥がし、そ
の時に引き剥がされたときの強度をフォースゲージにて
測定した。また、同時にはんだ付け後のフィレットを確
認することにより、はんだ付け性の確認も行った。
チップ型セラミック部品を例として説明する。まず、ア
ルミナを主成分とするセラミックグリーンシートを作製
した。このセラミックグリーンシートの表面に、主にAg
を主成分とする電極用ペーストをスクリーン印刷法によ
り印刷し、内部電極を形成した。ここで各グリーンシー
トに形成した内部電極は、パターンが異なるため、後で
内部電極と外部端子を電気的に接合させたときに、導通
性の異なる外部端子ができる。これらのそれぞれの印刷
パターンの異なる内部電極を形成したセラミックグリー
ンシートを複数枚数積層して圧着し、積層体ブロックを
得た。この積層体ブロックを積層方向に切断し、チップ
状の積層体を作製した。このチップ状の積層体を、空気
中で９００℃、１時間焼成して、チップ型セラミックと
し、側面に内部電極が露出するようにバレル研磨を行っ
た。続いてチップ型セラミックの側面にAgを主成分とす
る外部端子を形成させ、内部電極と電気的に接合させ
た。この外部端子上に、一般的に使用されているワット
浴成分のニッケルメッキ浴で、メッキを行い、２〜３μ
ｍのニッケルメッキ膜を形成させて試料チップとした。
以上の操作により作製した試料チップの外部端子にNiお
よびはんだめっきを施した。直径の平均粒径が0.6mm、
のSnを主成分としたダミーボール１リットルと前記述の
試料を１０００個をバレルに投入した。これらを前処理
の後、Ｎiめっきを施した。Niめっき液中にはラウリル
硫酸ナトリウムを0.05g／Ｌを添加した。電流密度は0.1
A/dm2 とし、めっき時間は９０分とした。さらに、Niめ
っき後に水洗しはんだめっきを行った。はんだめっき電
流は0.1A/dm2とし、めっき時間は９０分とした。このよ
うに電解めっき法で作成した金属被膜の膜厚を蛍光Ｘ線
膜厚計で測定したところNi３〜５μm、はんだめっき４
〜５μmであった。このようにして作成した試料を、SEM
-EDXにて金属皮膜中のFe量の分析を行った後、強度試験
を行った。また、６００℃に加熱し、その時に金属皮膜
より発生する水素量をガスクロマト法にて測定した。強
度試験は、基板にはんだ付けした部品を引き剥がし、そ
の時に引き剥がされたときの強度をフォースゲージにて
測定した。また、同時にはんだ付け後のフィレットを確
認することにより、はんだ付け性の確認も行った。
【０００７】（比較例１）実施例１と同様の方法で試料
チップを作成した。そして、得られた試料チップ１００
０個を直径0.6mmのFe球にNiめっきを３μm施したもの１
リットルとともにバレルに投入し、前処理の後、Niめっ
きを行った。後のめっき条件等は実施例１と同じとし、
チップの外部端子上にニッケルおよびはんだの金属皮膜
を形成した。また、実施例１と同様の方法にてFe量の分
析、剥離強度の測定、水素量の測定を行った。 （比較例２）実施例と同様の方法で試料チップを作成し
た。そして得られた試料チップ１０００個を直径0.6mm
のSn球を１リットルとともにバレルに投入し、前処理の
後、Niめっきを行った。Niめっき浴は硫酸ニッケル主体
のワット浴を使用したが、界面活性剤等は用いなかっ
た。このときのめっき電流密度は1.0A/dm2とし、めっき
時間は９０分とした。また水洗後、はんだめっきを1.0A
/dm2で９０分めっきした。このようにしてめっきした試
料の電解めっき法で作成した金属被膜の膜厚を蛍光Ｘ線
膜厚計で測定したところNi３〜５μm、はんだめっき４
〜５μmであった。また、実施例１と同様の方法にてFe
量の分析、剥離強度の測定、水素量の測定を行った。こ
れらの結果を表１に示す。
チップを作成した。そして、得られた試料チップ１００
０個を直径0.6mmのFe球にNiめっきを３μm施したもの１
リットルとともにバレルに投入し、前処理の後、Niめっ
きを行った。後のめっき条件等は実施例１と同じとし、
チップの外部端子上にニッケルおよびはんだの金属皮膜
を形成した。また、実施例１と同様の方法にてFe量の分
析、剥離強度の測定、水素量の測定を行った。 （比較例２）実施例と同様の方法で試料チップを作成し
た。そして得られた試料チップ１０００個を直径0.6mm
のSn球を１リットルとともにバレルに投入し、前処理の
後、Niめっきを行った。Niめっき浴は硫酸ニッケル主体
のワット浴を使用したが、界面活性剤等は用いなかっ
た。このときのめっき電流密度は1.0A/dm2とし、めっき
時間は９０分とした。また水洗後、はんだめっきを1.0A
/dm2で９０分めっきした。このようにしてめっきした試
料の電解めっき法で作成した金属被膜の膜厚を蛍光Ｘ線
膜厚計で測定したところNi３〜５μm、はんだめっき４
〜５μmであった。また、実施例１と同様の方法にてFe
量の分析、剥離強度の測定、水素量の測定を行った。こ
れらの結果を表１に示す。
【０００８】
【表１】
【０００９】これらの結果より、外部端子に形成する金
属皮膜中のFe量および水素量を制御しFe量１ｗｔ％以
下、水素量0.05ｗｔ％以下とすることで、密着強度に優
れ、半田濡れ性良好な外部端子を得ることができる。
属皮膜中のFe量および水素量を制御しFe量１ｗｔ％以
下、水素量0.05ｗｔ％以下とすることで、密着強度に優
れ、半田濡れ性良好な外部端子を得ることができる。
【００１０】
【発明の効果】本発明によれば、外部端子と実装基板の
密着強度と、半田濡れ性に優れた外部端子を得ることが
できる。
密着強度と、半田濡れ性に優れた外部端子を得ることが
できる。
Claims (2)
- 【請求項１】 セラミック基体に複数の外部電極を有す
る電子部品であって、前記外部電極はセラミック基体に
形成される下地層と、当該下地層の表面に電解又は無電
解めっきで形成される導体層からなり、前記導体層中の
水素の含有量が０．０５ｗｔ％以下であることを特徴と
する電子部品。 - 【請求項２】 前記導体層中のＦｅ成分が１ｗｔ％以下
であることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001051050A JP4534183B2 (ja) | 2001-02-26 | 2001-02-26 | 電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001051050A JP4534183B2 (ja) | 2001-02-26 | 2001-02-26 | 電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002252141A true JP2002252141A (ja) | 2002-09-06 |
| JP4534183B2 JP4534183B2 (ja) | 2010-09-01 |
Family
ID=18911913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001051050A Expired - Lifetime JP4534183B2 (ja) | 2001-02-26 | 2001-02-26 | 電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4534183B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003183844A (ja) * | 2001-12-18 | 2003-07-03 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品の製造方法、及び電子部品 |
| WO2007097180A1 (ja) * | 2006-02-27 | 2007-08-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 積層型電子部品およびその製造方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06330398A (ja) * | 1993-05-27 | 1994-11-29 | Murata Mfg Co Ltd | めっき方法及びめっき装置 |
| JPH08264372A (ja) * | 1995-03-17 | 1996-10-11 | Taiyo Yuden Co Ltd | 無電解メッキ膜付電子部品の製造方法 |
| JPH10270836A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-09 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 微小球のハンダめっき法 |
| JPH10284667A (ja) * | 1997-04-04 | 1998-10-23 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 耐食性、耐酸化性に優れる電気電子機器用部品材料、及びその製造方法 |
| JPH11279800A (ja) * | 1998-03-26 | 1999-10-12 | Hitachi Metals Ltd | 小型電子部品のめっき方法 |
-
2001
- 2001-02-26 JP JP2001051050A patent/JP4534183B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06330398A (ja) * | 1993-05-27 | 1994-11-29 | Murata Mfg Co Ltd | めっき方法及びめっき装置 |
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| JPH10284667A (ja) * | 1997-04-04 | 1998-10-23 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 耐食性、耐酸化性に優れる電気電子機器用部品材料、及びその製造方法 |
| JPH11279800A (ja) * | 1998-03-26 | 1999-10-12 | Hitachi Metals Ltd | 小型電子部品のめっき方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003183844A (ja) * | 2001-12-18 | 2003-07-03 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品の製造方法、及び電子部品 |
| WO2007097180A1 (ja) * | 2006-02-27 | 2007-08-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 積層型電子部品およびその製造方法 |
| US7589951B2 (en) | 2006-02-27 | 2009-09-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Laminated electronic component and method for manufacturing the same |
| KR100953276B1 (ko) * | 2006-02-27 | 2010-04-16 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 적층형 전자부품 및 그 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4534183B2 (ja) | 2010-09-01 |
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