JP2003183844A

JP2003183844A - 電子部品の製造方法、及び電子部品

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Publication number: JP2003183844A
Application number: JP2001385167A
Authority: JP
Inventors: Tatsuo Kunishi; 多通夫国司; Sotoshi Numata; 外志沼田; Junichi Saito; 順一斎藤; Yukio Sakabe; 行雄坂部
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2001-12-18
Filing date: 2001-12-18
Publication date: 2003-07-03
Anticipated expiration: 2021-12-18
Also published as: CN1210439C; KR100497076B1; JP3678196B2; CN1428457A; KR20030051348A; US20030134050A1; TWI231315B; TW200302877A

Abstract

(57)【要約】【課題】安価にして所望箇所にのみ所望のめっき皮膜
を容易に形成することのできるようにした。【解決手段】Ｎｉの析出電位に対し電気化学的に卑な
浸漬電位を有する平均径１ｍｍの多数のＺｎ片をめっき
浴中で前記被めっき物と混合すると、Ｚｎが溶解して電
子を放出し、Ｚｎと接するＣｕ電極が卑にシフトし、こ
れにより電極上にＮｉが析出し、電極表面にＮｉ皮膜３
が形成される。同様にしてスズめっき浴中でＺｎ片を浸
漬させると、Ｚｎが溶解して電子を放出し、Ｚｎと接す
るＮｉ皮膜３が卑にシフトし、これによりＮｉ皮膜上３
にＳｎが析出し、Ｓｎ皮膜４が形成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は電子部品の製造方
法、及び電子部品に関し、特に、積層コンデンサやノイ
ズフィルタ等のチップ型電子部品の製造方法、及び該製
造方法を使用して製造された電子部品に関する。

【０００２】

【従来の技術】セラミック素体の表面に電極が形成され
た電子部品では、従来より、電極の耐熱性やはんだ濡れ
性を向上させるためにニッケルめっきやスズめっきを施
し、電極表面にめっき皮膜を形成することが行われてい
る。

【０００３】ところで、めっき方法を被覆方法から分類
した場合、周知のように、金属イオンを含有しためっき
液に電気を流して電気分解を行ない金属を被めっき物上
に析出させる電解めっきと、無電解めっきとに大別され
る。また、無電解めっきには、めっき液に還元剤を添加
し該還元剤の酸化反応によって生ずる電子を金属の析出
反応を利用する自己触媒型と、溶液中の金属イオンと素
地金属間の置換反応を利用する置換型とがある。

【０００４】そして、自己触媒型の無電解めっきでは、
還元剤の酸化反応に対し電極表面を触媒活性な表面にす
る必要があり、このため従来より、Ｐｄ（パラジウム）
を含有した触媒液に被めっき物を浸漬して電極に表面処
理を施し、電極表面を触媒活性化することが行われてい
る。

【０００５】しかしながら、上述したようにＰｄを含有
した触媒液に被めっき部材を浸漬した場合、電極以外の
部分にもＰｄが付着して触媒活性化され、このため該Ｐ
ｄを核としたＮｉめっきが進行し、その結果、電極以外
の部分にもＮｉが析出する虞がある。しかも、Ｐｄ触媒
を付与するための前処理として脱脂工程やエッチング工
程が必要になる等製造工程が煩雑であり、このため従来
より、この種のめっき処理は主として電解めっきにより
行われていた。

【０００６】その一方で、近年になって、還元剤として
ホウ素系化合物を使用した場合は、Ｐｄによる触媒処理
を行わなくとも電極上に直接無電解めっきを施すことが
できることが判明し、斯かる知見に基づき無電解めっき
によりＣｕ電極の表面にＮｉ−Ｂ層、Ｎｉ−Ｐ層、及び
Ａｕ層を順次積層した技術が提案されている（特開平１
０−１３５６０７号公報）。

【０００７】この従来技術では、被めっき物にＰｄ触媒
を付与することなく無電解めっきを施すことができ、こ
れによりＮｉ−Ｂ層、Ｎｉ−Ｐ層、及びＡｕ層を順次積
層しているので、電極以外の部分にめっき皮膜が形成さ
れることなく、電極表面上にのみＮｉ系皮膜及びＡｕ皮
膜を形成することができる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記め
っき方法の内、電解めっき法には以下のような問題点が
あった。すなわち、（１）チップ型電子部品のような小形物品では、従来よ
り所謂バレルめっきでめっき処理することが広く実用化
されているが、今日では電子部品の小形化が要請されて
いる。

【０００９】しかしながら、斯かる電子部品の小形化に
伴なってバレル内壁等に形成された多数の孔に該電子部
品の挟まる虞があり、このため前記孔の開孔径を小さく
する必要が生じる一方で、該開孔径を小さくするとめっ
き液の流れが悪くなる。

【００１０】すなわち、バレルめっきの場合、電極への
通電性を確保する観点から、多数の導電性媒体（メディ
ア）をバレル装置内に投入してめっき処理が行なわれ
る。したがって、電子部品の小形化が進行するに伴な
い、表面上に浮き上がらせるために導電性媒体も直径
０．８ｍｍ以下の小径のものを使用せざるを得なくな
り、このため１ｍｍ程度の比較的大きな直径の導電性媒
体が混入した安価な導電性媒体（所謂「スチールショッ
ト」）を使用することができなくなる。つまり、経済的
観点からは、形状が不揃いで安価なスチールショットを
バレル装置内に投入してめっき処理を行うのが望ましい
が、電子部品の小形化に伴ない、バレルの開孔径も小さ
くせざるを得なくなり、その結果導電性媒体は斯かる開
孔径の小さな孔に挟まることがあるため、高価な小径の
導電性媒体や形状の揃ったスチールボールを使用せざる
を得なくなり、生産コストの急騰化を招来する。

【００１１】（２）また、多数の端子を具備した多端子
電子部品では、各端子への給電状態を均一にすることが
困難であり、このため各端子間でめっき皮膜の膜厚均一
性を欠き、めっき皮膜の膜厚にバラツキが生じる。この
場合、必要最小限の膜厚を確保しなければならないた
め、最小膜厚を基準にめっき皮膜が形成可能となるよう
なめっき条件の設定を行う必要があり、このため全体的
には膜厚が厚くなり、例えばＮｉめっきの場合は、皮膜
応力によってめっき皮膜が電極から剥離する虞がある。

【００１２】（３）さらに、バリスタ等のセラミックス
材料を素体とする低抵抗の電子部品の場合は、電解めっ
きにより電子がセラミック素体表面にまで流れるため、
セラミック素体の表面にもめっき金属が異常析出する。
特に、バレルめっきでは電流分布が複雑であるため、斯
かるめっき金属のセラミック素体への異常析出を回避す
るのは困難である。

【００１３】等の問題点があった。

【００１４】一方、特開平１０−１３５６０７号公報に
示された無電解めっきでは、電極表面上にＰｄ触媒を付
与することなく、めっき処理を施すことができるので、
電極上にのみ所望のめっき皮膜を形成することが可能で
あるが、一般に、還元剤として高価なジメチルアミンボ
ラン（（ＣＨ_３）_２ＮＨＢＨ_３；以下「ＤＭＡＢ」とい
う）を使用しているため、斯かる技術を様々な用途に使
用される種々の電子部品の製造方法に適用した場合、生
産コストの高騰化を招来するという問題点があった。

【００１５】しかも、スズめっきを施す場合、スズには
自己触媒的機能が低いため、通常の無電解めっきではス
ズの析出を自発的且つ持続的に行うことができず、した
がって現状の無電解めっきでは任意の膜厚を有するスズ
皮膜を得るのが困難であるという問題点があった。

【００１６】本発明はこのような問題点に鑑みなされた
ものであって、安価にして所望箇所にのみ所望のめっき
皮膜を容易に形成することのできる電子部品の製造方
法、及び該製造方法を使用して製造される低コストで信
頼性に優れた電子部品を提供することを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】従来のように、チップ型
電子部品のような小形部品を電解めっき法でバレルめっ
きする場合は、上述したようにバレル内に小径の導電性
媒体を投入してめっき処理を行なわなければならず、し
かも導電性媒体の表面にもめっき金属が析出するため、
その分だけ金属が余計に必要となって生産コストの高騰
化を招来し、さらに多端子電子部品の場合は膜厚分布が
大きくなる等の問題点がある。そして、斯かる問題点を
解消するのは電解めっきでは技術的に困難と考えられ
る。

【００１８】そこで、本発明者らは無電解めっきに着目
し、所望箇所にのみめっき皮膜を形成する方法を得るべ
く鋭意研究したところ、析出金属の析出電位よりも電気
化学的に卑な浸漬電位を有する導電性媒体をめっき浴中
で被めっき物と混合させ、該導電性媒体を被めっき物の
電極と接触させることにより、電極の可逆電位が析出電
位の影響を受けて電気化学的に卑な方向にシフトし、そ
の結果めっき浴中に還元剤を添加しなくともめっき液中
の金属イオンと導電性媒体との化学反応により電極上に
金属を析出させることが可能であるという知見を得た。

【００１９】本発明はこのような知見に基づきなされた
ものであって、本発明に係る電子部品の製造方法は、表
面に電極が形成された被めっき物にめっき処理を施し、
電子部品を製造する電子部品の製造方法において、析出
金属の析出電位に対し電気化学的に卑な浸漬電位を有す
る導電性媒体をめっき浴中で前記被めっき物と混合し、
無電解めっきを施して前記電極上に前記めっき皮膜を形
成することを特徴としている。

【００２０】また、前記導電性媒体と前記被めっき物と
を混合させる方法としては、めっき浴槽を攪拌して前記
導電性媒体と前記被めっき物とを混合させることが、小
形の被めっき物をめっき処理する上で好ましい。

【００２１】そこで、本発明は、前記被めっき物と前記
導電性媒体とを投入した容器を前記めっき浴の満たされ
ためっき浴槽内で回転、揺動、傾斜、又は振動させて前
記被めっき物と前記導電性媒体とを接触させることを特
徴としている。

【００２２】ところで、従来より行われている電解めっ
きでは、バレル装置の開孔径を或る程度大きくしないと
電流が流れにくくなって電流分布に乱れが生じ、このた
め径の小さな導電性媒体や、形状が不揃いなスチールシ
ョットを使用するのは好ましくないとされているが、無
電解めっきでは、バレル装置の開孔径を小さくしても反
応上問題は少なく、したがって開孔径を極力小さくする
ことが可能であり、したがって、導電性媒体の形状の自
由度は大きく、様々な形状の導電性媒体を使用すること
ができる。すなわち、平均径を１．０ｍｍ程度の径の大
きな導電性媒体を使用することにより、導電性媒体がバ
レルの孔に挟まるのを回避することが可能となり、また
小形の電子部品を製造する場合であっても、高価な小径
の導電性媒体や形状が揃ったスチールボールを使用する
必要がなくなる。

【００２３】したがって、本発明は、前記導電性媒体
は、平均径が１．０ｍｍ以上であることを特徴としてい
る。ここで、平均径について単に球形の平均径で述べた
が、球形以外のときの様々な立体形においては、平均径
とは、立体の最大径の平均として取り扱われる。

【００２４】さらに、本発明の電子部品の製造方法は、
前記電極をＣｕ、Ｃｕ合金、Ａｇ又はＡｇ合金で形成す
ると共に、前記導電性媒体としてＡｌ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｍ
ｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｇａ、Ｃｄ、Ｉｎ、又はこ
れらの合金の中から選択された少なくとも１種以上の金
属片を使用し、Ｎｉ化合物を含有しためっき浴中で前記
被めっき物と前記金属片とを混合し、前記無電解めっき
を施して前記電極上にＮｉを主成分とする第１のめっき
皮膜（Ｎｉ皮膜又はＮｉ合金皮膜）を形成することを特
徴としている。

【００２５】すなわち、Ａｌ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｖ、
Ｃｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｇａ、Ｃｄ、Ｉｎ、又はこれらの合
金の浸漬電位は、電極を構成するＣｕ、Ｃｕ合金、Ａ
ｇ、及びＡｇ合金よりも電気化学的に卑であるため、Ａ
ｌ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｇａ、
Ｃｄ、Ｉｎ、又はこれらの合金からなる金属片を被めっ
き物と混合させると、該金属片は溶解すると共に又はこ
れらの合金電極材料（Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｇ、及びＡｇ
合金）に影響を与え、その結果Ｃｕ、Ａｇ、及びＡｇ合
金の可逆電位は卑方向にシフトし、電気化学的に貴なＮ
ｉ又はＮｉ合金が電極上に析出して第１のめっき皮膜が
形成される。

【００２６】尚、導電性媒体の浸漬電位は、めっき液の
水素イオン指数ｐＨや錯化剤の有無で大きく変化するた
め、アルカリ性めっき浴では、使用可能な導電性媒体の
種類が増加する。

【００２７】さらに、本発明の電子部品の製造方法は、
前記導電性媒体としてＡｌ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｖ、Ｃ
ｒ、Ｔａ、Ｎｂ、又はこれらの合金の中から選択された
少なくとも１種以上の金属片を使用し、少なくともＳｎ
化合物を含有しためっき浴中で前記被めっき物と前記金
属片とを混合し、前記無電解めっきを施して前記第１の
めっき皮膜上に第２のめっき皮膜（スズ又はスズ合金）
を形成することを特徴としている。

【００２８】すなわち、上記製造方法によれば、第１の
皮膜を構成するＮｉ又はＮｉ合金が、電気化学的に卑な
浸漬電位を有するＡｌ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、
Ｔａ、Ｎｂ、又はこれらの合金の影響を受け、その結果
第１の皮膜（Ｎｉ皮膜）の可逆電位が卑にシフトし、第
１のめっき皮膜上に金属が析出し、第２のめっき皮膜
（Ｓｎ又はＳｎ合金）が形成される。

【００２９】また、本発明は、前記電極をＮｉ、Ｃｕ、
Ｃｕ合金、Ａｇ、又はＡｇ合金で形成すると共に、前記
導電性媒体としてＡｌ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、
Ｔａ、Ｎｂ、又はこれらの合金の中から選択された少な
くとも１種以上の金属片を使用し、少なくともＳｎ化合
物を含有しためっき浴中で前記被めっき物と前記金属片
とを混合し、前記無電解めっきを施して前記電極の表面
にめっき皮膜（Ｓｎ皮膜又はＳｎ合金皮膜）を形成する
ことを特徴としている。

【００３０】すなわち、電極を構成するＮｉ、Ｃｕ、Ｃ
ｕ合金、Ａｇ又はＡｇ合金が、電気化学的に卑な浸漬電
位を有するＡｌ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｔａ、
Ｎｂ、又はこれらの合金の影響を受け、電極の可逆電位
が卑にシフトし、金属析出が電極上で開始し、これによ
りめっき皮膜（Ｓｎ又はＳｎ合金）が形成される。した
がって、従来は自己触媒機能がないとされ、無電解めっ
きに不向きとされたＳｎやＳｎ−Ｐｂ合金、Ｓｎ−Ａｇ
合金、Ｓｎ−Ｂｉ合金等のＳｎ合金めっきについても、
本発明の無電解めっきを利用して容易に行うことができ
る。

【００３１】また、本発明は、上述したように析出金属
の析出電位に対し電気化学的に卑な浸漬電位を有する導
電性媒体をめっき浴中で前記被めっき物と混合し、これ
により電極材料の電位を卑にシフトさせて電極上に金属
を析出させており、したがって、本発明は、析出金属、
導電性媒体、電極材料の間で種々の組み合わせが可能で
ある。

【００３２】すなわち、本発明の電子部品の製造方法
は、前記電極をＮｉ、Ｎｉ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａ
ｇ、又はＡｇ合金で形成すると共に、前記導電性媒体と
してＡｌ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｎｂ、
Ｇａ、Ｃｄ、Ｉｎ、又はこれらの合金の中から選択され
た少なくとも１種以上の金属片を使用し、Ｃｏ化合物を
含有しためっき浴中で前記被めっき物と前記金属片とを
混合し、前記無電解めっきを施して前記電極上にＣｏ又
はＣｏ合金からなるめっき皮膜を形成することを特徴と
している。

【００３３】また、本発明は、前記電極をＮｉ、Ｎｉ合
金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｇ又はＡｇ合金で形成すると共
に、前記導電性媒体としてＡｌ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｎ
ｉ合金、Ｓｎ、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｇａ、Ｃ
ｄ、Ｉｎ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｐｂ、又はこれらの合金の中か
ら選択された少なくとも１種以上の金属片を使用し、Ｐ
ｄ化合物又はＡｕ化合物の中から選択された１種の金属
化合物を含有しためっき浴中で前記被めっき物と前記金
属片とを混合し、前記無電解めっきを施して前記電極上
にＰｄ又はＡｕ、或いはこれらの合金金属からなるめっ
き皮膜を形成することを特徴としている。

【００３４】さらに、本発明は、前記電極をＮｉ、Ｎｉ
合金、Ａｇ又はＡｇ合金で形成すると共に、前記導電性
媒体としてＡｌ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｎｉ合金、Ｓｎ、
Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｇａ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｃ
ｏ、Ｍｏ、Ｐｂ、又はこれらの合金の中から選択された
少なくとも１種以上の金属片を使用し、Ｃｕ化合物を含
有しためっき浴中で前記被めっき物と前記金属片とを混
合し、前記無電解めっきを施して前記電極上に前記Ｃｕ
からなるめっき皮膜を形成することを特徴とし、前記電
極をＮｉ又はＣｕで形成すると共に、前記導電性媒体と
してＡｌ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｎｉ合金、Ｓｎ、、Ｍ
ｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｇａ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｃｏ、
Ｍｏ、Ｐｂ、又はこれらの合金の中から選択された少な
くとも１種以上の金属片を使用し、Ａｇ化合物を含有し
ためっき浴中で前記被めっき物と前記金属片とを混合
し、前記無電解めっきを施して前記電極上に前記Ａｇか
らなるめっき皮膜を形成することを特徴としている。

【００３５】また、本発明に係る電子部品は、上記製造
方法で製造されていることを特徴としている。

【００３６】すなわち、本電子部品は、無電解めっきに
より電極上にのみ所望金属でめっき皮膜された電子部品
を安価且つ容易に得ることができる。

【００３７】特に、Ｓｎが持続的に析出してＳｎめっき
皮膜やＳｎ合金めっき皮膜を形成することができるの
で、所望のＮｉ−Ｓｎめっき皮膜で形成された信頼性に
優れた電子部品を容易且つ安価に得ることができる。

【００３８】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
を参照しながら詳説する。

【００３９】図１は本発明に係る電子部品の製造方法に
より製造されるチップ型電子部品の一実施の形態を模式
的に示した断面図である。

【００４０】同図において、セラミック素体１は、チタ
ン酸バリウムやチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等のセ
ラミック材料により角板形状に形成されており、該セラ
ミック素体１の両端部にはＣｕ、Ｃｕ合金、Ａｇ、Ａｇ
−Ｐｄ等からなる電極部２が形成されている。そして、
前記電極部２の表面にはＮｉ皮膜３が被着され、該Ｎｉ
皮膜３の表面にはＳｎ皮膜４が被着されている。

【００４１】次に、該電子部品の製造方法について説明
する。

【００４２】まず、所定の成形・焼成処理を経て形成さ
れたセラミック焼結体を角板形状に切り出してセラミッ
ク素体１を作製し、次いで、周知の方法により、Ｃｕ、
Ｃｕ合金、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ等の電極材料をセラミック
素体１の両端部に印刷して焼き付け、該セラミック素体
１の両端部に電極部２を形成する。

【００４３】そして、本実施の形態では、導電性媒体を
介して電極電位を卑にシフトさせると共に、めっき浴中
の金属イオンとの酸化還元反応により電極表面に金属を
析出させ、電極部２の表面にＮｉ皮膜３及びＳｎ皮膜４
を形成している。

【００４４】以下、Ｎｉ皮膜３及びＳｎ皮膜４の形成方
法について詳述する。

【００４５】（１）Ｎｉ皮膜３本実施の形態では、析出金属であるＮｉの析出電位より
も電気化学的に卑な浸漬電位を有する平均径が１ｍｍの
Ｚｎ片を、Ｎｉ化合物の含有しためっき浴に浸漬させて
該めっき浴中で被めっき物と混合撹拌させてＺｎと接触
させ、これにより電極であるＣｕ、Ｃｕ合金、Ａｇ、Ａ
ｇ−Ｐｄの電位を卑にシフトさせて電極上にＮｉを析出
させ電極表面にＮｉ皮膜３を形成している。

【００４６】すなわち、析出金属（Ｎｉ）を含有しため
っき浴中に該析出金属よりも電気化学的に卑な浸漬電位
を有するＺｎ片を浸漬すると、Ｚｎ片はめっき浴中に溶
解し、化学式（１）に示すように電子を放出する。

【００４７】Ｚｎ→Ｚｎ^２＋＋２ｅ⁻…（１）一方、Ｚｎ片と被めっき物とを混合・撹拌することによ
り、Ｚｎは電極と接触して電極電位が卑にシフトすると
共に、化学式（２）に示すように、Ｚｎに比べ電気化学
的に貴なＮｉイオンが還元されて電極上に析出し、これ
によりＮｉ皮膜３が形成される。

【００４８】Ｎｉ^２＋＋２ｅ⁻→Ｎｉ…（２）（２）Ｓｎ皮膜４Ｓｎ皮膜４の形成も、上記Ｎｉ皮膜３と同様の原理で形
成される。

【００４９】すなわち、析出金属であるＳｎの析出電位
よりも電気化学的に卑な浸漬電位を有する平均径が１ｍ
ｍのＺｎ片を、Ｓｎ化合物の含有しためっき浴に浸漬さ
せると、上述と同様にしてＺｎ片はめっき浴中に溶解
し、電子を放出する（上記化学式（１）参照）。

【００５０】そして、Ｚｎ片と被めっき物とを混合・撹
拌することにより、Ｚｎは電極と接触して電極電位が卑
にシフトすると共に、化学式（３）に示すように、Ｚｎ
に比べ電気化学的に貴となったＳｎが還元されてＮｉ皮
膜３上に析出し、これによりＳｎ皮膜４が形成される。

【００５１】Ｓｎ^２＋＋２ｅ⁻→Ｓｎ…（３）このように本実施の形態では電極表面に接触するＺｎと
析出金属であるＮｉ、又はＳｎとの間で化学反応を起こ
させ、これにより卑にシフトした電極上にＮｉ皮膜３及
びＳｎ皮膜４を形成することができる。

【００５２】したがって、小形の電子部品を製造する場
合であっても、電解バレルめっき法のように０．８ｍｍ
以下の小径の導電性媒体や形状の揃ったスチールボール
を使用する必要もなく、低コストで所望の小形電子部品
を製造することができる。

【００５３】また、多端子型電子部品では、電解めっき
でＮｉ皮膜及びＳｎ皮膜を形成する場合は、各端子の給
電状態を均一に制御することが困難であり、膜厚の均一
性を得るのが困難であるのに対し、本実施の形態ではめ
っき浴と接触する電極全体で略均一に進行させることが
でき、各端子間で均一性の良好な膜厚を有する電子部品
を得ることが可能となる。

【００５４】また、従来のようにＰｄ触媒による表面処
理を行っていないので、電極以外の非金属部分にめっき
析出が生じることもなく、所望部分にのみめっき皮膜を
形成することが可能となる。

【００５５】また、従来の置換型無電解めっきでは、電
極材料と析出金属との間で置換反応により金属を析出さ
せているため、析出金属が電極を被覆した時点で反応が
停止し、このため比較的薄い皮膜しか形成することがで
きないのに対し、本実施の形態では導電性媒体と析出金
属との間の化学反応（酸化還元反応）を利用しているの
で、めっき浴に浸漬される導電性媒体の投入量を調整す
ることにより、容易に膜厚制御を行うことができる。

【００５６】尚、本発明は上記実施の形態に限定される
ものではない。上記実施の形態では、導電性媒体として
Ｚｎ片を使用しているが、析出金属であるＮｉやＳｎの
析出電位よりも浸漬電位が卑であればよく、例えばＮｉ
皮膜を形成する場合であればＡｌ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｖ、Ｃ
ｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｇａ、Ｃｄ、Ｉｎ、又はこれらの合金
を使用しても上述と同様の作用・効果を奏することがで
き、Ｓｎ皮膜を形成する場合であればＡｌ、Ｆｅ、Ｍ
ｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｎｂ、又はこれらの合金を使用し
ても上述と同様の作用・効果を奏することができる。ま
た、上記実施の形態では、Ｎｉ皮膜上にＳｎ皮膜を形成
しているが、同様の方法によりＮｉ皮膜上にＳｎ−Ｐ
ｂ、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｂｉ等のＳｎ合金皮膜を形成す
ることもでき、ＮｉやＣｕ、Ａｇ、或いはＡｇ−Ｐｄを
下地電極とし、上述した無電解めっきを施すことによ
り、該電極上にＳｎ皮膜やＳｎ合金皮膜を形成すること
ができる。

【００５７】さらに、本発明は、上述の如く電極部２に
接触する導電性媒体と析出金属との間の化学反応により
卑にシフトした電極部２の表面に金属を析出させてお
り、したがって析出金属に対し導電性媒体と電極材料と
を適宜選択することにより、種々の組み合わせが可能で
ある。

【００５８】以下、析出金属としてＣｏ又はＣｏ合金、
Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ又はＰｄ合金、Ａｕを使用した場合に
ついて説明する。

【００５９】（１）Ｃｏ又はＣｏ合金析出金属であるＣｏ又はＣｏ合金の析出電位よりも浸漬
電位が電気化学的に卑な導電性媒体として、Ａｌ、Ｚ
ｎ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｇａ、Ｃｄ、
又はＩｎの金属片（１種でも２種以上でも可）を使用
し、Ｃｏ化合物を含有しためっき浴中で斯かる金属片を
浸漬することにより、該金属片は溶解して電子を放出
し、Ｃｏイオンが還元され、その結果金属片と接触して
いるＮｉ、Ｎｉ合金、Ｃｕ、Ａｇ、又はＡｇ−Ｐｄの電
極上にＣｏ又はＣｏ合金が析出してＣｏ皮膜又はＣｏ合
金皮膜を形成することができる。

【００６０】（２）Ｃｕ析出金属であるＣｕの析出電位よりも浸漬電位が電気化
学的に卑な導電性媒体として、Ａｌ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｎ
ｉ、Ｎｉ合金、Ｓｎ、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｇ
ａ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｃｏ、Ｍｏ、又はＰｂの金属片（１種
でも２種以上でも可）を使用し、Ｃｕ化合物を含有した
めっき浴中で斯かる金属片を浸漬することにより、該金
属片が溶解して電子を放出し、Ｃｕイオンが還元され、
その結果金属片と接触しているＮｉ、Ｎｉ合金、Ａｇ又
はＡｇ−Ｐｄの電極上にＣｕが析出し、Ｃｕ皮膜を形成
することができる。

【００６１】（３）Ａｇ析出金属であるＡｇの析出電位よりも浸漬電位が電気化
学的に卑な導電性媒体として、Ａｌ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｎ
ｉ、Ｎｉ合金、Ｓｎ、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｇ
ａ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｃｏ、Ｍｏ、又はＰｂの金属片（１種
でも２種以上でも可）を使用し、Ａｇ化合物を含有した
めっき浴中で斯かる金属片を浸漬することにより、該金
属片は溶解して電子を放出し、Ａｇイオンが還元され、
園結果金属片と接触しているＮｉ、Ｎｉ合金又はＣｕの
電極上にＡｇが析出し、Ａｇ皮膜を形成することができ
る。

【００６２】（４）Ｐｄ又はＰｄ合金析出金属であるＰｄ又はＰｄ合金の析出電位よりも浸漬
電位が電気化学的に卑な導電性媒体として、Ａｌ、Ｚ
ｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｎｉ合金、Ｓｎ、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｔ
ａ、Ｎｂ、Ｇａ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｃｏ、Ｍｏ、又はＰｂの
金属片（１種でも２種以上でも可）を使用し、Ｐｄ化合
物を含有しためっき浴中で斯かる金属片を浸漬すること
により、該金属片は溶解して電子を放出し、Ｐｄイオン
が還元され、その結果金属片と接触しているＮｉ、Ｎｉ
合金、Ｃｕ、Ａｇ又はＡｇ−Ｐｄの電極上にＰｄ又はＰ
ｄ合金が析出し、めっき皮膜を形成することができる。

【００６３】（５）Ａｕ析出金属であるＡｕの析出電位よりも浸漬電位が電気化
学的に卑な導電性媒体として、Ａｌ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｎ
ｉ、Ｎｉ合金、Ｓｎ、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｇ
ａ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｃｏ、Ｍｏ、又はＰｂの金属片（１種
でも２種以上でも可）を使用し、Ａｕ化合物を含有した
めっき浴中で斯かる金属片を浸漬することにより、該金
属片は溶解して電子を放出し、Ａｕイオンが還元され、
その結果金属片と接触しているＮｉ、Ｎｉ合金、Ｃｕ、
Ａｇ又はＡｇ−Ｐｄの電極上にＡｕが析出し、めっき皮
膜を形成することができる。

【００６４】そして、上記（１）〜（５）の結果を纏め
ると表１のようになる。

【００６５】

【表１】この表１からも明らかなように、析出金属、導電性媒
体、及び電極材料を種々組み合わせて所望のめっき処理
を実行することができ、これによりチップ型のみならず
プリント基板等、様々な用途に使用される種々の電子部
品のめっき処理に対し広汎な適用が可能となる。

【００６６】以上詳述したように本発明によれば、自己
触媒機能の有無に拘わらず、導電性媒体と析出金属間で
の酸化還元反応により、所望膜厚のめっき皮膜が電極表
面に形成された電子部品を製造することができる。

【００６７】

【実施例】次に、本発明の実施例を具体的に説明する。

【００６８】〔第１の実施例〕（実施例１）本発明者らは、縦３．２ｍｍ、横１．６ｍ
ｍ、厚さ１．０ｍｍのセラミック素体の両端部にＣｕ電
極を形成して被めっき物を３０，０００個作製した。

【００６９】次いで、下記のめっき組成を有するめっき
浴（第１のめっき浴）を満たした内容積が０．００１ｍ
^３の容器に上記被めっき物を浸漬すると共に、平均径１
ｍｍφのＺｎ片を１０，０００個投入して３０分間撹拌
し、Ｃｕ電極の表面にＮｉ皮膜が形成されるように無電
解めっきを施した。

【００７０】〔第１のめっき浴組成〕金属塩：塩化ニッケル３０．０ｋｇ／ｍ^３錯化剤：クエン酸ナトリウム１０．０ｋｇ／ｍ^３グリコール酸ナトリウム１０．０ｋｇ／ｍ^３ｐＨ：４．２浴温：８５℃ 次に、上記無電解めっきを施した被めっき物を下記のめ
っき組成を有するめっき浴（第２のめっき浴）を満たし
た容器に浸漬し、上述と同様、平均径１ｍｍのＺｎ片を
８０個投入して３０分間撹拌し、Ｎｉ皮膜上にＳｎ皮膜
が形成されるように無電解めっきを施し、実施例１の試
験片を作製した。

【００７１】〔第２のめっき浴組成〕金属塩：硫酸第１スズ５．５ｋｇ／ｍ^３錯化剤：グルコン酸ナトリウム１４０．０ｋｇ／ｍ^３添加剤：ポリエチレングリコール（分子量７５００）１．０ｋｇ／ｍ^３ｐ−アニスアルデヒド０．１ｋｇ／ｍ^３ホルムアルデヒド３７％溶液０．６ｋｇ／ｍ^３ｐＨ：６．０浴温：３５℃ （実施例２）実施例１と同様のセラミック素体の両端部
にＡｇ−Ｐｄ電極を形成し、実施例１と同様の手順でＡ
ｇ−Ｐｄ電極の表面にＮｉ皮膜及びＳｎ皮膜が形成され
るように無電解めっきを施し、実施例２の試験片を作製
した。

【００７２】（実施例３）実施例１と同様のセラミック
素体の両端部にＡｇ電極を形成し、実施例１と同様の手
順でＡｇ電極の表面にＮｉ皮膜及びＳｎ皮膜が形成され
るよに無電解めっきを施し、実施例３の試験片を作製し
た。

【００７３】（実施例４）本発明者らは、縦０．６ｍ
ｍ、横０．３ｍｍ、厚さ０．３ｍｍのセラミック素体を
使用し、実施例１と同様の手順でＣｕ電極上にＮｉ皮膜
及びＳｎ皮膜が形成されるように無電解めっきを施し、
実施例３の試験片を作製した。

【００７４】表２は、各実施例の膜厚を示している。

【００７５】尚、膜厚測定は、蛍光Ｘ線膜厚計（セイコ
ーインスツルメンツ社製ＳＥＡ５１２０）で測定した。

【００７６】

【表２】この表２の各実施例から明らかなように、めっき浴中に
還元剤を添加しなくともＮｉ皮膜を形成することがで
き、また、自己触媒機能が低いＳｎについても所望膜厚
のＳｎ皮膜が形成可能なことが確認された。

【００７７】また、実施例４に示すように、小形のチッ
プ型電子部品においても平均径１ｍｍのＺｎ片を容器内
に投入して被めっき物と混合させることにより、Ｎｉ皮
膜及びＳｎ皮膜を形成することができることが分かっ
た。

【００７８】〔第２の実施例〕本発明者らは、縦０．６
ｍｍ、横０．３ｍｍ、厚さ０．３ｍｍのセラミック素体
を使用し、第１の実施例の実施例１と同様の手順でＣｕ
電極上にＮｉ皮膜を形成した後、被めっき物を下記のめ
っき組成を有するめっき浴（第３のめっき浴）を満たし
た容器に浸漬し、上述と同様、平均径１ｍｍのＺｎ片を
１０００個投入して３０分間撹拌し、Ｎｉ皮膜上にＳｎ
−Ｐｂ皮膜が形成されるように無電解めっきを施し、実
施例１１〜１４の試験片を作製した。

【００７９】〔第３のめっき浴組成〕金属塩：硫酸第１スズ３１．１ｋｇ／ｍ^３酢酸第１鉛１７．９ｋｇ／ｍ^３錯化剤：グルコン酸ナトリウム１０９．１ｋｇ／ｍ^３エチレンジアミン四酢酸・２ナトリウム１８．５ｋｇ／ｍ^３添加剤：ポリエチレングリコール（分子量７５００）１．０ｋｇ／ｍ^３ｐ−アニスアルデヒド０．１ｋｇ／ｍ^３３７％ホルムアルデヒド水溶液０．６ｋｇ／ｍ^３ｐＨ：８．０浴温：３５℃ 表３はその測定結果を示している。

【００８０】

【表３】この表３から明らかなように、Ｓｎ皮膜の形成と同様、
小形のチップ型電子部品の場合もＮｉ皮膜の表面に所望
のＳｎ−Ｐｂ皮膜を形成することのできることが確認さ
れた。

【００８１】

【発明の効果】以上詳述したように本発明に係る電子部
品の製造方法は、表面に電極が形成された被めっき物に
めっき処理を施し、電子部品を製造する電子部品の製造
方法において、析出金属の析出電位に対し電気化学的に
卑な浸漬電位を有する導電性媒体をめっき浴中で前記被
めっき物と混合し、無電解めっきを施して前記電極上に
前記めっき皮膜を形成するので、該導電性媒体を被めっ
き物の電極と接触させることにより、電極の可逆電位が
析出電位の影響を受けて電気化学的に卑な方向にシフト
し、その結果めっき浴中に還元剤を添加しなくともで導
電性媒体と析出金属との間で生じる酸化還元反応により
電極上に金属を析出させることができ、均一な膜厚のめ
っき皮膜を有する電子部品を製造することができる。し
かも、無電解めっきで金属析出を行っており、したがっ
て、電解めっきにように電極部分以外の非金属部分に金
属が析出することなく、多端子用電子部品の場合であっ
ても電極部にのみ所望の均一な膜厚を有するめっき皮膜
を形成することができる。しかも、めっき皮膜の均一性
が良好であるため、コストが高騰するのを回避すること
ができる。

【００８２】また、前記めっき浴槽を攪拌して前記導電
性媒体と前記被めっき物とを混合させることにより、被
めっき物が小形の場合でも導電性媒体と被めっき物とを
効率良く接触させることができ、電極表面を容易に卑に
シフトさせることができる。

【００８３】また、前記導電性媒体の平均径を１．０ｍ
ｍとすることにより、電解めっきで使用されるバレル容
器で上記無電解めっきを行った場合でも、バレルの開孔
部に導電体媒体が挟まるのを回避することができ、ま
た、高価な小径の導電性媒体を使用する必要もなく、小
形の電子部品を製造する場合であってもコストの急騰化
を生じることなく、製造することができる。

【００８４】特に、前記電極をＣｕ、Ｃｕ合金、Ａｇ又
はＡｇ合金で形成すると共に、前記導電性媒体としてＡ
ｌ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｇａ、
Ｃｄ、Ｉｎ、又はこれらの合金の中から選択された少な
くとも１種以上の金属片を使用し、Ｎｉ化合物を含有し
ためっき浴中で前記被めっき物と前記金属片とを混合
し、無電解めっきを施して前記電極上に第１のめっき皮
膜を形成することにより、不純物の含有を極力排除した
高純度なＮｉを電極上に析出させることが可能となる。

【００８５】また、前記導電性媒体としてＡｌ、Ｚｎ、
Ｆｅ、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｔａ、又はＮｂの中から選択さ
れた少なくとも１種以上の金属片を使用し、少なくとも
Ｓｎ化合物を含有しためっき浴中で前記被めっき物と前
記金属片とを混合し、無電解めっきを施して前記第１の
めっき皮膜上に第２のめっき皮膜（Ｓｎ又はＳｎ合金）
を形成するので、自己触媒機能が低いとされるスズの場
合も無電解めっきにより、スズ皮膜をＮｉ皮膜又はＮｉ
合金めっき皮膜上に形成することができる。

【００８６】しかも、該Ｎｉ皮膜やＳｎ皮膜の形成に還
元剤を使用する必要がなく、容易且つ低コストでのめっ
き処理が可能となる。

【００８７】さらに、本発明によれば、電極をＮｉ、Ｃ
ｕ、Ｃｕ合金、Ａｇ又はＡｇ合金で形成した場合も、容
易且つ低コストで無電解めっきを施すことができ、従来
では工業的に実用化されていなかったＳｎの無電解めっ
きを簡単且つ低コストで行うことが可能となる。

【００８８】また、本発明によれば、析出金属としてＣ
ｏ（又はＣｏ合金）、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ（又はＰｄ合
金）、Ａｕを使用した場合も、導電性媒体、及び電極材
料を適宜選択して種々組み合わせることにより、所望の
めっき処理を実行することができ、これによりチップ型
のみならずプリント基板等、様々な用途に適用される種
々の電子部品のめっき処理に広汎に適用することができ
る。

【００８９】また、本発明に係る電子部品は、上記製造
方法で製造されているので、従来の無電解めっきのよう
にＰｄを含んだ触媒液で表面処理することなく、電極部
分にのみ均一にめっき皮膜が形成された電子部品を容易
に得ることができる。

【００９０】特に、Ｎｉ−Ｓｎ皮膜やＮｉ−Ｓｎ合金皮
膜を無電解めっきで容易に行うことができ、高品質で信
頼性に優れた電子部品を安価で得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の製造方法で製造された電子部品の一実
施の形態を示す断面図である。

【符号の説明】

１セラミック素体２電極部（電極）３Ｎｉ皮膜（第１のめっき皮膜）４Ｓｎ皮膜（第２のめっき皮膜）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者斎藤順一京都府長岡京市天神二丁目26番10号株式会社村田製作所内 (72)発明者坂部行雄京都府長岡京市天神二丁目26番10号株式会社村田製作所内Ｆターム(参考） 4K022 AA02 AA41 BA14 BA21 BA36 DA01 DB01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】表面に電極が形成された被めっき物にめ
っき処理を施し、電子部品を製造する電子部品の製造方
法において、析出金属の析出電位に対し電気化学的に卑な浸漬電位を
有する導電性媒体をめっき浴中で前記被めっき物と混合
し、無電解めっきを施して前記電極上に前記めっき皮膜
を形成することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】前記被めっき物と前記導電性媒体とを投
入した容器を前記めっき浴の満たされためっき浴槽内で
回転、揺動、傾斜、又は振動させて前記被めっき物と前
記導電性媒体とを接触させることを特徴とする請求項１
記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】前記導電性媒体は、平均径が１．０ｍｍ
以上であることを特徴とする請求項１又は請求項２記載
の電子部品の製造方法。
【請求項４】前記電極を銅、銅合金、銀又は銀合金で
形成すると共に、前記導電性媒体としてアルミニウム、
亜鉛、鉄、マンガン、バナジウム、クロム、タリウム、
ニオブ、ガリウム、カドミウム、インジウム、又はこれ
らの合金の中から選択された少なくとも１種以上の金属
片を使用し、ニッケル化合物を含有しためっき浴中で前
記被めっき物と前記金属片とを混合し、前記無電解めっ
きを施して前記電極上に第１のめっき皮膜を形成するこ
とを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載
の電子部品の製造方法。
【請求項５】前記第１のめっき皮膜は、ニッケル又は
ニッケル合金からなることを特徴とする請求項４記載の
電子部品の製造方法。
【請求項６】前記導電性媒体としてアルミニウム、亜
鉛、鉄、マンガン、バナジウム、クロム、タリウム、ニ
オブ、又はこれらの合金の中から選択された少なくとも
１種以上の金属片を使用し、少なくともスズ化合物を含
有しためっき浴中で前記被めっき物と前記金属片とを混
合し、前記無電解めっきを施して前記第１のめっき皮膜
上に第２のめっき皮膜を形成することを特徴とする請求
項４又は請求項５記載の電子部品の製造方法。
【請求項７】前記第２のめっき皮膜は、スズ又はスズ
合金からなることを特徴とする請求項６記載の電子部品
の製造方法。
【請求項８】前記電極をニッケル、ニッケル合金、
銅、銅合金、銀又は銀合金で形成すると共に、前記導電
性媒体としてアルミニウム、亜鉛、鉄、マンガン、バナ
ジウム、クロム、タリウム、ニオブ、又はこれらの合金
の中から選択された少なくとも１種以上の金属片を使用
し、少なくともスズ化合物を含有しためっき浴中で前記
被めっき物と前記金属片とを混合し、前記無電解めっき
を施して前記電極の表面にめっき皮膜を形成することを
特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の電
子部品の製造方法。
【請求項９】前記めっき皮膜は、スズ又はスズ合金か
らなることを特徴とする請求項８記載の電子部品の製造
方法。
【請求項１０】前記電極をニッケル、ニッケル合金、
銅、銅合金、銀又は銀合金で形成すると共に、前記導電
性媒体としてアルミニウム、亜鉛、鉄、マンガン、バナ
ジウム、クロム、タリウム、ニオブ、ガリウム、カドミ
ウム、インジウム、又はこれらの合金の中から選択され
た少なくとも１種以上の金属片を使用し、コバルト化合
物を含有しためっき浴中で前記被めっき物と前記金属片
とを混合し、前記無電解めっきを施して前記電極上にコ
バルト又はコバルト合金からなるめっき皮膜を形成する
ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記
載の電子部品の製造方法。
【請求項１１】前記電極をニッケル、ニッケル合金、
銅、銅合金、銀又は銀合金で形成すると共に、前記導電
性媒体としてアルミニウム、亜鉛、鉄、ニッケル、ニッ
ケル合金、スズ、マンガン、バナジウム、クロム、タリ
ウム、ニオブ、ガリウム、カドミウム、インジウム、コ
バルト、モリブデン、鉛、又はこれらの合金の中から選
択された少なくとも１種以上の金属片を使用し、パラジ
ウム化合物又は金化合物の中から選択された１種の金属
化合物を含有しためっき浴中で前記被めっき物と前記金
属片とを混合し、前記無電解めっきを施して前記電極上
にパラジウム又は金、或いはこれらの合金金属からなる
めっき皮膜を形成することを特徴とする請求項１乃至請
求項３のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項１２】前記電極をニッケル、ニッケル合金、
銀又は銀合金で形成すると共に、前記導電性媒体として
アルミニウム、亜鉛、鉄、ニッケル、ニッケル合金、ス
ズ、マンガン、バナジウム、クロム、タリウム、ニオ
ブ、ガリウム、カドミウム、インジウム、コバルト、モ
リブデン、鉛、又はこれらの合金の中から選択された少
なくとも１種以上の金属片を使用し、銅化合物を含有し
ためっき浴中で前記被めっき物と前記金属片とを混合
し、前記無電解めっきを施して前記電極上に前記銅から
なるめっき皮膜を形成することを特徴とする請求項１乃
至請求項３のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項１３】前記電極をニッケル、ニッケル合金、
銅、又は銅合金で形成すると共に、前記導電性媒体とし
てアルミニウム、亜鉛、鉄、ニッケル、ニッケル合金、
スズ、マンガン、バナジウム、クロム、タリウム、ニオ
ブ、ガリウム、カドミウム、インジウム、コバルト、モ
リブデン、鉛、又はこれらの合金の中から選択された少
なくとも１種以上の金属片を使用し、銀化合物を含有し
ためっき浴中で前記被めっき物と前記金属片とを混合
し、前記無電解めっきを施して前記電極上に前記銀から
なるめっき皮膜を形成することを特徴とする請求項１乃
至請求項３のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項１４】請求項１乃至請求項１３のいずれかに
記載の電子部品の製造方法で製造されていることを特徴
とする電子部品。