JP2003268561A - 無電解めっき液、及びセラミック電子部品の製造方法、並びにセラミック電子部品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 被めっき物中の非晶質ガラス成分の無電解め
っき液中への溶出を抑制して所望のめっき皮膜を形成す
ることのできるようにした。 【解決手段】 少なくともＳｉＯ_２、Ｂ_２Ｏ_３、ＭｇＯ
を含有するホウケイ酸系ガラスを構成する固体元素、す
なわちＳｉ、Ｂ、Ｍｇを含有した化合物、例えばＮａ_２
ＳｉＯ_３、Ｈ_３ＢＯ_３、ＭｇＳＯ_４をＮｉめっき液に予
め所定量添加させて無電解めっきを行ない、セラミック
素体２の表面に形成された外部電極３ａ〜３ｃ上にＮｉ
−Ｐ皮膜４ａ〜４ｃを形成する。また、ホウケイ酸系ガ
ラスにＬｉ_２Ｏ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、Ｃｕ_２Ｏが含有
されている場合はこれらの金属元素を有する化合物を適
宜Ｎｉめっき液に添加して無電解めっきを行なう。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は無電解めっき液、及
びセラミック電子部品の製造方法、並びにセラミック電
子部品に関し、より詳しくは非晶質ガラス成分を含有し
た被めっき物に無電解めっき処理を施すための無電解め
っき液、及び該無電解めっき液を使用したセラミック電
子部品の製造方法、並びに該製造方法で製造されたセラ
ミック電子部品に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、伝送速度の高速化や膨大な情報処
理に対処すべく、セラミック電子部品としてのセラミッ
ク多層基板が広く使用されてきているが、斯かるセラミ
ック多層基板では、セラミック素体の内部にも導体（内
部導体）を設ける必要があるため、前記内部導体に使用
する導電材料の融点よりも低温で焼成処理を行わなけれ
ばならず、このため低温での焼成が可能な非晶質ガラス
成分を含有したセラミックス材料（以下、「ガラスセラ
ミックス」という）が使用されている。

【０００３】そして、この種のセラミック多層基板で
は、耐熱性、はんだ付け性、更には各種電気的特性を向
上させる観点から、一般に外部電極の表面にＮｉ、Ｓ
ｎ、Ａｕ等の各種金属からなるめっき皮膜が形成されて
いる。

【０００４】しかしながら、めっき工程で上述したガラ
スセラミックスをめっき液中に浸漬した場合、該ガラス
セラミックスがめっき液によって浸食されてガラス成分
がめっき液中に溶出し、このためセラミック多層基板の
機械的強度が劣化したり、電気的特性が低下するという
欠点があった。

【０００５】そこで、このような欠点に対処するため
に、例えば、セラミック素体の表面を無機系材料からな
る保護膜（無機膜）で被覆したり、セラミック素体の表
面にＡｌやＳｉ等を拡散させて改質膜を形成し、これに
よりセラミック素体のめっき液への溶解を制御すること
が行われている（以下、「第１の従来技術」という）。

【０００６】さらに、その他にもセラミック素体がめっ
き液中に溶出するのを防止する技術として、セラミック
素体に含有されるＭｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｃｕ及びＦ
ｅから選択された少なくとも１種の金属塩が添加された
めっき液も提案されている（特開平１１−３２３５６８
号公報；以下、「第２の従来技術」という）。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記第
１の従来技術では、セラミックス素体の表面に保護膜や
改質膜を形成しているため、セラミック多層基板の電気
的特性が劣化したり、実装不良を招来する虞があるとい
う問題点がある。

【０００８】また、上記第２の従来技術は、セラミック
素体の構成成分がめっき液中に溶出するのを回避せんと
したものではあるが、該第２の従来技術はＮＴＣサーミ
スタのようにＭｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｃｕ及びＦｅ等
の金属成分を含有したセラミック素体をめっき対象とし
ており、セラミック多層基板のようにＳｉ、Ｂ等の非晶
質ガラス成分を含有したセラミック素体をめっき対象と
したものではなく、セラミック素体の組成成分も全く異
なる。しかも、セラミック多層基板のような微細で複雑
な電極パターンが要求されるものについては、電流分布
の影響を受けることがない無電解めっきでめっき皮膜を
形成する必要があり、ＮＴＣサーミスタのように端子電
極の表面に電解めっきでめっき皮膜を形成したものとは
めっき方法も異なる。

【０００９】すなわち、セラミック多層基板のような微
細で複雑な導体パターン（外部電極）上に無電解めっき
を施してめっき皮膜を形成するセラミック電子部品につ
いては、未だ無電解めっき液中への非晶質ガラス成分の
溶出を抑制する技術が存在しておらず、斯かる技術の開
発が要請されている。

【００１０】本発明はこのような事情に鑑みなされたも
のであって、被めっき物中の非晶質ガラス成分のめっき
液中への溶出を抑制することのできる無電解めっき液、
及び該無電解めっき液を使用したセラミック電子部品の
製造方法、並びに該製造方法で製造することにより電気
的特性が低下するのを阻止することのできるセラミック
電子部品を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記目的を
達成するために鋭意研究したところ、非晶質ガラス成分
（以下、単に「ガラス成分」という）を構成する固体元
素を含有した化合物を無電解めっき液に予め添加してお
くことにより、ガラスセラミックス中のガラス成分のめ
っき液中への溶解を抑制することができ、無電解めっき
を施しても電気的特性の低下を極力回避することのでき
るセラミック電子部品を得ることができるという知見を
得た。

【００１２】本発明はこのような知見に基づきなされた
ものであって、本発明に係る無電解めっき液は、ガラス
成分を含有した被めっき物に無電解めっきを施すための
無電解めっき液であって、前記ガラス成分を構成する固
体元素を含有した化合物が、少なくとも１種以上添加さ
れていることを特徴としている。

【００１３】上記無電解めっき液によれば、ガラス成分
を構成する固体元素を含有した化合物を少なくとも１種
以上添加しているので、少なくとも添加されたガラス成
分については、めっき液中への溶出を抑制することが可
能となる。

【００１４】そして、本発明の無電解めっき液は、前記
ガラス成分を構成する各固体元素を含有した全ての化合
物が、添加されていることを特徴とするのが好ましく、
これにより、めっき液中への溶出をより一層抑制するこ
とが可能となる。

【００１５】また、前記化合物の添加量が少ない場合は
ガラス成分のめっき液中への溶出を抑制することが不十
分となり、一方、前記化合物の添加量が多い場合はめっ
き液の安定性が低下する虞がある。したがって、斯かる
観点からは前記化合物の添加量は、各化合物毎に、モル
濃度で、０．００１mol／ｌ〜１mol／ｌであることを特
徴とするのが好ましい。

【００１６】また、本発明の無電解めっき液は、前記固
体元素には、少なくともＳｉ、Ｂ、及びＭｇを含むこと
を特徴とし、さらにアルカリ金属、Ａｌ、Ｚｎ、及びＣ
ｕの中から選択された少なくとも１種以上を含むことを
特徴としている。

【００１７】すなわち、上記各固体元素は一般にホウケ
イ酸系ガラスに含有される成分であり、これら固体元素
の化合物を予め無電解めっき液に添加しておくことによ
り、ホウケイ酸系ガラスを含有したセラミック素体に無
電解めっきを施してもガラス成分が溶出するのを抑制す
ることができる。

【００１８】さらに、本発明のめっき液は、Ｎｉ、Ｐ
ｄ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ａｇ、又はＡｕの中から選択された金
属を含む少なくとも１種以上の金属化合物が含有されて
いることを特徴としており、これによりガラス成分の溶
出を抑制して上記各種金属を主成分としためっき皮膜を
形成することが可能となる。

【００１９】また、本発明に係るセラミック電子部品の
製造方法は、ガラス成分を含有したセラミック素体の表
面に導電部を形成し、この後、上述の無電解めっき液を
使用して無電解めっきを施し、前記導電部の表面にめっ
き皮膜を形成することを特徴とし、さらに、前記ガラス
成分は、ホウケイ酸系ガラスであることを特徴としてい
る。

【００２０】上記製造方法によれば、無電解めっきを施
すことにより、ガラス成分（ホウケイ酸系ガラス）がめ
っき液に溶出するのを抑制しつつ所望のめっき皮膜を形
成することができ、電気的特性等諸特性に優れたセラミ
ック電子部品を製造することができる。

【００２１】また、本発明に係るセラミック電子部品
は、上記製造方法により製造されていることを特徴と
し、さらにガラス成分を含有したセラミック素体に内部
導体が埋設されていることを特徴としており、これによ
り電気的特性に優れた高品質で信頼性の高いセラミック
多層基板等のセラミック電子部品を容易に得ることがで
きる。

【００２２】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を詳説
する。

【００２３】図１は本発明に係るめっき液を使用して製
造されたセラミック電子部品としてのセラミック多層基
板の一実施の形態を示す断面図であって、該セラミック
多層基板は、複数のセラミックシート１（第１〜第５の
セラミックシート１ａ〜１ｅ）が積層されてセラミック
素体２が形成されており、また、該セラミック素体２の
表面に外部電極３（３ａ〜３ｃ）が形成され、該外部電
極３（３ａ〜３ｃ）の表面にＮｉ−Ｐ皮膜４（４ａ〜４
ｃ）が形成されている。

【００２４】また、セラミック素体２には、所定パター
ンの内部電極５（５ａ〜５ｈ）が埋設されており、ビア
ホール６（６ａ〜６ｋ）を介して各内部電極間５、又は
内部電極５と外部電極３とが電気的に接続されている。
そして、本実施の形態では、第４のセラミックシート１
ｄを介して内部電極５ｇと内部電極５ｅとが対向状に配
されてコンデンサ部を形成し、外部電極３ｃ及び内部電
極５ｈ、５ｆ、５ｄ、５ｂはビアホール６ｋ、６ｇ、６
ｅ、６ｃを介して電気的に接続されインダクタ部を形成
している。

【００２５】前記セラミックシート１は、ガラス成分と
してのホウケイ酸系ガラスを含有している。ホウケイ酸
系ガラスは、具体的には、少なくとも二酸化ケイ素（Ｓ
ｉＯ _２）、酸化ホウ素（Ｂ_２Ｏ_３）、及び酸化マグネシ
ウム（ＭｇＯ）を含んでおり、必要に応じて酸化リチウ
ム（Ｌｉ_２Ｏ）や酸化カリウム（Ｋ_２Ｏ）等のアルカリ
金属酸化物を含有し、更には、酸化アルミニウム（Ａｌ
_２Ｏ_３）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化銅（Ｃｕ_２Ｏ）等
を含有することもできる。

【００２６】また、内部電極５及び外部電極３は、低抵
抗導電材料を含有した導電性ペーストが焼結されてな
り、導電性材料としては、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、
Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｔを使用することが
できる。

【００２７】次に、上記セラミック多層基板の製造方法
を説明する。

【００２８】まず、所定形状に成形されたセラミックシ
ート１に対し必要に応じてビアホール６を形成し、次い
で、導電性ペーストを使用し、所定の配線パターンをセ
ラミックシート１上にスクリーン印刷して内部電極５を
形成し、次いで、第１〜第５のセラミックシート１ａ〜
１ｅを積層し、所定温度で焼成処理してセラミック素体
２を形成する。

【００２９】次いで、セラミック素体２の表面に導電性
ペーストを塗布、焼付処理を行ない、所定パターンの外
部電極３を形成して被めっき物を作製し、該被めっき物
に一連の前処理を行なった後、無電解めっき処理を行な
う。

【００３０】具体的には、アセトン等の非水系溶液を使
用して被めっき物に脱脂処理を施し、前記被めっき物か
ら有機物質や無機物質による汚染を除去し、次いで、被
めっき物を硫酸塩やクエン酸等の酸性水溶液に浸漬して
外部電極３の表面に固着している酸化物をエッチング除
去し、また表面形状を適度に平滑化或いは粗化等して表
面形状の微調整を行い、その後被めっき物をＰｄ触媒液
に浸漬して外部電極３の表面に触媒を付与し、これによ
り表面を触媒活性化し、この後、本発明の無電解Ｎｉめ
っき液を使用して無電解めっきを行ない、外部電極３上
にＮｉ−Ｐ皮膜４を形成する。

【００３１】以下、本発明に係る無電解めっき液の一実
施の形態としての無電解Ｎｉめっき液について詳述す
る。

【００３２】該無電解Ｎｉめっき液は、Ｎｉ^２＋の供給
源としてのニッケル塩、還元剤、錯化剤，ｐＨ緩衝剤、
安定剤の他、ホウケイ酸系ガラス（ガラス成分）に含ま
れる固体元素を含有した化合物が、少なくとも１種以上
添加されている。

【００３３】そして、このようにホウケイ酸系ガラスに
含有される固体元素の化合物を予め無電解Ｎｉめっき液
に添加することにより、無電解Ｎｉめっきを施す場合
に、ガラスセラミックスのガラス成分が無電解Ｎｉめっ
き液に溶出するのを抑制することができ、セラミック素
体２の表面に、保護膜（無機膜）や改質膜を形成するの
を不要にして、効率よく、無電解めっきを行うことが可
能となる。

【００３４】すなわち、被めっき物を前記無電解Ｎｉめ
っき液に浸漬すると、通常は被めっき物に含有されてい
るガラス成分が溶出する。しかしながら、斯かる反応は
常に一方方向（正方向）に進行するのではなく、ガラス
成分の溶出が開始してから一定時間経過後には逆方向の
反応も生じる。そして、斯かる反応系では、正方向の反
応速度と逆方向の反応速度とが一定となる平衡状態にな
ろうとするが、該平衡状態は人為的に操ることが可能で
ある。つまり、反応系は平衡状態を保つように作用する
ため前記ガラス成分を予め前記無電解Ｎｉめっき液中に
添加しておくと、前記逆方向に進もうとし、正方向に進
行する反応を抑制することができる。

【００３５】したがって、前記ガラス成分を予め前記無
電解Ｎｉめっき液中に添加しておくことにより、正方向
に進行する反応を抑制することができ、これにより実質
的にガラス成分の溶解量を減少させることができる。

【００３６】そして、ホウケイ酸系ガラスに含まれる固
体元素を含有した少なくとも１種以上の化合物を無電解
Ｎｉめっき液に予め添加しておくことにより、当該固体
元素のガラス成分がめっき液中に溶出するのを抑制する
ことができるが、この場合、ホウケイ酸系ガラスを構成
する固体元素のうち含有量の多い固体元素や溶出量の多
い固体元素の化合物を優先的に添加するのが好ましい。
そして、より好ましくはホウケイ酸系ガラスに含有され
る固体元素の全ての化合物をめっき液に添加するのが望
ましく、このようにホウケイ酸系ガラスに含有される固
体元素の全ての化合物をめっき液に添加することによ
り、めっき液中へのガラス成分の溶出量を大幅に抑制す
ることができる。

【００３７】具体的には、ホウケイ酸系ガラスが、Ｓｉ
Ｏ_２、Ｂ_２Ｏ_３、及びＭｇＯを含んでいる場合はＳｉ、
Ｂ、Ｍｇのいずれか１種を含有した化合物、例えば、ケ
イ酸ナトリウム（Ｎａ_２ＳｉＯ_３）、ホウ酸（Ｈ_３ＢＯ
_３）、硫酸マグネシウム（ＭｇＳＯ_４）を添加する必要
があり、好ましくはＳｉ、Ｂ、Ｍｇを含有したこれら全
ての化合物を無電解Ｎｉめっき液中に添加するのが望ま
しい。

【００３８】また、ホウケイ酸系ガラスが、上述したＳ
ｉＯ_２、Ｂ_２Ｏ_３、及びＭｇＯに加えアルカリ金属酸化
物（例えば、Ｌｉ_２Ｏ）を含有している場合には、Ｓ
ｉ、Ｂ、Ｍｇのいずれか１種を含有した上記化合物に加
え、アルカリ金属化合物（例えば、Ｌｉ_２ＳＯ_４）を無
電解Ｎｉめっき液に添加するのも好ましく、さらに好ま
しくはこれらＳｉ、Ｂ、Ｍｇ、及びアルカリ金属化合物
の全てを含有した上記各化合物を無電解Ｎｉめっき液中
に添加するのが望ましい。

【００３９】同様に、ホウケイ酸系ガラスが、さらにＡ
ｌ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、Ｃｕ_２Ｏを含有する場合には、Ｓ
ｉ、Ｂ、Ｍｇのうちの少なくとも１種を含有した化合物
に加え、アルカリ金属、Ａｌ、Ｚｎ、Ｃｕのうちの少な
くとも１種を含有した金属化合物、例えば、Ｌｉ_２ＳＯ
_４、Ａｌ_２（ＳＯ_４）_３、ＺｎＳＯ_４、ＣｕＳＯ_４を添
加するのが好ましく、好ましくはこれらＳｉ、Ｂ、Ｍ
ｇ、アルカリ金属化合物、アルミニウム化合物、亜鉛化
合物、銅化合物の全てを無電解Ｎｉめっき液中に添加す
るのが望ましい。

【００４０】また、前記化合物の無電解Ｎｉめっき液へ
の添加量は、各化合物について、０．００１〜１mol／
ｌの範囲で添加される。すなわち、添加量が０．００１
〜１mol／ｌ未満の場合は、添加量が少ないため、ホウ
ケイ酸系ガラス中のガラス成分とめっき液に添加された
化合物とが平衡状態とならず、前記ガラス成分の溶解が
進行する。一方、添加量が０．００１〜１mol／ｌを超
えた場合は、化合物量が過剰となって被めっき物の表面
にガラス成分が析出し、まためっき液の安定性が低下す
る。

【００４１】そこで、本実施の形態では、各化合物の無
電解Ｎｉめっき液への添加量は、各化合物について、
０．００１〜１mol／ｌ、好ましくは０．０１mol／ｌ〜
０．２５mol／ｌとなるように調製される。

【００４２】尚、Ｎｉ^２＋の供給源としては各種ニッケ
ル塩を使用することができ、例えば水酸化ニッケル（Ｎ
ｉ（ＯＨ）_２）、炭酸ニッケル（ＮｉＣＯ_３）、硫酸ニ
ッケル（ＮｉＳＯ_４）、塩化ニッケル（ＮｉＣｌ_２）、
スルファミン酸ニッケル（Ｎｉ（ＮＨ_２ＳＯ_３）_２）、
硫酸ニッケルアンモニウム（（ＮＨ_４）_２Ｎｉ（ＳＯ
４）_２・６Ｈ_２Ｏ）等を使用することができるが、経済
性等を考慮すれば硫酸ニッケルを使用するのが好まし
い。

【００４３】さらに、本実施の形態では、Ｎｉ^２＋のモ
ル濃度は、０．０２〜０．２mol／ｌとなるように調製
されている。すなわち、Ｎｉ^２＋のモル濃度が０．０２
mol／ｌ未満となるとめっき速度が遅くなって生産性が
低下し、一方Ｎｉ^２＋のモル濃度が０．２mol／ｌを超
えた場合はめっき速度が飽和してそれ以上速くならない
ため、不経済となる。

【００４４】そこで、本実施の形態では、Ｎｉ^２＋のモ
ル濃度は、０．０２〜０．２mol／ｌ、好ましくは０．
０５mol／ｌ〜０．１５mol／ｌとなるように調製されて
いる。

【００４５】また、還元剤としては、Ｎｉに対して優れ
た還元性を有するものとして本実施の形態ではホスフィ
ン酸塩を使用している。尚、ホスフィン酸塩としては、
ホスフィン酸ナトリウム（ＮａＨ_２ＰＯ_２）、ホスフィ
ン酸カリウム（ＫＨ_２ＰＯ_２）、ホスフィン酸カルシウ
ム（Ｃａ（Ｈ_２ＰＯ_２）_２）等の可溶性塩を使用するこ
とができる。

【００４６】斯かる還元剤のモル濃度としては、本実施
の形態では０．０２〜０．５mol／ｌに調製されてい
る。すなわち、還元剤のモル濃度が０．０２mol／ｌ未
満になるとめっき速度が遅くなり、一方還元剤のモル濃
度が０．５mol／ｌを超えると浴が不安定になる虞があ
る。

【００４７】そこで、本実施の形態では、還元剤のモル
濃度を０．０２〜０．５mol／ｌ、好ましくは０．１〜
０．３mol／ｌとなるように調製した。

【００４８】また、錯化剤は、Ｎｉ^２＋をめっき液中で
存在させてニッケル塩として沈殿するのを防止するため
に添加されるが、斯かる錯化剤としては、オキシカルボ
ン酸、ジカルボン酸、モノカルボン酸又はこれらの塩の
内から選択された少なくとも１種以上を使用することが
できる。

【００４９】具体的には、オキシカルボン酸としては、
クエン酸、乳酸、酒石酸を使用することができ、ジカル
ボン酸としては、マロン酸、マイレン酸、コハク酸、グ
ルタミン酸を使用することができ、モノカルボン酸とし
ては、酢酸、グリシンを使用することができる。

【００５０】また、ｐＨ緩衝剤は、Ｎｉめっき液中での
水素イオン指数ｐＨが大幅に低下してめっき速度が低下
するのを防止するために添加されるが、斯かるｐＨ緩衝
剤としては、アンモニウム塩、炭酸塩、有機酸塩の中か
ら選択された１種又は２種以上を使用することができ
る。

【００５１】尚、ｐＨ緩衝剤のモル濃度は、０．０１〜
１mol／ｌが一般的であるが、斯かるｐＨ緩衝剤は錯化
剤としての作用も発揮する。

【００５２】また、安定剤としては、例えば、鉛、ビス
マス、タリウム等の硝酸塩や所定のイオウ化合物の中か
ら選択された１種又は２種以上を使用することができ、
その添加量は、質量濃度で０．１〜１００ｍｇ／ｌであ
ることが好ましい。

【００５３】そして、本実施の形態ではこのようなめっ
き液組成を有する無電解Ｎｉめっき液を使用して所望の
無電解めっきが行われ、外部電極３の表面にＮｉ−Ｐ皮
膜４が形成される。すなわち、本実施の形態では、被め
っき物であるセラミック素体２のガラス成分に含まれる
固体元素の化合物（Ｎａ_２ＳｉＯ_３、Ｈ_３ＢＯ_３、Ｍｇ
ＳＯ_４等）を予めＮｉめっき液に添加して無電解めっき
を施しているので、セラミック素体２中のガラス成分が
めっき液に溶解するのを抑制することができて効率良く
めっき処理を行なうことができ、所望の優れた電気的特
性を有するセラミック多層基板等のセラミック電子部品
を得ることができる。

【００５４】尚、本発明は上記実施の形態に限定される
ものではない。上記実施の形態では無電解めっき液とし
てＮｉめっき液について述べたが、Ｎｉめっき液以外に
も種々の無電解めっき液に応用することができる。具体
的には、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ａｇ、又はＡｕの中から選
択された金属を含む少なくとも１種以上の金属化合物を
含有した無電解めっき液に適用することができ、この場
合、これらの金属イオンの酸化還元電位よりも電気化学
的に卑な酸化還元電位を有する還元剤を適宜選択し、前
記無電解めっきに添加して無電解めっきを行なうことに
より、ガラス成分のめっき液中への溶出を抑制しつつこ
れら金属又は合金を外部電極３上に析出させることがで
きる。

【００５５】また、上述した無電解Ｎｉめっきを行った
後、還元剤の酸化反応を利用しない置換型めっきを行っ
てＮｉ−Ｐ皮膜４上にＡｕ皮膜を形成することもでき
る。

【００５６】さらに、本実施の形態では非晶質ガラス成
分としてホウケイ酸ガラスを例示したが、ホウケイ酸ガ
ラスに限定されるものでなく、また、無電解Ｎｉめっき
液には、必要に応じて光沢剤、界面活性剤等の補助薬剤
を添加してもよい。

【００５７】

【実施例】次に、本発明の実施例を具体的に説明する。

【００５８】〔第１の実施例〕本発明者は、組成成分
が、ホウケイ酸ガラス：８０ｗｔ％（ＳｉＯ_２：１３．
５ｗｔ％、Ｂ_２Ｏ_３：３３．９ｗｔ％、ＭｇＯ：５２．
６ｗｔ％）、ＭｇＡｌ_２Ｏ_４：２０ｗｔ％からなるセラ
ミック素体を用意し、該セラミック素体の両端部にＣｕ
を主成分とする導電性ペーストを塗布、焼付けてＣｕ電
極を形成し、被めっき物を作製した。

【００５９】次に、本発明者は、以下のようにして無電
解Ｎｉめっき液を調製した。

【００６０】すなわち、硫酸ニッケル：０．１mol／
ｌ、ホスフィン酸ナトリウム：０．３mol／ｌ、コハク
酸ナトリウム：０．１mol／ｌ、りんご酸：０．１５mol
／ｌとなるようにこれら各薬品を配合して水素イオン指
数ｐＨを５．６に調製し、さらにケイ酸ナトリウム、ホ
ウ酸、硫酸マグネシウムを０．０３mol／ｌ〜０．２５m
ol／ｌの範囲で適宜添加し、実施例１〜実施例７の無電
解Ｎｉめっき液を作製した。

【００６１】次いで、脱脂、エッチング、Ｐｄ触媒の付
与等、周知の一連の前処理を行なった後、上記Ｎｉめっ
き液を浴温９５℃として前記被めっき物を２０分間浸漬
し、無電解めっきを施してＣｕ電極上に膜厚５μｍのＮ
ｉ−Ｐ皮膜を形成した。

【００６２】また、本発明者は、上述したケイ酸ナトリ
ウム、ホウ酸、及び硫酸マグネシウムのいずれもが添加
されていない無電解Ｎｉめっき液を作製し、被めっき物
を該Ｎｉめっき液に２０分間浸漬して無電解めっきを施
し、Ｃｕ電極上に膜厚５μｍのＮｉ−Ｐ皮膜を形成した
（比較例１）。

【００６３】そして、本発明者は、各実施例及び比較例
について、被めっき物から溶出するガラス成分の溶出量
（ｍｇ／ｌ）、及びめっき前の機械的品質係数Ｑに対す
るめっき後の機械的品質係数Ｑ、すなわちＱ比を算出し
た。

【００６４】ここで、被めっき物から溶出するガラス成
分の溶出量は、各試験片を縦１０ｍｍ、横１０ｍｍ、厚
み１ｍｍに切断してＮｉめっき液５ｍｌに夫々２４時間
浸漬し、その後ＩＣＰ−ＡＥＳ（誘導結合プラズマ発光
分光法）で定量分析し、予めＮｉめっき液に添加した各
添加量を減算して算出した。

【００６５】また、Ｑ比は、１５ＧＨｚにおける機械的
品質係数Ｑを測定し、めっき前の機械的品質係数Ｑと比
較し、算出した。

【００６６】尚、機械的品質係数Ｑは、以下に示す誘電
体共振器法により算出した。

【００６７】すなわち、まず、各実施例及び比較例の試
験片を使用して円柱形状の誘電体を作製した。そして、
斯かる誘電体試料の両端面を２枚の平行導体板で短絡し
てＴＥ_０１１モードの誘電体共振器を作製して透過減衰
量を測定し、該透過減衰量から共振ピークである共振周
波数１５ＧＨｚにおける機械的品質係数Ｑを、数式
（１）に基づいて算出した。

【００６８】

【数１】 ここで、ｆ_０は共振周波数（１５ＧＨｚ）、Δｆは共振
周波数ｆ_０を共振ピークとする電力半値幅、Ａは挿入損
失であって、共振ピークレベルの全透過レベル（基準レ
ベル）からの減衰量を示す。

【００６９】表１は各実施例及び比較例の測定結果を示
している。

【００７０】

【表１】 この表１から明らかなように比較例１はＳｉ、Ｂ、Ｍｇ
を含有したいずれの化合物もめっき液には添加されてお
らず、このためガラス成分であるＳｉ成分、Ｂ成分、Ｍ
ｇ成分が被めっき物からＮｉめっき液中に大量に溶出す
ることが分かった。

【００７１】これに対して実施例１〜実施例７はＳｉ成
分、Ｂ成分、Ｍｇ成分のうちの少なくとも１つが添加さ
れており、添加されたガラス成分についてはその溶出量
が大幅に低減しているのが分かる。特に、実施例７は、
ホウケイ酸ガラスを構成する固体元素（Ｓｉ、Ｂ、Ｍ
ｇ）を含有した化合物が添加されており、すべてのガラ
ス成分の溶出が大幅に低減しているのが確認された。

【００７２】また、Ｑ比についても、比較例１は０．０
７と小さく、めっき後の機械的品質係数Ｑはめっき前に
比べて大幅に低下している。

【００７３】これに対して実施例１〜７はガラス成分の
めっき液への添加効果により、上述の如くめっき液中へ
のガラス成分の溶出が抑制されるため、Ｑ比も向上し、
特にＳｉ成分、Ｂ成分、Ｍｇ成分のいずれのガラス成分
も添加された実施例７では、Ｑ比も０．９９となってめ
っき前後において殆ど変化がなく、めっき後における機
械的品質係数Ｑを大幅に改善することのできることが確
認された。

【００７４】このようにホウケイ酸ガラスを構成するガ
ラス成分をＮｉめっき液中に予め添加しておくことによ
り、被めっき物中のガラス成分がＮｉめっき液に溶出す
るのを抑制することができ、これによりセラミック電子
部品の電気的特性が低下するのを回避することのできる
ことが確認された。

【００７５】〔第２の実施例〕本発明者は、組成物の材
料組成がホウケイ酸ガラス：７５ｗｔ％（ＳｉＯ_２：２
２．０ｗｔ％、Ｂ_２Ｏ_３：３５．０ｗｔ％、ＭｇＯ：３
５．０ｗｔ％、Ｌｉ_２Ｏ：１０．０ｗｔ％、ＺｎＯ：
５．０ｗｔ％）、ＭｇＡｌ_２Ｏ_４：２５ｗｔ％となるよ
うに各物質を秤量して混合し、上記第１の実施例と同様
の手順で被めっき物を作製した。

【００７６】そして、本発明者は、硫酸ニッケル：０．
１mol／ｌ、ホスフィン酸ナトリウム：０．１mol／ｌ、
クエン酸ナトリウム：０．０５mol／ｌとなるように配
合して水素イオン指数ｐＨを４〜６に調製し、次いでケ
イ酸ナトリウム、ホウ酸、硫酸マグネシウム、硫酸リチ
ウム、硫酸亜鉛を０．０１mol／ｌ〜０．２０mol／ｌの
範囲で適宜添加し、実施例１１〜実施例１７のめっき液
を作製した。

【００７７】次いで、第１の実施例と同様の前処理を行
なった後、浴温８５℃の上記Ｎｉめっき液に被めっき物
を２０分間浸漬して無電解めっきを施し、Ｃｕ電極上に
膜厚５μｍのＮｉ−Ｐ皮膜を形成した。

【００７８】また、本発明者は、上述したケイ酸ナトリ
ウム、ホウ酸、硫酸マグネシウム、硫酸リチウム、及び
硫酸亜鉛のいずれもが添加されていないめっき液を作製
し、被めっき物を該Ｎｉめっき液に２０分間浸漬して無
電解めっきを施し、Ｃｕ電極上に膜厚５μｍのＮｉ−Ｐ
皮膜を形成した（比較例１１）。

【００７９】そして、上記第１の実施例と同様、各実施
例及び比較例について被めっき物から溶出するガラス成
分の溶出量（ｍｇ／ｌ）、及びＱ比を算出した。

【００８０】表２は各実施例及び比較例の測定結果を示
している。

【００８１】

【表２】 この表２から明らかなように比較例１１はＳｉ、Ｂ、Ｍ
ｇ、Ｌｉ、及びＺｎを含有したいずれの化合物もＮｉめ
っき液には添加されておらず、このためガラス成分であ
るＳｉ成分、Ｂ成分、Ｍｇ成分、Ｌｉ成分、及びＺｎ成
分が被めっき物からＮｉめっき液中に大量に溶出するこ
とが分かった。

【００８２】これに対して実施例１１〜実施例１７はＳ
ｉ成分、Ｂ成分、Ｍｇ成分、Ｌｉ成分、及びＺｎ成分の
うちの少なくとも１つが添加されており、添加されたガ
ラス成分についてはその溶出量が大幅に低減しているの
が分かる。特に、実施例１７は、ホウケイ酸ガラスを構
成する固体元素（Ｓｉ、Ｂ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｚｎ）を含有
した化合物が全て添加されており、すべてのガラス成分
の溶出が大幅に低減しているのが確認された。

【００８３】また、Ｑ比についても、比較例１１は０．
１１と小さく、めっき後の機械的品質係数Ｑはめっき前
に比べて大幅に低下している。

【００８４】これに対して実施例１１〜１７はガラス成
分のめっき液への添加効果により、上述の如くめっき液
中へのガラス成分の溶出が抑制されるため、Ｑ比も大幅
に向上し、特にＳｉ成分、Ｂ成分、Ｍｇ成分、Ｌｉ成
分、及びＺｎ成分のいずれのガラス成分も添加された実
施例１７では、Ｑ比も０．９９となってめっき前後にお
いて殆ど変化がなく、めっき後における機械的品質係数
Ｑを大幅に改善することのできることが確認された。

【００８５】このように第２の実施例においても、セラ
ミック素体に含有されるガラス成分をＮｉめっき液中に
予め添加しておくことにより、被めっき物のガラス成分
がＮｉめっき液に溶解するのを抑制することができ、こ
れによりセラミック電子部品の電気的特性の低下を回避
することのできることが確認された。

【００８６】

【発明の効果】以上詳述したように本発明に係る無電解
めっき液は、非晶質ガラス成分を含有した被めっき物に
無電解めっきを施すための無電解めっき液であって、前
記非晶質ガラス成分を構成する固体元素を含有した化合
物が、少なくとも１種以上添加されているので、少なく
とも添加された化合物に関する前記固体元素がめっき液
中に溶出するのを抑制することができる。

【００８７】また、本発明の無電解めっき液は、前記非
晶質ガラス成分を構成する各固体元素を含有した全ての
化合物が添加されることにより、全てのガラス成分がめ
っき液に溶出するのを抑制することが可能となり、溶出
量の大幅な低減化を図ることができる。

【００８８】また、前記化合物の添加量は、各化合物毎
に、モル濃度で、０．００１mol／ｌ〜１mol／ｌとする
ことにより、被めっき物からのガラス成分の溶出を効果
的に抑制することができる。

【００８９】また、前記固体元素には、少なくともＳ
ｉ、Ｂ、及びＭｇを含むことにより、非晶質ガラス成分
としてガラスホウケイ酸系ガラスを使用したガラスセラ
ミックに容易に適用することができる。

【００９０】また、前記固体元素が、さらにアルカリ金
属、Ａｌ、Ｚｎ及びＣｕ中から選択された少なくとも１
種以上を含むことにより、これらの金属を含有したホウ
ケイ酸系ガラスのガラスセラミックスにも容易に適用す
ることができる。

【００９１】また、本発明の無電解めっき液は、Ｎｉ、
Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ａｇ、又はＡｕの中から選択された
金属を含む少なくと１種以上の金属化合物が含有されて
いるので、各種ガラス成分がめっき液に溶出することな
く、これら各金属を主成分とする所望の金属めっき皮膜
又は合金めっき皮膜を形成することが可能となる。

【００９２】また、本発明に係るセラミック電子部品の
製造方法は、非晶質ガラス成分を含有したセラミック素
体の表面に導電部を形成し、この後、上記無電解めっき
液を使用して無電解めっきを施し、前記導電部の表面に
めっき皮膜を形成し、さらに前記非晶質ガラス成分は、
ホウケイ酸系ガラスであるので、無電解めっきを施すこ
とによりガラス成分（ホウケイ酸系ガラス）がめっき液
に溶出するのを抑制しつつ所望のめっき皮膜を形成する
ことができ、電気的特性等諸特性に優れたセラミック電
子部品を製造することができる。

【００９３】さらに、本発明に係るセラミック電子部品
は、上記製造方法により製造されると共に、非晶質ガラ
ス成分を含有したセラミック素体に内部導体が埋設され
ているので、電気的特性に優れた高品質で信頼性の高い
セラミック多層基板等のセラミック電子部品を容易に得
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るめっき液を使用して製造されたセ
ラミック電子部品としてのセラミック多層基板の一実施
の形態を示す断面図である。

【符号の説明】

２ セラミック素体（被めっき物） ３ａ〜３ｃ 外部電極（導電部） ４ａ〜４ｃ Ｎｉ−Ｐ皮膜（めっき皮膜） ５ａ〜５ｈ 内部電極（内部導体）

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 非晶質ガラス成分を含有した被めっき物
   に無電解めっきを施すための無電解めっき液であって、 前記非晶質ガラス成分を構成する固体元素を含有した化
   合物が、少なくとも１種以上添加されていることを特徴
   とする無電解めっき液。
2. 【請求項２】 前記非晶質ガラス成分を構成する各固体
   元素を含有した全ての化合物が、添加されていることを
   特徴とする請求項１記載の無電解めっき液。
3. 【請求項３】 前記化合物の添加量は、各化合物毎に、
   モル濃度で、０．００１mol／ｌ〜１mol／ｌであること
   を特徴とする請求項１又は請求項２記載の無電解めっき
   液。
4. 【請求項４】 前記固体元素には、少なくともケイ素、
   ホウ素、及びマグネシウムが含まれていることを特徴と
   する請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の無電解め
   っき液。
5. 【請求項５】 前記固体元素には、アルカリ金属、アル
   ミニウム、亜鉛、及び銅の中から選択された少なくとも
   １種以上の金属が含まれていることを特徴とする請求項
   ４記載の無電解めっき液。
6. 【請求項６】 ニッケル、パラジウム、白金、スズ、
   銀、又は金の中から選択された金属を含む少なくとも１
   種以上の金属化合物が含有されていることを特徴とする
   請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の無電解めっき
   液。
7. 【請求項７】 非晶質ガラス成分を含有したセラミック
   素体の表面に導電部を形成し、この後、請求項１乃至請
   求項６のいずれかに記載の無電解めっき液を使用して無
   電解めっきを施し、前記導電部の表面にめっき皮膜を形
   成することを特徴とするセラミック電子部品の製造方
   法。
8. 【請求項８】 前記非晶質ガラス成分は、ホウケイ酸系
   ガラスであることを特徴とする請求項７記載のセラミッ
   ク電子部品の製造方法。
9. 【請求項９】 請求項７又は請求項８記載の製造方法に
   より製造されていることを特徴とするセラミック電子部
   品。
10. 【請求項１０】 非晶質ガラス成分を含有したセラミッ
    ク素体に内部導体が埋設されていることを特徴とする請
    求項９記載のセラミック電子部品。