JP2007239076A - スズめっき皮膜、そのスズめっき皮膜形成用のスズめっき液、そのスズめっき皮膜形成方法、及びそのスズめっき皮膜で電極形成したチップ型電子部品 - Google Patents
スズめっき皮膜、そのスズめっき皮膜形成用のスズめっき液、そのスズめっき皮膜形成方法、及びそのスズめっき皮膜で電極形成したチップ型電子部品 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】上記課題を解決するため、スズめっき液を電解することにより得られるスズめっき皮膜において、当該スズめっき皮膜は、圧縮応力を内包したものであり、スパイラル法で測定した場合の圧縮応力が1MPa以上であることを特徴とした耐ウイスカー特性を備えるスズめっき皮膜等を採用する。また、このスズめっき皮膜の形成に、メタンスルホン酸スズをスズイオンの供給源として用い、導電塩としての硫酸ナトリウム、両性界面活性剤を含有したスズめっき液等を採用する。
【選択図】なし
Description
メタンスルホン酸スズ(スズとして) 20g/L
グルコン酸ナトリウム 150g/L
メタンスルホン酸 50mL/L
硫酸ナトリウム 70g/L
イソアスコルビン酸ナトリウム 4g/L
ラウリルジメチルアミノ酢酸ベタイン 1.6g/L
水酸化ナトリウム 31g/L
pH 6.0
この比較例1では、以下の市販のスズめっき液を用いて電解することで引張応力を持つスズめっき皮膜を得て、耐ウイスカー性能の測定を行った。
この比較例2では、以下の市販のスズめっき液を用いて電解することで引張応力を持つスズめっき皮膜を得て、耐ウイスカー性能の測定を行った。
上記実施例と比較例とを対比する。実施例1及び実施例2のスズめっき皮膜は、圧縮応力を内包している。これに対し、比較例1及び比較例2の各スズめっき皮膜は、引張応力を内包している点が根本的に異なっている。
Claims (14)
- スズめっき液を電解することにより得られるスズめっき皮膜において、
当該スズめっき皮膜は、圧縮応力を内包したものであり、スパイラル法で測定した場合の圧縮応力が1MPa以上であることを特徴とした耐ウイスカー特性を備えるスズめっき皮膜。 - スズめっき液を電解することにより得られるスズめっき皮膜において、
当該スズめっき皮膜は、圧縮応力を内包したものであり、X線回折測定法で測定した場合の圧縮応力が20MPa以上であることを特徴とした耐ウイスカー特性を備えるスズめっき皮膜。 - 請求項1又は請求項2に記載のスズめっき皮膜を得るためのスズめっき液であって、
前記スズめっき液は、メタンスルホン酸スズをスズイオンの供給源として用い、導電塩としての硫酸ナトリウム、両性界面活性剤を含有したことを特徴とした耐ウイスカー特性を備えるスズめっき皮膜形成用のスズめっき液。 - メタンスルホン酸スズ濃度(スズとして)が、5g/L〜30g/Lである請求項3に記載の耐ウイスカー特性を備えるスズめっき皮膜形成用のスズめっき液。
- 硫酸ナトリウム濃度が、10g/L〜120g/Lである請求項3又は請求項4に記載の耐ウイスカー特性を備えるスズめっき皮膜形成用のスズめっき液。
- 両性界面活性剤濃度が、0.1g/L〜3.0g/Lである請求項3〜請求項5のいずれかに記載の耐ウイスカー特性を備えるスズめっき皮膜形成用のスズめっき液。
- キレート剤として、グルコン酸、グルコン酸塩から選ばれる1種又は2種以上を30g/L〜300g/L濃度となるよう含む請求項3〜請求項6のいずれかに記載の耐ウイスカー特性を備えるスズめっき皮膜形成用のスズめっき液。
- pHを酸性側に調整するためのpH調整剤であって、必要に応じてメタンスルホン酸、ピロリン酸、硫酸の1種又は2種を添加しpH5.0〜pH7.0の中性領域とした請求項3〜請求項7のいずれかに記載の耐ウイスカー特性を備えるスズめっき皮膜形成用のスズめっき液。
- pHをアルカリ側に調整するためのpH調整剤であって、必要に応じて水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア水の1種又は2種を添加しpH5.0〜pH7.0の中性領域とした請求項3〜請求項7のいずれかに記載の耐ウイスカー特性を備えるスズめっき皮膜形成用のスズめっき液。
- 酸化防止剤として、フェノール化合物、フェノール化合物の誘導体、芳香族アミン化合物、芳香族アミン化合物の誘導体から選ばれる1種又は2種以上の成分を含ませた請求項3〜請求項9のいずれかに記載の耐ウイスカー特性を備えるスズめっき皮膜形成用のスズめっき液。
- 酸化防止剤として、カテコール、ヒドロキノン、ピロガロール、アスコルビン酸、アスコルビン酸塩、o−フェニレンジアミン、p−フェニレンジアミンから選ばれる1種又は2種以上を含ませた請求項10に記載の耐ウイスカー特性を備えるスズめっき皮膜形成用のスズめっき液。
- 請求項3〜請求項11のいずれかに記載の耐ウイスカー特性を備えるスズめっき皮膜形成用のスズめっき液を用いためっき方法であって、
当該スズめっき液の液温15℃〜40℃、電流密度0.05A/dm2〜0.5A/dm2の条件で電解することで被めっき物表面にスズめっき層を形成することを特徴とした耐ウイスカー特性を備えるスズめっき皮膜形成方法。 - 請求項1又は請求項2に記載のスズめっき皮膜を異種金属下地の上に設けることでスズめっき電極又は端子を形成したことを特徴としたチップ型電子部品。
- 前記異種金属下地は、銅、ニッケル、ニッケル合金、銀、銀合金のいずれかである請求項12に記載のチップ型電子部品。
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