JPS60228695A - 耐熱性ＡｇメツキＣｕ系基材の製造法 - Google Patents
耐熱性ＡｇメツキＣｕ系基材の製造法Info
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- JPS60228695A JPS60228695A JP8464084A JP8464084A JPS60228695A JP S60228695 A JPS60228695 A JP S60228695A JP 8464084 A JP8464084 A JP 8464084A JP 8464084 A JP8464084 A JP 8464084A JP S60228695 A JPS60228695 A JP S60228695A
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- striking
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電気、電子機器等に多量に用いられる耐熱性Ａ
ＱメッキＣＬＩ系基材の経済的な製造法に関するもので
ある。
ＱメッキＣＬＩ系基材の経済的な製造法に関するもので
ある。
一般に電気、電子機器等に用いられるＣｕ１Ｑｕ −８
ｎ 、、Ｃｕ −Ｚｌｌ 、Ｃｕ −Ｆｅ 、 Ｃｕ
−Ｔｉ 、 ＣＬＩ−Ｊｌｉ等のＱｕ金合金Ｃｕ被覆Ａ
（、Ｃｕ被覆鋼等のＣｕ？ＩＩｌ覆材にはＡΩメッキが
施されている。これはＡ（ｌ特有の優れた耐食性、電気
接続性、半田（ｔ Ｇプ性、溶接性等を利用するためで
ある。また、これ等基材は高温度条件で処理されること
が多く、半導体などの電子部品のリード線やリードフレ
ームは素子のろう付け、ボンディング、封止レジンのキ
ュアー等を２００〜４５０℃で行なっている。例えばダ
イオードのリード線は高導電性のＣｕ線にＡｇをメッキ
し、その一端をヘッダー加工して、素子と高融点半田を
用いて３００〜３５０°Ｃの温度でろう付【プし、しか
る後シリコン樹脂等でモールド封止し、２００〜２５０
℃の温度で１０時間以上キコアーしている。このように
して完成したダイオードのリード線は、プリント基板に
挿入して半田付（プされる。
ｎ 、、Ｃｕ −Ｚｌｌ 、Ｃｕ −Ｆｅ 、 Ｃｕ
−Ｔｉ 、 ＣＬＩ−Ｊｌｉ等のＱｕ金合金Ｃｕ被覆Ａ
（、Ｃｕ被覆鋼等のＣｕ？ＩＩｌ覆材にはＡΩメッキが
施されている。これはＡ（ｌ特有の優れた耐食性、電気
接続性、半田（ｔ Ｇプ性、溶接性等を利用するためで
ある。また、これ等基材は高温度条件で処理されること
が多く、半導体などの電子部品のリード線やリードフレ
ームは素子のろう付け、ボンディング、封止レジンのキ
ュアー等を２００〜４５０℃で行なっている。例えばダ
イオードのリード線は高導電性のＣｕ線にＡｇをメッキ
し、その一端をヘッダー加工して、素子と高融点半田を
用いて３００〜３５０°Ｃの温度でろう付【プし、しか
る後シリコン樹脂等でモールド封止し、２００〜２５０
℃の温度で１０時間以上キコアーしている。このように
して完成したダイオードのリード線は、プリント基板に
挿入して半田付（プされる。
Ａ！＋は高価な貴金属であり、経済市な理由からＡ（ｌ
メッキの薄肉化が強く望まれている。
メッキの薄肉化が強く望まれている。
Ａ ！＋とＣｕは相互に拡散し易いためＡ（］メッキを
薄肉化すると、高温処理によりＣｕが表面に拡散し、Ａ
ｇ特有の特性を損なうばかりか、半田（＝Ｊけ等を困難
にＪる欠点がある。これを改善づるためＣｕ系基材にＮ
ｉ、、ＣＯ又はこれ等の合金をメッキし、その上にＡｇ
メッキを族１方法が提案されている。Ｎｉ、ｃｏ又はこ
れ等の合金メッキはＣｕとＡｇの拡散防止のためのバリ
ヤーとして有効に作用するも、Ａｏメッキ層とバリヤー
間の密着剤を低下するため、実用化されていない。
薄肉化すると、高温処理によりＣｕが表面に拡散し、Ａ
ｇ特有の特性を損なうばかりか、半田（＝Ｊけ等を困難
にＪる欠点がある。これを改善づるためＣｕ系基材にＮ
ｉ、、ＣＯ又はこれ等の合金をメッキし、その上にＡｇ
メッキを族１方法が提案されている。Ｎｉ、ｃｏ又はこ
れ等の合金メッキはＣｕとＡｇの拡散防止のためのバリ
ヤーとして有効に作用するも、Ａｏメッキ層とバリヤー
間の密着剤を低下するため、実用化されていない。
本発明は上記欠点を解浦するため、鋭意検問の結果、経
済的な耐熱性Ａ（］メッキＣｕ系基材のＩＩ造法を開発
したもので、ＣＬＩ又はＣｕ合金基材に、Ｎ１、ＣＯ又
はこれ等の合金をメッキし、その上にＡｇメッキを施す
方法において、Ｎｉ 、Ｃｏ又はこれ等の合金メッキ上
に、ＣＬＩ分を含むＡ（］ストライクメッキを施し、そ
の上にＡｇメッキを行なうことを特徴とするものである
。
済的な耐熱性Ａ（］メッキＣｕ系基材のＩＩ造法を開発
したもので、ＣＬＩ又はＣｕ合金基材に、Ｎ１、ＣＯ又
はこれ等の合金をメッキし、その上にＡｇメッキを施す
方法において、Ｎｉ 、Ｃｏ又はこれ等の合金メッキ上
に、ＣＬＩ分を含むＡ（］ストライクメッキを施し、そ
の上にＡｇメッキを行なうことを特徴とするものである
。
即ち本発明はＣｕ又はＣｕ合金基材に、常法に従ってＮ
ｉ、ｃｏ又は、Ｎｉ −ＣＯ、Ｎｉ −Ｃｏ−Ｐ、Ｎｉ
−Ｆｅ 、Ｃｏ−Ｂ、、Ｇｏ −Ｆｅ等の合金をメッ
キし、その上にＣｕ分を含むＡｇストライクメッキを施
してＡｕ−Ｃｕ合金を析出せしめ、その上に所望の厚さ
のＡｇメッキを行なうものである。Ｃｕ分を含むＡｇス
トライクメッキとしては通常Ａｇメッキの密着性を向上
するために行なうＡｇＣＮ系Ａ（］ストライクメッキ浴
にＣｕ分を添加すればよく、例えばＡＱ ＣＮ Ｏ，３
〜３０ｇ／Ｊ！、ＣｕＣＮ１〜６０ｇ／（、Ｎａ ＣＮ
やＫＣＮ等のＣＮＮ化合物１御〜１００ ／ｄｍ２の電流密度でメッキする。ＣＬＩ分を含むＡ（
ｌストライクメッキにより析出せしめるＡ（１−ＣＵ合
金メッキとしては、００分を３〜２５％とすることが望
ましい。
ｉ、ｃｏ又は、Ｎｉ −ＣＯ、Ｎｉ −Ｃｏ−Ｐ、Ｎｉ
−Ｆｅ 、Ｃｏ−Ｂ、、Ｇｏ −Ｆｅ等の合金をメッ
キし、その上にＣｕ分を含むＡｇストライクメッキを施
してＡｕ−Ｃｕ合金を析出せしめ、その上に所望の厚さ
のＡｇメッキを行なうものである。Ｃｕ分を含むＡｇス
トライクメッキとしては通常Ａｇメッキの密着性を向上
するために行なうＡｇＣＮ系Ａ（］ストライクメッキ浴
にＣｕ分を添加すればよく、例えばＡＱ ＣＮ Ｏ，３
〜３０ｇ／Ｊ！、ＣｕＣＮ１〜６０ｇ／（、Ｎａ ＣＮ
やＫＣＮ等のＣＮＮ化合物１御〜１００ ／ｄｍ２の電流密度でメッキする。ＣＬＩ分を含むＡ（
ｌストライクメッキにより析出せしめるＡ（１−ＣＵ合
金メッキとしては、００分を３〜２５％とすることが望
ましい。
Ｎｉ、ｃｏ又はこれ等の合金メッキ上にＣｕ分を含むＡ
（］ストライクメッキを施Ｊことにより、Ａｇストライ
クメッキの結晶を微細化すると共に、ＡｇメッキＣｕ系
基材の高温処理におＧプるＡｇメッキ層の密着力を向上
する。即ちＡ！ｌはＮ１と全りＩｉ！ｉＩ溶しないが、
Ｃ１分は相互に拡散して密着力を向上し、更に高温処理
により外気からＡｇ層に浸入する０２と結合してＮｉ５
Ｃｏ又はこれらの合金層の表面が酸化するのを防止し、
Ａ（］層の密着力ばかりか、半田伺は等の特性の劣化を
防止する．Ａｇ層に浸入した０２はＡｇ層とＮｉ，ｃｏ
又はこれらの合金層の中間にあるＡｏ−Ｃｕ合金層にお
いて、Ｃｕ分と結合し、Ａｇ中に分散したＣｕ×Ｏとな
るため、これによる害はほとんどない。Ｃｕ分を含むＡ
ｃ＋ストライクメッキの効果は、特に２００″Ｇ以上の
高温処理において顕著となる。即ちＡｏの酸化物は１８
０〜１９０℃以上で分解すると共に、格子拡散が活発と
なり、外気から０２の浸入も激しくなるが、Ｃｕ分を含
むＡＯストライクメッギ層中のＣｕ分により有効に捕捉
さ５− れ、０２浸入による害が防止される。
（］ストライクメッキを施Ｊことにより、Ａｇストライ
クメッキの結晶を微細化すると共に、ＡｇメッキＣｕ系
基材の高温処理におＧプるＡｇメッキ層の密着力を向上
する。即ちＡ！ｌはＮ１と全りＩｉ！ｉＩ溶しないが、
Ｃ１分は相互に拡散して密着力を向上し、更に高温処理
により外気からＡｇ層に浸入する０２と結合してＮｉ５
Ｃｏ又はこれらの合金層の表面が酸化するのを防止し、
Ａ（］層の密着力ばかりか、半田伺は等の特性の劣化を
防止する．Ａｇ層に浸入した０２はＡｇ層とＮｉ，ｃｏ
又はこれらの合金層の中間にあるＡｏ−Ｃｕ合金層にお
いて、Ｃｕ分と結合し、Ａｇ中に分散したＣｕ×Ｏとな
るため、これによる害はほとんどない。Ｃｕ分を含むＡ
ｃ＋ストライクメッキの効果は、特に２００″Ｇ以上の
高温処理において顕著となる。即ちＡｏの酸化物は１８
０〜１９０℃以上で分解すると共に、格子拡散が活発と
なり、外気から０２の浸入も激しくなるが、Ｃｕ分を含
むＡＯストライクメッギ層中のＣｕ分により有効に捕捉
さ５− れ、０２浸入による害が防止される。
（実施例）
（１）、直径０．６ｍｍのＣｕ線にＡｇメッキを施して
ダイオード用リード線を製造した。常法に従ってＣｕ線
を脱脂、活性化してから、下記メッキ浴を用いてＣｕ線
上に厚さ０．２μのＮ１メッキ、Ａ！＋−Ｃｕストライ
クメッキ（Ｑｕ１２％）、厚さ２．５μのＡ！＋メッキ
を順次施した。
ダイオード用リード線を製造した。常法に従ってＣｕ線
を脱脂、活性化してから、下記メッキ浴を用いてＣｕ線
上に厚さ０．２μのＮ１メッキ、Ａ！＋−Ｃｕストライ
クメッキ（Ｑｕ１２％）、厚さ２．５μのＡ！＋メッキ
を順次施した。
Ｎｉメッキ
Ｎ１５Ｏ＋ ２５０ｇ／ぶ
ＮｉＣに！ｚ ３０９／Ｉ
Ｈ３ＢＯ：ｔ ’４０ｇ／Ｊ２
ＰＨ ２．８
浴 温 ５５°Ｃ
電流密度 ３．ＯＡ ／ ｄｍ２
Ａｑ−Ｃｕストライクメッキ
Ａ（ＩＣＮ ２．５ｇ／ｉ
Ｃｌ ＣＮ １２ｇ／柔
ＫＣＮ ６０！？／，ｅ
６−
に２ ＣＯ３１５ｙ／Ｊ！
浴 温 ２５℃
電流密度 ７．５Ａ／６１
時 間 １５秒
八へメッキ
ＡｇＣＮ ３０ｇ／、ｔ！
ＫＣＮ ６０ｇ／柔
に２ Ｃ０３２５９／１
浴 温 ２５℃
電流密度 ２．ＯＡ ／ ６ｍ２
（２）、実施例（１）において、Ｎ１メッキに代えて下
記メッキを用い、厚さ０．３μのＮｉ −１０％ＣＯ合
金メッキを施した。
記メッキを用い、厚さ０．３μのＮｉ −１０％ＣＯ合
金メッキを施した。
Ｎｉ−１０％ＧＯ合金メッキ
Ｎ１５Ｏ＋ ２４０ｙ／犯
Ｎ１ＣＪ！ｚ ３０ｇ／柔
ＣＯ３０４２０ｇ＃！
１−１３Ｂ０３ ４５ｇ／象
浴 温 ４５℃
電流密度 ２．５Ａ ／ ｈ＋２
（３）、実施例（１）においてＡＱメッキの厚さを１．
５μとした。
５μとした。
（１）〜（３）、実施例（１〉〜（３）において、へ〇
−Ｃｕストライクメッキに代えて、下記メッキ浴を用い
、Ａ（＋ストライクメッキを施した。
−Ｃｕストライクメッキに代えて、下記メッキ浴を用い
、Ａ（＋ストライクメッキを施した。
へ〇ストライクメッキ
Ａ（］ ＣＮ ３．１ｇ／、ｅ
ＫＣ凶 ３５ｇ／、ｅ
浴 温 ２５℃
電流密度 ７．５Ａ ／ ６ｍ２
時 間 １５秒
（４）〜（５）、比較例（１）において、Ａｏメッキの
厚さをそれぞれ３．５μと５μとした。
厚さをそれぞれ３．５μと５μとした。
（６）、実施例（１）において、Ａｇ−Ｃｕストライク
メッキに代えて下記メッキ浴を用い、Ｃｕストライクメ
ッキとＡｇス１へライクメツギを２段に施した。
メッキに代えて下記メッキ浴を用い、Ｃｕストライクメ
ッキとＡｇス１へライクメツギを２段に施した。
ＯＬ１ストライクメッキ
Ｃ，ｕＣＮ ２０ｇ／ｊＡ
ＮａＣＮ ４５ｇ／Ｊ２
Ｎａ ＯＨ５ｇ／Ｊ！
浴 温 ３５℃
電流密度 ３．ＯＡ ／ ６ｍ２
時 間 １５秒
Ａ！＋ストライクメッキ
ＡｇＣＮ ３ｇ／１
ＫＯＮ ３５ｇ／、ｅ
浴 温 ２５℃
電流密度 ７．５Ａ ／ ６ｍ２
時 間 １５秒
９−
（７）、比較例（１）においてＮｉメッキを省略し、Ｃ
ｕ線上に直接ＡＵストライクメッギとＡ（Ｊメッキを施
した。
ｕ線上に直接ＡＵストライクメッギとＡ（Ｊメッキを施
した。
このようにして製造した各ダイオード用リード線を長さ
４５ｍｍに切断し、１端をヘッダー加工してリードビン
を形成し、１対のビンのヘッダー間に半導体素子を狭ん
で、ｐｄ −３，５％３ ｒ＋−１，５％ＡＱ合金半田
を用いて３２５℃で雰囲気ろう付けし、これをシリコン
樹脂でモールド封止してから大気中２１０℃で１８時間
キ」、アーした。
４５ｍｍに切断し、１端をヘッダー加工してリードビン
を形成し、１対のビンのヘッダー間に半導体素子を狭ん
で、ｐｄ −３，５％３ ｒ＋−１，５％ＡＱ合金半田
を用いて３２５℃で雰囲気ろう付けし、これをシリコン
樹脂でモールド封止してから大気中２１０℃で１８時間
キ」、アーした。
このキュアー後のリード線について、ＭＩＬ法に準じて
２３５℃の共晶半田浴中に５秒間浸漬し、半田濡れ面積
を測定した。またキーＬアー後のリード線について左右
両方向に２０回捻回し、ＡＯメッキ層の剥離状態を観察
した。これ等の結果を第１表に示す。
２３５℃の共晶半田浴中に５秒間浸漬し、半田濡れ面積
を測定した。またキーＬアー後のリード線について左右
両方向に２０回捻回し、ＡＯメッキ層の剥離状態を観察
した。これ等の結果を第１表に示す。
１０−
第１表
リード線 半田濡れ面積 Ａ（ｊメッキの（％） 剥
離 実施例（１） ９８以上 剥離けず Ｉｌ （２） ９８以上 ｌｌ （３） ９０ 比較例（１） ４０ 剥 離 ！ｌ （２） ４０ ＩＩ （３） ５０ ！／（４）７５ 〃 （５） ９２ ！！ （６） ７５ 〃 （７） ５０ 第１表から明らかなように、本発明の各実施例じ）〜（
３）により製造したリード線は何れも良好な半田濡れ性
を示し、良好な半田付は性を右することが判る。またへ
〇メッキ層の密着性も良好なことが判る。
離 実施例（１） ９８以上 剥離けず Ｉｌ （２） ９８以上 ｌｌ （３） ９０ 比較例（１） ４０ 剥 離 ！ｌ （２） ４０ ＩＩ （３） ５０ ！／（４）７５ 〃 （５） ９２ ！！ （６） ７５ 〃 （７） ５０ 第１表から明らかなように、本発明の各実施例じ）〜（
３）により製造したリード線は何れも良好な半田濡れ性
を示し、良好な半田付は性を右することが判る。またへ
〇メッキ層の密着性も良好なことが判る。
これに対し比較例（１）〜（７）は何れもＡｇメッキの
密着性が劣り、半田濡れ性も比較例（５）を除き何れも
劣ることが判る。即ちＡｏ−Ｃｕストライクメッキに代
え−ＣΔＣｕストライクメッキなった比較例（１）〜（
３）では半田濡れ性が劣るばかりか半ＥＥｌされのない
部分に酸化したＮ１表面が観察された。また比較例（４
）〜（５）から／’ｌストライクメッキ上にＡｇメッキ
を施したものではＡｇメッキの厚さを５μ以上と覆る必
要があり、このことは本発明によりＡａメメッ厚さを１
／ ２−１ ／ ３に低減し１＠ることが判る。また
Ａ（１−Ｃｕストライクメッキに代えてＣｕストライク
メッキと／’ｌストライクメッキを２段に行なった比較
例（６）から判るように、半田濡れ性は７５％ど比較例
（１）よりは向上するも、実施例（１）と比較すればは
るかに劣り、かつ半田濡れ面には実施例（１）〜（３）
にみられる光沢や平滑さは得られず、粗い付上り状態ど
なる。更にＣＬＩ線上に直接Ａ（］−Ｃ１ｌストライク
メッキを行なってからＡＱメッキを施した比較例（７）
では半田濡れ性及びＡ ！＋メッキの密着性が劣り、か
つ半田濡れ面は粗い仕上り状態を示１゜〔発明の効果〕 このように本発明によれば従来のメッキ工程と同一でＡ
ｇストライクメッキ浴の組成を変更するのみで、高温処
理に耐える高品質のＡ！＋メッキＣＬＩ系基拐基材るこ
とができるばかりか、従来払に比べてＡ（］メッキ厚さ
を節減し得るなど経済的にも優れており、工業上顕著な
効果を奏でるものである。
密着性が劣り、半田濡れ性も比較例（５）を除き何れも
劣ることが判る。即ちＡｏ−Ｃｕストライクメッキに代
え−ＣΔＣｕストライクメッキなった比較例（１）〜（
３）では半田濡れ性が劣るばかりか半ＥＥｌされのない
部分に酸化したＮ１表面が観察された。また比較例（４
）〜（５）から／’ｌストライクメッキ上にＡｇメッキ
を施したものではＡｇメッキの厚さを５μ以上と覆る必
要があり、このことは本発明によりＡａメメッ厚さを１
／ ２−１ ／ ３に低減し１＠ることが判る。また
Ａ（１−Ｃｕストライクメッキに代えてＣｕストライク
メッキと／’ｌストライクメッキを２段に行なった比較
例（６）から判るように、半田濡れ性は７５％ど比較例
（１）よりは向上するも、実施例（１）と比較すればは
るかに劣り、かつ半田濡れ面には実施例（１）〜（３）
にみられる光沢や平滑さは得られず、粗い付上り状態ど
なる。更にＣＬＩ線上に直接Ａ（］−Ｃ１ｌストライク
メッキを行なってからＡＱメッキを施した比較例（７）
では半田濡れ性及びＡ ！＋メッキの密着性が劣り、か
つ半田濡れ面は粗い仕上り状態を示１゜〔発明の効果〕 このように本発明によれば従来のメッキ工程と同一でＡ
ｇストライクメッキ浴の組成を変更するのみで、高温処
理に耐える高品質のＡ！＋メッキＣＬＩ系基拐基材るこ
とができるばかりか、従来払に比べてＡ（］メッキ厚さ
を節減し得るなど経済的にも優れており、工業上顕著な
効果を奏でるものである。
１３−
Claims (1)
- ＣＬＩ又はＣｕ合金基材に、Ｎｉ、ｃｏ又はこれ等の合
金をメッキし、その上にＡｇメッキを施す方法において
、Ｎ＋、ＣＯ又はこれ等の合金メッキ上に、Ｃｕ分を含
むＡａストライクメッキを施し、その上にＡａｌメッキ
行なうことを特徴とする耐熱性ＡｇメッキＣｕ系基材の
製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8464084A JPS60228695A (ja) | 1984-04-26 | 1984-04-26 | 耐熱性ＡｇメツキＣｕ系基材の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8464084A JPS60228695A (ja) | 1984-04-26 | 1984-04-26 | 耐熱性ＡｇメツキＣｕ系基材の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60228695A true JPS60228695A (ja) | 1985-11-13 |
| JPS6242037B2 JPS6242037B2 (ja) | 1987-09-05 |
Family
ID=13836286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8464084A Granted JPS60228695A (ja) | 1984-04-26 | 1984-04-26 | 耐熱性ＡｇメツキＣｕ系基材の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60228695A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5436082A (en) * | 1993-12-27 | 1995-07-25 | National Semiconductor Corporation | Protective coating combination for lead frames |
| US5650661A (en) * | 1993-12-27 | 1997-07-22 | National Semiconductor Corporation | Protective coating combination for lead frames |
| US5728285A (en) * | 1993-12-27 | 1998-03-17 | National Semiconductor Corporation | Protective coating combination for lead frames |
| WO2014207975A1 (ja) * | 2013-06-24 | 2014-12-31 | オリエンタル鍍金株式会社 | めっき材の製造方法及びめっき材 |
| WO2015092979A1 (ja) * | 2013-12-20 | 2015-06-25 | オリエンタル鍍金株式会社 | 銀めっき部材及びその製造方法 |
| WO2015092978A1 (ja) * | 2013-12-20 | 2015-06-25 | オリエンタル鍍金株式会社 | 銀めっき部材及びその製造方法 |
| JP2015229791A (ja) * | 2014-06-05 | 2015-12-21 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 電子部品用金属材料、それを用いたコネクタ端子、コネクタ及び電子部品 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4884743A (ja) * | 1972-02-16 | 1973-11-10 |
-
1984
- 1984-04-26 JP JP8464084A patent/JPS60228695A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4884743A (ja) * | 1972-02-16 | 1973-11-10 |
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| US10351965B2 (en) | 2013-06-24 | 2019-07-16 | Oriental Electro Plating Corporation | Method for producing plated material, and plated material |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6242037B2 (ja) | 1987-09-05 |
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