JPS59228311A - Ａｇ被覆電気材料とその製造方法 - Google Patents
Ａｇ被覆電気材料とその製造方法Info
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- JPS59228311A JPS59228311A JP10215783A JP10215783A JPS59228311A JP S59228311 A JPS59228311 A JP S59228311A JP 10215783 A JP10215783 A JP 10215783A JP 10215783 A JP10215783 A JP 10215783A JP S59228311 A JPS59228311 A JP S59228311A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電気、電子機器及びその部品の電気接続部材又
は配線材等に使用される改良されたＡＣ＋被覆電気材料
とその製造方法に関するものである。
は配線材等に使用される改良されたＡＣ＋被覆電気材料
とその製造方法に関するものである。
Ａ（＋は耐食性の良導体であり、半導体やＩＣのリード
、コネクターの接点や端子など、電気、電子機器及びそ
の部品の電気接続部材又は配線材の電気的、冶金的接続
部に多量に用いられている。
、コネクターの接点や端子など、電気、電子機器及びそ
の部品の電気接続部材又は配線材の電気的、冶金的接続
部に多量に用いられている。
Ａ（］は高価な金属であるため、通常はｃｕ 、 ｃｕ
金合金Ｆｅ合金又はＮｉ合金からなる基体にメッキ、蒸
着又は機械的圧２着により被覆し、Ａｔ）の特性を経済
的に利用している。これ等Ａｇ被覆電気材料には次の品
質条件が要求されている。
金合金Ｆｅ合金又はＮｉ合金からなる基体にメッキ、蒸
着又は機械的圧２着により被覆し、Ａｔ）の特性を経済
的に利用している。これ等Ａｇ被覆電気材料には次の品
質条件が要求されている。
（１）表面が金属Ａ（］又はＡｇ合金の状態を長期間安
定に保ち、酸化や硫化による腐食物を生じないこと。
定に保ち、酸化や硫化による腐食物を生じないこと。
（２）高温過程を経ても上記状態を維持すること。
（３）長期間ＡＵの美観を保ち、半田などのろう付けや
溶接などの所謂冶金的接合が正常にできること。
溶接などの所謂冶金的接合が正常にできること。
（４）電気接触抵抗が小さく、電気接続性が正常に得ら
れること。
れること。
（５）基体とＡｇ層の接合が完全で長期間剥離すること
なく、高温又は機械的歪みに対しても剥離しないこと。
なく、高温又は機械的歪みに対しても剥離しないこと。
特に上記（２）の条件は電気、電子機器及びその部品の
製造工程又は使用条件に不可避的に含まれており、例え
ばダイオードではＡｇ被覆Ｃｕ線を切断、ヘッダー加工
し、先端に３ｉチツプを半田付けするため、３５０〜４
５０℃の温度で数分以上加熱し、また樹脂封止のための
キュアーとして大気中２００〜２５０℃の温度で数１層
１以上加熱され、その後製品のリード線として、プリン
ト基板への実装のためのシビアーな半田濡れ性が要求さ
れる。
製造工程又は使用条件に不可避的に含まれており、例え
ばダイオードではＡｇ被覆Ｃｕ線を切断、ヘッダー加工
し、先端に３ｉチツプを半田付けするため、３５０〜４
５０℃の温度で数分以上加熱し、また樹脂封止のための
キュアーとして大気中２００〜２５０℃の温度で数１層
１以上加熱され、その後製品のリード線として、プリン
ト基板への実装のためのシビアーな半田濡れ性が要求さ
れる。
またＩＣリードフレームでもＡｃ＋メッキが施され、Ｓ
ｉチップのボンディングや３ｉチツプとフレームのワイ
ヤーボンディングでも同様の高温条件が付加される。
ｉチップのボンディングや３ｉチツプとフレームのワイ
ヤーボンディングでも同様の高温条件が付加される。
このような実用条件、特に高湿度ではＡ（＋の表面酸化
は少ないが、Ｃｕなどの基体との拡散が起り、Ａｇ表面
に卑金属が濃縮して酸化劣化を起しやすく、半田付けな
どの障害となる。またコネクターやスイッチの接点とし
ても温度条件によっては同様の現象を起し、接触不良と
なる場合が多い。
は少ないが、Ｃｕなどの基体との拡散が起り、Ａｇ表面
に卑金属が濃縮して酸化劣化を起しやすく、半田付けな
どの障害となる。またコネクターやスイッチの接点とし
ても温度条件によっては同様の現象を起し、接触不良と
なる場合が多い。
これ等の現象はＡ！＋を節約して薄くすると一層顕著に
なるケースが多く、これを防止するため、従来は基体と
Ａｇ層間にＮ１中間層をバリヤーとして介在させること
が広〈実施されている。しかし高温度ではＡｔ１層を透
過するＯｚによりＮ１表面が酸化し、半田濡れ性や半田
付は強度を低下し、はなはだしい場合にはＡｇ層の剥離
を起す。従ってＡＱ層の薄肉化は制約されている。
なるケースが多く、これを防止するため、従来は基体と
Ａｇ層間にＮ１中間層をバリヤーとして介在させること
が広〈実施されている。しかし高温度ではＡｔ１層を透
過するＯｚによりＮ１表面が酸化し、半田濡れ性や半田
付は強度を低下し、はなはだしい場合にはＡｇ層の剥離
を起す。従ってＡＱ層の薄肉化は制約されている。
本発明はこれに鑑み種々検討の結果、基体とＡｇ層間に
２種の中間層を介在させることにより、電気、電子機器
及びその部品の製造及び使用条件に耐え、Ａ（ｌの特徴
である電気接触性、冶金的接合性及び耐食性を保持し、
機械的特性を改善してＡＱの薄肉化の可能なＡＱ被覆電
気材料とその製造方法を開発したものである。
２種の中間層を介在させることにより、電気、電子機器
及びその部品の製造及び使用条件に耐え、Ａ（ｌの特徴
である電気接触性、冶金的接合性及び耐食性を保持し、
機械的特性を改善してＡＱの薄肉化の可能なＡＱ被覆電
気材料とその製造方法を開発したものである。
即ち本発明電気材料は導電性基体上にＡＱ又はＡｇ合金
を被覆した電気材料において、基体上にＺｎＳＳｎ、ｃ
ｄ又はこれ等の合金からなる第１中間層を形成し、その
上にＮｔ、Ｑｏ又はこれ等の合金からなる第２中間層を
形成し、その上にＡＱ又はＡｇ合金を被覆したことを特
徴とするものである。
を被覆した電気材料において、基体上にＺｎＳＳｎ、ｃ
ｄ又はこれ等の合金からなる第１中間層を形成し、その
上にＮｔ、Ｑｏ又はこれ等の合金からなる第２中間層を
形成し、その上にＡＱ又はＡｇ合金を被覆したことを特
徴とするものである。
また本発明製造方法は導電性、基体上に八〇又はＡ（Ｊ
合金を被覆した電気材料の製造において、基体上にＺｎ
Ｘ３ｎ 、 ｃｄ又はこれ等の合金を電気メッキして
第１中間層を形成し、その上にＮｉ、ＣＯ又はこれ等の
合金を電気メッキして第２中間層を形成し、その上にＡ
ｐ又はＡｇ合金を電気メッキすることを特徴とするもの
である。
合金を被覆した電気材料の製造において、基体上にＺｎ
Ｘ３ｎ 、 ｃｄ又はこれ等の合金を電気メッキして
第１中間層を形成し、その上にＮｉ、ＣＯ又はこれ等の
合金を電気メッキして第２中間層を形成し、その上にＡ
ｐ又はＡｇ合金を電気メッキすることを特徴とするもの
である。
本発明における第１中間層は）Ｚｎ ＸＳｎ 、Ｃｄ又
はこれ等の合金、例えばＣｕ −Ｚｎ 、 ＯＬＩ −
ｓｎ 、Ｚｎ −８ｎ 、Ｃｄ −Ｃｕ 、５ｎ−ｐＨ
等の合金からなり、第２中間層としてはＮｉ、ｃｏ又は
これ等の合金、例えばＮｉ −Ｇｏ 、 Ｎｔ −Ｆ６
。
はこれ等の合金、例えばＣｕ −Ｚｎ 、 ＯＬＩ −
ｓｎ 、Ｚｎ −８ｎ 、Ｃｄ −Ｃｕ 、５ｎ−ｐＨ
等の合金からなり、第２中間層としてはＮｉ、ｃｏ又は
これ等の合金、例えばＮｉ −Ｇｏ 、 Ｎｔ −Ｆ６
。
Ｎ１−ＰＳＮｉ −Ｃｏ −Ｐ、 ｃｏ−Ｂ、Ｎｉ −
Ｃｏ−Ｆｅ等の合金からなり、第２中間層はバリヤーと
して基体成分のＡ（１表面への拡散を防止すると共に、
第１中間層の有効成分の適度な透過を許容する一種のフ
ィルターの役目を発揮’にしめるものである。第１中間
層を形成するＺｎ 、 ３ｎ 。
Ｃｏ−Ｆｅ等の合金からなり、第２中間層はバリヤーと
して基体成分のＡ（１表面への拡散を防止すると共に、
第１中間層の有効成分の適度な透過を許容する一種のフ
ィルターの役目を発揮’にしめるものである。第１中間
層を形成するＺｎ 、 ３ｎ 。
Ｃｄ又はこれ等の合金は第２中間層を形成するＮｉ、Ｃ
ｏ又はこれ等の合金層を透過する拡散容易成分であり、
高温条件においてＡ（２層を透過するＯｚによる一第２
中間層の表面酸化を防止する。
ｏ又はこれ等の合金層を透過する拡散容易成分であり、
高温条件においてＡ（２層を透過するＯｚによる一第２
中間層の表面酸化を防止する。
このメカニズムは明らかではないが、第１中間層はＯ２
との親和力の強い元素からなるため、第２中間層を透過
してＡ！１層に拡散し、優先的に０２と結合して第２中
間層の表面酸化を防止し、かつＡ（ｌに適度に固溶して
０２の透過速度を低減するものと思われる。また第１中
間層はＣｕなどの基体及び第２中間層と拡散し易く、界
面の接着力を高上し、更に電気化学的卑な成分としてカ
ッ−デックな防食作用を示し、第２中間層との多層効果
によりピンホールの発達を防止する。
との親和力の強い元素からなるため、第２中間層を透過
してＡ！１層に拡散し、優先的に０２と結合して第２中
間層の表面酸化を防止し、かつＡ（ｌに適度に固溶して
０２の透過速度を低減するものと思われる。また第１中
間層はＣｕなどの基体及び第２中間層と拡散し易く、界
面の接着力を高上し、更に電気化学的卑な成分としてカ
ッ−デックな防食作用を示し、第２中間層との多層効果
によりピンホールの発達を防止する。
しかして本発明における第１中間層が余り薄く、第２中
間層が余り厚くては所期の効果が発揮できない。その限
界は製造及び使用条件における温度及び時間に依存し、
格−的に規定できないが実用上第１中間層の厚さは０．
０５〜５μ、第２中間層の厚さはｏ、ｏｉ〜１，０μの
程度とする。第１中間層としては拡散性及び毒性の点か
らＺｎ Ｓ３ｎ又はこれ等の合金が望ましく、特にＺＯ
はＮｉとの固溶範囲が広く適している。また第、２中間
層としては経済性、機械的加工性、拡散性の点からＮｉ
が実用的である。特に第１中間層にＺ ｎ−又はＺｎ合
金を用い、第２中間層にＮｉ又はＮｉ合金を用いた場合
には、第１中間層を０．０５〜５μの厚さに形成し、第
２中間層を０．０１〜１．０μの厚さに形成する。
間層が余り厚くては所期の効果が発揮できない。その限
界は製造及び使用条件における温度及び時間に依存し、
格−的に規定できないが実用上第１中間層の厚さは０．
０５〜５μ、第２中間層の厚さはｏ、ｏｉ〜１，０μの
程度とする。第１中間層としては拡散性及び毒性の点か
らＺｎ Ｓ３ｎ又はこれ等の合金が望ましく、特にＺＯ
はＮｉとの固溶範囲が広く適している。また第、２中間
層としては経済性、機械的加工性、拡散性の点からＮｉ
が実用的である。特に第１中間層にＺ ｎ−又はＺｎ合
金を用い、第２中間層にＮｉ又はＮｉ合金を用いた場合
には、第１中間層を０．０５〜５μの厚さに形成し、第
２中間層を０．０１〜１．０μの厚さに形成する。
また第２中間層に３ｎ又は３ｎ合金を用い、第２中間層
にＮｉ又はＮ１合金を用°いた場合には、第１中間層を
０．０５〜５μの厚さに形成し、第２中間層を０．０１
〜０．５μの厚さに形成することが望ましい。
にＮｉ又はＮ１合金を用°いた場合には、第１中間層を
０．０５〜５μの厚さに形成し、第２中間層を０．０１
〜０．５μの厚さに形成することが望ましい。
このように本発明は、基体上に前記第１中間層と第２中
間層を形成し、その上にＡ（］又はＡ（Ｉ合金を被覆し
たものであるが、基体と第１中間層の間に両者の反応を
防止する介在層を設けると一層効果的である。例えば基
体がＣｕ又は八ぶの場合には前記第１中間層の有効成分
の一部が基体中に拡散して浪費されるので、介在層を設
けてこれを防止し、有効成分が有効に作用するようにす
るとよい。尚介在層にはＮｉ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｐｄ
又はこれ等の合金が用いられる。また本発明におけるＡ
Ｑ被覆層としては純Ａ（＋の外ＡＩ７−Ｃｕ 、Ａｇ−
３ｂ ＳＡｇ−Ｚｎ 、Ａ（］ −Ｐｄ 。
間層を形成し、その上にＡ（］又はＡ（Ｉ合金を被覆し
たものであるが、基体と第１中間層の間に両者の反応を
防止する介在層を設けると一層効果的である。例えば基
体がＣｕ又は八ぶの場合には前記第１中間層の有効成分
の一部が基体中に拡散して浪費されるので、介在層を設
けてこれを防止し、有効成分が有効に作用するようにす
るとよい。尚介在層にはＮｉ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｐｄ
又はこれ等の合金が用いられる。また本発明におけるＡ
Ｑ被覆層としては純Ａ（＋の外ＡＩ７−Ｃｕ 、Ａｇ−
３ｂ ＳＡｇ−Ｚｎ 、Ａ（］ −Ｐｄ 。
ＡＱ−ＡＩＪ等の合金が目的に応じて用いられる。
本発明Ａｏ？１覆電気材料は以上の構成からなり、メッ
キ、蒸着、機械的圧着等により製造することができるが
、特に電気メツキ方法によれば実用的に連続的に処理す
ることができるばかりか、第１中間層、第２中間層及び
Ａ（］被覆層の厚さをそれぞれ所望の厚さにファラデー
の法則に従って通電量を決めることにより容易に形成す
ることができる。例えば機械的クラッド法では前記の薄
い中間層を形成することが困難であり、蒸着では薄い被
覆の形成に最適であるが、厚さ１μ以上のへ〇被覆を得
ようとすると長時間を要し、不経済な場合が多い。電気
メツキ法のもう一つの利点は被覆中に材料の温度が上昇
せず、通常７〜８０℃の温度で処理できるため前記拡散
劣化が防止できる。
キ、蒸着、機械的圧着等により製造することができるが
、特に電気メツキ方法によれば実用的に連続的に処理す
ることができるばかりか、第１中間層、第２中間層及び
Ａ（］被覆層の厚さをそれぞれ所望の厚さにファラデー
の法則に従って通電量を決めることにより容易に形成す
ることができる。例えば機械的クラッド法では前記の薄
い中間層を形成することが困難であり、蒸着では薄い被
覆の形成に最適であるが、厚さ１μ以上のへ〇被覆を得
ようとすると長時間を要し、不経済な場合が多い。電気
メツキ法のもう一つの利点は被覆中に材料の温度が上昇
せず、通常７〜８０℃の温度で処理できるため前記拡散
劣化が防止できる。
以下本発明を実施例について詳細に説明する。
実施例（１）
直径０．６５１１１１１１の純Ｃｕ線を常法により脱脂
、酸洗してから下記メッキ条件により第１表に示す第１
中間層及び第２中間層を形成し、その上にＡｇメッキを
行なってダイオード用リード線を製造した。
、酸洗してから下記メッキ条件により第１表に示す第１
中間層及び第２中間層を形成し、その上にＡｇメッキを
行なってダイオード用リード線を製造した。
これ等リード線について３ｉチツプの手口］付げに相当
する水素ガス中３５０℃の温度で１０分間の加熱処理と
樹脂封止に相当する大気中２１５℃の温度で１２時間の
加熱処理を施した後！、 Ｍ Ｉ Ｌ゛、法に準じて２
３５℃の共晶半田浴中に５秒間浸漬して半田濡れ面積を
求めた。これ等の結果を第１中間層を省略した比較リー
ド線及び第１中間層と第２中間層を省略した比較リード
線と比較して第１表に併記した。
する水素ガス中３５０℃の温度で１０分間の加熱処理と
樹脂封止に相当する大気中２１５℃の温度で１２時間の
加熱処理を施した後！、 Ｍ Ｉ Ｌ゛、法に準じて２
３５℃の共晶半田浴中に５秒間浸漬して半田濡れ面積を
求めた。これ等の結果を第１中間層を省略した比較リー
ド線及び第１中間層と第２中間層を省略した比較リード
線と比較して第１表に併記した。
７ｎメツキ
Ｚｎ （ＣＮ）ｚ ６０！］ ／、１２
ＮａＣＮ ４２１Ｊ／Ｊ！ＮａＯＨ
８０ｇ／Ｊ！ 浴 温 ２５
℃電流密度 ’２Ａ／ｄｍ２Ｓｎメ
ッキ Ｋｚ Ｓｎ ０３１５０ｇ／Ｊ！ ＫＯＨ１５ｏ／Ｊ！ 浴 温 ７５
℃電流密度 １Ａ／ｄｍ２Ｃｄメッ
キ Ｃｄ （ＣＮ）ｚ ３５ｇ／ｆＡＮａＣ
Ｎ １００ｇ／Ｊ！浴 温
３０℃電流密度
２．５ Ａ／ｄｍ２Ｎ１メッキ Ｎｉ Ｓ０４ ２４０ｇ／Ｊ！Ｎ ｉ
Ｃ１２ｚ ３０Ｇ’ ／ Ｊ２Ｈ
３Ｂｏｇ ３０（＋ ／、ｅＰＨ３ 浴 温 ４５℃電
流密度 ２Ａ ／ ｄＩ２Ａｌｌｌ
ストライクメッキ ＡｇＣＮ ３（１／Ｊ２ＫＯＮ
３０ｉ１１／、ｅ浴 混
２０℃電流密度
５Ａ／ｄｍ２Ａｇメッキ Δ（ＪＣＮ ３０Ｑ／１Ｋ
ＣＮ ６０ｏ／ｆＫｚ
Ｇｏｓ ２０ｇ／ ｆｌ
。
ＮａＣＮ ４２１Ｊ／Ｊ！ＮａＯＨ
８０ｇ／Ｊ！ 浴 温 ２５
℃電流密度 ’２Ａ／ｄｍ２Ｓｎメ
ッキ Ｋｚ Ｓｎ ０３１５０ｇ／Ｊ！ ＫＯＨ１５ｏ／Ｊ！ 浴 温 ７５
℃電流密度 １Ａ／ｄｍ２Ｃｄメッ
キ Ｃｄ （ＣＮ）ｚ ３５ｇ／ｆＡＮａＣ
Ｎ １００ｇ／Ｊ！浴 温
３０℃電流密度
２．５ Ａ／ｄｍ２Ｎ１メッキ Ｎｉ Ｓ０４ ２４０ｇ／Ｊ！Ｎ ｉ
Ｃ１２ｚ ３０Ｇ’ ／ Ｊ２Ｈ
３Ｂｏｇ ３０（＋ ／、ｅＰＨ３ 浴 温 ４５℃電
流密度 ２Ａ ／ ｄＩ２Ａｌｌｌ
ストライクメッキ ＡｇＣＮ ３（１／Ｊ２ＫＯＮ
３０ｉ１１／、ｅ浴 混
２０℃電流密度
５Ａ／ｄｍ２Ａｇメッキ Δ（ＪＣＮ ３０Ｑ／１Ｋ
ＣＮ ６０ｏ／ｆＫｚ
Ｇｏｓ ２０ｇ／ ｆｌ
。
浴 温 ２０
℃電流密度 １Ａ／ｄＩＩ１２２−
へ０寸Ｌｆ’） （Ｏト フ ”艮 ニ 第１表から明らかなように本発明リード前は何１もＡａ
被覆厚さ１．５μで加熱処理後の半田濡れ１が９３％以
上であるのに、第１中間層を省略した土較リード線で同
等の半田濡れ性を得るためにはＡｇ被覆厚さを４．５μ
以上とする必要があることが判る。
℃電流密度 １Ａ／ｄＩＩ１２２−
へ０寸Ｌｆ’） （Ｏト フ ”艮 ニ 第１表から明らかなように本発明リード前は何１もＡａ
被覆厚さ１．５μで加熱処理後の半田濡れ１が９３％以
上であるのに、第１中間層を省略した土較リード線で同
等の半田濡れ性を得るためにはＡｇ被覆厚さを４．５μ
以上とする必要があることが判る。
＝ｍ例（２）
実施例（１）において第１中間層として７−ｎを、５μ
の厚さにメッキし、第２中間層として第２へに示すよう
にＮｉメッキの厚さを変え、その上口Ａ１１ｌを１．５
μの厚さにメッキし、実施例（１）二同様の試験を行な
った。その結果を第２表に併コした。
の厚さにメッキし、第２中間層として第２へに示すよう
にＮｉメッキの厚さを変え、その上口Ａ１１ｌを１．５
μの厚さにメッキし、実施例（１）二同様の試験を行な
った。その結果を第２表に併コした。
第 ２ 表
Ｎｉメッキ厚さ 半田濡れ性 外 観（μ）
（％） ０．００５ ２５ やや黄変色０．０１
８５ 正 常０、
１ ９７ ０．５ ９７ １．０ ８７ ２．５ ＜ １０ 実施例〈３） 実施例（２）において第１中間層のＺｎメッキに代えて
３ｎを０．５μの厚さにメッキし、第２中間層としてＮ
ｉを同様にメッキし、その上にＡ１１ｌメツキを行なっ
て同様の試験を行なった。その結果を第３表に示す。
（％） ０．００５ ２５ やや黄変色０．０１
８５ 正 常０、
１ ９７ ０．５ ９７ １．０ ８７ ２．５ ＜ １０ 実施例〈３） 実施例（２）において第１中間層のＺｎメッキに代えて
３ｎを０．５μの厚さにメッキし、第２中間層としてＮ
ｉを同様にメッキし、その上にＡ１１ｌメツキを行なっ
て同様の試験を行なった。その結果を第３表に示す。
第 ３ 表
Ｎｉメッキ厚さ 半田濡れ性 外 観（μ）
（％） ０．００５ ２０ やや褐灰変色０．０
１ ８５ 正 常０
、１ ９５ ０．５ ８５ １．０ ４５ ２．５ ’＜ １０ 第２表及び第３表から明らかなように第１中間層にＺｎ
又は３ｎを用い、第２中間層にＮ１を用いた場合に、Ｎ
１メッキの厚さが０．００５μではＺｎ又は３ｎが表面
に拡散し、またＮｉメッキの厚さが１．０μではＺｎは
かなり拡散するもＳｎの拡散はある程度抑制され、Ｎ１
メッキの厚さが２．５μではＺＯの拡散も完全に抑制さ
れることが判る。このように第１中間層に７ｎを用い、
第２中間層にＮ１を用いた場合にはＮ１の厚さを０．０
１〜１．０μとし、第１中間層に３ｎを用い、第２中間
層にＮｉを用いた場合には、Ｎｉの厚さを０．０１〜０
．５μとすることが望ましいことが判る。
（％） ０．００５ ２０ やや褐灰変色０．０
１ ８５ 正 常０
、１ ９５ ０．５ ８５ １．０ ４５ ２．５ ’＜ １０ 第２表及び第３表から明らかなように第１中間層にＺｎ
又は３ｎを用い、第２中間層にＮ１を用いた場合に、Ｎ
１メッキの厚さが０．００５μではＺｎ又は３ｎが表面
に拡散し、またＮｉメッキの厚さが１．０μではＺｎは
かなり拡散するもＳｎの拡散はある程度抑制され、Ｎ１
メッキの厚さが２．５μではＺＯの拡散も完全に抑制さ
れることが判る。このように第１中間層に７ｎを用い、
第２中間層にＮ１を用いた場合にはＮ１の厚さを０．０
１〜１．０μとし、第１中間層に３ｎを用い、第２中間
層にＮｉを用いた場合には、Ｎｉの厚さを０．０１〜０
．５μとすることが望ましいことが判る。
実施例（４）
直径１．２＃のＣｕ線を実施例（１）と同様にして脱脂
、酸洗してから下記メッキ条件により第１中間層として
Ｚｎを０．５μの厚さにメッキし、その上に第２中間層
としてＮｉ−１０％ＣＯ合金を０．２μの厚さにメッキ
し、その上にＡＱを１μの厚さにメッキしてテフロン電
線用導体を製造した。
、酸洗してから下記メッキ条件により第１中間層として
Ｚｎを０．５μの厚さにメッキし、その上に第２中間層
としてＮｉ−１０％ＣＯ合金を０．２μの厚さにメッキ
し、その上にＡＱを１μの厚さにメッキしてテフロン電
線用導体を製造した。
この導体を１９本同心状に撚合せてテフロンを被覆した
。このときの温度条件は大略４００℃、５分、大気中で
あった。これについて電線接続に相当する巻付けと、半
田濡れ性を試験した。その結果を第１中間層である７−
ｎメッキを省略した比較導体と比較して第４表に示した
。尚巻付けは直径１ｍの線に巻付けてＡｇ層の剥離状態
を調べた。また １半田濡れ性はフラックスにロジ
ン２５％ＩＰＡを用い、実施例（１）と同様にして半田
濡れ性を調べた。
。このときの温度条件は大略４００℃、５分、大気中で
あった。これについて電線接続に相当する巻付けと、半
田濡れ性を試験した。その結果を第１中間層である７−
ｎメッキを省略した比較導体と比較して第４表に示した
。尚巻付けは直径１ｍの線に巻付けてＡｇ層の剥離状態
を調べた。また １半田濡れ性はフラックスにロジ
ン２５％ＩＰＡを用い、実施例（１）と同様にして半田
濡れ性を調べた。
Ｚｎメッキ：実施例（１）と同じ １
Ｎ ｉ ８０＋ ５ｎｇ／
１２ＣＯ８０４２５ｇ ／、ｅ ＮｉＣ，ｅｚ ４００／Ｊ！
Ｈ３８０３３００／１ ＰＨ３ 浴 温 ２０℃電流
密度 ３．５ Ａ／ｄｍ２Ａａメッキ
：実施例（１）と同じ 第 ４ 表 導 体 ＮＯ巻付は試験 半田濡れ性（％）本発明導
体 ８ 剥離なし ９５比較導体 ９
剥離なし く２０実施例 厚さ０．１朧のリン青銅条を常法により脱脂、酸欠した
後、下記メッキ条件で第１中間層としてＺｎ−１０％Ｆ
ｅ合金を０．２５μの厚さにメッキし、その上に第２中
間層としてＮｉを０，２５μの厚さにメッキし、その上
にＡｇを０．５μの厚さにメッキしてキーボードスイッ
チ用Ａｇ被覆接点ばね材をまたリン青銅条に介在層とし
てＮｉを０．０５μの厚さにメッキし、その上に第１中
間層として７−ｎ−３０％ＣＬＩ合金を０．０５μの厚
さにメッキし、更に第２中間層としてＮｉを０．２５μ
の厚さにメッキし、その上にＡｇを０．５μの厚さにメ
ッキしてキーボードスィッチ用Ａ１１ｌ被覆接点ばね材
を製造した（本発明はね材Ｂ）。
Ｎ ｉ ８０＋ ５ｎｇ／
１２ＣＯ８０４２５ｇ ／、ｅ ＮｉＣ，ｅｚ ４００／Ｊ！
Ｈ３８０３３００／１ ＰＨ３ 浴 温 ２０℃電流
密度 ３．５ Ａ／ｄｍ２Ａａメッキ
：実施例（１）と同じ 第 ４ 表 導 体 ＮＯ巻付は試験 半田濡れ性（％）本発明導
体 ８ 剥離なし ９５比較導体 ９
剥離なし く２０実施例 厚さ０．１朧のリン青銅条を常法により脱脂、酸欠した
後、下記メッキ条件で第１中間層としてＺｎ−１０％Ｆ
ｅ合金を０．２５μの厚さにメッキし、その上に第２中
間層としてＮｉを０，２５μの厚さにメッキし、その上
にＡｇを０．５μの厚さにメッキしてキーボードスイッ
チ用Ａｇ被覆接点ばね材をまたリン青銅条に介在層とし
てＮｉを０．０５μの厚さにメッキし、その上に第１中
間層として７−ｎ−３０％ＣＬＩ合金を０．０５μの厚
さにメッキし、更に第２中間層としてＮｉを０．２５μ
の厚さにメッキし、その上にＡｇを０．５μの厚さにメ
ッキしてキーボードスィッチ用Ａ１１ｌ被覆接点ばね材
を製造した（本発明はね材Ｂ）。
これ等Ａｉｌ被覆接点ばね材について、温度６０℃、湿
度９５％で２０００時間の加湿処理し、大気中１５０℃
の温度で２０００時間の加熱処理を行ない、それぞれ処
理後の接触抵抗の劣化を試験した。
度９５％で２０００時間の加湿処理し、大気中１５０℃
の温度で２０００時間の加熱処理を行ない、それぞれ処
理後の接触抵抗の劣化を試験した。
尚接触抵抗は先端に直径８＃の半球を有するＡｏ棒を５
００の荷重で押し当て、１００ｍ Ａの直流を通電して
測定した。これ等の結果をそれぞれ第２中間層を省略し
て第１中間層上にＡ（＋をメッキした比較ばね材と比較
して第５表に示す。
００の荷重で押し当て、１００ｍ Ａの直流を通電して
測定した。これ等の結果をそれぞれ第２中間層を省略し
て第１中間層上にＡ（＋をメッキした比較ばね材と比較
して第５表に示す。
Ｚｎ−１０％Ｆｅ合金メッキ（第１中間層）ＺｎＣＪ！
ｚ ２５０ｏ／、１２ＦｅＣＪ！ｚ
５ｈ／ＪＩＣＨ３ＣＯＯＮａ
１５（］ ／、ｅクエン酸
３ａ／ぶＮＨ＋ＣＪ！
２００ｇ／Ｊ！浴 温
５０℃’Ｒ流！Ｊ ＩＩ
ＩＯＡ ／ ６ｍ２Ｎｉメツキ（介在層） Ｎｉ Ｃ，ｅｚ ２５００／Ｊ！Ｈ
３ＢＯ３３０！］ ／Ｊ２ ｐ Ｈ２，０ 浴 温 ６０℃
電流茫度 ５Ａ／ｄｍ２Ｚｎ−３０
％Ｃｕ合金メッキ（第１中間層）Ｃｕ ＣＮ
１８ｏ ／Ｊ２Ｚｎ （ＣＮ）ｚ
６０（］ ／ＡＮａＣＮ
６０ｏ／ｆＮａＯＨ６０ｇ／ｆＡ ｐ Ｈ１３ 浴 温 ４０℃電
流密度 ３Ａ ／ ６ｍ２Ｎｉメツ
キ（第２中間層） スルファーミン酸Ｎ ｉ ５００ｇ／ ｉ
！Ｎ１ＣＪ！ｚ ３００／Ｊ
！８３ ＢＯ３３００／ゑ Ｐ Ｈ３，０ 浴 温 ２０
℃電流密度 ５Ａ／ｄｍ２Ａｇメッ
キ 実施例（１）と同じ 第 ５ 表 Ａａ被覆接点ばね材 接触抵抗 （ｍΩ）処理前
加湿処理 加熱処理 本発明ばね材Ａ２．５ ６．５ ７．７比較ば
ね材Ａ ２．２ １５０，０ ２００，０本発
明ばね材３２，４ ４．９ ６．２比較ばね材
３ ２．２ ７０，０ ９０，０以上各実施
例から明らかなように、ｌｎ 、 Ｓｎ 。
ｚ ２５０ｏ／、１２ＦｅＣＪ！ｚ
５ｈ／ＪＩＣＨ３ＣＯＯＮａ
１５（］ ／、ｅクエン酸
３ａ／ぶＮＨ＋ＣＪ！
２００ｇ／Ｊ！浴 温
５０℃’Ｒ流！Ｊ ＩＩ
ＩＯＡ ／ ６ｍ２Ｎｉメツキ（介在層） Ｎｉ Ｃ，ｅｚ ２５００／Ｊ！Ｈ
３ＢＯ３３０！］ ／Ｊ２ ｐ Ｈ２，０ 浴 温 ６０℃
電流茫度 ５Ａ／ｄｍ２Ｚｎ−３０
％Ｃｕ合金メッキ（第１中間層）Ｃｕ ＣＮ
１８ｏ ／Ｊ２Ｚｎ （ＣＮ）ｚ
６０（］ ／ＡＮａＣＮ
６０ｏ／ｆＮａＯＨ６０ｇ／ｆＡ ｐ Ｈ１３ 浴 温 ４０℃電
流密度 ３Ａ ／ ６ｍ２Ｎｉメツ
キ（第２中間層） スルファーミン酸Ｎ ｉ ５００ｇ／ ｉ
！Ｎ１ＣＪ！ｚ ３００／Ｊ
！８３ ＢＯ３３００／ゑ Ｐ Ｈ３，０ 浴 温 ２０
℃電流密度 ５Ａ／ｄｍ２Ａｇメッ
キ 実施例（１）と同じ 第 ５ 表 Ａａ被覆接点ばね材 接触抵抗 （ｍΩ）処理前
加湿処理 加熱処理 本発明ばね材Ａ２．５ ６．５ ７．７比較ば
ね材Ａ ２．２ １５０，０ ２００，０本発
明ばね材３２，４ ４．９ ６．２比較ばね材
３ ２．２ ７０，０ ９０，０以上各実施
例から明らかなように、ｌｎ 、 Ｓｎ 。
Ｃｄ又はこれ等の合金からなる第１中間層と、Ｎｉ、Ｇ
ｏ又はこれ等の合金からなる第２中間層を有する本発明
Ａｇ被覆電気材料は、電気、電子機器及びその部品の製
造及び使用条件の高温に耐え、Ａｇの特徴である電気接
触、性、冶金的接合性及び耐食性を劣化することなく、
機械的特性を改善し、ＡＱの薄肉化を可能にする等工業
上顕著な効果を奏するものである。
ｏ又はこれ等の合金からなる第２中間層を有する本発明
Ａｇ被覆電気材料は、電気、電子機器及びその部品の製
造及び使用条件の高温に耐え、Ａｇの特徴である電気接
触、性、冶金的接合性及び耐食性を劣化することなく、
機械的特性を改善し、ＡＱの薄肉化を可能にする等工業
上顕著な効果を奏するものである。
Claims (5)
- （１）導電性基体上にＡｇ又はＡｇ合金を被覆した電気
材料において、基体上にＺｎ 、 ３ｎ 。 Ｃｄ又はこれ等の合金からなる第１中間層を形成し、そ
の上にＮｉ、ＣＯ又はこれ等の合金からなる第２中間層
を形成し、その上にＡｇ又はＡｇ合金を被覆したことを
特徴とするＡｇ被覆電気材料。 - （２）第１中間層の厚さを０．０５〜５μとする特許請
求の範囲第１項記載のＡｏ被覆電気材料。 - （３）基体上にＺｎ又はＺｎ合金からなる第１中間層を
形成し、その上にＮｉ又はＮｉ合金からなる第２中間層
を０．０１〜１．０μの厚さに形成する特許請求の範囲
第１項又は第２項記載のＡｇ被覆電気材料。 - （４）ｉ；１（ホトに３ｎ又は３ｎ合金からなる第１中
間層を形成し、その上にＮｉ又Ｎｉ合金からなる第２中
間層を０．０１〜０．５μの厚さに形成する特許請求の
範囲第１項又は第２項記載のＡ（Ｉ被覆電気材料。 - （５）導電性基体上にＡＵ又はＡｇ合金を被覆した電気
材料の製造において、１基体上にＺｎ、Ｓｎ 、Ｃｄ又
はこれ等の合金を電気メッキして第１中間層を形成し、
その上にＮｉ、ｃｏ又はこれ等の合金を電気メッキして
第２中間層を形成し、その上にＡｇ又はＡｇ合金を電気
メッキすることを特徴とするＡ１１ｌ被覆電気材料の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10215783A JPS59228311A (ja) | 1983-06-08 | 1983-06-08 | Ａｇ被覆電気材料とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10215783A JPS59228311A (ja) | 1983-06-08 | 1983-06-08 | Ａｇ被覆電気材料とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59228311A true JPS59228311A (ja) | 1984-12-21 |
Family
ID=14319888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10215783A Pending JPS59228311A (ja) | 1983-06-08 | 1983-06-08 | Ａｇ被覆電気材料とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59228311A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0242753A (ja) * | 1988-03-28 | 1990-02-13 | Texas Instr Inc <Ti> | 耐食性リードフレーム |
| JP2015229791A (ja) * | 2014-06-05 | 2015-12-21 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 電子部品用金属材料、それを用いたコネクタ端子、コネクタ及び電子部品 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5882406A (ja) * | 1981-10-15 | 1983-05-18 | 古河電気工業株式会社 | 銀又は銀合金被覆ダイオ−ドリ−ド線とその製造方法 |
-
1983
- 1983-06-08 JP JP10215783A patent/JPS59228311A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5882406A (ja) * | 1981-10-15 | 1983-05-18 | 古河電気工業株式会社 | 銀又は銀合金被覆ダイオ−ドリ−ド線とその製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0242753A (ja) * | 1988-03-28 | 1990-02-13 | Texas Instr Inc <Ti> | 耐食性リードフレーム |
| JP2015229791A (ja) * | 2014-06-05 | 2015-12-21 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 電子部品用金属材料、それを用いたコネクタ端子、コネクタ及び電子部品 |
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