JPS6353287A - Ag被覆導体 - Google Patents
Ag被覆導体Info
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- JPS6353287A JPS6353287A JP19638186A JP19638186A JPS6353287A JP S6353287 A JPS6353287 A JP S6353287A JP 19638186 A JP19638186 A JP 19638186A JP 19638186 A JP19638186 A JP 19638186A JP S6353287 A JPS6353287 A JP S6353287A
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Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はダイオード、トランジスタ、IC,各種センサ
ーなどの電子部品のリード材として使用されるAg被1
導体に関するものである。
ーなどの電子部品のリード材として使用されるAg被1
導体に関するものである。
(従来技術)
一般にトランジスタやICなどの電子部品の実装にはリ
ードフレームやリード線がリード材として使用されてい
る。
ードフレームやリード線がリード材として使用されてい
る。
これらリード材の基体には、従来よりFa −Ni −
導体であるCu又はCu合金が多用されるようになった
。
導体であるCu又はCu合金が多用されるようになった
。
これら基体の表面にはAg又?′iAg合金が被覆され
半田付は性、ポンディング性、耐食性、導電性等の改良
が計られているが、Agは貴金属であるため経済的理由
から可及的に薄く被覆することが要求されている。Ag
被覆層が薄くなると半田付けなどでの加熱により基体の
金属元素がAg被覆層へ拡散してAg被覆層の機能が大
巾に低下する場合がある。
半田付は性、ポンディング性、耐食性、導電性等の改良
が計られているが、Agは貴金属であるため経済的理由
から可及的に薄く被覆することが要求されている。Ag
被覆層が薄くなると半田付けなどでの加熱により基体の
金属元素がAg被覆層へ拡散してAg被覆層の機能が大
巾に低下する場合がある。
このため基体とAg被覆層の間にN1などの中間層を設
けて拡散を防止する方法が広く利用されている。
けて拡散を防止する方法が広く利用されている。
(発明が解決しようとする問題点)
Agなどが被覆された基体には81などの素子が半田付
けされるが基体と素子の間に生じる熱歪を半田に吸収さ
せるために、半田は40〜100μと厚くつける必要が
ある。
けされるが基体と素子の間に生じる熱歪を半田に吸収さ
せるために、半田は40〜100μと厚くつける必要が
ある。
しかるに、N1などの中間層を設けた従来のAg被覆導
体においては、半田の流動性がよいため、半田を厚くつ
けられないという問題が生じている。
体においては、半田の流動性がよいため、半田を厚くつ
けられないという問題が生じている。
これに対し、基体の素子塔載部分をコイニング加工又は
溝加工して半田の流下を防止する対策がとられているが
、加工が煩わしく、特にダイオードの組立てにおいてリ
ード線のヘッダ一部にこの加工を施すことは極めて困難
で、実用上支障を来たしている。又酸素(0旬はAg中
の透過速度が大きいため、高温工程時又は使用中に高温
にさらされると、0鵞がAg被覆層を透過してN1など
の中間層が酸化しAg被覆層が剥離し易くなるという問
題がある。
溝加工して半田の流下を防止する対策がとられているが
、加工が煩わしく、特にダイオードの組立てにおいてリ
ード線のヘッダ一部にこの加工を施すことは極めて困難
で、実用上支障を来たしている。又酸素(0旬はAg中
の透過速度が大きいため、高温工程時又は使用中に高温
にさらされると、0鵞がAg被覆層を透過してN1など
の中間層が酸化しAg被覆層が剥離し易くなるという問
題がある。
(問題点を解決するための手段)
本発明はかかる状況に鑑み種々検討の結果、半田厚付は
性ならびにAg又はAg合金被覆層の密着性(以下Ag
密着性と略す)に優れ且つ変色をおこさないAg被覆導
体を開発したもので、基体の少なくとも一部表面にNi
、)又はその合金が被覆され、該被覆層の少なくとも一
部表面にAg又はAg合金が被覆された導体において、
これら被覆層の中間にCu又はCu合金層及びSn又は
Sn合金層を順次介在させたことを特徴としたものであ
り、父上記において、Cu又はCu合金層及びSn又は
Sn合金層の厚さがそれぞれAg又はAg合金層の厚さ
のm〜百であり、更に基体がCu又はCu合金からなる
ことを特徴とするものである。
性ならびにAg又はAg合金被覆層の密着性(以下Ag
密着性と略す)に優れ且つ変色をおこさないAg被覆導
体を開発したもので、基体の少なくとも一部表面にNi
、)又はその合金が被覆され、該被覆層の少なくとも一
部表面にAg又はAg合金が被覆された導体において、
これら被覆層の中間にCu又はCu合金層及びSn又は
Sn合金層を順次介在させたことを特徴としたものであ
り、父上記において、Cu又はCu合金層及びSn又は
Sn合金層の厚さがそれぞれAg又はAg合金層の厚さ
のm〜百であり、更に基体がCu又はCu合金からなる
ことを特徴とするものである。
本発明において、基体にはNi、Fe−Ni、Fe −
Ni−Cr Fe−N1−Go金合金外に放熱性、導
電性の大きいCu又はCCu−3n1Cu−A、 Cu
−Ti、Cu −Cr %Cu−Zr −Cr%Cu−
Feなどの合金が用いられる。
Ni−Cr Fe−N1−Go金合金外に放熱性、導
電性の大きいCu又はCCu−3n1Cu−A、 Cu
−Ti、Cu −Cr %Cu−Zr −Cr%Cu−
Feなどの合金が用いられる。
被覆層のうち基体上に被覆される第−層にはNi、CO
又はNi −Co、Ni −Fe、Ni−8n、 N
i−B 、 Ni −Cr1Go−B、■−Pdなどの
一合金が用いられその厚さはα1μ以上で、実用上はα
3〜5μが望ましい。
又はNi −Co、Ni −Fe、Ni−8n、 N
i−B 、 Ni −Cr1Go−B、■−Pdなどの
一合金が用いられその厚さはα1μ以上で、実用上はα
3〜5μが望ましい。
最外層となる第四層にはAg又はAg−Au、 Ag
−Pd。
−Pd。
Ag−8b%Ag −SnなどのAg合金が用いられ、
その厚さは05μ以上で実用上は1〜10μが望ましい
。
その厚さは05μ以上で実用上は1〜10μが望ましい
。
第−層の上に被覆される第二層にはCiu、又はCu−
Zn、 Cu−Fe1Cu−Ti、Cu−ZrなどのC
u合金が用いられ、その厚さはAg又はAg合金からな
る第四層の厚さのπ〜500である。
Zn、 Cu−Fe1Cu−Ti、Cu−ZrなどのC
u合金が用いられ、その厚さはAg又はAg合金からな
る第四層の厚さのπ〜500である。
第二層の上に被覆される第三層にはSn、又は5n−Z
n、 5n−PbなどのSn合金が用いられ、その厚
さはAg又はAg合金からなる第四層の厚さの5〜A面
である。
n、 5n−PbなどのSn合金が用いられ、その厚
さはAg又はAg合金からなる第四層の厚さの5〜A面
である。
これらの層は電気メッキ、化学メッキ、PVD法、クラ
ッド法等の任意の方法で被覆することができる。
ッド法等の任意の方法で被覆することができる。
(作 用)
本発明において、半田厚付は性が優れる理由は、半田接
合時の高温加熱によって第三層のSn又はSn合金及び
第二層のCu又はCu合金がAg又はAg合金層と一緒
に半田中へ溶出して半田の粘性又は表面張力を有利に変
化させ、特にCuなどの高融点成分が共存して半田の流
動性を低下させるためと推測される。
合時の高温加熱によって第三層のSn又はSn合金及び
第二層のCu又はCu合金がAg又はAg合金層と一緒
に半田中へ溶出して半田の粘性又は表面張力を有利に変
化させ、特にCuなどの高融点成分が共存して半田の流
動性を低下させるためと推測される。
〜密着性が優れる理由としては次の5点が考えられる、
即ち(1)Ag被覆層とN1などの中間層とは相互に拡
散又は合金化することはないが、Sn又はSn合金層及
びCu又はCu合金層が介在すると各層間に容易に合金
層が生成するようになり密着力が向上する、(2) A
g中全全透過たOxはSn又はSn合金層及びCu又は
Cu合金層によってトラップされ、N1などの中間層の
酸化が抑止される、(3)Cu又はCu合金層の介在に
よV) Ni −Sn系の萱丘合物の生成が抑止される
、などである。
即ち(1)Ag被覆層とN1などの中間層とは相互に拡
散又は合金化することはないが、Sn又はSn合金層及
びCu又はCu合金層が介在すると各層間に容易に合金
層が生成するようになり密着力が向上する、(2) A
g中全全透過たOxはSn又はSn合金層及びCu又は
Cu合金層によってトラップされ、N1などの中間層の
酸化が抑止される、(3)Cu又はCu合金層の介在に
よV) Ni −Sn系の萱丘合物の生成が抑止される
、などである。
第二層又は第三層の厚さを第四層のAg被覆厚さの口〜
万に限定した理由は、τを超えると半田濡れ性の低下及
びAgの変色がおきるためである、又蘭未満では半田厚
付は性及びAg密着性において所期の効果が得られない
ためである。
万に限定した理由は、τを超えると半田濡れ性の低下及
びAgの変色がおきるためである、又蘭未満では半田厚
付は性及びAg密着性において所期の効果が得られない
ためである。
(実施例)
以下に本発明を実施例により詳細に説明する。
α8鑓φのCu−01%Sn合金線(01量1o pp
m)に、常法により電解脱脂、酸洗いしてから、第1表
に示す各種材質及び厚さのメッキを施した。
m)に、常法により電解脱脂、酸洗いしてから、第1表
に示す各種材質及び厚さのメッキを施した。
本線材を長さ21Imに切断し片端をヘッダー加工し、
リードピンとした。次にダイオード製造工程に移り、こ
のリードビン上に厚さ80μmのpb−5%Snのプリ
フォーム箔を介してSエダイオードチップをおき、これ
全電気炉にて350℃4分間N*−10%Ht気流中で
加熱し半田接合した。半田厚付は性は、上記半田接合に
おいて半田がヘッダー面から側面に流下した量を計測し
百分率であられした。
リードピンとした。次にダイオード製造工程に移り、こ
のリードビン上に厚さ80μmのpb−5%Snのプリ
フォーム箔を介してSエダイオードチップをおき、これ
全電気炉にて350℃4分間N*−10%Ht気流中で
加熱し半田接合した。半田厚付は性は、上記半田接合に
おいて半田がヘッダー面から側面に流下した量を計測し
百分率であられした。
次に本接合体をシリコンレジンで300℃15分間加熱
して封止し、次いでエポキシ樹脂でモールドし、これ1
150℃で14時間二一ジングした。このサンプルにつ
いてリード線部を捻回してAg被覆層の剥離有無を調べ
た。又メッキ上りの線材を75℃のエアバスに1週間保
持し変色を調べた。
して封止し、次いでエポキシ樹脂でモールドし、これ1
150℃で14時間二一ジングした。このサンプルにつ
いてリード線部を捻回してAg被覆層の剥離有無を調べ
た。又メッキ上りの線材を75℃のエアバスに1週間保
持し変色を調べた。
以上の結果は第1表に示した。
第1表より明らかなように、本発明品(1−5)φ
は従来品aOより半田厚付は性及びAg密着性におい優
れている。
れている。
比較品のうち中間層が第三層のみのもの(6)は半田厚
付は性に劣り、第二層のみのもの(7)は半田厚付は性
及びAg密着性に劣る。第二層及び第三層の厚さがそれ
ぞれ第四層の厚さO■汀未満のもの(8)は半田厚付は
性及びAg密着性に劣る。第二層及び第三層の厚さがそ
れぞれ第四層の厚さのπを超えるもの(9)はAg被覆
層に斑点状の変色を生じた。
付は性に劣り、第二層のみのもの(7)は半田厚付は性
及びAg密着性に劣る。第二層及び第三層の厚さがそれ
ぞれ第四層の厚さO■汀未満のもの(8)は半田厚付は
性及びAg密着性に劣る。第二層及び第三層の厚さがそ
れぞれ第四層の厚さのπを超えるもの(9)はAg被覆
層に斑点状の変色を生じた。
本実施例ではCu −Sn合金を基体とし、これに電気
メツキ法で各種層を被覆した材料について説明したが、
これに限るものではなく、Cu又はその他のCu合金又
はFe −N1−Coo合金等を基体としPVD法、C
VD法、クラッド法などで被覆した材料についても同様
の効果が得られる。又本実施例では半導体リード材につ
いて説明したが、−設電子部品及び機器の導体例えばリ
ード、端子、接点、配線材などにも広く適用できる。
メツキ法で各種層を被覆した材料について説明したが、
これに限るものではなく、Cu又はその他のCu合金又
はFe −N1−Coo合金等を基体としPVD法、C
VD法、クラッド法などで被覆した材料についても同様
の効果が得られる。又本実施例では半導体リード材につ
いて説明したが、−設電子部品及び機器の導体例えばリ
ード、端子、接点、配線材などにも広く適用できる。
同、各層の電気メツキ条件は下記の通りである。
(1) Niメッキ
液組成: N15Oi 240 gr/ z、 Ni
C15′55gr/’−H,BO850gr/ t、液
温:110℃、電流密度=4.5A/dFF/。
C15′55gr/’−H,BO850gr/ t、液
温:110℃、電流密度=4.5A/dFF/。
(2) Ni −10%Coメッキ
液組成: NlSO4240gr / L 、 CO3
O415gr/11NiG1雪30gr / l、 H
sBOs 50gr / L1液温:45℃、電流密度
=0.5A/d?FI10(3) Goメッキ 液組成: Cocoa ヰOOgr/ L、 NaC
l20gr/ L1H@BOs l+5gr/ 11
液温:25℃、電流密度:5 A / dy? 0 (14)C:u−30%Znメッキ 液組成:CuGN50gr/L%Zn(CN)宜10g
r/L、 NaCN3 ogr / L、 N2LtC
Os 30gr/ t、液温:45℃、電流密度:C5
A / dイ。
O415gr/11NiG1雪30gr / l、 H
sBOs 50gr / L1液温:45℃、電流密度
=0.5A/d?FI10(3) Goメッキ 液組成: Cocoa ヰOOgr/ L、 NaC
l20gr/ L1H@BOs l+5gr/ 11
液温:25℃、電流密度:5 A / dy? 0 (14)C:u−30%Znメッキ 液組成:CuGN50gr/L%Zn(CN)宜10g
r/L、 NaCN3 ogr / L、 N2LtC
Os 30gr/ t、液温:45℃、電流密度:C5
A / dイ。
(5) Cuメッキ
液組成: CuCN60gr / L、 NaCN了O
gr / LlNaOHl 5gr/1.、 P H
: 12.1+、液温:65℃、電流密度:L5A/d
−0 (6) Snメッキ 液組成: 5nSOn 1o ogr/ t1HIS
○*50g;r/11β−ナフトール: Igr /
l、ニカワ2 gr /l、液温:15℃、電流密度:
I A / dぜ。
gr / LlNaOHl 5gr/1.、 P H
: 12.1+、液温:65℃、電流密度:L5A/d
−0 (6) Snメッキ 液組成: 5nSOn 1o ogr/ t1HIS
○*50g;r/11β−ナフトール: Igr /
l、ニカワ2 gr /l、液温:15℃、電流密度:
I A / dぜ。
(7)Sn−10%pbメッキ
液組成: Sn(BFi)t l 35gr 71%P
b(BFJtllL5gr/ zlHBFa 100g
r/ L%HsBOs 45gr/ z。
b(BFJtllL5gr/ zlHBFa 100g
r/ L%HsBOs 45gr/ z。
β−ナフトールL 5gr / L、 =カワ2g;r
/L。
/L。
液温:10℃、電流密度:Il、5A/d−0(8)
Agメッキ (ストライクメッキ)液組成: AgCN 5gr /
L 。
Agメッキ (ストライクメッキ)液組成: AgCN 5gr /
L 。
KCN 30 gr / L 、液温:15℃、電流密
度・時間10 k/drd x 3sec0 (厚付はメッキ)液組成: AgCN 50 gr /
L。
度・時間10 k/drd x 3sec0 (厚付はメッキ)液組成: AgCN 50 gr /
L。
KCN 60gr / L、液温:25℃、電流密度:
2(発明の効F@) 本発明のAg被覆導体は、半田厚付は性ならびにAg密
着性に優れ、且つ表面変色をおこすことがなく工業上顕
著な効果を奏するものである。
2(発明の効F@) 本発明のAg被覆導体は、半田厚付は性ならびにAg密
着性に優れ、且つ表面変色をおこすことがなく工業上顕
著な効果を奏するものである。
Claims (3)
- (1)基体の少なくとも一部表面にNi、Co又はその
合金が被覆され、該被覆層の少なくとも一部表面にAg
又はAg合金が被覆された導体において、これら被覆層
の中間にCu又はCu合金層及びSn又はSn合金層を
順次介在させたことを特徴とするAg被覆導体。 - (2)Cu又はCu合金層及びSn又はSn合金層の厚
さがそれぞれAg又はAg合金層の厚さの1/10〜1
/500であることを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載のAg被覆導体。 - (3)基体がCu又はCu合金からなることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載のAg被覆導体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19638186A JPS6353287A (ja) | 1986-08-21 | 1986-08-21 | Ag被覆導体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19638186A JPS6353287A (ja) | 1986-08-21 | 1986-08-21 | Ag被覆導体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6353287A true JPS6353287A (ja) | 1988-03-07 |
Family
ID=16356923
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19638186A Pending JPS6353287A (ja) | 1986-08-21 | 1986-08-21 | Ag被覆導体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6353287A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0610211A (ja) * | 1991-03-29 | 1994-01-18 | Kanebo Ltd | ポリウレタン弾性糸の製造方法 |
DE10355665B4 (de) * | 2002-11-29 | 2005-12-15 | Hyosung Corp. | Verfahren zur Herstellung einer elastischen Polyurethanfaser und die so hergestellte elastische Polyurethanfaser |
JP2007520053A (ja) * | 2003-10-14 | 2007-07-19 | オリン コーポレイション | 耐フレッチング性及び耐ウィスカー性の被覆装置及び方法 |
KR20130012944A (ko) * | 2011-07-26 | 2013-02-05 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨. | 고온 내성의 은 코팅된 기판 |
-
1986
- 1986-08-21 JP JP19638186A patent/JPS6353287A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0610211A (ja) * | 1991-03-29 | 1994-01-18 | Kanebo Ltd | ポリウレタン弾性糸の製造方法 |
DE10355665B4 (de) * | 2002-11-29 | 2005-12-15 | Hyosung Corp. | Verfahren zur Herstellung einer elastischen Polyurethanfaser und die so hergestellte elastische Polyurethanfaser |
US7255820B2 (en) | 2002-11-29 | 2007-08-14 | Hyosung Corporation | Process for the manufacture of elastic polyurethane fiber and the elastic polyurethane fiber made thereby |
JP2007520053A (ja) * | 2003-10-14 | 2007-07-19 | オリン コーポレイション | 耐フレッチング性及び耐ウィスカー性の被覆装置及び方法 |
JP4708357B2 (ja) * | 2003-10-14 | 2011-06-22 | オリン コーポレイション | 耐フレッチング性及び耐ウィスカー性の被覆装置 |
JP2014040675A (ja) * | 2003-10-14 | 2014-03-06 | Olin Corp | 耐フレッチング性及び耐ウィスカー性の被覆装置及び方法 |
KR20130012944A (ko) * | 2011-07-26 | 2013-02-05 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨. | 고온 내성의 은 코팅된 기판 |
JP2013032588A (ja) * | 2011-07-26 | 2013-02-14 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 高温耐性銀コート基体 |
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