KR20130012944A - 고온 내성의 은 코팅된 기판 - Google Patents

고온 내성의 은 코팅된 기판 Download PDF

Info

Publication number
KR20130012944A
KR20130012944A KR1020120081892A KR20120081892A KR20130012944A KR 20130012944 A KR20130012944 A KR 20130012944A KR 1020120081892 A KR1020120081892 A KR 1020120081892A KR 20120081892 A KR20120081892 A KR 20120081892A KR 20130012944 A KR20130012944 A KR 20130012944A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
silver
nickel
layer
tin
copper
Prior art date
Application number
KR1020120081892A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101992844B1 (ko
Inventor
반 장-베링거
마르기트 클라우스
마이클 피. 토벤
Original Assignee
롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨. filed Critical 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨.
Publication of KR20130012944A publication Critical patent/KR20130012944A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101992844B1 publication Critical patent/KR101992844B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/01—Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/12—Electroplating: Baths therefor from solutions of nickel or cobalt
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/01—Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic
    • B32B15/018—Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic one layer being formed of a noble metal or a noble metal alloy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C5/00—Alloys based on noble metals
    • C22C5/06—Alloys based on silver
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C9/00—Alloys based on copper
    • C22C9/04—Alloys based on copper with zinc as the next major constituent
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
    • C23C28/02—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material
    • C23C28/023—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material only coatings of metal elements only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/30—Electroplating: Baths therefor from solutions of tin
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/30—Electroplating: Baths therefor from solutions of tin
    • C25D3/32—Electroplating: Baths therefor from solutions of tin characterised by the organic bath constituents used
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/46—Electroplating: Baths therefor from solutions of silver
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
    • C25D5/12—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals at least one layer being of nickel or chromium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/627—Electroplating characterised by the visual appearance of the layers, e.g. colour, brightness or mat appearance
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/06—Wires; Strips; Foils
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1635—Composition of the substrate
    • C23C18/1644—Composition of the substrate porous substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1646—Characteristics of the product obtained
    • C23C18/165—Multilayered product
    • C23C18/1651—Two or more layers only obtained by electroless plating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1646—Characteristics of the product obtained
    • C23C18/165—Multilayered product
    • C23C18/1653—Two or more layers with at least one layer obtained by electroless plating and one layer obtained by electroplating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1655—Process features
    • C23C18/1664—Process features with additional means during the plating process
    • C23C18/1671—Electric field
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31—Coating with metals
    • C23C18/32—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron
    • C23C18/34—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron using reducing agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31—Coating with metals
    • C23C18/32—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron
    • C23C18/34—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron using reducing agents
    • C23C18/36—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron using reducing agents using hypophosphites
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/48—Coating with alloys
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/52—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating using reducing agents for coating with metallic material not provided for in a single one of groups C23C18/32 - C23C18/50
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
    • C25D3/562—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of iron or nickel or cobalt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
    • C25D3/60—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of tin
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12708—Sn-base component
    • Y10T428/12715—Next to Group IB metal-base component

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
  • Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)

Abstract

주석의 얇은 필름이 금속 기판을 코팅하는 니켈상에 직접 도금된 다음, 주석의 얇은 필름상에 직접 은이 도금된다. 은은 고온에서 기판에 대한 좋은 접착력을 가진다.

Description

고온 내성의 은 코팅된 기판 {HIGH TEMPERATURE RESISTANT SILVER COATED SUBSTRATES}
본 발명은 구리를 함유한 고온 내성의 은 코팅된 기판에 대한 것이다. 더 구체적으로, 본 발명은 구리 함유 기판에 개선된 은 코팅이 접착된 구리를 함유한 고온 내성의 은 코팅된 기판에 대한 것이다.
전기 도금(Electroplated) 및 무전해 도금된(electrolessly plated) 은 코팅은 은의 탁월한 침적 특성에 기인하여 전기 커넥터, 인쇄 회로 기판, 발광 다이오드의 제조, 플라스틱 및 장식용 제품상의 도금과 같은 다양한 적용에 사용되어 왔다. 구리 또는 구리 합금을 포함하는 기판상에 은이 도금된 경우, 은 도금에 앞서 구리 또는 구리 합금에 니켈 하층이 전형적으로 적용된다. 니켈은 은 내로 구리가 분산되는 것을 방지하는 배리어(barrier)로서 작용하고 또한 개선된 표면 형태를 제공할 수 있다. 니켈 상의 접착성 은 층을 이루기 위해, 최종의 더 두꺼운 은 코팅 도금에 앞서 얇은 은 스트라이크 층(strike layer)이 전형적으로 니켈에 적용된다. 도금 공정이 제대로 수행되기만 하면, 도금 직후 또는 부품의 서비스 수명 동안 니켈 및 은 사이의 전형적인 접착 실패는 일어나지 않는다.
전형적으로 150℃가 넘는 온도에서, 고온 적용을 위한 은 코팅을 사용하려는 다른 산업의 관심이 최근 증가하여 왔다. 빠른 구리 분산 때문에 그러한 고온에서 니켈 배리어 층의 사용은 필수적이다. 또한 그러한 고온 조건 하에서, 은 하부 니켈의 산화가 쉽게 일어나 니켈 및 은 사이의 접착 실패를 야기할 수 있다. 고온에서 은 아래 니켈의 가속된 산화 현상은 아직 완전히 이해되고 있지 않다. 일반적으로, 은 스트라이크 층 및 니켈 표면 활성과 같이 니켈에 대한 은 접착력을 강화하기 위해 사용되는 전형적인 방법은, 고온 적용에서의 산화 및 접착 문제를 극복할 수 없었다.
Mitsubishi Materials Corp.의 일본 특허 출원 공보 JP 제2003-293170호는 고온 환경에서 사용될 수 있는, 연료 전지를 위한 전류 추출 단말기(current extraction terminal)와 같은 고온 전기 도체를 개시하였다. 도체 기재(base material)는 철, 니켈 또는 코발트 합금일 수 있다. 니켈 층은 도체 기재상에 도금되고 이어서 니켈상에 은이 도금된다. 특허 공보는 도체가 500-960℃의 고온 대기 중에서 산화되지 않고 전기 연속성(electrical continuity)을 유지한다는 것을 개시한다. 은 및 고온 환경에서 산화되지 않는 니켈 층을 갖는, 철, 니켈, 또는 코발트 합금의 기재를 갖는 제품이 있더라도, 구리 또는 구리 합금을 포함하는 기재에 대한 고온 적용을 견뎌낼 수 있는 니켈상에 은을 함유하는 제품이 여전히 필요하다.
제품은 구리 또는 구리 합금, 구리 또는 구리 합금 함유 기판 인접 니켈 함유 층, 니켈 함유 층 인접 주석 함유 층 및 주석 함유 층 인접 은 층을 포함하고, 은 층은 주석 함유 층 두께의 적어도 2배이다.
방법은 구리 또는 구리 합금을 포함하는 기판을 제공하고; 구리 또는 구리 합금 함유 기판에 인접하여 니켈 함유 층을 침적시키고; 니켈 함유 층에 인접하여 주석 함유 층을 침적시키고; 주석 함유 층에 인접하여 주석 함유 층 두께의 적어도 2배인 은 층을 침적시키는 것을 포함한다.
은을 침적시키기 전에 니켈 또는 니켈 합금에 인접한 주석 또는 주석 합금의 얇은 필름을 적용하는 것은 니켈 함유 층의 산화를 억제하고, 따라서 고온을 적용하는 동안 은 및 구리 또는 구리 합금 함유 기판 간의 접착 실패를 억제한다. 따라서, 은 층의 접착 실패에 대한 최소의 우려를 갖고 고온 환경에서 제품이 사용될 수 있다.
도 1은 구리 베이스(based) 기판상의 니켈 배리어 층 위에 주석 스트라이크 층 위에 은 층을 갖는 제품의 단면을 도시한 것이다.
도 2는 200℃에서 보관 1000시간 후에 은 및 니켈 계면에서의 갭(gap)을 보여주는, 니켈 위에 은 층의 10,000X SEM 단면이다.
도 3은 200℃에서 보관 1000시간 후에 금 스트라이크 및 니켈 계면에서의 갭을 보여주는, 은 및 니켈 사이에 금 스트라이크 층을 갖는 니켈 위에 은 층의 10,000X SEM 단면이다.
도 4는 200℃에서 보관 1000시간 후에 팔라듐/니켈 합금 및 니켈 계면에서의 갭을 보여주는, 은 및 니켈 사이에 팔라듐/니켈 합금 스트라이크 층을 갖는 니켈 위에 은 침적의 10,000X SEM 단면이다.
도 5는 은 및 니켈 사이에 Sn/Ag 및 Sn/Ni 금속간 화합물(intermetallics)을 갖는 층 계면에서 200℃로 보관 1000시간 후에, 임의로 관찰할 수 있는 갭을 갖지 않는 니켈 위에 은 침적의 10,000X SEM 단면이다.
이 상세한 설명을 통해 사용된 바와 같이, 용어 "침적" 및 "도금"은 상호교환적으로 사용된다. 용어 "조성물" 및 "바쓰(bath)"는 상호교환적으로 사용된다. 용어 "인접"은 붙어 있음 또는 바로 옆 및 연결됨을 의미한다. 단수는 단수 및 복수 둘 다를 포함하는 것을 의미한다. 다음의 약어는 문맥상 별도의 지시가 없는 한 다음의 의미를 가진다: ℃ = 섭씨 온도; g = 그램; ml = 밀리리터; L = 리터; ASD = A/dm2 = 암페어/데시미터 제곱; PVD = 물리 증착법; CVD = 화학 증착법; PCB = 인쇄 회로 기판 또는 인쇄 배선판; SEM = 주사형 전자 현미경 사진; EDX = EDS = 에너지-분산성 X-선 분광학; cm = 센티미터; mm = 마이크론; nm = 나노미터.
모든 백분률 및 비율은 별도의 지시가 없는 한 중량에 의한다. 그러한 숫자적 범위가 100%까지 추가하도록 제한되는 것이 논리적인 경우를 제외하고 모든 범위는 포괄적이고 임의의 순서로 조합가능하다.
구리 베이스 기판에 인접한, 니켈 함유 배리어 층 2를 갖는 구리 함유 기판 1을 보여주는 도 1에 의해 제품이 표시될 수 있다. 주석 함유 스트라이크 층 3은 니켈 함유 배리어 층에 인접하고, 주석 함유 스트라이크 층 두께의 적어도 2배를 갖는 은 층 4는 주석 함유 스트라이크 층에 인접한다. 임의로, 맨 위 은 층은 변색방지(anti-tarnish) 층 (나타내지 않음)을 갖는다. 제품이 150℃ 이상 또는 200℃ 내지 600℃와 같은 온도에 노출되어도 여전히 금속 층 사이에 좋은 접착력을 유지할 수 있는 경우 제품은 다양한 전기 기구에서 부품으로서 사용될 수 있다.
하나 이상의 니켈 또는 니켈 합금 층은 구리를 포함하는 기판에 침적된다. 니켈은 은 맨 위 층으로 구리가 분산되는 것을 억제하는 배리어 층으로서 작용한다. 기판은 대체로 모두 구리일 수 있거나 또는 주석/구리, 은/구리, 금/구리, 구리/창연, 구리/아연, 구리/니켈, 주석/은/구리 및 주석/구리/창연과 같은 하나 이상의 구리 합금을 포함할 수 있고, 이에 한하지 않는다. 기판은 구리 또는 구리 합금 층을 갖는 플라스틱 또는 레진 물질과 같은 PCB 또는 유전체일 수 있다. 니켈 또는 니켈 합금은, 층이 기판의 구리 또는 구리 합금 층 표면에 인접하여 기판의 구리 또는 구리 합금 표면과 계면을 형성하도록 침적된다. 일반적으로, 니켈 또는 니켈 합금 층의 두께는 적어도 0.5㎛이다. 바람직하게, 니켈 또는 니켈 합금 층은 0.5㎛ 내지 10㎛ 두께이고, 더 바람직하게 1㎛ 내지 5㎛ 두께이다. 하나 이상의 니켈 또는 니켈 합금 층은 기판상에 니켈 또는 니켈 합금을 침적하는 기술분야에서 사용되는 종래의 방법에 의해 침적될 수 있다. 그러한 방법은 PVD, CVD, 전해 및 무전해 금속 도금을 포함하고, 이에 한하지 않는다. 그러한 방법은 기술분야 및 문헌에 잘 알려져 있다. 바람직하게, 전해 금속 도금은 구리 함유 기판상에 니켈 또는 니켈 합금을 침적하기 위해 사용된다.
일반적으로, 니켈 또는 니켈 합금 전기 도금은 적어도 전류 밀도 0.01 ASD에서 수행될 수 있다. 전형적인 전류 밀도는 0.1 ASD 내지 5 ASD, 더 전형적으로 0.5 ASD 내지 2 ASD이다. 특정한 기판에 대한 전류 밀도를 맞추기 위해 부수적 실험이 사용될 수 있다. 사용된 전기 도금 공정은 종래의 것이다.
도금 조성물 중의 니켈 이온은 임의의 적합한 용액-용해성 니켈 화합물, 전형적으로 수용성 니켈 염을 사용하여 제공될 수 있다. 그러한 니켈 화합물은 니켈 설페이트, 니켈 클로라이드, 니켈 설파메이트 및 니켈 포스페이트를 포함하고, 이에 한하지 않는다. 니켈 화합물의 혼합물은 도금 조성물에 사용될 수 있다. 그러한 혼합물은 니켈 설페이트 및 니켈 클로라이드의 혼합물과 같이, 동일한 금속을 갖지만 다른 화합물인 금속 화합물일 수 있다. 니켈 화합물은 0.1 g/L 내지 150 g/L, 전형적으로 0.5 g/L 내지 100 g/L 및 더 전형적으로 1 g/L 내지 70 g/L의 도금 조성물 중 니켈 이온 농도를 제공하기에 충분한 양으로 도금 조성물에 첨가된다.
산 및 염기를 포함하여, 임의의 매우 다양한 전해질이 니켈 도금 조성물에 사용될 수 있다. 전해질은 메탄 설폰산, 에탄 설폰산 및 프로판 설폰산과 같은 알칸 설폰산; 알킬올 설폰산; 톨루엔 설폰산, 페닐 설폰산 및 페놀 설폰산과 같은 아릴 설폰산; 아미도 설폰산과 같은 아미노-함유 설폰산; 설팜산; 광산; 포름산 및 할로아세트산과 같은 카르복실산; 수소 할라이드 산; 및 피로포스페이트를 포함하고, 이에 한하지 않는다. 산 및 염기의 염 또한 전해질로 사용될 수 있다. 또한, 전해질은 산의 혼합물, 염기의 혼합물 또는 하나 이상의 염기와 하나 이상의 산의 혼합물을 함유할 수 있다. 그러한 전해질은 일반적으로 Wisconsin Milwaukee의 Aldrich Chemical Company사와 같은 다양한 소스(source)로부터 상업적으로 이용가능하다.
임의로 매우 다양한 계면활성제가 니켈 도금 조성물에 사용될 수 있다. 니켈 도금의 수행을 방해하지 않는 한, 임의의 음이온성, 양이온성, 양쪽성 및 비이온성 계면활성제가 사용될 수 있다. 계면활성제는 그러한 기술분야에 잘 알려진 종래의 양으로 포함될 수 있다.
임의로, 니켈 도금 조성물은 하나 이상의 추가적 성분을 함유할 수 있다. 그러한 추가적 성분은 광택제, 결정 미세화제(grain refiner) 및 연성 강화제를 포함하고, 이에 한하지 않는다. 그러한 추가적 요소는 기술분야에 잘 알려져 있고 종래의 양으로 사용된다.
니켈 도금 조성물은 임의로 버퍼링제를 함유할 수 있다. 예시적인 버퍼링제는 (붕사와 같은) 보레이트 버퍼, 포스페이트 버퍼, 시트레이트 버퍼, 카보네이트 버퍼 및 하이드록사이드 버퍼를 포함하고, 이에 한하지 않는다. 사용되는 버퍼의 양은 통상의 기술자에게 잘 알려진 그러한 양으로, 원하는 수준의 도금 조성물 pH를 유지하기에 충분한 양이다.
하나 이상의 합금 금속은 니켈 도금 조성물 내에 포함될 수 있다. 그러한 합금 금속은 주석, 구리 및 창연을 포함하고, 이에 한하지 않는다. 니켈-인은 바람직한 합금이다. 그러한 금속은 기술분야에 잘 알려진, 그것의 용액 용해성 염으로서 제공된다. 종래의 양은 니켈 합금 침적을 제공하기 위해 니켈 도금 조성물 내에 포함될 수 있다.
적합한 전해 니켈 도금 바쓰는 문헌에 많이 개시되어 있을 뿐만 아니라 상업적으로 이용가능하다. 상업적으로 이용가능한 전해 니켈 바쓰의 예는 NICKEL GLEAM™ 전해 니켈 상품 및 NIKAL™ SC 전해 니켈 상품이고 둘 다 미국 매사추세츠주 말버러의 Rohm and Haas Electronic Materials, LLC사로부터 입수할 수 있다. 적합한 전해 니켈 도금 바쓰의 기타 예는 미국 제3,041,255호에 개시된 Watts-형 바쓰이다.
무전해 니켈 도금 조성물은 환원제를 포함하거나 또는 포함하지 않을 수 있다. 전형적으로 무전해 니켈 도금 조성물은 환원제를 포함한다. 그러한 환원제는 소듐 하이포포스피트, 포타슘 하이포포스피트, 티오유레아 및 티오유레아 유도체, 히단토인 및 히단토인 유도체, 하이드로퀴논 및 하이드로퀴논 유도체, 레조르시놀, 및 포름알데하이드 및 포름알데하이드 유도체, DEA (n-디에틸-아민 보란), 소듐 보로하이드라이드 및 하이드라진 유도체를 포함하고, 이에 한하지 않는다. 그러한 환원제는 0.1 g/L 내지 40 g/L와 같은 종래의 양으로 사용될 수 있다. 상업적으로 이용가능한 무전해 니켈 조성물의 예는 DURAPOSIT™ SMT 88 무전해 니켈 및 NIPOSIT™ PM 980 및 PM 988 무전해 니켈을 포함한다. 모두 Rohm and Haas Electronic Materials, LLC사로부터 이용가능하다.
니켈 도금 조성물은 1 내지 14, 전형적으로 1 내지 12, 더 전형적으로 1 내지 8 범위의 pH를 가질 수 있다. 도금하는 동안 니켈 도금 조성물의 작업 온도는 10℃ 내지 100℃ 또는 20℃ 내지 50℃일 수 있다.
니켈 또는 니켈 합금 침적 후에, 하나 이상의 주석 또는 주석 합금 스트라이크 층이 니켈 또는 니켈 합금 층에 인접하여 침적된다. 주석 또는 주석 합금은 전해, 무전해 또는 이멀젼(immersion) 주석 또는 주석 합금 도금과 같은, 기술분야에서 사용되는 종래의 방법에 의해 침적될 수 있다. 바람직하게 주석 또는 주석 합금은 니켈 또는 니켈 합금에 인접하여 전해 또는 무전해 도금된다. 더욱 바람직하게 주석 또는 주석 합금은 니켈 또는 니켈 합금 층에 인접하여 전해 도금된다. 주석 또는 주석 합금 층의 두께는 적어도 0.01㎛, 바람직하게 0.01㎛ 내지 2㎛, 더 바람직하게 0.1㎛ 내지 1㎛를 가진다.
적합한 주석 및 주석 합금 도금 바쓰는 산성 또는 알칼리성일 수 있다. 예시적인 산성 주석 바쓰는 하나 이상의 용액 용해성 주석 화합물, 하나 이상의 산성 전해질 및 임의로 하나 이상의 첨가제를 함유한다. 적합한 주석 화합물은 주석 할라이드, 주석 설페이트, 주석 메탄 설포네이트와 같은 주석 알칸 설포네이트, 주석 페닐 설포네이트, 주석 페놀 설포네이트 및 주석 톨루엔 설포네이트와 같은 주석 아릴 설포네이트 및 주석 알칸올 설포네이트와 같은 염을 포함하고, 이에 한하지 않는다. 전형적으로 주석 화합물은 주석 설페이트, 주석 클로라이드, 주석 알칸 설포네이트 또는 주석 아릴 설포네이트이고 더 전형적으로 주석 설페이트 또는 주석 메탄 설포네이트이다. 이러한 조성물 내의 주석 화합물의 양은 전형적으로 5 g/L 내지 150 g/L, 더 전형적으로 30 g/L 내지 80　g/L 범위의 주석 이온 함량을 제공하는 양이다. 주석 화합물의 혼합물이 사용될 수 있다.
용액 용해성인 임의의 산성 전해질은 안정한 주석 전해질을 생성하는데 적합하고 전해질 조성물에 불리하게 영향을 주지 않는 한 사용될 수 있다. 적합한 산성 전해질은 메탄 설폰산, 에탄 설폰산 및 프로판 설폰산과 같은 알칸 설폰산, 페닐 설폰산, 페놀 설폰산 및 톨루엔 설폰산과 같은 아릴 설폰산, 설퍼르산, 설팜산, 하이드로클로르산, 하이드로브롬산, 플루오로보르산 및 이의 혼합물을 포함하고, 이에 한하지 않는다. 산성 전해질의 양은 전형적으로 10 g/L 내지 400 g/L, 더 전형적으로 50 g/L 내지 400 g/L의 범위 내이다.
주석 합금 도금 바쓰 내에, 하나 이상의 합금 금속 화합물이 주석에 추가하여 사용된다. 적합한 합금 금속은 납, 니켈, 구리, 창연, 아연, 은, 안티몬 및 인듐을 포함하고, 이에 한하지 않는다. 유용한 합금 금속 화합물은 용해성 형태로 전해질 조성물에 금속을 제공하는 임의의 것이다. 따라서, 금속 화합물은 금속 할라이드, 금속 설페이트, 금속 메탄 설포네이트와 같은 금속 알칸 설포네이트, 금속 페닐 설포네이트 및 금속 톨루엔 설포네이트와 같은 금속 아릴 설포네이트 및 금속 알칸올 설포네이트와 같은 염을 포함하고, 이에 한하지 않는다. 전해질 조성물 내에 존재하는 합금 금속 화합물 및 그러한 합금 금속 화합물 양의 선택은, 예를 들면, 침적될 주석-합금에 의존하고, 통상의 기술자에게 잘 알려져 있다. 전형적인 주석 합금은 주석/구리, 주석/창연, 주석/은, 주석/아연, 주석/은/구리 및 주석/은/창연이다.
환원제, 하이드록시 방향족 화합물과 같은 결정 미세화제 및 기타 습윤제, 광택제 및 항산화제와 같은 하나 이상의 기타 첨가제가 주석 또는 주석 합금 전기 도금 바쓰에 사용될 수 있다. 첨가제의 혼합물 또한 사용될 수 있다.
환원제는 주석을 용해성 2가의 상태로 유지하는 것을 돕기 위해 주석 및 주석-합금 전해질 조성물에 첨가될 수 있다. 적합한 환원제는 하이드로퀴논 및 레조르시놀 및 카테콜과 같은 하이드록실화된 방향족 화합물을 포함하고, 이에 한하지 않는다. 적합한 환원제는, 예를 들면, 미국 특허 제4,871,429호에 개시된 그것이다. 그러한 환원제의 양은 전형적으로 0.1 g/L 내지 5 g/L이다.
광택 침적은 주석 및 주석-합금 전해질 조성물에 광택제를 첨가함으로써 수행될 수 있다. 그러한 광택제는 통상의 기술자에게 잘 알려져 있다. 적합한 광택제는 나프탈알데하이드, 벤즈알데하이드, 알릴벤즈알데하이드, 메톡시벤즈알데하이드 및 클로로벤즈알데하이드와 같은 방향족 알데하이드, 벤질 아세톤 및 벤질리딘 아세톤과 같은 방향족 알데하이드의 유도체, 아세트알데하이드 또는 글루타르알데하이드와같은 지방족 알데하이드 및 아크릴산, 메트아크릴산 및 피콜린산과 간은 산을 포함하고, 이에 한하지 않는다. 전형적으로, 광택제는 0.1 g/L 내지 3 g/L의 양으로 사용된다.
적합한 비이온성 계면활성제 또는 습윤제는 7개까지의 탄소로 이루어진 하나 이상의 알킬 그룹을 함유하는 지방족 알콜의 비교적 작은 분자량 에틸렌 옥사이드 ("EO") 유도체, 또는 융합될 수 있고 6개까지의 탄소를 갖는 알킬 그룹으로 치환될 수 있는 방향족 고리를 2개까지 갖는 방향족 알콜의 에틸렌 옥사이드 유도체를 포함하고, 이에 한하지 않는다. 지방족 알콜은 포화되거나 또는 불포화될 수 있다. 방향족 알콜은 전형적으로 에틸렌 옥사이드로 유도체화 되기 전에 20개까지의 탄소 원자를 갖는다. 그러한 지방족 및 방향족 알콜은 또한, 예를 들면, 설페이트 또는 설포네이트 그룹으로 치환될 수 있다. 전형적으로, 그러한 비이온성 계면활성제 또는 습윤제는 0.1 g/L 내지 50 g/L의 양으로 첨가된다.
하이드록시 방향족 화합물 또는 기타 습윤제는 추가적인 결정 미세화를 제공하기 위해 이러한 전해질 조성물에 첨가될 수 있다. 그러한 결정 미세화제는 또한 침적 외관 및 작동하는 전류 밀도 범위를 개선하기 위해 첨가될 수 있다. 적합한 기타 습윤제는 폴리에톡실화된 아민 Jeffamine™ T-403 또는 Triton™ RW와 같은 알콕실레이트, Triton™ QS-15과 같은 설페이트화된 알킬 에톡실레이트 및 젤라틴 또는 젤라틴 유도체를 포함하고, 이에 한하지 않는다. 유용한 그러한 결정 미세화제의 양은 통상의 기술자에게 잘 알려져 있고 전형적으로 0.01 ml/L 내지 20 ml/L이다.
임의로, 항산화제 화합물은 제1주석의 주석 산화를 최소화하거나 또는, 예를 들면, 2가 내지 4가의 상태가 되는 것을 방지하기 위해 전해질 조성물에 이용될 수 있다. 적합한 항산화제 화합물은, 예를 들면, 디하이드록시벤젠 및 바나듐, 니오븀, 탄탈륨, 티타늄, 지르코늄 및 텅스텐의 그것과 같은 주기율표상의 IV B, V B, 및 VI B 그룹의 원소를 기초로하는 다가의 화합물을 포함한다. 전형적으로, 그러한 항산화제 화합물은 0 내지 2 g/L의 양으로 전해질 조성물 내에 존재한다.
주석 또는 주석 합금은 20℃ 내지 60℃, 전형적으로 35℃ 내지 45℃의 온도에서 도금된다. 주석 또는 주석 합금이 전기 도금되는 경우, 전류 밀도는 전형적으로 0.5 ASD 내지 10 ASD이다.
그 다음, 하나 이상의 은 층이 주석 또는 주석 합금 층에 인접하여 침적된다. 은 층 대 주석 또는 주석 합금 층의 두께는 적어도 2:1이고, 바람직하게 2:1 내지 30:1, 더 바람직하게 5:1 내지 25:1이다. 전형적으로 은의 두께는 적어도 0.02㎛, 바람직하게 0.02㎛ 내지 60㎛, 더 바람직하게 0.5㎛ 내지 25㎛를 갖는다. 은은 종래의 방법을 사용하여 주석 또는 주석 합금에 침적될 수 있다. 전형적으로 은은 전해, 무전해 또는 이멀젼 도금에 의해 침적된다. 바람직하게 은은 전해 도금에 의해 침적된다.
종래의 전기 도금 은 조성물이 사용될 수 있다. 은 조성물은 시아나이드 함유 은 조성물 또는 시아나이드가 없는(cyanide-free) 은 조성물일 수 있다. 바람직하게, 은 바쓰는 시아나이드 함유 바쓰이다. 은 이온의 소스는 은 포타슘 시아나이드, 은 니트레이트, 은 소듐 티오설페이트, 은 글루코네이트; 은-시스테인 복합체와 같은 은-아미노산 복합체; 은 메탄 설포네이트와 같은 은 알킬 설포네이트를 포함할 수 있고, 이에 한하지 않는다. 은 화합물의 혼합물이 사용될 수 있다. 조성물 내의 은 이온의 농도는 전형적으로 2 g/L 내지 40 g/L의 양 내이다. 그러한 은 화합물은 보통 Wisconsin, Milwaukee의 Aldrich Chemical Company사와 같은 다양한 소스로부터 상업적으로 이용가능하다. 상업적으로 유용한 은 도금 조성물의 예로 Rohm and Haas Electronic Materials, LLC사의 SILVER GLO™ 3K 은 전기 도금 바쓰, SILVERJET™ 300 은 전기 도금 바쓰, SILVER GLEAM™ 360 은 전기 도금 바쓰, ENLIGHT™ 은 도금 600 및 620와 같은 것이 이용가능하다.
음이온성, 양이온성, 양쪽성 및 비이온성 계면활성제와 같은, 매우 다양한 종래의 계면활성제가 은 도금 조성물에 사용될 수 있다. 계면활성제는 종래의 양으로 포함될 수 있다. 은 도금 조성물은 하나 이상의 추가적인 종래의 성분을 함유할 수 있다. 그러한 추가적인 성분은 전해질, 버퍼, 광택제, 결정 미세화제, 킬레이트 제제(chelating agents), 착화제, 환원제, 레벨링제(leveler) 및 연성 강화제를 포함하고, 이에 한하지 않는다. 그러한 추가적인 성분은 기술분야에 잘 알려져 있고 종래의 양으로 사용된다.
은 도금 조성물은 1 내지 14, 전형적으로 1 내지 12 및 더욱더 전형적으로 1 내지 8 범위의 pH를 가질 수 있다. 은을 도금하는 동안 은 도금 조성물의 작업 온도는 10 내지 100℃ 또는 20 내지 60℃이다. 전형적인 전류 밀도는 0.1 ASD 내지 50 ASD, 더 전형적으로 1 ASD 내지 20 ASD이다.
임의로, 변색방지 층은 은 층 위에 침적될 수 있다. 종래의 변색방지 조성물이 사용될 수 있다. 그러한 변색방지 물질의 상업적 예는 NO-TARN™ PM 3 변색방지 제제, PORE BLOCKER 100 변색방지 제제 및 PORE BLOCKER™ 200 변색방지 제제 (Rohm and Haas Electronic Materials, LLC사로부터 이용가능함)이다.
니켈 또는 니켈 합금에 인접한 주석 또는 주석 합금 인접 필름의 적어도 2배 두께인 은 층은, 니켈 층의 산화를 방지하고 따라서 고온을 적용하는 동안 은과 기판 사이의 접착 실패를 방지한다. 니켈/주석의 금속간 화합물은 주석 및 니켈 층 계면에 형성하고 주석/은 금속간 화합물은 주석 및 은 층 계면에 형성한다. 반면 이론에 구속되지 않고, 주석/은 금속간 화합물의 형성물은 은 층의 미세구조를 변화시킬 수 있고 니켈 또는 니켈 합금 표면에 산소가 도달하는 것을 막을 수 있으며 니켈/주석 금속간 화합물의 형성물은 니켈 또는 니켈 합금 층의 산소 내성을 증가시킬 수 있다. 니켈 또는 니켈 합금 층의 산화는 기술분야에 잘 알려진 표준 EDS 또는 EDX 분석 방법을 사용하여 측정될 수 있다. 제품은 은 층의 접착 실패에 대한 최소한의 우려를 갖고 고온 환경에서 사용될 수 있다. 일반적으로, 제품은 PCB, 전기 커넥터, 발광 다이오드 (LED), 전기 자동차(electric vehicle) 및 은 층이 150℃ 이상의 온도에 노출될 수 있는 기타 적용에서 부분 또는 부품으로서 사용될 수 있다.
다음의 실시예는 본 발명을 설명하고자 포함된 것이고 본 발명의 범위를 제한하려는 것은 아니다.
실시예 1 (비교예)
3개의 깨끗한 구리-베이스의 쿠폰(coupon) (구리 또는 구리/아연) 2cm x 5cm를 표 1에서 개시된 화학식을 갖는 수성 니켈 전기 도금 바쓰 내로 위치시켰다.
Figure pat00001
쿠폰을 정류기에 연결하였고 상대 전극을 백금(platinised) 티타늄 전극으로 하였다. 니켈 전기 도금을 하는 동안 니켈 도금 바쓰의 온도는 30℃로 유지하였다. 전류 밀도를 1 ASD로 하였다. 각각의 구리 쿠폰상에 니켈 층이 2㎛ 두께로 침적될 때까지 전기 도금을 수행하였다. 쿠폰을 도금 바쓰로부터 제거하였고 실온에서 탈염수로 헹구었다.
그 다음, 은 이온 소스로서 은 시아나이드 2 g/L 및 포타슘 사아나이드 100 g/L가 포함된 수성 은 스트라이크 바쓰 내로 쿠폰을 위치시켰다. 니켈 도금된 구리 쿠폰을 정류기에 연결하였다. 상대 전극을 백금 티타늄 전극으로 하였다. 니켈상에 은 스트라이크 층이 0.1㎛로 침적될 때까지 전류 밀도 0.1 ASD로 60℃에서 은 전기 도금을 수행하였다.
그 다음, 쿠폰을 표 2에서 개시된 화학식을 갖는 은 전기 도금 바쓰 내로 위치시켰다.
Figure pat00002
쿠폰을 정류기에 연결하였고 상대 전극을 백금 티타늄 전극으로 하였다. 은 바쓰를 60℃ 온도로 유지하였다. 전류 밀도를 2 ASD로 하였다. 은 스트라이크 층상에 은 층이 5㎛ 두께로 침적될 때까지 은 전기 도금을 수행하였다.
은이 도금된 쿠폰을 은 전기 도금 바쓰로부터 제거하였고 실온에서 탈염수로 헹구었고 실온에서 공기 건조하였다. 그 다음, 표준 크로스-해치(cross-hatch) 및 테이프(tape) 테스트를 사용하여 각각의 쿠폰에 대해 은 층의 접착력을 테스트하였다. 모든 테스트 쿠폰은 좋은 접착력을 나타냈다. 은이 코팅된 쿠폰으로부터 테이프를 당긴 후 테이프상에 은이 관찰되지 않았다.
그 다음, 쿠폰을 종래의 컨벡션 오븐(convection oven) 내에서 1,000시간 동안 200℃로 보관하였다. 쿠폰이 실온으로 냉각되도록 함으로써 쿠폰에 대한 은의 접착력을 매 200시간 마다 체크하였고 이어서 크로스-해치 및 테이프 테스트를 하였다. 400시간 후에 모든 쿠폰은 부실한 은 접착력의 징후를 나타냈다. 1000시간 후에 쿠폰을 오븐에서 제거하였고 실온으로 냉각되도록 하였다.
각각의 쿠폰 단면을 취하여 Zeiss사의 EDX가 장착된 SIGMA SEM 주사형 전자 현미경하에서 검사하였다. 모든 SEM은 니켈 및 은 층의 계면에 갭을 나타냈다. 도 2는 검사된 구리 쿠폰의 한 단면 SEM이다. SEM의 맨 윗부분은 단면 분석할 샘플을 고정하기 위해 사용된 임베딩(embedding) 레진이다. 전기 도금된 은 층은 임베딩 레진 아래에 있고 고열로 보관하는 동안 형성된 갭은 은 층 및 은 층 바로 아래의 니켈 층 계면에서 나타난다. 구리 베이스 물질은 니켈 층 바로 아래이다.
실시예 2 (비교예)
니켈 층상에 은 스트라이크 층 대신 금 스트라이크 층을 도금하였다는 것을 제외하고, 3개의 구리-베이스의 쿠폰을 상기 실시예 1에 기술된 바와 같이 제조하였다. 수성 금 스트라이크 바쓰는 표 3의 제제를 갖도록 하였다.
Figure pat00003
금 스트라이크 바쓰를 전류 밀도 0.2 ASD에서 40℃ 온도로 유지하였다. 니켈 층상에 금 층이 0.1㎛ 두께로 침적될 때까지 금 전기 도금을 수행하였다.
그 다음, 상기 표 2에서 개시된 은 시아나이드를 사용하여 각각의 쿠폰을 은 층이 5㎛ 두께를 갖도록 전기 도금하였다. 실시예 1과 같은 동일한 은 도금 조건을 사용하였다.
은이 도금된 쿠폰을 은 전기 도금 바쓰로부터 제거하였고 탈염수로 헹구었고 실온에서 공기 건조하였다. 그 다음, 표준 크로스-해치 및 테이프 테스트를 사용하여 각각의 쿠폰에 대해 은 층의 접착력을 테스트하였다. 모든 테스트 쿠폰은 좋은 접착력을 나타냈다. 은이 코팅된 쿠폰으로부터 테이프를 당긴 후 테이프상에 은이 관찰되지 않았다.
그 다음, 쿠폰을 종래의 컨벡션 오븐 내에서 1,000시간 동안 200℃로 보관하였다. 쿠폰에 대한 은의 접착력을 매 200시간 마다 체크하였다. 400시간 후에 모든 쿠폰은 부실한 은 접착력의 징후를 나타냈다. 1000시간 후에 쿠폰을 오븐에서 제거하였고 실온으로 냉각되도록 하였다.
각각의 쿠폰 단면을 취하여 주사형 전자 현미경하에서 검사하였다. 모든 SEM은 니켈 및 금 스트라이크 층의 계면에 갭을 나타냈다. 도 3은 검사된 쿠폰의 한 단면 SEM이다. SEM은 고열로 보관하는 동안에 은 층 및 니켈 층 사이에 층간 박리(delamination)를 나타낸다.
실시예 3 (비교예)
니켈 층상에 은 스트라이크 층 대신 팔라듐 및 니켈 합금 스트라이크 층을 도금하였다는 것을 제외하고, 3개의 구리-베이스의 쿠폰을 상기 실시예 1에서 기술된 바와 같이 제조하였다. 수성 팔라듐 및 니켈 합금 스트라이크 바쓰는 표 4의 제제를 갖도록 하였다.
Figure pat00004
팔라듐 및 니켈 합금 스트라이크 바쓰를 전류 밀도를 0.2 ASD에서 60℃ 온도로 유지하였다. 니켈 층상에 합금 층이 0.1㎛ 두께로 침적될 때까지 팔라듐 및 니켈 합금 전기 도금을 수행하였다.
그 다음, 상기 표 2에서 개시된 은 시아나이드 바쓰를 사용하여 각각의 쿠폰을 은 층이 5㎛ 두께를 갖도록 전기 도금하였다. 실시예 1과 같은 동일한 은 도금 조건을 사용하였다.
은이 도금된 쿠폰을 은 전기 도금 바쓰로부터 제거하였고 탈염수로 헹구었고 실온에서 공기 건조하였다. 그 다음, 표준 크로스-해치 및 테이프 테스트를 사용하여 각각의 쿠폰에 대해 은 층의 접착력을 테스트하였다. 모든 테스트 쿠폰은 좋은 접착력을 나타냈다. 은이 코팅된 쿠폰으로부터 테이프를 당긴 후 테이프상에 은이 관찰되지 않았다.
그 다음, 쿠폰을 종래의 컨벡션 오븐 내에서 1,000시간 동안 200℃로 보관하였다. 쿠폰에 대한 은의 접착력을 매 200시간 마다 체크하였다. 400시간 후에 모든 쿠폰은 부실한 은 접착력의 징후를 나타냈다. 1000시간 후에 쿠폰을 오븐에서 제거하였고 실온으로 냉각되도록 하였다.
각각의 쿠폰 단면을 취하여 주사형 전자 현미경하에서 검사하였다. 모든 SEM은 니켈 및 팔라듐 및 니켈 스트라이크 층의 계면에 갭을 나타냈다. 도 4는 검사된 구리 쿠폰의 한 단면 SEM이다 (구리 베이스는 이 도면에 나타나지 않음). SEM은 고열로 보관하는 동안에 은 층 및 니켈 층 사이에 층간 박리를 나타낸다.
실시예 4
니켈 층상에 은 스트라이크 층 대신 주석 스트라이크 층을 도금하였다는 것을 제외하고, 3개의 구리-베이스의 쿠폰을 상기 실시예 1에서 기술된 바와 같이 제조하였다. 수성 주석 스트라이크 바쓰는 표 5의 제제를 갖도록 하였다.
Figure pat00005
1TERGITOL™ L62 비인온성 계면활성제 (Dow Chemical Company사로부터 이용가능함)
주석 스트라이크 바쓰를 전류 밀도 0.1 ASD에서 60℃ 온도로 유지하였다. 니켈 층상에 주석 층이 0.2㎛ 두께로 침적될 때까지 주석 전기 도금을 수행하였다.
그 다음, 상기 표 2에서 개시된 은 시아나이드 바쓰를 사용하여 각각의 쿠폰을 은 층이 5㎛ 두께를 갖도록 전기 도금하였다. 실시예 1과 같은 동일한 은 도금 조건을 사용하였다.
은이 도금된 쿠폰을 은 전기 도금 바쓰로부터 제거하였고 탈염수로 헹구었고 실온에서 공기 건조하였다. 그 다음, 표준 크로스-해치 및 테이프 테스트를 사용하여 각각의 쿠폰에 대해 은 층의 접착력을 테스트하였다. 모든 테스트 쿠폰은 좋은 접착력을 나타냈다. 은이 코팅된 쿠폰으로부터 테이프를 당긴 후 테이프상에 은이 관찰되지 않았다.
그 다음, 쿠폰을 종래의 컨벡션 오븐 내에서 1,000시간 동안 200℃로 보관하였다. 쿠폰에 대한 은의 접착력을 매 200시간 마다 체크하였다. 임의의 200시간 간격에서 은 층 및 쿠폰 사이에 임의의 접착 실패에 대한 관찰가능한 흔적은 없었다. 1000시간 후에 쿠폰을 오븐에서 제거하였고 실온으로 냉각되도록 하였다. 그 다음, 표준 크로스-해치 및 테이프 테스트를 사용하여 각각의 쿠폰에 대해 은 층의 접착력을 테스트하였다. 은 층 및 니켈 층 사이에 접착 실패는 나타나지 않았다. 모든 테스트 쿠폰은 좋은 접착력을 나타냈다.
각각의 쿠폰 단면을 취하여 주사형 전자 현미경하에서 검사하였다. 임의의 SEM상에서 금속 층의 계면에서 관찰가능한 갭은 나타나지 않았다. 도 5는 검사된 구리 쿠폰의 한 단면 SEM이다. SEM상에서 은 및 니켈 사이에 층간 박리는 관찰되지 않았다. 니켈 및 주석, 및 주석 및 은의 금속간 화합물은 은 및 니켈 층 사이 계면에 형성되었다.

Claims (7)

  1. 구리 또는 구리 합금, 기판의 구리 또는 구리 합금 인접 니켈 층, 니켈 층 인접 주석 층 및 주석 층 인접 은 층을 포함하고, 상기 은 층은 주석 층 두께의 적어도 2배인 기판을 포함하는 제품.
  2. 제 1항에 있어서, 주석 층의 두께가 적어도 0.01㎛인 제품.
  3. 제 1항에 있어서, 은 층의 두께가 적어도 0.02㎛인 제품.
  4. 제 1항에 있어서, 하나 이상의 니켈 및 주석, 및 주석 및 은 금속간 화합물(intermetallics)을 포함하는 제품.
  5. 제 1항에 있어서, 전기 커넥터, 인쇄 회로 기판, 발광 다이오드 또는 전기 자동차(electric vehicle)의 부품인 제품.
  6. a) 구리 또는 구리 합금을 포함하는 기판을 제공하는 단계;
    b) 기판의 구리 또는 구리 합금에 인접하여 니켈 층을 침적시키는 단계;
    c) 니켈 층에 인접하여 주석 층을 침적시키는 단계; 및
    d) 주석 층에 인접하여 주석 층 두께의 적어도 2배인 은 층을 침적시키는 단계를 포함하는 방법.
  7. 제 6항에 있어서, 은은 시아나이드 함유 바쓰로부터 침적되는 방법.
KR1020120081892A 2011-07-26 2012-07-26 고온 내성의 은 코팅된 기판 KR101992844B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201161511871P 2011-07-26 2011-07-26
US61/511,871 2011-07-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130012944A true KR20130012944A (ko) 2013-02-05
KR101992844B1 KR101992844B1 (ko) 2019-06-25

Family

ID=46603602

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120081892A KR101992844B1 (ko) 2011-07-26 2012-07-26 고온 내성의 은 코팅된 기판

Country Status (6)

Country Link
US (2) US9114594B2 (ko)
EP (1) EP2551382B1 (ko)
JP (1) JP6046406B2 (ko)
KR (1) KR101992844B1 (ko)
CN (1) CN103029369B (ko)
TW (1) TWI573497B (ko)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014199547A1 (ja) * 2013-06-10 2014-12-18 オリエンタル鍍金株式会社 めっき積層体の製造方法及びめっき積層体
JP2014237883A (ja) * 2013-06-10 2014-12-18 オリエンタル鍍金株式会社 めっき積層体の製造方法及びめっき積層体
JP6004121B2 (ja) * 2013-12-04 2016-10-05 株式会社オートネットワーク技術研究所 電気接点およびコネクタ端子対
CN103882484B (zh) * 2014-04-04 2016-06-29 哈尔滨工业大学 高速电镀锡用镀液
DE102014117410B4 (de) * 2014-11-27 2019-01-03 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Elektrisches Kontaktelement, Einpressstift, Buchse und Leadframe
JP7121881B2 (ja) * 2017-08-08 2022-08-19 三菱マテリアル株式会社 銀皮膜付端子材及び銀皮膜付端子
JP2019096584A (ja) * 2017-11-28 2019-06-20 矢崎総業株式会社 接点めっき構造
CN108347836A (zh) * 2018-04-19 2018-07-31 昆山苏杭电路板有限公司 低能耗的线路板化镍电锡表面处理工艺
JP7405827B2 (ja) 2018-08-21 2023-12-26 ウミコレ・ガルファノテフニック・ゲーエムベーハー 銀の非シアン系析出用電解質
DE102018120357A1 (de) * 2018-08-21 2020-02-27 Umicore Galvanotechnik Gmbh Elektrolyt zur Abscheidung von Silber und Silberlegierungsüberzügen
JP7111000B2 (ja) * 2019-01-18 2022-08-02 株式会社オートネットワーク技術研究所 金属材および接続端子
DE102019107416A1 (de) * 2019-03-22 2020-09-24 RIAG Oberflächentechnik AG Zusammensetzung zur elektrolytischen Vernickelung und Verfahren zur elektrolytischen Vernickelung mit einer solchen Zusammensetzung
JP7302248B2 (ja) * 2019-04-09 2023-07-04 三菱マテリアル株式会社 コネクタ用端子材及びコネクタ用端子
JP2020187971A (ja) * 2019-05-16 2020-11-19 株式会社オートネットワーク技術研究所 コネクタ端子、端子付き電線、及び端子対
KR20220046552A (ko) * 2019-08-09 2022-04-14 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 커넥터용 단자재
JP7040544B2 (ja) * 2020-02-20 2022-03-23 三菱マテリアル株式会社 コネクタ用端子材
US20230328899A1 (en) * 2022-04-12 2023-10-12 Ddp Specialty Electronic Materials Us, Llc Silver coating for high temperature applications
CN114959666A (zh) * 2022-05-12 2022-08-30 李正新 化学镀银液以及化学镀银新方法
CN117896914A (zh) * 2024-03-18 2024-04-16 江苏上达半导体有限公司 一种覆铜印刷线路板的表面处理方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6353287A (ja) * 1986-08-21 1988-03-07 Furukawa Electric Co Ltd:The Ａｇ被覆導体

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3041255A (en) 1960-03-22 1962-06-26 Metal & Thermit Corp Electrodeposition of bright nickel
JPS5331452B2 (ko) 1974-09-20 1978-09-02
US4871429A (en) 1981-09-11 1989-10-03 Learonal, Inc Limiting tin sludge formation in tin or tin/lead electroplating solutions
JPS58221291A (ja) * 1982-06-16 1983-12-22 Furukawa Electric Co Ltd:The 電気接続用銀被覆銅材料
US4529667A (en) * 1983-04-06 1985-07-16 The Furukawa Electric Company, Ltd. Silver-coated electric composite materials
JPH062935B2 (ja) * 1985-04-05 1994-01-12 シチズン時計株式会社 表面に有色を呈する装身具
JP3444245B2 (ja) * 1999-09-03 2003-09-08 日本電気株式会社 無電解ニッケル／金メッキへのはんだ付け方法、配線構造体、回路装置及びその製造方法
AUPQ653700A0 (en) * 2000-03-28 2000-04-20 Ceramic Fuel Cells Limited Surface treated electrically conductive metal element and method of forming same
JP2002124756A (ja) * 2000-10-18 2002-04-26 Nitto Denko Corp 回路基板および回路基板の端子部の接続構造
AU2002239604A1 (en) 2000-12-11 2002-06-24 Handy And Harman Barrier layer for electrical connectors and methods of applying the layer
EP1352993B1 (en) * 2001-01-19 2011-05-11 The Furukawa Electric Co., Ltd. A method for preparation of metal-plated material
US20020192492A1 (en) * 2001-05-11 2002-12-19 Abys Joseph Anthony Metal article coated with near-surface doped tin or tin alloy
US20020185716A1 (en) * 2001-05-11 2002-12-12 Abys Joseph Anthony Metal article coated with multilayer finish inhibiting whisker growth
DE10146274A1 (de) * 2001-09-19 2003-04-10 Bosch Gmbh Robert Metallische Oberfläche eines Körpers, Verfahren zur Herstellung einer strukturierten metallischen Oberfläche eines Körpers und dessen Verwendung
JP3918611B2 (ja) 2002-04-03 2007-05-23 三菱マテリアル株式会社 高温電気伝導体
JP3682654B2 (ja) * 2002-09-25 2005-08-10 千住金属工業株式会社 無電解Ｎｉメッキ部分へのはんだ付け用はんだ合金
JP3877717B2 (ja) * 2003-09-30 2007-02-07 三洋電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
US7391116B2 (en) * 2003-10-14 2008-06-24 Gbc Metals, Llc Fretting and whisker resistant coating system and method
JP4739734B2 (ja) * 2003-11-28 2011-08-03 ヴィーラント ウェルケ アクチーエン ゲゼルシャフト 電子機械的構成要素用の複合材を製造するための連続層、その複合材及び使用方法
US7122894B2 (en) * 2004-03-05 2006-10-17 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Wiring substrate and process for manufacturing the same
US20060068218A1 (en) * 2004-09-28 2006-03-30 Hooghan Kultaransingh N Whisker-free lead frames
US7233074B2 (en) * 2005-08-11 2007-06-19 Texas Instruments Incorporated Semiconductor device with improved contacts
US7615255B2 (en) * 2005-09-07 2009-11-10 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Metal duplex method
US7626274B2 (en) * 2006-02-03 2009-12-01 Texas Instruments Incorporated Semiconductor device with an improved solder joint
JP4934456B2 (ja) * 2006-02-20 2012-05-16 古河電気工業株式会社 めっき材料および前記めっき材料が用いられた電気電子部品
JP4986499B2 (ja) 2006-04-26 2012-07-25 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ合金すずめっき条の製造方法
JP4834023B2 (ja) * 2007-03-27 2011-12-07 古河電気工業株式会社 可動接点部品用銀被覆材およびその製造方法
JP4834022B2 (ja) * 2007-03-27 2011-12-07 古河電気工業株式会社 可動接点部品用銀被覆材およびその製造方法
TWI347643B (en) * 2007-06-13 2011-08-21 Advanced Semiconductor Eng Under bump metallurgy structure and die structure using the same and method of manufacturing die structure
JP4698708B2 (ja) 2008-08-19 2011-06-08 新光電気工業株式会社 パッケージ部品及び半導体パッケージ
JP5851079B2 (ja) 2008-08-21 2016-02-03 大日本印刷株式会社 部品内蔵配線板
US7915741B2 (en) * 2009-02-24 2011-03-29 Unisem Advanced Technologies Sdn. Bhd. Solder bump UBM structure
US8955580B2 (en) 2009-08-14 2015-02-17 Wah Hong Industrial Corp. Use of a graphite heat-dissipation device including a plating metal layer
US20110079814A1 (en) 2009-10-01 2011-04-07 Yi-Chang Chen Light emitted diode substrate and method for producing the same
EP2330872A1 (en) 2009-12-03 2011-06-08 Yi-Chang Chen Light emitting diode substrate and method for producing the same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6353287A (ja) * 1986-08-21 1988-03-07 Furukawa Electric Co Ltd:The Ａｇ被覆導体

Also Published As

Publication number Publication date
EP2551382B1 (en) 2013-10-09
US20130196174A1 (en) 2013-08-01
CN103029369A (zh) 2013-04-10
US9114594B2 (en) 2015-08-25
JP6046406B2 (ja) 2016-12-14
TW201316849A (zh) 2013-04-16
EP2551382A1 (en) 2013-01-30
KR101992844B1 (ko) 2019-06-25
CN103029369B (zh) 2015-11-25
TWI573497B (zh) 2017-03-01
US20150284864A1 (en) 2015-10-08
JP2013032588A (ja) 2013-02-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101992844B1 (ko) 고온 내성의 은 코팅된 기판
US20020187364A1 (en) Tin plating
JP6054676B2 (ja) シアン化物非含有ホワイトブロンズの接着促進
JP4812365B2 (ja) 錫電気めっき液および錫電気めっき方法
KR20160018600A (ko) 도금 적층체의 제조방법 및 도금 적층체
TWI669296B (zh) 用於電沉積含金之層之組合物及方法
KR102575117B1 (ko) 백금 전해 도금욕 및 백금 도금 제품
KR102421883B1 (ko) 산성 수계 2원계 은-비스무트 합금 전기도금 조성물 및 방법
US20230328899A1 (en) Silver coating for high temperature applications
JP2006348347A (ja) 電子部品の表面処理方法
EP1241281A1 (en) Tin plating
JP2013144835A (ja) 無電解Ｎｉ−Ｐ−Ｓｎめっき液
JP2009256730A (ja) 電子部品の表面処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant