JPS61177394A - 銅系基材に銀メツキを施す方法 - Google Patents
銅系基材に銀メツキを施す方法Info
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- JPS61177394A JPS61177394A JP1683585A JP1683585A JPS61177394A JP S61177394 A JPS61177394 A JP S61177394A JP 1683585 A JP1683585 A JP 1683585A JP 1683585 A JP1683585 A JP 1683585A JP S61177394 A JPS61177394 A JP S61177394A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は電気、電子機器等に多量に用いられる耐熱性Ａ
ｇメッキＣｕ系基材を経済的に製造する方法を提供せん
とするものである。
ｇメッキＣｕ系基材を経済的に製造する方法を提供せん
とするものである。
（従来の技術）
一般に電気電子機器等に用いられるＣｕ ＊Ｃｕ−８ｎ
＊Ｃｕ−Ｚｎ ＃ Ｃｕ−Ｆｅ ＋ Ｃｕ−Ｔｉ
ｒ Ｃｕ−Ｎｉ等のＣｕ合金、Ｃｕ被覆ＡＬ 、 Ｃ
ｍ被覆鋼等のＣｕ被覆材にはＡｇメッキが施されている
。これはＡｔｆＦ有の優れた耐食性、電気接続性、半田
付性、溶接性等を利用するためである。またこれら基材
は高温度条件で処理されることが多く、半導体などの電
子部品のリード線やＩＪ ）＋１フレームは素子のろ
う付け、メンディング、封止レジンのキエア等を４００
〜４５０℃で行っている。例えばダイオードのリード線
は高導電性のＣｕ線にＡｇをメッキし、そのｌ端をヘッ
ダ加工して素子と高融点半田を用いて３００〜３５０°
の温度でろう付けし、しかる後シリコン樹脂等でモール
ド封止し２００〜２５０℃の温度で１０時間以上キネア
している。このように完成したダイオードのリード線は
プリント基板に挿入して半田付されている。
＊Ｃｕ−Ｚｎ ＃ Ｃｕ−Ｆｅ ＋ Ｃｕ−Ｔｉ
ｒ Ｃｕ−Ｎｉ等のＣｕ合金、Ｃｕ被覆ＡＬ 、 Ｃ
ｍ被覆鋼等のＣｕ被覆材にはＡｇメッキが施されている
。これはＡｔｆＦ有の優れた耐食性、電気接続性、半田
付性、溶接性等を利用するためである。またこれら基材
は高温度条件で処理されることが多く、半導体などの電
子部品のリード線やＩＪ ）＋１フレームは素子のろ
う付け、メンディング、封止レジンのキエア等を４００
〜４５０℃で行っている。例えばダイオードのリード線
は高導電性のＣｕ線にＡｇをメッキし、そのｌ端をヘッ
ダ加工して素子と高融点半田を用いて３００〜３５０°
の温度でろう付けし、しかる後シリコン樹脂等でモール
ド封止し２００〜２５０℃の温度で１０時間以上キネア
している。このように完成したダイオードのリード線は
プリント基板に挿入して半田付されている。
（発明が解決しようとする問題点）
然しＡｇは高価な貴金属であるため、経済的な理由から
Ａｇメツ中の薄肉化が強く望まれている。
Ａｇメツ中の薄肉化が強く望まれている。
而してＡｇとＣｕとは相互に拡散し易いためＡｇメッキ
を薄肉化した場合、高温処理によってＣｕが表面に拡散
しＡｇの特性を阻害するばかりか、半田付等を困難にす
る欠点があった。
を薄肉化した場合、高温処理によってＣｕが表面に拡散
しＡｇの特性を阻害するばかりか、半田付等を困難にす
る欠点があった。
これら改善するためＣｕ系基材にＮｉ ＨＣｏ ｒ又は
これらの合金の内何れか１種をメッキし、その上にＡｇ
メ、キを施す方法が提案されている。
これらの合金の内何れか１種をメッキし、その上にＡｇ
メ、キを施す方法が提案されている。
然しなからＮｉ 、 Ｃｏ又はこれら合金によるメッキ
はＣｕとＡｇとの拡散防止のためのバリヤーとして有効
に作用するがＡｇメッキ層とバリヤー間の密着性を低下
せしめるため実用性に乏しいものであった。
はＣｕとＡｇとの拡散防止のためのバリヤーとして有効
に作用するがＡｇメッキ層とバリヤー間の密着性を低下
せしめるため実用性に乏しいものであった。
（問題点を解決するだめの手段）
本発明は上記欠点全改善せんとして鋭意研究全行った結
果、経済的な耐熱性ＡｇメメッＣｕ系基材の製造法を開
発したものである。即ち本発明方法はＣｕ又はＣｕ合金
基材に、Ｎｉ 、 Ｃｏ又はこれらの合金の内何れか１
種のメッキを行った後、その上にＳｎ ＊ Ｚｎ 、
Ｃｄ ＊ Ｉｎの内少くとも１ａｔ−含有するＡｇスト
ライクメッキを行い、次いでその上にＡｇメツ中を行う
ことを特徴とするものである。
果、経済的な耐熱性ＡｇメメッＣｕ系基材の製造法を開
発したものである。即ち本発明方法はＣｕ又はＣｕ合金
基材に、Ｎｉ 、 Ｃｏ又はこれらの合金の内何れか１
種のメッキを行った後、その上にＳｎ ＊ Ｚｎ 、
Ｃｄ ＊ Ｉｎの内少くとも１ａｔ−含有するＡｇスト
ライクメッキを行い、次いでその上にＡｇメツ中を行う
ことを特徴とするものである。
本発明方法を具体的に示すとＣｕ又はＣｕ合金基材に常
法に従ってＮｉ ＊ Ｃｏ又はＮｉ−Ｃｏ 。
法に従ってＮｉ ＊ Ｃｏ又はＮｉ−Ｃｏ 。
Ｎ１−Ｃｏ−Ｐ ＊ Ｎｉ−Ｆｅ ＋ Ｃｏ−Ｂ 、
Ｃｏ−Ｆｅ等の合金の内何れか１種をメッキし、その上
にＳｎ ＃ Ｚｎ ｒ Ｉ口。
Ｃｏ−Ｆｅ等の合金の内何れか１種をメッキし、その上
にＳｎ ＃ Ｚｎ ｒ Ｉ口。
Ｃｄ等を含むＡｇストライクメツ−？を行５ものであり
、Ａｇストライクメッキとしては通常Ａｇメッキの密着
性を向上するために行うＡｇＣＮ系Ａｇストライクメ、
キ浴ＫＳｎ ＊ Ｚｎ ＊ Ｉｎ ＋ Ｃｄ等の内少く
とも何れか１種を添加すればよく、その１例を示すと次
の如くである。
、Ａｇストライクメッキとしては通常Ａｇメッキの密着
性を向上するために行うＡｇＣＮ系Ａｇストライクメ、
キ浴ＫＳｎ ＊ Ｚｎ ＊ Ｉｎ ＋ Ｃｄ等の内少く
とも何れか１種を添加すればよく、その１例を示すと次
の如くである。
ＡｇＣＮ ０．３〜３０ｇ／／ｌ３Ｓｎとして
に２ Ｓ ｎｏ ５ ・３Ｈ２０１０〜１００１／−ｅ
Ｚｎ としてｚｎ（ＣＮ） ２ １〜３ｏｙ
／４３ＩｎとしてＩ ｎ ＣＬ２ １０Ｓ
−６０１７１３Ｃｄ としてＣｄＯ１Ｏ−５０ｂ句 更にＮａＣＮやＫＣＮ等のＣＮ化合物１５〜２００１／
４３、ＫＯＨ＋ＮａＯＨ１０〜１００１／−１３ｔＩＰ
。
に２ Ｓ ｎｏ ５ ・３Ｈ２０１０〜１００１／−ｅ
Ｚｎ としてｚｎ（ＣＮ） ２ １〜３ｏｙ
／４３ＩｎとしてＩ ｎ ＣＬ２ １０Ｓ
−６０１７１３Ｃｄ としてＣｄＯ１Ｏ−５０ｂ句 更にＮａＣＮやＫＣＮ等のＣＮ化合物１５〜２００１／
４３、ＫＯＨ＋ＮａＯＨ１０〜１００１／−１３ｔＩＰ
。
加したメッキ浴を用い１〜１５ Ａｄｍ の電気密度で
メツ＝？ヲ行うものである。
メツ＝？ヲ行うものである。
これらの成分を含むＡｇストライクメ、キによる析出せ
しめる含有分は何れも３〜２５％とすることが望ましい
。
しめる含有分は何れも３〜２５％とすることが望ましい
。
（作用）
Ｎｉ ｒ Ｃｏ又はこれらの合金をメッキした基材にＳ
ｎ ｒ Ｚｎ ｒ Ｃｄ ＊ Ｉｎの内少くとも１種を
含むＡｇストライクメッキを施すことにより、Ａｇスト
ライクメ、−？の結晶を微細化にすると共にＡｇメ、キ
Ｃｕ系基材の高温処理におけるＡｇメツ中層の密着性を
向上する。即ちＡｇはＮ１と全く同容しないがＳｎ Ｈ
Ｚｎ ＊ Ｃｄ ｒ Ｉｎ分が存在すると相互に拡散し
て密着性を向上し、更に高温処理により外気から侵入す
る０２と結合してＮｌ 、 Ｃ。
ｎ ｒ Ｚｎ ｒ Ｃｄ ＊ Ｉｎの内少くとも１種を
含むＡｇストライクメッキを施すことにより、Ａｇスト
ライクメ、−？の結晶を微細化にすると共にＡｇメ、キ
Ｃｕ系基材の高温処理におけるＡｇメツ中層の密着性を
向上する。即ちＡｇはＮ１と全く同容しないがＳｎ Ｈ
Ｚｎ ＊ Ｃｄ ｒ Ｉｎ分が存在すると相互に拡散し
て密着性を向上し、更に高温処理により外気から侵入す
る０２と結合してＮｌ 、 Ｃ。
又はこれらの合金メッキ層の表面が酸化するのを防止し
、Ａｇ層の密着力を向上する以外に半田付等の特性の劣
化するのを防止する。又Ａｇ層に侵入した０□はＡｇ層
とＮｉ ＊ Ｃｏ又はこれらの合金層の中間にあるＡｇ
−８ｎ ＋ Ａｇ−Ｚｎ ｅ Ａｇ−Ｃｄ 。
、Ａｇ層の密着力を向上する以外に半田付等の特性の劣
化するのを防止する。又Ａｇ層に侵入した０□はＡｇ層
とＮｉ ＊ Ｃｏ又はこれらの合金層の中間にあるＡｇ
−８ｎ ＋ Ａｇ−Ｚｎ ｅ Ａｇ−Ｃｄ 。
Ａｇ（ｎ合金層において各々８ｎ ＋ Ｚｎ 、 Ｃｄ
ｒ Ｉｎ分と結合し、Ａｇ中に分散した酸化物となる
ため、これによる被害はほとんどない。これらの成分を
含むＡｇストライクメ、キの効果は、特に２００℃以上
の高温処理において顕著となる。
ｒ Ｉｎ分と結合し、Ａｇ中に分散した酸化物となる
ため、これによる被害はほとんどない。これらの成分を
含むＡｇストライクメ、キの効果は、特に２００℃以上
の高温処理において顕著となる。
即ちＡｇ酸化物は１８０〜１９０℃以上で分解すると共
に格子拡散が活発となり、外気からの０２の侵入も激し
くなるがＡｇストライクメッキ層中に含まれるこれらの
成分により有効に捕捉され、０２侵入による被害は防止
される。
に格子拡散が活発となり、外気からの０２の侵入も激し
くなるがＡｇストライクメッキ層中に含まれるこれらの
成分により有効に捕捉され、０２侵入による被害は防止
される。
次に実施例について説明する。
実施例（１）
０．６■φのＣｕ線にＡｇメツ中を施したダイオードリ
ード用リード線を製造した。即ち常法に従ってＣｕ＠ｆ
脱脂し活性化した後、第１表及び第２表に示すメッキ浴
を用いて上記Ｃｕ線上に０．２μのＮ１ノ、キ、Ａｇ−
８ｎストライクメツキ（Ｓｎ分１０％）、厚さ２．５μ
のＡｇメッキを順次施して、本発明メツΦを行った。
ード用リード線を製造した。即ち常法に従ってＣｕ＠ｆ
脱脂し活性化した後、第１表及び第２表に示すメッキ浴
を用いて上記Ｃｕ線上に０．２μのＮ１ノ、キ、Ａｇ−
８ｎストライクメツキ（Ｓｎ分１０％）、厚さ２．５μ
のＡｇメッキを順次施して、本発明メツΦを行った。
第 １ 表
Ｎ量メ、キ
Ｎｔｓｏ４ ２５０＃、／１ＮＩＣ１２３
０１１／４３ ａ、ｎｏ３ ４０１／ｉＰＨ２，８ 浴温 ５５℃ 電流密度 ３０Ａ／ｄｍ２第 ２
表 Ａｇ−ａｎストライクメッキ ＡｇＣＮ ４１１／１３に２ＳｎＯ
３−３Ｈ２０２０１１／４３ＫＯＨ７０１１／ぷ ＫＣＮ １００１／４３浴温
２５℃ 電流密度 ３Ａ／ｄｍ２時間 １
０秒 実施例（２）〜実施例（４） 実施例（１）においてＡｇ−８ｎストライクメツキに代
える第３表に示すメッキ浴を用いＡｇ−Ｚｎストライク
メ、キ（Ｚｎ分１８チ）（資）、第４表に示すメッキ浴
を用いてＡｇ−ＩｎストライクメｙｄＰ（Ｉｎ分８チ）
（資）、第５表に示すＡｇ−Ｃｄストライクメツ＝？
（Ｃｄ分１５％１Ｎｔ−行った以外はすべて実施例（１
）と同様にして厚さ２．５μからなる本発明銀メツキＣ
ｕ系基材をした。
０１１／４３ ａ、ｎｏ３ ４０１／ｉＰＨ２，８ 浴温 ５５℃ 電流密度 ３０Ａ／ｄｍ２第 ２
表 Ａｇ−ａｎストライクメッキ ＡｇＣＮ ４１１／１３に２ＳｎＯ
３−３Ｈ２０２０１１／４３ＫＯＨ７０１１／ぷ ＫＣＮ １００１／４３浴温
２５℃ 電流密度 ３Ａ／ｄｍ２時間 １
０秒 実施例（２）〜実施例（４） 実施例（１）においてＡｇ−８ｎストライクメツキに代
える第３表に示すメッキ浴を用いＡｇ−Ｚｎストライク
メ、キ（Ｚｎ分１８チ）（資）、第４表に示すメッキ浴
を用いてＡｇ−ＩｎストライクメｙｄＰ（Ｉｎ分８チ）
（資）、第５表に示すＡｇ−Ｃｄストライクメツ＝？
（Ｃｄ分１５％１Ｎｔ−行った以外はすべて実施例（１
）と同様にして厚さ２．５μからなる本発明銀メツキＣ
ｕ系基材をした。
第 ３ 表
Ａｇ−Ｚｎストライクメッキ
ＡｇＣＮ ３０１１／１３Ｚｎ（ＣＮ
）２１０１１／Ｊ ＫＣＮ ２１ ｇ７１３ＫＯＨ２１
１１／４３ 浴温 ２５℃ 電流密度 ３Ａ／ｄｍ２時間
１０秒 第 ４ 表 Ａｇ −Ｉ ｎストライクメッキ ＡｇＣＮ ３１１／−ｅＩ ｎＣ２
２１５Ｉｎ ＫＣＮ １６０Ｉ！／ＡＫＯＨ３０１
／、＝匂 浴温 ２５℃ 電流密度 ６Ａ／ｄｍ２時間 １
０秒 第 ５ 表 Ａｇ−Ｃｄストライクメッキ ＡｇＣＮ ３１１／ＪＣｄＯ２０ｙ
ｚ句 ＫＣＮ ９０１／ＡＫＯＨ２０１１
／１３ 浴温 ５０’Ｃ 電流密度 ６Ａ／ｄｍ２時間 １
０秒 実施例（５） 実施例（１）においてＮｉメッキに代えて第６表に示す
如きＮ１−１０％Ｃｏ合金メ、キ浴を用い、厚さ０．１
μのＮ１−１０ ％ Ｃｏ合金メ、キを施した。それ以
外はすべて実施例（１）と同様にして本発明銀メッキＣ
ｕ系基材をえた。
）２１０１１／Ｊ ＫＣＮ ２１ ｇ７１３ＫＯＨ２１
１１／４３ 浴温 ２５℃ 電流密度 ３Ａ／ｄｍ２時間
１０秒 第 ４ 表 Ａｇ −Ｉ ｎストライクメッキ ＡｇＣＮ ３１１／−ｅＩ ｎＣ２
２１５Ｉｎ ＫＣＮ １６０Ｉ！／ＡＫＯＨ３０１
／、＝匂 浴温 ２５℃ 電流密度 ６Ａ／ｄｍ２時間 １
０秒 第 ５ 表 Ａｇ−Ｃｄストライクメッキ ＡｇＣＮ ３１１／ＪＣｄＯ２０ｙ
ｚ句 ＫＣＮ ９０１／ＡＫＯＨ２０１１
／１３ 浴温 ５０’Ｃ 電流密度 ６Ａ／ｄｍ２時間 １
０秒 実施例（５） 実施例（１）においてＮｉメッキに代えて第６表に示す
如きＮ１−１０％Ｃｏ合金メ、キ浴を用い、厚さ０．１
μのＮ１−１０ ％ Ｃｏ合金メ、キを施した。それ以
外はすべて実施例（１）と同様にして本発明銀メッキＣ
ｕ系基材をえた。
第 ６ 表
Ｎｉ−１０４Ｃｏ合金メッキ
Ｎｉ５０４２４０１１／Ｊ
Ｎｔ ｃｔ２３０ ｔｉ／−８
Ｃｏ ＳＯａ ２０ ＪＦ／４３Ｈ，
Ｂｏ、 ４ｓｌ／１３浴温 ４
５℃ 電流密度 ２．５ Ａ／ ｄｍ２実施例
（６）〜実施例（９） 実施例（１）乃至実施例（４）において夫々銀メツキの
厚さを１．５μにし丸板外はすべて実施例（１）乃至実
施例（４）と同様にして本発明銀メッキＣｕ 系基材
をえた。
Ｂｏ、 ４ｓｌ／１３浴温 ４
５℃ 電流密度 ２．５ Ａ／ ｄｍ２実施例
（６）〜実施例（９） 実施例（１）乃至実施例（４）において夫々銀メツキの
厚さを１．５μにし丸板外はすべて実施例（１）乃至実
施例（４）と同様にして本発明銀メッキＣｕ 系基材
をえた。
比較例（１）〜比較例（３）
実施例（１） 、 （５） 、 （６）においてＡｇ−
８ｎストライクメツ中に代えて第７表に示す如きＡｇ−
ストライクメッキ浴を用いた以外はすべて実施例（１）
、 （５）及び（６）と同様にして銀メツ中の厚さ２
．５μとせる比較例銀メッキＣｕ系基材をえ九。
８ｎストライクメツ中に代えて第７表に示す如きＡｇ−
ストライクメッキ浴を用いた以外はすべて実施例（１）
、 （５）及び（６）と同様にして銀メツ中の厚さ２
．５μとせる比較例銀メッキＣｕ系基材をえ九。
第 ７ 表
Ａｇストライクメ、キ
ＡｇＣＮ ３．１ Ｔｏ句ＫＣＮ
３５ ｇμ浴温 ２５℃ 電流密度 ７．５ Ａ／ｄｍ２時間
１０秒 比較例（４）〜比較例（５） 比較例（１）においてＡｇメッキの厚さヲ３．５μ（比
較例４）、及び５μ（比較例５）とした以外はすべて比
較例（１）と同様にして比較例銀メツキＣｕ系基材をえ
た。
３５ ｇμ浴温 ２５℃ 電流密度 ７．５ Ａ／ｄｍ２時間
１０秒 比較例（４）〜比較例（５） 比較例（１）においてＡｇメッキの厚さヲ３．５μ（比
較例４）、及び５μ（比較例５）とした以外はすべて比
較例（１）と同様にして比較例銀メツキＣｕ系基材をえ
た。
比較例（６）
実施例（１）におけるＡｇ−８ｎストライクメツキ浴に
かえて第８表に示す組成のＳｎストライクメ。
かえて第８表に示す組成のＳｎストライクメ。
午浴を用いＳｔ１ストライクメッキと比較例（１）に示
すＡｇストライクメッギとの２工程により銀合金メッキ
を行った以外はすべて実施例（１）と同様にして比較例
銀メツキＣｕ系基材をした。
すＡｇストライクメッギとの２工程により銀合金メッキ
を行った以外はすべて実施例（１）と同様にして比較例
銀メツキＣｕ系基材をした。
第 ８ 表
Ｓｎストライクメッキ
に２Ｓｎ０３−３Ｈ２０４０９／４３
ＫＣＮ ９０１／−１３Ｋｏａ
ｔ ２０１／１３浴温
５０℃ 電流密度 ５ Ａ／ｄ ｍ ２時間
１０秒 比較例（７） 実施例（１）におけるＡｇ−８ｎストライクメツキ浴に
代えて第９表に示す組成のＺｎストライクメッキ浴にて
Ｚｎストライクメ、キと比較例（１）に示すＡｇストラ
イクメ、ｄＩＦとの工程によシ銀合金メッキを行った以
外はすべて実施例（１）と同様にして比較例銀メッキＣ
ｕ系基材をえた。
ｔ ２０１／１３浴温
５０℃ 電流密度 ５ Ａ／ｄ ｍ ２時間
１０秒 比較例（７） 実施例（１）におけるＡｇ−８ｎストライクメツキ浴に
代えて第９表に示す組成のＺｎストライクメッキ浴にて
Ｚｎストライクメ、キと比較例（１）に示すＡｇストラ
イクメ、ｄＩＦとの工程によシ銀合金メッキを行った以
外はすべて実施例（１）と同様にして比較例銀メッキＣ
ｕ系基材をえた。
第 ９ 表
Ｚｎストライクメ、キ
Ｚ ｎ （ＣＮ ） ２ １５ ＪＦ／１
３ＫＣＮ ３０ ＪＦ／句ＫＯｆ（
３０１１７／１３ 浴温 ２５℃ 電流密度 ３Ａ／ｄｍ２時間 １
０秒 比較例（８） 実施例（１）におけるＡｇ−８ｎストライクメ、キ浴に
代えて第１０表に示すＩｎストライクメ、キ浴にてＩｎ
ストライクメッキと比較１例（１）に示すＡｇストライ
クメッキとの２工程により銀合金メッキを行った以外は
すべて実施例（１）と同様にして比較例銀メツキＣｕ系
基材をえた。
３ＫＣＮ ３０ ＪＦ／句ＫＯｆ（
３０１１７／１３ 浴温 ２５℃ 電流密度 ３Ａ／ｄｍ２時間 １
０秒 比較例（８） 実施例（１）におけるＡｇ−８ｎストライクメ、キ浴に
代えて第１０表に示すＩｎストライクメ、キ浴にてＩｎ
ストライクメッキと比較１例（１）に示すＡｇストライ
クメッキとの２工程により銀合金メッキを行った以外は
すべて実施例（１）と同様にして比較例銀メツキＣｕ系
基材をえた。
第 １０ 表
Ｉｎストライクメツ中
Ｉ ｎ Ｃｔ２１０ ｊ’／Ａ
ＫＣＮ ｘ４０１／′１３ＫＯＨ３
０１１／４３ 浴温 ２５℃ 電流密度 ６Ａ／ｄｍ２時間 １
０秒 比較例（９） 実施例（１）におけるＡｇ−８ｎストライクメツキ浴に
代えて第１１表に示すＣｄストライクメ、キ浴にてＣｄ
ストライクメ、キと比較例（１）に示すＡｇストライク
メッキとの２工程により銀合金ストライクメッキを行っ
た以外はすべて実施例（１）と同様にして比較例銀メッ
キＣｕ系基材をえた。
０１１／４３ 浴温 ２５℃ 電流密度 ６Ａ／ｄｍ２時間 １
０秒 比較例（９） 実施例（１）におけるＡｇ−８ｎストライクメツキ浴に
代えて第１１表に示すＣｄストライクメ、キ浴にてＣｄ
ストライクメ、キと比較例（１）に示すＡｇストライク
メッキとの２工程により銀合金ストライクメッキを行っ
た以外はすべて実施例（１）と同様にして比較例銀メッ
キＣｕ系基材をえた。
Ｍ１１表
Ｃｄストライクメッキ
Ｃｄ０ １５１１／ＪＫＣＮ
１００＃／ＡＫＯ！（２０１／／１３ 浴温 ５０℃ 電流密度 ５Ａ／ｄｍ２時間
１０秒 比較例（ト） 比較例（１）においてＮｌメ、キを省略しＣｕ線上に直
接Ａｇストライクメッキ及びＡｇメツ＊ｔ−ｍして比較
例銀メツ＊Ｃｕ系基材をえた。
１００＃／ＡＫＯ！（２０１／／１３ 浴温 ５０℃ 電流密度 ５Ａ／ｄｍ２時間
１０秒 比較例（ト） 比較例（１）においてＮｌメ、キを省略しＣｕ線上に直
接Ａｇストライクメッキ及びＡｇメツ＊ｔ−ｍして比較
例銀メツ＊Ｃｕ系基材をえた。
斯くして得た各ダイオード用リード線を長さ４５ｍＫに
切断し、その１端をヘッダ加工してリードビンを形成し
１対のピンのへ、ダ間に半導体素子を挾んでＰｂ−３５
４Ｓｎ−１，５％Ａｇの合金半田を用いて３２５℃にお
いてろう付けしこれをシリコン樹脂でモールド封止した
後大気中２１０℃にて１８時間キエアを行った。
切断し、その１端をヘッダ加工してリードビンを形成し
１対のピンのへ、ダ間に半導体素子を挾んでＰｂ−３５
４Ｓｎ−１，５％Ａｇの合金半田を用いて３２５℃にお
いてろう付けしこれをシリコン樹脂でモールド封止した
後大気中２１０℃にて１８時間キエアを行った。
この−？、ア後のリード線についてＭＩＬ法に準じて２
３５℃の共晶半田浴中に５秒間浸漬し半田濡れ面積を測
定した。又キュア後のリード線について右左両方向に２
０回比回しＡｇメ、キ層の・・り離状態を観察した。こ
れらの結果は第１２表に示す通りである。
３５℃の共晶半田浴中に５秒間浸漬し半田濡れ面積を測
定した。又キュア後のリード線について右左両方向に２
０回比回しＡｇメ、キ層の・・り離状態を観察した。こ
れらの結果は第１２表に示す通りである。
第 １２ 表
上表から明らかの如く本発明品によるリード線はいづれ
も良好な半田濡れ性を示し、且つ良好な半田付性差にＡ
ｇメッキ層の密着性を示した。
も良好な半田濡れ性を示し、且つ良好な半田付性差にＡ
ｇメッキ層の密着性を示した。
これに対し比較例品は何れもＡｇメッキ層の密着性に劣
るものであった。即ち各々のＡｇ合金ストライクメツ中
に代えてＡｇストライクメッキを行った比較例（１）〜
（３）においては半田濡れ性が劣るばかりか半田濡れの
ない部分に酸化し九Ｎｉ表面が観察され丸。また比較例
（４）〜（５）においてＡｇストライクメ、キ上にＡｇ
メッキを施したものはＡｇメッキ層の厚さを５μ以上に
する必要があシ、経済性に劣るものである。
るものであった。即ち各々のＡｇ合金ストライクメツ中
に代えてＡｇストライクメッキを行った比較例（１）〜
（３）においては半田濡れ性が劣るばかりか半田濡れの
ない部分に酸化し九Ｎｉ表面が観察され丸。また比較例
（４）〜（５）においてＡｇストライクメ、キ上にＡｇ
メッキを施したものはＡｇメッキ層の厚さを５μ以上に
する必要があシ、経済性に劣るものである。
又Ａｇ合金ストライクメッキに代えてＳｎ ｌ Ｚｎ＋
Ｉｎ 、 Ｃｄ各々のストライクメッキとＡｇストライ
クメ、＝？とｔ−２工程により行った比較例（６）〜（
９）においては半田濡れ性は７５％と比較的よいが本発
明品に比較すると劣るものであり、且つ半田濡れ面にお
いても本発明品の如く光沢差に平滑なものがえられず粗
い仕上り状態のものであった。
Ｉｎ 、 Ｃｄ各々のストライクメッキとＡｇストライ
クメ、＝？とｔ−２工程により行った比較例（６）〜（
９）においては半田濡れ性は７５％と比較的よいが本発
明品に比較すると劣るものであり、且つ半田濡れ面にお
いても本発明品の如く光沢差に平滑なものがえられず粗
い仕上り状態のものであった。
更にＣｕ線上に直接Ａｇメッキを施した比較例（ト）に
おいては半田濡れ性及びＡｇメ、キの密着性が劣り且つ
半田濡れ面は粗い仕上り状態を示し九。
おいては半田濡れ性及びＡｇメ、キの密着性が劣り且つ
半田濡れ面は粗い仕上り状態を示し九。
（効果）
以上詳述した如く本発明方法によれば従来のメツ中工程
と同一で、Ａｇストライクメ、’Ｐ浴の組成を変更する
のみで高温処理に耐える高品質のＡｇメツ−ｅＣｕ系基
材をうることができるばかりか、従来方法に比べてＡｇ
メツ争厚さを節減し５る等経済的にも優れており、工業
上極めて有用なものである。
と同一で、Ａｇストライクメ、’Ｐ浴の組成を変更する
のみで高温処理に耐える高品質のＡｇメツ−ｅＣｕ系基
材をうることができるばかりか、従来方法に比べてＡｇ
メツ争厚さを節減し５る等経済的にも優れており、工業
上極めて有用なものである。
Claims (1)
- Ｃｕ又はＣｕ合金基材に、ＮｉＣｏ又はこれらの合金の
内何れか１種のメッキを行った後、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｃｄ、
Ｉｎの内少くとも１種を含有するＡｇストライクメッキ
浴によりストライクメッキを行い、次いで所望の厚さに
Ａｇメッキを行うことを特徴とする銅系基材に銀メッキ
を施す方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1683585A JPS61177394A (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | 銅系基材に銀メツキを施す方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1683585A JPS61177394A (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | 銅系基材に銀メツキを施す方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61177394A true JPS61177394A (ja) | 1986-08-09 |
Family
ID=11927253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1683585A Pending JPS61177394A (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | 銅系基材に銀メツキを施す方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61177394A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021139025A (ja) * | 2020-03-09 | 2021-09-16 | Ｄｏｗａメタルテック株式会社 | 銀めっき材およびその製造方法 |
-
1985
- 1985-01-31 JP JP1683585A patent/JPS61177394A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021139025A (ja) * | 2020-03-09 | 2021-09-16 | Ｄｏｗａメタルテック株式会社 | 銀めっき材およびその製造方法 |
| WO2021181901A1 (ja) * | 2020-03-09 | 2021-09-16 | Ｄｏｗａメタルテック株式会社 | 銀めっき材およびその製造方法 |
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