JPH11350190A - 電気・電子部品用材料とその製造方法、その材料を用いた電気・電子部品 - Google Patents
電気・電子部品用材料とその製造方法、その材料を用いた電気・電子部品Info
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- C23C28/02—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐熱性に優れ、はんだと接合したときにその
接合部における接合強度の劣化が少なく、また表面酸化
も起こしづらい電気・電子部品用材料、とりわけリード
材料やコンタクト材料として有用な材料とその製造方
法、その材料を用いた電気・電子部品を提供する。 【解決手段】 この材料は、少なくとも表面がＣｕまた
はＣｕ合金から成る基体１の表面に、Ｃｕ3Ｓｎ（ε
相）層２ａとＣｕ6Ｓｎ5（η’相）層２ｂとがこの順序
で積層されて成る中間層２を介して、いずれもＡｇ3Ｓ
ｎ（ε相）化合物を含有する厚み０.５〜２０μｍのＳ
ｎ層または含Ｓｎ合金層から成る表面層が形成されてお
り、この材料は、いずれもＡｇイオンを０．２〜１００
００ppm含有するＳｎめっき浴またはＳｎ合金めっき浴
の中で、少なくとも表面がＣｕまたはＣｕ合金から成る
基体に電気めっきを行って製造される。
接合部における接合強度の劣化が少なく、また表面酸化
も起こしづらい電気・電子部品用材料、とりわけリード
材料やコンタクト材料として有用な材料とその製造方
法、その材料を用いた電気・電子部品を提供する。 【解決手段】 この材料は、少なくとも表面がＣｕまた
はＣｕ合金から成る基体１の表面に、Ｃｕ3Ｓｎ（ε
相）層２ａとＣｕ6Ｓｎ5（η’相）層２ｂとがこの順序
で積層されて成る中間層２を介して、いずれもＡｇ3Ｓ
ｎ（ε相）化合物を含有する厚み０.５〜２０μｍのＳ
ｎ層または含Ｓｎ合金層から成る表面層が形成されてお
り、この材料は、いずれもＡｇイオンを０．２〜１００
００ppm含有するＳｎめっき浴またはＳｎ合金めっき浴
の中で、少なくとも表面がＣｕまたはＣｕ合金から成る
基体に電気めっきを行って製造される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電気・電子機器部品
用材料とその製造方法、およびその材料を用いた電気・
電子部品に関し、更に詳しくは、各種半導体装置用のリ
ード材料や、端子，コネクタ，スイッチなどのコンタク
ト材料として用いて好適な材料とそれを製造する方法、
並びにその材料を用いた電気・電子部品に関する。
用材料とその製造方法、およびその材料を用いた電気・
電子部品に関し、更に詳しくは、各種半導体装置用のリ
ード材料や、端子，コネクタ，スイッチなどのコンタク
ト材料として用いて好適な材料とそれを製造する方法、
並びにその材料を用いた電気・電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】各種の電気・電子機器に組み込まれる部
品の材料としては、従来から、ＣｕまたはＣｕ合金が広
く用いられている。すなわち、その用途は個別半導体や
ＩＣパッケージのリード線やリードピン、またはリード
フレームなどのリード材料を代表例とし、更にはソケッ
ト類やコネクタ，スイッチの端子や接点ばねなどのコン
タクト材料にも及んでいる。これらの用途は、Ｃｕまた
はＣｕ合金が、導電性，熱伝導性が優れているととも
に、機械的な強度や加工性の点でも優れ、また経済的に
も有利であるという性質を利用したものである。
品の材料としては、従来から、ＣｕまたはＣｕ合金が広
く用いられている。すなわち、その用途は個別半導体や
ＩＣパッケージのリード線やリードピン、またはリード
フレームなどのリード材料を代表例とし、更にはソケッ
ト類やコネクタ，スイッチの端子や接点ばねなどのコン
タクト材料にも及んでいる。これらの用途は、Ｃｕまた
はＣｕ合金が、導電性，熱伝導性が優れているととも
に、機械的な強度や加工性の点でも優れ、また経済的に
も有利であるという性質を利用したものである。
【０００３】とりわけ、半導体パッケージのリード材料
に関しては、各種合金設計のＣｕ合金が開発されてい
る。そして、それらは、端子や接点ばねなどのコンタク
ト材料の分野でも応用されるようになっている。
に関しては、各種合金設計のＣｕ合金が開発されてい
る。そして、それらは、端子や接点ばねなどのコンタク
ト材料の分野でも応用されるようになっている。
【０００４】上記したリード材料としては、従来から、
コバール合金や４２アロイに代表されるＦｅ−Ｎｉ系合
金，Ｆｅ−Ｃ系合金などのＦｅ系材料も使用されてい
る。このＦｅ系材料は、前記したＣｕ合金に比べると、
熱伝導性や導電性は劣るものの、機械的な強度が高く、
また熱膨張率がＳｉチップやパッケージの封止樹脂のそ
れに近似しているので、その表面に厚み数十μｍ程度の
Ｃｕめっきを施して導電性とはんだ濡れ性を高めた状態
にしてダイオードやコンデンサなどのリード線として用
いられている。
コバール合金や４２アロイに代表されるＦｅ−Ｎｉ系合
金，Ｆｅ−Ｃ系合金などのＦｅ系材料も使用されてい
る。このＦｅ系材料は、前記したＣｕ合金に比べると、
熱伝導性や導電性は劣るものの、機械的な強度が高く、
また熱膨張率がＳｉチップやパッケージの封止樹脂のそ
れに近似しているので、その表面に厚み数十μｍ程度の
Ｃｕめっきを施して導電性とはんだ濡れ性を高めた状態
にしてダイオードやコンデンサなどのリード線として用
いられている。
【０００５】また、従来、Ｃｕ系材料はその機械的な強
度の点で問題を有していたが、最近では強度特性も向上
したＣｕ合金が開発されている。例えば、ＮｉとＳｉを
少量含有せしめて、それらをＮｉ2Ｓｉなどの形態で析
出させた析出強化型のＣｕ合金が知られている。そし
て、このＣｕ合金は、スタンピング性や応力緩和特性が
優れているので、リード材料の外に，端子やコネクタの
コンタクト材料としても使用されはじめている。
度の点で問題を有していたが、最近では強度特性も向上
したＣｕ合金が開発されている。例えば、ＮｉとＳｉを
少量含有せしめて、それらをＮｉ2Ｓｉなどの形態で析
出させた析出強化型のＣｕ合金が知られている。そし
て、このＣｕ合金は、スタンピング性や応力緩和特性が
優れているので、リード材料の外に，端子やコネクタの
コンタクト材料としても使用されはじめている。
【０００６】そして、上記した部品材料の場合、その表
面には、めっきに代表される表面処理を施すことにより
材料機能の信頼性を高めて実使用するということが行わ
れている。
面には、めっきに代表される表面処理を施すことにより
材料機能の信頼性を高めて実使用するということが行わ
れている。
【０００７】例えば、はんだ付けによってプリント基板
に部品を実装するときに用いるリード材料の場合、その
表面にＳｎめっきまたはＳｎ合金めっきを施してはんだ
付け性を高めるという処置が採られている。具体的に
は、半導体パッケージを組み立てたのちリードフレーム
のアウターリード部に例えばＳｎ−Ｐｂ合金を用いて外
装はんだめっきを施したり、個別半導体やコンデンサの
リード線にも予めＳｎめっきやＳｎ−Ｐｂ合金めっきを
施し、更に加熱してリフロー処理を行うこともある。
に部品を実装するときに用いるリード材料の場合、その
表面にＳｎめっきまたはＳｎ合金めっきを施してはんだ
付け性を高めるという処置が採られている。具体的に
は、半導体パッケージを組み立てたのちリードフレーム
のアウターリード部に例えばＳｎ−Ｐｂ合金を用いて外
装はんだめっきを施したり、個別半導体やコンデンサの
リード線にも予めＳｎめっきやＳｎ−Ｐｂ合金めっきを
施し、更に加熱してリフロー処理を行うこともある。
【０００８】更には、ＣｕまたはＣｕ合金から成る材料
の場合、その表面にＳｎまたはＳｎ合金のめっきを施す
と、得られた材料は前記した特性の外に耐食性，耐摩耗
性も優れ、しかも経済的に有利であるということから、
リード材料の外に各種端子やコネクタなどの材料として
も多用されている。そして、表面光沢が必要とされる用
途分野では、ＳｎまたはＳｎ合金の光沢めっきを施した
ものや、更にはリフロー処理を施したものが使用され、
とくにリフロー処理を施したものは、耐ウイスカー性や
耐熱性も優れているので、厳しい温度環境で使用される
部品の材料として賞用されはじめている。
の場合、その表面にＳｎまたはＳｎ合金のめっきを施す
と、得られた材料は前記した特性の外に耐食性，耐摩耗
性も優れ、しかも経済的に有利であるということから、
リード材料の外に各種端子やコネクタなどの材料として
も多用されている。そして、表面光沢が必要とされる用
途分野では、ＳｎまたはＳｎ合金の光沢めっきを施した
ものや、更にはリフロー処理を施したものが使用され、
とくにリフロー処理を施したものは、耐ウイスカー性や
耐熱性も優れているので、厳しい温度環境で使用される
部品の材料として賞用されはじめている。
【０００９】例えば、電装品が広く搭載されるようにな
ってきている自動車関連の分野では、組み込まれる端子
やコネクタなどのコンタクト材料は、エンジンルーム内
をはじめとして、温度１００〜１７０℃程度の高温環境
に曝されることになる。従来、このような分野では、黄
銅やリン青銅の基体の表面にＳｎめっきやはんだなどの
Ｓｎ合金めっきを施した材料が主として使用されてきて
いるが、厳しい使用環境に対しては必ずしも満足すべき
性能ではないということで、強度特性の向上と応力緩和
特性の改善を目的として前記したＮｉとＳｉを含有する
Ｃｕ合金にＳｎめっきを施したのちリフロー処理を行っ
た材料が使用されはじめている。
ってきている自動車関連の分野では、組み込まれる端子
やコネクタなどのコンタクト材料は、エンジンルーム内
をはじめとして、温度１００〜１７０℃程度の高温環境
に曝されることになる。従来、このような分野では、黄
銅やリン青銅の基体の表面にＳｎめっきやはんだなどの
Ｓｎ合金めっきを施した材料が主として使用されてきて
いるが、厳しい使用環境に対しては必ずしも満足すべき
性能ではないということで、強度特性の向上と応力緩和
特性の改善を目的として前記したＮｉとＳｉを含有する
Ｃｕ合金にＳｎめっきを施したのちリフロー処理を行っ
た材料が使用されはじめている。
【００１０】ところで、ＣｕまたはＣｕ合金の表面にＳ
ｎめっきを施した材料の場合には次のような問題があ
る。
ｎめっきを施した材料の場合には次のような問題があ
る。
【００１１】まず、形成されたＳｎめっき層にはＳｎの
ウイスカーが発生しやすく、部品実装したときに短絡事
故を引き起こすことの可能性があるということである。
また、Ｓｎの融点は２３２℃であるため、例えばその材
料部品を回路基板にはんだ付けして実装する場合、基板
材料（樹脂）はそれ以上の耐熱性を備えることが必要に
なると同時に、Ｓｎそれ自体が酸化されてはんだ付け性
の劣化が起こりやすくなるということである。
ウイスカーが発生しやすく、部品実装したときに短絡事
故を引き起こすことの可能性があるということである。
また、Ｓｎの融点は２３２℃であるため、例えばその材
料部品を回路基板にはんだ付けして実装する場合、基板
材料（樹脂）はそれ以上の耐熱性を備えることが必要に
なると同時に、Ｓｎそれ自体が酸化されてはんだ付け性
の劣化が起こりやすくなるということである。
【００１２】また、コンデンサ用リード線の場合は、溶
接対象の例えばアルミ線との溶接部の肉盛りを行うた
め、めっき層の厚みを厚肉化しているが、そのようなリ
ード線に前記リフロー処理を行うと、処理後に凝固して
形成されたＳｎめっき層の偏肉が大きくなるという問題
がある。
接対象の例えばアルミ線との溶接部の肉盛りを行うた
め、めっき層の厚みを厚肉化しているが、そのようなリ
ード線に前記リフロー処理を行うと、処理後に凝固して
形成されたＳｎめっき層の偏肉が大きくなるという問題
がある。
【００１３】上記したウイスカーの発生という問題はリ
フロー処理を施すことによって略防止することができ、
まためっき層の材料としてＳｎ合金を用いればかなり抑
制することが可能である。このようなＳｎ合金の代表例
ははんだ（Ｓｎ−Ｐｂ合金）であり、従来から広く用い
られている。
フロー処理を施すことによって略防止することができ、
まためっき層の材料としてＳｎ合金を用いればかなり抑
制することが可能である。このようなＳｎ合金の代表例
ははんだ（Ｓｎ−Ｐｂ合金）であり、従来から広く用い
られている。
【００１４】しかしながら、はんだに含まれているＰｂ
は人体に悪影響を与える虞があるとのことから、今後
は、その優れた性質を備えているにもかかわらず使用が
敬遠されようとしている。そして、Ｐｂを含有しないＳ
ｎ合金、具体的には、Ｓｎ−Ａｇ系，Ｓｎ−Ｂｉ系，Ｓ
ｎ−Ｉｎ系，Ｓｎ−Ｚｎ系のものへの移行が検討されて
いる。
は人体に悪影響を与える虞があるとのことから、今後
は、その優れた性質を備えているにもかかわらず使用が
敬遠されようとしている。そして、Ｐｂを含有しないＳ
ｎ合金、具体的には、Ｓｎ−Ａｇ系，Ｓｎ−Ｂｉ系，Ｓ
ｎ−Ｉｎ系，Ｓｎ−Ｚｎ系のものへの移行が検討されて
いる。
【００１５】しかしながら、これらのＳｎ合金でめっき
層を形成した材料には次のような問題がある。
層を形成した材料には次のような問題がある。
【００１６】まず、これら合金の融点が比較的高温であ
ったり、低温であったりする点であり、あるいは、例え
ば半導体パッケージの組み立て時における加熱工程の熱
で、基体表面の構成材料であるＣｕなどがこのＳｎ合金
めっき層の表層部に熱拡散してきて、当該Ｓｎ合金めっ
き層のはんだ付け性が劣化するという問題である。
ったり、低温であったりする点であり、あるいは、例え
ば半導体パッケージの組み立て時における加熱工程の熱
で、基体表面の構成材料であるＣｕなどがこのＳｎ合金
めっき層の表層部に熱拡散してきて、当該Ｓｎ合金めっ
き層のはんだ付け性が劣化するという問題である。
【００１７】更には、例えば前記したコンデンサリード
の場合、アルミ線と溶接する際に、溶接部の温度は瞬間
的には２０００℃近辺の温度になるため、当該溶接部の
近傍では、Ｓｎ合金めっき層内のＺｎ，Ｂｉ，Ｉｎなど
の元素が瞬時にして気化し、その結果、溶接部にはブロ
ーホールが発生し、その溶接強度が低下するという問題
も発生する。しかも、溶接部では、基体表面からＣｕな
どが熱拡散してリード材の表面にＣｕ−Ｓｎ系化合物層
などが形成されることにより、表面の変色とはんだ付け
性の劣化も起こり得る。
の場合、アルミ線と溶接する際に、溶接部の温度は瞬間
的には２０００℃近辺の温度になるため、当該溶接部の
近傍では、Ｓｎ合金めっき層内のＺｎ，Ｂｉ，Ｉｎなど
の元素が瞬時にして気化し、その結果、溶接部にはブロ
ーホールが発生し、その溶接強度が低下するという問題
も発生する。しかも、溶接部では、基体表面からＣｕな
どが熱拡散してリード材の表面にＣｕ−Ｓｎ系化合物層
などが形成されることにより、表面の変色とはんだ付け
性の劣化も起こり得る。
【００１８】なお、Ｐｂを含まないＳｎ合金として例示
した前記合金のうち、Ｓｎ−Ａｇ系，Ｓｎ−Ｉｎ系のも
のは上記の問題に加えて高価であるという問題がある。
した前記合金のうち、Ｓｎ−Ａｇ系，Ｓｎ−Ｉｎ系のも
のは上記の問題に加えて高価であるという問題がある。
【００１９】そして、Ｓｎ−Ｂｉ系のものは、耐熱性に
劣り、基体表面へのＢｉの熱拡散を起こしやすく、また
曲げ加工性にも劣るのでめっき層にクラッドが発生しや
すく、更には、はんだ付け後に形成された接合部ではそ
の接合強度が経時的に低下するという問題がある。また
Ｓｎ−Ｚｎ系のものは、表面酸化を起こしやすく、大気
中におけるはんだ濡れ性が悪いということに加えて、Ｚ
ｎは熱拡散を起こしやすいので、Ｓｎ−Ｂｉ系のものと
同じように、やはりはんだ付け後の接合部の接合強度は
経時的に低下する。このように、ＰｂフリーのＳｎ合金
にも多くの課題がある。
劣り、基体表面へのＢｉの熱拡散を起こしやすく、また
曲げ加工性にも劣るのでめっき層にクラッドが発生しや
すく、更には、はんだ付け後に形成された接合部ではそ
の接合強度が経時的に低下するという問題がある。また
Ｓｎ−Ｚｎ系のものは、表面酸化を起こしやすく、大気
中におけるはんだ濡れ性が悪いということに加えて、Ｚ
ｎは熱拡散を起こしやすいので、Ｓｎ−Ｂｉ系のものと
同じように、やはりはんだ付け後の接合部の接合強度は
経時的に低下する。このように、ＰｂフリーのＳｎ合金
にも多くの課題がある。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】ところで最近、電気・
電子機器の小型化，軽量化，多機能化の進展に伴い、そ
れらに組み込まれる回路基板への半導体素子の実装密度
も高まっている。この高密度実装化は不可避的に実装基
板からの放熱量を増大させ、また電気・電子機器の放熱
量を増加させることになる。
電子機器の小型化，軽量化，多機能化の進展に伴い、そ
れらに組み込まれる回路基板への半導体素子の実装密度
も高まっている。この高密度実装化は不可避的に実装基
板からの放熱量を増大させ、また電気・電子機器の放熱
量を増加させることになる。
【００２１】そのため、前記したリード材料やコンタク
ト材料などに対しては、従来にもましてその耐熱性を高
めることが必要とされるようになっている。しかしなが
ら、最近では、前記したように、ＣｕまたはＣｕ合金の
基体にＳｎまたはＳｎ合金のめっきを施した材料は、上
記した要求に充分対処し得ていないという指摘がなされ
ている。
ト材料などに対しては、従来にもましてその耐熱性を高
めることが必要とされるようになっている。しかしなが
ら、最近では、前記したように、ＣｕまたはＣｕ合金の
基体にＳｎまたはＳｎ合金のめっきを施した材料は、上
記した要求に充分対処し得ていないという指摘がなされ
ている。
【００２２】すなわち、リード材料の場合、部品実装後
における部品リードとはんだとの接合部の高温エージン
グ、または部品リードと実装基板の電極との間でヒート
サイクル状態において接合信頼性が低下するという問題
である。換言すれば、最近の高密度実装基板が組み込ま
れている電子機器では、放熱量と前記機器の温度上昇が
大きいので、前記したＳｎまたはＳｎ合金めっきを施し
たリード材料では、充分な接合信頼性が得られないとい
うケースが多発している。
における部品リードとはんだとの接合部の高温エージン
グ、または部品リードと実装基板の電極との間でヒート
サイクル状態において接合信頼性が低下するという問題
である。換言すれば、最近の高密度実装基板が組み込ま
れている電子機器では、放熱量と前記機器の温度上昇が
大きいので、前記したＳｎまたはＳｎ合金めっきを施し
たリード材料では、充分な接合信頼性が得られないとい
うケースが多発している。
【００２３】また、コンタクト材料の場合、高温環境下
で使用したときに、基体表面のＣｕ成分と表面層のＳｎ
成分との相互熱拡散による合金化やＣｕ成分が表面層の
表層部に拡散して酸化することに基づく接触抵抗の上昇
が起こり、もって相手材との接続信頼性が低下するとい
う問題が指摘されている。
で使用したときに、基体表面のＣｕ成分と表面層のＳｎ
成分との相互熱拡散による合金化やＣｕ成分が表面層の
表層部に拡散して酸化することに基づく接触抵抗の上昇
が起こり、もって相手材との接続信頼性が低下するとい
う問題が指摘されている。
【００２４】本発明は、ＣｕまたはＣｕ合金を基体と
し、その表面にＳｎまたはＳｎ合金めっきが施されてい
る従来の材料における上記した問題を解決し、Ｐｂの悪
影響が排除されていることは勿論のこと、はんだ付け性
に優れ、はんだ付け後に形成された接合部の接合強度が
高いと同時に、その接合強度の高温下における経時的な
低下も起こりづらいのでリード材料として好適であり、
また高温環境下で使用したときでも接触抵抗の上昇が抑
制され、相手材との間で接続信頼性の低下を招くことも
ないのでコンタクト材料としても好適な電気・電子部品
用材料とその製造方法、およびその材料を用いた電気・
電子部品の提供を目的とする。
し、その表面にＳｎまたはＳｎ合金めっきが施されてい
る従来の材料における上記した問題を解決し、Ｐｂの悪
影響が排除されていることは勿論のこと、はんだ付け性
に優れ、はんだ付け後に形成された接合部の接合強度が
高いと同時に、その接合強度の高温下における経時的な
低下も起こりづらいのでリード材料として好適であり、
また高温環境下で使用したときでも接触抵抗の上昇が抑
制され、相手材との間で接続信頼性の低下を招くことも
ないのでコンタクト材料としても好適な電気・電子部品
用材料とその製造方法、およびその材料を用いた電気・
電子部品の提供を目的とする。
【００２５】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明においては、少なくとも表面がＣｕまた
はＣｕ合金から成る基体の前記表面に、Ｃｕ3Ｓｎ（ε
相）層とＣｕ6Ｓｎ5（η’相）層とがこの順序で積層さ
れて成る中間層を介して、いずれもＣｕ含有量が０.１
〜３重量％である厚み１〜２０μｍのＳｎ層またはＳｎ
合金層から成る表面層が形成されていることを特徴とす
る電気・電子部品用材料が提供される。
ために、本発明においては、少なくとも表面がＣｕまた
はＣｕ合金から成る基体の前記表面に、Ｃｕ3Ｓｎ（ε
相）層とＣｕ6Ｓｎ5（η’相）層とがこの順序で積層さ
れて成る中間層を介して、いずれもＣｕ含有量が０.１
〜３重量％である厚み１〜２０μｍのＳｎ層またはＳｎ
合金層から成る表面層が形成されていることを特徴とす
る電気・電子部品用材料が提供される。
【００２６】好ましくは、前記Ａｇ3Ｓｎ（ε相）化合
物の含有量が、Ａｇ換算量にして０.５〜５重量％であ
り、また、前記表面層は、Ａｇ3Ｓｎ（ε相）化合物を
含有する厚み０.５〜５μｍの上層部とＡｇ3Ｓｎ（ε
相）化合物を含有しない下層部とから成り、前記Ｓｎ層
またはＳｎ合金層には、更に、Ｃｕが０.１〜３重量％
含有されており、そしてまた、前記表面層がリフロー処
理された相である電気・電子部品用材料が提供される。
また、本発明においては、上記した材料を用いた電気・
電子部品が提供される。
物の含有量が、Ａｇ換算量にして０.５〜５重量％であ
り、また、前記表面層は、Ａｇ3Ｓｎ（ε相）化合物を
含有する厚み０.５〜５μｍの上層部とＡｇ3Ｓｎ（ε
相）化合物を含有しない下層部とから成り、前記Ｓｎ層
またはＳｎ合金層には、更に、Ｃｕが０.１〜３重量％
含有されており、そしてまた、前記表面層がリフロー処
理された相である電気・電子部品用材料が提供される。
また、本発明においては、上記した材料を用いた電気・
電子部品が提供される。
【００２７】更に、本発明においては、いずれもＡｇイ
オンを０．２〜１００００ppm含有するＳｎめっき浴ま
たはＳｎ合金めっき浴の中で、少なくとも表面がＣｕま
たはＣｕ合金から成る基体に電気めっきを行うことを特
徴とする電気・電子部品用材料の製造方法（以下、第１
の製造方法という）が提供され、更には、ａ：Ｓｎめっ
き浴またはＳｎ合金めっき浴、ｂ：いずれもＡｇイオン
を０．２〜１００００ppm含有するＳｎめっき浴または
Ｓｎ合金めっき浴、ｃ：Ａｇめっき浴の２種以上を用い
て、少なくとも表面がＣｕまたはＣｕ合金から成る基体
に複層電気めっきを行うことを特徴とする電気・電子部
品用材料の製造方法（以下、第２の製造方法という）が
提供される。
オンを０．２〜１００００ppm含有するＳｎめっき浴ま
たはＳｎ合金めっき浴の中で、少なくとも表面がＣｕま
たはＣｕ合金から成る基体に電気めっきを行うことを特
徴とする電気・電子部品用材料の製造方法（以下、第１
の製造方法という）が提供され、更には、ａ：Ｓｎめっ
き浴またはＳｎ合金めっき浴、ｂ：いずれもＡｇイオン
を０．２〜１００００ppm含有するＳｎめっき浴または
Ｓｎ合金めっき浴、ｃ：Ａｇめっき浴の２種以上を用い
て、少なくとも表面がＣｕまたはＣｕ合金から成る基体
に複層電気めっきを行うことを特徴とする電気・電子部
品用材料の製造方法（以下、第２の製造方法という）が
提供される。
【００２８】好ましくは、前記Ｓｎめっき浴もしくは前
記Ｓｎ合金めっき浴、またはＡｇめっき浴の一部または
全部には、更に、Ｃｕイオンが０.２〜５０ppm含有され
ており、また電気めっき後には加熱処理またはフロー処
理が施される電気・電子部品用材料の製造方法が提供さ
れる。
記Ｓｎ合金めっき浴、またはＡｇめっき浴の一部または
全部には、更に、Ｃｕイオンが０.２〜５０ppm含有され
ており、また電気めっき後には加熱処理またはフロー処
理が施される電気・電子部品用材料の製造方法が提供さ
れる。
【００２９】
【発明の実施の形態】図１は本発明の材料Ａを示す断面
図である。この材料Ａは、基体１の表面に、Ｃｕ3Ｓｎ
（ε相）から成る層２ａとＣｕ6Ｓｎ5（η’相）から成
る層２ｂとがこの順序で積層されている中間層２を介し
て、後述するＳｎ層またはＳｎ合金層が表面層３として
形成された層構造になっている。
図である。この材料Ａは、基体１の表面に、Ｃｕ3Ｓｎ
（ε相）から成る層２ａとＣｕ6Ｓｎ5（η’相）から成
る層２ｂとがこの順序で積層されている中間層２を介し
て、後述するＳｎ層またはＳｎ合金層が表面層３として
形成された層構造になっている。
【００３０】ここで、材料Ａにおける基体１としては、
少なくともその表面がＣｕまたはＣｕ合金で形成されて
いるものであれば何であってもよい。例えば、Ｃｕまた
はＣｕ合金材そのものや、炭素鋼，Ｆｅ−Ｎｉ系合金、
Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金，ステンレス鋼などのＦｅ系材
料を芯材とし、その表面をＣｕまたはＣｕ合金で被覆し
たものなどをあげることができる。後者の基体の場合、
目的とする部品の用途に求められる機械的な強度や導電
性との関係を勘案して芯材とその表面に形成するＣｕま
たはＣｕ合金、とりわけＣｕ合金の種類は適宜に選定さ
れる。
少なくともその表面がＣｕまたはＣｕ合金で形成されて
いるものであれば何であってもよい。例えば、Ｃｕまた
はＣｕ合金材そのものや、炭素鋼，Ｆｅ−Ｎｉ系合金、
Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金，ステンレス鋼などのＦｅ系材
料を芯材とし、その表面をＣｕまたはＣｕ合金で被覆し
たものなどをあげることができる。後者の基体の場合、
目的とする部品の用途に求められる機械的な強度や導電
性との関係を勘案して芯材とその表面に形成するＣｕま
たはＣｕ合金、とりわけＣｕ合金の種類は適宜に選定さ
れる。
【００３１】また、基体１の形状も、部品としての用途
目的や後述する表面層形成方法に対応して、線状，板
状、条など適宜に選定される。
目的や後述する表面層形成方法に対応して、線状，板
状、条など適宜に選定される。
【００３２】材料Ａは、上記した基体１の表面に中間層
２が形成され、更にその上に表面層３が形成された材料
である。
２が形成され、更にその上に表面層３が形成された材料
である。
【００３３】この表面層３は、Ａｇ3Ｓｎ（ε相）化合
物を含有するＳｎ層またはＳｎ合金層で構成されてい
る。
物を含有するＳｎ層またはＳｎ合金層で構成されてい
る。
【００３４】上記したＡｇ3Ｓｎ（ε相）化合物は、Ｓ
ｎ層またはＳｎ合金層内で非常に安定な状態にあり、少
なくとも室温付近の温度レベルでは表面層内を拡散移動
することはない。そしてこのＡｇ3Ｓｎ（ε相）化合物
は、Ｓｎ層またはＳｎ合金層のクリープ特性を含む耐熱
性を向上せしめ、また同時に、表面層３の主成分である
Ｓｎと基体表面の主成分であるＣｕや表面層の他の元素
との間における相互拡散速度を低下せしめて両者の合金
化を抑制する機能を発揮するものと考えられる。
ｎ層またはＳｎ合金層内で非常に安定な状態にあり、少
なくとも室温付近の温度レベルでは表面層内を拡散移動
することはない。そしてこのＡｇ3Ｓｎ（ε相）化合物
は、Ｓｎ層またはＳｎ合金層のクリープ特性を含む耐熱
性を向上せしめ、また同時に、表面層３の主成分である
Ｓｎと基体表面の主成分であるＣｕや表面層の他の元素
との間における相互拡散速度を低下せしめて両者の合金
化を抑制する機能を発揮するものと考えられる。
【００３５】そのため、この材料Ａをリード材料として
使用した場合、例えばプリント基板にはんだを用いて接
合したときに、Ａｇ3Ｓｎ（ε相）化合物を含有しない
Ｓｎ層またはＳｎ合金層で表面層が形成されているリー
ド材料の場合に比べてはんだ接合部における接合強度は
高くなり、また接合部における接合強度の経時低下は小
さくなって接合信頼性は向上する。
使用した場合、例えばプリント基板にはんだを用いて接
合したときに、Ａｇ3Ｓｎ（ε相）化合物を含有しない
Ｓｎ層またはＳｎ合金層で表面層が形成されているリー
ド材料の場合に比べてはんだ接合部における接合強度は
高くなり、また接合部における接合強度の経時低下は小
さくなって接合信頼性は向上する。
【００３６】また、この材料Ａをコンタクト材料として
使用した場合、表面層３の耐熱性が向上しており、ま
た、基体表面から表面層の表層部に向かうＣｕの熱拡散
も抑制された状態になっているので、表面層３の表面酸
化も起こりづらくなって接触抵抗の上昇は抑制され、相
手材との接続信頼性の低下という問題も発生しにくい。
使用した場合、表面層３の耐熱性が向上しており、ま
た、基体表面から表面層の表層部に向かうＣｕの熱拡散
も抑制された状態になっているので、表面層３の表面酸
化も起こりづらくなって接触抵抗の上昇は抑制され、相
手材との接続信頼性の低下という問題も発生しにくい。
【００３７】表面層３に含有されているＡｇ3Ｓｎ（ε
相）化合物の上記した働きは、その含有量が、Ａｇ換算
量にして０.５重量％以上から有効に発揮される。そし
て、含有量が増量すればするほど表面層３の耐熱性は向
上していくが、Ｓｎ−Ａｇ系合金における共晶組成であ
るＳｎ−３.５％ＡｇのＡｇ量に相当する含有量を超え
ると、表面層３を構成するＳｎ層やＳｎ合金層の液相線
は急激に上昇してしまう。そのため、Ａｇ3Ｓｎ（ε
相）化合物の含有量は、表面層３がＳｎの融点（２３２
℃）を超えない程度の耐熱性を付与する含有量であるこ
とが好ましく、具体的には、Ａｇ3Ｓｎ（ε相）化合物
の含有量の上限は、Ａｇ換算量にして５重量％程度に設
定される。このときには、材料の曲げ加工性も良好であ
り、それほどコスト高にもならず、材料素材としては工
業的にバランスがとれているからである。
相）化合物の上記した働きは、その含有量が、Ａｇ換算
量にして０.５重量％以上から有効に発揮される。そし
て、含有量が増量すればするほど表面層３の耐熱性は向
上していくが、Ｓｎ−Ａｇ系合金における共晶組成であ
るＳｎ−３.５％ＡｇのＡｇ量に相当する含有量を超え
ると、表面層３を構成するＳｎ層やＳｎ合金層の液相線
は急激に上昇してしまう。そのため、Ａｇ3Ｓｎ（ε
相）化合物の含有量は、表面層３がＳｎの融点（２３２
℃）を超えない程度の耐熱性を付与する含有量であるこ
とが好ましく、具体的には、Ａｇ3Ｓｎ（ε相）化合物
の含有量の上限は、Ａｇ換算量にして５重量％程度に設
定される。このときには、材料の曲げ加工性も良好であ
り、それほどコスト高にもならず、材料素材としては工
業的にバランスがとれているからである。
【００３８】また、表面層３を構成するＳｎ層またはＳ
ｎ合金層には、更に、Ｃｕを０.１〜３重量％含有せし
めると、表面層３のクリープ特性を含む耐熱特性はなお
一層向上し、またその表面層３の主成分であるＳｎと基
体１の表面成分であるＣｕや表面層の他の元素との間に
おける相互拡散速度がなお一層低下して両者の合金化が
抑制されるため、リード材料として用いた場合には、は
んだ接合部における接合信頼性は更に向上し、またコン
タクト材料として用いた場合には、接触抵抗の上昇はな
お一層起こりづらくなって相手材との接続信頼性は更に
向上する。
ｎ合金層には、更に、Ｃｕを０.１〜３重量％含有せし
めると、表面層３のクリープ特性を含む耐熱特性はなお
一層向上し、またその表面層３の主成分であるＳｎと基
体１の表面成分であるＣｕや表面層の他の元素との間に
おける相互拡散速度がなお一層低下して両者の合金化が
抑制されるため、リード材料として用いた場合には、は
んだ接合部における接合信頼性は更に向上し、またコン
タクト材料として用いた場合には、接触抵抗の上昇はな
お一層起こりづらくなって相手材との接続信頼性は更に
向上する。
【００３９】しかしながら、Ｃｕ含有量が０.１重量％
より少なくなると、上記した効果は発現しなくなり、ま
た３重量％より多くなると、表面層３の構成材料の液相
線が過度に高くなり、例えば、均一リフロー性の低下を
はじめ、表面層３ではＣｕ酸化の進展に基づくはんだ濡
れ性の低下や耐食性の低下が起こりやすくなる。
より少なくなると、上記した効果は発現しなくなり、ま
た３重量％より多くなると、表面層３の構成材料の液相
線が過度に高くなり、例えば、均一リフロー性の低下を
はじめ、表面層３ではＣｕ酸化の進展に基づくはんだ濡
れ性の低下や耐食性の低下が起こりやすくなる。
【００４０】なお、上記した表面層３におけるＡｇ3Ｓ
ｎ（ε相）化合物のＡｇとしての含有量やＣｕの含有量
は、電子線マイクロアナライザのＺＡＦ補正法によって
定量分析することができ、Ａｇ3ＳｎやＣｕ3Ｓｎ，Ｃｕ
6Ｓｎ5の化合物の存在はＸ線回析法によって知ることが
できる。
ｎ（ε相）化合物のＡｇとしての含有量やＣｕの含有量
は、電子線マイクロアナライザのＺＡＦ補正法によって
定量分析することができ、Ａｇ3ＳｎやＣｕ3Ｓｎ，Ｃｕ
6Ｓｎ5の化合物の存在はＸ線回析法によって知ることが
できる。
【００４１】この表面層３がＳｎ合金層で形成される場
合、母相であるＳｎ合金としては、前記したＳｎ−Ｂｉ
系，Ｓｎ−Ｉｎ系，Ｓｎ−Ｚｎ系などを用いることがで
きる。その場合、Ｓｎ−Ｚｎ系は低価格ではあるが、Ｚ
ｎの拡散速度は大きく、はんだ接合部における接合強度
の経時低下が大きくなるので高い接合信頼性が得にくい
ということや、また耐食性も劣るという点で難があり、
Ｓｎ−Ｉｎ系は高価であり、用途は限定されてしまうと
いう問題がある。このようなことから、Ｓｎ合金層の母
相であるＳｎ合金としては、Ｓｎ−Ｂｉ系であることが
好ましい。
合、母相であるＳｎ合金としては、前記したＳｎ−Ｂｉ
系，Ｓｎ−Ｉｎ系，Ｓｎ−Ｚｎ系などを用いることがで
きる。その場合、Ｓｎ−Ｚｎ系は低価格ではあるが、Ｚ
ｎの拡散速度は大きく、はんだ接合部における接合強度
の経時低下が大きくなるので高い接合信頼性が得にくい
ということや、また耐食性も劣るという点で難があり、
Ｓｎ−Ｉｎ系は高価であり、用途は限定されてしまうと
いう問題がある。このようなことから、Ｓｎ合金層の母
相であるＳｎ合金としては、Ｓｎ−Ｂｉ系であることが
好ましい。
【００４２】Ｓｎ−Ｂｉ系を採用する場合、Ｂｉ含有量
は１〜１０重量％であるものが好ましい。１重量％より
少ない場合は、融点はあまり低下せず、また１０重量％
より多くなると、融点が低くなりすぎることと、皮膜が
脆くなり、かつ曲げ加工性にも劣るようになるからであ
る。
は１〜１０重量％であるものが好ましい。１重量％より
少ない場合は、融点はあまり低下せず、また１０重量％
より多くなると、融点が低くなりすぎることと、皮膜が
脆くなり、かつ曲げ加工性にも劣るようになるからであ
る。
【００４３】なお、Ａｇ，Ｂｉの含有量が概ね２０重量
％以下であるＳｎ合金であれば、例えばコンデンサリー
ドに用いたときに、アルミ線との溶接時においてもブロ
ーホールの発生を防止することができる。
％以下であるＳｎ合金であれば、例えばコンデンサリー
ドに用いたときに、アルミ線との溶接時においてもブロ
ーホールの発生を防止することができる。
【００４４】この表面層３の厚みは０.５〜２０μｍに
設定される。この厚みが０.５μｍより薄くなると耐熱
性が低くなり、例えば加熱処理やリフロー処理したとき
に、基体１の表面成分であるＣｕとの間で相互拡散に基
づく合金化が進行してはんだ濡れ性の低下傾向が発現
し、また２０μｍより厚くしても、前記した各種効果の
発現は飽和に達し、徒に製造コストの上昇を招くだけに
なるからである。
設定される。この厚みが０.５μｍより薄くなると耐熱
性が低くなり、例えば加熱処理やリフロー処理したとき
に、基体１の表面成分であるＣｕとの間で相互拡散に基
づく合金化が進行してはんだ濡れ性の低下傾向が発現
し、また２０μｍより厚くしても、前記した各種効果の
発現は飽和に達し、徒に製造コストの上昇を招くだけに
なるからである。
【００４５】この表面層３と基体１の表面の間に介在す
る中間層２は、両者間における密着性を確保するという
働きをする。
る中間層２は、両者間における密着性を確保するという
働きをする。
【００４６】この中間層２は、基体１側に位置するＣｕ
3Ｓｎ（ε相）層２ａと表面層３側に位置するＣｕ6Ｓｎ
5（η’相）層２ｂとの積層構造になっている。
3Ｓｎ（ε相）層２ａと表面層３側に位置するＣｕ6Ｓｎ
5（η’相）層２ｂとの積層構造になっている。
【００４７】これらの層は、基体表面の主成分であるＣ
ｕと表面層の主成分であるＳｎとの相互拡散によって形
成される層であり、例えば、基体表面に表面層をめっき
形成した直後から、またはリフロー処理のような熱処理
を施すことによって容易に形成することができる。
ｕと表面層の主成分であるＳｎとの相互拡散によって形
成される層であり、例えば、基体表面に表面層をめっき
形成した直後から、またはリフロー処理のような熱処理
を施すことによって容易に形成することができる。
【００４８】これらの層は、基体表面側ではＣｕリッチ
の相になって基体表面との密着性の確保に寄与し、また
表面層側ではＳｎリッチな相になって表面層との密着性
の確保に寄与し、両層２ａ，２ｂの界面では２つの相が
混在する状態になることにより、全体で基体表面と表面
層との密着性を確保しているのである。この層２ａ，２
ｂの厚みは極めて薄く、表面層３の厚みが最大の２０μ
ｍであったとした場合には、通常、Ｃｕ3Ｓｎ層２ａは
０．０１〜０．５μｍ，Ｃｕ6Ｓｎ5層２ｂは０．３〜５
μｍ程度である。ただし、更に熱処理を加えた場合には
この限りではない。
の相になって基体表面との密着性の確保に寄与し、また
表面層側ではＳｎリッチな相になって表面層との密着性
の確保に寄与し、両層２ａ，２ｂの界面では２つの相が
混在する状態になることにより、全体で基体表面と表面
層との密着性を確保しているのである。この層２ａ，２
ｂの厚みは極めて薄く、表面層３の厚みが最大の２０μ
ｍであったとした場合には、通常、Ｃｕ3Ｓｎ層２ａは
０．０１〜０．５μｍ，Ｃｕ6Ｓｎ5層２ｂは０．３〜５
μｍ程度である。ただし、更に熱処理を加えた場合には
この限りではない。
【００４９】この材料Ａは第１の製造方法で製造され
る。
る。
【００５０】すなわち、第１の製造方法においては、Ａ
ｇイオンを０．２〜１００００ppm含有するＳｎめっき
浴、またはＡｇイオンを０．２〜１００００ppm含有す
るＳｎ合金めっき浴に前記した基体を浸漬し、電気めっ
きを行えばよい。
ｇイオンを０．２〜１００００ppm含有するＳｎめっき
浴、またはＡｇイオンを０．２〜１００００ppm含有す
るＳｎ合金めっき浴に前記した基体を浸漬し、電気めっ
きを行えばよい。
【００５１】一般に、Ａｇの析出電位はＳｎのそれより
も貴であるので、めっき浴におけるＡｇイオンの含有量
が少ないにもかかわらず、基体表面に電析しためっき層
においては、Ａｇが数％程度のＡｇ共析Ｓｎめっき層に
なる。このめっき層におけるＡｇ3Ｓｎ（ε相）の生成
量を前記した０.５〜５重量％（Ａｇ換算量）の範囲内
におさめるためには、用いるめっき浴におけるＡｇ濃度
を０．２〜１００００ppmにすることが必要になる。
も貴であるので、めっき浴におけるＡｇイオンの含有量
が少ないにもかかわらず、基体表面に電析しためっき層
においては、Ａｇが数％程度のＡｇ共析Ｓｎめっき層に
なる。このめっき層におけるＡｇ3Ｓｎ（ε相）の生成
量を前記した０.５〜５重量％（Ａｇ換算量）の範囲内
におさめるためには、用いるめっき浴におけるＡｇ濃度
を０．２〜１００００ppmにすることが必要になる。
【００５２】このとき、めっき浴に更にＣｕイオンを含
有せしめると、このＣｕが基体表面に電折しためっき層
（Ａｇ−Ｓｎ合金層）に共折し、Ａｇ−Ｓｎ合金だけの
場合よりも耐熱性が一層優れためっき層になる。このめ
っき層におけるＣｕ含有量を、前記したように、０.１
〜３重量％の範囲に制御するためには、用いるめっき浴
におけるＣｕイオンの濃度を０.２〜５０ppmに制御する
ことが必要になる。
有せしめると、このＣｕが基体表面に電折しためっき層
（Ａｇ−Ｓｎ合金層）に共折し、Ａｇ−Ｓｎ合金だけの
場合よりも耐熱性が一層優れためっき層になる。このめ
っき層におけるＣｕ含有量を、前記したように、０.１
〜３重量％の範囲に制御するためには、用いるめっき浴
におけるＣｕイオンの濃度を０.２〜５０ppmに制御する
ことが必要になる。
【００５３】このようにして製造された材料Ａに対して
加熱処理またはリフロー処理を施すと、例えば表面層が
Ｓｎを主体とする層で形成される場合に発生することも
あるウイスカーの存在を解消することができるだけでは
なく、表面層３と基体１の表面間におけるＳｎとＣｕの
拡散速度が低下して、はんだ接合部における接合信頼性
を高め、また接触抵抗の上昇を更に有効に抑制すること
ができるので好適である。
加熱処理またはリフロー処理を施すと、例えば表面層が
Ｓｎを主体とする層で形成される場合に発生することも
あるウイスカーの存在を解消することができるだけでは
なく、表面層３と基体１の表面間におけるＳｎとＣｕの
拡散速度が低下して、はんだ接合部における接合信頼性
を高め、また接触抵抗の上昇を更に有効に抑制すること
ができるので好適である。
【００５４】図２は本発明の別の材料Ｂを示す断面図で
ある。
ある。
【００５５】この材料Ｂは、表面層３’が前記した材料
Ａの場合と異なり、表面層がＳｎ層やＳｎ合金層単独で
構成されているのではなく、厚み方向に、次に説明する
ような各種の層が積層している層構造になっている材料
である。その層構造において、前記各種の層の界面は、
判然としている場合もあり、また界面が各層の成分の相
互拡散によって判然としていない場合もある。
Ａの場合と異なり、表面層がＳｎ層やＳｎ合金層単独で
構成されているのではなく、厚み方向に、次に説明する
ような各種の層が積層している層構造になっている材料
である。その層構造において、前記各種の層の界面は、
判然としている場合もあり、また界面が各層の成分の相
互拡散によって判然としていない場合もある。
【００５６】このような層構造としては、例えば次のよ
うなものをあげることができる。
うなものをあげることができる。
【００５７】ｉ）表面層３’の下層部３’ｂはＡｇ3Ｓ
ｎ（ε相）化合物を含有しないＳｎまたはＳｎ合金から
成り、上層部３’ａはＡｇ3Ｓｎ（ε相）化合物を含有
するＳｎまたはＳｎ合金から成る層； ii）表面層３’の下層部３’ｂはＡｇ3Ｓｎ（ε相）化
合物を含有するＳｎまたはＳｎ合金から成り、上層部
３’ａは、Ａｇ3Ｓｎ（ε相）化合物を含有しないＳｎ
またはＳｎ合金から成る層；などである。
ｎ（ε相）化合物を含有しないＳｎまたはＳｎ合金から
成り、上層部３’ａはＡｇ3Ｓｎ（ε相）化合物を含有
するＳｎまたはＳｎ合金から成る層； ii）表面層３’の下層部３’ｂはＡｇ3Ｓｎ（ε相）化
合物を含有するＳｎまたはＳｎ合金から成り、上層部
３’ａは、Ａｇ3Ｓｎ（ε相）化合物を含有しないＳｎ
またはＳｎ合金から成る層；などである。
【００５８】材料Ｂの場合、表面層３’が上記した層構
造ｉ），ii）のいずれになっていても、表面層３’の全
体におけるＡｇ3Ｓｎ（ε相）化合物の含有量は，Ａｇ
換算量にして０.５〜５重量％であることが好ましい。
造ｉ），ii）のいずれになっていても、表面層３’の全
体におけるＡｇ3Ｓｎ（ε相）化合物の含有量は，Ａｇ
換算量にして０.５〜５重量％であることが好ましい。
【００５９】材料Ｂは、部品材料をはんだでプリント基
板に実装したときに、はんだ接合部における接合強度の
経時低下が材料Ａの場合に比べると少なくなり、例えば
リード材料として用いた場合には接合信頼性が更に向上
する。また、Ａｇ3Ｓｎ（ε相）化合物の働きにより、
基体表面のＣｕ成分が表面層３’の表層部へ拡散して酸
化するという事態が抑制されるので、例えばコンタクト
材料として用いた場合には相手材との接続信頼性は一層
向上する。
板に実装したときに、はんだ接合部における接合強度の
経時低下が材料Ａの場合に比べると少なくなり、例えば
リード材料として用いた場合には接合信頼性が更に向上
する。また、Ａｇ3Ｓｎ（ε相）化合物の働きにより、
基体表面のＣｕ成分が表面層３’の表層部へ拡散して酸
化するという事態が抑制されるので、例えばコンタクト
材料として用いた場合には相手材との接続信頼性は一層
向上する。
【００６０】また、表面層３’が層構造ｉ），ii）にな
っていると、材料としての曲げ加工性は更に向上し、基
体１との剥離は一層起こりづらくなり、また製造コスト
を低減できるという点で有利である。
っていると、材料としての曲げ加工性は更に向上し、基
体１との剥離は一層起こりづらくなり、また製造コスト
を低減できるという点で有利である。
【００６１】とくに、この材料Ｂの場合、加熱処理また
はリフロー処理を施したり、またアルミ線に溶接したと
きに、そのときの熱で上記した層構造が融合してＡｇ
や、例えばＢｉのような他の元素などが希釈された状態
になるので、はんだ接合時にはその接合部の強度低下は
抑制され、例えば断線防止という点で好適である。
はリフロー処理を施したり、またアルミ線に溶接したと
きに、そのときの熱で上記した層構造が融合してＡｇ
や、例えばＢｉのような他の元素などが希釈された状態
になるので、はんだ接合時にはその接合部の強度低下は
抑制され、例えば断線防止という点で好適である。
【００６２】この表面層３’は、第２の製造方法によっ
て基体表面に形成することができる。それを以下に説明
する。例えば、前記したｉ）の層構造を製造する場合に
は、Ａｇイオンを含有しないＳｎめっき浴またはＳｎ合
金めっき浴に基体を浸漬して電気めっきを行って、基体
の表面に、Ａｇ3Ｓｎ（ε相）化合物を含有しないＳｎ
めっき層またはＳｎ合金めっき層を形成する。ついで、
Ａｇイオンを含有するＳｎめっき浴またはＳｎ合金めっ
き浴、あるいはＡｇめっき浴を用いて電気めっきを行
い、Ａｇ3Ｓｎ（ε相）化合物を含有するＳｎめっき層
またはＳｎ合金めっき層を形成し、ここに、目的とする
表面層３’が得られる。
て基体表面に形成することができる。それを以下に説明
する。例えば、前記したｉ）の層構造を製造する場合に
は、Ａｇイオンを含有しないＳｎめっき浴またはＳｎ合
金めっき浴に基体を浸漬して電気めっきを行って、基体
の表面に、Ａｇ3Ｓｎ（ε相）化合物を含有しないＳｎ
めっき層またはＳｎ合金めっき層を形成する。ついで、
Ａｇイオンを含有するＳｎめっき浴またはＳｎ合金めっ
き浴、あるいはＡｇめっき浴を用いて電気めっきを行
い、Ａｇ3Ｓｎ（ε相）化合物を含有するＳｎめっき層
またはＳｎ合金めっき層を形成し、ここに、目的とする
表面層３’が得られる。
【００６３】そして、全体の電気めっきが終了したのち
に、得られた材料に加熱処理やリフロー処理を施すと、
各めっき層間では合金の各成分が相互拡散して、より密
着性の高い表面層３’に転化する。
に、得られた材料に加熱処理やリフロー処理を施すと、
各めっき層間では合金の各成分が相互拡散して、より密
着性の高い表面層３’に転化する。
【００６４】ii）の層構造を製造する場合には、ｉ）の
層構造の場合とは逆に、Ａｇイオンを含有するＳｎめっ
き浴またはＳｎ合金めっき浴、あるいはＡｇめっき浴で
下層部３’ｂを形成し、ついでその上に、Ａｇイオンを
含有しないＳｎめっき浴またはＳｎ合金めっき浴で上層
部３’ａを形成すればよい。そして、全体に加熱処理や
リフロー処理を施して各めっき層間で合金成分の相互拡
散を行わせることにより、目的とする表面層３’を形成
すればよい。
層構造の場合とは逆に、Ａｇイオンを含有するＳｎめっ
き浴またはＳｎ合金めっき浴、あるいはＡｇめっき浴で
下層部３’ｂを形成し、ついでその上に、Ａｇイオンを
含有しないＳｎめっき浴またはＳｎ合金めっき浴で上層
部３’ａを形成すればよい。そして、全体に加熱処理や
リフロー処理を施して各めっき層間で合金成分の相互拡
散を行わせることにより、目的とする表面層３’を形成
すればよい。
【００６５】上記したｉ）の層構造の場合、Ｓｎまたは
Ｓｎ合金層に貴なＡｇを含有するめっきを施すので、Ａ
ｇの置換析出による表面ムラに基づく変色が起こりやす
い。このようなことを考えると、層構造としてはii）の
層構造になっていることが好ましい。
Ｓｎ合金層に貴なＡｇを含有するめっきを施すので、Ａ
ｇの置換析出による表面ムラに基づく変色が起こりやす
い。このようなことを考えると、層構造としてはii）の
層構造になっていることが好ましい。
【００６６】
【実施例】実施例１〜１４，比較例１〜７ 厚み０.３５mmのタフピッチ銅板を、カソード脱脂槽，
酸洗槽，めっき槽に順次走行せしめて、第１の製造方法
により、表１、表２で示しためっき層が表面層３として
形成されている材料Ａの層構造を有する材料を製造し
た。
酸洗槽，めっき槽に順次走行せしめて、第１の製造方法
により、表１、表２で示しためっき層が表面層３として
形成されている材料Ａの層構造を有する材料を製造し
た。
【００６７】なお、Ａｇめっき浴としては、ダインシル
バーＡＧ−ＰＬ３０（商品名、大和化成（株）製）を用
い、Ｓｎ−Ａｇめっき浴としては、エバソルダ浴（商品
名、荏原ユージライト（株）製）を用いた。また、Ｃｕ
イオンを含有せしめてめっきする事例も行った。
バーＡＧ−ＰＬ３０（商品名、大和化成（株）製）を用
い、Ｓｎ−Ａｇめっき浴としては、エバソルダ浴（商品
名、荏原ユージライト（株）製）を用いた。また、Ｃｕ
イオンを含有せしめてめっきする事例も行った。
【００６８】各材料の一部については表１で示した条件
の加熱処理またはリフロー処理を行った。また、表面層
３に対しては、アノード溶解法を適用し、そのときの溶
解電位と溶解電気量からそれぞれの厚みを実測した。な
お、表面層の組成は、電子線マイクロアナライザのＺＡ
Ｆ補正法で定量分析した。そして、Ｘ線回折法により、
タフピッチ銅と表面層との界面におけるＣｕ3Ｓｎ（ε
相）層とＣｕ6Ｓｎ5（η’相）層の有無を観察した。
の加熱処理またはリフロー処理を行った。また、表面層
３に対しては、アノード溶解法を適用し、そのときの溶
解電位と溶解電気量からそれぞれの厚みを実測した。な
お、表面層の組成は、電子線マイクロアナライザのＺＡ
Ｆ補正法で定量分析した。そして、Ｘ線回折法により、
タフピッチ銅と表面層との界面におけるＣｕ3Ｓｎ（ε
相）層とＣｕ6Ｓｎ5（η’相）層の有無を観察した。
【００６９】得られた材料を２５mm角に切り出し、その
試片に、直径３mmの銅被覆鋼線をはんだで接合した。は
んだとしては、Ｓｎ−３７％Ｐｂの共晶はんだと、Ｓｎ
−３.５％Ａｇの共晶はんだの２種類をそれぞれ用い
た。また、はんだ接合部の大きさは直径６mmと一定にし
た。
試片に、直径３mmの銅被覆鋼線をはんだで接合した。は
んだとしては、Ｓｎ−３７％Ｐｂの共晶はんだと、Ｓｎ
−３.５％Ａｇの共晶はんだの２種類をそれぞれ用い
た。また、はんだ接合部の大きさは直径６mmと一定にし
た。
【００７０】ついで、室温下において、各試料と銅被覆
鋼線とのプル強度（Ｔ0）を測定した。そして、はんだ
接合材料を大気中において温度１５０℃で５００時間の
エージングを行って劣化促進処理を施し、そのときの各
試料と銅被覆鋼線とのプル強度（Ｔ1）を測定し、（Ｔ0
−Ｔ1）×１００／Ｔ0を算出してはんだ接合部における
接合強度の劣化率（％）とした。
鋼線とのプル強度（Ｔ0）を測定した。そして、はんだ
接合材料を大気中において温度１５０℃で５００時間の
エージングを行って劣化促進処理を施し、そのときの各
試料と銅被覆鋼線とのプル強度（Ｔ1）を測定し、（Ｔ0
−Ｔ1）×１００／Ｔ0を算出してはんだ接合部における
接合強度の劣化率（％）とした。
【００７１】以上の結果を一括して表１と表２に示し
た。
た。
【００７２】
【表１】
【００７３】
【表２】
【００７４】実施例１５〜２１ 表３で示した第１のめっき浴と第２のめっき浴をこの順
序で用いて、第２の製造方法により、実施例１〜１４で
用いたタフピッチ銅板の表面に表３で示した層構造のめ
っき層を形成した。そして、それら材料を用いて実施例
１〜１４と同様にしてはんだ接合材を製造し、接合強度
の劣化率を算出した。その結果を表３に示した。
序で用いて、第２の製造方法により、実施例１〜１４で
用いたタフピッチ銅板の表面に表３で示した層構造のめ
っき層を形成した。そして、それら材料を用いて実施例
１〜１４と同様にしてはんだ接合材を製造し、接合強度
の劣化率を算出した。その結果を表３に示した。
【００７５】
【表３】
【００７６】実施例２２〜３０，比較例８〜１１ 直径０.５mmの銅被覆鋼線とカソード脱脂槽，酸洗槽，
めっき槽に順次走行せしめて表４、表５で示した表面層
を形成した。なお、表４、表５中で示したＳｎ−Ｂｉめ
っき浴としては、ソフトアロイＬＭ（商品名、上村工業
（株）製）を用いた。
めっき槽に順次走行せしめて表４、表５で示した表面層
を形成した。なお、表４、表５中で示したＳｎ−Ｂｉめ
っき浴としては、ソフトアロイＬＭ（商品名、上村工業
（株）製）を用いた。
【００７７】ついで、直径１.２mmのスルーホールの周
囲に外径３mmのＣｕパッドが形成されているプリント回
路基板の前記スルーホールに各リード線を挿入し、フラ
ックスを塗布したのち、温度２５０℃のディップ式はん
だ槽にプリント回路基板を３秒間浸漬してから引き上
げ、そのまま自然放冷した。
囲に外径３mmのＣｕパッドが形成されているプリント回
路基板の前記スルーホールに各リード線を挿入し、フラ
ックスを塗布したのち、温度２５０℃のディップ式はん
だ槽にプリント回路基板を３秒間浸漬してから引き上
げ、そのまま自然放冷した。
【００７８】なお、はんだとしては、実施例１〜１４と
同じ２種類のものを用いた。
同じ２種類のものを用いた。
【００７９】この材料におけるＣｕパッドと銅被覆鋼線
との接合強度の劣化率を実施例１〜１４と同様に算出し
た。その結果を表４、表５に示した。
との接合強度の劣化率を実施例１〜１４と同様に算出し
た。その結果を表４、表５に示した。
【００８０】
【表４】
【００８１】
【表５】
【００８２】実施例３１ 実施例７〜９，実施例１７，２１および比較例１，４，
５の計８種類の材料各１０個につき、１００ｇ荷重を印
加した状態でＡｇプローブを用いた１０mAの通電条件下
における接触抵抗を測定した。また、各材料を大気中に
おいて温度１５０℃で１００時間保持する熱処理を施し
たのちの接触抵抗を同様にして測定した。その結果を平
均値で表６に示した。
５の計８種類の材料各１０個につき、１００ｇ荷重を印
加した状態でＡｇプローブを用いた１０mAの通電条件下
における接触抵抗を測定した。また、各材料を大気中に
おいて温度１５０℃で１００時間保持する熱処理を施し
たのちの接触抵抗を同様にして測定した。その結果を平
均値で表６に示した。
【００８３】
【表６】
【００８４】実施例３２ 厚み０.４mmの黄銅板（Ｃｕ−３０％Ｚｎ）に厚み０.３
μｍの光沢Ｃｕめっきを施した。
μｍの光沢Ｃｕめっきを施した。
【００８５】この黄銅板に、実施例１〜１０，実施例１
５〜１８，比較例６，７の各材料を製造したときと同様
の方法で表面層を形成した。
５〜１８，比較例６，７の各材料を製造したときと同様
の方法で表面層を形成した。
【００８６】ついで、得られた各材料を、温度１００
℃，相対湿度８０％の大気中に１００時間曝露したの
ち、大気中において温度５０℃の恒温槽に２０００時間
保持した。処理後の各材料の表面を顕微鏡で観察し、ウ
イスカーや隆起物発生の有無を調べた。結果を表７に示
した。表中、○印はウイスカーなどの発生なし、×印は
若干の発生有りを示す。
℃，相対湿度８０％の大気中に１００時間曝露したの
ち、大気中において温度５０℃の恒温槽に２０００時間
保持した。処理後の各材料の表面を顕微鏡で観察し、ウ
イスカーや隆起物発生の有無を調べた。結果を表７に示
した。表中、○印はウイスカーなどの発生なし、×印は
若干の発生有りを示す。
【００８７】
【表７】
【００８８】以上の結果から次のことが明らかである。
【００８９】（１）表１における各実施例と比較例４〜
７を対比して明らかなように、表面層にＡｇ3Ｓｎ（ε
相）化合物が含有されている材料は、はんだ接合部にお
ける接合強度の劣化率は小さく接合信頼性の高い材料に
なっている。
７を対比して明らかなように、表面層にＡｇ3Ｓｎ（ε
相）化合物が含有されている材料は、はんだ接合部にお
ける接合強度の劣化率は小さく接合信頼性の高い材料に
なっている。
【００９０】その場合、実施例１〜６で明らかなよう
に、表面層におけるＡｇ3Ｓｎ（ε相）化合物の含有量
が多くなるほど接合強度の劣化率は小さくなっている。
また、同じ実施例の中でも、表面層の厚みが薄いもの
は、その接合強度の劣化率が傾向として大きくなってお
り、厚いものは接合強度の劣化率は小さくなっている。
しかし、この厚みを厚くしすぎると効果は飽和状態に達
し経済的にも不利になるので、表面層の厚みは０.５〜
２０μｍに設定すべきである。
に、表面層におけるＡｇ3Ｓｎ（ε相）化合物の含有量
が多くなるほど接合強度の劣化率は小さくなっている。
また、同じ実施例の中でも、表面層の厚みが薄いもの
は、その接合強度の劣化率が傾向として大きくなってお
り、厚いものは接合強度の劣化率は小さくなっている。
しかし、この厚みを厚くしすぎると効果は飽和状態に達
し経済的にも不利になるので、表面層の厚みは０.５〜
２０μｍに設定すべきである。
【００９１】また、実施例１と実施例１２を対比して明
らかなように、表面層の厚みは同じであっても、実施例
１２のように表面層にＣｕを含有せしめると、接合強度
の劣化率が大幅に小さくなる。すなわち、Ｃｕを含有せ
しめることの有効性が明らかとなっている。しかしなが
ら、比較例３の場合のように、Ｃｕ含有量を３重量％以
上にすると、はんだ接合は不均一になってしまうため、
Ｃｕ含有量の上限は３重量％に規制することが好まし
い。
らかなように、表面層の厚みは同じであっても、実施例
１２のように表面層にＣｕを含有せしめると、接合強度
の劣化率が大幅に小さくなる。すなわち、Ｃｕを含有せ
しめることの有効性が明らかとなっている。しかしなが
ら、比較例３の場合のように、Ｃｕ含有量を３重量％以
上にすると、はんだ接合は不均一になってしまうため、
Ｃｕ含有量の上限は３重量％に規制することが好まし
い。
【００９２】（２）表３、表４、表５から明らかなよう
に、基体表面にＳｎ層とＳｎ−Ａｇ層から成る２層構造
のめっき層を表面層として形成した材料（実施例１５，
１６）も、接合強度の劣化率は小さくなっている。ま
た、基体表面に、Ｓｎ層とＡｇ層との２層構造のめっき
層を形成すると、ＳｎとＡｇが相互拡散して１層の表面
層となり、この場合も接合強度の劣化率は小さくなって
いる。また、めっき時にＣｕを含有せしめ、それにリフ
ロー処理を施しても１層構造の表面層が形成され、その
場合の接合強度の劣化率も小さくなっている。
に、基体表面にＳｎ層とＳｎ−Ａｇ層から成る２層構造
のめっき層を表面層として形成した材料（実施例１５，
１６）も、接合強度の劣化率は小さくなっている。ま
た、基体表面に、Ｓｎ層とＡｇ層との２層構造のめっき
層を形成すると、ＳｎとＡｇが相互拡散して１層の表面
層となり、この場合も接合強度の劣化率は小さくなって
いる。また、めっき時にＣｕを含有せしめ、それにリフ
ロー処理を施しても１層構造の表面層が形成され、その
場合の接合強度の劣化率も小さくなっている。
【００９３】（３）表６から明らかなように、表面層に
Ａｇ3Ｓｎ（ε相）化合物が含有されている材料は、加
熱エージングを行っても、その接触抵抗は１０ｍΩ未満
である。しかしながら、表面層にＡｇ3Ｓｎ（ε相）化
合物が含有されていても、その厚みが０.４μｍである
比較例１の材料の場合は、加熱劣化を起こしている。こ
のようなことから、表面層の厚みは０.５μｍ以上に設
定すべきことがわかる。
Ａｇ3Ｓｎ（ε相）化合物が含有されている材料は、加
熱エージングを行っても、その接触抵抗は１０ｍΩ未満
である。しかしながら、表面層にＡｇ3Ｓｎ（ε相）化
合物が含有されていても、その厚みが０.４μｍである
比較例１の材料の場合は、加熱劣化を起こしている。こ
のようなことから、表面層の厚みは０.５μｍ以上に設
定すべきことがわかる。
【００９４】（４）表７から明らかなように、表面層の
形成方法が異なっていても、表面層に所定量のＡｇ3Ｓ
ｎ（ε相）化合物が含有されている場合は、ウイスカー
ばかりではなく隆起物の発生も起こらず、高い耐ウイス
カー性を備えている。
形成方法が異なっていても、表面層に所定量のＡｇ3Ｓ
ｎ（ε相）化合物が含有されている場合は、ウイスカー
ばかりではなく隆起物の発生も起こらず、高い耐ウイス
カー性を備えている。
【００９５】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
材料は、Ｓｎ層またはＳｎ合金層にＰｂを含まないので
環境に悪影響を及ぼすことはなく、また、はんだ付けし
たときの接合部における接合強度の劣化は小さく、耐熱
性に優れた材料になっている。したがって、この材料
は、各種の電気・電子部品用の材料とりわけ半導体装置
に用いるリード材料や、端子，コネクタ，スイッチなど
のコンタクト材料、およびそれらを用いた電気・電子部
品としてもその工業的価値は大である。
材料は、Ｓｎ層またはＳｎ合金層にＰｂを含まないので
環境に悪影響を及ぼすことはなく、また、はんだ付けし
たときの接合部における接合強度の劣化は小さく、耐熱
性に優れた材料になっている。したがって、この材料
は、各種の電気・電子部品用の材料とりわけ半導体装置
に用いるリード材料や、端子，コネクタ，スイッチなど
のコンタクト材料、およびそれらを用いた電気・電子部
品としてもその工業的価値は大である。
【図１】本発明の材料Ａの層構造を示す断面図である。
【図２】本発明の別の材料Ｂの層構造を示す断面図であ
る。
る。
１ 基体 ２ 中間層 ２ａ Ｃｕ3Ｓｎ（ε相）層 ２ｂ Ｃｕ6Ｓｎ5（η’相）層 ３，３’ 表面層 ３’ａ 表面層３の上層部 ３’ｂ 表面層３の下層部
Claims (10)
- 【請求項１】 少なくとも表面がＣｕまたはＣｕ合金か
ら成る基体の前記表面に、Ｃｕ3Ｓｎ（ε相）層とＣｕ6
Ｓｎ5（η’相）層とがこの順序で積層されて成る中間
層を介して、いずれもＡｇ3Ｓｎ（ε相）化合物を含有
する厚み０.５〜２０μｍのＳｎ層またはＳｎ合金層か
ら成る表面層が形成されていることを特徴とする電気・
電子部品用材料。 - 【請求項２】 前記Ａｇ3Ｓｎ（ε相）化合物の含有量
が、Ａｇ換算量にして０.５〜５重量％である請求項１
の電気・電子部品用材料。 - 【請求項３】 前記表面層は、Ａｇ3Ｓｎ（ε相）化合
物を含有する厚み０.５〜５μｍの上層部とＡｇ3Ｓｎ
（ε相）化合物を含有しない下層部とから成る請求項１
の電気・電子部品用材料。 - 【請求項４】 前記Ｓｎ層またはＳｎ合金層には、更
に、Ｃｕが０.１〜３重量％含有されている請求項１の
電気・電子部品用材料。 - 【請求項５】 前記表面層がリフロー処理された層であ
る請求項１の電気・電子部品用材料。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれかの電気・電子部
品材料を用いたことを特徴とする電気・電子部品。 - 【請求項７】 いずれもＡｇイオンを０．２〜１０００
０ppm含有するＳｎめっき浴またはＳｎ合金めっき浴の
中で、少なくとも表面がＣｕまたはＣｕ合金から成る基
体に電気めっきを行うことを特徴とする電気・電子部品
用材料の製造方法。 - 【請求項８】 ａ：Ｓｎめっき浴またはＳｎ合金めっき
浴、ｂ：いずれもＡｇイオンを０．２〜１００００ppm
含有するＳｎめっき浴またはＳｎ合金めっき浴、ｃ：Ａ
ｇめっき浴の２種以上を用いて、少なくとも表面がＣｕ
またはＣｕ合金から成る基体に複層電気めっきを行うこ
とを特徴とする電気・電子部品用材料の製造方法。 - 【請求項９】 前記Ｓｎめっき浴もしくは前記Ｓｎ合金
めっき浴、またはＡｇめっき浴の一部または全部には、
更に、Ｃｕイオンが０.２〜５０ppm含有されている請求
項７または８の電気・電子部品用材料の製造方法。 - 【請求項１０】 前記電気めっきを施したのちの材料
に、更に加熱処理またはリフロー処理を施す請求項８の
電気・電子部品用材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15506098A JPH11350190A (ja) | 1998-06-03 | 1998-06-03 | 電気・電子部品用材料とその製造方法、その材料を用いた電気・電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15506098A JPH11350190A (ja) | 1998-06-03 | 1998-06-03 | 電気・電子部品用材料とその製造方法、その材料を用いた電気・電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11350190A true JPH11350190A (ja) | 1999-12-21 |
Family
ID=15597801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15506098A Pending JPH11350190A (ja) | 1998-06-03 | 1998-06-03 | 電気・電子部品用材料とその製造方法、その材料を用いた電気・電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11350190A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100691337B1 (ko) * | 2005-06-24 | 2007-03-12 | 주식회사 아큐텍반도체기술 | 국부 도금을 이용한 반도체 장치 제조용 리드 프레임 |
| JP2007520053A (ja) * | 2003-10-14 | 2007-07-19 | オリン コーポレイション | 耐フレッチング性及び耐ウィスカー性の被覆装置及び方法 |
| JP2010280946A (ja) * | 2009-06-04 | 2010-12-16 | Mitsubishi Shindoh Co Ltd | めっき付き銅条材及びその製造方法 |
| JP2011026677A (ja) * | 2009-07-28 | 2011-02-10 | Mitsubishi Shindoh Co Ltd | 導電部材及びその製造方法 |
| EP2351875A1 (en) * | 2009-01-20 | 2011-08-03 | Mitsubishi Shindoh Co., Ltd. | Conductive member and method for producing the same |
| JP2011176260A (ja) * | 2010-01-30 | 2011-09-08 | Mitsubishi Shindoh Co Ltd | Ｌｅｄチップとリードフレームとの接合方法 |
| JP2019080038A (ja) * | 2017-10-25 | 2019-05-23 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | インダクター |
| JP2019091927A (ja) * | 2017-03-02 | 2019-06-13 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 電子部品 |
| JP2021524543A (ja) * | 2018-05-23 | 2021-09-13 | アルビス シュトルベルグ ゲーエムベーハー アンド シーオー ケイジー | 電気接点を製造するための銅ストリップ、及び銅ストリップを製造する方法、及びプラグインコネクタ |
-
1998
- 1998-06-03 JP JP15506098A patent/JPH11350190A/ja active Pending
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007520053A (ja) * | 2003-10-14 | 2007-07-19 | オリン コーポレイション | 耐フレッチング性及び耐ウィスカー性の被覆装置及び方法 |
| US7391116B2 (en) | 2003-10-14 | 2008-06-24 | Gbc Metals, Llc | Fretting and whisker resistant coating system and method |
| US7808109B2 (en) | 2003-10-14 | 2010-10-05 | Gbc Metals, L.L.C. | Fretting and whisker resistant coating system and method |
| JP4708357B2 (ja) * | 2003-10-14 | 2011-06-22 | オリン コーポレイション | 耐フレッチング性及び耐ウィスカー性の被覆装置 |
| KR100691337B1 (ko) * | 2005-06-24 | 2007-03-12 | 주식회사 아큐텍반도체기술 | 국부 도금을 이용한 반도체 장치 제조용 리드 프레임 |
| EP2351875A4 (en) * | 2009-01-20 | 2014-12-24 | Mitsubishi Shindo Kk | CONDUCTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
| EP2351875A1 (en) * | 2009-01-20 | 2011-08-03 | Mitsubishi Shindoh Co., Ltd. | Conductive member and method for producing the same |
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| JP2019091927A (ja) * | 2017-03-02 | 2019-06-13 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 電子部品 |
| US11183325B2 (en) | 2017-03-02 | 2021-11-23 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Electronic component |
| US11817251B2 (en) | 2017-03-02 | 2023-11-14 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Electronic component |
| JP2019080038A (ja) * | 2017-10-25 | 2019-05-23 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | インダクター |
| JP2020047931A (ja) * | 2017-10-25 | 2020-03-26 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | インダクター |
| US11342110B2 (en) | 2017-10-25 | 2022-05-24 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Inductor |
| JP2021524543A (ja) * | 2018-05-23 | 2021-09-13 | アルビス シュトルベルグ ゲーエムベーハー アンド シーオー ケイジー | 電気接点を製造するための銅ストリップ、及び銅ストリップを製造する方法、及びプラグインコネクタ |
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