JP2000077593A - 半導体用リードフレーム - Google Patents
半導体用リードフレームInfo
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- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体用リードフレームの加熱後のはんだ付け
性、Ｗ／Ｂ性を優れたものにする。 【解決手段】銅合金から成るリードフレーム基材５上の
全面にニッケルめっき膜６、パラジウムめっき膜７、金
フラッシュめっき膜８を形成するリードフレームにおい
て、ニッケルめっき膜６とパラジウムめっき膜７の中間
にニッケル合金めっき膜９を形成し、４層構造めっきの
半導体用リードフレーム１とする。
性、Ｗ／Ｂ性を優れたものにする。 【解決手段】銅合金から成るリードフレーム基材５上の
全面にニッケルめっき膜６、パラジウムめっき膜７、金
フラッシュめっき膜８を形成するリードフレームにおい
て、ニッケルめっき膜６とパラジウムめっき膜７の中間
にニッケル合金めっき膜９を形成し、４層構造めっきの
半導体用リードフレーム１とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、電子部品
用材料として使用されるリードフレームに係わり、特に
下地層のニッケルめっき膜の上方にニッケル合金めっき
膜を有し、その上方にパラジウムめっき膜、更に、その
上方に金フラッシュめっき膜を有する半導体用リードフ
レームに関するものである。
用材料として使用されるリードフレームに係わり、特に
下地層のニッケルめっき膜の上方にニッケル合金めっき
膜を有し、その上方にパラジウムめっき膜、更に、その
上方に金フラッシュめっき膜を有する半導体用リードフ
レームに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のリードフレームの全体を、本発明
の実施例に係る図２を併用して示す。
の実施例に係る図２を併用して示す。
【０００３】一般にリードフレームを用いて半導体装置
を組み立てるには、半導体用リードフレーム１のインナ
ーリード２の先端に、半導体チップとのワイヤボンディ
ング性を良好にするために銀めっき層を設け、半導体用
チップ搭載部４上にチップをボンディングした後、チッ
プの電極とインナーリード部の先端の銀めっき層を、金
などの極細線でワイヤボンディング（Ｗ／Ｂ）する。こ
の後、モールド樹脂でモールドし、半導体パッケージを
プリント基板上に取り付ける時の接合性を良くするため
に、リードフレームの外枠部を切断した後、アウターリ
ード３にはんだめっき層を設けて完成品とする。
を組み立てるには、半導体用リードフレーム１のインナ
ーリード２の先端に、半導体チップとのワイヤボンディ
ング性を良好にするために銀めっき層を設け、半導体用
チップ搭載部４上にチップをボンディングした後、チッ
プの電極とインナーリード部の先端の銀めっき層を、金
などの極細線でワイヤボンディング（Ｗ／Ｂ）する。こ
の後、モールド樹脂でモールドし、半導体パッケージを
プリント基板上に取り付ける時の接合性を良くするため
に、リードフレームの外枠部を切断した後、アウターリ
ード３にはんだめっき層を設けて完成品とする。
【０００４】しかし、アウターリード３にはんだめっき
層を設けるには、組み立て後にアウターリード部をディ
ップする溶融めっき時の２００℃を超える加熱により、
熱衝撃を受けてレジンモールドにクラックが発生した
り、溶融めっき時に使用するフラックスにより半導体パ
ッケージやアウターリード部などが汚染され耐湿性が低
下したりして、半導体パッケージの信頼性を低下させる
原因となっている。
層を設けるには、組み立て後にアウターリード部をディ
ップする溶融めっき時の２００℃を超える加熱により、
熱衝撃を受けてレジンモールドにクラックが発生した
り、溶融めっき時に使用するフラックスにより半導体パ
ッケージやアウターリード部などが汚染され耐湿性が低
下したりして、半導体パッケージの信頼性を低下させる
原因となっている。
【０００５】このような問題を解決するために、最近、
リードフレーム製造の段階で、予めワイヤボンディング
（Ｗ／Ｂ）性、はんだ付け性の良いパラジウム（Ｐｄ）
を表面処理膜として設ける技術が検討されている。更
に、図３に示すように、ワイヤボンディング性、はんだ
付け性の向上を目的として、リードフレーム製造の段階
で、銅合金リードフレーム基板５上の第１層にニッケル
めっき膜６を設け、第２層にパラジウムめっき膜７、第
３層に金フラッシュめっき膜８を設ける３層構造のリー
ドフレームの検討がされている。３層めっき構造にする
ことにより、半導体パッケージの熱履歴によりめっき層
が酸化されることがなく、インナーリード部における金
線とのワイヤボンディング性及び樹脂モールド後のアウ
ターリード部とプリント基板とのはんだ接合性に優れて
いるという特徴を有する。
リードフレーム製造の段階で、予めワイヤボンディング
（Ｗ／Ｂ）性、はんだ付け性の良いパラジウム（Ｐｄ）
を表面処理膜として設ける技術が検討されている。更
に、図３に示すように、ワイヤボンディング性、はんだ
付け性の向上を目的として、リードフレーム製造の段階
で、銅合金リードフレーム基板５上の第１層にニッケル
めっき膜６を設け、第２層にパラジウムめっき膜７、第
３層に金フラッシュめっき膜８を設ける３層構造のリー
ドフレームの検討がされている。３層めっき構造にする
ことにより、半導体パッケージの熱履歴によりめっき層
が酸化されることがなく、インナーリード部における金
線とのワイヤボンディング性及び樹脂モールド後のアウ
ターリード部とプリント基板とのはんだ接合性に優れて
いるという特徴を有する。
【０００６】また、最近では環境保護の観点から、鉛レ
ス技術の検討が注目されており、従来アウターリードに
設けていたはんだめっきが使用できない可能性があり、
前述した３層めっき構造のリードフレームが注目されて
いる。即ち、はんだ付けの容易な金属であるパラジウム
（Ｐｄ）を予めリードフレームに付着形成させておくこ
とで、組み立て後のはんだ付着を不要にするとともに、
Ｐｂを含まない半導体装置とするものである。
ス技術の検討が注目されており、従来アウターリードに
設けていたはんだめっきが使用できない可能性があり、
前述した３層めっき構造のリードフレームが注目されて
いる。即ち、はんだ付けの容易な金属であるパラジウム
（Ｐｄ）を予めリードフレームに付着形成させておくこ
とで、組み立て後のはんだ付着を不要にするとともに、
Ｐｂを含まない半導体装置とするものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、過酷な
熱処理条件を受けると、リードフレームはその表面ある
いは下地層に酸化膜を形成し、はんだ付け性、ワイヤボ
ンディング性が低下する問題がある。
熱処理条件を受けると、リードフレームはその表面ある
いは下地層に酸化膜を形成し、はんだ付け性、ワイヤボ
ンディング性が低下する問題がある。
【０００８】本発明の目的は、上述した従来技術の問題
点を解消し、加熱後のはんだ付け性、ワイヤボンディン
グ性に優れた半導体用リードフレームを提供することに
ある。
点を解消し、加熱後のはんだ付け性、ワイヤボンディン
グ性に優れた半導体用リードフレームを提供することに
ある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、銅又は銅合金からなる基材上の全面にニ
ッケルめっき膜を設け、その上方にパラジウムめっき膜
を、更に、その上方に金フラッシュめっき膜を設けたリ
ードフレームにおいて、ニッケルめっき膜とパラジウム
めっき膜の中間にニッケル合金めっき膜を形成したもの
である（請求項１）。
め、本発明は、銅又は銅合金からなる基材上の全面にニ
ッケルめっき膜を設け、その上方にパラジウムめっき膜
を、更に、その上方に金フラッシュめっき膜を設けたリ
ードフレームにおいて、ニッケルめっき膜とパラジウム
めっき膜の中間にニッケル合金めっき膜を形成したもの
である（請求項１）。
【００１０】銅又は銅合金材から成るリードフレーム表
面にニッケルめっきを施し、その上にパラジウムめっ
き、更に、その上に金フラッシュめっきを設け、ニツケ
ルめっきとパラジウムめっきの中間にニッケル合金めっ
きを施すことで、過酷な熱履歴による下地層のニッケル
の酸化が抑えられ、熱処理後のはんだ付け性、ワイヤボ
ンディング（Ｗ／Ｂ）性が向上する。また、本発明の中
間のニッケル合金めっき膜はニッケルめっき膜より硬い
ため、ワイヤボンディング時の荷重や超音波力が吸収さ
れずに、良好なボンディング性を持つ。
面にニッケルめっきを施し、その上にパラジウムめっ
き、更に、その上に金フラッシュめっきを設け、ニツケ
ルめっきとパラジウムめっきの中間にニッケル合金めっ
きを施すことで、過酷な熱履歴による下地層のニッケル
の酸化が抑えられ、熱処理後のはんだ付け性、ワイヤボ
ンディング（Ｗ／Ｂ）性が向上する。また、本発明の中
間のニッケル合金めっき膜はニッケルめっき膜より硬い
ため、ワイヤボンディング時の荷重や超音波力が吸収さ
れずに、良好なボンディング性を持つ。
【００１１】本発明の半導体用リードフレームにおいて
は、ニッケル合金めっき膜の膜厚が０．０５〜０．２μ
ｍとなるようにニッケルめっき膜、パラジウムめっき
膜、金フラッシュめっき膜との複合膜を形成することが
好ましい（請求項２）。
は、ニッケル合金めっき膜の膜厚が０．０５〜０．２μ
ｍとなるようにニッケルめっき膜、パラジウムめっき
膜、金フラッシュめっき膜との複合膜を形成することが
好ましい（請求項２）。
【００１２】これは熱処理後の下地ニッケルめっき膜の
耐酸化性を向上させるのが目的であるから、０．０５μ
ｍ未満だと薄すぎてその効果が小さく、また、０．２μ
ｍを越えると厚すぎて曲げ加工時にクラックが入り好ま
しくないためである。
耐酸化性を向上させるのが目的であるから、０．０５μ
ｍ未満だと薄すぎてその効果が小さく、また、０．２μ
ｍを越えると厚すぎて曲げ加工時にクラックが入り好ま
しくないためである。
【００１３】上記ニッケル合金めっきは、ニッケル−リ
ン、ニッケル−コバルト、ニッケル−ボロン、ニッケル
−スズ、ニッケル−モリブデン、ニッケル−タングステ
ン、ニッケル−パラジウムのいずれか一つを含むとよい
（請求項３）。
ン、ニッケル−コバルト、ニッケル−ボロン、ニッケル
−スズ、ニッケル−モリブデン、ニッケル−タングステ
ン、ニッケル−パラジウムのいずれか一つを含むとよい
（請求項３）。
【００１４】また、本発明においては、上記ニッケル合
金めっき膜の上面に施したパラジウムめっき膜の膜厚を
０．０５〜０．２μｍとし、金フラッシュめっき膜の膜
厚を０．００２〜０．０２μｍとするのが好ましい（請
求項４）。
金めっき膜の上面に施したパラジウムめっき膜の膜厚を
０．０５〜０．２μｍとし、金フラッシュめっき膜の膜
厚を０．００２〜０．０２μｍとするのが好ましい（請
求項４）。
【００１５】パラジウムめっき膜の膜厚を０．０５μｍ
以上、０．２μｍ以下とする理由は、パラジウムめっき
膜は下地ニッケルめっき膜の酸化防止皮膜として施すも
のであるから、０．０５μｍ未満だとその効果が小さ
く、また、０．２μｍを越えると高コストとなり好まし
くないためである。
以上、０．２μｍ以下とする理由は、パラジウムめっき
膜は下地ニッケルめっき膜の酸化防止皮膜として施すも
のであるから、０．０５μｍ未満だとその効果が小さ
く、また、０．２μｍを越えると高コストとなり好まし
くないためである。
【００１６】また、金フラッシュめっき膜の膜厚を０．
００２μｍ以上、０．０２μｍ以下とする理由は、金フ
ラッシュめっき膜は熱処理後の耐酸化性を向上させるた
めに施すものであるから、０．００２μｍ以下だとその
効果が小さく、また、０．０２μｍ以上だとモールド時
の樹脂密着強度低下の要因となるので好ましくないため
である。
００２μｍ以上、０．０２μｍ以下とする理由は、金フ
ラッシュめっき膜は熱処理後の耐酸化性を向上させるた
めに施すものであるから、０．００２μｍ以下だとその
効果が小さく、また、０．０２μｍ以上だとモールド時
の樹脂密着強度低下の要因となるので好ましくないため
である。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を説明す
る。
る。
【００１８】図２の半導体用リードフレーム１におい
て、２はインナーリード、３はアウターリード、４は半
導体用チップ搭載部である。
て、２はインナーリード、３はアウターリード、４は半
導体用チップ搭載部である。
【００１９】この半導体用リードフレーム１は、図１に
示すように、リードフレーム基材（銅又は銅合金からな
る導体）５上に全面にニッケルめっき膜６を施した上
に、ニッケル合金めっき膜９を施し、その上方にパラジ
ウムめっき膜７を施し、更に、その上方に金フラッシュ
めっき膜８を施したものから成る。
示すように、リードフレーム基材（銅又は銅合金からな
る導体）５上に全面にニッケルめっき膜６を施した上
に、ニッケル合金めっき膜９を施し、その上方にパラジ
ウムめっき膜７を施し、更に、その上方に金フラッシュ
めっき膜８を施したものから成る。
【００２０】このように、半導体用リードフレーム１の
銅又は銅合金からなるリードフレーム基材５上の全面
に、ニッケルめっき膜６、パラジウムめっき膜７、金フ
ラッシュめっき膜８を有する半導体用リードフレームに
おいて、ニッケルめっき膜６とパラジウムめっき膜７の
中間にニッケル合金めっき膜９を形成することにより、
加熱後のはんだ付け性、Ｗ／Ｂ性が向上する。
銅又は銅合金からなるリードフレーム基材５上の全面
に、ニッケルめっき膜６、パラジウムめっき膜７、金フ
ラッシュめっき膜８を有する半導体用リードフレームに
おいて、ニッケルめっき膜６とパラジウムめっき膜７の
中間にニッケル合金めっき膜９を形成することにより、
加熱後のはんだ付け性、Ｗ／Ｂ性が向上する。
【００２１】ここで、下地ニッケルめっき膜６の厚さは
０．５〜２μｍとする。ニッケルめっき膜６は銅合金素
材の酸化防止皮膜として施すものであるから、０．５μ
ｍ以下だと薄すぎてその効果が小さい。また、２μｍ以
上だと曲げ加工時にクラックが入り、耐食性を低下させ
る要因となる。
０．５〜２μｍとする。ニッケルめっき膜６は銅合金素
材の酸化防止皮膜として施すものであるから、０．５μ
ｍ以下だと薄すぎてその効果が小さい。また、２μｍ以
上だと曲げ加工時にクラックが入り、耐食性を低下させ
る要因となる。
【００２２】また、ニッケル合金めっき膜９の厚さは
０．０５〜０．２μｍとする。これは熱処理後の下地ニ
ッケルめっき膜６の耐酸化性を向上させるのが目的であ
るから、０．０５μｍ以下だと薄すぎてその効果が小さ
く、また、０．２μｍ以上だと厚すぎて曲げ加工時にク
ラックが入り好ましくないためである。
０．０５〜０．２μｍとする。これは熱処理後の下地ニ
ッケルめっき膜６の耐酸化性を向上させるのが目的であ
るから、０．０５μｍ以下だと薄すぎてその効果が小さ
く、また、０．２μｍ以上だと厚すぎて曲げ加工時にク
ラックが入り好ましくないためである。
【００２３】ニッケルとパラジウムの中間層に施すニッ
ケル合金めっき膜９は、ニッケル−リン、ニッケル−コ
バルト、ニッケル−ボロン、ニッケル−スズ、ニッケル
−モリブデン、ニッケル−タングステン、ニッケル−パ
ラジウムのいずれか一つを含むものを用いる。
ケル合金めっき膜９は、ニッケル−リン、ニッケル−コ
バルト、ニッケル−ボロン、ニッケル−スズ、ニッケル
−モリブデン、ニッケル−タングステン、ニッケル−パ
ラジウムのいずれか一つを含むものを用いる。
【００２４】パラジウムめっき膜７の厚さは０．０５〜
０．２μｍとする。パラジウムめっき膜は下地ニッケル
めっき膜の酸化防止皮膜として施すものであるから、
０．０５μｍ以下だとその効果が小さい。また、０．２
μｍ以上だと高コストとなり好ましくない。
０．２μｍとする。パラジウムめっき膜は下地ニッケル
めっき膜の酸化防止皮膜として施すものであるから、
０．０５μｍ以下だとその効果が小さい。また、０．２
μｍ以上だと高コストとなり好ましくない。
【００２５】金フラッシュめっき膜８の厚さは０．００
２〜０．０２μｍとする。これは熱処理後の耐酸化性を
向上させるために施すものであるから、０．００２μｍ
以下だとその効果が小さい。また、０．０２μｍ以上だ
とモールド時の樹脂密着強度低下の要因となるので好ま
しくない。
２〜０．０２μｍとする。これは熱処理後の耐酸化性を
向上させるために施すものであるから、０．００２μｍ
以下だとその効果が小さい。また、０．０２μｍ以上だ
とモールド時の樹脂密着強度低下の要因となるので好ま
しくない。
【００２６】
【実施例】（実施例１〜４）本発明の実施例１として、
断面を図１に示すように、銅合金リードフレーム基材５
上に、電解法により第１層（最下層）として所定のニッ
ケルめっき膜６を０．５μｍ施した後に、電解法でその
上方に第２層としてニッケル合金めっき膜９を施し、そ
の上方に第３層としてパラジウムめっき膜７を０．１μ
ｍ、更に、その上方に第４層（最外層）として金フラッ
シュめっき膜８を０．００５μｍ施した。
断面を図１に示すように、銅合金リードフレーム基材５
上に、電解法により第１層（最下層）として所定のニッ
ケルめっき膜６を０．５μｍ施した後に、電解法でその
上方に第２層としてニッケル合金めっき膜９を施し、そ
の上方に第３層としてパラジウムめっき膜７を０．１μ
ｍ、更に、その上方に第４層（最外層）として金フラッ
シュめっき膜８を０．００５μｍ施した。
【００２７】ここで、第３層のニッケル合金めっき膜９
にはニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）合金めっきを用いた。
同様に、第３層のニッケル合金めっき膜９に、ニッケル
−ボロン（Ｎｉ−Ｂ）、ニッケル−パラジウム（Ｎｉ−
Ｐｄ）、ニッケル−スズ（Ｎｉ−Ｓｎ）合金めっきを用
い、実施例２、実施例３、実施例４とした。
にはニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）合金めっきを用いた。
同様に、第３層のニッケル合金めっき膜９に、ニッケル
−ボロン（Ｎｉ−Ｂ）、ニッケル−パラジウム（Ｎｉ−
Ｐｄ）、ニッケル−スズ（Ｎｉ−Ｓｎ）合金めっきを用
い、実施例２、実施例３、実施例４とした。
【００２８】比較例１として、脱脂、酸洗の前処理を施
した後に、銅合金リードフレーム基材５上に電解法によ
り所定のニッケルめっき膜６を１μｍ施した後に、電解
法でその上方にパラジウムめっき膜７を０．１μｍ、更
に、その上方に金フラッシュめっき膜８を０．００５μ
ｍ施した。この比較例１のリードフレームの断面もニッ
ケル合金被膜９がないだけでほぼ図１に示す通りであ
る。
した後に、銅合金リードフレーム基材５上に電解法によ
り所定のニッケルめっき膜６を１μｍ施した後に、電解
法でその上方にパラジウムめっき膜７を０．１μｍ、更
に、その上方に金フラッシュめっき膜８を０．００５μ
ｍ施した。この比較例１のリードフレームの断面もニッ
ケル合金被膜９がないだけでほぼ図１に示す通りであ
る。
【００２９】上記手法で作製した実施例１〜４と比較例
１のリードフレームを、３００℃、３２０℃、３４０
℃、３６０℃×３０ｍｉｎ加熱し、加熱後のはんだ付け
性、Ｗ／Ｂ性を評価した。評価結果を表１に示す。
１のリードフレームを、３００℃、３２０℃、３４０
℃、３６０℃×３０ｍｉｎ加熱し、加熱後のはんだ付け
性、Ｗ／Ｂ性を評価した。評価結果を表１に示す。
【００３０】
【表１】
【００３１】上記のはんだ付け性はメニスコグラフ法に
より、はんだ濡れ時間（ゼロクロスタイム）を測定し
た。試験装置はタムラ製作所製ソルダーグラフを用い
た。試験条件は浸漬速度：２mm／ｓ、浸漬深さ：２mm、
浸漬時間：５ｓ、はんだ浴温度＝２３５℃、はんだ浴組
成：６０Ｓｎ−Ｐｂ、測定数：ｎ＝５、フラックスレス
とした。
より、はんだ濡れ時間（ゼロクロスタイム）を測定し
た。試験装置はタムラ製作所製ソルダーグラフを用い
た。試験条件は浸漬速度：２mm／ｓ、浸漬深さ：２mm、
浸漬時間：５ｓ、はんだ浴温度＝２３５℃、はんだ浴組
成：６０Ｓｎ−Ｐｂ、測定数：ｎ＝５、フラックスレス
とした。
【００３２】また、ワイヤーボンディング（Ｗ／Ｂ）装
置は日立東エレ製、ＷＡ−５００を用いた。Ｗ／Ｂ条件
はステージ温度：２２０℃、ボンディング荷重：１ｓｔ
１００ｇｆ、２ｎｄ １００ｇｆ、超音波出力：１ｓ
ｔ ９０ｂｉｔ ２ｎｄ １７０ｂｉｔ、発振時間：１
ｓｔ ２５ｍｓ、２ｎｄ ２５ｍｓとした。
置は日立東エレ製、ＷＡ−５００を用いた。Ｗ／Ｂ条件
はステージ温度：２２０℃、ボンディング荷重：１ｓｔ
１００ｇｆ、２ｎｄ １００ｇｆ、超音波出力：１ｓ
ｔ ９０ｂｉｔ ２ｎｄ １７０ｂｉｔ、発振時間：１
ｓｔ ２５ｍｓ、２ｎｄ ２５ｍｓとした。
【００３３】表１から分かるように、３００℃、３２０
℃、３４０℃の各温度で加熱した後のはんだ濡れ時間
は、従来の比較例１では３００℃でゼロクロスタイムが
１．０〜１．２ｓ、また、３２０℃、３４０℃でそれぞ
れゼロクロスタイムが５ｓと長いのに対し、本発明の実
施例１〜４では、３００℃、３２０℃、３４０℃の各温
度でゼロクロスタイムが０．２〜１．２４ｓと短く、良
好なはんだ付け性とＷ／Ｂ性を得た。
℃、３４０℃の各温度で加熱した後のはんだ濡れ時間
は、従来の比較例１では３００℃でゼロクロスタイムが
１．０〜１．２ｓ、また、３２０℃、３４０℃でそれぞ
れゼロクロスタイムが５ｓと長いのに対し、本発明の実
施例１〜４では、３００℃、３２０℃、３４０℃の各温
度でゼロクロスタイムが０．２〜１．２４ｓと短く、良
好なはんだ付け性とＷ／Ｂ性を得た。
【００３４】次に、ワイヤーボンディング後、金線の破
断強度を測定した。評価結果を表２に示す。
断強度を測定した。評価結果を表２に示す。
【００３５】
【表２】
【００３６】表２から分かるように、比較例１では温度
が３４０℃を越えると破断強度が低下する傾向を示すの
に対し、実施例１〜４では破断強度の低下は見られなか
った。
が３４０℃を越えると破断強度が低下する傾向を示すの
に対し、実施例１〜４では破断強度の低下は見られなか
った。
【００３７】上記表１及び表２の評価結果から、比較例
１に比ベ、ニッケル合金めっきをニッケルめっき膜とパ
ラジウムめっき膜の中間に施すことで、熱処理後も優れ
たはんだ付け性、Ｗ／Ｂ性を示すことが確認された。
１に比ベ、ニッケル合金めっきをニッケルめっき膜とパ
ラジウムめっき膜の中間に施すことで、熱処理後も優れ
たはんだ付け性、Ｗ／Ｂ性を示すことが確認された。
【００３８】（実施例５〜６）本発明の実施例５〜６と
して、実施例１〜４と同様に、銅合金リードフレーム基
材５上に、電解法により第１層として所定のニッケルめ
っき膜６を０．５μｍ形成した後に、電解法でその上方
に第２層のニッケル合金めっき膜９としてニッケル−リ
ン合金めっき膜を形成し、その上方に第３層としてパラ
ジウムめっき膜７を０．１μｍ形成し、更に、その上方
に第４層として金フラッシュめっき膜８を０．００５μ
ｍ形成したリードフレームを作製した。
して、実施例１〜４と同様に、銅合金リードフレーム基
材５上に、電解法により第１層として所定のニッケルめ
っき膜６を０．５μｍ形成した後に、電解法でその上方
に第２層のニッケル合金めっき膜９としてニッケル−リ
ン合金めっき膜を形成し、その上方に第３層としてパラ
ジウムめっき膜７を０．１μｍ形成し、更に、その上方
に第４層として金フラッシュめっき膜８を０．００５μ
ｍ形成したリードフレームを作製した。
【００３９】ここで、ニッケル合金めっき膜９たるニッ
ケル−リン合金めっき膜の厚さを０．０５μｍ、０．１
μｍ、０．２μｍとし、それぞれを実施例５、実施例
６、実施例７とした。また、比較例２、３として、ニッ
ケル−リン合金めっき膜（ニッケル合金めっき膜９）の
厚さが０．０３μｍ、０．３μｍのものを試作した。
ケル−リン合金めっき膜の厚さを０．０５μｍ、０．１
μｍ、０．２μｍとし、それぞれを実施例５、実施例
６、実施例７とした。また、比較例２、３として、ニッ
ケル−リン合金めっき膜（ニッケル合金めっき膜９）の
厚さが０．０３μｍ、０．３μｍのものを試作した。
【００４０】これら実施例５〜７及び比較例１〜３につ
いて、上記実施例１〜４の場合と同様に、３２０℃×３
０ｍｉｎ加熱後のはんだ付け性、Ｗ／Ｂ性を評価した。
いて、上記実施例１〜４の場合と同様に、３２０℃×３
０ｍｉｎ加熱後のはんだ付け性、Ｗ／Ｂ性を評価した。
【００４１】また、切断成形後のアウターリード折り曲
げ部の観察を行い、クラックの有無を観察した。評価
は、クラック無し：○、クラック有：×とした。それら
の結果を表３に示す。
げ部の観察を行い、クラックの有無を観察した。評価
は、クラック無し：○、クラック有：×とした。それら
の結果を表３に示す。
【００４２】
【表３】
【００４３】表３から分かるように、実施例５〜７はＷ
／Ｂ強度、はんだ付け性、曲げ加工性とも良好であっ
た。これに対し、比較例１、２のものは曲げ加工性が良
好であり、クラックの発生はみられなかったが、はんだ
付け性が悪く、また、比較例３のものははんだ付け性は
良好であったが、曲げ加工性が悪くクラックの発生がみ
られた。なお、実施例５〜７の場合もＷ／Ｂ強度は従来
と同じであった。
／Ｂ強度、はんだ付け性、曲げ加工性とも良好であっ
た。これに対し、比較例１、２のものは曲げ加工性が良
好であり、クラックの発生はみられなかったが、はんだ
付け性が悪く、また、比較例３のものははんだ付け性は
良好であったが、曲げ加工性が悪くクラックの発生がみ
られた。なお、実施例５〜７の場合もＷ／Ｂ強度は従来
と同じであった。
【００４４】この表３の評価結果から、ニッケル−リン
合金めっき膜の厚さは０．０５〜０．２μｍの範囲で良
好な特性が得られた。
合金めっき膜の厚さは０．０５〜０．２μｍの範囲で良
好な特性が得られた。
【００４５】（他の実施例）ニッケル合金めっき膜９に
ニッケル−モリブデンめっき膜を用いた場合についても
実施例１〜７と同様な評価を行った。その結果、良好な
Ｗ／Ｂ性、はんだ付け性を示すことを確認した。
ニッケル−モリブデンめっき膜を用いた場合についても
実施例１〜７と同様な評価を行った。その結果、良好な
Ｗ／Ｂ性、はんだ付け性を示すことを確認した。
【００４６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ニ
ッケルめっき膜とパラジウムめっき膜の中間にニッケル
合金めっきを施すことで、熱処理後も良好なはんだ付け
性と、Ｗ／Ｂ性に優れた半導体用リードフレームが得ら
れる。本発明によれば、次のような優れた効果が得られ
る。
ッケルめっき膜とパラジウムめっき膜の中間にニッケル
合金めっきを施すことで、熱処理後も良好なはんだ付け
性と、Ｗ／Ｂ性に優れた半導体用リードフレームが得ら
れる。本発明によれば、次のような優れた効果が得られ
る。
【図１】本発明を適用した図２の半導体用リードフレー
ムのＡ−Ａ部の一部断面図である。
ムのＡ−Ａ部の一部断面図である。
【図２】本発明を適用した半導体用リードフレームの全
体図である。
体図である。
【図３】従来構造の半導体用リードフレームの断面図で
ある。
ある。
１ 半導体用リードフレーム ２ インナーリード ３ アウターリード ４ 半導体用チップ搭載部 ５ リードフレーム基材 ６ ニッケルめっき膜 ７ パラジウムめっき膜 ８ 金フラッシュめっき膜 ９ ニッケル合金めっき膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 友部 政勝 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社システムマテリアル研究所内 Ｆターム(参考） 4K024 AA03 AA11 AA12 AA15 AB04 BA09 BB13 GA04 GA14 5F067 DC19 DC20 EA04
Claims (4)
- 【請求項１】銅又は銅合金からなる基材上の全面にニッ
ケルめっき膜を設け、その上方にパラジウムめっき膜
を、更に、その上方に金フラッシュめっき膜を設けたリ
ードフレームにおいて、ニッケルめっき膜とパラジウム
めっき膜の中間にニッケル合金めっき膜を形成したこと
を特徴とする半導体用リードフレーム。 - 【請求項２】請求項１記載の半導体用リードフレームに
おいて、ニッケル合金めっき膜の膜厚が０．０５〜０．
２μｍとなるようにニッケルめっき膜、パラジウムめっ
き膜、金フラッシュめっき膜との複合膜を形成したこと
を特徴とする半導体用リードフレーム。 - 【請求項３】請求項１又は２記載の半導体用リードフレ
ームにおいて、上記ニッケル合金めっき膜は、ニッケル
−リン、ニッケル−コバルト、ニッケル−ボロン、ニッ
ケル−スズ、ニッケル−モリブデン、ニッケル−タング
ステン、ニッケル−パラジウムのいずれか一つを含むこ
とを特徴とする半導体用リードフレーム。 - 【請求項４】請求項１、２又は３記載の半導体用リード
フレームにおいて、上記ニッケル合金めっき膜の上面に
施したパラジウムめっき膜の膜厚を０．０５〜０．２μ
ｍとし、金フラッシュめっき膜の膜厚を０．００２〜
０．０２μｍとしたことを特徴とする半導体用リードフ
レーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24145798A JP2000077593A (ja) | 1998-08-27 | 1998-08-27 | 半導体用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24145798A JP2000077593A (ja) | 1998-08-27 | 1998-08-27 | 半導体用リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000077593A true JP2000077593A (ja) | 2000-03-14 |
Family
ID=17074606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24145798A Pending JP2000077593A (ja) | 1998-08-27 | 1998-08-27 | 半導体用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000077593A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001342593A (ja) * | 2000-06-01 | 2001-12-14 | Tsuneki Mekki Kogyo Kk | 接点部材及びその製造方法 |
| JP2005311353A (ja) * | 2004-04-16 | 2005-11-04 | Samsung Techwin Co Ltd | リードフレーム及びその製造方法 |
| US7148085B2 (en) * | 1999-03-19 | 2006-12-12 | Texas Instruments Incorporated | Gold spot plated leadframes for semiconductor devices and method of fabrication |
| KR100691338B1 (ko) | 2005-04-12 | 2007-03-12 | 주식회사 아큐텍반도체기술 | 반도체장치 제조용 리드프레임 |
| JP2007070730A (ja) * | 2005-09-07 | 2007-03-22 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 金属デュプレックス及び方法 |
| JP2008270512A (ja) * | 2007-04-20 | 2008-11-06 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2009177215A (ja) * | 2009-05-13 | 2009-08-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2014086685A (ja) * | 2012-10-26 | 2014-05-12 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 半導体素子搭載用基板及びその製造方法 |
| JP2014086686A (ja) * | 2012-10-26 | 2014-05-12 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 半導体素子搭載用基板 |
| JP7061247B1 (ja) * | 2020-12-28 | 2022-04-28 | 松田産業株式会社 | ニッケル電解めっき皮膜及びめっき構造体 |
-
1998
- 1998-08-27 JP JP24145798A patent/JP2000077593A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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