JP2001200323A - 電子部品用リード材料および前記リード材料を用いた電子部品 - Google Patents
電子部品用リード材料および前記リード材料を用いた電子部品Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半田付け接合強度に優れ、加熱工程で変色し
たり半田濡れ性が低下したりしない、Ｓｎ合金を溶融め
っきした電子部品用リード材料を提供する。 【解決手段】 導電性基体上にＳｎ合金を溶融めっきし
た電子部品用リード材料において、前記Ｓｎ合金が、Ｃ
ｕを０．２〜５wt％含有し、さらにＺｎを０．００１〜
５wt％または／およびＩｎを０．００１〜５wt％含有
し、残部がＳｎおよび不可避不純物からなる電子部品用
リード材料。 【効果】 Ｓｎ合金が溶融めっき法によりめっきされて
いるのでウイスカーが発生しない。また前記Ｓｎ合金は
Ｐｂが含有されていないので環境を汚染することがな
く、Ｃｕが適量含有されているので半田付け接合強度に
優れ、Ｚｎまたは／およびＩｎが適量含有されているの
で電子部品を組立てる際の加熱工程で変色が生じない。
たり半田濡れ性が低下したりしない、Ｓｎ合金を溶融め
っきした電子部品用リード材料を提供する。 【解決手段】 導電性基体上にＳｎ合金を溶融めっきし
た電子部品用リード材料において、前記Ｓｎ合金が、Ｃ
ｕを０．２〜５wt％含有し、さらにＺｎを０．００１〜
５wt％または／およびＩｎを０．００１〜５wt％含有
し、残部がＳｎおよび不可避不純物からなる電子部品用
リード材料。 【効果】 Ｓｎ合金が溶融めっき法によりめっきされて
いるのでウイスカーが発生しない。また前記Ｓｎ合金は
Ｐｂが含有されていないので環境を汚染することがな
く、Ｃｕが適量含有されているので半田付け接合強度に
優れ、Ｚｎまたは／およびＩｎが適量含有されているの
で電子部品を組立てる際の加熱工程で変色が生じない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、コンデンサやスイ
ッチ接点のリード線やリード部、半導体パッケージの外
装リード部などに好適な、導電性基体上にＳｎ合金を溶
融めっきした電子部品用リード材料及び前記リード材料
を用いた電子部品に関する。
ッチ接点のリード線やリード部、半導体パッケージの外
装リード部などに好適な、導電性基体上にＳｎ合金を溶
融めっきした電子部品用リード材料及び前記リード材料
を用いた電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】導電性基体上にＳｎやＳｎ合金をめっき
したリード材料は電子部品などに多用されている。そし
て、このようなリード材料のＳｎやＳｎ合金のめっきに
は、光沢電気めっき法、リフローめっき法、溶融めっき
法などが採用されてきた。前記光沢電気めっき法は薄め
っきでの膜厚制御が容易であるが、めっき材料がＳｎの
場合はウイスカーが発生して短絡事故が起き易いという
問題がある。このためウイスカーが発生せず、しかも半
田付け接合強度や半田濡れ性に優れるＳｎ−Ｐｂ合金が
用いられてきた。しかし、このＳｎ−Ｐｂ合金もＰｂが
環境を汚染するため使用できなくなった。そこで、Ｓｎ
−Ｃｕ合金やＳｎ−Ｃｕ−Ａｇ合金が提案されたが、こ
れらの合金はＳｎめっきよりウイスカーが発生し易いと
の報告もあり実用化が懸念されている。
したリード材料は電子部品などに多用されている。そし
て、このようなリード材料のＳｎやＳｎ合金のめっきに
は、光沢電気めっき法、リフローめっき法、溶融めっき
法などが採用されてきた。前記光沢電気めっき法は薄め
っきでの膜厚制御が容易であるが、めっき材料がＳｎの
場合はウイスカーが発生して短絡事故が起き易いという
問題がある。このためウイスカーが発生せず、しかも半
田付け接合強度や半田濡れ性に優れるＳｎ−Ｐｂ合金が
用いられてきた。しかし、このＳｎ−Ｐｂ合金もＰｂが
環境を汚染するため使用できなくなった。そこで、Ｓｎ
−Ｃｕ合金やＳｎ−Ｃｕ−Ａｇ合金が提案されたが、こ
れらの合金はＳｎめっきよりウイスカーが発生し易いと
の報告もあり実用化が懸念されている。
【０００３】一方、リフローめっき法は電気めっき材の
表層を融解し内部ひずみを緩和してウイスカーの発生を
抑えるとともに、表面に光沢を持たせたものであるが、
リフロー加熱中に溶けたＳｎが流動してめっき厚さが不
均一になるため厚めっきには適さない。他方、溶融めっ
き法は、ウイスカーが発生せず、光沢面が得られ、合金
めっきが比較的容易であり、且つ厚めっきでのコストが
安いといった多くの利点を有する。
表層を融解し内部ひずみを緩和してウイスカーの発生を
抑えるとともに、表面に光沢を持たせたものであるが、
リフロー加熱中に溶けたＳｎが流動してめっき厚さが不
均一になるため厚めっきには適さない。他方、溶融めっ
き法は、ウイスカーが発生せず、光沢面が得られ、合金
めっきが比較的容易であり、且つ厚めっきでのコストが
安いといった多くの利点を有する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、リード材の
めっき層にＳｎ−Ｃｕ合金やＳｎ−Ｃｕ−Ａｇ合金など
を用いた場合は、電子部品に組立てる際の加熱工程でめ
っき層が酸化して、変色並びに半田濡れ性が低下すると
いう問題がある。そこで、本発明者等は、前記めっき合
金の改良について研究を行い、前記めっき合金にＺｎや
Ｉｎを添加すると変色や半田濡れ性などが改善されるこ
とを知見し、さらに前記めっき合金を、利点の多い溶融
めっき法に用いる場合について研究を進めて本発明を完
成させるに至った。本発明は、半田付け接合強度が従来
のＳｎ−Ｐｂ合金と同等であり、かつ加熱工程で変色が
生じたり半田濡れ性が低下したりしない、Ｓｎ合金を溶
融めっきした電子部品用リード材料および前記材料を用
いた電子部品の提供を目的とする。
めっき層にＳｎ−Ｃｕ合金やＳｎ−Ｃｕ−Ａｇ合金など
を用いた場合は、電子部品に組立てる際の加熱工程でめ
っき層が酸化して、変色並びに半田濡れ性が低下すると
いう問題がある。そこで、本発明者等は、前記めっき合
金の改良について研究を行い、前記めっき合金にＺｎや
Ｉｎを添加すると変色や半田濡れ性などが改善されるこ
とを知見し、さらに前記めっき合金を、利点の多い溶融
めっき法に用いる場合について研究を進めて本発明を完
成させるに至った。本発明は、半田付け接合強度が従来
のＳｎ−Ｐｂ合金と同等であり、かつ加熱工程で変色が
生じたり半田濡れ性が低下したりしない、Ｓｎ合金を溶
融めっきした電子部品用リード材料および前記材料を用
いた電子部品の提供を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
導電性基体上にＳｎ合金を溶融めっきした電子部品用リ
ード材料において、前記Ｓｎ合金が、Ｃｕを０．２〜５
wt％含有し、さらにＺｎを０．００１〜５wt％または／
およびＩｎを０．００１〜５wt％含有し、残部がＳｎお
よび不可避不純物からなることを特徴とする電子部品用
リード材料である。
導電性基体上にＳｎ合金を溶融めっきした電子部品用リ
ード材料において、前記Ｓｎ合金が、Ｃｕを０．２〜５
wt％含有し、さらにＺｎを０．００１〜５wt％または／
およびＩｎを０．００１〜５wt％含有し、残部がＳｎお
よび不可避不純物からなることを特徴とする電子部品用
リード材料である。
【０００６】請求項２記載の発明は、導電性基体上にＳ
ｎ合金を溶融めっきした電子部品用リード材料におい
て、前記Ｓｎ合金が、Ｃｕを０．２〜５wt％、Ａｇを５
wt％以下（０wt％を含まず）含有し、さらにＺｎを０．
００１〜５wt％または／およびＩｎを０．００１〜５wt
％含有し、残部がＳｎおよび不可避不純物からなること
を特徴とする電子部品用リード材料である。
ｎ合金を溶融めっきした電子部品用リード材料におい
て、前記Ｓｎ合金が、Ｃｕを０．２〜５wt％、Ａｇを５
wt％以下（０wt％を含まず）含有し、さらにＺｎを０．
００１〜５wt％または／およびＩｎを０．００１〜５wt
％含有し、残部がＳｎおよび不可避不純物からなること
を特徴とする電子部品用リード材料である。
【０００７】請求項３記載の発明は、導電性基体上にＳ
ｎ合金を溶融めっきした電子部品用リード材料におい
て、前記Ｓｎ合金が、Ｃｕを０．２〜５wt％、Ａｇを５
wt％以下（０wt％を含む）、Ｎｉを０．０１〜５wt％含
有し、さらにＺｎを０．００１〜５wt％または／および
Ｉｎを０．００１〜５wt％含有し、残部がＳｎおよび不
可避不純物からなることを特徴とする電子部品用リード
材料である。
ｎ合金を溶融めっきした電子部品用リード材料におい
て、前記Ｓｎ合金が、Ｃｕを０．２〜５wt％、Ａｇを５
wt％以下（０wt％を含む）、Ｎｉを０．０１〜５wt％含
有し、さらにＺｎを０．００１〜５wt％または／および
Ｉｎを０．００１〜５wt％含有し、残部がＳｎおよび不
可避不純物からなることを特徴とする電子部品用リード
材料である。
【０００８】請求項４記載の発明は、前記Ａｇの含有量
が０．１〜４wt％であることを特徴とする請求項２また
は３記載の電子部品用リード材料である。
が０．１〜４wt％であることを特徴とする請求項２また
は３記載の電子部品用リード材料である。
【０００９】請求項５記載の発明は、前記Ｃｕの含有量
が０．５〜３wt％であることを特徴とする請求項１乃至
４記載の電子部品用リード材料である。
が０．５〜３wt％であることを特徴とする請求項１乃至
４記載の電子部品用リード材料である。
【００１０】請求項６記載の発明は、Ｚｎの含有量が
０．００１〜５wt％、Ｉｎの含有量が０．００１〜５wt
％であることを特徴とする請求項１乃至５記載の電子部
品用リード材料である。
０．００１〜５wt％、Ｉｎの含有量が０．００１〜５wt
％であることを特徴とする請求項１乃至５記載の電子部
品用リード材料である。
【００１１】請求項７記載の発明は、請求項１乃至６記
載の発明の電子部品用リード材料が用いられていること
を特徴とする電子部品である。
載の発明の電子部品用リード材料が用いられていること
を特徴とする電子部品である。
【００１２】
【発明の実施の形態】請求項１記載の発明は、導電性基
体上に、Ｃｕおよび、Ｚｎまたは／およびＩｎを適量含
有させたＳｎ合金が溶融めっきされたリード材料であ
る。前記Ｓｎ合金に含有されるＣｕは半田付けでの接合
強度を高める。その含有量を０．２〜５wt％に規定する
理由は、０．２wt％未満ではその効果が十分に得られ
ず、５wt％を超えるとめっき層が変色したり、Ｓｎ合金
が高融点化して溶融めっき性並びに半田付け性が低下し
たりするためである。特に望ましいＣｕの含有量は０．
５〜３wt％である。
体上に、Ｃｕおよび、Ｚｎまたは／およびＩｎを適量含
有させたＳｎ合金が溶融めっきされたリード材料であ
る。前記Ｓｎ合金に含有されるＣｕは半田付けでの接合
強度を高める。その含有量を０．２〜５wt％に規定する
理由は、０．２wt％未満ではその効果が十分に得られ
ず、５wt％を超えるとめっき層が変色したり、Ｓｎ合金
が高融点化して溶融めっき性並びに半田付け性が低下し
たりするためである。特に望ましいＣｕの含有量は０．
５〜３wt％である。
【００１３】前記ＺｎまたはＩｎは電子部品を組立てる
際の加熱工程でめっき層が変色するのを防止する。前記
ＺｎまたはＩｎの含有量をそれぞれ０．００１〜５wt％
に規定する理由は、０．００１wt％未満ではその効果が
十分に得られず、５wt％を超えるとＺｎの場合は半田濡
れ性が低下し、Ｉｎの場合は半田付け部に低融点相が生
成するため半田付け接合強度が低下するためである。Ｚ
ｎまたはＩｎの特に望ましい含有量はそれぞれ０．０１
〜０．５wt％である。
際の加熱工程でめっき層が変色するのを防止する。前記
ＺｎまたはＩｎの含有量をそれぞれ０．００１〜５wt％
に規定する理由は、０．００１wt％未満ではその効果が
十分に得られず、５wt％を超えるとＺｎの場合は半田濡
れ性が低下し、Ｉｎの場合は半田付け部に低融点相が生
成するため半田付け接合強度が低下するためである。Ｚ
ｎまたはＩｎの特に望ましい含有量はそれぞれ０．０１
〜０．５wt％である。
【００１４】請求項２記載の発明は、導電性基体上に、
請求項１記載のＳｎ合金に、さらにＡｇを適量含有させ
たＳｎ合金が溶融めっきされたリード材料である。前記
Ａｇは、Ｓｎ合金の融点を下げて半田濡れ性を改善す
る。その含有量を５wt％以下（０wt％を含まず）に規定
する理由は、５wt％を超えると逆に融点が上昇して溶融
めっき性並びに半田濡れ性の低下を招くためである。特
に望ましいＡｇの含有量は０．１〜４wt％である。
請求項１記載のＳｎ合金に、さらにＡｇを適量含有させ
たＳｎ合金が溶融めっきされたリード材料である。前記
Ａｇは、Ｓｎ合金の融点を下げて半田濡れ性を改善す
る。その含有量を５wt％以下（０wt％を含まず）に規定
する理由は、５wt％を超えると逆に融点が上昇して溶融
めっき性並びに半田濡れ性の低下を招くためである。特
に望ましいＡｇの含有量は０．１〜４wt％である。
【００１５】請求項３記載の発明は、導電性基体上に、
請求項１または請求項２記載のＳｎ合金に、さらにＮｉ
を適量含有させたＳｎ合金が溶融めっきされたリード材
料である。前記ＮｉはＳｎ合金溶融めっき層の表面を平
滑化して半田濡れ性を改善する。前記Ｎｉの含有量を
０．０１〜５wt％に規定する理由は、０．０１wt％未満
ではその効果が十分に得られず、５wt％を超えるとめっ
き層が変色し、またＳｎ合金が高融点化して溶融めっき
性並びに半田濡れ性が低下するためである。
請求項１または請求項２記載のＳｎ合金に、さらにＮｉ
を適量含有させたＳｎ合金が溶融めっきされたリード材
料である。前記ＮｉはＳｎ合金溶融めっき層の表面を平
滑化して半田濡れ性を改善する。前記Ｎｉの含有量を
０．０１〜５wt％に規定する理由は、０．０１wt％未満
ではその効果が十分に得られず、５wt％を超えるとめっ
き層が変色し、またＳｎ合金が高融点化して溶融めっき
性並びに半田濡れ性が低下するためである。
【００１６】本発明のリード材料は、Ｓｎ合金が溶融め
っきされるため、Ｓｎ合金めっき層をろう材（半田）と
しても利用されるような場合に特に適しているが、半田
濡れ性を良くするために薄くめっきするスイッチ接点の
リード部などにも十分適用できるものである。
っきされるため、Ｓｎ合金めっき層をろう材（半田）と
しても利用されるような場合に特に適しているが、半田
濡れ性を良くするために薄くめっきするスイッチ接点の
リード部などにも十分適用できるものである。
【００１７】請求項７記載の発明は、本発明の前記リー
ド材料が用いられた電子部品であり、コンデンサ、スイ
ッチ、半導体パッケージなどのリード部（リード線）が
使用される任意の電子部品に使用できる。
ド材料が用いられた電子部品であり、コンデンサ、スイ
ッチ、半導体パッケージなどのリード部（リード線）が
使用される任意の電子部品に使用できる。
【００１８】
【実施例】以下に本発明を実施例により詳細に説明す
る。 （実施例１）０．５ｍｍφの銅被覆鋼線にアルカリ脱
脂、電解脱脂、酸洗い、およびＳｎ合金の溶融めっきを
この順に施して銅被覆鋼線を基体としたリード材料を製
造した。前記アルカリ脱脂は６０℃に保持した脱脂液
（メルテック社製のクリーナー１６０を水１リットルあ
たり６０ｇ溶かしたもの）に３０秒間浸漬して施し、前
記電解脱脂は水１リットルに前記クリーナー１６０を６
０ｇ溶かした電解液を６０℃に保持して、電流密度３Ａ
／ｄｍ2 の条件で１０秒間通電して施し、前記酸洗いは
２０℃に保持した硫酸水溶液（硫酸１００ｇ／リット
ル）に３０秒間浸漬して施し、前記溶融めっきは本発明
規定内組成（表１のＮｏ．ａ〜ｎ）のＳｎ合金浴に１秒
間浸漬して施した。Ｓｎ合金浴の温度は各Ｓｎ合金の融
点より５０℃高い温度とした。溶融めっきでのフラック
スにはキャンラックス４０８（千住金属社製）を用い
た。
る。 （実施例１）０．５ｍｍφの銅被覆鋼線にアルカリ脱
脂、電解脱脂、酸洗い、およびＳｎ合金の溶融めっきを
この順に施して銅被覆鋼線を基体としたリード材料を製
造した。前記アルカリ脱脂は６０℃に保持した脱脂液
（メルテック社製のクリーナー１６０を水１リットルあ
たり６０ｇ溶かしたもの）に３０秒間浸漬して施し、前
記電解脱脂は水１リットルに前記クリーナー１６０を６
０ｇ溶かした電解液を６０℃に保持して、電流密度３Ａ
／ｄｍ2 の条件で１０秒間通電して施し、前記酸洗いは
２０℃に保持した硫酸水溶液（硫酸１００ｇ／リット
ル）に３０秒間浸漬して施し、前記溶融めっきは本発明
規定内組成（表１のＮｏ．ａ〜ｎ）のＳｎ合金浴に１秒
間浸漬して施した。Ｓｎ合金浴の温度は各Ｓｎ合金の融
点より５０℃高い温度とした。溶融めっきでのフラック
スにはキャンラックス４０８（千住金属社製）を用い
た。
【００１９】（比較例１）本発明規定外組成（表１のＮ
ｏ．ｏ、ｐ）のＳｎ合金浴を用いた他は、実施例１と同
じ方法により銅被覆鋼線を基体としたリード材料を製造
した。
ｏ．ｏ、ｐ）のＳｎ合金浴を用いた他は、実施例１と同
じ方法により銅被覆鋼線を基体としたリード材料を製造
した。
【００２０】（比較例２）Ｓｎ−Ｃｕ−Ａｇ合金、Ｓｎ
−Ｐｂ合金、またはＳｎを溶融めっきした従来の銅被覆
鋼線を基体としたリード材料を用意した。
−Ｐｂ合金、またはＳｎを溶融めっきした従来の銅被覆
鋼線を基体としたリード材料を用意した。
【００２１】実施例１、比較例１、２で得た各々のリー
ド材料について、１５０℃で７２時間大気中加熱したの
ち、外観および半田濡れ性を調べた。外観は変色有無を
目視により判定した。半田濡れ性は各リード材料をロジ
ンフラックスを塗布して２３０℃に保持した共晶半田に
３秒間浸漬したのち引き上げて半田の付着面積を測定し
て評価した。
ド材料について、１５０℃で７２時間大気中加熱したの
ち、外観および半田濡れ性を調べた。外観は変色有無を
目視により判定した。半田濡れ性は各リード材料をロジ
ンフラックスを塗布して２３０℃に保持した共晶半田に
３秒間浸漬したのち引き上げて半田の付着面積を測定し
て評価した。
【００２２】（実施例２）厚さ０．３ｍｍのリン青銅板
に、実施例１と同じ方法で、アルカリ脱脂、電解脱脂、
および酸洗いをこの順に施し、次いで本発明規定内組成
のＳｎ合金を溶融めっきしてリン青銅板を基体としたリ
ード材料を製造した。
に、実施例１と同じ方法で、アルカリ脱脂、電解脱脂、
および酸洗いをこの順に施し、次いで本発明規定内組成
のＳｎ合金を溶融めっきしてリン青銅板を基体としたリ
ード材料を製造した。
【００２３】（比較例３）本発明規定外組成のＳｎ合金
（表１のＮｏ．ｏ、ｐ）を溶融めっきした他は、実施例
２と同じ方法によりリン青銅板を基体としたリード材料
を製造した。
（表１のＮｏ．ｏ、ｐ）を溶融めっきした他は、実施例
２と同じ方法によりリン青銅板を基体としたリード材料
を製造した。
【００２４】（比較例４）Ｓｎ−Ｃｕ−Ａｇ合金、Ｓｎ
−Ｐｂ合金、またはＳｎを溶融めっきした従来のリン青
銅板を基体としたリード材料を用意した。
−Ｐｂ合金、またはＳｎを溶融めっきした従来のリン青
銅板を基体としたリード材料を用意した。
【００２５】実施例２、比較例３、４で得た各々のリー
ド材料について半田接合強度を測定した。半田接合強度
は、前記リード材料（Ｓｎ合金溶融めっきリン青銅板）
の表面に銅被覆鋼線（０．５ｍｍφ）を垂直に保持した
状態で、両者を共晶半田で接合し、次いでこれを１５０
℃の大気中に５００時間保持したのち、室温で引張試験
して測定した。共晶半田は銅被覆鋼線を中心にして直径
５ｍｍの半球状に形成した。
ド材料について半田接合強度を測定した。半田接合強度
は、前記リード材料（Ｓｎ合金溶融めっきリン青銅板）
の表面に銅被覆鋼線（０．５ｍｍφ）を垂直に保持した
状態で、両者を共晶半田で接合し、次いでこれを１５０
℃の大気中に５００時間保持したのち、室温で引張試験
して測定した。共晶半田は銅被覆鋼線を中心にして直径
５ｍｍの半球状に形成した。
【００２６】実施例１、比較例１、２の結果（外観、半
田濡れ性）、および実施例２、比較例３、４の結果（接
合強度）を表１に示す。表１には溶融めっきしたＳｎ合
金の組成を併記した。
田濡れ性）、および実施例２、比較例３、４の結果（接
合強度）を表１に示す。表１には溶融めっきしたＳｎ合
金の組成を併記した。
【００２７】
【表１】
【００２８】表１より明らかなように、本発明例品（Ｎ
ｏ．１〜１４）はいずれも外観および半田濡れ性に優
れ、また接合強度は従来のＳｎ−Ｐｂ合金（Ｎｏ．１
８）のそれと比べて同等以上であった。中でも、Ｃｕを
０．５wt％以上含むものは接合強度が特に高く、Ｚｎま
たは／およびＩｎを０．０１wt％以上含むものは外観が
特に優れ、ＡｇまたはＮｉを０．１wt％以上含むものは
半田濡れ性が特に優れた。これに対し、比較例のＮｏ．
１５はＺｎが多すぎたため半田濡れ性が低下して、また
Ｎｏ．１６はＩｎが多すぎたため半田付け部にＩｎを含
む低融点相が生成して、いずれも接合強度が大幅に低下
した。Ｎｏ．１７はＺｎまたはＩｎを含まないため加熱
工程で酸化して、変色が生じ、またそれに伴って半田濡
れ性が低下した。Ｎｏ．１９は溶融めっき層がＳｎのた
め接合強度が低くＳｎ−Ｐｂ合金の代替にはなり得ない
ものであった。
ｏ．１〜１４）はいずれも外観および半田濡れ性に優
れ、また接合強度は従来のＳｎ−Ｐｂ合金（Ｎｏ．１
８）のそれと比べて同等以上であった。中でも、Ｃｕを
０．５wt％以上含むものは接合強度が特に高く、Ｚｎま
たは／およびＩｎを０．０１wt％以上含むものは外観が
特に優れ、ＡｇまたはＮｉを０．１wt％以上含むものは
半田濡れ性が特に優れた。これに対し、比較例のＮｏ．
１５はＺｎが多すぎたため半田濡れ性が低下して、また
Ｎｏ．１６はＩｎが多すぎたため半田付け部にＩｎを含
む低融点相が生成して、いずれも接合強度が大幅に低下
した。Ｎｏ．１７はＺｎまたはＩｎを含まないため加熱
工程で酸化して、変色が生じ、またそれに伴って半田濡
れ性が低下した。Ｎｏ．１９は溶融めっき層がＳｎのた
め接合強度が低くＳｎ−Ｐｂ合金の代替にはなり得ない
ものであった。
【００２９】実施例１で製造したＳｎ合金を溶融めっき
した銅被覆鋼線をそれぞれ半導体パッケージの外装リー
ドに用い、これを基板に半田付けして半導体装置を組立
てたところ、半導体装置はいずれも安定して良好に稼働
した。
した銅被覆鋼線をそれぞれ半導体パッケージの外装リー
ドに用い、これを基板に半田付けして半導体装置を組立
てたところ、半導体装置はいずれも安定して良好に稼働
した。
【００３０】
【発明の効果】以上に述べたように、本発明のリード材
料は、Ｓｎ合金が溶融めっき法によりめっきされている
のでウイスカーが発生しない。また前記Ｓｎ合金はＰｂ
が含有されていないので環境を汚染することがなく、Ｃ
ｕが適量含有されているので半田付け接合強度に優れ、
Ｚｎまたは／およびＩｎが適量含有されているので電子
部品を組立てる際の加熱工程で変色が生じない。さらに
前記Ｓｎ合金（Ｓｎ−Ｃｕ−Ｚｎ（Ｉｎ）合金）にＡｇ
または／およびＮｉを適量含有させることにより半田濡
れ性が向上してより良好な半田付けが得られる。前記利
点を有する本発明のリード材料を用いた電子部品は安定
して良好に稼働する。依って、工業上顕著な効果を奏す
る。
料は、Ｓｎ合金が溶融めっき法によりめっきされている
のでウイスカーが発生しない。また前記Ｓｎ合金はＰｂ
が含有されていないので環境を汚染することがなく、Ｃ
ｕが適量含有されているので半田付け接合強度に優れ、
Ｚｎまたは／およびＩｎが適量含有されているので電子
部品を組立てる際の加熱工程で変色が生じない。さらに
前記Ｓｎ合金（Ｓｎ−Ｃｕ−Ｚｎ（Ｉｎ）合金）にＡｇ
または／およびＮｉを適量含有させることにより半田濡
れ性が向上してより良好な半田付けが得られる。前記利
点を有する本発明のリード材料を用いた電子部品は安定
して良好に稼働する。依って、工業上顕著な効果を奏す
る。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１２年６月１４日（２０００．６．１
４）
４）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】請求項６記載の発明は、Ｚｎの含有量が
０．０１〜０．５ｗｔ％、Ｉｎの含有量が０．０１〜
０．５ｗｔ％であることを特徴とする請求項１乃至５記
載の電子部品用リード材料である。
０．０１〜０．５ｗｔ％、Ｉｎの含有量が０．０１〜
０．５ｗｔ％であることを特徴とする請求項１乃至５記
載の電子部品用リード材料である。
Claims (7)
- 【請求項１】 導電性基体上にＳｎ合金を溶融めっきし
た電子部品用リード材料において、前記Ｓｎ合金が、Ｃ
ｕを０．２〜５wt％含有し、さらにＺｎを０．００１〜
５wt％または／およびＩｎを０．００１〜５wt％含有
し、残部がＳｎおよび不可避不純物からなることを特徴
とする電子部品用リード材料。 - 【請求項２】 導電性基体上にＳｎ合金を溶融めっきし
た電子部品用リード材料において、前記Ｓｎ合金が、Ｃ
ｕを０．２〜５wt％、Ａｇを５wt％以下（０wt％を含ま
ず）含有し、さらにＺｎを０．００１〜５wt％または／
およびＩｎを０．００１〜５wt％含有し、残部がＳｎお
よび不可避不純物からなることを特徴とする電子部品用
リード材料。 - 【請求項３】 導電性基体上にＳｎ合金を溶融めっきし
た電子部品用リード材料において、前記Ｓｎ合金が、Ｃ
ｕを０．２〜５wt％、Ａｇを５wt％以下（０wt％を含
む）、Ｎｉを０．０１〜５wt％含有し、さらにＺｎを
０．００１〜５wt％または／およびＩｎを０．００１〜
５wt％含有し、残部がＳｎおよび不可避不純物からなる
ことを特徴とする電子部品用リード材料。 - 【請求項４】 前記Ａｇの含有量が０．１〜４wt％であ
ることを特徴とする請求項２または３記載の電子部品用
リード材料。 - 【請求項５】 前記Ｃｕの含有量が０．５〜３wt％であ
ることを特徴とする請求項１乃至４記載の電子部品用リ
ード材料。 - 【請求項６】 Ｚｎの含有量が０．００１〜５wt％、Ｉ
ｎの含有量が０．００１〜５wt％であることを特徴とす
る請求項１乃至５記載の電子部品用リード材料。 - 【請求項７】 請求項１乃至６記載の発明の電子部品用
リード材料が用いられていることを特徴とする電子部
品。
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|---|---|---|---|
| JP2000013980A JP2001200323A (ja) | 2000-01-18 | 2000-01-18 | 電子部品用リード材料および前記リード材料を用いた電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001200323A true JP2001200323A (ja) | 2001-07-24 |
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ID=18541502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000013980A Pending JP2001200323A (ja) | 2000-01-18 | 2000-01-18 | 電子部品用リード材料および前記リード材料を用いた電子部品 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001200323A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001334384A (ja) * | 2000-05-22 | 2001-12-04 | Murata Mfg Co Ltd | はんだ組成物およびはんだ付け物品 |
| GB2419137A (en) * | 2004-10-15 | 2006-04-19 | Alpha Fry Ltd | Solder alloy |
| CN101380700B (zh) * | 2007-09-05 | 2011-04-20 | 北京康普锡威科技有限公司 | 一种锡铋铜系无铅焊料及其制备方法 |
| JP2011192652A (ja) * | 2006-04-06 | 2011-09-29 | Hitachi Cable Ltd | 配線用導体及び端末接続部並びにＰｂフリーはんだ合金 |
| EP2891538A4 (en) * | 2012-08-31 | 2016-05-04 | Senju Metal Industry Co | ELECTRICALLY CONDUCTIVE BINDING MATERIAL |
-
2000
- 2000-01-18 JP JP2000013980A patent/JP2001200323A/ja active Pending
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| US9487846B2 (en) | 2012-08-31 | 2016-11-08 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Electroconductive bonding material |
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