JP2001334384A - はんだ組成物およびはんだ付け物品 - Google Patents
はんだ組成物およびはんだ付け物品Info
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- JP2001334384A JP2001334384A JP2000150427A JP2000150427A JP2001334384A JP 2001334384 A JP2001334384 A JP 2001334384A JP 2000150427 A JP2000150427 A JP 2000150427A JP 2000150427 A JP2000150427 A JP 2000150427A JP 2001334384 A JP2001334384 A JP 2001334384A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明の目的は、Ｃｕを主成分とする導体の溶
食に関して従来のＳｎ−Ｐｂ系はんだ組成物に近い特性
を有する、Ｓｎ基のいわゆるＰｂフリ−はんだ組成物を
提供することを目的とする。 【解決手段】本発明のはんだ組成物は、Ｎｉ０．０１重
量％以上０．５重量％以下と、Ｃｕ２重量％を超えて５
重量％以下と、残部Ｓｎとからなり、Ｐｂを含有しない
ことを特徴とする。本名発明のはんだ付け物品は、Ｃｕ
を主成分とする導体と、導体に電気的かつ機械的に接合
するように取り付けられた本発明のはんだ組成物と、か
らなることを特徴とする。
食に関して従来のＳｎ−Ｐｂ系はんだ組成物に近い特性
を有する、Ｓｎ基のいわゆるＰｂフリ−はんだ組成物を
提供することを目的とする。 【解決手段】本発明のはんだ組成物は、Ｎｉ０．０１重
量％以上０．５重量％以下と、Ｃｕ２重量％を超えて５
重量％以下と、残部Ｓｎとからなり、Ｐｂを含有しない
ことを特徴とする。本名発明のはんだ付け物品は、Ｃｕ
を主成分とする導体と、導体に電気的かつ機械的に接合
するように取り付けられた本発明のはんだ組成物と、か
らなることを特徴とする。
Description
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｐｂを含有しない
はんだ組成物ならびにはんだ付け物品に関するものであ
り、特に絶縁樹脂で被覆された金属線の被覆剥離とはん
だ付けを同時に実施する場合に好適なはんだ組成物、な
らびにはんだ付け物品に関する。
はんだ組成物ならびにはんだ付け物品に関するものであ
り、特に絶縁樹脂で被覆された金属線の被覆剥離とはん
だ付けを同時に実施する場合に好適なはんだ組成物、な
らびにはんだ付け物品に関する。
【従来の技術】従来、コイル部品等の製造工程におい
て、巻き線コイルを形成する導体が絶縁樹脂によって被
覆されているため、この絶縁樹脂で被覆された金属線の
被覆剥離とはんだ付けを同時に実施している。この場
合、従来のＰｂ含有率の高いＳｎ−Ｐｂ系はんだ組成物
を、４００℃以上の高温で使用することが一般的に行わ
れてきた。また近年、環境問題を配慮してＰｂを含まな
いＳｎ，Ｃｕを主成分とし、残部がＡｇ，Ｂｉ，Ｓｂ，
Ｉｎ等からなるはんだ組成物、いわゆるＰｂフリ−はん
だ組成物が用いられる場合もある。
て、巻き線コイルを形成する導体が絶縁樹脂によって被
覆されているため、この絶縁樹脂で被覆された金属線の
被覆剥離とはんだ付けを同時に実施している。この場
合、従来のＰｂ含有率の高いＳｎ−Ｐｂ系はんだ組成物
を、４００℃以上の高温で使用することが一般的に行わ
れてきた。また近年、環境問題を配慮してＰｂを含まな
いＳｎ，Ｃｕを主成分とし、残部がＡｇ，Ｂｉ，Ｓｂ，
Ｉｎ等からなるはんだ組成物、いわゆるＰｂフリ−はん
だ組成物が用いられる場合もある。
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
Ｓｎ−Ｐｂ系はんだ組成物は、毒性を有するＰｂを含ん
でいるため、その使用が制限されつつある。また、従来
のいわゆるＰｂフリ−はんだ組成物は、Ｓｎが主成分で
あることから、上述の絶縁樹脂で被覆された金属線の被
覆剥離とはんだ付けの両方を同時に行うと、剥き出しに
なった導体のＣｕ成分がはんだ組成物に溶解する、いわ
ゆる溶食現象が発生し、導体が断線するという問題点が
ある。本発明の目的は、上述の問題点を解消すべくなさ
れたもので、Ｃｕを主成分とする導体の溶食に関して従
来のＳｎ−Ｐｂ系はんだ組成物に近い特性を有する、Ｓ
ｎ基のいわゆるＰｂフリ−はんだ組成物を提供すること
を目的とする。
Ｓｎ−Ｐｂ系はんだ組成物は、毒性を有するＰｂを含ん
でいるため、その使用が制限されつつある。また、従来
のいわゆるＰｂフリ−はんだ組成物は、Ｓｎが主成分で
あることから、上述の絶縁樹脂で被覆された金属線の被
覆剥離とはんだ付けの両方を同時に行うと、剥き出しに
なった導体のＣｕ成分がはんだ組成物に溶解する、いわ
ゆる溶食現象が発生し、導体が断線するという問題点が
ある。本発明の目的は、上述の問題点を解消すべくなさ
れたもので、Ｃｕを主成分とする導体の溶食に関して従
来のＳｎ−Ｐｂ系はんだ組成物に近い特性を有する、Ｓ
ｎ基のいわゆるＰｂフリ−はんだ組成物を提供すること
を目的とする。
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のはんだ組成物は、Ｎｉ０．０１重量％以上
０．５重量％以下と、Ｃｕ２重量％を超えて５重量％以
下と、残部Ｓｎとからなり、Ｐｂを含有しないことを特
徴とする。また、上述のはんだ組成物は、さらにＡｇ，
Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｂ，ＧｅおよびＰからなる群より選ばれ
る少なくとも１種を含有してなることを特徴とする。ま
た、上述のはんだ組成物は、Ａｇ０．０１〜３．５重量
％，Ｓｂ０．０１〜５重量％，Ｚｎ０．０１〜９重量
％，Ｉｎ０．０１〜１０重量％，Ｂｉ０．０１〜３重量
％，Ｇｅ０．０１〜０．５重量％およびＰ０．０１〜
０．５重量％からなる群より選ばれる少なくとも１種
と、Ｎｉ０．０１重量％以上０．５重量％以下と、Ｃｕ
２重量％を超えて５重量％以下と、残部Ｓｎとからなる
ことを特徴とする。また、本発明のはんだ付け物品は、
Ｃｕを主成分とする導体と、導体に電気的かつ機械的に
接合するように取り付けられた本発明のはんだ組成物
と、からなることを特徴とする。また、本発明のはんだ
付け物品は、磁性体材料を主成分とするセラミック素体
と、セラミック素体上に設けられた一対の端子電極と、
セラミック素体に巻き付けられたＣｕを芯材とする導体
と、導体の一方端部が端子電極の一方に、電気的かつ機
械的に接合するように取り付けられた本発明のはんだ組
成物と、からなることを特徴とする。
に、本発明のはんだ組成物は、Ｎｉ０．０１重量％以上
０．５重量％以下と、Ｃｕ２重量％を超えて５重量％以
下と、残部Ｓｎとからなり、Ｐｂを含有しないことを特
徴とする。また、上述のはんだ組成物は、さらにＡｇ，
Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｂ，ＧｅおよびＰからなる群より選ばれ
る少なくとも１種を含有してなることを特徴とする。ま
た、上述のはんだ組成物は、Ａｇ０．０１〜３．５重量
％，Ｓｂ０．０１〜５重量％，Ｚｎ０．０１〜９重量
％，Ｉｎ０．０１〜１０重量％，Ｂｉ０．０１〜３重量
％，Ｇｅ０．０１〜０．５重量％およびＰ０．０１〜
０．５重量％からなる群より選ばれる少なくとも１種
と、Ｎｉ０．０１重量％以上０．５重量％以下と、Ｃｕ
２重量％を超えて５重量％以下と、残部Ｓｎとからなる
ことを特徴とする。また、本発明のはんだ付け物品は、
Ｃｕを主成分とする導体と、導体に電気的かつ機械的に
接合するように取り付けられた本発明のはんだ組成物
と、からなることを特徴とする。また、本発明のはんだ
付け物品は、磁性体材料を主成分とするセラミック素体
と、セラミック素体上に設けられた一対の端子電極と、
セラミック素体に巻き付けられたＣｕを芯材とする導体
と、導体の一方端部が端子電極の一方に、電気的かつ機
械的に接合するように取り付けられた本発明のはんだ組
成物と、からなることを特徴とする。
【発明の実施の形態】本発明のはんだ組成物におけるＮ
ｉ成分の構成割合は、はんだ組成物１００重量％のうち
０．０１重量％以上０．５重量％以下であることを要す
る。すなわち、Ｎｉ成分の構成割合が０．０１重量％を
下回ると、Ｃｕ導体の溶食現象を低減させる本発明の効
果が得られない。他方、Ｎｉ成分の構成割合が０．５重
量％を上回ると、はんだ組成物の液相線温度が上昇し、
同じ温度ではんだ付けした場合にブリッジ不良や外観不
良が生じ、これを回避するために高い温度ではんだ付け
すると、高熱による電子部品の特性不良が生じる恐れが
ある。本発明のはんだ組成物におけるＣｕ成分の構成割
合は、はんだ組成物１００重量％のうちＣｕ２重量％を
超えて５重量％以下であることを要する。すなわち、Ｃ
ｕ成分の構成割合が２重量％以下であると、Ｃｕ導体の
溶食現象を低減させる本発明の効果が得られない。他
方、Ｃｕ成分の構成割合が５重量％を上回ると、はんだ
組成物の液相線温度が上昇し、同じ温度ではんだ付けし
た場合にブリッジ不良や外観不良が生じ、これを回避す
るために高い温度ではんだ付けすると、高熱による電子
部品の特性不良が生じる恐れがある。本発明のはんだ組
成物は、さらにＡｇ，Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｂ，ＧｅおよびＰ
からなる群より選ばれる少なくとも１種を含有しても構
わない。Ａｇ成分やＳｂ成分の含有により、はんだ付き
性やはんだの機械的強度が向上する効果が見込まれ、Ｚ
ｎ，Ｉｎ，Ｂｉ成分の含有により、はんだの融点制御が
容易になる効果が見込まれ、Ｇｅ成分やＰ成分の含有に
より、はんだが酸化皮膜を形成することを抑制する効果
が見込まれる。上述の元素の具体的な構成割合として
は、はんだ組成物１００重量％のうちＡｇであれば０．
０１〜３．５重量％、Ｓｂであれば０．０１〜５重量
％、Ｚｎであれば０．０１〜９重量％、Ｉｎであれば
０．０１〜１０重量％、Ｂｉであれば０．０１〜３重量
％、Ｇｅであれば０．０１〜０．５重量％、Ｐであれば
０．０１〜０．５重量％の範囲内であることが好まし
い。Ａｇ成分の構成割合が０．０１重量％を下回ると、
Ａｇ成分を含有することによる上述の効果、すなわち半
田付き性やはんだの機械的強度が向上するという効果が
得られない。他方、Ａｇ成分の構成割合が３．５重量％
を上回ると、Ａｇ3Ｓｎ等の金属間化合物が肥大化する
ことにより機械的強度の低下を招く問題や、液相線温度
を上昇させる問題から、作業性の低下を招く恐れがあ
る。Ｓｂ成分の構成割合が０．０１重量％を下回ると、
Ｓｂ成分を含有することによる上述の効果、すなわち、
半田付き性やはんだの機械的強度が向上するという効果
が得られない。他方、Ａｇ成分の構成割合が５重量％を
上回ると、ＳｎＳｂ等の金属間化合物が肥大化すること
により機械的強度の低下を招く問題や、液相線温度を上
昇させる問題から、作業性の低下を招く恐れがある。Ｚ
ｎ成分の構成割合が０．０１重量％を下回ると、Ｚｎ成
分を含有することによる上述の効果、すなわち、はんだ
の融点制御が容易になる効果が得られない。他方、Ｚｎ
成分の構成割合が５重量％を上回ると、Ｓｎ−Ｚｎ２元
低融点共晶（液相線温度１９９℃）が生成することによ
り、はんだ耐熱性の低下を招く恐れがある。Ｉｎ成分の
構成割合が０．０１重量％を下回ると、Ｉｎ成分を含有
することによる上述の効果、すなわち、はんだの融点制
御が容易になる効果が得られない。他方、Ｉｎ成分の構
成割合が１０重量％を上回ると、Ｓｎ−Ｉｎ２元低融点
共晶（液相線温度１１７℃）が生成することにより、は
んだ耐熱性の低下を招く恐れがある。Ｂｉ成分の構成割
合が０．０１重量％を下回ると、Ｂｉ成分を含有するこ
とによる上述の効果、すなわち、はんだの融点制御が容
易になる効果が得られない。他方、Ｂｉ成分の構成割合
が３重量％を上回ると、Ｓｎ−Ｂｉ２元低融点共晶（液
相線温度１３９℃）が生成することにより、はんだ耐熱
性の低下を招く恐れがある。Ｇｅ成分の構成割合が０．
０１重量％を下回ると、Ｇｅ成分を含有することによる
上述の効果、すなわち、はんだが酸化皮膜を形成するこ
とを抑制する効果が得られない。他方、Ｇｅ成分の構成
割合が０．５重量％を上回ると、液相線温度を上昇させ
る問題から、作業性の低下を招く恐れがある。Ｐ成分の
構成割合が０．０１重量％を下回ると、Ｐ成分を含有す
ることによる上述の効果、すなわち、はんだが酸化皮膜
を形成することを抑制する効果が得られない。他方、Ｐ
成分の構成割合が０．５重量％を上回ると、液相線温度
を上昇させる問題から、作業性の低下を招く恐れがあ
る。なお、本発明のはんだ組成物に、上述の成分以外に
不可避不純物として、例えばＰｂやＮａ等が混入してい
ることを妨げない。本発明によるはんだ付け物品の一つ
の実施形態について、図１に基づいて詳細に説明する。
はんだ付け物品１は、セラミック素体２と、端子電極
３，３と、導体４と、はんだ組成物５，５と、からな
る。セラミック素体２は、例えば磁性体として機能する
材料を含み、例えば素体の一方主面の中央部近傍に形成
部を備えた凹型形状を備えている。端子電極３，３は、
例えばセラミック素体２の長さ方向の端部に形成されて
おり、端子電極形成用の導電性ペーストが塗布され焼付
けられてなる。導体４は、例えばＣｕを芯材とした金属
線からなり、絶縁樹脂により被覆され、セラミック素体
２の長さ方向に対して直行する方向に巻き付けられてコ
イル状をなしている。金属線４の端部４ａ，４ｂは、そ
れぞれ端子電極３，３の一方に接触するように延びてお
り、本発明のはんだ組成物５によって端部４ａ，４ｂを
被覆する絶縁樹脂が溶解され、かつ端子電極３，３と端
部４ａ，４ｂは電気的かつ機械的に接合されている。 本発明によるはんだ付け物品の他の実施形態について、
図２に基づいて詳細に説明する。はんだ付け物品１１
は、セラミック素体１２と、端子電極１３，１３と、は
んだ組成物１４，１４と、導体１５，１５と、外装樹脂
１６とからなる。セラミック素体１２は、セラミックグ
リーンシートを焼成した円板型の焼結体からなる。端子
電極１３，１３は、セラミック素体１２の両主面に形成
された一対の電極膜からなる。はんだ組成物１４，１４
は、端子電極１３，１３と導体１５，１５をそれぞれ電
気的かつ機械的に接合するように端子電極１３，１３上
に形成されている。外装樹脂１６は、セラミック素体１
２と端子電極１３，１３とはんだ組成物１４，１４を覆
うように形成されている。セラミック素体１２は、例え
ば誘電体，絶縁体，半導体，圧電体，磁性体として機能
する材料を含むもの等を適宜用いることができる。な
お、図１に示したセラミック素体１２の形状は円板型で
あるが、セラミック素体１２の形状は特に円板型に限定
されることなく、端子電極１３，１３を形成するのに十
分な面を備えるのであれば、例えば角板型等を適宜用い
ることができる。端子電極１３，１３は、セラミック素
体１２の両主面に形成された電極膜であり、例えば、無
電解Ｎｉメッキにより形成される場合、メッキ浴中の還
元剤成分の種類によりＮｉＰあるいはＮｉＢ合金等の層
として膜形成され、Ａｇを導電成分とする厚膜電極であ
る場合、Ａｇペーストが印刷または塗布され乾燥された
後に焼付けられて膜形成される。なお、端子電極の形状
ならびに大きさは、本発明の実施形態に限定されること
なく、例えば、セラミック素体１２の両主面の全体に形
成、あるいは任意の形状のギャップ幅を取って形成する
ことができ、何れの場合においても本発明の効果が得ら
れる。また、端子電極の層数は、本発明の実施形態に限
定されることなく、例えば、第１層の端子電極上にさら
に第２層の端子電極を形成してもよく、また何層形成さ
れていても構わない。はんだ組成物１４，１４の材質、
形状ならびに大きさは、本発明の実施形態に限定される
ことなく、例えば、端子電極１３，１３の全体に形成、
あるいは端子電極１３，１３上の任意の一部分であって
もよく、何れの場合であっても構わない。導体１５，１
５の材質、形状ならびに大きさは、本発明の実施形態に
限定されることなく、例えば、ＣｕまたはＣｕを主成分
とする合金等からなる金属線を芯材として、必要に応じ
て金属線の表面にＳｎ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｆｅ，Ｓｎ
−Ｃｕ，Ｓｎ−Ａｇ，Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕメッキを施した
線形状の導体等を適宜用いることができるが、Ｃｕを主
成分とする金属線を芯材として、絶縁樹脂によって金属
線の表面が被覆された導体の場合、はんだ付け時に絶縁
樹脂が溶解され、Ｃｕ芯材が剥き出しとなるためＳｎ基
はんだ組成物に溶食されやすいが、本発明のはんだ組成
物を用いることによりこの溶食が抑制されるため、本発
明の効果が顕著となる。また、端子電極１３，１３に接
合される導体１５の数は、本発明の実施形態に限定され
ることなく、１つの端子電極１３に２本以上の導体１５
を接合しても構わない。外装樹脂１６は、例えば、エポ
キシ樹脂やシリコン樹脂等が挙げられるが、特にこれら
に限定されることなく、絶縁性，耐湿性，耐衝撃性，耐
熱性等に優れるものであれば代表的な樹脂を適宜用いる
ことができる。なお、外装樹脂１６は必ずしも備えてい
る必要はなく、また何層形成されていても構わない。な
お、本発明のはんだ付け物品は、上述の実施形態に限定
されることなく、Ｃｕを主成分とする導体と、導体に電
気的かつ機械的に接合するように取り付けられた本発明
のはんだ組成物と、からなるはんだ付け物品全般に対し
て向けられる。
ｉ成分の構成割合は、はんだ組成物１００重量％のうち
０．０１重量％以上０．５重量％以下であることを要す
る。すなわち、Ｎｉ成分の構成割合が０．０１重量％を
下回ると、Ｃｕ導体の溶食現象を低減させる本発明の効
果が得られない。他方、Ｎｉ成分の構成割合が０．５重
量％を上回ると、はんだ組成物の液相線温度が上昇し、
同じ温度ではんだ付けした場合にブリッジ不良や外観不
良が生じ、これを回避するために高い温度ではんだ付け
すると、高熱による電子部品の特性不良が生じる恐れが
ある。本発明のはんだ組成物におけるＣｕ成分の構成割
合は、はんだ組成物１００重量％のうちＣｕ２重量％を
超えて５重量％以下であることを要する。すなわち、Ｃ
ｕ成分の構成割合が２重量％以下であると、Ｃｕ導体の
溶食現象を低減させる本発明の効果が得られない。他
方、Ｃｕ成分の構成割合が５重量％を上回ると、はんだ
組成物の液相線温度が上昇し、同じ温度ではんだ付けし
た場合にブリッジ不良や外観不良が生じ、これを回避す
るために高い温度ではんだ付けすると、高熱による電子
部品の特性不良が生じる恐れがある。本発明のはんだ組
成物は、さらにＡｇ，Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｂ，ＧｅおよびＰ
からなる群より選ばれる少なくとも１種を含有しても構
わない。Ａｇ成分やＳｂ成分の含有により、はんだ付き
性やはんだの機械的強度が向上する効果が見込まれ、Ｚ
ｎ，Ｉｎ，Ｂｉ成分の含有により、はんだの融点制御が
容易になる効果が見込まれ、Ｇｅ成分やＰ成分の含有に
より、はんだが酸化皮膜を形成することを抑制する効果
が見込まれる。上述の元素の具体的な構成割合として
は、はんだ組成物１００重量％のうちＡｇであれば０．
０１〜３．５重量％、Ｓｂであれば０．０１〜５重量
％、Ｚｎであれば０．０１〜９重量％、Ｉｎであれば
０．０１〜１０重量％、Ｂｉであれば０．０１〜３重量
％、Ｇｅであれば０．０１〜０．５重量％、Ｐであれば
０．０１〜０．５重量％の範囲内であることが好まし
い。Ａｇ成分の構成割合が０．０１重量％を下回ると、
Ａｇ成分を含有することによる上述の効果、すなわち半
田付き性やはんだの機械的強度が向上するという効果が
得られない。他方、Ａｇ成分の構成割合が３．５重量％
を上回ると、Ａｇ3Ｓｎ等の金属間化合物が肥大化する
ことにより機械的強度の低下を招く問題や、液相線温度
を上昇させる問題から、作業性の低下を招く恐れがあ
る。Ｓｂ成分の構成割合が０．０１重量％を下回ると、
Ｓｂ成分を含有することによる上述の効果、すなわち、
半田付き性やはんだの機械的強度が向上するという効果
が得られない。他方、Ａｇ成分の構成割合が５重量％を
上回ると、ＳｎＳｂ等の金属間化合物が肥大化すること
により機械的強度の低下を招く問題や、液相線温度を上
昇させる問題から、作業性の低下を招く恐れがある。Ｚ
ｎ成分の構成割合が０．０１重量％を下回ると、Ｚｎ成
分を含有することによる上述の効果、すなわち、はんだ
の融点制御が容易になる効果が得られない。他方、Ｚｎ
成分の構成割合が５重量％を上回ると、Ｓｎ−Ｚｎ２元
低融点共晶（液相線温度１９９℃）が生成することによ
り、はんだ耐熱性の低下を招く恐れがある。Ｉｎ成分の
構成割合が０．０１重量％を下回ると、Ｉｎ成分を含有
することによる上述の効果、すなわち、はんだの融点制
御が容易になる効果が得られない。他方、Ｉｎ成分の構
成割合が１０重量％を上回ると、Ｓｎ−Ｉｎ２元低融点
共晶（液相線温度１１７℃）が生成することにより、は
んだ耐熱性の低下を招く恐れがある。Ｂｉ成分の構成割
合が０．０１重量％を下回ると、Ｂｉ成分を含有するこ
とによる上述の効果、すなわち、はんだの融点制御が容
易になる効果が得られない。他方、Ｂｉ成分の構成割合
が３重量％を上回ると、Ｓｎ−Ｂｉ２元低融点共晶（液
相線温度１３９℃）が生成することにより、はんだ耐熱
性の低下を招く恐れがある。Ｇｅ成分の構成割合が０．
０１重量％を下回ると、Ｇｅ成分を含有することによる
上述の効果、すなわち、はんだが酸化皮膜を形成するこ
とを抑制する効果が得られない。他方、Ｇｅ成分の構成
割合が０．５重量％を上回ると、液相線温度を上昇させ
る問題から、作業性の低下を招く恐れがある。Ｐ成分の
構成割合が０．０１重量％を下回ると、Ｐ成分を含有す
ることによる上述の効果、すなわち、はんだが酸化皮膜
を形成することを抑制する効果が得られない。他方、Ｐ
成分の構成割合が０．５重量％を上回ると、液相線温度
を上昇させる問題から、作業性の低下を招く恐れがあ
る。なお、本発明のはんだ組成物に、上述の成分以外に
不可避不純物として、例えばＰｂやＮａ等が混入してい
ることを妨げない。本発明によるはんだ付け物品の一つ
の実施形態について、図１に基づいて詳細に説明する。
はんだ付け物品１は、セラミック素体２と、端子電極
３，３と、導体４と、はんだ組成物５，５と、からな
る。セラミック素体２は、例えば磁性体として機能する
材料を含み、例えば素体の一方主面の中央部近傍に形成
部を備えた凹型形状を備えている。端子電極３，３は、
例えばセラミック素体２の長さ方向の端部に形成されて
おり、端子電極形成用の導電性ペーストが塗布され焼付
けられてなる。導体４は、例えばＣｕを芯材とした金属
線からなり、絶縁樹脂により被覆され、セラミック素体
２の長さ方向に対して直行する方向に巻き付けられてコ
イル状をなしている。金属線４の端部４ａ，４ｂは、そ
れぞれ端子電極３，３の一方に接触するように延びてお
り、本発明のはんだ組成物５によって端部４ａ，４ｂを
被覆する絶縁樹脂が溶解され、かつ端子電極３，３と端
部４ａ，４ｂは電気的かつ機械的に接合されている。 本発明によるはんだ付け物品の他の実施形態について、
図２に基づいて詳細に説明する。はんだ付け物品１１
は、セラミック素体１２と、端子電極１３，１３と、は
んだ組成物１４，１４と、導体１５，１５と、外装樹脂
１６とからなる。セラミック素体１２は、セラミックグ
リーンシートを焼成した円板型の焼結体からなる。端子
電極１３，１３は、セラミック素体１２の両主面に形成
された一対の電極膜からなる。はんだ組成物１４，１４
は、端子電極１３，１３と導体１５，１５をそれぞれ電
気的かつ機械的に接合するように端子電極１３，１３上
に形成されている。外装樹脂１６は、セラミック素体１
２と端子電極１３，１３とはんだ組成物１４，１４を覆
うように形成されている。セラミック素体１２は、例え
ば誘電体，絶縁体，半導体，圧電体，磁性体として機能
する材料を含むもの等を適宜用いることができる。な
お、図１に示したセラミック素体１２の形状は円板型で
あるが、セラミック素体１２の形状は特に円板型に限定
されることなく、端子電極１３，１３を形成するのに十
分な面を備えるのであれば、例えば角板型等を適宜用い
ることができる。端子電極１３，１３は、セラミック素
体１２の両主面に形成された電極膜であり、例えば、無
電解Ｎｉメッキにより形成される場合、メッキ浴中の還
元剤成分の種類によりＮｉＰあるいはＮｉＢ合金等の層
として膜形成され、Ａｇを導電成分とする厚膜電極であ
る場合、Ａｇペーストが印刷または塗布され乾燥された
後に焼付けられて膜形成される。なお、端子電極の形状
ならびに大きさは、本発明の実施形態に限定されること
なく、例えば、セラミック素体１２の両主面の全体に形
成、あるいは任意の形状のギャップ幅を取って形成する
ことができ、何れの場合においても本発明の効果が得ら
れる。また、端子電極の層数は、本発明の実施形態に限
定されることなく、例えば、第１層の端子電極上にさら
に第２層の端子電極を形成してもよく、また何層形成さ
れていても構わない。はんだ組成物１４，１４の材質、
形状ならびに大きさは、本発明の実施形態に限定される
ことなく、例えば、端子電極１３，１３の全体に形成、
あるいは端子電極１３，１３上の任意の一部分であって
もよく、何れの場合であっても構わない。導体１５，１
５の材質、形状ならびに大きさは、本発明の実施形態に
限定されることなく、例えば、ＣｕまたはＣｕを主成分
とする合金等からなる金属線を芯材として、必要に応じ
て金属線の表面にＳｎ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｆｅ，Ｓｎ
−Ｃｕ，Ｓｎ−Ａｇ，Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕメッキを施した
線形状の導体等を適宜用いることができるが、Ｃｕを主
成分とする金属線を芯材として、絶縁樹脂によって金属
線の表面が被覆された導体の場合、はんだ付け時に絶縁
樹脂が溶解され、Ｃｕ芯材が剥き出しとなるためＳｎ基
はんだ組成物に溶食されやすいが、本発明のはんだ組成
物を用いることによりこの溶食が抑制されるため、本発
明の効果が顕著となる。また、端子電極１３，１３に接
合される導体１５の数は、本発明の実施形態に限定され
ることなく、１つの端子電極１３に２本以上の導体１５
を接合しても構わない。外装樹脂１６は、例えば、エポ
キシ樹脂やシリコン樹脂等が挙げられるが、特にこれら
に限定されることなく、絶縁性，耐湿性，耐衝撃性，耐
熱性等に優れるものであれば代表的な樹脂を適宜用いる
ことができる。なお、外装樹脂１６は必ずしも備えてい
る必要はなく、また何層形成されていても構わない。な
お、本発明のはんだ付け物品は、上述の実施形態に限定
されることなく、Ｃｕを主成分とする導体と、導体に電
気的かつ機械的に接合するように取り付けられた本発明
のはんだ組成物と、からなるはんだ付け物品全般に対し
て向けられる。
【実施例】まず、表１に示す構成割合からなるはんだ組
成物を準備し、それぞれ実施例１〜１４ならびに比較例
１〜７のはんだ組成物とした。次いで、コンデンサとし
て機能する、８ｍｍφのチタン酸バリウムを主成分とす
るセラミック素体を準備し、このセラミック素体の両主
面全体にＡｇペーストを塗布し乾燥させ焼付けて、端子
電極を形成した。次いで、導体として１ｍｍφの９９．
９９％軟Ｃｕ金属線を準備し、金属線の端部が上述のセ
ラミック素体の端子電極に接した状態で、それぞれ実施
例１〜１４ならびに比較例１〜７のはんだ組成物中に浸
漬してはんだ付けして、それぞれ実施例１〜１４ならび
に比較例１〜７のはんだ組成物を用いた試料を得た。な
お、はんだ付け条件は、４００℃，４５０℃，５００℃
でそれぞれ行ない、浸漬時間は５ｓｅｃ、導体の浸漬深
さは１０ｍｍ、浸漬速度は１０ｍｍ／ｓｅｃとした。ま
た、フラックスには、ロジン２５重量％ＩＰＡ溶液を用
いた。そこで、試料１〜１４ならびに比較例１〜７のは
んだ組成物を用いた試料について、４００℃，４５０
℃，５００℃ではんだ付けした場合の導体のＣｕの溶食
速度、４００℃ではんだ付けした場合のはんだ付き性を
測定し、評価を加えた。なお、Ｃｕの溶食速度について
は、はんだ付け後の導体の断面をエメリー紙で面出しし
て、バフで鏡面研磨した後、金属顕微鏡で導体の直径を
測定し、次式によって求めた。Ｃｕの溶食速度（μｍ／
ｓｅｃ）＝（１０００−残留する導体の直径（μｍ））
／２／５。また、はんだ付き性については、はんだ付け
後の導体の側面部を画像処理によってはんだ付着面積を
求め、浸漬面積に対するはんだの付着している面積の比
を算出した。また、評価については、本発明の範囲のう
ち特に優れる試料については「◎」、次に優れる本発明
の範囲の試料については「○」、比較例の試料のうちＣ
ｕの溶食速度あるいははんだ付き性が劣るものについて
は「×」とした。
成物を準備し、それぞれ実施例１〜１４ならびに比較例
１〜７のはんだ組成物とした。次いで、コンデンサとし
て機能する、８ｍｍφのチタン酸バリウムを主成分とす
るセラミック素体を準備し、このセラミック素体の両主
面全体にＡｇペーストを塗布し乾燥させ焼付けて、端子
電極を形成した。次いで、導体として１ｍｍφの９９．
９９％軟Ｃｕ金属線を準備し、金属線の端部が上述のセ
ラミック素体の端子電極に接した状態で、それぞれ実施
例１〜１４ならびに比較例１〜７のはんだ組成物中に浸
漬してはんだ付けして、それぞれ実施例１〜１４ならび
に比較例１〜７のはんだ組成物を用いた試料を得た。な
お、はんだ付け条件は、４００℃，４５０℃，５００℃
でそれぞれ行ない、浸漬時間は５ｓｅｃ、導体の浸漬深
さは１０ｍｍ、浸漬速度は１０ｍｍ／ｓｅｃとした。ま
た、フラックスには、ロジン２５重量％ＩＰＡ溶液を用
いた。そこで、試料１〜１４ならびに比較例１〜７のは
んだ組成物を用いた試料について、４００℃，４５０
℃，５００℃ではんだ付けした場合の導体のＣｕの溶食
速度、４００℃ではんだ付けした場合のはんだ付き性を
測定し、評価を加えた。なお、Ｃｕの溶食速度について
は、はんだ付け後の導体の断面をエメリー紙で面出しし
て、バフで鏡面研磨した後、金属顕微鏡で導体の直径を
測定し、次式によって求めた。Ｃｕの溶食速度（μｍ／
ｓｅｃ）＝（１０００−残留する導体の直径（μｍ））
／２／５。また、はんだ付き性については、はんだ付け
後の導体の側面部を画像処理によってはんだ付着面積を
求め、浸漬面積に対するはんだの付着している面積の比
を算出した。また、評価については、本発明の範囲のう
ち特に優れる試料については「◎」、次に優れる本発明
の範囲の試料については「○」、比較例の試料のうちＣ
ｕの溶食速度あるいははんだ付き性が劣るものについて
は「×」とした。
【表１】 表１から明らかであるように、ならびにＳｎ９４．５重
量％−Ｃｕ５重量％−Ｎｉ０．５重量％からなる実施例
７のはんだ組成物を用いた試料、Ｓｎ９４．８５重量％
−Ｃｕ５重量％−Ｎｉ０．１５重量％からなる実施例６
のはんだ組成物を用いた試料は、はんだ付き性が９２〜
９５％で十分許容できる範囲内であり、かつ５００℃で
はんだ付けした場合のＣｕの溶食速度がそれぞれ１．８
７μｍ／ｓｅｃ，０．５７μｍ／ｓｅｃであり、比較例
として挙げたＳｎ３０重量％−Ｐｂ７０重量％からなる
比較例７のはんだ組成物を用いた試料と比較して、Ｃｕ
の溶食速度については優れる結果が得られた。また、実
施例６および７のはんだ組成物を用いた試料を除いて、
Ｎｉ０．０１重量％以上０．５重量％以下と、Ｃｕ２重
量％を超えて５重量％以下と、残部Ｓｎとからなり、Ｐ
ｂを含有しない実施例１〜５のはんだ組成物を用いた試
料も、Ｃｕの溶食速度がＳｎ９７．５重量％−Ｃｕ２．
５重量％からなる比較例１のはんだ組成物と比較する
と、Ｎｉを含有する効果、すなわち、Ｃｕ導体の溶食現
象を低減させる本発明の効果が得られていることが分か
る。また、Ｎｉ０．０１重量％以上０．５重量％以下
と、Ｃｕ２重量％を超えて５重量％以下と、さらにＡ
ｇ，Ｉｎ，Ｂｉ，Ｚｎ，Ｓｂ，Ｇｅ，Ｐから選ばれる元
素と、残部Ｓｎとからなり、Ｐｂを含有しない実施例８
〜１４のはんだ組成物を用いた試料も、５００℃ではん
だ付けした場合におけるＣｕの溶食速度が１．４〜３．
９μｍ／ｓｅｃで、はんだ付き性も９０〜１００％であ
り、何れも比較例１のはんだ組成物と比較して、Ｎｉを
含有する効果、すなわち、Ｃｕ導体の溶食現象を低減さ
せる本発明の効果が得られていることが分かる。なお、
実施例１１のはんだ組成物を用いた試料は、Ｃｕの溶食
速度については、従来例として挙げたＳｎ３０重量％−
Ｐｂ７０重量％からなる比較例７のはんだ組成物を用い
た試料よりも、優れる結果が得られた。これに対してま
た、Ｃｕ成分の含有量が少なくＮｉを含有しないＳｎ９
９．３重量％−Ｃｕ０．７重量％からなる比較例２のは
んだ組成物を用いた試料は、５００℃ではんだ付けした
場合のＣｕの溶食速度も６．０μｍ／ｓｅｃを上回り、
高く劣ることが分かる。また、Ｃｕ成分の含有量が多く
Ｎｉを含有しないＳｎ９３重量％−Ｃｕ７重量％からな
る比較例３のはんだ組成物を用いた試料は、はんだ付き
性が６９％で低く劣ることが分かる。また、Ｎｉ成分を
含有せずＡｇ成分を含有するＳｎ９５．７５重量％−Ｃ
ｕ０．７５重量％−Ａｇ３．５重量％からなる比較例４
のはんだ組成物を用いた試料は、５００℃ではんだ付け
した場合のＣｕの溶食速度が６．３μｍ／ｓｅｃで高く
劣ることが分かる。また、Ｃｕ成分およびＮｉ成分を含
有せずＡｇ成分を含有するＳｎ９６．５重量％−Ａｇ
３．５重量％からなる比較例５はんだ組成物を用いた試
料は、５００℃ではんだ付けした場合のＣｕの溶食速度
が８．３μｍ／ｓｅｃで高く劣ることが分かる。また、
Ｎｉ成分を含有せずＡｇ成分およびＢｉ成分を含有する
Ｓｎ９５．５重量％−Ｃｕ０．５重量％−Ａｇ２．０重
量％−Ｂｉ２．０重量％からなる比較例６はんだ組成物
を用いた試料は、５００℃ではんだ付けした場合のＣｕ
の溶食速度が６．８μｍ／ｓｅｃで高く劣ることが分か
る。
量％−Ｃｕ５重量％−Ｎｉ０．５重量％からなる実施例
７のはんだ組成物を用いた試料、Ｓｎ９４．８５重量％
−Ｃｕ５重量％−Ｎｉ０．１５重量％からなる実施例６
のはんだ組成物を用いた試料は、はんだ付き性が９２〜
９５％で十分許容できる範囲内であり、かつ５００℃で
はんだ付けした場合のＣｕの溶食速度がそれぞれ１．８
７μｍ／ｓｅｃ，０．５７μｍ／ｓｅｃであり、比較例
として挙げたＳｎ３０重量％−Ｐｂ７０重量％からなる
比較例７のはんだ組成物を用いた試料と比較して、Ｃｕ
の溶食速度については優れる結果が得られた。また、実
施例６および７のはんだ組成物を用いた試料を除いて、
Ｎｉ０．０１重量％以上０．５重量％以下と、Ｃｕ２重
量％を超えて５重量％以下と、残部Ｓｎとからなり、Ｐ
ｂを含有しない実施例１〜５のはんだ組成物を用いた試
料も、Ｃｕの溶食速度がＳｎ９７．５重量％−Ｃｕ２．
５重量％からなる比較例１のはんだ組成物と比較する
と、Ｎｉを含有する効果、すなわち、Ｃｕ導体の溶食現
象を低減させる本発明の効果が得られていることが分か
る。また、Ｎｉ０．０１重量％以上０．５重量％以下
と、Ｃｕ２重量％を超えて５重量％以下と、さらにＡ
ｇ，Ｉｎ，Ｂｉ，Ｚｎ，Ｓｂ，Ｇｅ，Ｐから選ばれる元
素と、残部Ｓｎとからなり、Ｐｂを含有しない実施例８
〜１４のはんだ組成物を用いた試料も、５００℃ではん
だ付けした場合におけるＣｕの溶食速度が１．４〜３．
９μｍ／ｓｅｃで、はんだ付き性も９０〜１００％であ
り、何れも比較例１のはんだ組成物と比較して、Ｎｉを
含有する効果、すなわち、Ｃｕ導体の溶食現象を低減さ
せる本発明の効果が得られていることが分かる。なお、
実施例１１のはんだ組成物を用いた試料は、Ｃｕの溶食
速度については、従来例として挙げたＳｎ３０重量％−
Ｐｂ７０重量％からなる比較例７のはんだ組成物を用い
た試料よりも、優れる結果が得られた。これに対してま
た、Ｃｕ成分の含有量が少なくＮｉを含有しないＳｎ９
９．３重量％−Ｃｕ０．７重量％からなる比較例２のは
んだ組成物を用いた試料は、５００℃ではんだ付けした
場合のＣｕの溶食速度も６．０μｍ／ｓｅｃを上回り、
高く劣ることが分かる。また、Ｃｕ成分の含有量が多く
Ｎｉを含有しないＳｎ９３重量％−Ｃｕ７重量％からな
る比較例３のはんだ組成物を用いた試料は、はんだ付き
性が６９％で低く劣ることが分かる。また、Ｎｉ成分を
含有せずＡｇ成分を含有するＳｎ９５．７５重量％−Ｃ
ｕ０．７５重量％−Ａｇ３．５重量％からなる比較例４
のはんだ組成物を用いた試料は、５００℃ではんだ付け
した場合のＣｕの溶食速度が６．３μｍ／ｓｅｃで高く
劣ることが分かる。また、Ｃｕ成分およびＮｉ成分を含
有せずＡｇ成分を含有するＳｎ９６．５重量％−Ａｇ
３．５重量％からなる比較例５はんだ組成物を用いた試
料は、５００℃ではんだ付けした場合のＣｕの溶食速度
が８．３μｍ／ｓｅｃで高く劣ることが分かる。また、
Ｎｉ成分を含有せずＡｇ成分およびＢｉ成分を含有する
Ｓｎ９５．５重量％−Ｃｕ０．５重量％−Ａｇ２．０重
量％−Ｂｉ２．０重量％からなる比較例６はんだ組成物
を用いた試料は、５００℃ではんだ付けした場合のＣｕ
の溶食速度が６．８μｍ／ｓｅｃで高く劣ることが分か
る。
【発明の効果】以上のように本発明によれば、Ｎｉ０．
０１重量％以上０．５重量％以下と、Ｃｕ２重量％を超
えて５重量％以下と、残部Ｓｎとからなり、Ｐｂを含有
しないことを特徴とすることで、Ｃｕを主成分とする導
体の溶食に関して従来のＳｎ−Ｐｂ系はんだ組成物に近
い特性を有する、いわゆるＰｂフリ−はんだ組成物が得
られる。また、上述のはんだ組成物は、さらにＡｇ，Ｉ
ｎ，Ｚｎ，Ｓｂ，ＧｅおよびＰからなる群より選ばれる
少なくとも１種を含有してなることを特徴とすること
で、Ｃｕを主成分とする導体の溶食に関して従来のＳｎ
−Ｐｂ系はんだ組成物に近い特性を有する同時に、Ａｇ
成分やＳｂ成分の含有により、はんだ付き性やはんだの
機械的強度が向上する効果が見込まれ、Ｚｎ，Ｉｎ，Ｂ
ｉ成分の含有により、はんだの融点制御が容易になる効
果が見込まれ、Ｇｅ成分やＰ成分の含有により、はんだ
が酸化皮膜を形成することを抑制する効果が見込まれ
る。本発明のはんだ付け物品は、Ｃｕを主成分とする導
体と、導体に電気的かつ機械的に接合するように取り付
けられた本発明のはんだ組成物と、からなることを特徴
とすることで、Ｃｕを主成分とする導体がはんだ組成物
によって溶食されることが抑制され、導体が断線する恐
れが低減するという効果が得られる。
０１重量％以上０．５重量％以下と、Ｃｕ２重量％を超
えて５重量％以下と、残部Ｓｎとからなり、Ｐｂを含有
しないことを特徴とすることで、Ｃｕを主成分とする導
体の溶食に関して従来のＳｎ−Ｐｂ系はんだ組成物に近
い特性を有する、いわゆるＰｂフリ−はんだ組成物が得
られる。また、上述のはんだ組成物は、さらにＡｇ，Ｉ
ｎ，Ｚｎ，Ｓｂ，ＧｅおよびＰからなる群より選ばれる
少なくとも１種を含有してなることを特徴とすること
で、Ｃｕを主成分とする導体の溶食に関して従来のＳｎ
−Ｐｂ系はんだ組成物に近い特性を有する同時に、Ａｇ
成分やＳｂ成分の含有により、はんだ付き性やはんだの
機械的強度が向上する効果が見込まれ、Ｚｎ，Ｉｎ，Ｂ
ｉ成分の含有により、はんだの融点制御が容易になる効
果が見込まれ、Ｇｅ成分やＰ成分の含有により、はんだ
が酸化皮膜を形成することを抑制する効果が見込まれ
る。本発明のはんだ付け物品は、Ｃｕを主成分とする導
体と、導体に電気的かつ機械的に接合するように取り付
けられた本発明のはんだ組成物と、からなることを特徴
とすることで、Ｃｕを主成分とする導体がはんだ組成物
によって溶食されることが抑制され、導体が断線する恐
れが低減するという効果が得られる。
【図１】本発明に係る一つの実施形態のはんだ付け物品
の斜視図である。
の斜視図である。
【図２】本発明に関わる他の実施形態のはんだ付け物品
の破断図である。
の破断図である。
１ はんだ付け物品 ２ セラミック素体 ３ 端子電極 ４ 導体 ５ はんだ組成物
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｂ２３Ｋ 101:38 Ｂ２３Ｋ 101:38
Claims (5)
- 【請求項１】 Ｎｉ０．０１重量％以上０．５重量％以
下と、Ｃｕ２重量％を超えて５重量％以下と、残部Ｓｎ
とからなり、Ｐｂを含有しないことを特徴とする、はん
だ組成物。 - 【請求項２】 さらにＡｇ，Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｂ，Ｇｅお
よびＰからなる群より選ばれる少なくとも１種を含有し
てなることを特徴とする、請求項１に記載のはんだ組成
物。 - 【請求項３】 Ａｇ０．０１〜３．５重量％，Ｓｂ０．
０１〜５重量％，Ｚｎ０．０１〜９重量％，Ｉｎ０．０
１〜１０重量％，Ｂｉ０．０１〜３重量％，Ｇｅ０．０
１〜０．５重量％およびＰ０．０１〜０．５重量％から
なる群より選ばれる少なくとも１種と、Ｎｉ０．０１重
量％以上０．５重量％以下と、Ｃｕ２重量％を超えて５
重量％以下と、残部Ｓｎとからなること特徴とする、は
んだ組成物。 - 【請求項４】 Ｃｕを主成分とする導体と、前記導体に
電気的かつ機械的に接合するように取り付けられた請求
項１〜３の何れかに記載のはんだ組成物と、からなるこ
とを特徴とする、はんだ付け物品。 - 【請求項５】 磁性体として機能する材料を含むセラミ
ック素体と、 前記セラミック素体上に設けられた一対の端子電極と、 前記セラミック素体に巻き付けられたＣｕを芯材とする
導体と、 前記導体の一方端部が前記端子電極の一方に、電気的か
つ機械的に接合するように取り付けられた請求項１〜３
の何れかに記載のはんだ組成物と、からなることを特徴
とする、はんだ付け物品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000150427A JP3775172B2 (ja) | 2000-05-22 | 2000-05-22 | はんだ組成物およびはんだ付け物品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000150427A JP3775172B2 (ja) | 2000-05-22 | 2000-05-22 | はんだ組成物およびはんだ付け物品 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005208841A Division JP2005324257A (ja) | 2005-07-19 | 2005-07-19 | はんだ付け物品 |
| JP2005208842A Division JP4363372B2 (ja) | 2005-07-19 | 2005-07-19 | はんだ組成物およびはんだ付け物品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001334384A true JP2001334384A (ja) | 2001-12-04 |
| JP3775172B2 JP3775172B2 (ja) | 2006-05-17 |
Family
ID=18656145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000150427A Expired - Fee Related JP3775172B2 (ja) | 2000-05-22 | 2000-05-22 | はんだ組成物およびはんだ付け物品 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3775172B2 (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004026517A2 (en) | 2002-09-18 | 2004-04-01 | International Business Machine Corporation | Solder hierarchy for lead free solder joint |
| EP1439024A4 (en) * | 2001-08-30 | 2004-07-21 | Sumida Corp | LEAD FREE BRAZING ALLOY AND ELECTRONIC PARTS USING THE SAME |
| JP2005040847A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Hitachi Metals Ltd | はんだボールの製造方法 |
| GB2414343A (en) * | 2004-05-20 | 2005-11-23 | Tdk Corp | A capacitor with lead free soldered terminal leads. |
| US7172726B2 (en) | 2002-10-15 | 2007-02-06 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Lead-free solder |
| WO2007049025A1 (en) * | 2005-10-24 | 2007-05-03 | Alpha Fry Limited | Lead-free solder alloy |
| US7338567B2 (en) | 2001-06-28 | 2008-03-04 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Lead-free solder alloy |
| EP1918064A1 (en) * | 2003-10-16 | 2008-05-07 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Lead-free solder |
| CN100453244C (zh) * | 2005-12-16 | 2009-01-21 | 浙江亚通焊材有限公司 | 无铅锡焊料 |
| JP2009071315A (ja) * | 2008-10-20 | 2009-04-02 | Sumida Corporation | コイル部品 |
| WO2010047139A1 (ja) * | 2008-10-24 | 2010-04-29 | 三菱電機株式会社 | はんだ合金および半導体装置 |
| JP2012125783A (ja) * | 2010-12-14 | 2012-07-05 | Nihon Superior Co Ltd | 鉛フリーはんだ合金 |
| WO2014084242A1 (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | 株式会社日本スペリア社 | 低融点ろう材 |
| KR20160147996A (ko) | 2014-04-30 | 2016-12-23 | 가부시키가이샤 니혼슈페리어샤 | 무연솔더합금 |
| JP7007623B1 (ja) * | 2021-08-27 | 2022-01-24 | 千住金属工業株式会社 | はんだ合金及びはんだ継手 |
| US11285569B2 (en) | 2003-04-25 | 2022-03-29 | Henkel Ag & Co. Kgaa | Soldering material based on Sn Ag and Cu |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105215566A (zh) * | 2015-09-14 | 2016-01-06 | 泰州市华诚钨钼制品有限公司 | 一种电极钨铜棒 |
Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5816770A (ja) * | 1981-07-20 | 1983-01-31 | Mitsubishi Metal Corp | はんだぬれ性および耐溶融はんだ侵食性にすぐれた高強度高熱伝導性はんだごてチツプ |
| JPH0234295A (ja) * | 1988-07-19 | 1990-02-05 | Jw Harris Co Inc | ソルダーコンポジション及びその使用方法 |
| JPH02179388A (ja) * | 1988-12-29 | 1990-07-12 | Tokuriki Honten Co Ltd | 低融点Ａｇはんだ |
| JPH06269983A (ja) * | 1993-03-18 | 1994-09-27 | Tokuriki Honten Co Ltd | Ａｇ系はんだ |
| JPH081373A (ja) * | 1994-06-13 | 1996-01-09 | Fukuda Metal Foil & Powder Co Ltd | Ｓｎ基低融点ろう材 |
| JPH08132279A (ja) * | 1994-11-01 | 1996-05-28 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 熱交換器用はんだ合金 |
| JPH0994688A (ja) * | 1995-09-29 | 1997-04-08 | Senju Metal Ind Co Ltd | 鉛フリーはんだ合金 |
| JPH10118783A (ja) * | 1996-10-17 | 1998-05-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半田材料及びそれを用いた電子部品 |
| JPH10144718A (ja) * | 1996-11-14 | 1998-05-29 | Fukuda Metal Foil & Powder Co Ltd | スズ基鉛フリーハンダワイヤー及びボール |
| JPH10180480A (ja) * | 1996-11-08 | 1998-07-07 | Tanaka Denshi Kogyo Kk | 無鉛半田材料及びそれを用いた電子部品 |
| WO1998034755A1 (en) * | 1997-02-10 | 1998-08-13 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Lead-free solder |
| JPH1177366A (ja) * | 1997-07-16 | 1999-03-23 | Fuji Electric Co Ltd | はんだ合金 |
| JP2000190090A (ja) * | 1998-12-21 | 2000-07-11 | Senju Metal Ind Co Ltd | 鉛フリ―はんだ合金 |
| JP2001129682A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-05-15 | Topy Ind Ltd | 熱サイクル特性に優れたＳｎ基Ｐｂフリー半田 |
| JP2001200323A (ja) * | 2000-01-18 | 2001-07-24 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電子部品用リード材料および前記リード材料を用いた電子部品 |
-
2000
- 2000-05-22 JP JP2000150427A patent/JP3775172B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5816770A (ja) * | 1981-07-20 | 1983-01-31 | Mitsubishi Metal Corp | はんだぬれ性および耐溶融はんだ侵食性にすぐれた高強度高熱伝導性はんだごてチツプ |
| JPH0234295A (ja) * | 1988-07-19 | 1990-02-05 | Jw Harris Co Inc | ソルダーコンポジション及びその使用方法 |
| JPH02179388A (ja) * | 1988-12-29 | 1990-07-12 | Tokuriki Honten Co Ltd | 低融点Ａｇはんだ |
| JPH06269983A (ja) * | 1993-03-18 | 1994-09-27 | Tokuriki Honten Co Ltd | Ａｇ系はんだ |
| JPH081373A (ja) * | 1994-06-13 | 1996-01-09 | Fukuda Metal Foil & Powder Co Ltd | Ｓｎ基低融点ろう材 |
| JPH08132279A (ja) * | 1994-11-01 | 1996-05-28 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 熱交換器用はんだ合金 |
| JPH0994688A (ja) * | 1995-09-29 | 1997-04-08 | Senju Metal Ind Co Ltd | 鉛フリーはんだ合金 |
| JPH10118783A (ja) * | 1996-10-17 | 1998-05-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半田材料及びそれを用いた電子部品 |
| JPH10180480A (ja) * | 1996-11-08 | 1998-07-07 | Tanaka Denshi Kogyo Kk | 無鉛半田材料及びそれを用いた電子部品 |
| JPH10144718A (ja) * | 1996-11-14 | 1998-05-29 | Fukuda Metal Foil & Powder Co Ltd | スズ基鉛フリーハンダワイヤー及びボール |
| WO1998034755A1 (en) * | 1997-02-10 | 1998-08-13 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Lead-free solder |
| JPH1177366A (ja) * | 1997-07-16 | 1999-03-23 | Fuji Electric Co Ltd | はんだ合金 |
| JP2000190090A (ja) * | 1998-12-21 | 2000-07-11 | Senju Metal Ind Co Ltd | 鉛フリ―はんだ合金 |
| JP2001129682A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-05-15 | Topy Ind Ltd | 熱サイクル特性に優れたＳｎ基Ｐｂフリー半田 |
| JP2001200323A (ja) * | 2000-01-18 | 2001-07-24 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電子部品用リード材料および前記リード材料を用いた電子部品 |
Cited By (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7682468B2 (en) | 2001-06-28 | 2010-03-23 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Lead-free solder alloy |
| US7338567B2 (en) | 2001-06-28 | 2008-03-04 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Lead-free solder alloy |
| EP1439024A4 (en) * | 2001-08-30 | 2004-07-21 | Sumida Corp | LEAD FREE BRAZING ALLOY AND ELECTRONIC PARTS USING THE SAME |
| EP1439024A1 (en) * | 2001-08-30 | 2004-07-21 | Sumida Corporation | Nonleaded solder alloy and electronic parts using it |
| JPWO2003020468A1 (ja) * | 2001-08-30 | 2004-12-16 | スミダコーポレーション株式会社 | 無鉛半田合金およびそれを用いた電子部品 |
| US7005106B2 (en) | 2001-08-30 | 2006-02-28 | Sumida Corporation | Lead-free solder alloy and electronic components using it |
| WO2004026517A2 (en) | 2002-09-18 | 2004-04-01 | International Business Machine Corporation | Solder hierarchy for lead free solder joint |
| EP1545826A2 (en) * | 2002-09-18 | 2005-06-29 | International Business Machines Corporation | Solder hierarchy for lead free solder joint |
| EP1545826A4 (en) * | 2002-09-18 | 2009-02-11 | Ibm | HIERARCHY OF WELDINGS FOR SOLDERING JOINTS WITHOUT LEAD |
| US7172726B2 (en) | 2002-10-15 | 2007-02-06 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Lead-free solder |
| JP2008266791A (ja) * | 2002-10-15 | 2008-11-06 | Senju Metal Ind Co Ltd | コイル端部の予備メッキ方法 |
| US11285569B2 (en) | 2003-04-25 | 2022-03-29 | Henkel Ag & Co. Kgaa | Soldering material based on Sn Ag and Cu |
| JP2005040847A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Hitachi Metals Ltd | はんだボールの製造方法 |
| EP1918064A1 (en) * | 2003-10-16 | 2008-05-07 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Lead-free solder |
| US7023686B2 (en) | 2004-05-20 | 2006-04-04 | Tdk Corporation | High-voltage ceramic capacitor |
| GB2414343B (en) * | 2004-05-20 | 2008-03-26 | Tdk Corp | High-voltage ceramic capacitor |
| GB2414343A (en) * | 2004-05-20 | 2005-11-23 | Tdk Corp | A capacitor with lead free soldered terminal leads. |
| WO2007049025A1 (en) * | 2005-10-24 | 2007-05-03 | Alpha Fry Limited | Lead-free solder alloy |
| CN100453244C (zh) * | 2005-12-16 | 2009-01-21 | 浙江亚通焊材有限公司 | 无铅锡焊料 |
| JP2009071315A (ja) * | 2008-10-20 | 2009-04-02 | Sumida Corporation | コイル部品 |
| JP5285079B2 (ja) * | 2008-10-24 | 2013-09-11 | 三菱電機株式会社 | はんだ合金および半導体装置 |
| KR101285958B1 (ko) | 2008-10-24 | 2013-07-12 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 땜납 합금 및 반도체 장치 |
| US8598707B2 (en) | 2008-10-24 | 2013-12-03 | Mitsubishi Electric Corporation | Solder alloy and semiconductor device |
| CN102196881B (zh) * | 2008-10-24 | 2014-06-04 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置 |
| DE112009002570B4 (de) | 2008-10-24 | 2024-05-23 | Mitsubishi Electric Corporation | Lötmetalllegierung und Halbleiterbauteil |
| WO2010047139A1 (ja) * | 2008-10-24 | 2010-04-29 | 三菱電機株式会社 | はんだ合金および半導体装置 |
| JP2012125783A (ja) * | 2010-12-14 | 2012-07-05 | Nihon Superior Co Ltd | 鉛フリーはんだ合金 |
| WO2014084242A1 (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | 株式会社日本スペリア社 | 低融点ろう材 |
| JPWO2014084242A1 (ja) * | 2012-11-30 | 2017-01-05 | 株式会社日本スペリア社 | 低融点ろう材 |
| EP3708292A1 (en) | 2014-04-30 | 2020-09-16 | Nihon Superior Co., Ltd. | Lead-free solder alloy |
| US10286497B2 (en) | 2014-04-30 | 2019-05-14 | Nihon Superior Co., Ltd. | Lead-free solder alloy |
| KR20160147996A (ko) | 2014-04-30 | 2016-12-23 | 가부시키가이샤 니혼슈페리어샤 | 무연솔더합금 |
| JP7007623B1 (ja) * | 2021-08-27 | 2022-01-24 | 千住金属工業株式会社 | はんだ合金及びはんだ継手 |
| EP4140636A1 (en) | 2021-08-27 | 2023-03-01 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Solder alloy and solder joint |
| KR20230031787A (ko) | 2021-08-27 | 2023-03-07 | 센주긴조쿠고교 가부시키가이샤 | 땜납 합금 및 땜납 이음 |
| TWI812401B (zh) * | 2021-08-27 | 2023-08-11 | 日商千住金屬工業股份有限公司 | 焊料合金及焊料接頭 |
| US11992902B2 (en) | 2021-08-27 | 2024-05-28 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Solder alloy and solder joint |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3775172B2 (ja) | 2006-05-17 |
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