JPH10313087A - 電子部品用リード材 - Google Patents
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ワイヤーボンディング性、はんだ付け性及び
耐食性に優れた電子部品用リード材を提供する。 【解決手段】 基材表面の少なくとも一部に厚さ０．０
６〜２．０μｍのＣｒ又はＣｒ合金層を有し、さらに前
記Ｃｒ又はＣｒ合金層上に厚さ０．０１〜１．０μｍの
Ｐｄ又はＰｄ合金層を有する電子部品用リード材。
耐食性に優れた電子部品用リード材を提供する。 【解決手段】 基材表面の少なくとも一部に厚さ０．０
６〜２．０μｍのＣｒ又はＣｒ合金層を有し、さらに前
記Ｃｒ又はＣｒ合金層上に厚さ０．０１〜１．０μｍの
Ｐｄ又はＰｄ合金層を有する電子部品用リード材。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、はんだ付けが可能
な半導体チップ実装用リードフレーム及びコンデンサ、
コネクター、スイッチなどの電子部品に使用されるリー
ド材に関する。
な半導体チップ実装用リードフレーム及びコンデンサ、
コネクター、スイッチなどの電子部品に使用されるリー
ド材に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えばトランジスタやＩＣ等の電子部品
を実装するためのリードフレームは、図１にその平面図
を示すように、半導体チップを搭載するダイパット１の
周辺に複数本のインナーリード２が互いに離隔して配置
され、このインナーリード２はタイバー部３を介してア
ウターリード４と連結して構成されている。このリード
フレームには、通常Ｃｕ合金や４２アロイ（Ｆｅ−４２
ｗｔ％Ｎｉ合金）からなる条材や板材が用いられ、これ
らをプレス又はエッチングにより、図１に示した形状の
リードフレーム本体に加工する。前記リードフレームの
ダイパット１及びインナーリード２には、ワイヤーボン
ディング性を高めるため、通常Ａｇ等の貴金属を３〜５
μｍの厚さにスポットめっきする。このリードフレーム
ヘの半導体チップの実装は、次のようにして行われる。
即ち、図２に示すように、まず、ダイパットｌの上に、
Ａｇペースト５を用いて半導体チップ６をダイボンディ
ングする。次に、この半導体チップ６上にある電極パッ
ド７とインナーリード２とを金、アルミ等からなるワイ
ヤー８によってワイヤーボンディングして電気的に接続
する。次に、前記ボンディングした箇所の全体をエポキ
シ樹脂９で封止する。次いでタイバー３を切断し、切断
部分のバリを除去したのち、アウターリード４を直角に
曲げ、曲げた先をプリント配線基盤の配線に各々はんだ
付けして半導体素子を組み立てる。ところで、前記のア
ウターリード４へのはんだ（Ｓｎ−１０ｗｔ％Ｐｂ）め
っきは、溶融めっき又は電気めっきにより行われるた
め、電子部品が熱やめっき液に晒されて劣化し、その信
頼性が低下するという問題点があった。さらに、近年環
境保護の観点から鉛の有害性が問題視されてきており、
Ｐｂフリー化の必要性が生じてきた。このようなことか
ら、リードフレーム全面に下地Ｎｉめっきを施した後、
Ｐｄめっき層を形成したリードフレーム（特公昭６３−
４９３８２号）が提案された。本来、Ｐｄは大気中で安
定で酸化しにくいため、ワイヤーボンディング性、はん
だ付け性、樹脂封止の密着性等が良好に保持され、パッ
ド部とインナーリードへのＡｇのスポットめっきやアウ
ターリードヘのはんだめっきが不要になる等の効果が期
待された。
を実装するためのリードフレームは、図１にその平面図
を示すように、半導体チップを搭載するダイパット１の
周辺に複数本のインナーリード２が互いに離隔して配置
され、このインナーリード２はタイバー部３を介してア
ウターリード４と連結して構成されている。このリード
フレームには、通常Ｃｕ合金や４２アロイ（Ｆｅ−４２
ｗｔ％Ｎｉ合金）からなる条材や板材が用いられ、これ
らをプレス又はエッチングにより、図１に示した形状の
リードフレーム本体に加工する。前記リードフレームの
ダイパット１及びインナーリード２には、ワイヤーボン
ディング性を高めるため、通常Ａｇ等の貴金属を３〜５
μｍの厚さにスポットめっきする。このリードフレーム
ヘの半導体チップの実装は、次のようにして行われる。
即ち、図２に示すように、まず、ダイパットｌの上に、
Ａｇペースト５を用いて半導体チップ６をダイボンディ
ングする。次に、この半導体チップ６上にある電極パッ
ド７とインナーリード２とを金、アルミ等からなるワイ
ヤー８によってワイヤーボンディングして電気的に接続
する。次に、前記ボンディングした箇所の全体をエポキ
シ樹脂９で封止する。次いでタイバー３を切断し、切断
部分のバリを除去したのち、アウターリード４を直角に
曲げ、曲げた先をプリント配線基盤の配線に各々はんだ
付けして半導体素子を組み立てる。ところで、前記のア
ウターリード４へのはんだ（Ｓｎ−１０ｗｔ％Ｐｂ）め
っきは、溶融めっき又は電気めっきにより行われるた
め、電子部品が熱やめっき液に晒されて劣化し、その信
頼性が低下するという問題点があった。さらに、近年環
境保護の観点から鉛の有害性が問題視されてきており、
Ｐｂフリー化の必要性が生じてきた。このようなことか
ら、リードフレーム全面に下地Ｎｉめっきを施した後、
Ｐｄめっき層を形成したリードフレーム（特公昭６３−
４９３８２号）が提案された。本来、Ｐｄは大気中で安
定で酸化しにくいため、ワイヤーボンディング性、はん
だ付け性、樹脂封止の密着性等が良好に保持され、パッ
ド部とインナーリードへのＡｇのスポットめっきやアウ
ターリードヘのはんだめっきが不要になる等の効果が期
待された。
【０００３】しかし、このＰｄ層に対して、組立工程時
に加わる熱履歴により、基材のＣｕが下地Ｎｉ層を通し
て拡散・酸化を起こし、はんだ付け性が低下するという
問題があった。さらに、実装後の使用時あるいは輸送時
や保管時に下地Ｎｉめっき皮膜中のピンホールを通じて
ＰｄとＣｕの間でガルバニック腐食が生じるという問題
もあった。これらの問題を解決するため、Ｐｄ層の上に
厚さが数十オングストロームのＡｕをフラッシュめっき
する方法が提案された（特開平４−１１５５５８号）。
しかし、この方法では、基材のＣｕおよび下地Ｎｉ層の
表面への拡散・酸化に対しては、数十オングストローム
のめっき厚では効果は十分ではなく、耐食性の面でもあ
まり有効ではなかった。
に加わる熱履歴により、基材のＣｕが下地Ｎｉ層を通し
て拡散・酸化を起こし、はんだ付け性が低下するという
問題があった。さらに、実装後の使用時あるいは輸送時
や保管時に下地Ｎｉめっき皮膜中のピンホールを通じて
ＰｄとＣｕの間でガルバニック腐食が生じるという問題
もあった。これらの問題を解決するため、Ｐｄ層の上に
厚さが数十オングストロームのＡｕをフラッシュめっき
する方法が提案された（特開平４−１１５５５８号）。
しかし、この方法では、基材のＣｕおよび下地Ｎｉ層の
表面への拡散・酸化に対しては、数十オングストローム
のめっき厚では効果は十分ではなく、耐食性の面でもあ
まり有効ではなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】したがって本発明は、
ワイヤーボンディング性、はんだ付け性及び耐食性に優
れた電子部品用リード材を提供することを目的とする。
ワイヤーボンディング性、はんだ付け性及び耐食性に優
れた電子部品用リード材を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的は以下の発明に
より達成された。 （１）基材表面の少なくとも一部に厚さ０．０６〜２．
０μｍのＣｒ又はＣｒ合金層を有し、さらに前記Ｃｒ又
はＣｒ合金層上に厚さ０．０１〜１．０μｍのＰｄ又は
Ｐｄ合金層を有することを特徴とする電子部品用リード
材。 （２）基材表面の少なくとも一部に厚さ３．０μｍ以下
のＮｉ又はＮｉ合金からなる下地層を有し、前記下地層
の上に厚さ０．０６〜２．０μｍのＣｒ又はＣｒ合金層
を有し、さらに前記Ｃｒ又はＣｒ合金層上に厚さ０．０
１〜１．０μｍのＰｄ又はＰｄ合金層を有することを特
徴とする電子部品用リード材。 （３）Ｐｄ又はＰｄ合金層上の最表面に厚さ０．００１
〜０．１μｍのＡｕ層を有することを特徴とする（１）
又は（２）項記載の電子部品用リード材。 （４）基材表面の少なくともボンディングエリアとはん
だ付け部にＣｒ又はＣｒ合金層及びＰｄ又はＰｄ合金層
を有する（１）、（２）又は（３）項記載の電子部品用
リード材。
より達成された。 （１）基材表面の少なくとも一部に厚さ０．０６〜２．
０μｍのＣｒ又はＣｒ合金層を有し、さらに前記Ｃｒ又
はＣｒ合金層上に厚さ０．０１〜１．０μｍのＰｄ又は
Ｐｄ合金層を有することを特徴とする電子部品用リード
材。 （２）基材表面の少なくとも一部に厚さ３．０μｍ以下
のＮｉ又はＮｉ合金からなる下地層を有し、前記下地層
の上に厚さ０．０６〜２．０μｍのＣｒ又はＣｒ合金層
を有し、さらに前記Ｃｒ又はＣｒ合金層上に厚さ０．０
１〜１．０μｍのＰｄ又はＰｄ合金層を有することを特
徴とする電子部品用リード材。 （３）Ｐｄ又はＰｄ合金層上の最表面に厚さ０．００１
〜０．１μｍのＡｕ層を有することを特徴とする（１）
又は（２）項記載の電子部品用リード材。 （４）基材表面の少なくともボンディングエリアとはん
だ付け部にＣｒ又はＣｒ合金層及びＰｄ又はＰｄ合金層
を有する（１）、（２）又は（３）項記載の電子部品用
リード材。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明のリード材の基材となる金
属は通常、Ｃｕ又はＣｕ合金であるが、これに制限され
るものではなく、他の材料、例えばＦｅ−Ｎｉ合金など
でもよい。本発明において、上記基材の表面に形成され
るＣｒ又はＣｒ合金層は、組立工程中に加わる熱履歴に
よる、基材のＣｕ等の表面への拡散・酸化を防止する役
割を果たす。またＣｒ自体は比較的卑な電位を持つが、
通常大気中では表面に不動態皮膜を形成しており、貴の
金属と同様の働きをするので、耐食性が向上する。Ｃｒ
又はＣｒ合金層だけでも十分にこれらの効果が期待でき
るが、本発明ではさらに基材上に下地層としてＮｉ又は
Ｎｉ合金層を形成しておいてもよい。これによりさらに
耐食性、基材のＣｕ等の拡散防止を改善することが可能
である。Ｎｉは耐食性の改善および基材のＣｕ等の拡散
抑制について重要な働きをする。しかし従来は、Ｎｉ又
はＮｉ合金層を形成することで逆にＮｉが表面に拡散
し、酸化物を形成してはんだ付け性を著しく低下させる
とともに、Ｎｉの酸化物が安定であるため、除去するの
が非常に困難となるという問題を生じていた。このＮｉ
の拡散を防止するのにＣｒ又はＣｒ合金は非常に効果的
であり、この点からもＣｒ又はＣｒ合金層をＮｉ又はＮ
ｉ合金下地層とＰｄ又はＰｄ合金層の間に形成した本発
明のリード材は、従来用いられている下地にＮｉ層、表
面にＰｄ層を有するリード材よりも優れた特性を示す。
属は通常、Ｃｕ又はＣｕ合金であるが、これに制限され
るものではなく、他の材料、例えばＦｅ−Ｎｉ合金など
でもよい。本発明において、上記基材の表面に形成され
るＣｒ又はＣｒ合金層は、組立工程中に加わる熱履歴に
よる、基材のＣｕ等の表面への拡散・酸化を防止する役
割を果たす。またＣｒ自体は比較的卑な電位を持つが、
通常大気中では表面に不動態皮膜を形成しており、貴の
金属と同様の働きをするので、耐食性が向上する。Ｃｒ
又はＣｒ合金層だけでも十分にこれらの効果が期待でき
るが、本発明ではさらに基材上に下地層としてＮｉ又は
Ｎｉ合金層を形成しておいてもよい。これによりさらに
耐食性、基材のＣｕ等の拡散防止を改善することが可能
である。Ｎｉは耐食性の改善および基材のＣｕ等の拡散
抑制について重要な働きをする。しかし従来は、Ｎｉ又
はＮｉ合金層を形成することで逆にＮｉが表面に拡散
し、酸化物を形成してはんだ付け性を著しく低下させる
とともに、Ｎｉの酸化物が安定であるため、除去するの
が非常に困難となるという問題を生じていた。このＮｉ
の拡散を防止するのにＣｒ又はＣｒ合金は非常に効果的
であり、この点からもＣｒ又はＣｒ合金層をＮｉ又はＮ
ｉ合金下地層とＰｄ又はＰｄ合金層の間に形成した本発
明のリード材は、従来用いられている下地にＮｉ層、表
面にＰｄ層を有するリード材よりも優れた特性を示す。
【０００７】本発明のリード材のＣｒ又はＣｒ合金層は
厚さ０．０６〜２．０μｍ、好ましくは０．０６〜１．
０μｍである。Ｃｒ又はＣｒ合金層の厚さが０．０６μ
ｍ未満では、半導体の組立工程の高温加熱下での基材の
Ｃｕ等又は下地層のＮｉの拡散防止および耐食性の向上
が十分でなく、Ｃｒ又はＣｒ合金層のピンホールを通し
てＣｕなどがＰｄ層に拡散し、腐食を起こす。また、そ
の厚さが２．０μｍを越えると、これらの効果が飽和す
るとともにアウターリード曲げ部においてＣｒの割れが
発生する。また２．０μｍを越えるとＣｒ自体にクラッ
クが発生し十分に効果が発揮されない。Ｃｒ合金は特に
制限はなく、例えば通常用いられているＣｒ−Ｍｏ合金
などを用いることができる。また、本発明における下地
層としてのＮｉ又はＮｉ合金層は厚さ３．０μｍ以下で
ある。Ｎｉ又はＮｉ合金層の厚さが３．０μｍを越える
と基材のＣｕ等の拡散防止および耐食性の向上といった
効果が飽和するとともにアウターリード曲げ部において
クラックが発生する。Ｎｉ合金については特に制限はな
く、通常用いられているＮｉ−Ｓｎ合金などを使用する
ことができる。
厚さ０．０６〜２．０μｍ、好ましくは０．０６〜１．
０μｍである。Ｃｒ又はＣｒ合金層の厚さが０．０６μ
ｍ未満では、半導体の組立工程の高温加熱下での基材の
Ｃｕ等又は下地層のＮｉの拡散防止および耐食性の向上
が十分でなく、Ｃｒ又はＣｒ合金層のピンホールを通し
てＣｕなどがＰｄ層に拡散し、腐食を起こす。また、そ
の厚さが２．０μｍを越えると、これらの効果が飽和す
るとともにアウターリード曲げ部においてＣｒの割れが
発生する。また２．０μｍを越えるとＣｒ自体にクラッ
クが発生し十分に効果が発揮されない。Ｃｒ合金は特に
制限はなく、例えば通常用いられているＣｒ−Ｍｏ合金
などを用いることができる。また、本発明における下地
層としてのＮｉ又はＮｉ合金層は厚さ３．０μｍ以下で
ある。Ｎｉ又はＮｉ合金層の厚さが３．０μｍを越える
と基材のＣｕ等の拡散防止および耐食性の向上といった
効果が飽和するとともにアウターリード曲げ部において
クラックが発生する。Ｎｉ合金については特に制限はな
く、通常用いられているＮｉ−Ｓｎ合金などを使用する
ことができる。
【０００８】本発明においてＰｄ又はＰｄ合金層は、半
導体チップの接合性、ワイヤボンディング性、はんだ付
け性を確保する役割を果たす。また、本発明においてＰ
ｄ又はＰｄ合金層上の最表面に形成することができるＡ
ｕ層は、Ｐｄ自体の酸化を抑制し、はんだ付け性の耐熱
性を向上させる、即ち熱履歴によるはんだ付け性の低下
を防止すると同時に、ワイヤーボンディング性を改善す
る。本発明におけるＰｄ又はＰｄ合金層の厚さは０．０
１〜１．０μｍ、好ましくは０．０５〜０．５μｍであ
り、０．０１μｍ未満では上記の特性を発揮することが
できず、１．０μｍを越えると効果が飽和するとともに
コスト高となる。Ｐｄ合金としては、例えばＰｄ−Ａｕ
合金などを用いることができる。本発明においてＰｄ又
はＰｄ合金層上の最表面にＡｕ層を形成する場合、Ａｕ
層の厚さは０．００１〜０．１μｍ、好ましくは０．０
０３〜０．０１μｍである。０．００１μｍ未満では上
記の特性を発揮できず、０．１μｍを越えるとコスト面
から割高になってしまうためである。
導体チップの接合性、ワイヤボンディング性、はんだ付
け性を確保する役割を果たす。また、本発明においてＰ
ｄ又はＰｄ合金層上の最表面に形成することができるＡ
ｕ層は、Ｐｄ自体の酸化を抑制し、はんだ付け性の耐熱
性を向上させる、即ち熱履歴によるはんだ付け性の低下
を防止すると同時に、ワイヤーボンディング性を改善す
る。本発明におけるＰｄ又はＰｄ合金層の厚さは０．０
１〜１．０μｍ、好ましくは０．０５〜０．５μｍであ
り、０．０１μｍ未満では上記の特性を発揮することが
できず、１．０μｍを越えると効果が飽和するとともに
コスト高となる。Ｐｄ合金としては、例えばＰｄ−Ａｕ
合金などを用いることができる。本発明においてＰｄ又
はＰｄ合金層上の最表面にＡｕ層を形成する場合、Ａｕ
層の厚さは０．００１〜０．１μｍ、好ましくは０．０
０３〜０．０１μｍである。０．００１μｍ未満では上
記の特性を発揮できず、０．１μｍを越えるとコスト面
から割高になってしまうためである。
【０００９】本発明において上記のＣｒ又はＣｒ合金層
をはじめとする各層は、基材表面の少なくとも一部に形
成される。例えば本発明のリード材をリードフレーム等
に用いる場合、上記各層は少なくともボンディングエリ
ア、はんだ付け部などに形成されていることが好まし
く、本体全面に形成してもよい。上記各層の皮膜の形成
方法は、通常用いられる種々の方法を用いることができ
るが、皮膜の特性及び製造コストの面からは電気めっき
法が好ましい。また、Ｎｉ又はＮｉ合金下地層形成の前
にＣｕ又はＣｕ合金基材と下地層との密着性改善のため
にＣｕなどのストライクめっき層を形成させるなど、層
構成を損なわない範囲で、各層間の密着性向上等のため
の処理を行ってもよい。
をはじめとする各層は、基材表面の少なくとも一部に形
成される。例えば本発明のリード材をリードフレーム等
に用いる場合、上記各層は少なくともボンディングエリ
ア、はんだ付け部などに形成されていることが好まし
く、本体全面に形成してもよい。上記各層の皮膜の形成
方法は、通常用いられる種々の方法を用いることができ
るが、皮膜の特性及び製造コストの面からは電気めっき
法が好ましい。また、Ｎｉ又はＮｉ合金下地層形成の前
にＣｕ又はＣｕ合金基材と下地層との密着性改善のため
にＣｕなどのストライクめっき層を形成させるなど、層
構成を損なわない範囲で、各層間の密着性向上等のため
の処理を行ってもよい。
【００１０】
【実施例】以下に本発明を実施例により詳細に説明す
る。なお、各層の皮膜は電気めっき法により形成した。
各めっき層の厚さは表１にまとめて示した。また、めっ
き液組成とめっき条件は表２に示した。 実施例１ Ｃｕ−０．３ｗｔ％Ｃｒ−０．２５ｗｔ％Ｓｎ−０．２
ｗｔ％Ｚｎ合金条をプレス加工して、図１に示すリード
フレーム本体を得た。次にこのリードフレーム本体に電
解脱脂と酸洗処理を施した後、Ｃｒ層を形成させた。そ
の後、表面にＰｄ層を形成した。
る。なお、各層の皮膜は電気めっき法により形成した。
各めっき層の厚さは表１にまとめて示した。また、めっ
き液組成とめっき条件は表２に示した。 実施例１ Ｃｕ−０．３ｗｔ％Ｃｒ−０．２５ｗｔ％Ｓｎ−０．２
ｗｔ％Ｚｎ合金条をプレス加工して、図１に示すリード
フレーム本体を得た。次にこのリードフレーム本体に電
解脱脂と酸洗処理を施した後、Ｃｒ層を形成させた。そ
の後、表面にＰｄ層を形成した。
【００１１】実施例２ Ｐｄ層の上にさらにＡｕ層を形成した以外は実施例１と
同様にしてリードフレーム本体にめっき層を形成した。 実施例３ 基材Ｃｕ合金条とＣｒ合金層の間にＮｉ層を形成した以
外は実施例１と同様にしてリードフレーム本体にめっき
層を形成した。
同様にしてリードフレーム本体にめっき層を形成した。 実施例３ 基材Ｃｕ合金条とＣｒ合金層の間にＮｉ層を形成した以
外は実施例１と同様にしてリードフレーム本体にめっき
層を形成した。
【００１２】実施例４ Ｐｄ層の上にさらにＡｕ層を形成した以外は実施例３と
同様にしてリードフレーム本体にめっき層を形成した。 実施例５ Ｃｒ層の替わりにＣｒ−Ｍｏ合金層を形成した以外は実
施例１と同様にしてリードフレーム本体にめっき層を形
成した。
同様にしてリードフレーム本体にめっき層を形成した。 実施例５ Ｃｒ層の替わりにＣｒ−Ｍｏ合金層を形成した以外は実
施例１と同様にしてリードフレーム本体にめっき層を形
成した。
【００１３】実施例６ Ｐｄ層の替わりにＰｄ−Ａｕ合金層を形成した以外は実
施例１と同様にしてリードフレーム本体にめっき層を形
成した。 実施例７ Ｎｉ層の替わりにＮｉ−Ｓｎ合金層を形成した以外は実
施例３と同様にしてリードフレーム本体にめっき層を形
成した。
施例１と同様にしてリードフレーム本体にめっき層を形
成した。 実施例７ Ｎｉ層の替わりにＮｉ−Ｓｎ合金層を形成した以外は実
施例３と同様にしてリードフレーム本体にめっき層を形
成した。
【００１４】従来例１ 実施例３においてＮｉ層とＰｄ層の間にＣｒ又はＣｒ合
金層を形成せず２層構造とした以外は実施例１と同様に
してリードフレーム本体にめっき層を形成した。 従来例２ 実施例４においてＮｉ層とＰｄ層の間にＣｒ又はＣｒ合
金層を形成せず３層構造とした以外は実施例２と同様に
してリードフレーム本体にめっき層を形成した。
金層を形成せず２層構造とした以外は実施例１と同様に
してリードフレーム本体にめっき層を形成した。 従来例２ 実施例４においてＮｉ層とＰｄ層の間にＣｒ又はＣｒ合
金層を形成せず３層構造とした以外は実施例２と同様に
してリードフレーム本体にめっき層を形成した。
【００１５】比較例１、２ 表１に示すようにＮｉ、Ｐｄ、Ｃｒの各めっき厚を変え
た以外は実施例１と同様にしてリードフレーム本体にめ
っき層を形成した。
た以外は実施例１と同様にしてリードフレーム本体にめ
っき層を形成した。
【００１６】（試験例）実施例１〜７、従来例１及び
２、並びに比較例１及び２で得られたリードフレームに
ついて、はんだ付け性、ワイヤーボンディング性、曲げ
加工性、耐食性について以下に示す方法で試験を行い、
評価した。試験結果を表１に示す。 （１）ワイヤーボンディング性 ダイパット部に半導体チップをボンディングし、オート
ボンダーを用いて、Ａｕ線（φ３０μｍ）を接合した
後、プルテストにより、ボンド間ループを引っ張ること
により行った。接合条件は、荷重５０ｇ、超音波出力
０．１Ｗであり、接合は大気中で行った。ワイヤーボン
ディング性の評価として、次式のワイヤー破断率を用い
た。 ワイヤー破断率（％）＝（ワイヤー部において破断した
試験本数／全試験本数）×１００ （２）はんだ付け性 めっきしたリードフレームをホットプレート上で３００
℃又は４３０℃×３分間加熱後、２３０℃の共晶はんだ
溶融液中に５秒浸漬して、その時のはんだ濡れ時間を測
定して、はんだ付け性の評価とした。フラックスは非活
性ロジン系のものを用いた。
２、並びに比較例１及び２で得られたリードフレームに
ついて、はんだ付け性、ワイヤーボンディング性、曲げ
加工性、耐食性について以下に示す方法で試験を行い、
評価した。試験結果を表１に示す。 （１）ワイヤーボンディング性 ダイパット部に半導体チップをボンディングし、オート
ボンダーを用いて、Ａｕ線（φ３０μｍ）を接合した
後、プルテストにより、ボンド間ループを引っ張ること
により行った。接合条件は、荷重５０ｇ、超音波出力
０．１Ｗであり、接合は大気中で行った。ワイヤーボン
ディング性の評価として、次式のワイヤー破断率を用い
た。 ワイヤー破断率（％）＝（ワイヤー部において破断した
試験本数／全試験本数）×１００ （２）はんだ付け性 めっきしたリードフレームをホットプレート上で３００
℃又は４３０℃×３分間加熱後、２３０℃の共晶はんだ
溶融液中に５秒浸漬して、その時のはんだ濡れ時間を測
定して、はんだ付け性の評価とした。フラックスは非活
性ロジン系のものを用いた。
【００１７】（３）曲げ加工性 アウターリード部分を半径０．２ｍｍで９０°曲げ加工
を行い、曲げ部分のクラックの発生の有無を顕微鏡観察
して曲げ加工性の評価とした。評価基準としては、クラ
ックの全くなかったものを◎、実用上問題のない程度の
微少クラックが少数発生したものを○、クラックが発生
し基材露出したものを×とした。 （４）耐食性 ＪＩＳ Ｚ ２３７１に準拠し、塩水噴霧試験により耐
食性の評価を行った。試験条件は５％ＮａＣｌ、３５℃
×２４時間とし、試験後に目視による外観観察を行っ
た。評価基準としては、腐食生成物の発生が認められな
かったものを◎、わずかに認められたが実用上問題のな
い程度のものを○、部分的に発生しており実用上問題の
あるものを△、全面的に発生しており実用上問題のある
ものを×とした。
を行い、曲げ部分のクラックの発生の有無を顕微鏡観察
して曲げ加工性の評価とした。評価基準としては、クラ
ックの全くなかったものを◎、実用上問題のない程度の
微少クラックが少数発生したものを○、クラックが発生
し基材露出したものを×とした。 （４）耐食性 ＪＩＳ Ｚ ２３７１に準拠し、塩水噴霧試験により耐
食性の評価を行った。試験条件は５％ＮａＣｌ、３５℃
×２４時間とし、試験後に目視による外観観察を行っ
た。評価基準としては、腐食生成物の発生が認められな
かったものを◎、わずかに認められたが実用上問題のな
い程度のものを○、部分的に発生しており実用上問題の
あるものを△、全面的に発生しており実用上問題のある
ものを×とした。
【００１８】
【表１】
【００１９】
【表２】
【００２０】表１より明らかなように、実施例１〜７の
リードフレームは、いずれもワイヤーボンディング性、
はんだ付け性、曲げ加工性及び耐食性が良好であり、製
造コストも従来例のものとほぼ同程度であった。
リードフレームは、いずれもワイヤーボンディング性、
はんだ付け性、曲げ加工性及び耐食性が良好であり、製
造コストも従来例のものとほぼ同程度であった。
【００２１】
【発明の効果】以上述べたように、本発明のリード材
は、基材表面に特定の厚さのＣｒ又はＣｒ合金層とＰｄ
又はＰｄ合金層を有することにより、組立工程中のはん
だ付けを良好に行うことができ、ワイヤーボンディング
性、曲げ加工性、耐食性にも優れ、工業上顕著な効果を
発揮する。また、基材とＣｒ又はＣｒ合金の間の下地Ｎ
ｉ又はＮｉ合金層及び／又はＰｄ又はＰｄ合金層上の最
表面のＡｕ層により、上記の特性のさらなる改善が可能
である。
は、基材表面に特定の厚さのＣｒ又はＣｒ合金層とＰｄ
又はＰｄ合金層を有することにより、組立工程中のはん
だ付けを良好に行うことができ、ワイヤーボンディング
性、曲げ加工性、耐食性にも優れ、工業上顕著な効果を
発揮する。また、基材とＣｒ又はＣｒ合金の間の下地Ｎ
ｉ又はＮｉ合金層及び／又はＰｄ又はＰｄ合金層上の最
表面のＡｕ層により、上記の特性のさらなる改善が可能
である。
【図１】リードフレーム本体の平面図である。
【図２】リードフレーム本体に半導体チップを実装した
状態を示す断面図である。
状態を示す断面図である。
１ パッド部 ２ インナーリード ３ タイバー ４ アウターリード ５ Ａｇペースト ６ 半導体チップ ７ 電極パット ８ ボンディングワイヤー ９ 封止樹脂
Claims (4)
- 【請求項１】 基材表面の少なくとも一部に厚さ０．０
６〜２．０μｍのＣｒ又はＣｒ合金層を有し、さらに前
記Ｃｒ又はＣｒ合金層上に厚さ０．０１〜１．０μｍの
Ｐｄ又はＰｄ合金層を有することを特徴とする電子部品
用リード材。 - 【請求項２】 基材表面の少なくとも一部に厚さ３．０
μｍ以下のＮｉ又はＮｉ合金からなる下地層を有し、前
記下地層の上に厚さ０．０６〜２．０μｍのＣｒ又はＣ
ｒ合金層を有し、さらに前記Ｃｒ又はＣｒ合金層上に厚
さ０．０１〜１．０μｍのＰｄ又はＰｄ合金層を有する
ことを特徴とする電子部品用リード材。 - 【請求項３】 Ｐｄ又はＰｄ合金層上の最表面に厚さ
０．００１〜０．１μｍのＡｕ層を有することを特徴と
する請求項１又は２記載の電子部品用リード材。 - 【請求項４】 基材表面の少なくともボンディングエリ
アとはんだ付け部にＣｒ又はＣｒ合金層及びＰｄ又はＰ
ｄ合金層を有する請求項１、２又は３記載の電子部品用
リード材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12241297A JPH10313087A (ja) | 1997-05-13 | 1997-05-13 | 電子部品用リード材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12241297A JPH10313087A (ja) | 1997-05-13 | 1997-05-13 | 電子部品用リード材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10313087A true JPH10313087A (ja) | 1998-11-24 |
Family
ID=14835178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12241297A Pending JPH10313087A (ja) | 1997-05-13 | 1997-05-13 | 電子部品用リード材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10313087A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006083409A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Shinei Hitec:Kk | 鉄合金電子部品およびその表面処理方法 |
| JP2006083410A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Shinei Hitec:Kk | 電子部品の製造方法 |
| JP2007217798A (ja) * | 2007-05-23 | 2007-08-30 | Shinei Hitec:Kk | コネクタ用接続端子の表面処理方法 |
| JP2013230484A (ja) * | 2012-04-27 | 2013-11-14 | Fuji Electric Co Ltd | 接合方法 |
| JP2018125249A (ja) * | 2017-02-03 | 2018-08-09 | 岩崎電気株式会社 | ランプ |
-
1997
- 1997-05-13 JP JP12241297A patent/JPH10313087A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006083409A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Shinei Hitec:Kk | 鉄合金電子部品およびその表面処理方法 |
| JP2006083410A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Shinei Hitec:Kk | 電子部品の製造方法 |
| JP2007217798A (ja) * | 2007-05-23 | 2007-08-30 | Shinei Hitec:Kk | コネクタ用接続端子の表面処理方法 |
| JP2013230484A (ja) * | 2012-04-27 | 2013-11-14 | Fuji Electric Co Ltd | 接合方法 |
| JP2018125249A (ja) * | 2017-02-03 | 2018-08-09 | 岩崎電気株式会社 | ランプ |
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