JP3444981B2 - リードフレーム及びリードフレーム用素材 - Google Patents
リードフレーム及びリードフレーム用素材Info
- Publication number
- JP3444981B2 JP3444981B2 JP20403894A JP20403894A JP3444981B2 JP 3444981 B2 JP3444981 B2 JP 3444981B2 JP 20403894 A JP20403894 A JP 20403894A JP 20403894 A JP20403894 A JP 20403894A JP 3444981 B2 JP3444981 B2 JP 3444981B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- diffracted
- silver
- plating
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
- H01L23/49582—Metallic layers on lead frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01014—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01028—Nickel [Ni]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレーム及びリ
ードフレーム用素材に係る。
ードフレーム用素材に係る。
【０００２】
【発明の背景】リードフレームは、銅、鉄あるいはこれ
らのそれぞれを主成分とする合金（例えば、Ｆｅ−Ｎｉ
合金）よりなる板状のリードフレーム用素材を所定形状
に打ち抜き加工することにより製造され、一般に、ダイ
ボンディング部、インナーリード部、アウターリード部
からなっている。
らのそれぞれを主成分とする合金（例えば、Ｆｅ−Ｎｉ
合金）よりなる板状のリードフレーム用素材を所定形状
に打ち抜き加工することにより製造され、一般に、ダイ
ボンディング部、インナーリード部、アウターリード部
からなっている。
【０００３】そして、半導体チップを、リードフレーム
のダイボンディング部に、Ａｕ−Ｓｉ共晶法、Ａｇペー
スト等による接着法、半田接着法等によりダイボンディ
ングし、半導体チップのリード部（電極部）とインナー
リード部とをＡｕやＡｌワイヤを用いてワイヤボンディ
ング後、アウターリード部を残して樹脂封止（あるいは
セラミック封止）することによりモールディングを行
い、モールドパック半導体装置が製造される。
のダイボンディング部に、Ａｕ−Ｓｉ共晶法、Ａｇペー
スト等による接着法、半田接着法等によりダイボンディ
ングし、半導体チップのリード部（電極部）とインナー
リード部とをＡｕやＡｌワイヤを用いてワイヤボンディ
ング後、アウターリード部を残して樹脂封止（あるいは
セラミック封止）することによりモールディングを行
い、モールドパック半導体装置が製造される。
【０００４】モールドパック半導体装置は、用途に応じ
アウターリード部を折曲し、この折曲したアウターリー
ド部を電子ボード等に差し込むことにより、電子ボード
に搭載して使用される。
アウターリード部を折曲し、この折曲したアウターリー
ド部を電子ボード等に差し込むことにより、電子ボード
に搭載して使用される。
【０００５】ところで、半導体チップとダイボンディン
グ部との密着性、また、インナーリード部とワイヤとの
密着性は重要な問題である。けだし、もし密着性が悪い
と、モールドパック半導体装置の使用中に、ワイヤが剥
離し、断線の原因となり、半導体装置の信頼性を損なう
おそれがあるからである。また、モールディング工程に
おいて、封止圧力によりワイヤが剥離し、製造歩留りの
低下を招くからである。
グ部との密着性、また、インナーリード部とワイヤとの
密着性は重要な問題である。けだし、もし密着性が悪い
と、モールドパック半導体装置の使用中に、ワイヤが剥
離し、断線の原因となり、半導体装置の信頼性を損なう
おそれがあるからである。また、モールディング工程に
おいて、封止圧力によりワイヤが剥離し、製造歩留りの
低下を招くからである。
【０００６】そこで、密着性を向上するために、リード
フレームの一面（主にボンディングを施すダイボンディ
ング部及びインナーリード部）あるいは全面に銀めっき
を施すことが行われている。
フレームの一面（主にボンディングを施すダイボンディ
ング部及びインナーリード部）あるいは全面に銀めっき
を施すことが行われている。
【０００７】しかしながら、リードフレーム全面に銀め
っきの表面処理を施した場合には、ダイボンディング、
ワイヤボンディングあるいは樹脂封止等の工程における
２００〜４５０℃の高温加熱により銀めっき面に表面変
色が生じてしまうという問題がある。近時、上記工程の
低温化を図ることにより高温加熱によ変色の防止が試み
られてはいるが、未だ十分ではなく、仮に上記工程中に
おける変色を防止しえたとしても、樹脂封止した以外の
部分（アウターリード部）が、数日程度の大気中保管の
間に変色してしまうという問題も残されている。かかる
変色がアウターリード部に存在すると、アウターリード
部と、電子ボード側のアウターリード部の被差し込み部
との間における電気的接触抵抗の変動を招くという問題
をも生じてしまう。
っきの表面処理を施した場合には、ダイボンディング、
ワイヤボンディングあるいは樹脂封止等の工程における
２００〜４５０℃の高温加熱により銀めっき面に表面変
色が生じてしまうという問題がある。近時、上記工程の
低温化を図ることにより高温加熱によ変色の防止が試み
られてはいるが、未だ十分ではなく、仮に上記工程中に
おける変色を防止しえたとしても、樹脂封止した以外の
部分（アウターリード部）が、数日程度の大気中保管の
間に変色してしまうという問題も残されている。かかる
変色がアウターリード部に存在すると、アウターリード
部と、電子ボード側のアウターリード部の被差し込み部
との間における電気的接触抵抗の変動を招くという問題
をも生じてしまう。
【０００８】かかる変色に伴うを問題を解決するため、
モールディング終了後、アウターリード部の銀めっきの
剥離を行い、その後に錫めっきや錫を基本組成とする合
金めっき、あるいは半田めっき等の表面処理を施すこと
が一般的に行われている。なお、ここで、銀めっき層の
上に錫めっき等を被覆するのではなく、一旦銀めっきを
剥離した後に錫めっき等を施すのは、銀めっき層上に錫
めっき等を被覆すると、銀と錫とが経時的に合金化し
て、アウターリード部が非常に脆くなってしまい、モー
ルドパック半導体装置の信頼性を損なうという問題が生
じるからである。
モールディング終了後、アウターリード部の銀めっきの
剥離を行い、その後に錫めっきや錫を基本組成とする合
金めっき、あるいは半田めっき等の表面処理を施すこと
が一般的に行われている。なお、ここで、銀めっき層の
上に錫めっき等を被覆するのではなく、一旦銀めっきを
剥離した後に錫めっき等を施すのは、銀めっき層上に錫
めっき等を被覆すると、銀と錫とが経時的に合金化し
て、アウターリード部が非常に脆くなってしまい、モー
ルドパック半導体装置の信頼性を損なうという問題が生
じるからである。
【０００９】しかし、かかる技術においては、銀めっき
を剥離するための工程及び錫めっきを施すための工程が
必要であり、そのための日数が２日も要するという問題
がある。のみならず、錫あるいは錫合金の硬度が低く、
モールドパック半導体装置の電子ボードからの着脱を繰
り返すとアウターリード部が磨耗しやすい、電気的接触
抵抗の変動を招きやすいという問題もある。
を剥離するための工程及び錫めっきを施すための工程が
必要であり、そのための日数が２日も要するという問題
がある。のみならず、錫あるいは錫合金の硬度が低く、
モールドパック半導体装置の電子ボードからの着脱を繰
り返すとアウターリード部が磨耗しやすい、電気的接触
抵抗の変動を招きやすいという問題もある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ボンディン
グが良好であり、錫めっき等の工程を必要としないため
製造日数を従来に比べ大幅に短縮することが可能であ
り、さらに、耐磨耗性にも優れたリードフレーム及びリ
ードフレーム用素材を提供することを目的とする。
グが良好であり、錫めっき等の工程を必要としないため
製造日数を従来に比べ大幅に短縮することが可能であ
り、さらに、耐磨耗性にも優れたリードフレーム及びリ
ードフレーム用素材を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の第１の要旨は、（２００）面で回折される回
折線の強度が（１１１）面で回折される回折Ｘ線強度の
１／３以上となるような結晶構造を有する銀層が少なく
ともリードフレーム母材のアウターリード部に形成され
ていることを特徴とするリードフレームに存在する。
の本発明の第１の要旨は、（２００）面で回折される回
折線の強度が（１１１）面で回折される回折Ｘ線強度の
１／３以上となるような結晶構造を有する銀層が少なく
ともリードフレーム母材のアウターリード部に形成され
ていることを特徴とするリードフレームに存在する。
【００１２】また、第２の要旨は、（２００）面で回折
される回折線の強度が（１１１）面で回折される回折Ｘ
線強度の１／３以上となるような結晶構造を有する銀層
がリードフレーム母材表面に形成されていることを特徴
とするリードフレーム用素材に存在する。
される回折線の強度が（１１１）面で回折される回折Ｘ
線強度の１／３以上となるような結晶構造を有する銀層
がリードフレーム母材表面に形成されていることを特徴
とするリードフレーム用素材に存在する。
【００１３】
【作用】以下に、本発明をなすに至った経緯をその際に
得た知見等とともに説明することにより本発明の作用を
説明する。
得た知見等とともに説明することにより本発明の作用を
説明する。
【００１４】本発明者は、変色の発生を防止するために
鋭意研究を重ねたところ、耐変色性は、銀層の結晶構造
に関係することを見いだした。
鋭意研究を重ねたところ、耐変色性は、銀層の結晶構造
に関係することを見いだした。
【００１５】ただ、銀層の結晶構造に関係していたとし
ても具体的にいかなる結晶構造の場合に優れた耐変色性
を示すのかは全く不明であった。そこで、さらに実験を
重ねた結果、結晶構造としての面指数に大きく関係して
いることを突き止めた。そして、さらに詳細な条件を求
めたところ、銀層が、（２００）面で回折される回折線
の強度が（１１１）面で回折される回折Ｘ線強度の１／
３以上となるような結晶構造を有する場合には、優れた
耐変色性を示すことを知見し、本発明をなすに至った。
ても具体的にいかなる結晶構造の場合に優れた耐変色性
を示すのかは全く不明であった。そこで、さらに実験を
重ねた結果、結晶構造としての面指数に大きく関係して
いることを突き止めた。そして、さらに詳細な条件を求
めたところ、銀層が、（２００）面で回折される回折線
の強度が（１１１）面で回折される回折Ｘ線強度の１／
３以上となるような結晶構造を有する場合には、優れた
耐変色性を示すことを知見し、本発明をなすに至った。
【００１６】すなわち、かかる結晶構造の銀層は、樹脂
封止までの高温工程を経たとしても、また、大気中に長
期間放置したとしても変色を生じることがないという特
性を有していることがわかった。
封止までの高温工程を経たとしても、また、大気中に長
期間放置したとしても変色を生じることがないという特
性を有していることがわかった。
【００１７】そして、かかる特性を利用すれば、非常に
有利なリードフレームが得られるのではないかとの着想
をいだくにいたった。
有利なリードフレームが得られるのではないかとの着想
をいだくにいたった。
【００１８】ただ、耐変色性に優れるというだけでは、
リードフレームの表面層として利用できるということは
できず、耐変色性というほかに、リードフレームの表面
層として利用しようとした場合に要求される他の特性を
も調べた。
リードフレームの表面層として利用できるということは
できず、耐変色性というほかに、リードフレームの表面
層として利用しようとした場合に要求される他の特性を
も調べた。
【００１９】その結果、上記銀層は、密着性、導電率、
ボンディング特性等についても従来よりも優れた特性を
有していた。
ボンディング特性等についても従来よりも優れた特性を
有していた。
【００２０】さらに、本発明における銀層は、優れた耐
磨耗性をも有していることをも見いだした。
磨耗性をも有していることをも見いだした。
【００２１】このように、本発明における銀層は、優れ
た耐変色性を有しているため、従来とは異なり、モール
ディング後にわざわざ銀層の剥離、それに続く錫等のめ
っき層の形成を行う必要はなくなり、製造工程・製造日
数の短縮化を図ることができる。
た耐変色性を有しているため、従来とは異なり、モール
ディング後にわざわざ銀層の剥離、それに続く錫等のめ
っき層の形成を行う必要はなくなり、製造工程・製造日
数の短縮化を図ることができる。
【００２２】かかる特性を有する銀表面層の形成は、例
えば、所定の温度における加熱処理を所定の時間行うこ
とにより達成される。温度、時間は、めっきによる形成
の場合、電流密度、めっき浴温度、めっき浴組成、光沢
剤の有無、電極の純度等によっても異なるので、それぞ
れのめっき条件につき、実験等により、温度、時間を予
め求めておけばよい。
えば、所定の温度における加熱処理を所定の時間行うこ
とにより達成される。温度、時間は、めっきによる形成
の場合、電流密度、めっき浴温度、めっき浴組成、光沢
剤の有無、電極の純度等によっても異なるので、それぞ
れのめっき条件につき、実験等により、温度、時間を予
め求めておけばよい。
【００２３】なお、銀表面層は、ボンディング面となる
面のみならず、その裏面にも形成しておいてもよい。
面のみならず、その裏面にも形成しておいてもよい。
【００２４】銀表面層の形成は、リードフレーム素材段
階で行っておくことが特に好ましい。すなわち、打ち抜
き加工を行う前に行っておくことが好ましい。なお、銀
表面層が形成された状態で打ち抜き加工を行った場合で
あっても、該銀表面層の密着性はほとんど変化はない。
階で行っておくことが特に好ましい。すなわち、打ち抜
き加工を行う前に行っておくことが好ましい。なお、銀
表面層が形成された状態で打ち抜き加工を行った場合で
あっても、該銀表面層の密着性はほとんど変化はない。
【００２５】
（実施例１）本例では、銅合金からなるリードフレーム
用板材を用意し、これらの板材を冷間打ち抜きすること
によりダイボンディング、インナーリード部、アウター
リード部を形成して、リードフレームとした。
用板材を用意し、これらの板材を冷間打ち抜きすること
によりダイボンディング、インナーリード部、アウター
リード部を形成して、リードフレームとした。
【００２６】次いで、次の条件で銀めっきをリードフレ
ーム全面に施した。 ・めっき浴組成 シアン化銀 ４．０ｇ／ｌ シンア化カリウム ８０ ｇ／ｌ 光沢剤 少量 ・めっき温度 ２５℃ ・電流密度 １．３Ａ／ｄｍ2 ・めっき浴槽電圧 ４．２Ｖ これにより厚さ２０μｍの銀めっき層を施した。
ーム全面に施した。 ・めっき浴組成 シアン化銀 ４．０ｇ／ｌ シンア化カリウム ８０ ｇ／ｌ 光沢剤 少量 ・めっき温度 ２５℃ ・電流密度 １．３Ａ／ｄｍ2 ・めっき浴槽電圧 ４．２Ｖ これにより厚さ２０μｍの銀めっき層を施した。
【００２７】次いで、５５０℃×６時間の熱処理を行っ
た。次に、半田ダイボンディング、ワイヤボンディング
を行い、４００℃の温度で樹脂封止を行うことによりモ
ールドパック半導体装置を作製した。
た。次に、半田ダイボンディング、ワイヤボンディング
を行い、４００℃の温度で樹脂封止を行うことによりモ
ールドパック半導体装置を作製した。
【００２８】（従来例１）本例では、実施例１と同じめ
っきを行った熱処理を行うことなくボンディング、樹脂
封止を行うことによりモールドパック半導体装置を作製
した。
っきを行った熱処理を行うことなくボンディング、樹脂
封止を行うことによりモールドパック半導体装置を作製
した。
【００２９】（比較例１）本例では、実施例１における
熱処理に代え、２００℃×６時間の熱処理を行った。他
の点は実施例１と同様とした。以上のようにして作製し
たリードフレについて、その製造工程中及び作製後にお
いて次の試験を行った。
熱処理に代え、２００℃×６時間の熱処理を行った。他
の点は実施例１と同様とした。以上のようにして作製し
たリードフレについて、その製造工程中及び作製後にお
いて次の試験を行った。
【００３０】・銀めっき層のＸ線回折
銀めっき後及び銀めっき後の熱処理後のそれぞれについ
て銀めっき層のＸ線回折、及び密着性試験を行った。
て銀めっき層のＸ線回折、及び密着性試験を行った。
【００３１】銀めっきのまま、すなわち、従来例１にお
ける、（２００）面で回折されたＸ線の強度は、（１１
１）面で回折された回折Ｘ線の強度を１００とした場
合、５であった。
ける、（２００）面で回折されたＸ線の強度は、（１１
１）面で回折された回折Ｘ線の強度を１００とした場
合、５であった。
【００３２】実施例１における、銀めっき層のＸ線回折
を行ったところ、（２００）面で回折されたＸ線の強度
は、（１１１）面で回折された回折Ｘ線の強度を１００
とした場合、６８であった。
を行ったところ、（２００）面で回折されたＸ線の強度
は、（１１１）面で回折された回折Ｘ線の強度を１００
とした場合、６８であった。
【００３３】一方、比較例１における熱処理後の銀めっ
き層のＸ線回折を行ったところ、（２００）面で回折さ
れたＸ線の強度は、（１１１）面で回折された回折Ｘ線
の強度を１００とした場合、２４であった。
き層のＸ線回折を行ったところ、（２００）面で回折さ
れたＸ線の強度は、（１１１）面で回折された回折Ｘ線
の強度を１００とした場合、２４であった。
【００３４】・めっき層の密着性試験
めっき層の密着性は碁盤目試験により行い、剥離数を数
えることにより評価した。銀めっき層の剥離数は、従来
例１を基準１とすると、比較例１では０．８、実施例１
では０．３であり、実施例１は優れた密着性を示すこと
がわかった。
えることにより評価した。銀めっき層の剥離数は、従来
例１を基準１とすると、比較例１では０．８、実施例１
では０．３であり、実施例１は優れた密着性を示すこと
がわかった。
【００３５】・ボンディングの密着性試験
ワイヤボンディング部に張力をかけ、ワイヤボンディン
グの破断を調べることにより評価した。
グの破断を調べることにより評価した。
【００３６】従来例１、比較例１では、ボンディング部
において破断が生じるものがあったが、実施例１ではほ
とんどがワイヤ部において破断が生じ、実施例１は、ボ
ンディング特性においても優れていることがわかった。
において破断が生じるものがあったが、実施例１ではほ
とんどがワイヤ部において破断が生じ、実施例１は、ボ
ンディング特性においても優れていることがわかった。
【００３７】・耐変色性試験
樹脂封止後におけるアウターリード部の変色を肉眼観察
したところ、従来例１と、比較例１には変色が認められ
たが、実施例１では変色は認められなかった。
したところ、従来例１と、比較例１には変色が認められ
たが、実施例１では変色は認められなかった。
【００３８】また、実施例１を、大気中に放置すること
により変色の経時的変化を観察したが、１月経過しても
変色は認められなかった。なお、観察はその時点で中断
した。
により変色の経時的変化を観察したが、１月経過しても
変色は認められなかった。なお、観察はその時点で中断
した。
【００３９】・脱着試験
モールドパック半導体装置のアウターリード部を電子ボ
ードの差し込み口への脱着を５０００回繰り返し、試験
開始前と５０００回脱着後の接触抵抗の変化を調べたと
ころ、実施例１ではほとんど変化していなかった。それ
に対し、従来例１では４０％の低下、比較例１では２０
％の低下が認められた。
ードの差し込み口への脱着を５０００回繰り返し、試験
開始前と５０００回脱着後の接触抵抗の変化を調べたと
ころ、実施例１ではほとんど変化していなかった。それ
に対し、従来例１では４０％の低下、比較例１では２０
％の低下が認められた。
【００４０】なお、実施例１で示しためっき条件の場合
においては、４００〜５５０℃×２〜７時間の加熱処理
を行うことにより、（２００）面で回折される回折線の
強度が（１１１）面で回折される回折Ｘ線強度の１／３
以上となり、そのいずれものが実施例１のものと同様の
優れた特性を示した。
においては、４００〜５５０℃×２〜７時間の加熱処理
を行うことにより、（２００）面で回折される回折線の
強度が（１１１）面で回折される回折Ｘ線強度の１／３
以上となり、そのいずれものが実施例１のものと同様の
優れた特性を示した。
【００４１】（実施例２）本例では、打ち抜き加工を行
う前の状態から銀めっきを施し、熱処理を行い、熱処理
後打ち抜き加工を行った。
う前の状態から銀めっきを施し、熱処理を行い、熱処理
後打ち抜き加工を行った。
【００４２】他の条件は実施例１と同様とした。打ち抜
き後における銀めっき層の剥離及びばりの発生を観察し
たが、打ち抜きにより剥離は発生しておらず、また、ば
りの発生程度は、実施例１の場合より少なかった。ま
た、他の特性は実施例１と同様であった。
き後における銀めっき層の剥離及びばりの発生を観察し
たが、打ち抜きにより剥離は発生しておらず、また、ば
りの発生程度は、実施例１の場合より少なかった。ま
た、他の特性は実施例１と同様であった。
【００４３】（実施例３）本例では、Ｆｅ−Ｎｉ合金か
らなるリードフレーム用板材を用い、次の条件で銀めっ
きを施した。 ・めっき浴組成 シアン化銀 ２．０ｇ／ｌ シアン化銅 １１．５ｇ／ｌ シアン化カリウム ７５ｇ／ｌ 光沢剤 少量 ・めっき温度 ２６℃ ・電流密度 ２．０Ａ／ｄｍ2 ・めっき浴槽電圧 ６Ｖ これにより厚さ２０μｍの銀めっき層を施した。
らなるリードフレーム用板材を用い、次の条件で銀めっ
きを施した。 ・めっき浴組成 シアン化銀 ２．０ｇ／ｌ シアン化銅 １１．５ｇ／ｌ シアン化カリウム ７５ｇ／ｌ 光沢剤 少量 ・めっき温度 ２６℃ ・電流密度 ２．０Ａ／ｄｍ2 ・めっき浴槽電圧 ６Ｖ これにより厚さ２０μｍの銀めっき層を施した。
【００４４】本例では、５５０℃×７時間の熱処理を不
活性ガス雰囲気中で行った。（２００）面で回折される
回折線の強度は、（１１１）面で回折される回折Ｘ線強
度を１００とした場合、６９であった。
活性ガス雰囲気中で行った。（２００）面で回折される
回折線の強度は、（１１１）面で回折される回折Ｘ線強
度を１００とした場合、６９であった。
【００４５】実施例１と同様の評価試験を行ったとこ
ろ、全ての特性において実施例１とほぼ同様の優れた結
果が得られた。
ろ、全ての特性において実施例１とほぼ同様の優れた結
果が得られた。
【００４６】（実施例４）本例では銀めっき層の厚みの
影響を調べた。銀めっき層の厚みを、８μｍ、１０μ
ｍ、２０μｍ、３０μｍ、４０μｍと変化させ、他の点
は実施例１と同様にしてモールドパック半導体装置を作
製した。（１１１）面で回折される回折Ｘ線強度を１０
０とした場合における（２００）面で回折される回折線
の強度は、いずれの厚さでも変わりはなかった。そし
て、耐変色性試験、脱着試験については、厚さの影響は
認められなかった。
影響を調べた。銀めっき層の厚みを、８μｍ、１０μ
ｍ、２０μｍ、３０μｍ、４０μｍと変化させ、他の点
は実施例１と同様にしてモールドパック半導体装置を作
製した。（１１１）面で回折される回折Ｘ線強度を１０
０とした場合における（２００）面で回折される回折線
の強度は、いずれの厚さでも変わりはなかった。そし
て、耐変色性試験、脱着試験については、厚さの影響は
認められなかった。
【００４７】ワイヤボンディングの密着性については、
銀めっき層の厚さが厚い程良好であった。ただ、８μｍ
の場合、従来例、比較例よりは優れているものの１０μ
ｍの場合よりはかなり劣っており、１０μｍ近傍を境と
して密着性は著しく向上した。従って、１０μｍ以上と
することが好ましい。一方、３０μｍ近傍からワイヤボ
ンディングの密着性の向上は飽和した。従って、経済的
観点から３０μｍ以下とすることが好ましい。
銀めっき層の厚さが厚い程良好であった。ただ、８μｍ
の場合、従来例、比較例よりは優れているものの１０μ
ｍの場合よりはかなり劣っており、１０μｍ近傍を境と
して密着性は著しく向上した。従って、１０μｍ以上と
することが好ましい。一方、３０μｍ近傍からワイヤボ
ンディングの密着性の向上は飽和した。従って、経済的
観点から３０μｍ以下とすることが好ましい。
【００４８】（実施例５）本例では、銀めっき層の下に
下地層としてＮｉめっきを施した。他の点は実施例１と
同様とした。本例では、銀めっき層の密着性がより向上
した。
下地層としてＮｉめっきを施した。他の点は実施例１と
同様とした。本例では、銀めっき層の密着性がより向上
した。
【００４９】
【発明の効果】本発明によれば次の諸々の効果が達成さ
れる。ボンディング特性、めっき層の密着性が良好であ
り、信頼性の高いモールドパック半導体装置を提供でき
る。
れる。ボンディング特性、めっき層の密着性が良好であ
り、信頼性の高いモールドパック半導体装置を提供でき
る。
【００５０】錫めっき等の工程を必要としないため製造
日数を従来に比べ大幅に短縮することが可能であり、ま
た製造コストの低減を図ることができる。脱着を繰り返
しても接触抵抗の変動がなく、信頼性の高い電子ボード
を提供できる。
日数を従来に比べ大幅に短縮することが可能であり、ま
た製造コストの低減を図ることができる。脱着を繰り返
しても接触抵抗の変動がなく、信頼性の高い電子ボード
を提供できる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 山路 道雄
大阪府大阪市西区立売堀２丁目３番２号
株式会社フジキン内
(72)発明者 篠原 努
大阪府大阪市西区立売堀２丁目３番２号
株式会社フジキン内
(72)発明者 森本 明弘
大阪府大阪市西区立売堀２丁目３番２号
株式会社フジキン内
(72)発明者 白井 泰雪
大阪府大阪市西区立売堀２丁目３番２号
株式会社フジキン内
(56)参考文献 特開 昭62−118554（ＪＰ，Ａ)
特開 昭54−126467（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−209256（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 23/50
C25D 5/00 - 7/12
Claims (6)
- 【請求項１】 （２００）面で回折される回折線の強度
が（１１１）面で回折される回折Ｘ線強度の１／３以上
となるような結晶構造を有する銀層が少なくともリード
フレーム母材のアウターリード部に形成されていること
を特徴とするリードフレーム。 - 【請求項２】 前記リードフレーム母材は銅若しは銅合
金又は鉄若しくは鉄合金からなることを特徴とする請求
項１記載のリードフレーム。 - 【請求項３】 前記銀層は、めっきにより形成されたも
のであることを特徴とする請求項１又は２記載のリード
フレーム。 - 【請求項４】 前記銀表面層の厚さは８μｍ〜３０μｍ
であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項
記載のリードフレーム。 - 【請求項５】 前記リードフレーム母材表面と前記銀層
との間に中間層が設けられていることを特徴とする請求
項１乃至４のいずれか１項記載のリードフレーム。 - 【請求項６】 （２００）面で回折される回折線の強度
が（１１１）面で回折される回折Ｘ線強度の１／３以上
となるような結晶構造を有する銀層がリードフレーム母
材表面に形成されていることを特徴とするリードフレー
ム用素材。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20403894A JP3444981B2 (ja) | 1994-08-29 | 1994-08-29 | リードフレーム及びリードフレーム用素材 |
| US08/518,529 US5530283A (en) | 1994-08-29 | 1995-08-23 | Lead frame and lead frame material |
| EP95113291A EP0700085B1 (en) | 1994-08-29 | 1995-08-24 | Lead frame and lead frame material |
| DE69533866T DE69533866T2 (de) | 1994-08-29 | 1995-08-24 | Leiterrahmen und Leiterrahmenmaterial |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20403894A JP3444981B2 (ja) | 1994-08-29 | 1994-08-29 | リードフレーム及びリードフレーム用素材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0870075A JPH0870075A (ja) | 1996-03-12 |
| JP3444981B2 true JP3444981B2 (ja) | 2003-09-08 |
Family
ID=16483733
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20403894A Expired - Fee Related JP3444981B2 (ja) | 1994-08-29 | 1994-08-29 | リードフレーム及びリードフレーム用素材 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5530283A (ja) |
| EP (1) | EP0700085B1 (ja) |
| JP (1) | JP3444981B2 (ja) |
| DE (1) | DE69533866T2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW401634B (en) * | 1997-04-09 | 2000-08-11 | Sitron Prec Co Ltd | Lead frame and its manufacture method |
| JP5123240B2 (ja) * | 2009-03-24 | 2013-01-23 | 大同メタル工業株式会社 | 摺動部材 |
| JP2017005224A (ja) * | 2015-06-16 | 2017-01-05 | Ｓｈマテリアル株式会社 | 光学素子用リードフレームおよびその製造方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0810743B2 (ja) * | 1986-07-15 | 1996-01-31 | 株式会社東芝 | リ−ドフレ−ム原板及びリ−ドフレ−ム |
| US4883774A (en) * | 1988-03-21 | 1989-11-28 | Motorola, Inc. | Silver flashing process on semiconductor leadframes |
| JP2953662B2 (ja) * | 1988-03-30 | 1999-09-27 | 日立金属株式会社 | 打抜性のすぐれたリードフレーム用Ｆｅ−Ｎｉ合金 |
| US4903401A (en) * | 1989-04-03 | 1990-02-27 | Motorola, Inc. | Leadframe silver bleed elimination |
| US5167794A (en) * | 1990-04-16 | 1992-12-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for producing lead frame material |
| JP3334011B2 (ja) * | 1993-06-11 | 2002-10-15 | 忠弘 大見 | 摺動部品 |
-
1994
- 1994-08-29 JP JP20403894A patent/JP3444981B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-08-23 US US08/518,529 patent/US5530283A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-08-24 EP EP95113291A patent/EP0700085B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-08-24 DE DE69533866T patent/DE69533866T2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0870075A (ja) | 1996-03-12 |
| DE69533866T2 (de) | 2005-12-29 |
| EP0700085B1 (en) | 2004-12-22 |
| EP0700085A2 (en) | 1996-03-06 |
| DE69533866D1 (de) | 2005-01-27 |
| US5530283A (en) | 1996-06-25 |
| EP0700085A3 (en) | 1996-07-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4707724A (en) | Semiconductor device and method of manufacturing thereof | |
| US5343073A (en) | Lead frames having a chromium and zinc alloy coating | |
| US4498121A (en) | Copper alloys for suppressing growth of Cu-Al intermetallic compounds | |
| US5510197A (en) | Lead frame material and lead frame for semiconductor device | |
| US5436082A (en) | Protective coating combination for lead frames | |
| JP2001110971A (ja) | 半導体パッケージ用リードフレーム及びその製造方法 | |
| US20020047186A1 (en) | Semiconductor leadframes comprising silver plating | |
| JP2989406B2 (ja) | 半導体装置用プリプレーテッドフレーム及びその製造方法 | |
| JP3444981B2 (ja) | リードフレーム及びリードフレーム用素材 | |
| EP0538019A2 (en) | Lead frame for a semiconductor device | |
| JPS584955A (ja) | 金めつきされた電子部品パツケ−ジ | |
| JPH05117898A (ja) | 半導体チツプ実装用リードフレームとその製造方法 | |
| KR20010085422A (ko) | 리드프레임 및 리드프레임용 구리합금 | |
| JPS6149450A (ja) | 半導体用リ−ドフレ−ム | |
| JPS6353287A (ja) | Ａｇ被覆導体 | |
| EP0380176A1 (en) | method for producing a solderable finish on metal frames for semiconductors | |
| JPS63304654A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| JPH0888307A (ja) | リードフレーム材およびリードフレーム | |
| JPS6240753A (ja) | 半導体リ−ドフレ−ム | |
| JPH0460345B2 (ja) | ||
| JPH0558259B2 (ja) | ||
| JPS60147146A (ja) | 半導体用リ−ドフレ−ム | |
| JPH04174546A (ja) | 銅合金製半導体リードフレームの製造方法 | |
| JPS6288350A (ja) | 電子部品用リ−ドフレ−ム | |
| JPS5916354A (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |