JPS6288350A - 電子部品用リ−ドフレ−ム - Google Patents
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- JPS6288350A JPS6288350A JP22916385A JP22916385A JPS6288350A JP S6288350 A JPS6288350 A JP S6288350A JP 22916385 A JP22916385 A JP 22916385A JP 22916385 A JP22916385 A JP 22916385A JP S6288350 A JPS6288350 A JP S6288350A
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電子部品、特に半導体素子のパッケージに用い
るリードフレームの改良に関するものである。
るリードフレームの改良に関するものである。
従来の技術
一般に半導体、センサー、抵抗、レーザー等の電子部品
、特にトランジスターやＩＣなどの半導体は、その断面
の一例を第２図に、また平面の他の一例を第３図に示す
ように、リードフレーム（以下単にフレームと略記〕の
ターｊ Ｍ （１）にエポキシなどの接着剤又は半田％
Ａｕ−８ｉなどのろう材からなる接合層（３）ヲ介
して素子（２）、例えばＳｉチップ全ダイボンドし、素
子（２）上の電極バット（４）全金属細線（７） Ｋよ
りフレームのインナーリード部（５）又はアウターリー
ド部（６）にワイヤーボンドする。これをエポキシなど
のレジン（８）により第２図に示すようにダイボンドし
た素子（２）と７ウターリード（６）のワイヤーボンド
部、又は第３図に示すように点線（９）で囲まれた部分
をモールド封止し、多くはアウターリード部（６）にＳ
ｎ又は半田層を設け、曲げ加工を施してパッケージを行
なっている。
、特にトランジスターやＩＣなどの半導体は、その断面
の一例を第２図に、また平面の他の一例を第３図に示す
ように、リードフレーム（以下単にフレームと略記〕の
ターｊ Ｍ （１）にエポキシなどの接着剤又は半田％
Ａｕ−８ｉなどのろう材からなる接合層（３）ヲ介
して素子（２）、例えばＳｉチップ全ダイボンドし、素
子（２）上の電極バット（４）全金属細線（７） Ｋよ
りフレームのインナーリード部（５）又はアウターリー
ド部（６）にワイヤーボンドする。これをエポキシなど
のレジン（８）により第２図に示すようにダイボンドし
た素子（２）と７ウターリード（６）のワイヤーボンド
部、又は第３図に示すように点線（９）で囲まれた部分
をモールド封止し、多くはアウターリード部（６）にＳ
ｎ又は半田層を設け、曲げ加工を施してパッケージを行
なっている。
このようなフレームには最近Ｃｕ−８ｎ系（例えばＣｕ
−１，５％Ｓｎ、Ｃｕ−６％５ｎ−０，１％Ｐｓ Ｃｕ
−８％５ｎ−０，１ＳＰ、Ｃｕ−３，５％５ｎ−０，２
％Ｃｒ−０，１ＳＰ〕、Ｃｕ”＝Ｚｎ系（例えばＣｕ−
１０％２：ｎ）、Ｃｕ −’Ｆ ｅ系（例えばＣｕ−２
，４％Ｆｅ−０，３％Ｚｎ−０，０４％Ｐ、 Ｃｕ−１
，，５％Ｆｅ−０，６％５ｎ−０，８％Ｃｏ −０，１
，ＳＰ）、Ｃｕ−Ｃｏ系（例えばＣｕ−０，３％Ｃ０−
０，１ＳＰ）、Ｃｕ−Ｎｉ−８ｎ系（例えばＣｕ−９，
５％Ｎ ｉ −２，３％Ｓ ｎ、 Ｃｕ−０，１％Ｎ
ｉ−２，５％５ｎ−０，１ＳＰ）、Ｃｕ−２ｒ系（例え
ばＣｕ−０、］、５５％Ｚｒ、ｃｕ−ｓｎ−ｃｒ系（例
えばＣｕ−０，１５％ Ｓ ｎ−０，１％Ｃｒ）等の合
金（以下基材と略記）が用いられるようになった。これ
等基材に何れも熱、電気の良導体で強度もあり、しかも
従来使用されていたコバール（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合合金
上りも経済的である。
−１，５％Ｓｎ、Ｃｕ−６％５ｎ−０，１％Ｐｓ Ｃｕ
−８％５ｎ−０，１ＳＰ、Ｃｕ−３，５％５ｎ−０，２
％Ｃｒ−０，１ＳＰ〕、Ｃｕ”＝Ｚｎ系（例えばＣｕ−
１０％２：ｎ）、Ｃｕ −’Ｆ ｅ系（例えばＣｕ−２
，４％Ｆｅ−０，３％Ｚｎ−０，０４％Ｐ、 Ｃｕ−１
，，５％Ｆｅ−０，６％５ｎ−０，８％Ｃｏ −０，１
，ＳＰ）、Ｃｕ−Ｃｏ系（例えばＣｕ−０，３％Ｃ０−
０，１ＳＰ）、Ｃｕ−Ｎｉ−８ｎ系（例えばＣｕ−９，
５％Ｎ ｉ −２，３％Ｓ ｎ、 Ｃｕ−０，１％Ｎ
ｉ−２，５％５ｎ−０，１ＳＰ）、Ｃｕ−２ｒ系（例え
ばＣｕ−０、］、５５％Ｚｒ、ｃｕ−ｓｎ−ｃｒ系（例
えばＣｕ−０，１５％ Ｓ ｎ−０，１％Ｃｒ）等の合
金（以下基材と略記）が用いられるようになった。これ
等基材に何れも熱、電気の良導体で強度もあり、しかも
従来使用されていたコバール（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合合金
上りも経済的である。
発明が解決しようとする問題点
上記基材は何れも大気酸化を起し易く、特にフレームの
加工工程や保管中に合金元素の酸化物、例えばＳｎＯ，
Ｎ１ｐｓ ｚｎｏ、ｚｒｏ等を含むＣｕの酸化スケール
を発生し、はなはだしい場合には剥離する。このためモ
ールド封止してもフレームとレジン界面で熱応力などに
より、細隙を発生して外気や水分が浸入し易くなり、こ
れが内部素子の腐食や故障原因となっている。
加工工程や保管中に合金元素の酸化物、例えばＳｎＯ，
Ｎ１ｐｓ ｚｎｏ、ｚｒｏ等を含むＣｕの酸化スケール
を発生し、はなはだしい場合には剥離する。このためモ
ールド封止してもフレームとレジン界面で熱応力などに
より、細隙を発生して外気や水分が浸入し易くなり、こ
れが内部素子の腐食や故障原因となっている。
このような現象は特にＩＣの小型化、高密度化により一
！すまず増大する傾向にあり、これが信頼性の点で大き
な問題になっている。
！すまず増大する傾向にあり、これが信頼性の点で大き
な問題になっている。
また酸化スケールの発生は前記ダイボンド、ワイヤーボ
ンド、半田付は等に対し゛不適当な金属表面となる。例
えばフレ−ム基材に直接Ａｕ線やＣｕ合金線のワイヤー
ボンドＴｈ ４．００℃以下のＮ２−Ｈ２還元性雰囲気
中で行なっても、フレーム表面に生じた酸化物は還元さ
れず、接続性を損なう。そこで良好な表面を保持するた
めに、フレームのグイボンド部やワイヤーボンド部に高
価なＡｕやＡｇメッキが、またアウターリード部にはＳ
、ｎや３ｎ−８ｂ合金メッキが複雑な部分メッキ工程に
より施されているのが現状である。
ンド、半田付は等に対し゛不適当な金属表面となる。例
えばフレ−ム基材に直接Ａｕ線やＣｕ合金線のワイヤー
ボンドＴｈ ４．００℃以下のＮ２−Ｈ２還元性雰囲気
中で行なっても、フレーム表面に生じた酸化物は還元さ
れず、接続性を損なう。そこで良好な表面を保持するた
めに、フレームのグイボンド部やワイヤーボンド部に高
価なＡｕやＡｇメッキが、またアウターリード部にはＳ
、ｎや３ｎ−８ｂ合金メッキが複雑な部分メッキ工程に
より施されているのが現状である。
問題点を解決するための手段
本発明はこれに鑑み種々検削の結果、フレームに経済的
な基材を用いるも、高信頼性の電子部品ヲ英造すること
ができる電子部品用リードフレームを開発したもので、
銅合金板条体から成型したフレームにおいて、該フレー
ムの全面又は少なくともレジンモールドを施す面Ｋ Ｎ
ｉ、ｃｒ、ｃｏ又はこれ等の合金を被覆し、その上に
無酸素銅を被覆し７たことを特徴とするものである。
な基材を用いるも、高信頼性の電子部品ヲ英造すること
ができる電子部品用リードフレームを開発したもので、
銅合金板条体から成型したフレームにおいて、該フレー
ムの全面又は少なくともレジンモールドを施す面Ｋ Ｎ
ｉ、ｃｒ、ｃｏ又はこれ等の合金を被覆し、その上に
無酸素銅を被覆し７たことを特徴とするものである。
即ち本発明ｔｒｉ Ｃｕ合金板条体をプレス又はエツチ
ングによりフレームに成型加工してから、第１図に示す
ようにフレーム（１０）の表面にＮｉ、 Ｃｒ、ｃｏ又
はこれ等の合金（以下Ｎｉ等と略記）の被覆層（１１）
を設け、その上に無酸素銅の被覆層（１２）を設けたも
のである。Ｎｉ等の被覆はフレームの全面に施すか、又
は少なくともレジンモールドする部分の表面に施す。Ｎ
ｉ等としてはＮＬＣｒｓＣｏｋ始め、Ｎ ｉ’ Ｐ ％
Ｎ ｉ−Ｂ、Ｎ１−ｃｏ、Ｎｉ−Ｆｅ５ Ｎ ｉ −
Ｃｒ、 Ｎｉ−Ｚｎ５Ｎｉ−Ｐｄｓ Ｃｒ−Ｆｅ、 Ｃ
ｒ−Ｃｏ、 Ｃｒ−Ｆｅ−Ｎｉ。
ングによりフレームに成型加工してから、第１図に示す
ようにフレーム（１０）の表面にＮｉ、 Ｃｒ、ｃｏ又
はこれ等の合金（以下Ｎｉ等と略記）の被覆層（１１）
を設け、その上に無酸素銅の被覆層（１２）を設けたも
のである。Ｎｉ等の被覆はフレームの全面に施すか、又
は少なくともレジンモールドする部分の表面に施す。Ｎ
ｉ等としてはＮＬＣｒｓＣｏｋ始め、Ｎ ｉ’ Ｐ ％
Ｎ ｉ−Ｂ、Ｎ１−ｃｏ、Ｎｉ−Ｆｅ５ Ｎ ｉ −
Ｃｒ、 Ｎｉ−Ｚｎ５Ｎｉ−Ｐｄｓ Ｃｒ−Ｆｅ、 Ｃ
ｒ−Ｃｏ、 Ｃｒ−Ｆｅ−Ｎｉ。
ＣＯ−Ｂ％ Ｃｏ −Ｐｓ Ｃｏ −Ｎ ｉ −Ｂ％
Ｃｏ −Ｎ ｉ −Ｃｒ等の合金を用い、電気メッキ、
化学メッキ、真空蒸着、イオンブレーティング、スパッ
タリング等により所望の厚さに被覆する。また無酸素銅
の被覆も同様にして所望の厚さに被覆すればよい。
Ｃｏ −Ｎ ｉ −Ｃｒ等の合金を用い、電気メッキ、
化学メッキ、真空蒸着、イオンブレーティング、スパッ
タリング等により所望の厚さに被覆する。また無酸素銅
の被覆も同様にして所望の厚さに被覆すればよい。
作用
本発明フレームは上記構成からなり、少なくともレジン
モールドする部分の表面を無酸素銅とすることにより、
基材の合金元素の大気酸化を受けにくくシ、無酸素銅の
大気酸化により反ってレジンとの密着性が良好な酸化銅
被膜を形成せしめ、レジンモールドとの密着性を向上し
外気及び水分の浸入を抑止する。また銅合金板条体から
成型したフレーム表面にＮｉ等を被覆し、その上に無酸
素銅を被覆することにより、基材からの含有成分元素の
拡散を防止し、表面の無酸素銅の効果を維持する。
モールドする部分の表面を無酸素銅とすることにより、
基材の合金元素の大気酸化を受けにくくシ、無酸素銅の
大気酸化により反ってレジンとの密着性が良好な酸化銅
被膜を形成せしめ、レジンモールドとの密着性を向上し
外気及び水分の浸入を抑止する。また銅合金板条体から
成型したフレーム表面にＮｉ等を被覆し、その上に無酸
素銅を被覆することにより、基材からの含有成分元素の
拡散を防止し、表面の無酸素銅の効果を維持する。
更に表面の無酸素銅はアウターリード部の半田付は性を
向上する。例えばフレーム基材がＣｕ−Ｆｅ系やｃｕ−
ｓｎ−ｐ系のときは基材と半６一 円層との界面に脆弱な合金層が発生し易く、半田付は性
を低下するが、表面を無酸素銅とすることにより、これ
を解消することができる。しかも表面の無酸素銅はボン
ディング時のＮ２−Ｈ２高温ガスによる水奏脆化を起さ
ず、確実なボンディングが得られる。
向上する。例えばフレーム基材がＣｕ−Ｆｅ系やｃｕ−
ｓｎ−ｐ系のときは基材と半６一 円層との界面に脆弱な合金層が発生し易く、半田付は性
を低下するが、表面を無酸素銅とすることにより、これ
を解消することができる。しかも表面の無酸素銅はボン
ディング時のＮ２−Ｈ２高温ガスによる水奏脆化を起さ
ず、確実なボンディングが得られる。
しかしてＮｉ等の被覆層の厚さＵｏ、０１〜０．２μと
することが望ま］−く、被覆厚さが０．０１μ未満では
電子部品のパッケージ条件における拡散バリヤーとして
の効果が失なわれ、０．２μを越えるとより大きな効果
が得られず不経済なばかりか、Ｎｉ等は基材よりも硬質
で加工性に乏しいため、アウターリード部の曲げ加工時
にクラックを発生し、リード部の欠陥となる。特に近時
の小型、高密度パッケージ、例えばプラスチックチップ
キャリヤーでにアウターリードの曲げがきびしく、優れ
た加工性が要求されている。
することが望ま］−く、被覆厚さが０．０１μ未満では
電子部品のパッケージ条件における拡散バリヤーとして
の効果が失なわれ、０．２μを越えるとより大きな効果
が得られず不経済なばかりか、Ｎｉ等は基材よりも硬質
で加工性に乏しいため、アウターリード部の曲げ加工時
にクラックを発生し、リード部の欠陥となる。特に近時
の小型、高密度パッケージ、例えばプラスチックチップ
キャリヤーでにアウターリードの曲げがきびしく、優れ
た加工性が要求されている。
また無酸素銅としては０２含有量が２０ｐｐ＋１１以下
のものを用い、その被覆厚さを０．１μ以上とすること
が望捷しく、０２含有量が２０ｐｐｌＴ１を越えるとボ
ンディング時のＮ２− Ｈ２高温ガス中で水素脆化を起
す恐れがあり、被覆厚さも０．１μ未満では前記効果が
薄−！り、実用上は０．５〜５μ程度とすることが望ま
しい。
のものを用い、その被覆厚さを０．１μ以上とすること
が望捷しく、０２含有量が２０ｐｐｌＴ１を越えるとボ
ンディング時のＮ２− Ｈ２高温ガス中で水素脆化を起
す恐れがあり、被覆厚さも０．１μ未満では前記効果が
薄−！り、実用上は０．５〜５μ程度とすることが望ま
しい。
実施例
ヤ、
Ｃｕ−２％５ｎ−０，２％Ｎｉ合金木（厚さ０．２ ｙ
ｍｎ。
ｍｎ。
幅２５ ｔｍｍ ）をプレス成型し、第３図に示すフレ
ームを作成した。これについて第１表に示す条件でフレ
ーム全面にＮ１等を被覆し、その上に０２含有量が２０
ｐｐｍ以下の無酸素銅を被覆１−１しかる後常法により
インナーリード先端とタブ部に厚さ３μのＡｇメッキを
施した。続いてタブ部にＡｇペース）ｋ介してＳ１チツ
プをグイボンドし、２１０℃でキュアーしてから直径２
５μのＡｕ１ｔｉｉ用い、３１０℃でワイヤーボンドし
た。しかる後エポキシ樹脂にエフレジンモールドして制
止し、アウターリード部に５ｎ−１０％ｐｂ合金を２μ
の厚さにメッキしてからリード部を曲げ加工した。この
ようにしてパッケージした半導体について、リード部の
割れを顕微鏡により観察し、続いて１２１℃でプレッシ
ャークツカーテスト（ＰＣＴ）を行ない、 １０００時
間後の故障率を調べた。これ等の結果を第１表に併記し
た。
ームを作成した。これについて第１表に示す条件でフレ
ーム全面にＮ１等を被覆し、その上に０２含有量が２０
ｐｐｍ以下の無酸素銅を被覆１−１しかる後常法により
インナーリード先端とタブ部に厚さ３μのＡｇメッキを
施した。続いてタブ部にＡｇペース）ｋ介してＳ１チツ
プをグイボンドし、２１０℃でキュアーしてから直径２
５μのＡｕ１ｔｉｉ用い、３１０℃でワイヤーボンドし
た。しかる後エポキシ樹脂にエフレジンモールドして制
止し、アウターリード部に５ｎ−１０％ｐｂ合金を２μ
の厚さにメッキしてからリード部を曲げ加工した。この
ようにしてパッケージした半導体について、リード部の
割れを顕微鏡により観察し、続いて１２１℃でプレッシ
ャークツカーテスト（ＰＣＴ）を行ない、 １０００時
間後の故障率を調べた。これ等の結果を第１表に併記し
た。
第１表
ｕ ２ Ｎｉ−９％Ｐ ０．１５
化学メッキ（至）／／ ４ Ｃｒ
Ｏ，１０スパッタリングｐ ５ ＣＯ−］
５５％Ｃｒ Ｏ，０４ｕ比較フレーム ６ −
−〃 ７ −
−〃 ８ − −〃
９ − −無酸素鋼の被
覆 卵れ 故障率ｕＳＯ４ ２，０１０浴電気、ツヤ 無し ０８１．５ １．
１ １／ ｌ／ １．１１．０
１０ ｔｔ ｔｔ １，２０
．４ １４ スパッタリング 〃１，４１．２
１５ １／ Ｉ／ １．１ｌｌ
５Ｏ４ ２・０ １０ 浴電気メッキ “ 】２・０
４．０ ３１． ／／ ｔｔ
４．５６．０ １１． ｕ
有ｌリ １．２− − −
無し ４５、ＯｕＳＯ４ １，５１１浴電気、ツヤ 有ｖ１．０ ０．５ １５ スパッタリング 〃１．０第１表
から明らかなように本発明フレータＮ１１〜５は従来の
無処理の比較フレームＮα９に比較し、はるかに高い信
頼性を有することが判る。
化学メッキ（至）／／ ４ Ｃｒ
Ｏ，１０スパッタリングｐ ５ ＣＯ−］
５５％Ｃｒ Ｏ，０４ｕ比較フレーム ６ −
−〃 ７ −
−〃 ８ − −〃
９ − −無酸素鋼の被
覆 卵れ 故障率ｕＳＯ４ ２，０１０浴電気、ツヤ 無し ０８１．５ １．
１ １／ ｌ／ １．１１．０
１０ ｔｔ ｔｔ １，２０
．４ １４ スパッタリング 〃１，４１．２
１５ １／ Ｉ／ １．１ｌｌ
５Ｏ４ ２・０ １０ 浴電気メッキ “ 】２・０
４．０ ３１． ／／ ｔｔ
４．５６．０ １１． ｕ
有ｌリ １．２− − −
無し ４５、ＯｕＳＯ４ １，５１１浴電気、ツヤ 有ｖ１．０ ０．５ １５ スパッタリング 〃１．０第１表
から明らかなように本発明フレータＮ１１〜５は従来の
無処理の比較フレームＮα９に比較し、はるかに高い信
頼性を有することが判る。
これに対しＮ１等の被覆を省略した比較フレームＮＣＬ
６〜８では無酸素銅の被覆厚さが６．０μでＰＣＴＣス
テスト後好であるが、アウターリードにクラックの発生
が認められた。またＮｉ等を被覆してから無酸素鋼を被
覆し、たものでも、Ｎｉ等の被覆厚さが０．２μを越え
る比較フレームＮα１０，１１では何れもアウターリー
ドにクラックの発生が認められた。
６〜８では無酸素銅の被覆厚さが６．０μでＰＣＴＣス
テスト後好であるが、アウターリードにクラックの発生
が認められた。またＮｉ等を被覆してから無酸素鋼を被
覆し、たものでも、Ｎｉ等の被覆厚さが０．２μを越え
る比較フレームＮα１０，１１では何れもアウターリー
ドにクラックの発生が認められた。
発明の効果
このように本発明フレームによれば基材の影響を受ける
ことなく、表面の無酸素銅の特性を有効に発揮させ、経
済的で信頼性の高い半導体を製造することができるもの
で、半導体を始めレーザーや各種センサー、抵抗等の電
子部品のフレームとして顕著な効果を奏するものである
。
ことなく、表面の無酸素銅の特性を有効に発揮させ、経
済的で信頼性の高い半導体を製造することができるもの
で、半導体を始めレーザーや各種センサー、抵抗等の電
子部品のフレームとして顕著な効果を奏するものである
。
第１図は本発明フレームの一例を示す断面図、第２図は
半導体の一例を示す断面図、第３図は半導体の他の一例
を示す平面図である。 １ タブ部 ２ 素子 ３ 接合層 ４ 電極パット５ インナーリ
ード ６ アウターリード７ 金属細線 ８
レジン ９ モールド封止部 １０ 基材 １０ Ｎ１等の被覆層 １１ 無酸素鋼の被覆層代予
里
半導体の一例を示す断面図、第３図は半導体の他の一例
を示す平面図である。 １ タブ部 ２ 素子 ３ 接合層 ４ 電極パット５ インナーリ
ード ６ アウターリード７ 金属細線 ８
レジン ９ モールド封止部 １０ 基材 １０ Ｎ１等の被覆層 １１ 無酸素鋼の被覆層代予
里
Claims (3)
- （１）銅合金板条体から成型したリードフレームにおい
て、該フレームの全面又は少なくともレジンモールドを
施す面にＮｉ、Ｃｒ、Ｃｏ又はこれ等の合金を被覆し、
その上に無酸素銅を被覆したことを特徴とする電子部品
用リードフレーム。 - （２）Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｏ又はこれ等の合金を０．０１〜
０．２μの厚さに被覆する特許請求の範囲第１項記載の
電子部品用リードフレーム。 - （３）酸素含有量が２０ｐｐｍ以下の無酸素銅を被覆す
る特許請求の範囲第１項又は第２項記載の電子部品用リ
ードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22916385A JPS6288350A (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | 電子部品用リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22916385A JPS6288350A (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | 電子部品用リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6288350A true JPS6288350A (ja) | 1987-04-22 |
Family
ID=16887769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22916385A Pending JPS6288350A (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | 電子部品用リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6288350A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6457628A (en) * | 1987-08-27 | 1989-03-03 | Kyocera Corp | Electronic component with conductive layer |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5379381A (en) * | 1976-12-24 | 1978-07-13 | Hitachi Ltd | Production of resin seal type semiconductor device and lead frame used forthe same |
| JPS54134560A (en) * | 1978-04-11 | 1979-10-19 | Toshiba Corp | Resin-sealed semiconductor device |
| JPS59148356A (ja) * | 1983-02-14 | 1984-08-25 | Furukawa Electric Co Ltd:The | リ−ドフレ−ム用複合材 |
-
1985
- 1985-10-15 JP JP22916385A patent/JPS6288350A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5379381A (en) * | 1976-12-24 | 1978-07-13 | Hitachi Ltd | Production of resin seal type semiconductor device and lead frame used forthe same |
| JPS54134560A (en) * | 1978-04-11 | 1979-10-19 | Toshiba Corp | Resin-sealed semiconductor device |
| JPS59148356A (ja) * | 1983-02-14 | 1984-08-25 | Furukawa Electric Co Ltd:The | リ−ドフレ−ム用複合材 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6457628A (en) * | 1987-08-27 | 1989-03-03 | Kyocera Corp | Electronic component with conductive layer |
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