JPS6288350A - 電子部品用リ−ドフレ−ム - Google Patents
電子部品用リ−ドフレ−ムInfo
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- JPS6288350A JPS6288350A JP22916385A JP22916385A JPS6288350A JP S6288350 A JPS6288350 A JP S6288350A JP 22916385 A JP22916385 A JP 22916385A JP 22916385 A JP22916385 A JP 22916385A JP S6288350 A JPS6288350 A JP S6288350A
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- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電子部品、特に半導体素子のパッケージに用い
るリードフレームの改良に関するものである。
るリードフレームの改良に関するものである。
従来の技術
一般に半導体、センサー、抵抗、レーザー等の電子部品
、特にトランジスターやICなどの半導体は、その断面
の一例を第2図に、また平面の他の一例を第3図に示す
ように、リードフレーム(以下単にフレームと略記〕の
ターj M (1)にエポキシなどの接着剤又は半田%
Au−8iなどのろう材からなる接合層(3)ヲ介
して素子(2)、例えばSiチップ全ダイボンドし、素
子(2)上の電極バット(4)全金属細線(7) Kよ
りフレームのインナーリード部(5)又はアウターリー
ド部(6)にワイヤーボンドする。これをエポキシなど
のレジン(8)により第2図に示すようにダイボンドし
た素子(2)と7ウターリード(6)のワイヤーボンド
部、又は第3図に示すように点線(9)で囲まれた部分
をモールド封止し、多くはアウターリード部(6)にS
n又は半田層を設け、曲げ加工を施してパッケージを行
なっている。
、特にトランジスターやICなどの半導体は、その断面
の一例を第2図に、また平面の他の一例を第3図に示す
ように、リードフレーム(以下単にフレームと略記〕の
ターj M (1)にエポキシなどの接着剤又は半田%
Au−8iなどのろう材からなる接合層(3)ヲ介
して素子(2)、例えばSiチップ全ダイボンドし、素
子(2)上の電極バット(4)全金属細線(7) Kよ
りフレームのインナーリード部(5)又はアウターリー
ド部(6)にワイヤーボンドする。これをエポキシなど
のレジン(8)により第2図に示すようにダイボンドし
た素子(2)と7ウターリード(6)のワイヤーボンド
部、又は第3図に示すように点線(9)で囲まれた部分
をモールド封止し、多くはアウターリード部(6)にS
n又は半田層を設け、曲げ加工を施してパッケージを行
なっている。
このようなフレームには最近Cu−8n系(例えばCu
−1,5%Sn、Cu−6%5n−0,1%Ps Cu
−8%5n−0,1SP、Cu−3,5%5n−0,2
%Cr−0,1SP〕、Cu”=Zn系(例えばCu−
10%2:n)、Cu −’F e系(例えばCu−2
,4%Fe−0,3%Zn−0,04%P、 Cu−1
,,5%Fe−0,6%5n−0,8%Co −0,1
,SP)、Cu−Co系(例えばCu−0,3%C0−
0,1SP)、Cu−Ni−8n系(例えばCu−9,
5%N i −2,3%S n、 Cu−0,1%N
i−2,5%5n−0,1SP)、Cu−2r系(例え
ばCu−0、]、55%Zr、cu−sn−cr系(例
えばCu−0,15% S n−0,1%Cr)等の合
金(以下基材と略記)が用いられるようになった。これ
等基材に何れも熱、電気の良導体で強度もあり、しかも
従来使用されていたコバール(Fe−Ni−Co合合金
上りも経済的である。
−1,5%Sn、Cu−6%5n−0,1%Ps Cu
−8%5n−0,1SP、Cu−3,5%5n−0,2
%Cr−0,1SP〕、Cu”=Zn系(例えばCu−
10%2:n)、Cu −’F e系(例えばCu−2
,4%Fe−0,3%Zn−0,04%P、 Cu−1
,,5%Fe−0,6%5n−0,8%Co −0,1
,SP)、Cu−Co系(例えばCu−0,3%C0−
0,1SP)、Cu−Ni−8n系(例えばCu−9,
5%N i −2,3%S n、 Cu−0,1%N
i−2,5%5n−0,1SP)、Cu−2r系(例え
ばCu−0、]、55%Zr、cu−sn−cr系(例
えばCu−0,15% S n−0,1%Cr)等の合
金(以下基材と略記)が用いられるようになった。これ
等基材に何れも熱、電気の良導体で強度もあり、しかも
従来使用されていたコバール(Fe−Ni−Co合合金
上りも経済的である。
発明が解決しようとする問題点
上記基材は何れも大気酸化を起し易く、特にフレームの
加工工程や保管中に合金元素の酸化物、例えばSnO,
N1ps zno、zro等を含むCuの酸化スケール
を発生し、はなはだしい場合には剥離する。このためモ
ールド封止してもフレームとレジン界面で熱応力などに
より、細隙を発生して外気や水分が浸入し易くなり、こ
れが内部素子の腐食や故障原因となっている。
加工工程や保管中に合金元素の酸化物、例えばSnO,
N1ps zno、zro等を含むCuの酸化スケール
を発生し、はなはだしい場合には剥離する。このためモ
ールド封止してもフレームとレジン界面で熱応力などに
より、細隙を発生して外気や水分が浸入し易くなり、こ
れが内部素子の腐食や故障原因となっている。
このような現象は特にICの小型化、高密度化により一
!すまず増大する傾向にあり、これが信頼性の点で大き
な問題になっている。
!すまず増大する傾向にあり、これが信頼性の点で大き
な問題になっている。
また酸化スケールの発生は前記ダイボンド、ワイヤーボ
ンド、半田付は等に対し゛不適当な金属表面となる。例
えばフレ−ム基材に直接Au線やCu合金線のワイヤー
ボンドTh 4.00℃以下のN2−H2還元性雰囲気
中で行なっても、フレーム表面に生じた酸化物は還元さ
れず、接続性を損なう。そこで良好な表面を保持するた
めに、フレームのグイボンド部やワイヤーボンド部に高
価なAuやAgメッキが、またアウターリード部にはS
、nや3n−8b合金メッキが複雑な部分メッキ工程に
より施されているのが現状である。
ンド、半田付は等に対し゛不適当な金属表面となる。例
えばフレ−ム基材に直接Au線やCu合金線のワイヤー
ボンドTh 4.00℃以下のN2−H2還元性雰囲気
中で行なっても、フレーム表面に生じた酸化物は還元さ
れず、接続性を損なう。そこで良好な表面を保持するた
めに、フレームのグイボンド部やワイヤーボンド部に高
価なAuやAgメッキが、またアウターリード部にはS
、nや3n−8b合金メッキが複雑な部分メッキ工程に
より施されているのが現状である。
問題点を解決するための手段
本発明はこれに鑑み種々検削の結果、フレームに経済的
な基材を用いるも、高信頼性の電子部品ヲ英造すること
ができる電子部品用リードフレームを開発したもので、
銅合金板条体から成型したフレームにおいて、該フレー
ムの全面又は少なくともレジンモールドを施す面K N
i、cr、co又はこれ等の合金を被覆し、その上に
無酸素銅を被覆し7たことを特徴とするものである。
な基材を用いるも、高信頼性の電子部品ヲ英造すること
ができる電子部品用リードフレームを開発したもので、
銅合金板条体から成型したフレームにおいて、該フレー
ムの全面又は少なくともレジンモールドを施す面K N
i、cr、co又はこれ等の合金を被覆し、その上に
無酸素銅を被覆し7たことを特徴とするものである。
即ち本発明tri Cu合金板条体をプレス又はエツチ
ングによりフレームに成型加工してから、第1図に示す
ようにフレーム(10)の表面にNi、 Cr、co又
はこれ等の合金(以下Ni等と略記)の被覆層(11)
を設け、その上に無酸素銅の被覆層(12)を設けたも
のである。Ni等の被覆はフレームの全面に施すか、又
は少なくともレジンモールドする部分の表面に施す。N
i等としてはNLCrsCok始め、N i’ P %
N i−B、N1−co、Ni−Fe5 N i −
Cr、 Ni−Zn5Ni−Pds Cr−Fe、 C
r−Co、 Cr−Fe−Ni。
ングによりフレームに成型加工してから、第1図に示す
ようにフレーム(10)の表面にNi、 Cr、co又
はこれ等の合金(以下Ni等と略記)の被覆層(11)
を設け、その上に無酸素銅の被覆層(12)を設けたも
のである。Ni等の被覆はフレームの全面に施すか、又
は少なくともレジンモールドする部分の表面に施す。N
i等としてはNLCrsCok始め、N i’ P %
N i−B、N1−co、Ni−Fe5 N i −
Cr、 Ni−Zn5Ni−Pds Cr−Fe、 C
r−Co、 Cr−Fe−Ni。
CO−B% Co −Ps Co −N i −B%
Co −N i −Cr等の合金を用い、電気メッキ、
化学メッキ、真空蒸着、イオンブレーティング、スパッ
タリング等により所望の厚さに被覆する。また無酸素銅
の被覆も同様にして所望の厚さに被覆すればよい。
Co −N i −Cr等の合金を用い、電気メッキ、
化学メッキ、真空蒸着、イオンブレーティング、スパッ
タリング等により所望の厚さに被覆する。また無酸素銅
の被覆も同様にして所望の厚さに被覆すればよい。
作用
本発明フレームは上記構成からなり、少なくともレジン
モールドする部分の表面を無酸素銅とすることにより、
基材の合金元素の大気酸化を受けにくくシ、無酸素銅の
大気酸化により反ってレジンとの密着性が良好な酸化銅
被膜を形成せしめ、レジンモールドとの密着性を向上し
外気及び水分の浸入を抑止する。また銅合金板条体から
成型したフレーム表面にNi等を被覆し、その上に無酸
素銅を被覆することにより、基材からの含有成分元素の
拡散を防止し、表面の無酸素銅の効果を維持する。
モールドする部分の表面を無酸素銅とすることにより、
基材の合金元素の大気酸化を受けにくくシ、無酸素銅の
大気酸化により反ってレジンとの密着性が良好な酸化銅
被膜を形成せしめ、レジンモールドとの密着性を向上し
外気及び水分の浸入を抑止する。また銅合金板条体から
成型したフレーム表面にNi等を被覆し、その上に無酸
素銅を被覆することにより、基材からの含有成分元素の
拡散を防止し、表面の無酸素銅の効果を維持する。
更に表面の無酸素銅はアウターリード部の半田付は性を
向上する。例えばフレーム基材がCu−Fe系やcu−
sn−p系のときは基材と半6一 円層との界面に脆弱な合金層が発生し易く、半田付は性
を低下するが、表面を無酸素銅とすることにより、これ
を解消することができる。しかも表面の無酸素銅はボン
ディング時のN2−H2高温ガスによる水奏脆化を起さ
ず、確実なボンディングが得られる。
向上する。例えばフレーム基材がCu−Fe系やcu−
sn−p系のときは基材と半6一 円層との界面に脆弱な合金層が発生し易く、半田付は性
を低下するが、表面を無酸素銅とすることにより、これ
を解消することができる。しかも表面の無酸素銅はボン
ディング時のN2−H2高温ガスによる水奏脆化を起さ
ず、確実なボンディングが得られる。
しかしてNi等の被覆層の厚さUo、01〜0.2μと
することが望ま]−く、被覆厚さが0.01μ未満では
電子部品のパッケージ条件における拡散バリヤーとして
の効果が失なわれ、0.2μを越えるとより大きな効果
が得られず不経済なばかりか、Ni等は基材よりも硬質
で加工性に乏しいため、アウターリード部の曲げ加工時
にクラックを発生し、リード部の欠陥となる。特に近時
の小型、高密度パッケージ、例えばプラスチックチップ
キャリヤーでにアウターリードの曲げがきびしく、優れ
た加工性が要求されている。
することが望ま]−く、被覆厚さが0.01μ未満では
電子部品のパッケージ条件における拡散バリヤーとして
の効果が失なわれ、0.2μを越えるとより大きな効果
が得られず不経済なばかりか、Ni等は基材よりも硬質
で加工性に乏しいため、アウターリード部の曲げ加工時
にクラックを発生し、リード部の欠陥となる。特に近時
の小型、高密度パッケージ、例えばプラスチックチップ
キャリヤーでにアウターリードの曲げがきびしく、優れ
た加工性が要求されている。
また無酸素銅としては02含有量が20pp+11以下
のものを用い、その被覆厚さを0.1μ以上とすること
が望捷しく、02含有量が20pplT1を越えるとボ
ンディング時のN2− H2高温ガス中で水素脆化を起
す恐れがあり、被覆厚さも0.1μ未満では前記効果が
薄−!り、実用上は0.5〜5μ程度とすることが望ま
しい。
のものを用い、その被覆厚さを0.1μ以上とすること
が望捷しく、02含有量が20pplT1を越えるとボ
ンディング時のN2− H2高温ガス中で水素脆化を起
す恐れがあり、被覆厚さも0.1μ未満では前記効果が
薄−!り、実用上は0.5〜5μ程度とすることが望ま
しい。
実施例
ヤ、
Cu−2%5n−0,2%Ni合金木(厚さ0.2 y
mn。
mn。
幅25 tmm )をプレス成型し、第3図に示すフレ
ームを作成した。これについて第1表に示す条件でフレ
ーム全面にN1等を被覆し、その上に02含有量が20
ppm以下の無酸素銅を被覆1−1しかる後常法により
インナーリード先端とタブ部に厚さ3μのAgメッキを
施した。続いてタブ部にAgペース)k介してS1チツ
プをグイボンドし、210℃でキュアーしてから直径2
5μのAu1tii用い、310℃でワイヤーボンドし
た。しかる後エポキシ樹脂にエフレジンモールドして制
止し、アウターリード部に5n−10%pb合金を2μ
の厚さにメッキしてからリード部を曲げ加工した。この
ようにしてパッケージした半導体について、リード部の
割れを顕微鏡により観察し、続いて121℃でプレッシ
ャークツカーテスト(PCT)を行ない、 1000時
間後の故障率を調べた。これ等の結果を第1表に併記し
た。
ームを作成した。これについて第1表に示す条件でフレ
ーム全面にN1等を被覆し、その上に02含有量が20
ppm以下の無酸素銅を被覆1−1しかる後常法により
インナーリード先端とタブ部に厚さ3μのAgメッキを
施した。続いてタブ部にAgペース)k介してS1チツ
プをグイボンドし、210℃でキュアーしてから直径2
5μのAu1tii用い、310℃でワイヤーボンドし
た。しかる後エポキシ樹脂にエフレジンモールドして制
止し、アウターリード部に5n−10%pb合金を2μ
の厚さにメッキしてからリード部を曲げ加工した。この
ようにしてパッケージした半導体について、リード部の
割れを顕微鏡により観察し、続いて121℃でプレッシ
ャークツカーテスト(PCT)を行ない、 1000時
間後の故障率を調べた。これ等の結果を第1表に併記し
た。
第1表
u 2 Ni−9%P 0.15
化学メッキ(至)// 4 Cr
O,10スパッタリングp 5 CO−]
55%Cr O,04u比較フレーム 6 −
−〃 7 −
−〃 8 − −〃
9 − −無酸素鋼の被
覆 卵れ 故障率uSO4 2,010浴電気、ツヤ 無し 081.5 1.
1 1/ l/ 1.11.0
10 tt tt 1,20
.4 14 スパッタリング 〃1,41.2
15 1/ I/ 1.1ll
5O4 2・0 10 浴電気メッキ “ 】2・0
4.0 31. // tt
4.56.0 11. u
有lリ 1.2− − −
無し 45、OuSO4 1,511浴電気、ツヤ 有v1.0 0.5 15 スパッタリング 〃1.0第1表
から明らかなように本発明フレータN11〜5は従来の
無処理の比較フレームNα9に比較し、はるかに高い信
頼性を有することが判る。
化学メッキ(至)// 4 Cr
O,10スパッタリングp 5 CO−]
55%Cr O,04u比較フレーム 6 −
−〃 7 −
−〃 8 − −〃
9 − −無酸素鋼の被
覆 卵れ 故障率uSO4 2,010浴電気、ツヤ 無し 081.5 1.
1 1/ l/ 1.11.0
10 tt tt 1,20
.4 14 スパッタリング 〃1,41.2
15 1/ I/ 1.1ll
5O4 2・0 10 浴電気メッキ “ 】2・0
4.0 31. // tt
4.56.0 11. u
有lリ 1.2− − −
無し 45、OuSO4 1,511浴電気、ツヤ 有v1.0 0.5 15 スパッタリング 〃1.0第1表
から明らかなように本発明フレータN11〜5は従来の
無処理の比較フレームNα9に比較し、はるかに高い信
頼性を有することが判る。
これに対しN1等の被覆を省略した比較フレームNCL
6〜8では無酸素銅の被覆厚さが6.0μでPCTCス
テスト後好であるが、アウターリードにクラックの発生
が認められた。またNi等を被覆してから無酸素鋼を被
覆し、たものでも、Ni等の被覆厚さが0.2μを越え
る比較フレームNα10,11では何れもアウターリー
ドにクラックの発生が認められた。
6〜8では無酸素銅の被覆厚さが6.0μでPCTCス
テスト後好であるが、アウターリードにクラックの発生
が認められた。またNi等を被覆してから無酸素鋼を被
覆し、たものでも、Ni等の被覆厚さが0.2μを越え
る比較フレームNα10,11では何れもアウターリー
ドにクラックの発生が認められた。
発明の効果
このように本発明フレームによれば基材の影響を受ける
ことなく、表面の無酸素銅の特性を有効に発揮させ、経
済的で信頼性の高い半導体を製造することができるもの
で、半導体を始めレーザーや各種センサー、抵抗等の電
子部品のフレームとして顕著な効果を奏するものである
。
ことなく、表面の無酸素銅の特性を有効に発揮させ、経
済的で信頼性の高い半導体を製造することができるもの
で、半導体を始めレーザーや各種センサー、抵抗等の電
子部品のフレームとして顕著な効果を奏するものである
。
第1図は本発明フレームの一例を示す断面図、第2図は
半導体の一例を示す断面図、第3図は半導体の他の一例
を示す平面図である。 1 タブ部 2 素子 3 接合層 4 電極パット5 インナーリ
ード 6 アウターリード7 金属細線 8
レジン 9 モールド封止部 10 基材 10 N1等の被覆層 11 無酸素鋼の被覆層代予
里
半導体の一例を示す断面図、第3図は半導体の他の一例
を示す平面図である。 1 タブ部 2 素子 3 接合層 4 電極パット5 インナーリ
ード 6 アウターリード7 金属細線 8
レジン 9 モールド封止部 10 基材 10 N1等の被覆層 11 無酸素鋼の被覆層代予
里
Claims (3)
- (1)銅合金板条体から成型したリードフレームにおい
て、該フレームの全面又は少なくともレジンモールドを
施す面にNi、Cr、Co又はこれ等の合金を被覆し、
その上に無酸素銅を被覆したことを特徴とする電子部品
用リードフレーム。 - (2)Ni、Cr、Co又はこれ等の合金を0.01〜
0.2μの厚さに被覆する特許請求の範囲第1項記載の
電子部品用リードフレーム。 - (3)酸素含有量が20ppm以下の無酸素銅を被覆す
る特許請求の範囲第1項又は第2項記載の電子部品用リ
ードフレーム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22916385A JPS6288350A (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | 電子部品用リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22916385A JPS6288350A (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | 電子部品用リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6288350A true JPS6288350A (ja) | 1987-04-22 |
Family
ID=16887769
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22916385A Pending JPS6288350A (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | 電子部品用リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6288350A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6457628A (en) * | 1987-08-27 | 1989-03-03 | Kyocera Corp | Electronic component with conductive layer |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5379381A (en) * | 1976-12-24 | 1978-07-13 | Hitachi Ltd | Production of resin seal type semiconductor device and lead frame used forthe same |
JPS54134560A (en) * | 1978-04-11 | 1979-10-19 | Toshiba Corp | Resin-sealed semiconductor device |
JPS59148356A (ja) * | 1983-02-14 | 1984-08-25 | Furukawa Electric Co Ltd:The | リ−ドフレ−ム用複合材 |
-
1985
- 1985-10-15 JP JP22916385A patent/JPS6288350A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5379381A (en) * | 1976-12-24 | 1978-07-13 | Hitachi Ltd | Production of resin seal type semiconductor device and lead frame used forthe same |
JPS54134560A (en) * | 1978-04-11 | 1979-10-19 | Toshiba Corp | Resin-sealed semiconductor device |
JPS59148356A (ja) * | 1983-02-14 | 1984-08-25 | Furukawa Electric Co Ltd:The | リ−ドフレ−ム用複合材 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6457628A (en) * | 1987-08-27 | 1989-03-03 | Kyocera Corp | Electronic component with conductive layer |
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