JP3087163B2 - 無電解金めっきの厚付け方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プリント配線基板
や電子工業部品等に金めっき皮膜を形成する場合に好適
に使用される無電解金めっきの厚付け方法に関するもの
であり、更に詳述すると、無電解ニッケルめっきした被
めっき物表面に無電解金めっき皮膜を短時間で十分に厚
付けすることができる工業的に有用な無電解金めっきの
厚付け方法に関する。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来よ
り、無電解金めっきは、金の電気伝導性、熱圧着による
接続性等の物理的性質及び耐酸化性、耐薬品性等の点か
らプリント配線基板、セラミックＩＣパッケージ、ＩＴ
Ｏ基板、ＩＣカード等の電子工業部品の表面に適用され
ており、無電解金めっきを効率よく厚付けすることはプ
リント基板業界等においては重要な課題である。

【０００３】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、無電解金めっきを短時間で十分に厚付けすることが
できる工業的に有用な無電解金めっきの厚付け方法を提
供することを目的とする。

【０００４】

【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者は、上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた
結果、無電解金めっきを行う際の被めっき物について着
目し、該被めっき物をＳ−Ｓ硫黄結合を有する化合物を
添加した無電解ニッケルめっき液でニッケルめっき処理
を行い、このニッケルめっき皮膜を有する被めっき物に
無電解金めっきを施した場合、金めっき皮膜が、短時間
で十分に厚く形成されることを見い出した。

【０００５】またこの場合、被めっき物にＳ−Ｓ硫黄結
合を有する化合物を含まない無電解ニッケルめっき液を
用いて無電解ニッケルめっきを行った後、この皮膜上に
Ｓ−Ｓ硫黄結合を有する化合物を含む無電解ニッケルめ
っき液を用いて無電解ニッケルめっきを行い、その上に
無電解金めっきを施すことにより、金めっき皮膜が短時
間で十分に厚く形成される上、経時的な変色のない良好
な外観を有する金めっき皮膜が得られることを見出し、
本発明をなすに至ったものである。

【０００６】従って、本発明は、Ｓ−Ｓ硫黄結合を有す
る化合物を添加した無電解ニッケルめっき液を用いてニ
ッケルめっきを行った後、このニッケルめっきにより形
成されたニッケルめっき皮膜を有する被めっき物を無電
解金めっき浴に浸漬して無電解金めっきすることを特徴
とする無電解金めっきの厚付け方法を提供する。また、
本発明は、被めっき物にＳ−Ｓ硫黄結合を有する化合物
無含有の無電解ニッケルめっき液を用いて無電解ニッケ
ルめっきを施した後、Ｓ−Ｓ硫黄結合を有する化合物を
含有した無電解ニッケルめっきを施し、その後無電解金
めっきを施すようにした無電解金めっきの厚付け方法を
提供する。

【０００７】以下、本発明につき更に詳しく説明する
と、本発明の無電解金めっきの厚付け方法は、上述した
ように、Ｓ−Ｓ硫黄結合を有する化合物を添加した無電
解ニッケルめっき液を用いてニッケルめっきを行った
後、無電解金めっきを行うものである。

【０００８】本発明に用いられる無電解ニッケルめっき
液は、水溶性ニッケル塩、還元剤、錯化剤を含有するも
のである。

【０００９】ここで、水溶性ニッケル塩としては、硫酸
ニッケル、塩化ニッケル等が用いられ、その使用量は
０．０１〜１モル／Ｌ、特に０．０５〜０．２モル／Ｌ
とすることが好ましい。

【００１０】また、還元剤としては、次亜リン酸、次亜
リン酸ナトリウム等の次亜リン酸塩、ジメチルアミンボ
ラン、トリメチルアミンボラン、ヒドラジン等が用いら
れる。その使用量は０．０１〜１モル／Ｌ、特に０．０
５〜０．５モル／Ｌであることが好ましい。

【００１１】錯化剤としては、りんご酸、こはく酸、乳
酸、クエン酸などやそのナトリウム塩などのカルボン酸
類、グリシン、アラニン、イミノジ酢酸、アルギニン、
グルタミン酸等のアミノ酸類等、公知の錯化剤が用いら
れる。その使用量は０．０１〜２モル／Ｌ、特に０．０
５〜１モル／Ｌであることが好ましい。

【００１２】無電解ニッケルめっき液には、更に通常安
定剤として水溶性鉛塩の酢酸鉛、硫黄化合物のチオジグ
リコール酸などを添加することができる。その添加量は
０．１〜１００ｍｇ／Ｌであることが好ましい。

【００１３】本発明においては、上記成分に加え、Ｓ−
Ｓ硫黄結合を有する化合物を添加するもので、これによ
りファインパターンにめっきを施した場合において、肩
薄の問題、ニッケルのはみ出しの問題が解消された無電
解ニッケルめっき皮膜を形成することができる。

【００１４】この場合、上記硫黄結合を有する化合物と
しては、有機硫黄化合物でもよいが、無機硫黄化合物、
特にチオ硫酸塩、二チオン酸塩、ポリチオン酸塩（例え
ばＯ₃Ｓ−Ｓｎ−ＳＯ₃においてｎ＝１〜４）、亜二チオ
ン酸塩が好ましい。なお、塩としてはナトリウム塩等の
アルカリ金属の水溶性塩が用いられる。

【００１５】上記硫黄結合を有する化合物の添加量は、
０．０１〜１００ｍｇ／Ｌ、特に０．０５〜５０ｍｇ／
Ｌであることが好ましい。０．０１ｍｇ／Ｌより少ない
と上述した本発明の目的が十分達成されず、１００ｍｇ
／Ｌより多いとめっきが全く付着しない現象が起こる。

【００１６】本発明の無電解ニッケルめっき液のｐＨは
４〜７、特に４〜６であることが好ましい。

【００１７】上記無電解ニッケルめっき液を用いてファ
インパターンなどに対する無電解ニッケルめっきを行う
方法は常法に従うことができ、該めっき液に被めっき物
を浸漬すればよい。被めっき液の材質としては、鉄、コ
バルト、ニッケル、パラジウムなどやこれらの合金とい
った無電解ニッケルめっき皮膜の還元析出に触媒性のあ
る金属を挙げることができる。また、触媒性のない金属
であれば、いわゆるガルバニックイニシエーションを行
う（被めっき物に対し還元析出が生じるまで電気を与え
る）か、又は上記触媒活性のある金属のめっき皮膜を形
成してからめっきを行えばよく、またガラス、セラミッ
クス、プラスチック等、或いは上記触媒活性のない金属
などに対しては常法に従ってパラジウム核などの金属触
媒核を付着させた後にめっきを行うことができる。この
場合、めっき温度は４０〜９５℃、特に６０〜９５℃と
することが好ましく、また必要によりめっきに際して撹
拌を行うことができる。

【００１８】本発明は、このような無電解ニッケルめっ
きを施した被めっき物に対して無電解金めっきを行うも
ので、上述したＳ−Ｓ硫黄結合を有する化合物が添加さ
れた無電解ニッケルめっき液を用いて形成された無電解
ニッケルめっき皮膜に対して無電解金めっきを施した場
合、かかるＳ−Ｓ硫黄結合を有する化合物を含まない無
電解ニッケルめっき液からの無電解ニッケルめっき皮膜
に無電解金めっきを施す場合に比較して、意外にも短時
間での厚付けが可能になったものである。

【００１９】この無電解金めっき浴は、金原料、錯化剤
等を含有するが、これらは通常の金めっき浴に使用され
る金原料でよく、例えば、シアン化金塩、亜硫酸金塩、
チオ硫酸金塩等を使用することができ、特にシアン化金
カリウムなどの水溶性シアン化金塩を好適に使用するこ
とができる。金原料の配合量は特に限定されるものでは
ないが、金濃度として０．５〜１０ｇ／Ｌ、特に１〜５
ｇ／Ｌとすることが好ましい。この場合、金原料の配合
量、即ちめっき浴中の金イオン濃度にほぼ比例してめっ
き速度が増大するが、１０ｇ／Ｌを超えるとめっき速度
は増大するものの、めっき浴の安定性に劣る場合があ
る。一方、金濃度が０．５ｇ／Ｌ未満であると、めっき
速度が非常に小さくなってしまう場合が生じる。

【００２０】次に、上記無電解金めっき浴に配合する錯
化剤も公知のものを使用することができる。具体的に
は、硫酸アンモニウム、アミノカルボン酸塩、カルボン
酸塩、ヒドロキシカルボン酸塩等を使用することがで
き、通常５〜３００ｇ／Ｌ、特に１０〜２００ｇ／Ｌの
範囲で配合することが好ましく、５ｇ／Ｌ未満では錯化
剤としても効果が不十分となり、液安定性に欠ける場合
があり、また３００ｇ／Ｌを超える量を添加しても効果
はあまり上がらず、不経済である。

【００２１】また、還元剤としてチオ硫酸塩、ヒドラジ
ン、アスコルビン酸塩などを配合することができる。こ
の場合、チオ硫酸塩としては、チオ硫酸アンモニウム、
チオ硫酸ナトリウム、チオ硫酸カリウム等が好適に用い
られる。上記還元剤は、その１種を単独で用いても２種
以上を併用してもよい。

【００２２】還元剤の配合量は特に制限されるものでは
ないが、通常０〜１０ｇ／Ｌ、特に０〜５ｇ／Ｌとする
ことが好ましい。この場合、還元剤の濃度にほぼ比例し
てめっき速度が増大するが、１０ｇ／Ｌを超える量を添
加してもめっき速度は余り大きくならず、むしろ液安定
性が劣化する場合がある。一方、還元剤の配合量がなく
とも下地のニッケルとの置換反応によって金が析出す
る。

【００２３】なお、上記の無電解金めっき浴は、更に必
要に応じて上記成分に加えてリン酸塩、亜リン酸塩、カ
ルボン酸塩等のｐＨ調整剤、Ｔｌ，Ａｓ，Ｐｂ等の結晶
調整剤、その他の各種添加剤を適宜混合して使用するこ
とができる。

【００２４】上記のめっき浴は中性付近で使用すること
が好ましく、通常ｐＨ３．５〜９、より好ましくはｐＨ
４〜９の範囲で使用することが推奨される。

【００２５】ここで、上記無電解金めっき浴は厚付け用
として使用されるものであるが、本発明の無電解金めっ
き方法は、上記無電解金めっき浴を用いる以外は常法に
従って行うことができ、直接上記無電解ニッケルめっき
皮膜が形成された被めっき物に皮膜形成を行うこともで
きるが、特に厚付けめっきを行う際には、ストライク無
電解金めっきを行ってから厚付け無電解金めっきを行う
ことが好ましく、ストライク無電解金めっきを行うこと
によって、被めっき物に厚付け金めっきの下地調整を行
うことができ、厚付けする際に、被めっき物との密着、
膜厚分布を均一にすることができ、良好に皮膜形成する
ことができる。

【００２６】この場合、このストライク無電解金めっき
浴の組成は、上記金原料を金濃度として０．５〜１０ｇ
／Ｌ、特に１〜５ｇ／Ｌとし、ＥＤＴＡ及びそのアルカ
リ金属塩、その他上述した錯化剤を５〜３００ｇ／Ｌ、
特に１０〜２００ｇ／Ｌ配合し、ｐＨを３．５〜９とし
たものとすることができる。

【００２７】上記無電解金めっき浴を用いて金めっきを
行う場合、めっき温度（液温）は、ストライク無電解金
めっき浴では、２０〜９５℃、特に３０〜９０℃で、通
常０．５〜３０分、特に１〜１５分とすることが好まし
く、次いで行う厚付け無電解金めっき浴では２０〜９５
℃、特に５０〜９０℃で、通常１〜６０分、特に５〜４
０分とすることが好ましく、めっき液の温度が２０℃未
満であるとめっき速度が遅く、厚付けの場合、生産性が
悪くなり不経済であり、９５℃を超えるとめっき液が分
解するおそれがある。

【００２８】また、被めっき物に直接厚付け無電解金め
っきを行う場合には、めっき浴の温度は５０〜９５℃、
特に７０〜９０℃とすることが好ましく、５０℃未満で
はめっき速度が非常に小さくなる場合があり、９５℃を
超えるとめっき速度は大きくなるが、金析出皮膜特性の
安定性が乏しくなる場合がある。

【００２９】本発明は、以上のようにＳ−Ｓ硫黄結合を
有する化合物を含む無電解ニッケルめっき皮膜上に無電
解金めっきを行うことにより、金めっきの厚付けを可能
にしたものであるが、この場合、上記Ｓ−Ｓ硫黄結合を
有する化合物を含む無電解ニッケルめっきを施す前に、
被めっき物に上記Ｓ−Ｓ硫黄結合を含まない無電解ニッ
ケルめっきを施して第１層の無電解ニッケルめっき皮膜
を形成し、この上に上記Ｓ−Ｓ硫黄結合を含む無電解ニ
ッケルめっきを施して第２層の無電解ニッケルめっき皮
膜を形成した後、無電解金めっきを行うことが推奨され
る。

【００３０】即ち、上記無電解金めっきは、そのめっき
液中に還元剤が含まれていても、金原料がシアン化金塩
の場合には特に本質的にＳ−Ｓ硫黄結合を含む無電解ニ
ッケルめっき皮膜との置換反応、つまり無電解金めっき
液中で該ニッケルめっき皮膜が溶解すると共に、金イオ
ンＡｕ⁺が還元するという機構で行われる。 Ｎｉ⁰→Ｎｉ²⁺＋２ｅ ２Ａｕ⁺＋２ｅ→２Ａｕ⁰

【００３１】この場合、上記Ｓ−Ｓ硫黄結合を有する化
合物を含む無電解ニッケルめっき液から得られためっき
皮膜が、図２に示すように、局部的に溶解し、被めっき
物の素地にまで達するピンホールが生じるおそれがあ
る。なお、図中１は被めっき物、２はＳ−Ｓ硫黄結合を
有する化合物を含む無電解ニッケルめっき液から得られ
たニッケルめっき皮膜、３は無電解金めっき皮膜、４は
ピンホールである。このようにピンホールが被めっき物
素地まで達した場合、特に被めっき物素地が銅などの腐
食し易い金属であると、この被めっき物素地の銅などの
腐食性金属が溶解し、上記ピンホールを通って無電解金
めっき液を汚染したり、無電解金めっき皮膜を汚染し、
これを変色させるおそれがある。

【００３２】これに対し、図３に示すように、被めっき
物１にＳ−Ｓ硫黄結合を有する化合物を含まない無電解
ニッケルめっき液を用いて第１層のニッケルめっき皮膜
５を形成し、この上にＳ−Ｓ硫黄結合を有する化合物を
含む無電解ニッケルめっき液を用いて第２層のニッケル
めっき皮膜２を形成した場合、無電解金めっき液中にお
ける無電解ニッケルめっき皮膜の溶出速度（金イオンの
金属金への置換速度）は図１に示すように、Ｓ−Ｓ硫黄
結合を有する化合物を含む無電解ニッケルめっき液から
のめっき皮膜２の方が、Ｓ−Ｓ硫黄結合を有する化合物
を含まない無電解ニッケルめっき液からのめっき皮膜５
に比べて格段に速く、Ｓ−Ｓ硫黄結合を有する化合物を
含まない無電解ニッケルめっき液からのめっき皮膜５は
溶出速度が著しく遅いので、上記Ｓ−Ｓ硫黄結合を有す
る化合物を含む無電解ニッケルめっき液からの第２層の
めっき皮膜２がたとえ局部的に溶解し、この皮膜２を貫
通するピンホール４が生じたとしても、このピンホール
４はＳ−Ｓ硫黄結合を有する無電解ニッケルめっき液か
らの第２層のめっき皮膜２で止まり、Ｓ−Ｓ硫黄結合を
有する化合物を含まない無電解ニッケルめっき液からの
第１層のめっき皮膜５にピンホールを形成することな
く、ピンホール４は、第２層のめっき皮膜２の別の場所
で新たに生じるか、あるいは当該場所においてピンホー
ル４が横に広がるように作用する。

【００３３】従って、このようにＳ−Ｓ硫黄結合を有す
る化合物を含まない無電解ニッケルめっき液による第１
層のめっき皮膜５上にＳ−Ｓ硫黄結合を有する化合物を
含む無電解ニッケルめっき液による第２層のめっき皮膜
２を形成し、この状態で無電解金めっきを施せば、無電
解金めっき皮膜が短時間で厚く形成される上、被めっき
物素地からの溶出金属による無電解金めっき液の汚染、
無電解金めっき皮膜の変色が確実に防止される。従っ
て、この方法は被めっき物の素地金属が銅などの腐食性
金属の場合、例えば被めっき物がプリント配線板などの
場合に好適に採用し得る。

【００３４】ここで、Ｓ−Ｓ硫黄結合を有する化合物を
含まない無電解ニッケルめっきに用いるめっき液、めっ
き条件としては、上述したＳ−Ｓ硫黄結合を有する化合
物を含む無電解ニッケルめっき液組成において、このＳ
−Ｓ硫黄結合を有する化合物を配合しない以外は同様の
めっき液組成とすることができ、また同様のめっき条件
でめっきすることができる。

【００３５】なお、Ｓ−Ｓ硫黄結合を有する化合物を含
まない無電解ニッケルめっき液からの第１層のめっき皮
膜の膜厚は０．５〜５μｍ、特に１〜３μｍであること
が好ましく、この上に形成されるＳ−Ｓ硫黄結合を有す
る化合物を含む無電解ニッケルめっき液からの第２層の
めっき皮膜の膜厚は０．５〜５μｍ、特に１〜５μｍと
することが好ましい。

【００３６】また、被めっき物の素地が腐食性金属でな
い場合などにおいて、被めっき物に直接Ｓ−Ｓ硫黄結合
を有する化合物を含む無電解ニッケル液からめっき皮膜
を形成することができるが、この場合、このめっき皮膜
の膜厚は０．５〜１０μｍ、特に１〜８μｍとすること
ができる。このめっき皮膜が十分厚ければ、上述したピ
ンホールの貫通は防止され、あるいは少なくなる。

【００３７】無電解金めっき皮膜の厚さは適宜選定さ
れ、特に制限されないが、通常０．１〜２μｍ、特に
０．３〜０．８μｍである。

【００３８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の無電解金
めっきの厚付け方法によれば、金めっき皮膜を短時間で
十分に厚くすることができる。

【００３９】

【実施例】以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。

【００４０】〔比較例〕 硫酸ニッケル ２０ｇ／Ｌ 次亜リン酸ナトリウム ２０ｇ／Ｌ りんご酸 １０ｇ／Ｌ こはく酸ナトリウム ２０ｇ／Ｌ 鉛イオン １．０ｍｇ／Ｌ ｐＨ ４．６ 温度 ８５℃

【００４１】〔実施例１〕 硫酸ニッケル ２０ｇ／Ｌ 次亜リン酸ナトリウム ２０ｇ／Ｌ りんご酸 １０ｇ／Ｌ こはく酸ナトリウム ２０ｇ／Ｌ 鉛イオン １．０ｍｇ／Ｌ チオ硫酸ソーダ １．０ｍｇ／Ｌ ｐＨ ４．６ 温度 ８５℃

【００４２】上記比較例、実施例の無電解めっき液を用
い、銅板上に５μｍのめっき皮膜を形成した。次いで、
下記のストライク無電解金めっき浴を用い、下記条件で
ストライクめっきを行った後、下記の厚付け無電解めっ
き浴を用いて下記条件で厚付けめっきを行い、経時的に
金めっき皮膜の膜厚を測定した、結果を図１に示す。 ストライク無電解金めっき ＫＡｕ（ＣＮ）₂ １．５ｇ／Ｌ （Ａｕ １．０ｇ／Ｌ） ＥＤＴＡ・２Ｎａ ５．０ｇ／Ｌ クエン酸・２Ｋ ３０．０ｇ／Ｌ ｐＨ ７ 温度 ９０℃ 時間 ７分厚付け無電解金めっき ＫＡｕ（ＣＮ）₂ ５．９ｇ／Ｌ （Ａｕ ４．０ｇ／Ｌ） 硫酸アンモニウム ２００ｇ／Ｌ チオ硫酸ナトリウム ０．５ｇ／Ｌ リン酸アンモニウム ５．０ｇ／Ｌ ｐＨ ６ 温度 ９０℃

【００４３】図１より、実施例の無電解ニッケルめっき
皮膜に対し無電解金めっきを施した方が、比較例の無電
解ニッケルめっき皮膜に対し無電解金めっきを施した場
合よりも、単位時間あたりの金めっき皮膜が格段に厚く
得られることがわかり、短時間で０．５μｍ以上の膜厚
が容易に得られることがわかる。

【００４４】〔実施例２〕銅板上に下記めっき液組成、
めっき条件で無電解ニッケルめっきを１５分間行い、第
１層の無電解ニッケルめっき皮膜を２．５μｍ形成し
た。 第１層 硫酸ニッケル ２０ｇ／Ｌ 次亜リン酸ナトリウム ２０ｇ／Ｌ りんご酸 １０ｇ／Ｌ こはく酸ナトリウム ２０ｇ／Ｌ 鉛イオン １．０ｍｇ／Ｌ ｐＨ ４．６ 温度 ８５℃ 時間 １５分

【００４５】次に、この第１層のニッケルめっき皮膜上
に下記めっき組成、めっき条件で無電解ニッケルめっき
を１５分間行い、第２層の無電解ニッケルめっき皮膜を
３．０μｍ形成した。 第２層 硫酸ニッケル ２０ｇ／Ｌ 次亜リン酸ナトリウム ２０ｇ／Ｌ りんご酸 １０ｇ／Ｌ こはく酸ナトリウム ２０ｇ／Ｌ 鉛イオン １．０ｍｇ／Ｌ チオ硫酸ナトリウム １．０ｍｇ／Ｌ ｐＨ ４．６ 温度 ８５℃ 時間 １５分

【００４６】次いで、実施例１と同様のストライク無電
解金めっき液を用い、同様の条件でストライクめっきを
７分間行った後、実施例１と同様の厚付け金めっき液を
用い同様の条件で２０分間金めっきを行い、０．５μｍ
の金めっき皮膜を得た。

【００４７】これを１５０℃で４時間空気中で熱処理し
た後、外観評価を行ったが、変色はなく、めっき直後と
同様の金色外観を維持していた。

【００４８】なお、上記第１層のニッケルめっき皮膜を
形成していないものは、１５０℃、４時間の熱処理で実
用上は問題がないが、わずかな変色、特に配線パターン
の細かい所、又は大きなパッドのエッジ部に変色がみら
れた。

【図面の簡単な説明】

【図１】無電解ニッケルめっき皮膜に無電解金めっきを
施した場合におけるめっき時間と金膜厚との関係を示し
たグラフである。

【図２】Ｓ−Ｓ硫黄結合を有する化合物を含む無電解ニ
ッケルめっき液よりニッケルめっき皮膜を１層形成した
場合におけるピンホール形成状態を示す模式図である。

【図３】Ｓ−Ｓ硫黄結合を有する化合物を含まない無電
解ニッケルめっき液からのめっき皮膜上にＳ−Ｓ硫黄結
合を有する化合物を含む無電解ニッケルめっき液からの
めっき皮膜を形成した場合におけるピンホール形成状態
を示す模式図である。

【符号の説明】

１ 被めっき物 ２ Ｓ−Ｓ硫黄結合を有する化合物を含む無電解ニッケ
ルめっき液からのめっき皮膜 ３ 無電解金めっき皮膜 ４ ピンホール ５ Ｓ−Ｓ硫黄結合を有する化合物を含まない無電解ニ
ッケルめっき液からのめっき皮膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ Ｃ２３Ｃ 28/02 Ｃ２３Ｃ 28/02 Ｈ０５Ｋ 3/24 Ｈ０５Ｋ 3/24 Ａ (72)発明者 薄 留美子 大阪府枚方市出口１丁目５番１号 上村 工業株式会社 中央研究所内 (72)発明者 木曽 雅之 大阪府枚方市出口１丁目５番１号 上村 工業株式会社 中央研究所内 (56)参考文献 特開 平８−269726（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−303789（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C23C 18/00 - 18/54 C23C 28/02 H05K 3/24

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 Ｓ−Ｓ硫黄結合を有する化合物を添加し
   た無電解ニッケルめっき液を用いてニッケルめっきを行
   った後、このニッケルめっきにより形成されたニッケル
   めっき皮膜を有する被めっき物を無電解金めっき浴に浸
   漬して無電解金めっきすることを特徴とする無電解金め
   っきの厚付け方法。
2. 【請求項２】 被めっき物にＳ−Ｓ硫黄結合を有する化
   合物無含有の無電解ニッケルめっき液を用いて無電解ニ
   ッケルめっきを施した後、Ｓ−Ｓ硫黄結合を有する化合
   物を含有した無電解ニッケルめっきを施し、その後無電
   解金めっきを施すようにした請求項１記載の無電解金め
   っきの厚付け方法。
3. 【請求項３】 上記無電解ニッケルめっき液に添加する
   Ｓ−Ｓ硫黄結合を有する化合物が、チオ硫酸塩、二チオ
   ン酸塩、ポリチオン酸塩又は亜二チオン酸塩である請求
   項１又は２記載の無電解金めっきの厚付け方法。
4. 【請求項４】 上記無電解金めっき浴が、金原料として
   シアン化金塩を含有し、かつｐＨが４〜９である請求項
   １，２又は３記載の無電解金めっきの厚付け方法。