JP3175562B2 - 無電解金めっき浴及び無電解金めっき方法 - Google Patents
無電解金めっき浴及び無電解金めっき方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プリント配線基板
や電子工業部品等に金めっき皮膜を形成する場合に好適
に使用される無電解金めっき浴及び無電解金めっき方法
に関し、更に詳述すると、被めっき物表面に金めっき皮
膜の厚付けを行う際、赤みのないめっき外観を得ること
ができる無電解金めっき浴及び無電解金めっき方法に関
する。
や電子工業部品等に金めっき皮膜を形成する場合に好適
に使用される無電解金めっき浴及び無電解金めっき方法
に関し、更に詳述すると、被めっき物表面に金めっき皮
膜の厚付けを行う際、赤みのないめっき外観を得ること
ができる無電解金めっき浴及び無電解金めっき方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来よ
り、無電解金めっきは、金の電気伝導性、熱圧着による
接続性等の物理的性質及び耐酸化性、耐薬品性等の点か
らプリント配線基板、セラミックＩＣパッケージ、ＩＴ
Ｏ基板、ＩＣカード等の電子工業部品の表面に適用され
ている。ここで、従来は、厚付けが可能な無電解金めっ
き浴は強アルカリ性浴しかなく、被めっき物が耐アルカ
リ性のものしか適用し得ないものであった。そのため、
樹脂部品や有機レジストを使用するプリント基板業界に
おいて、中性又は弱アルカリ性の無電解厚付け金めっき
浴が望まれており、本発明者はこれら事情を鑑み、先に
特願平６−１５１４４９号によって、めっき浴を中性領
域としても、被めっき物表面に金めっき皮膜の厚付けが
可能で、かつ液安定性に優れ、安定な金析出皮膜特性を
有し、工業的に有利に使用することができる無電解金め
っき浴及び無電解金めっき方法を提案している。
り、無電解金めっきは、金の電気伝導性、熱圧着による
接続性等の物理的性質及び耐酸化性、耐薬品性等の点か
らプリント配線基板、セラミックＩＣパッケージ、ＩＴ
Ｏ基板、ＩＣカード等の電子工業部品の表面に適用され
ている。ここで、従来は、厚付けが可能な無電解金めっ
き浴は強アルカリ性浴しかなく、被めっき物が耐アルカ
リ性のものしか適用し得ないものであった。そのため、
樹脂部品や有機レジストを使用するプリント基板業界に
おいて、中性又は弱アルカリ性の無電解厚付け金めっき
浴が望まれており、本発明者はこれら事情を鑑み、先に
特願平６−１５１４４９号によって、めっき浴を中性領
域としても、被めっき物表面に金めっき皮膜の厚付けが
可能で、かつ液安定性に優れ、安定な金析出皮膜特性を
有し、工業的に有利に使用することができる無電解金め
っき浴及び無電解金めっき方法を提案している。
【０００３】ところで、無電解金めっき浴で厚付けを行
う場合、被めっき物の表面皮膜が赤くなることがある。
このようなめっき皮膜はボンディング性が悪いとされる
上、金の中の赤みを帯びることは外観的に良い印象を与
えるものではない。
う場合、被めっき物の表面皮膜が赤くなることがある。
このようなめっき皮膜はボンディング性が悪いとされる
上、金の中の赤みを帯びることは外観的に良い印象を与
えるものではない。
【０００４】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
被めっき物に良好な皮膜の厚付けを行うことができる共
に、得られた皮膜表面が赤くなることなく良好な外観を
有する無電解金めっき浴及び無電解金めっき方法を提供
することを目的とする。
被めっき物に良好な皮膜の厚付けを行うことができる共
に、得られた皮膜表面が赤くなることなく良好な外観を
有する無電解金めっき浴及び無電解金めっき方法を提供
することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者は、上記目的を達成するために鋭意検討を行った
結果、金原料、錯化剤を含有する無電解金めっき浴中
に、ホルムアミド、ジメチルホルムアミド、アセトアミ
ド、プロピルアミド、ブチルアミド、アクリルアミド、
Ｎ，Ｎ−ジアクリルアミド、ラクトアミド、グルタミ
ン、ピログルタミン酸、ベンズアミド、スクシンイミ
ド、及びグルタルイミドから選ばれる酸アミド及び／又
は酸イミドを加えてめっきを行うことにより、被めっき
物表面に金めっき皮膜の厚付けを行うことができ、しか
も、厚付けされた皮膜は赤みを生じる事なく外観も良好
であることを見い出した。またこの場合、厚付け用のめ
っき浴に酸アミドや酸イミドを添加するだけではなく、
被めっき物を無電解ストライク金めっきした後、厚付け
の無電解金めっきを行う場合、この無電解厚付け用金め
っき浴に酸アミドや酸イミドを添加せず、無電解ストラ
イク金めっき浴に酸アミドや酸イミドを添加した場合
も、厚付け用金めっき皮膜に赤みを生じさせることがな
いことを知見し、本発明をなすに至った。
発明者は、上記目的を達成するために鋭意検討を行った
結果、金原料、錯化剤を含有する無電解金めっき浴中
に、ホルムアミド、ジメチルホルムアミド、アセトアミ
ド、プロピルアミド、ブチルアミド、アクリルアミド、
Ｎ，Ｎ−ジアクリルアミド、ラクトアミド、グルタミ
ン、ピログルタミン酸、ベンズアミド、スクシンイミ
ド、及びグルタルイミドから選ばれる酸アミド及び／又
は酸イミドを加えてめっきを行うことにより、被めっき
物表面に金めっき皮膜の厚付けを行うことができ、しか
も、厚付けされた皮膜は赤みを生じる事なく外観も良好
であることを見い出した。またこの場合、厚付け用のめ
っき浴に酸アミドや酸イミドを添加するだけではなく、
被めっき物を無電解ストライク金めっきした後、厚付け
の無電解金めっきを行う場合、この無電解厚付け用金め
っき浴に酸アミドや酸イミドを添加せず、無電解ストラ
イク金めっき浴に酸アミドや酸イミドを添加した場合
も、厚付け用金めっき皮膜に赤みを生じさせることがな
いことを知見し、本発明をなすに至った。
【０００６】従って、本発明は、 （１）金原料及び錯化剤を含有する無電解金めっき浴
に、ホルムアミド、ジメチルホルムアミド、アセトアミ
ド、プロピルアミド、ブチルアミド、アクリルアミド、
Ｎ，Ｎ−ジアクリルアミド、ラクトアミド、グルタミ
ン、ピログルタミン酸、ベンズアミド、スクシンイミ
ド、及びグルタルイミドから選ばれる酸アミド及び／又
は酸イミド化合物を添加したことを特徴とする無電解金
めっき浴、 （２）上記めっき浴中に被めっき物を浸漬して無電解金
めっきを行うことを特徴とする無電解金めっき方法、及
び （３）被めっき物を金原料及び錯化剤を含有する無電解
ストライク金めっき浴に浸漬し、金薄膜を形成した後、
金原料及び錯化剤を含有する無電解厚付け用金めっき浴
に浸漬して金めっき膜を形成するに当り、上記無電解ス
トライク金めっき浴及び無電解厚付け用金めっき浴の一
方又は双方に、ホルムアミド、ジメチルホルムアミド、
アセトアミド、プロピルアミド、ブチルアミド、アクリ
ルアミド、Ｎ，Ｎ−ジアクリルアミド、ラクトアミド、
グルタミン、ピログルタミン酸、ベンズアミド、スクシ
ンイミド、及びグルタルイミドから選ばれる酸アミド及
び／又は酸イミド化合物を添加したことを特徴とする無
電解金めっき方法を提供する。
に、ホルムアミド、ジメチルホルムアミド、アセトアミ
ド、プロピルアミド、ブチルアミド、アクリルアミド、
Ｎ，Ｎ−ジアクリルアミド、ラクトアミド、グルタミ
ン、ピログルタミン酸、ベンズアミド、スクシンイミ
ド、及びグルタルイミドから選ばれる酸アミド及び／又
は酸イミド化合物を添加したことを特徴とする無電解金
めっき浴、 （２）上記めっき浴中に被めっき物を浸漬して無電解金
めっきを行うことを特徴とする無電解金めっき方法、及
び （３）被めっき物を金原料及び錯化剤を含有する無電解
ストライク金めっき浴に浸漬し、金薄膜を形成した後、
金原料及び錯化剤を含有する無電解厚付け用金めっき浴
に浸漬して金めっき膜を形成するに当り、上記無電解ス
トライク金めっき浴及び無電解厚付け用金めっき浴の一
方又は双方に、ホルムアミド、ジメチルホルムアミド、
アセトアミド、プロピルアミド、ブチルアミド、アクリ
ルアミド、Ｎ，Ｎ−ジアクリルアミド、ラクトアミド、
グルタミン、ピログルタミン酸、ベンズアミド、スクシ
ンイミド、及びグルタルイミドから選ばれる酸アミド及
び／又は酸イミド化合物を添加したことを特徴とする無
電解金めっき方法を提供する。
【０００７】以下、本発明につき更に詳しく説明する
と、本発明の無電解金めっき浴に使用される金原料は、
通常の金めっき浴に使用される金原料でよく、例えば、
シアン化金塩、亜硫酸金塩、チオ硫酸金塩等を使用する
ことができ、特にシアン化金カリウムを好適に使用する
ことができる。この場合、金原料の配合量は特に限定さ
れるものではないが、金濃度として０．５〜１０ｇ／
Ｌ、特に１〜５ｇ／Ｌとすることが好ましい。この場
合、金原料の配合量、即ちめっき浴中の金イオン濃度に
ほぼ比例してめっき速度が増大するが、１０ｇ／Ｌを超
えるとめっき速度は増大するものの、めっき浴の安定性
に劣る場合がある。一方、金濃度が０．５ｇ／Ｌ未満で
あると、めっき速度が非常に小さくなってしまう場合が
生じる。
と、本発明の無電解金めっき浴に使用される金原料は、
通常の金めっき浴に使用される金原料でよく、例えば、
シアン化金塩、亜硫酸金塩、チオ硫酸金塩等を使用する
ことができ、特にシアン化金カリウムを好適に使用する
ことができる。この場合、金原料の配合量は特に限定さ
れるものではないが、金濃度として０．５〜１０ｇ／
Ｌ、特に１〜５ｇ／Ｌとすることが好ましい。この場
合、金原料の配合量、即ちめっき浴中の金イオン濃度に
ほぼ比例してめっき速度が増大するが、１０ｇ／Ｌを超
えるとめっき速度は増大するものの、めっき浴の安定性
に劣る場合がある。一方、金濃度が０．５ｇ／Ｌ未満で
あると、めっき速度が非常に小さくなってしまう場合が
生じる。
【０００８】次に、上記無電解金めっき浴に配合する錯
化剤も公知のものを使用することができる。具体的に
は、硫酸アンモニウム、アミノカルボン酸塩、カルボン
酸塩、ヒドロキシカルボン酸塩等を使用することがで
き、通常５〜３００ｇ／Ｌ、特に１０〜２００ｇ／Ｌの
範囲で配合することが好ましく、５ｇ／Ｌ未満では錯化
剤としても効果が不十分となり、液安定性に欠ける場合
があり、また３００ｇ／Ｌを超える量を添加しても効果
はあまり上がらず、不経済である。
化剤も公知のものを使用することができる。具体的に
は、硫酸アンモニウム、アミノカルボン酸塩、カルボン
酸塩、ヒドロキシカルボン酸塩等を使用することがで
き、通常５〜３００ｇ／Ｌ、特に１０〜２００ｇ／Ｌの
範囲で配合することが好ましく、５ｇ／Ｌ未満では錯化
剤としても効果が不十分となり、液安定性に欠ける場合
があり、また３００ｇ／Ｌを超える量を添加しても効果
はあまり上がらず、不経済である。
【０００９】また、還元剤としてチオ硫酸塩、ヒドラジ
ン、アスコルビン酸塩などを配合することができる。こ
の場合、チオ硫酸塩としては、チオ硫酸アンモニウム、
チオ硫酸ナトリウム、チオ硫酸カリウム等が好適に用い
られ、このチオ硫酸塩還元剤が放出する電子により、め
っき浴中の金イオンが被めっき物に析出させることがで
きる。上記還元剤はその１種を単独で用いても２種以上
を併用してもよい。
ン、アスコルビン酸塩などを配合することができる。こ
の場合、チオ硫酸塩としては、チオ硫酸アンモニウム、
チオ硫酸ナトリウム、チオ硫酸カリウム等が好適に用い
られ、このチオ硫酸塩還元剤が放出する電子により、め
っき浴中の金イオンが被めっき物に析出させることがで
きる。上記還元剤はその１種を単独で用いても２種以上
を併用してもよい。
【００１０】還元剤の配合量は特に制限されるものでは
ないが、通常０．１〜１０ｇ／Ｌ、特に０．３〜５ｇ／
Ｌとすることが好ましい。この場合、還元剤の濃度にほ
ぼ比例してめっき速度が増大するが、１０ｇ／Ｌを超え
る量を添加してもめっき速度は余り大きくならず、むし
ろ液安定性が劣化する場合がある。一方、還元剤の配合
量が０．１ｇ／Ｌ未満であると、めっき速度が非常に小
さくなってしまう場合がある。
ないが、通常０．１〜１０ｇ／Ｌ、特に０．３〜５ｇ／
Ｌとすることが好ましい。この場合、還元剤の濃度にほ
ぼ比例してめっき速度が増大するが、１０ｇ／Ｌを超え
る量を添加してもめっき速度は余り大きくならず、むし
ろ液安定性が劣化する場合がある。一方、還元剤の配合
量が０．１ｇ／Ｌ未満であると、めっき速度が非常に小
さくなってしまう場合がある。
【００１１】本発明の無電解金めっき浴は上記金原料及
び錯化剤を含有してなるめっき浴に酸アミド及び／又は
酸イミドを添加するものでこれよって、被めっき物に皮
膜形成した際、得られた皮膜の表面に赤みを生じること
なく良好な外観を得られるものである。
び錯化剤を含有してなるめっき浴に酸アミド及び／又は
酸イミドを添加するものでこれよって、被めっき物に皮
膜形成した際、得られた皮膜の表面に赤みを生じること
なく良好な外観を得られるものである。
【００１２】この場合、酸アミドは、具体的にはホルム
アミド、ジメチルホルムアミド、アセトアミド、プロピ
ルアミド、ブチルアミド、アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジ
アクリルアミド、ラクトアミド、グルタミン、ピログル
タミン酸、ベンズアミドであり、また、酸イミドは、ス
クシンイミド、グルタルイミドである。
アミド、ジメチルホルムアミド、アセトアミド、プロピ
ルアミド、ブチルアミド、アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジ
アクリルアミド、ラクトアミド、グルタミン、ピログル
タミン酸、ベンズアミドであり、また、酸イミドは、ス
クシンイミド、グルタルイミドである。
【００１３】上記酸アミド及び／又は酸イミドの配合量
は特に制限されるものではないが、通常０．１〜５０ｇ
／Ｌ、特に０．２〜１０ｇ／Ｌの範囲で配合することが
好ましく、０．１ｇ／Ｌ未満では本発明の効果が得られ
ない場合があり、５０ｇ／Ｌを超えると密着不良になる
場合がある。
は特に制限されるものではないが、通常０．１〜５０ｇ
／Ｌ、特に０．２〜１０ｇ／Ｌの範囲で配合することが
好ましく、０．１ｇ／Ｌ未満では本発明の効果が得られ
ない場合があり、５０ｇ／Ｌを超えると密着不良になる
場合がある。
【００１４】なお、本発明の無電解金めっき浴は更に必
要に応じて上記成分に加えてリン酸塩、亜リン酸塩、カ
ルボン酸塩等のｐＨ調整剤、Ｔｌ，Ａｓ，Ｐｂ等の結晶
調整剤その他の各種添加剤を適宜混合して使用すること
ができる。
要に応じて上記成分に加えてリン酸塩、亜リン酸塩、カ
ルボン酸塩等のｐＨ調整剤、Ｔｌ，Ａｓ，Ｐｂ等の結晶
調整剤その他の各種添加剤を適宜混合して使用すること
ができる。
【００１５】本発明のめっき浴は中性付近で使用される
ものであり、通常ｐＨ３．５〜９、より好ましくはｐＨ
４〜９の範囲で使用することが推奨される。
ものであり、通常ｐＨ３．５〜９、より好ましくはｐＨ
４〜９の範囲で使用することが推奨される。
【００１６】ここで、上記無電解金めっき浴は厚付け用
として使用されるものであるが、本発明の無電解金めっ
き方法は、上記無電解金めっき浴を用いる以外は常法に
従って行うことができ、直接被めっき物に皮膜形成を行
うこともできるが、特に、厚付けめっきを行う際には、
ストライク無電解金めっきを行ってから厚付け無電解金
めっきを行うことが好ましく、ストライク無電解金めっ
きを行うことによって、被めっき物に厚付け金めっきの
下地調整を行うことができ、厚付けする際に、被めっき
物との密着、膜厚分布を均一にすることができ、良好に
皮膜形成することができる。
として使用されるものであるが、本発明の無電解金めっ
き方法は、上記無電解金めっき浴を用いる以外は常法に
従って行うことができ、直接被めっき物に皮膜形成を行
うこともできるが、特に、厚付けめっきを行う際には、
ストライク無電解金めっきを行ってから厚付け無電解金
めっきを行うことが好ましく、ストライク無電解金めっ
きを行うことによって、被めっき物に厚付け金めっきの
下地調整を行うことができ、厚付けする際に、被めっき
物との密着、膜厚分布を均一にすることができ、良好に
皮膜形成することができる。
【００１７】ここで、無電解金めっきをストライク及び
厚付けの２段階で行う場合には、上記酸アミド及び／又
は酸イミドはどちらかのめっき浴、或いは双方のめっき
浴中に共に添加してもよい。
厚付けの２段階で行う場合には、上記酸アミド及び／又
は酸イミドはどちらかのめっき浴、或いは双方のめっき
浴中に共に添加してもよい。
【００１８】この場合、ストライク金めっき浴の組成
は、上記金原料を金濃度として０．５〜１０ｇ／Ｌ、特
に１〜５ｇ／Ｌとし、ＥＤＴＡ及びそのアルカリ金属
塩、その他上述した錯化剤を５〜３００ｇ／Ｌ、特に１
０〜２００ｇ／Ｌ配合し、ｐＨを３．５〜９としたもの
とすることができる。また、このストライク金めっき浴
への酸アミド、酸イミドの配合量は上記と同様にするこ
とができる。
は、上記金原料を金濃度として０．５〜１０ｇ／Ｌ、特
に１〜５ｇ／Ｌとし、ＥＤＴＡ及びそのアルカリ金属
塩、その他上述した錯化剤を５〜３００ｇ／Ｌ、特に１
０〜２００ｇ／Ｌ配合し、ｐＨを３．５〜９としたもの
とすることができる。また、このストライク金めっき浴
への酸アミド、酸イミドの配合量は上記と同様にするこ
とができる。
【００１９】なお、被めっき物には、例えば、ニッケル
又はニッケル合金又はこれらの皮膜を表面に有する被め
っき物が有効であり、ニッケルを触媒として還元剤を効
果的に酸化すると共に、金原料を還元して良好な金めっ
き皮膜が形成される。
又はニッケル合金又はこれらの皮膜を表面に有する被め
っき物が有効であり、ニッケルを触媒として還元剤を効
果的に酸化すると共に、金原料を還元して良好な金めっ
き皮膜が形成される。
【００２０】上記ニッケル又はニッケル合金皮膜は、電
気ニッケルめっき又は無電解ニッケルめっきの手法或い
は気相めっき法により被めっき物に形成することがで
き、その厚さは特に制限されないが、通常０．１μｍ以
上であればよく、被めっき物の使用目的に応じて適宜選
定される。なお、ニッケル合金としては、Ｎｉ−Ｐ、Ｎ
ｉ−Ｂ、Ｎｉ−Ｃｏ、Ｎｉ−Ｆｅ等が挙げられ、ニッケ
ル量５０重量％以上、特に８０重量％以上のものであ
る。
気ニッケルめっき又は無電解ニッケルめっきの手法或い
は気相めっき法により被めっき物に形成することがで
き、その厚さは特に制限されないが、通常０．１μｍ以
上であればよく、被めっき物の使用目的に応じて適宜選
定される。なお、ニッケル合金としては、Ｎｉ−Ｐ、Ｎ
ｉ−Ｂ、Ｎｉ−Ｃｏ、Ｎｉ−Ｆｅ等が挙げられ、ニッケ
ル量５０重量％以上、特に８０重量％以上のものであ
る。
【００２１】本発明の無電解金めっきを行う場合、その
被めっき物の表面は上記のようにニッケル又はニッケル
合金皮膜である場合に限られず、その上に例えば公知の
方法により置換金めっき皮膜を形成したものでもよい。
被めっき物の表面は上記のようにニッケル又はニッケル
合金皮膜である場合に限られず、その上に例えば公知の
方法により置換金めっき皮膜を形成したものでもよい。
【００２２】上記無電解金めっき浴を用いて金めっきを
行う場合、めっき温度（液温）は、ストライクめっき浴
では、２０〜９５℃、特に３０〜９０℃で、通常０．５
〜３０分、特に１〜１５分とすることが好ましく、次い
で行う無電解厚付け用金めっき浴では２０〜９５℃、特
に５０〜９０℃で、通常１〜６０分、特に５〜４０分と
することが好ましく、めっき液の温度が５０℃未満だと
めっき速度が遅く、厚付けの場合、生産性が悪くなり不
経済であり、９５℃を超えるとめっき液が分解するおそ
れがある。
行う場合、めっき温度（液温）は、ストライクめっき浴
では、２０〜９５℃、特に３０〜９０℃で、通常０．５
〜３０分、特に１〜１５分とすることが好ましく、次い
で行う無電解厚付け用金めっき浴では２０〜９５℃、特
に５０〜９０℃で、通常１〜６０分、特に５〜４０分と
することが好ましく、めっき液の温度が５０℃未満だと
めっき速度が遅く、厚付けの場合、生産性が悪くなり不
経済であり、９５℃を超えるとめっき液が分解するおそ
れがある。
【００２３】また、被めっき物に直接無電解厚付け用金
めっきを行う場合には、めっき浴の温度は５０〜９５
℃、特に７０〜９０℃とすることが好ましく、５０℃未
満ではめっき速度が非常に小さくなる場合があり、９５
℃を超えるとめっき速度は大きくなるが、金析出皮膜特
性の安定性が乏しくなる場合がある。
めっきを行う場合には、めっき浴の温度は５０〜９５
℃、特に７０〜９０℃とすることが好ましく、５０℃未
満ではめっき速度が非常に小さくなる場合があり、９５
℃を超えるとめっき速度は大きくなるが、金析出皮膜特
性の安定性が乏しくなる場合がある。
【００２４】なお、直接被めっき物にめっきを行う場合
には、通常９０℃のめっき温度において３０分で０．６
μｍの皮膜を得ることができる。
には、通常９０℃のめっき温度において３０分で０．６
μｍの皮膜を得ることができる。
【００２５】また、撹拌を行うことは差し支えなく、更
にガスピットの発生を防止するため被めっき物をハンマ
ー等で叩く機構を設けることが好ましく、更にあけ替え
瀘過、循環瀘過を行うこともでき、特に瀘過器でめっき
浴を循環瀘過することが好ましく、これによりめっき浴
の温度むらを防止し、且つめっき浴中の固形ゴミを瀘過
することができる。この場合、激しくめっき浴を撹拌す
るとめっき速度が減少する傾向があり、このため撹拌、
被めっき物の謡動及び瀘過によるめっき浴の循環はあま
り激しく行わないことが好ましい。
にガスピットの発生を防止するため被めっき物をハンマ
ー等で叩く機構を設けることが好ましく、更にあけ替え
瀘過、循環瀘過を行うこともでき、特に瀘過器でめっき
浴を循環瀘過することが好ましく、これによりめっき浴
の温度むらを防止し、且つめっき浴中の固形ゴミを瀘過
することができる。この場合、激しくめっき浴を撹拌す
るとめっき速度が減少する傾向があり、このため撹拌、
被めっき物の謡動及び瀘過によるめっき浴の循環はあま
り激しく行わないことが好ましい。
【００２６】更に、めっき浴中に空気を導入することも
でき、これによりめっき浴中に金コロイド粒子或いは金
粒子が発生するのをより有効に防止することができる。
空気の導入は、めっき浴中に空気を吹き込むことにより
行うことができ、めっき浴の撹拌操作として空気撹拌を
採用することにより空気導入を行ってもまた撹拌操作と
は別に空気の吹き込みを行ってもよい。
でき、これによりめっき浴中に金コロイド粒子或いは金
粒子が発生するのをより有効に防止することができる。
空気の導入は、めっき浴中に空気を吹き込むことにより
行うことができ、めっき浴の撹拌操作として空気撹拌を
採用することにより空気導入を行ってもまた撹拌操作と
は別に空気の吹き込みを行ってもよい。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の無電解金
めっき浴によれば、被めっき物表面に金めっき皮膜の厚
付けを行うことができ、しかもこの場合、厚付けであっ
ても赤みが生じることなく良好な外観を付与することが
できる。
めっき浴によれば、被めっき物表面に金めっき皮膜の厚
付けを行うことができ、しかもこの場合、厚付けであっ
ても赤みが生じることなく良好な外観を付与することが
できる。
【００２８】
【実施例】以下、実施例を示して本発明を具体的に説明
するが、本発明は下記実施例に制限されるものではな
い。
するが、本発明は下記実施例に制限されるものではな
い。
【００２９】銅板の表面に次亜リン酸ナトリウムを還元
剤とする無電解ニッケルめっき浴「ニムデンＳＸ」（上
村工業株式会社製、商品名）により無電解ニッケル皮膜
を５μｍ形成し、更にその上に置換金めっき浴「デグサ
オールナ５１１」（デグサ社製、商品名）による置換金
めっき皮膜を０．０５μｍ形成した試料に、下記組成の
ストライク無電解金めっき浴、厚付け無電解金めっき浴
を順に用い、表１に示す配合量のグルタミンと共に下記
めっき条件で無電解めっきを施した後、めっき皮膜の外
観を調べた。結果を表１に示す。ストライク無電解金めっき ＫＡｕ（ＣＮ）2 １．５ｇ／Ｌ （Ａｕ １．０ｇ／Ｌ） ＥＤＴＡ・２Ｎａ ５．０ｇ／Ｌ クエン酸・２Ｋ ３０．０ｇ／Ｌ グリコール酸・ＮＨ4 ２０．０ｇ／Ｌ ｐＨ ７ 温度 ９０℃ 時間 ７分厚付け無電解金めっき ＫＡｕ（ＣＮ）2 ５．９ｇ／Ｌ （Ａｕ ４．０ｇ／Ｌ） 硫酸アンモニウム ２００ｇ／Ｌ チオ硫酸ナトリウム ０．５ｇ／Ｌ リン酸アンモニウム ５．０ｇ／Ｌ ｐＨ ６ 温度 ９０℃ 時間 １５分
剤とする無電解ニッケルめっき浴「ニムデンＳＸ」（上
村工業株式会社製、商品名）により無電解ニッケル皮膜
を５μｍ形成し、更にその上に置換金めっき浴「デグサ
オールナ５１１」（デグサ社製、商品名）による置換金
めっき皮膜を０．０５μｍ形成した試料に、下記組成の
ストライク無電解金めっき浴、厚付け無電解金めっき浴
を順に用い、表１に示す配合量のグルタミンと共に下記
めっき条件で無電解めっきを施した後、めっき皮膜の外
観を調べた。結果を表１に示す。ストライク無電解金めっき ＫＡｕ（ＣＮ）2 １．５ｇ／Ｌ （Ａｕ １．０ｇ／Ｌ） ＥＤＴＡ・２Ｎａ ５．０ｇ／Ｌ クエン酸・２Ｋ ３０．０ｇ／Ｌ グリコール酸・ＮＨ4 ２０．０ｇ／Ｌ ｐＨ ７ 温度 ９０℃ 時間 ７分厚付け無電解金めっき ＫＡｕ（ＣＮ）2 ５．９ｇ／Ｌ （Ａｕ ４．０ｇ／Ｌ） 硫酸アンモニウム ２００ｇ／Ｌ チオ硫酸ナトリウム ０．５ｇ／Ｌ リン酸アンモニウム ５．０ｇ／Ｌ ｐＨ ６ 温度 ９０℃ 時間 １５分
【００３０】
【表１】
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−193882（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 18/00 - 18/54
Claims (3)
- 【請求項１】 金原料及び錯化剤を含有する無電解金め
っき浴に、ホルムアミド、ジメチルホルムアミド、アセ
トアミド、プロピルアミド、ブチルアミド、アクリルア
ミド、Ｎ，Ｎ−ジアクリルアミド、ラクトアミド、グル
タミン、ピログルタミン酸、ベンズアミド、スクシンイ
ミド、及びグルタルイミドから選ばれる酸アミド及び／
又は酸イミド化合物を添加したことを特徴とする無電解
金めっき浴。 - 【請求項２】 請求項１記載のめっき浴中に被めっき物
を浸漬して無電解金めっきを行うことを特徴とする無電
解金めっき方法。 - 【請求項３】 被めっき物を金原料及び錯化剤を含有す
る無電解ストライク金めっき浴に浸漬し、金薄膜を形成
した後、金原料及び錯化剤を含有する無電解厚付け用金
めっき浴に浸漬して金めっき膜を形成するに当り、上記
無電解ストライク金めっき浴及び無電解厚付け用金めっ
き浴の一方又は双方に、ホルムアミド、ジメチルホルム
アミド、アセトアミド、プロピルアミド、ブチルアミ
ド、アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジアクリルアミド、ラク
トアミド、グルタミン、ピログルタミン酸、ベンズアミ
ド、スクシンイミド、及びグルタルイミドから選ばれる
酸アミド及び／又は酸イミド化合物を添加したことを特
徴とする無電解金めっき方法。
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| JPH09118986A JPH09118986A (ja) | 1997-05-06 |
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ID=17869276
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| JP (1) | JP3175562B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR102171093B1 (ko) * | 2018-11-23 | 2020-10-28 | 유귀인 | 길이조절이 가능한 손전등 |
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1995
- 1995-10-23 JP JP29918795A patent/JP3175562B2/ja not_active Expired - Fee Related
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