JP3482402B2 - 置換金メッキ液 - Google Patents
置換金メッキ液Info
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- JP3482402B2 JP3482402B2 JP2001197737A JP2001197737A JP3482402B2 JP 3482402 B2 JP3482402 B2 JP 3482402B2 JP 2001197737 A JP2001197737 A JP 2001197737A JP 2001197737 A JP2001197737 A JP 2001197737A JP 3482402 B2 JP3482402 B2 JP 3482402B2
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/42—Coating with noble metals
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
- H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ノンシアンの置換
金メッキ液に関するもので、特に、電解ニッケルメッキ
上に置換による金メッキ処理を行う際に好適なノンシア
ン系の置換金メッキ液に関する。 【０００２】 【従来の技術】近年、半導体素子の高集積化が急速に進
み、これを搭載するプリント配線板等の基板も高い配線
密度となってきている。このような配線基板には、ハン
ダ付け性、ワイヤーボンディング性等の改善のために、
配線回路の部品実装部分や端子部分等に金メッキ処理が
施される。この場合、一般的には、金メッキ処理の下地
としてニッケル系のメッキ処理が行われている。 【０００３】この金メッキ処理の下地となるニッケル系
メッキには、電解ニッケルメッキ、或いは無電解による
ニッケル−リンメッキやニッケル−ホウ素メッキなどが
知られている。そして、これら下地に対する金メッキ処
理は、微小な間隙や複雑な形状などに対応して均一な厚
みのメッキを容易に行える点から、電解メッキ処理より
も無電解メッキ処理が採用されることが多い。 【０００４】この無電解の金メッキ液は、代表的にはシ
アン化金錯体を使用したものが知られており、そして、
近年の環境問題等の影響から、ノンシアン系の金メッキ
液も各種提案されている。 【０００５】このノンシアン系の金メッキ液では、錯化
剤として、亜硫酸塩、メルカプトコハク酸、エチレンジ
アミンなどを用いたものがあり、大別すると、下地金属
との置換による置換金メッキ液と、還元剤を用いて金被
膜を析出させる、いわゆる無電解金メッキ液とに分けら
れる。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】ところで、この従来の
置換金メッキ液では、無電解によるニッケル−リンメッ
キの下地に対して金の置換メッキ処理が行えるものの、
無電解によるニッケル−ホウ素メッキの下地になると、
金メッキ処理が良好に行えなくなる傾向があった。つま
り、金メッキの密着性やハンダ付け性について実用的な
特性を満足した置換メッキ処理ができないのであった。 【０００７】そして、下地が電解ニッケルメッキである
場合には、従来提案されているシアン系やノンシアン系
の置換金メッキ液では、ニッケル酸化物の影響により、
ニッケルと金との置換反応をさせることが非常に難しい
とされている。また、電解ニッケルメッキ上に置換金メ
ッキ処理が行えたとしても、その密着性は非常に悪く、
ハンダ付け性も実用レベルに実現することができないの
である。 【０００８】本発明は、以上のような事情のもとになさ
れたもので、下地が無電解ニッケル−ホウ素メッキや電
解ニッケルメッキであっても、密着性やハンダ付け性の
良好な置換金メッキ処理が可能な、ノンシアン系の置換
金メッキ液を提供することを目的とする。 【０００９】 【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め、本発明者は、亜硫酸系の置換金メッキ液について鋭
意研究した結果、本発明の置換金メッキ液を想到するに
至った。 【００１０】本発明の置換金メッキ液は、亜硫酸金ナト
リウム又は亜硫酸金ナトリウムのエチレンジアミン錯体
を金濃度で０．０１〜１．０ｇ／Ｌと、亜硫酸塩１０〜
１００ｇ／Ｌと、有機カルボン酸又はその塩を５〜５０
ｇ／Ｌと、エチレンジアミン四酢酸又はその塩を５〜５
０ｇ／Ｌとを含有してなり、弱酸性領域のｐＨ４．５〜
６．０であることを特徴とする。 【００１１】本発明の置換金メッキ液は、金濃度が０．
０１〜１．０ｇ／Ｌと非常に低く、ｐＨ４．５〜６．０
の弱酸性領域であることが大きな特徴である。この本発
明の置換金メッキ液によれば、無電解ニッケル−リンメ
ッキの下地ばかりでなく、無電解ニッケル−ホウ素メッ
キであっても、密着性に優れ、ハンダ付け性も良好な置
換金メッキ処理を行える。そして、本発明の置換金メッ
キ液は、下地が電解ニッケルメッキであっても、良好な
密着性を有し、実用的なハンダ付け性を満足した置換金
メッキ処理が可能となる。 【００１２】本発明の置換金メッキ液は、メッキ液中の
金化合物が亜硫酸金ナトリウム又は亜硫酸金ナトリウム
のエチレンジアミン錯体の形態で含まれ、その時の金濃
度が０．０１〜１．０ｇ／Ｌである。０．０１ｇ／Ｌ未
満であると、置換により析出する金が非常に少なくな
り、メッキ処理時間を長くしなければならないため実用
的でなくなる。また、１．０ｇ／Ｌを超えると、密着不
良となる傾向があるからである。 【００１３】そして、本発明の置換金メッキ液では、錯
化剤として、亜硫酸塩、有機カルボン酸又はその塩、エ
チレンジアミン四酢酸（以下、ＥＤＴＡという）又はそ
の塩の三種類が含有されており、本発明においては、亜
硫酸塩を基本となる第一錯化剤といい、有機カルボン酸
又はその塩とＥＤＴＡ又はその塩とを第二錯化剤と称す
る。 【００１４】第一錯化剤である亜硫酸塩は、そのＳＯ３
２−がニッケルの過剰な酸化を抑制し、ニッケルと金と
の置換を安定的に進行させる役目をするものである。こ
の亜硫酸塩は、１０〜１００ｇ／Ｌの濃度範囲で有るこ
とが好ましく、１０ｇ／Ｌ未満であると、酸化抑制の効
果が小さくなり、１００ｇ／Ｌを超えるとニッケルの溶
出が過度に抑制されてしまい、逆に密着不良となる置換
金メッキとなるからである。 【００１５】第二錯化剤である有機カルボン酸又はその
塩は、亜硫酸によるｐＨ上昇を抑制し弱酸性領域に維持
する役目を果たすものである。この有機カルボン酸又は
その塩としては、クエン酸、リンゴ酸、乳酸等が挙げら
れる。有機カルボン酸又はその塩は、５〜５０ｇ／Ｌの
濃度範囲であることが好ましい。５ｇ／Ｌ未満である
と、亜硫酸金塩の安定性が悪くなり、５０ｇ／Ｌを超え
ると、液比重が高くなり析出速度が低下するためであ
る。 【００１６】そして、もう一つの第二錯化剤であるＥＤ
ＴＡ又はその塩は、亜硫酸金ナトリウム又は亜硫酸金ナ
トリウムのエチレンジアミン錯体における金錯体を安定
化させる役目を果たすものである。ＥＤＴＡの塩として
は、ＥＤＴＡ−２Ｎａ（ナトリウム）、ＥＤＴＡ−２Ｋ
（カリウム）等が挙げられる。そして、このＥＤＴＡ又
はその塩は、５〜５０ｇ／Ｌの濃度範囲であることが好
ましい。５ｇ／Ｌ未満であると、亜硫酸金塩の安定性が
悪くなり、５０ｇ／Ｌを超えると、密着不良となる傾向
があるからである。 【００１７】さらに、このような本発明の置換金メッキ
液は、ｐＨが４．５〜６．０の弱酸性領域であることが
好ましい。ｐＨ４．５未満となると、亜硫酸金塩の安定
性が悪くなり、ｐＨ６．０を超えると、析出速度が低下
する傾向となるからである。また、液温としては、４５
〜６５℃の範囲であることが好ましい。液温が４５℃未
満であると、置換反応の進行が低下してしまい、６５℃
を超えると、メッキ液自体が自己分解をしてしまう傾向
となり、良好な置換金メッキ処理が行えなくなるからで
ある。 【００１８】本発明の置換メッキ液は、下地が無電解の
ニッケル−リンメッキやニッケル−ホウ素メッキである
場合において、密着性に優れ、ハンダ付け性も良好な置
換金メッキ処理が可能である。そして、更に、従来では
置換金メッキ処理自体が困難であった電解ニッケルメッ
キの下地の場合にも対応できるものである。つまり、被
メッキ対象物の表面が電解ニッケルメッキ処理されてい
る場合において、高い密着性を有し、ハンダ付け性も良
好な置換金メッキ処理が行えるものである。 【００１９】 【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施形態につい
て、以下に示す実施例及び比較例により説明する。 【００２０】実施例：本発明に係る置換金メッキ液とし
て、表１に示す各組成のメッキ液を建浴した。また、表
１中に示す記号は、表２に示すとおりである。 【００２１】 【表１】 【００２２】 【表２】 【００２３】表１に示すの各実施例の置換金メッキ液
は、次ぎのようにして作製した。まず、亜硫酸金ナトリ
ウムとエチレンジアミンとを混合することにより、亜硫
酸金ナトリウムのエチレンジアミン錯体を予め準備し、
そして、表１に示す各濃度となるように、亜硫酸金ナト
リウムのエチレンジアミン錯体、クエン酸、ＥＤＴＡ２
ナトリウムを純水に投入して調整した。 【００２４】比較例：比較として、次のシアン系置換金
メッキ液を作製した。シアン化金カリウムを金濃度で
２．０ｇ／Ｌ、クエン酸カリウムを３０ｇ／Ｌ、ＥＤＴ
Ａ２ナトリウムを３０ｇ／Ｌ、ｐＨ６．０のシアン系置
換金メッキ液である。 【００２５】上記した実施例及び比較例の置換金メッキ
液を用い、次の３種類の下地メッキ処理上に、金の置換
金メッキ処理を行った。被メッキ対象物として、銅板を
用い、その表面に電解ニッケルメッキ（下地１）、無電
解ニッケル−リンメッキ（下地２）、無電解ニッケル−
ホウ素メッキ（下地３）をそれぞれ施したものを準備し
た。これら電解ニッケルメッキ、無電解ニッケル−リン
メッキ及び無電解ニッケル−ホウ素メッキは、公知のメ
ッキ液及びメッキ方法により、金メッキ処理の下地被覆
として、厚さ５μｍで形成したものである。 【００２６】置換金メッキ処理条件は、液温５５℃で、
上述する３種類の下地を有する被メッキ対象物を、約１
５分間、浸漬することにより、金メッキ厚が０．１μｍ
となるように被覆した。そして、この金メッキ被膜につ
いて、密着性及びハンダ付け性の評価を行った。 【００２７】密着性評価は、テープ試験法により行い、
金メッキ処理された表面に、セロハン粘着テープを貼り
付け、該テープを引き剥がした際に、金メッキの剥がれ
の有無があるかを目視により確認した。また、ハンダ付
け性評価は、ハンダ濡れ性と、ハンダ接合性との２方法
で評価した。ハンダ濡れ性は、２３０℃のハンダ浴へ、
金メッキ処理した被メッキ対象物を浸漬し、引き上げた
際の金メッキ表面でのハンダの付着状態を観察すること
により評価した。またハンダ接合性はシェアテスターを
用いて、金メッキの剥がれモードにより評価した。表３
には、密着性、ハンダ付け性の評価結果を示す。 【００２８】 【表３】【００２９】表３に示すように、比較例の置換メッキ液
では、下地が無電解ニッケル−リンの場合では特に問題
がないが、無電解ニッケル−ホウ素メッキとなると、密
着性も、ハンダ付け性もやや悪くなる傾向があり、電解
ニッケルメッキでは、密着性が非常に悪く、ハンダ付け
性も実用的ではないことが確認された。一方、実施例の
置換金メッキ液では、下地が無電解ニッケル−リンメッ
キでも、無電解ニッケル−ホウ素メッキでも、良好な置
換金メッキ処理がされており、電解ニッケルメッキであ
っても、密着性は非常に良好で、ハンダ付け性も十分に
実用レベルであることが判明した。 【００３０】 【発明の効果】以上説明したように、本発明の置換金メ
ッキ液によると、下地が無電解のニッケル−リンメッキ
やニッケル−ホウ素メッキの場合に限らず、置換金メッ
キ処理の困難といわれる電解ニッケルメッキの下地であ
ったとしても、密着性、ハンダ付け性に優れた金メッキ
を置換メッキ処理できる。
金メッキ液に関するもので、特に、電解ニッケルメッキ
上に置換による金メッキ処理を行う際に好適なノンシア
ン系の置換金メッキ液に関する。 【０００２】 【従来の技術】近年、半導体素子の高集積化が急速に進
み、これを搭載するプリント配線板等の基板も高い配線
密度となってきている。このような配線基板には、ハン
ダ付け性、ワイヤーボンディング性等の改善のために、
配線回路の部品実装部分や端子部分等に金メッキ処理が
施される。この場合、一般的には、金メッキ処理の下地
としてニッケル系のメッキ処理が行われている。 【０００３】この金メッキ処理の下地となるニッケル系
メッキには、電解ニッケルメッキ、或いは無電解による
ニッケル−リンメッキやニッケル−ホウ素メッキなどが
知られている。そして、これら下地に対する金メッキ処
理は、微小な間隙や複雑な形状などに対応して均一な厚
みのメッキを容易に行える点から、電解メッキ処理より
も無電解メッキ処理が採用されることが多い。 【０００４】この無電解の金メッキ液は、代表的にはシ
アン化金錯体を使用したものが知られており、そして、
近年の環境問題等の影響から、ノンシアン系の金メッキ
液も各種提案されている。 【０００５】このノンシアン系の金メッキ液では、錯化
剤として、亜硫酸塩、メルカプトコハク酸、エチレンジ
アミンなどを用いたものがあり、大別すると、下地金属
との置換による置換金メッキ液と、還元剤を用いて金被
膜を析出させる、いわゆる無電解金メッキ液とに分けら
れる。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】ところで、この従来の
置換金メッキ液では、無電解によるニッケル−リンメッ
キの下地に対して金の置換メッキ処理が行えるものの、
無電解によるニッケル−ホウ素メッキの下地になると、
金メッキ処理が良好に行えなくなる傾向があった。つま
り、金メッキの密着性やハンダ付け性について実用的な
特性を満足した置換メッキ処理ができないのであった。 【０００７】そして、下地が電解ニッケルメッキである
場合には、従来提案されているシアン系やノンシアン系
の置換金メッキ液では、ニッケル酸化物の影響により、
ニッケルと金との置換反応をさせることが非常に難しい
とされている。また、電解ニッケルメッキ上に置換金メ
ッキ処理が行えたとしても、その密着性は非常に悪く、
ハンダ付け性も実用レベルに実現することができないの
である。 【０００８】本発明は、以上のような事情のもとになさ
れたもので、下地が無電解ニッケル−ホウ素メッキや電
解ニッケルメッキであっても、密着性やハンダ付け性の
良好な置換金メッキ処理が可能な、ノンシアン系の置換
金メッキ液を提供することを目的とする。 【０００９】 【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め、本発明者は、亜硫酸系の置換金メッキ液について鋭
意研究した結果、本発明の置換金メッキ液を想到するに
至った。 【００１０】本発明の置換金メッキ液は、亜硫酸金ナト
リウム又は亜硫酸金ナトリウムのエチレンジアミン錯体
を金濃度で０．０１〜１．０ｇ／Ｌと、亜硫酸塩１０〜
１００ｇ／Ｌと、有機カルボン酸又はその塩を５〜５０
ｇ／Ｌと、エチレンジアミン四酢酸又はその塩を５〜５
０ｇ／Ｌとを含有してなり、弱酸性領域のｐＨ４．５〜
６．０であることを特徴とする。 【００１１】本発明の置換金メッキ液は、金濃度が０．
０１〜１．０ｇ／Ｌと非常に低く、ｐＨ４．５〜６．０
の弱酸性領域であることが大きな特徴である。この本発
明の置換金メッキ液によれば、無電解ニッケル−リンメ
ッキの下地ばかりでなく、無電解ニッケル−ホウ素メッ
キであっても、密着性に優れ、ハンダ付け性も良好な置
換金メッキ処理を行える。そして、本発明の置換金メッ
キ液は、下地が電解ニッケルメッキであっても、良好な
密着性を有し、実用的なハンダ付け性を満足した置換金
メッキ処理が可能となる。 【００１２】本発明の置換金メッキ液は、メッキ液中の
金化合物が亜硫酸金ナトリウム又は亜硫酸金ナトリウム
のエチレンジアミン錯体の形態で含まれ、その時の金濃
度が０．０１〜１．０ｇ／Ｌである。０．０１ｇ／Ｌ未
満であると、置換により析出する金が非常に少なくな
り、メッキ処理時間を長くしなければならないため実用
的でなくなる。また、１．０ｇ／Ｌを超えると、密着不
良となる傾向があるからである。 【００１３】そして、本発明の置換金メッキ液では、錯
化剤として、亜硫酸塩、有機カルボン酸又はその塩、エ
チレンジアミン四酢酸（以下、ＥＤＴＡという）又はそ
の塩の三種類が含有されており、本発明においては、亜
硫酸塩を基本となる第一錯化剤といい、有機カルボン酸
又はその塩とＥＤＴＡ又はその塩とを第二錯化剤と称す
る。 【００１４】第一錯化剤である亜硫酸塩は、そのＳＯ３
２−がニッケルの過剰な酸化を抑制し、ニッケルと金と
の置換を安定的に進行させる役目をするものである。こ
の亜硫酸塩は、１０〜１００ｇ／Ｌの濃度範囲で有るこ
とが好ましく、１０ｇ／Ｌ未満であると、酸化抑制の効
果が小さくなり、１００ｇ／Ｌを超えるとニッケルの溶
出が過度に抑制されてしまい、逆に密着不良となる置換
金メッキとなるからである。 【００１５】第二錯化剤である有機カルボン酸又はその
塩は、亜硫酸によるｐＨ上昇を抑制し弱酸性領域に維持
する役目を果たすものである。この有機カルボン酸又は
その塩としては、クエン酸、リンゴ酸、乳酸等が挙げら
れる。有機カルボン酸又はその塩は、５〜５０ｇ／Ｌの
濃度範囲であることが好ましい。５ｇ／Ｌ未満である
と、亜硫酸金塩の安定性が悪くなり、５０ｇ／Ｌを超え
ると、液比重が高くなり析出速度が低下するためであ
る。 【００１６】そして、もう一つの第二錯化剤であるＥＤ
ＴＡ又はその塩は、亜硫酸金ナトリウム又は亜硫酸金ナ
トリウムのエチレンジアミン錯体における金錯体を安定
化させる役目を果たすものである。ＥＤＴＡの塩として
は、ＥＤＴＡ−２Ｎａ（ナトリウム）、ＥＤＴＡ−２Ｋ
（カリウム）等が挙げられる。そして、このＥＤＴＡ又
はその塩は、５〜５０ｇ／Ｌの濃度範囲であることが好
ましい。５ｇ／Ｌ未満であると、亜硫酸金塩の安定性が
悪くなり、５０ｇ／Ｌを超えると、密着不良となる傾向
があるからである。 【００１７】さらに、このような本発明の置換金メッキ
液は、ｐＨが４．５〜６．０の弱酸性領域であることが
好ましい。ｐＨ４．５未満となると、亜硫酸金塩の安定
性が悪くなり、ｐＨ６．０を超えると、析出速度が低下
する傾向となるからである。また、液温としては、４５
〜６５℃の範囲であることが好ましい。液温が４５℃未
満であると、置換反応の進行が低下してしまい、６５℃
を超えると、メッキ液自体が自己分解をしてしまう傾向
となり、良好な置換金メッキ処理が行えなくなるからで
ある。 【００１８】本発明の置換メッキ液は、下地が無電解の
ニッケル−リンメッキやニッケル−ホウ素メッキである
場合において、密着性に優れ、ハンダ付け性も良好な置
換金メッキ処理が可能である。そして、更に、従来では
置換金メッキ処理自体が困難であった電解ニッケルメッ
キの下地の場合にも対応できるものである。つまり、被
メッキ対象物の表面が電解ニッケルメッキ処理されてい
る場合において、高い密着性を有し、ハンダ付け性も良
好な置換金メッキ処理が行えるものである。 【００１９】 【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施形態につい
て、以下に示す実施例及び比較例により説明する。 【００２０】実施例：本発明に係る置換金メッキ液とし
て、表１に示す各組成のメッキ液を建浴した。また、表
１中に示す記号は、表２に示すとおりである。 【００２１】 【表１】 【００２２】 【表２】 【００２３】表１に示すの各実施例の置換金メッキ液
は、次ぎのようにして作製した。まず、亜硫酸金ナトリ
ウムとエチレンジアミンとを混合することにより、亜硫
酸金ナトリウムのエチレンジアミン錯体を予め準備し、
そして、表１に示す各濃度となるように、亜硫酸金ナト
リウムのエチレンジアミン錯体、クエン酸、ＥＤＴＡ２
ナトリウムを純水に投入して調整した。 【００２４】比較例：比較として、次のシアン系置換金
メッキ液を作製した。シアン化金カリウムを金濃度で
２．０ｇ／Ｌ、クエン酸カリウムを３０ｇ／Ｌ、ＥＤＴ
Ａ２ナトリウムを３０ｇ／Ｌ、ｐＨ６．０のシアン系置
換金メッキ液である。 【００２５】上記した実施例及び比較例の置換金メッキ
液を用い、次の３種類の下地メッキ処理上に、金の置換
金メッキ処理を行った。被メッキ対象物として、銅板を
用い、その表面に電解ニッケルメッキ（下地１）、無電
解ニッケル−リンメッキ（下地２）、無電解ニッケル−
ホウ素メッキ（下地３）をそれぞれ施したものを準備し
た。これら電解ニッケルメッキ、無電解ニッケル−リン
メッキ及び無電解ニッケル−ホウ素メッキは、公知のメ
ッキ液及びメッキ方法により、金メッキ処理の下地被覆
として、厚さ５μｍで形成したものである。 【００２６】置換金メッキ処理条件は、液温５５℃で、
上述する３種類の下地を有する被メッキ対象物を、約１
５分間、浸漬することにより、金メッキ厚が０．１μｍ
となるように被覆した。そして、この金メッキ被膜につ
いて、密着性及びハンダ付け性の評価を行った。 【００２７】密着性評価は、テープ試験法により行い、
金メッキ処理された表面に、セロハン粘着テープを貼り
付け、該テープを引き剥がした際に、金メッキの剥がれ
の有無があるかを目視により確認した。また、ハンダ付
け性評価は、ハンダ濡れ性と、ハンダ接合性との２方法
で評価した。ハンダ濡れ性は、２３０℃のハンダ浴へ、
金メッキ処理した被メッキ対象物を浸漬し、引き上げた
際の金メッキ表面でのハンダの付着状態を観察すること
により評価した。またハンダ接合性はシェアテスターを
用いて、金メッキの剥がれモードにより評価した。表３
には、密着性、ハンダ付け性の評価結果を示す。 【００２８】 【表３】【００２９】表３に示すように、比較例の置換メッキ液
では、下地が無電解ニッケル−リンの場合では特に問題
がないが、無電解ニッケル−ホウ素メッキとなると、密
着性も、ハンダ付け性もやや悪くなる傾向があり、電解
ニッケルメッキでは、密着性が非常に悪く、ハンダ付け
性も実用的ではないことが確認された。一方、実施例の
置換金メッキ液では、下地が無電解ニッケル−リンメッ
キでも、無電解ニッケル−ホウ素メッキでも、良好な置
換金メッキ処理がされており、電解ニッケルメッキであ
っても、密着性は非常に良好で、ハンダ付け性も十分に
実用レベルであることが判明した。 【００３０】 【発明の効果】以上説明したように、本発明の置換金メ
ッキ液によると、下地が無電解のニッケル−リンメッキ
やニッケル−ホウ素メッキの場合に限らず、置換金メッ
キ処理の困難といわれる電解ニッケルメッキの下地であ
ったとしても、密着性、ハンダ付け性に優れた金メッキ
を置換メッキ処理できる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開2002−180259（ＪＰ，Ａ)
特開2000−192248（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−317157（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−34258（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−17258（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−295558（ＪＰ，Ａ)
特許3178135（ＪＰ，Ｂ２)
特許3146757（ＪＰ，Ｂ２)
特許3146756（ＪＰ，Ｂ２)
特許3139213（ＪＰ，Ｂ２)
特許3030113（ＪＰ，Ｂ２)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C23C 18/42
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 電解ニッケルメッキ処理された表面に対
する置換金メッキ処理用の置換金メッキ液であって、 亜硫酸金ナトリウム又は亜硫酸金ナトリウムのエチレン
ジアミン錯体を金濃度で０．０１〜１．０ｇ／Ｌと、亜
硫酸塩１０〜１００ｇ／Ｌと、有機カルボン酸又はその
塩を５〜５０ｇ／Ｌと、エチレンジアミン四酢酸又はそ
の塩を５〜５０ｇ／Ｌとからなり、弱酸性領域のｐＨ
４．５〜６．０であることを特徴とする置換金メッキ
液。
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