JP3227505B2 - 置換型無電解金めっき液 - Google Patents
置換型無電解金めっき液Info
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- JP3227505B2 JP3227505B2 JP17683493A JP17683493A JP3227505B2 JP 3227505 B2 JP3227505 B2 JP 3227505B2 JP 17683493 A JP17683493 A JP 17683493A JP 17683493 A JP17683493 A JP 17683493A JP 3227505 B2 JP3227505 B2 JP 3227505B2
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- acid
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は置換型無電解金めっき液
に関し、更に詳しくは、無シアンで浴安定性、下地金属
との密着性に優れ、長期連続使用が可能な置換型の無電
解金めっき液に関する。
に関し、更に詳しくは、無シアンで浴安定性、下地金属
との密着性に優れ、長期連続使用が可能な置換型の無電
解金めっき液に関する。
【０００２】
【従来の技術】エレクトロニクス関連において、金はコ
ネクター、リードフレームなどへの機能性薄膜として応
用されている。また、プリント配線板の高密度化、表面
実装基板（独立回路基板）の増加に伴い、無電解金めっ
きの応用が増加している。例えば、一般に独立回路基板
は予めレジストで微細回路を形成し、半田レベラー処理
又は微細回路上に無電解ニッケルめっきを施し、次い
で、無電解金めっき処理が行なわれる。この様な用途に
おいて、無電解金めっき液は、浴安定性、均一な析出
性、めっき被膜の半田濡れ性、下地の無電解ニッケルめ
っき被膜との密着性等の特性が要求される。
ネクター、リードフレームなどへの機能性薄膜として応
用されている。また、プリント配線板の高密度化、表面
実装基板（独立回路基板）の増加に伴い、無電解金めっ
きの応用が増加している。例えば、一般に独立回路基板
は予めレジストで微細回路を形成し、半田レベラー処理
又は微細回路上に無電解ニッケルめっきを施し、次い
で、無電解金めっき処理が行なわれる。この様な用途に
おいて、無電解金めっき液は、浴安定性、均一な析出
性、めっき被膜の半田濡れ性、下地の無電解ニッケルめ
っき被膜との密着性等の特性が要求される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の置換タイプの無
電解金めっき液の大半はシアン化合物を含有した液であ
り、シアン化合物を全く含まない置換タイプの無電解金
めっき液としては、例えば、水溶性亜硫酸金化合物、亜
硫酸塩、水溶性ポリアミノカルボン酸又はその塩及び水
溶性アミン又はその誘導体を含有する無電解金めっき液
（特開平４−３１４８７１号公報）等が知られている。
しかしながら、従来のシアン化合物を含まない置換タイ
プの無電解金めっき液では、形成される無電解金めっき
被膜はピンホールが生じて半田濡れ性が低下し易く、ま
た析出速度及び密着性が下地無電解ニッケルめっきの影
響を受け易いという問題点がある。例えば、低含リン率
の被膜上では析出速度は速いが密着性が悪くなり、また
高含リン率の被膜上では、析出速度が遅く密着性が悪く
なる。また、長期連続使用した場合には、半田濡れ性及
び密着性が低下し、析出速度が変化し、浴安定性も低下
するという欠点がある。更に、置換タイプの無電解金め
っき液を自己触媒タイプの無電解金めっきの下地のめっ
きに応用した場合には、ピンホールにより下地のニッケ
ルめっき被膜が露出すると、局部電池が形成されて自己
触媒タイプの無電解金めっき浴中にニッケルが溶出し、
密着性が低下するという問題点もある。
電解金めっき液の大半はシアン化合物を含有した液であ
り、シアン化合物を全く含まない置換タイプの無電解金
めっき液としては、例えば、水溶性亜硫酸金化合物、亜
硫酸塩、水溶性ポリアミノカルボン酸又はその塩及び水
溶性アミン又はその誘導体を含有する無電解金めっき液
（特開平４−３１４８７１号公報）等が知られている。
しかしながら、従来のシアン化合物を含まない置換タイ
プの無電解金めっき液では、形成される無電解金めっき
被膜はピンホールが生じて半田濡れ性が低下し易く、ま
た析出速度及び密着性が下地無電解ニッケルめっきの影
響を受け易いという問題点がある。例えば、低含リン率
の被膜上では析出速度は速いが密着性が悪くなり、また
高含リン率の被膜上では、析出速度が遅く密着性が悪く
なる。また、長期連続使用した場合には、半田濡れ性及
び密着性が低下し、析出速度が変化し、浴安定性も低下
するという欠点がある。更に、置換タイプの無電解金め
っき液を自己触媒タイプの無電解金めっきの下地のめっ
きに応用した場合には、ピンホールにより下地のニッケ
ルめっき被膜が露出すると、局部電池が形成されて自己
触媒タイプの無電解金めっき浴中にニッケルが溶出し、
密着性が低下するという問題点もある。
【０００４】本発明の主な目的は、ピンホールのない均
一で緻密な金被膜を形成でき、析出速度が下地の無電解
ニッケルめっき被膜の影響を受け難く、しかもこの様な
特性を長期使用に亘って維持できる置換型無電解金めっ
き液を提供することである。
一で緻密な金被膜を形成でき、析出速度が下地の無電解
ニッケルめっき被膜の影響を受け難く、しかもこの様な
特性を長期使用に亘って維持できる置換型無電解金めっ
き液を提供することである。
【０００５】
【問題点を解決するための手段】本発明者は、上記した
如き従来技術の現状に鑑みて、鋭意研究を重ねた結果、
水溶性亜硫酸金化合物、亜硫酸塩、水溶性ポリアミノカ
ルボン酸又はその塩、及びオキシカルボン酸又はその塩
を含有する無電解金めっき液に、析出調整剤としてのホ
スホン酸類と、析出促進剤としてのアンチモン化合物及
びテルル化合物の少なくとも一種の化合物とを組み合わ
せて配合する場合には、所期の目的を達成し得る置換タ
イプの無電解金めっき液が得られることを見出し、ここ
に本発明を完成するに至った。
如き従来技術の現状に鑑みて、鋭意研究を重ねた結果、
水溶性亜硫酸金化合物、亜硫酸塩、水溶性ポリアミノカ
ルボン酸又はその塩、及びオキシカルボン酸又はその塩
を含有する無電解金めっき液に、析出調整剤としてのホ
スホン酸類と、析出促進剤としてのアンチモン化合物及
びテルル化合物の少なくとも一種の化合物とを組み合わ
せて配合する場合には、所期の目的を達成し得る置換タ
イプの無電解金めっき液が得られることを見出し、ここ
に本発明を完成するに至った。
【０００６】即ち、本発明は、（ｉ）水溶性亜硫酸金化
合物、（ｉｉ）亜硫酸塩、（ｉｉｉ）水溶性ポリアミノ
カルボン酸又はその塩、（ｉｖ）オキシカルボン酸又は
その塩、（ｖ）ホスホン酸類、並びに（ｖｉ）アンチモ
ン化合物及びテルル化合物から選ばれた少なくとも一種
の化合物を含有することを特徴とする置換型無電解金め
っき液に係る。
合物、（ｉｉ）亜硫酸塩、（ｉｉｉ）水溶性ポリアミノ
カルボン酸又はその塩、（ｉｖ）オキシカルボン酸又は
その塩、（ｖ）ホスホン酸類、並びに（ｖｉ）アンチモ
ン化合物及びテルル化合物から選ばれた少なくとも一種
の化合物を含有することを特徴とする置換型無電解金め
っき液に係る。
【０００７】本発明の無電解金めっき液では、金塩とし
て、水溶性亜硫酸金化合物を用いる。水溶性亜硫酸金化
合物の具体例としては、亜硫酸金アンモニウム、亜硫酸
金カリウム、亜硫酸金ナトリウム等を挙げることができ
る。水溶性亜硫酸化合物の配合量は、金イオンとして
０．３〜１０ｇ／ｌ程度、好ましくは０．５〜５ｇ／ｌ
程度とすればよい。金イオン濃度が０．３ｇ／ｌ未満で
あると析出速度が遅くなり、無めっき現象が発生するこ
ともあり、１０ｇ／ｌを上回ると析出速度が速くなり過
ぎて素地との密着が低下し、めっき液が自己分解を起こ
すこともあるので好ましくない。
て、水溶性亜硫酸金化合物を用いる。水溶性亜硫酸金化
合物の具体例としては、亜硫酸金アンモニウム、亜硫酸
金カリウム、亜硫酸金ナトリウム等を挙げることができ
る。水溶性亜硫酸化合物の配合量は、金イオンとして
０．３〜１０ｇ／ｌ程度、好ましくは０．５〜５ｇ／ｌ
程度とすればよい。金イオン濃度が０．３ｇ／ｌ未満で
あると析出速度が遅くなり、無めっき現象が発生するこ
ともあり、１０ｇ／ｌを上回ると析出速度が速くなり過
ぎて素地との密着が低下し、めっき液が自己分解を起こ
すこともあるので好ましくない。
【０００８】本発明の無電解金めっき液には、亜硫酸塩
を配合することが必要であり、その具体例としては、亜
硫酸アンモニウム、亜硫酸カリウム、亜硫酸ナトリウム
等を挙げることができる。亜硫酸塩の配合量は、５〜１
５０ｇ／ｌ程度、好ましくは２０〜１２０ｇ／ｌ程度と
すればよい。亜硫酸塩の配合量が、５ｇ／ｌを下回ると
析出速度が速くなり過ぎて素地との密着が低下しやすく
なり、まためっき液が自己分解を起こしやすくなって、
長期間安定して使用できないという欠点がある。また、
１２０ｇ／ｌを上回ると、析出速度が遅くなり、無めっ
き現象が発生することもあるので好ましくない。
を配合することが必要であり、その具体例としては、亜
硫酸アンモニウム、亜硫酸カリウム、亜硫酸ナトリウム
等を挙げることができる。亜硫酸塩の配合量は、５〜１
５０ｇ／ｌ程度、好ましくは２０〜１２０ｇ／ｌ程度と
すればよい。亜硫酸塩の配合量が、５ｇ／ｌを下回ると
析出速度が速くなり過ぎて素地との密着が低下しやすく
なり、まためっき液が自己分解を起こしやすくなって、
長期間安定して使用できないという欠点がある。また、
１２０ｇ／ｌを上回ると、析出速度が遅くなり、無めっ
き現象が発生することもあるので好ましくない。
【０００９】また、本発明の無電解金めっき液には、水
溶性ポリアミノカルボン酸またはその塩を配合する。そ
の具体例としては、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴ
Ａ）、ニトロ三酢酸等の水溶性ポリアミノカルボン酸、
及びそれらのナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム
塩等を挙げることができる。水溶性ポリアミノカルボン
酸またはその塩の配合量は、５〜１００ｇ／ｌ程度、好
ましくは、１０〜５０ｇ／ｌ程度とすればよく、５ｇ／
ｌ未満ではニッケルの溶解が遅くなって金の析出速度が
低下し、また、溶解した銅イオン、ニッケルイオン等の
不純物の影響を受けやすくなり、浴安定性の低下を抑制
できず浴分解が生じ易くなる。また、５０ｇ／ｌを上回
る量を配合しても、やや析出性が低下する程度で、顕著
な効果は認められず、経済的でない。
溶性ポリアミノカルボン酸またはその塩を配合する。そ
の具体例としては、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴ
Ａ）、ニトロ三酢酸等の水溶性ポリアミノカルボン酸、
及びそれらのナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム
塩等を挙げることができる。水溶性ポリアミノカルボン
酸またはその塩の配合量は、５〜１００ｇ／ｌ程度、好
ましくは、１０〜５０ｇ／ｌ程度とすればよく、５ｇ／
ｌ未満ではニッケルの溶解が遅くなって金の析出速度が
低下し、また、溶解した銅イオン、ニッケルイオン等の
不純物の影響を受けやすくなり、浴安定性の低下を抑制
できず浴分解が生じ易くなる。また、５０ｇ／ｌを上回
る量を配合しても、やや析出性が低下する程度で、顕著
な効果は認められず、経済的でない。
【００１０】また、本発明の無電解金めっき液には、オ
キシカルボン酸又はその塩を配合する。この具体例とし
ては、リンゴ酸、クエン酸、グルコン酸、コハク酸等の
オキシカルボン酸、又はそれらのナトリウム塩、カリウ
ム塩、アンモニウム塩等を挙げることができる。オキシ
カルボン酸又はその塩の配合量は、５〜１００ｇ／ｌ程
度、好ましくは１０〜５０ｇ／ｌ程度とする。この配合
量が５ｇ／ｌ未満ではニッケルの溶解が遅くなり、金の
析出速度が低下する。また５０ｇ／ｌを上回って添加し
ても顕著な析出速度の向上は認められず、経済的でな
い。
キシカルボン酸又はその塩を配合する。この具体例とし
ては、リンゴ酸、クエン酸、グルコン酸、コハク酸等の
オキシカルボン酸、又はそれらのナトリウム塩、カリウ
ム塩、アンモニウム塩等を挙げることができる。オキシ
カルボン酸又はその塩の配合量は、５〜１００ｇ／ｌ程
度、好ましくは１０〜５０ｇ／ｌ程度とする。この配合
量が５ｇ／ｌ未満ではニッケルの溶解が遅くなり、金の
析出速度が低下する。また５０ｇ／ｌを上回って添加し
ても顕著な析出速度の向上は認められず、経済的でな
い。
【００１１】更に、本発明の置換タイプの無電解金めっ
き液には、析出調整剤としてのホスホン酸類と、析出促
進剤としてのアンチモン化合物及びテルル化合物から選
ばれた少なくとも一種の化合物とを、組み合わせて配合
する。析出促進剤は、金の析出を非常に速くする効果が
あるが、単独使用では形成される被膜の密着が低下しや
すく、浴安定性が低下する場合もある。この様な析出促
進剤を、ホスホン酸類からなる析出調整剤と併用する場
合には、析出促進剤と析出調整剤によりキレート化合物
が形成され、析出促進剤の下地ニッケル被膜への作用を
緩和することができ、析出速度が適度となって被膜欠陥
のない均一で密着の良い金被膜を形成することができ
る。更に、めっき液中に析出促進剤を長期間安定に存在
させることができ、長期連続補給使用においても金被膜
の特性の低下を防止することができる。また、析出調整
剤は、無電解ニッケル被膜に吸着して金の析出を抑制す
る働きをし、しかもこの様な作用は、無電解ニッケル被
膜の種類によって差異が生じることがなく、このため、
下地の無電解ニッケルめっき被膜の種類によらず、金の
析出性が一定となる。本発明での使用に適するホスホン
酸類としては、アミノトリメチレンホスホン酸、１−ヒ
ドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、エチレン
ジアミンテトラメチレンホスホン酸、ヘキサメチレンジ
アミンテトラメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミ
ンペンタメチレンホスホン酸、又はそれらのナトリウム
塩、カリウム塩、アンモニウム塩等を挙げることがで
き、これらを単独又は適宜混合して用いることができ
る。アンチモン化合物及びテルル化合物の具体例として
は、酒石酸アンチモニルナトリウム、酒石酸アンチモニ
ルカリウム、オキシ硫酸アンチモン、塩化アンチモン、
亜テルル酸ナトリウム、亜テルル酸カリウム、テルル酸
ナトリウム、テルル酸カリウムなどを挙げることがで
き、これらも単独又は適宜混合して用いることができ
る。
き液には、析出調整剤としてのホスホン酸類と、析出促
進剤としてのアンチモン化合物及びテルル化合物から選
ばれた少なくとも一種の化合物とを、組み合わせて配合
する。析出促進剤は、金の析出を非常に速くする効果が
あるが、単独使用では形成される被膜の密着が低下しや
すく、浴安定性が低下する場合もある。この様な析出促
進剤を、ホスホン酸類からなる析出調整剤と併用する場
合には、析出促進剤と析出調整剤によりキレート化合物
が形成され、析出促進剤の下地ニッケル被膜への作用を
緩和することができ、析出速度が適度となって被膜欠陥
のない均一で密着の良い金被膜を形成することができ
る。更に、めっき液中に析出促進剤を長期間安定に存在
させることができ、長期連続補給使用においても金被膜
の特性の低下を防止することができる。また、析出調整
剤は、無電解ニッケル被膜に吸着して金の析出を抑制す
る働きをし、しかもこの様な作用は、無電解ニッケル被
膜の種類によって差異が生じることがなく、このため、
下地の無電解ニッケルめっき被膜の種類によらず、金の
析出性が一定となる。本発明での使用に適するホスホン
酸類としては、アミノトリメチレンホスホン酸、１−ヒ
ドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、エチレン
ジアミンテトラメチレンホスホン酸、ヘキサメチレンジ
アミンテトラメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミ
ンペンタメチレンホスホン酸、又はそれらのナトリウム
塩、カリウム塩、アンモニウム塩等を挙げることがで
き、これらを単独又は適宜混合して用いることができ
る。アンチモン化合物及びテルル化合物の具体例として
は、酒石酸アンチモニルナトリウム、酒石酸アンチモニ
ルカリウム、オキシ硫酸アンチモン、塩化アンチモン、
亜テルル酸ナトリウム、亜テルル酸カリウム、テルル酸
ナトリウム、テルル酸カリウムなどを挙げることがで
き、これらも単独又は適宜混合して用いることができ
る。
【００１２】ホスホン酸類の配合量は、５〜１００ｇ／
ｌ程度、好ましくは１０〜７０ｇ／ｌ程度とすればよ
い。配合量が５ｇ／ｌ未満では、析出速度が速くなって
析出被膜が粗くなり、半田濡れ性の低下が生じ、また素
地との密着が低下する。一方、配合量が１００ｇ／ｌを
上回ると、析出速度か遅くなりすぎることや無めっき現
象が発生するという問題点がある。
ｌ程度、好ましくは１０〜７０ｇ／ｌ程度とすればよ
い。配合量が５ｇ／ｌ未満では、析出速度が速くなって
析出被膜が粗くなり、半田濡れ性の低下が生じ、また素
地との密着が低下する。一方、配合量が１００ｇ／ｌを
上回ると、析出速度か遅くなりすぎることや無めっき現
象が発生するという問題点がある。
【００１３】アンチモン化合物及びテルル化合物の少な
くとも一種の化合物は、１ｍｇ／ｌ〜１００ｍｇ／ｌ程
度、好ましくは２〜５０ｍｇ／ｌ程度の配合量とする。
この配合量が１ｍｇ／ｌ未満では、析出速度が遅くな
り、析出外観が不均一でムラが発生し、更に、無めっき
現象が発生することもある。また、５０ｍｇ／ｌを上回
ると、析出速度が速くなって析出被膜が粗くなり、半田
濡れ性の低下や素地との密着の低下が生じる傾向があ
る。
くとも一種の化合物は、１ｍｇ／ｌ〜１００ｍｇ／ｌ程
度、好ましくは２〜５０ｍｇ／ｌ程度の配合量とする。
この配合量が１ｍｇ／ｌ未満では、析出速度が遅くな
り、析出外観が不均一でムラが発生し、更に、無めっき
現象が発生することもある。また、５０ｍｇ／ｌを上回
ると、析出速度が速くなって析出被膜が粗くなり、半田
濡れ性の低下や素地との密着の低下が生じる傾向があ
る。
【００１４】本発明の無電解金めっき液は、ｐＨ５．０
〜９．０程度の範囲で使用可能であるが、好ましくはｐ
Ｈ６．０〜８．０程度の範囲で使用する。ｐＨが低すぎ
ると、亜硫酸が分解して浴分解が生じやすくなり、一
方、ｐＨが高くなり過ぎると、析出速度が速くなって素
地との密着が低下するので好ましくない。なお、ｐＨ調
整剤としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ア
ンモニア水、硫酸、塩酸等を使用できる。
〜９．０程度の範囲で使用可能であるが、好ましくはｐ
Ｈ６．０〜８．０程度の範囲で使用する。ｐＨが低すぎ
ると、亜硫酸が分解して浴分解が生じやすくなり、一
方、ｐＨが高くなり過ぎると、析出速度が速くなって素
地との密着が低下するので好ましくない。なお、ｐＨ調
整剤としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ア
ンモニア水、硫酸、塩酸等を使用できる。
【００１５】本発明の無電解金めっき液では、浴温度は
４０℃〜９０℃とし、好ましくは５０℃〜８０℃とす
る。浴温度が４０℃を下回ると析出速度が遅くなり、無
めっき現象が発生することもあり、８０℃を上回ると浴
分解が発生しやすくなるので好ましくない。
４０℃〜９０℃とし、好ましくは５０℃〜８０℃とす
る。浴温度が４０℃を下回ると析出速度が遅くなり、無
めっき現象が発生することもあり、８０℃を上回ると浴
分解が発生しやすくなるので好ましくない。
【００１６】本発明の無電解金めっき液は、無電解ニッ
ケルめっき被膜を被めっき物とする場合に、均一で緻密
なめっき被膜を形成できる。無電解ニッケルめっき被膜
の種類は、特に限定されず、Ｎｉ−Ｐ系無電解めっき被
膜、Ｎｉ−Ｂ系無電解めっき被膜等に良好な置換金被膜
を形成できる。特に、リン含有量が大きく異なるＮｉ−
Ｐ系無電解めっき被膜においても、めっき被膜の種類の
違いによる影響を受け難く、均一で緻密なめっき被膜を
形成できる。
ケルめっき被膜を被めっき物とする場合に、均一で緻密
なめっき被膜を形成できる。無電解ニッケルめっき被膜
の種類は、特に限定されず、Ｎｉ−Ｐ系無電解めっき被
膜、Ｎｉ−Ｂ系無電解めっき被膜等に良好な置換金被膜
を形成できる。特に、リン含有量が大きく異なるＮｉ−
Ｐ系無電解めっき被膜においても、めっき被膜の種類の
違いによる影響を受け難く、均一で緻密なめっき被膜を
形成できる。
【００１７】
【発明の効果】本発明の置換型無電解金めっき液によれ
ば、下地の無電解ニッケルめっき被膜の種類によらず無
電解ニッケルめっき被膜を均一に溶解でき、被膜欠陥の
ない均一で密着性の良い金被膜を形成することができ
る。そして、得られる金被膜は、ピンホール等の被膜欠
陥がほとんどなく、半田濡れ性が良好である。また、該
無電解金めっき液は、浴安定性が良好で、長期連続補給
使用においても析出促進剤が安定に存在し、形成される
金の被膜特性の低下が少ない。
ば、下地の無電解ニッケルめっき被膜の種類によらず無
電解ニッケルめっき被膜を均一に溶解でき、被膜欠陥の
ない均一で密着性の良い金被膜を形成することができ
る。そして、得られる金被膜は、ピンホール等の被膜欠
陥がほとんどなく、半田濡れ性が良好である。また、該
無電解金めっき液は、浴安定性が良好で、長期連続補給
使用においても析出促進剤が安定に存在し、形成される
金の被膜特性の低下が少ない。
【００１８】
【実施例】以下に、実施例を示して本発明を更に詳細に
説明する。
説明する。
【００１９】実施例１ 下記表１及び表２に記載の置換金めっき液を用いて、以
下の方法でめっき試験を行なった。
下の方法でめっき試験を行なった。
【００２０】試料としては、５×１０ｃｍの独立回路基
板及び１×５ｃｍの圧延銅板を用い、銅部分に無電解ニ
ッケルめっき被膜（含リン率８〜９％）を約５μｍ形成
し、これを各置換めっき液に浸漬して金被膜を形成した
後、膜厚、被膜外観、未析出の有無、密着性、半田濡れ
性を測定した。結果を表１及び表２に示す。
板及び１×５ｃｍの圧延銅板を用い、銅部分に無電解ニ
ッケルめっき被膜（含リン率８〜９％）を約５μｍ形成
し、これを各置換めっき液に浸漬して金被膜を形成した
後、膜厚、被膜外観、未析出の有無、密着性、半田濡れ
性を測定した。結果を表１及び表２に示す。
【００２１】試験方法は下記の通りである。
【００２２】＊膜厚：蛍光Ｘ線膜厚測定装置により測
定。
定。
【００２３】＊被膜外観：目視により判定。
【００２４】＊未析出の有無：目視により判定。
【００２５】＊密着性：ＪＩＳ Ｚ−１５２２に準じた
方法でセロハンテープ剥離試験を行ない、剥離なしの場
合を○で表わし、剥離ありの場合を×で表わす。
方法でセロハンテープ剥離試験を行ない、剥離なしの場
合を○で表わし、剥離ありの場合を×で表わす。
【００２６】＊半田濡れ性：１×５ｃｍの圧延銅板を試
料として、メニスコグラフにより測定し、濡れ性良好の
場合を○で表わし、濡れ性が悪い場合を×で表わす。
料として、メニスコグラフにより測定し、濡れ性良好の
場合を○で表わし、濡れ性が悪い場合を×で表わす。
【００２７】また、上記試料を用いて繰り返しめっき処
理を行ない、金濃度を原子吸光分析法で測定して、所定
の濃度範囲に入るように、各成分を補給しつつめっき液
の長期使用試験を行なった。２ターン連続使用時のめっ
き液の安定性を評価した結果を表１及び表２に併せて示
す。
理を行ない、金濃度を原子吸光分析法で測定して、所定
の濃度範囲に入るように、各成分を補給しつつめっき液
の長期使用試験を行なった。２ターン連続使用時のめっ
き液の安定性を評価した結果を表１及び表２に併せて示
す。
【００２８】
【表１】
【００２９】
【表２】
【００３０】以上の結果から、本発明の置換型無電解め
っき液は、浴安定性が良好で、均一で未析出のない金被
膜を形成でき、得られた金被膜は密着性、半田濡れ性等
に優れていることが判る。
っき液は、浴安定性が良好で、均一で未析出のない金被
膜を形成でき、得られた金被膜は密着性、半田濡れ性等
に優れていることが判る。
【００３１】実施例２ 被めっき物として、銅部分に含リン率の異なる３種類の
無電解ニッケルめっき被膜（含リン率３〜４％、含リン
率８〜９％及び含リン率１１〜１２％の各ニッケル被
膜）を約５μｍ厚に形成した５×１０ｃｍの独立回路基
板及び１×５ｃｍの圧延銅板を用い、下記表３に記載の
置換金めっき液を用いてめっき時間３０分間で金被膜を
形成した後、密着性試験を行なった。結果を下記表３に
示す。
無電解ニッケルめっき被膜（含リン率３〜４％、含リン
率８〜９％及び含リン率１１〜１２％の各ニッケル被
膜）を約５μｍ厚に形成した５×１０ｃｍの独立回路基
板及び１×５ｃｍの圧延銅板を用い、下記表３に記載の
置換金めっき液を用いてめっき時間３０分間で金被膜を
形成した後、密着性試験を行なった。結果を下記表３に
示す。
【００３２】
【表３】
【００３３】この結果から、本発明のめっき液によれ
ば、無電解ニッケルめっき被膜の含リン率によらず、密
着性の良好な金被膜を形成できることが判る。
ば、無電解ニッケルめっき被膜の含リン率によらず、密
着性の良好な金被膜を形成できることが判る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−72084（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−314871（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−33148（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−294484（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 18/00 - 18/54 H05K 3/24
Claims (1)
- 【請求項１】（ｉ）水溶性亜硫酸金化合物、（ｉｉ）亜
硫酸塩、（ｉｉｉ）水溶性ポリアミノカルボン酸又はそ
の塩、（ｉｖ）オキシカルボン酸又はその塩、（ｖ）ホ
スホン酸類、並びに（ｖｉ）アンチモン化合物及びテル
ル化合物から選ばれた少なくとも一種の化合物を含有す
ることを特徴とする置換型無電解金めっき液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17683493A JP3227505B2 (ja) | 1993-07-16 | 1993-07-16 | 置換型無電解金めっき液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17683493A JP3227505B2 (ja) | 1993-07-16 | 1993-07-16 | 置換型無電解金めっき液 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0734258A JPH0734258A (ja) | 1995-02-03 |
| JP3227505B2 true JP3227505B2 (ja) | 2001-11-12 |
Family
ID=16020655
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17683493A Expired - Lifetime JP3227505B2 (ja) | 1993-07-16 | 1993-07-16 | 置換型無電解金めっき液 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP3227505B2 (ja) |
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| KR20190096420A (ko) * | 2016-12-27 | 2019-08-19 | 간또 가가꾸 가부시끼가이샤 | 무시안화물 치환 금 도금액 조성물 |
-
1993
- 1993-07-16 JP JP17683493A patent/JP3227505B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0734258A (ja) | 1995-02-03 |
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