JP2006111960A - 非シアン無電解金めっき液及び無電解金めっき方法 - Google Patents
非シアン無電解金めっき液及び無電解金めっき方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006111960A JP2006111960A JP2005005266A JP2005005266A JP2006111960A JP 2006111960 A JP2006111960 A JP 2006111960A JP 2005005266 A JP2005005266 A JP 2005005266A JP 2005005266 A JP2005005266 A JP 2005005266A JP 2006111960 A JP2006111960 A JP 2006111960A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gold plating
- plating solution
- electroless gold
- gold
- electroless
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/54—Contact plating, i.e. electroless electrochemical plating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
- H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands
Abstract
【解決手段】シアン系化合物を含有しない非シアン無電解金めっき液において、該無電解金めっき液には、金の安定化錯化剤として、下記化4で表される化合物又はその塩が添加されていることを特徴とする非シアン無電解金めっき液。
【化4】
【選択図】 なし
Description
かかるはんだボール16を銅から成るパッド14上に形成する際に、先ず、基板10の一面側にソルダレジスト等の樹脂から成るマスク層18を形成し、マスク層18にレーザ等によってパッド面が底面に露出する凹部20を形成する。
次いで、凹部20内に、下地層としてのNi-Pから成る金属層22を無電解ニッケルめっきによって形成した後、金属層22の上面に金属層22よりも薄い金層24を置換金めっきによって形成すべく、基板10を無電解金めっき液に浸漬する。
その後、金層24上にはんだボールを載置してリフローすることによって、金がはんだ中に拡散して、外部接続端子としてのはんだボール16は、金属層22のNi-Pとはんだとの合金を形成して強固に固着される。
しかし、シアン含有無電解金めっき液は、一般的にアルカリ領域で用いられるため、ソルダレジスト等の樹脂から成るマスク層18が一面側を覆う基板10をシアン含有無電解金めっき液に浸漬すると、マスク層18が侵食され易い。
また、シアン含有無電解金めっき液は、その毒性のために取扱いに特別な注意を必要とし、廃棄する場合も無毒化のための特別な操作を必要とする。
かかる非シアン無電解金めっき液では、無電解金めっき液中の金イオンの安定化を図るべく、亜硫酸金錯体を金供給源として添加している。
表面技術、vol.52,No.5,2001(第410〜413頁)
しかし、かかる非シアン無電解金めっき液は、依然としてアルカリ領域で用いられるため、ソルダレジスト等の樹脂から成るマスク層18が一面側を覆う基板10をシアン含有無電解金めっき液に浸漬すると、マスク層18が侵食され易い。
しかも、亜硫酸金錯体を金供給源とする非シアン無電解金めっき液は、例えば表面技術、vol.46,No.9,1995(第775〜777頁)に記載されている如く、その安定性が極めて低いため、無電解金めっき液の交換頻度が多くなる。
そこで、本発明の課題は、酸性領域で用いることができ、且つ安定性に優れている非シアン無電解金めっき液及びこの非シアン無電解金めっき液を用いた無電解金めっき方法を提供することにある。
更に、無電解金めっき液のpH値を7以下の酸性領域とすることによって、ソルダレジスト等の樹脂から成るマスク層が一面側を覆う基板をシアン含有無電解金めっき液に浸漬して無電解金めっきを施しても、マスク層の侵食を防止できる。
この無電解金めっき液に結晶調整剤としてのタリウム(Tl)を添加することによって、金の析出速度を向上できる。
尚、金供給源としては、亜硫酸金塩又は塩化金酸塩を好適に用いることができる。
かかる本発明において、基板の凹部の底面に金属面が露出する金属層を、リン含有量が1〜4重量%の無電解ニッケルめっき液を用いて形成することによって、この金属層上に無電解金めっきで形成した金層にはんだボールを搭載することにより、はんだボールとの接合信頼性の向上を図ることができる。
更に、本発明に係る無電解金めっき液は酸性領域で用いることができる。このため、ソルダレジスト等の樹脂から成るマスク層が一面側を覆う基板を、本発明に係る非シアン無電解金めっき液に浸漬しても、マスク層の侵食を防止できる。
この様に、本発明に係る非シアン無電解金めっき液は、基板の一面側を覆う樹脂から成るマスク層の侵食を防止でき、且つ安定性に優れている結果、半導体装置の製造工程での無電解金めっき工程で好適に採用できる。
また、本発明で添加する金の安定化錯化剤と併用する金供給源としては、亜硫酸金塩又は塩化金酸塩を好適に用いることができる。この金供給源の添加量は、0.75〜1.25g/リットル程度が好ましい。
ここで、亜硫酸金塩とメルカプトエタンスルホン酸ナトリウムとを添加した非シアン無電解金めっき液で形成される金錯体は、KAu(CN)2に近似した還元電位を呈し、安定した金錯体を形成できる。
かかる還元電位の測定は、作用極には白金回転電極に電解金めっきを施したものを用い、対極には白金板を用いて、白金回転電極を1000rpmで回転して行った。図2から明らかな様に、曲線Aの還元電位は、曲線Bの還元電位と極めて近似している。
尚、図2に示す還元電位の測定は、水素の発生電位と重なることのないように無電解金めっき液のpH値を13に調整して行った。
本発明に係る非シアン無電解金めっき液は、pH調整剤によってpH値が7以下の酸性領域、更に好ましくはpH値が6以下、特に好ましくはpH値が6〜3の酸性領域に調整することが好ましい。
ここで、金の安定化錯化剤として、メルカプトエタンスルホン酸ナトリウム、メルカプトプロパンスルホン酸ナトリウム又はアミノエタンチオールと金との錯体について、pH値が7に調整された場合の還元電位を図3に示す。
図3において、曲線Aがメルカプトエタンスルホン酸ナトリウムと金との錯体の還元電位、曲線Dがメルカプトプロパンスルホン酸ナトリウムと金との錯体の還元電位、曲線Eがアミノエタンチオールと金との錯体の還元電位を各々示す。また、曲線Cは、参考として、金無添加のクエン酸溶液の水素発生電位を示す。
したがって、図2と図3とに示す還元電位から本発明で用いる金の安定化錯化剤は、その金との錯体の還元電位がpH値7以下の酸性領域で、KAu(CN)2に近似した還元電位を呈し、安定した金錯体を形成できるものと考えられる。
ところで、特表平11-513078号公報には、メルカプトエタンスルホン酸塩又はメルカプトプロパンスルホン酸塩が添加された非シアン電解金めっき液が提案されている。
しかし、この非シアン電解金めっき液は、そのpH値が7以上のアルカリ性領域で使用されるものであり、pH値が7以下の酸性領域で使用されるものではない。
かかるpH値が7以上のアルカリ性領域で使用されるめっき液に、図1に示す基板10を浸漬すると、ソルダレジスト等の樹脂から成るマスク層18が剥離され易い。
また、本発明に係る非シアン無電解金めっき液に結晶調整剤としてのタリウム(Tl)を添加することによって、金の析出速度を向上できる。タリウム(Tl)は、硫酸タリウム又は酢酸タリウムとして添加できる。
この場合、亜硫酸金塩とメルカプトエタンスルホン酸ナトリウムとを添加した非シアン無電解金めっき液に、タリウム(Tl)を添加したとき、最も金の析出速度が向上する傾向がある。
尚、タリウム(Tl)の添加量は、0.1〜100ppmとすることが好ましい。
この際に、基板10の凹部20の底面に露出する、下地層としてのNi-Pから成る金属層22は、先ず、図1に示す基板10の一面側を覆うマスク層18に開口する凹部20の底面に露出するパッド14の露出面に、Pd等の触媒金属を析出する前処理を施した後、リン含有量が1〜4重量%(好ましくは1〜2重量%)の無電解ニッケルめっき液、いわゆる低リンタイプの無電解ニッケルめっき液に基板10を所定時間浸漬することによって形成できる。
かかる置換金めっきでは、非シアン無電解金めっき液を、そのpH値を7以下の酸性領域、好ましくはpH値を6以下、特に好ましくはpH値を6〜3の酸性領域に調整しつつ、40〜90℃に保持することが好ましい。
この様に、本発明に係る非シアン無電解金めっき液に基板10を所定時間浸漬した後、基板10を無電解金めっき液から取り出し洗浄して乾燥する。
得られた基板10では、マスク層18は基板10の一面側に密着されており、凹部20の底面には、光沢を呈する緻密な金層24が形成されている。
一般的に、Ni-Pから成る金属層22に置換金めっきを行う際には、下記化5に示す置換反応が進行する。
この点、低リンタイプの無電解ニッケルめっき液を用いて形成したNi-Pから成る金属層22上に、上記化5に示す置換反応がマイルドに進行する本発明に係る非シアン無電解金めっき液を用いて金層24を形成する結果、金属層22の腐食を防止しつつ、光沢を呈する緻密な金層24を形成できる。
尚、本発明に係る非シアン無電解金めっき液を用いれば、リン含有量が7〜9重量%の無電解ニッケルめっき液、いわゆる中リンタイプの無電解ニッケルめっき液を用いて形成した金属層22上にも、光沢を呈する緻密な金層24を形成できる。
形成されたはんだボール16の接合強度は、シアン含有無電解金めっき液を用いて金層24を形成した場合に比較して良好であった。
また、はんだボール16とNi-Pから成る金属層22との境界の断面について、電子顕微鏡で観察すると、はんだ層と金属層22との境界には、金属間化合物層(IMC層)とP−リッチ層とが形成される。かかるIMC層とP−リッチ層との境界面は脆いため、はんだボール16に引張力を加えると、この境界面が剥離してはんだボール16が剥離されることがある。
このP−リッチ層の厚さを、本発明に係る非シアン無電解金めっき液を用いて形成した金層24上に、はんだボール16を接合した場合、シアン含有無電解金めっき液を用いて形成した金層24上にはんだボール16を形成した場合に比較して薄くできることも、はんだボール16の接合強度を向上できるものと考えられる。
図1に示す基板10の一面側を覆うマスク層18に開口する凹部20の底面に露出する銅から成る配線パターン12の露出面に、触媒金属としてのPdを析出する前処理を施した後、基板10を無電解ニッケルめっき液に浸漬して厚さ5μmのNi-P層から成る金属層22を形成した。この金属層22を形成する無電解ニッケルめっき液は、P含有量が1〜2重量%の低リンタイプの無電解ニッケルめっき液を用いた。
(2)無電解金めっき液の準備
無電解金めっき液として、下記表1に示す液1〜液5の無電解金めっき液を準備した。
準備しためっき対象物を、表1に示す液1〜液5のいずれかに浸漬し、Ni-P層22上に厚さ0.06μmの金層24を形成した。
形成した金層24の外観を肉眼で観察した結果を表1に併記した。液1〜3の無電解金めっき液では、いずれも極めて良好な光沢の呈する金めっき皮膜を形成できた。
これに対し、液4の無電解金めっき液では、その金めっき皮膜の光沢の程度は、液1〜3の無解金めっき液による金めっき皮膜に比較して低かったが、良好な光沢を呈するものであった。
一方、液5の無電解金めっき液では、その金めっき皮膜の光沢の程度は、液4の無電解金めっき液による金めっき皮膜に比較しても低いものであったが、許容し得る範囲内に存するものであった。
次いで、この金層24を市販の剥離剤を用いて剥離した後、金属層22の表面を電子顕微鏡写真(20000倍)で観察した結果、図4に示す様に、金属層22の表面には、ニッケルと金との置換反応時の腐食によるピンホールは観察されず均整な表面であった。
次いで、この金層24を市販の剥離剤を用いて剥離した後、金属層22の表面を電子顕微鏡写真(20000倍)で観察した結果、図5に示す如く、金属層22の表面にはニッケルと金との置換反応時の腐食による微細なピンホールが多数観察された。
次いで、この金層24を市販の剥離剤を用いて剥離した後、金属層22の表面を電子顕微鏡写真(20000倍)で観察した結果、図6に示す如く、金属層22の表面にはニッケルと金との置換反応時の腐食によって、比較例1の金属層22の表面に形成された図5に示すピンホールよりも大径のピンホールが多数観察された。
次いで、基板10を無電解金めっき液から取り出して金属層22上に形成される金めっき皮膜の厚さを蛍光X線膜厚計によって測定した。タリウム(Tl)を添加した無電解金めっき液への基板10の浸漬時間と金めっき皮膜の厚さとの関係を図7に示す曲線Fに示す。
一方、表1の液1に示すタリウム(Tl)が無添加の無電解金めっき液を用い、同様にして基板10の浸漬時間とNi-Pから成る金属層22上に形成される金めっき皮膜の厚さとの関係を調査し、その結果を図7に曲線Gとして示す。
図4から明らかな様に、タリウム(Tl)を添加した無電解金めっき液では、タリウム(Tl)が無添加の無電解金めっき液よりも、基板10のNi-Pから成る金属層22上に析出する金の析出速度を速くできる。
また、実施例1と同様に、P含有量が1〜2重量%の低リンタイプの無電解ニッケルめっき液を用いて形成した、図1に示すNi-Pから成る金属層22上に、表2に示すシアン含有無電解金めっき液を用いて厚さ0.06μmの金層24を形成した後、この金層24上にはんだ片を載置してリフローしてはんだボール16を形成した。このはんだボール16について、以下、「はんだボール16(比較例1)」又は「比較例1」と示す。
更に、比較例1において、図1に示すNi-Pから成る金属層22を、P含有量が7〜9重量%の中リンタイプの無電解ニッケルめっき液を用いて形成した他は、比較例1と同様にして厚さ0.06μmの金層24を形成した後、この金層24上にはんだ片を載置してリフローしてはんだボール16を形成した。このはんだボール16を、以下、「はんだボール16(比較例2)」又は「比較例2」と示す。
先ず、はんだボール16の引張力によって破壊される状況について、図8に示すMode1〜Mode4に分類し、Mode1〜Mode3の破壊状況は、はんだボール16自身が破壊されたり、はんだボール16が装着された金属層22の破壊によるものであって、はんだボール16と金属層22との剥離に因る破壊ではないため、合格(OK)とした。
一方、Mode4の破壊状況は、はんだボール16と金属層22との剥離に因る破壊に該当するため、不合格(NG)とした。
かかる引張力によってはんだボール16が破壊される状況は、図8に示す様に、はんだボール16(実施例)において、破壊状況が合格(OK)となる率は約50%あったが、はんだボール16(比較例1)及びはんだボール16(比較例2)では、全てが不合格(NG)となった。
また、はんだボール16が破壊される破壊強度(ボールプル強度)についても併せて測定した結果を図9に示す。図9に示す様に、ボールプル強度も、はんだボール16(実施例)が、はんだボール16(比較例1)及びはんだボール16(比較例2)に比較して、その平均値が高く且つバラツキも小さかった。
図10(a)(b)において、銅から成るパッド14上に、Ni-Pから成る金属層24と、はんだボール16との境界部に、金属間化合物層32とP−リッチ層34とが形成されている。かかる金属間化合物層32とP−リッチ層34との界面が脆く、はんだボール16に引張張力が作用すると、この界面から剥離され易い。
この点、図10(a)(b)から明かな様に、図10(a)に示すはんだボール16(実施例)のP−リッチ層34は、図10(b)に示すはんだボール16(比較例2)のP−リッチ層34に比較して薄い。このため、図10(a)に示すはんだボール16(実施例)では、金属間化合物層32とP−リッチ層34との界面で剥離され難くなっているものと考えられる。
12 配線パターン
14 パッド
16 ボール
18 マスク層
20 凹部
22 金属層
24 金層
32 金属間化合物層
34 P−リッチ層
Claims (7)
- シアン系化合物を含有しない非シアン無電解金めっき液において、該無電解金めっき液には、金の安定化錯化剤として、下記化1で表される化合物又はその塩が添加されていることを特徴とする非シアン無電解金めっき液。
- 金の安定化錯化剤が、メルカプトエタンスルホン酸ナトリウム、メルカプトプロパンスルホン酸ナトリウム又はアミノエタンチオールである請求項1記載の非シアン無電解金めっき液。
- 無電解金めっき液のpH値が7以下である請求項1又は請求項2記載の非シアン無電解金めっき液。
- 無電解金めっき液に結晶調整剤としてのタリウム(Tl)が添加されている請求項1〜3のいずれか一項記載の非シアン無電解金めっき液。
- 金供給源が、亜硫酸金塩又は塩化金酸塩である請求項1〜4のいずれか一項記載の非シアン無電解金めっき液。
- 基板の一面側を覆う樹脂から成るマスク層に開口した凹部の底面に露出する金属面に、無電解金めっきによって金層を形成する際に、
該基板を浸漬する無電解金めっき液として、請求項1記載の非シアン無電解金めっき液を用いることを特徴とする無電解金めっき方法。 - 基板の凹部の底面に金属面が露出する金属層を、リン含有量が1〜4重量%の無電解ニッケルめっき液を用いて形成する請求項6記載の無電解金めっき方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005005266A JP2006111960A (ja) | 2004-09-17 | 2005-01-12 | 非シアン無電解金めっき液及び無電解金めっき方法 |
US11/226,132 US7264848B2 (en) | 2004-09-17 | 2005-09-14 | Non-cyanide electroless gold plating solution and process for electroless gold plating |
KR1020050086154A KR100933243B1 (ko) | 2004-09-17 | 2005-09-15 | 무전해 금 도금 공정 및 금층 형성 공정 |
TW094132043A TW200619420A (en) | 2004-09-17 | 2005-09-16 | Non-cyanide electroless gold plation solution and process for electroless gold plating |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004271112 | 2004-09-17 | ||
JP2005005266A JP2006111960A (ja) | 2004-09-17 | 2005-01-12 | 非シアン無電解金めっき液及び無電解金めっき方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006111960A true JP2006111960A (ja) | 2006-04-27 |
JP2006111960A5 JP2006111960A5 (ja) | 2007-11-15 |
Family
ID=36074357
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005005266A Pending JP2006111960A (ja) | 2004-09-17 | 2005-01-12 | 非シアン無電解金めっき液及び無電解金めっき方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7264848B2 (ja) |
JP (1) | JP2006111960A (ja) |
KR (1) | KR100933243B1 (ja) |
TW (1) | TW200619420A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014019885A (ja) * | 2012-07-13 | 2014-02-03 | Kanto Gakuin | ノーシアン無電解金めっき浴 |
WO2014162935A1 (ja) * | 2013-04-05 | 2014-10-09 | メタローテクノロジーズジャパン株式会社 | 無電解白金めっき液、及び同めっき液を用いる無電解白金めっき方法 |
CN110249074A (zh) * | 2017-02-15 | 2019-09-17 | 三菱电机株式会社 | 半导体元件及其制造方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4759416B2 (ja) * | 2006-03-20 | 2011-08-31 | 新光電気工業株式会社 | 非シアン無電解金めっき液及び無電解金めっき方法 |
CN102260892B (zh) * | 2010-05-31 | 2014-10-08 | 比亚迪股份有限公司 | 一种钛及钛合金预镀液和电镀方法 |
CN102959756A (zh) * | 2010-06-24 | 2013-03-06 | 默克专利股份有限公司 | 改性有机电子器件中的电极的方法 |
JP2014013795A (ja) * | 2012-07-03 | 2014-01-23 | Seiko Epson Corp | ベース基板、電子デバイスおよび電子機器 |
CN113046736B (zh) * | 2021-03-02 | 2021-09-28 | 深圳市创智成功科技有限公司 | 一种用于显示面板领域的无氰化学沉金溶液及其工艺 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0734258A (ja) * | 1993-07-16 | 1995-02-03 | Okuno Chem Ind Co Ltd | 置換型無電解金めっき液 |
JP2000026977A (ja) * | 1998-07-13 | 2000-01-25 | Daiwa Kasei Kenkyusho:Kk | 貴金属を化学的還元析出によって得るための水溶液 |
JP2000252380A (ja) * | 1999-02-25 | 2000-09-14 | Mitsui Chemicals Inc | はんだ接続用パッドおよびそのはんだ接続用パッドを用いた半導体搭載用基板 |
JP2003268559A (ja) * | 2002-03-15 | 2003-09-25 | Hitachi Chem Co Ltd | 無電解金めっき液及び無電解金めっき方法 |
JP2003342742A (ja) * | 2002-05-23 | 2003-12-03 | Risho Kogyo Co Ltd | 無電解金めっき液 |
JP2004067931A (ja) * | 2002-08-08 | 2004-03-04 | Seiko Epson Corp | 金の水系分散液の製造方法及びインクジェット記録用インク |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5470381A (en) * | 1992-11-25 | 1995-11-28 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Electroless gold plating solution |
US5338343A (en) * | 1993-07-23 | 1994-08-16 | Technic Incorporated | Catalytic electroless gold plating baths |
DE19629658C2 (de) | 1996-07-23 | 1999-01-14 | Degussa | Cyanidfreies galvanisches Bad zur Abscheidung von Gold und Goldlegierungen |
JP3566498B2 (ja) * | 1997-05-14 | 2004-09-15 | 株式会社大和化成研究所 | 置換金めっき浴 |
JP2002348680A (ja) * | 2001-05-22 | 2002-12-04 | Sharp Corp | 金属膜パターンおよびその製造方法 |
JP3482402B2 (ja) * | 2001-06-29 | 2003-12-22 | 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 | 置換金メッキ液 |
JP2004190075A (ja) * | 2002-12-10 | 2004-07-08 | Kanto Chem Co Inc | 無電解金めっき液 |
US20050092616A1 (en) * | 2003-11-03 | 2005-05-05 | Semitool, Inc. | Baths, methods, and tools for superconformal deposition of conductive materials other than copper |
-
2005
- 2005-01-12 JP JP2005005266A patent/JP2006111960A/ja active Pending
- 2005-09-14 US US11/226,132 patent/US7264848B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-15 KR KR1020050086154A patent/KR100933243B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-09-16 TW TW094132043A patent/TW200619420A/zh unknown
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0734258A (ja) * | 1993-07-16 | 1995-02-03 | Okuno Chem Ind Co Ltd | 置換型無電解金めっき液 |
JP2000026977A (ja) * | 1998-07-13 | 2000-01-25 | Daiwa Kasei Kenkyusho:Kk | 貴金属を化学的還元析出によって得るための水溶液 |
JP2000252380A (ja) * | 1999-02-25 | 2000-09-14 | Mitsui Chemicals Inc | はんだ接続用パッドおよびそのはんだ接続用パッドを用いた半導体搭載用基板 |
JP2003268559A (ja) * | 2002-03-15 | 2003-09-25 | Hitachi Chem Co Ltd | 無電解金めっき液及び無電解金めっき方法 |
JP2003342742A (ja) * | 2002-05-23 | 2003-12-03 | Risho Kogyo Co Ltd | 無電解金めっき液 |
JP2004067931A (ja) * | 2002-08-08 | 2004-03-04 | Seiko Epson Corp | 金の水系分散液の製造方法及びインクジェット記録用インク |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014019885A (ja) * | 2012-07-13 | 2014-02-03 | Kanto Gakuin | ノーシアン無電解金めっき浴 |
WO2014162935A1 (ja) * | 2013-04-05 | 2014-10-09 | メタローテクノロジーズジャパン株式会社 | 無電解白金めっき液、及び同めっき液を用いる無電解白金めっき方法 |
CN110249074A (zh) * | 2017-02-15 | 2019-09-17 | 三菱电机株式会社 | 半导体元件及其制造方法 |
CN110249074B (zh) * | 2017-02-15 | 2021-11-02 | 三菱电机株式会社 | 半导体元件及其制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20060051327A (ko) | 2006-05-19 |
KR100933243B1 (ko) | 2009-12-22 |
TW200619420A (en) | 2006-06-16 |
US7264848B2 (en) | 2007-09-04 |
US20060062927A1 (en) | 2006-03-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2006111960A (ja) | 非シアン無電解金めっき液及び無電解金めっき方法 | |
WO2011027884A1 (ja) | 半導体チップ搭載用基板及びその製造方法 | |
JP3892730B2 (ja) | 無電解金めっき液 | |
TWI267945B (en) | Novel method for copper wafer wire bonding | |
JP2007123883A (ja) | プリント回路基板のメッキ層形成方法およびこれから製造されたプリント回路基板 | |
JP3662010B2 (ja) | モジュール化プリント基板の表面処理用合金メッキ液 | |
JP4759416B2 (ja) | 非シアン無電解金めっき液及び無電解金めっき方法 | |
JP6466521B2 (ja) | 無電解めっきプロセス | |
JP2006111960A5 (ja) | ||
US6767392B2 (en) | Displacement gold plating solution | |
JP2004019003A (ja) | プリント回路基板及びそのメッキ方法 | |
JP2013108180A (ja) | 基板及びその製造方法 | |
JP5978587B2 (ja) | 半導体パッケージ及びその製造方法 | |
KR102320245B1 (ko) | 니켈 도금 피막의 형성 방법 | |
JP4831710B1 (ja) | 無電解金めっき液及び無電解金めっき方法 | |
KR100619345B1 (ko) | 반도체 패키지용 인쇄회로기판의 도금층 형성방법 및이로부터 제조된 인쇄회로기판 | |
JP2005054267A (ja) | 無電解金めっき方法 | |
JP2013093360A (ja) | 半導体チップ搭載用基板及びその製造方法 | |
JP5201897B2 (ja) | 無電解銅めっき液及び無電解銅めっき方法 | |
KR101447505B1 (ko) | 커켄달 보이드의 생성 억제 효과가 우수한 치아조직을 갖는 솔더 접합 구조 및 그 제조 방법 | |
JP2005163153A (ja) | 無電解ニッケル置換金めっき処理層、無電解ニッケルめっき液、および無電解ニッケル置換金めっき処理方法 | |
TWI790062B (zh) | 具備Ni電鍍皮膜之鍍敷結構體及含有該鍍敷結構體之引線框 | |
US20040202958A1 (en) | Plating-pretreatment solution and plating-pretreatment method | |
JP2007141936A (ja) | 高密度銅パターンを有したプリント配線板の製造方法 | |
JP2005264261A (ja) | 電子部品材料 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070928 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070928 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080218 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100105 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100511 |