CN102959756A - 改性有机电子器件中的电极的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及用于改性有机电子（OE）器件中、特别是有机场效应晶体管（OFET）中的电极的方法，并涉及通过使用该方法制备的OE器件。

Description

改性有机电子器件中的电极的方法
本发明涉及用于改性有机电子（OE）器件中、特别是有机场效应晶体管（OFET）中的电极的方法，并涉及通过使用该方法制备的OE器件。
背景技术
有机场效应晶体管（OFET）用于显示器件和逻辑电路中。不同的金属已经在OFET中用作源/漏电极。广泛使用的电极材料是金（Au），然而，它的高成本和不便的加工性能已经将焦点转移到可能的替换物上，例如Ag、Al、Cr、Ni、Cu、Pd、Pt、Ni或者Ti。铜（Cu）是Au的一种可能的替换电极材料，因为它具有高电导率、相对低价并且对于常规的制造工艺来说更容易。此外，Cu早已用于半导体工业中，因此，当与已经建立的用于电极的Cu技术相结合时，由电子器件的大规模生产过程向作为新技术的有机半导体（OSC）材料的转换更容易。
然而，当使用Cu作为电极时，即作为OSC层的电荷载流子注入金属时，由于其低于大多数现代OSC材料水平的低功函数而存在缺点。
DE 10 2005 005 089 A1描述了包含Cu源和漏电极的OFET，其通过在其上提供Cu氧化物层而被表面改性。然而，因为Cu在环境气氛中倾向于氧化为Cu2O并然后成为CuO并进一步成为Cu氢氧化物，所以这可能在Cu电极上产生非金属导电层，从而导致有限的电荷载流子注入到OSC层中。
在现有技术中存在已知的改性金属或者金属氧化物电极的方法，以改进电荷载流子注入，该方法例如基于硫醇化合物。
例如，US 2008/0315191A1公开了包含由金属氧化物形成的源漏电极的有机TFT（OTFT），其中通过施加0.3-1分子层厚度的硫醇化合物的薄膜使电极表面进行表面处理，其中所述硫醇化合物例如五氟苯硫醇、全氟烷基硫醇、三氟甲硫醇、五氟乙硫醇、七氟丙硫醇、九氟丁硫醇、丁硫醇钠、丁酸酯硫醇钠、丁醇硫醇钠或者氨基苯硫酚。然而，该方法主要对Au或者Ag电极有效，但对Cu电极不是非常有效，因为与Au表面相比，硫醇基团在Cu表面形成较弱的化学键。
因此，本发明的目的是提供改进的用于制备OE器件的方法，所述OE器件含有金属电极或者金属电荷注入层并且在其上提供有OSC层，该方法允许增加电极或者电荷注入层的功函数以及向OSC层中的电荷载流子注入效率，从而提高器件的整体性能。该方法应该克服现有技术中已知的金属电极的缺点，如低功函数和低氧化稳定性。另一个目的是提供改进的基于用于OE器件、特别是OFET和OLED中的金属的电极和电荷注入层，以及提供它们的制备方法。另一个目的是提供改进的OE器件，特别是OFET和OLED，其含有改进的具有较高功函数的电极。所述方法和器件应当不具有现有技术方法的缺点，并允许时间、成本和材料有效的大规模生产。本发明的其它目的从下面的描述对本领域技术人员来说是一目了然的。
已经发现这些目的可以通过提供如本发明中所描述的方法来实现。特别地，本发明涉及金属电极的基于化学的处理方法，该方法提高了它们的功函数和它们向涂覆在其上的OSC层的电荷载流子注入性质。这通过向包含第一金属例如Cu的电极上沉积第二金属层例如Ag而实现，所述第二金属具有比第一金属更高的标准电位或者氧化还原电位（即比第一金属更惰性（nobler）的金属）。第二金属优选是通过无电镀使用离子交换法沉积的，例如通过将电极浸入含有第二金属的离子的浴中。
为了改进电极功函数，第二金属选择为比第一金属具有更高的功函数，和/或使第二金属经历表面处理工艺，例如通过施加增加电极功函数的有机官能分子的SAM层，例如显示出与第二金属的相互作用比与第一金属更好的有机分子。因为仅仅需要第二金属的薄层，因此可以使用具有更高功函数的比第一金属更昂贵或者更惰性的金属而不会显著增加器件的制造成本。并且，该方法能够克服以下缺陷：典型的SAM处理材料如硫醇在例如Cu的表面上可能形成比在例如Au或者Ag的表面上更弱的化学键。
在现有技术中，把例如Ag镀到Cu金属上的方法和将SAM施加到Cu或者Ag金属层上的方法，已经被建议作为可能的方法来改善金属表面的精加工（finishing）和惰性，或者例如在印刷电路板（PCB）（也称为印刷线路板（PWB））中用以改善可焊性和耐腐蚀性。然而，迄今尚未建议在OE器件如OFET、OPV器件或者OLED的制造过程中使用这些方法以改进电极功函数。
US 2009/0121192A1公开了增强包含沉积在可焊铜基底上的Ag涂层的制品的耐腐蚀性的方法。这通过将在其上具有浸渍镀覆的Ag涂层的Cu基底暴露于含有多官能分子的抗腐蚀组合物而实现，所述多官能分子具有至少一个与Cu表面相互作用并保护Cu表面的有机官能基团和至少一个与Ag表面相互作用并保护Ag表面的有机官能基团。然而，该文献不含任何启示或者建议如何改进OE器件中的电极功函数，其中OSC层沉积在电极上以增强电荷载流子注入OSC层中。
WO 02/29132A1公开了改进印刷电路板上的Cu表面的可焊性的方法，通过将Cu表面暴露于用于借助于电荷交换反应无电镀Ag的浴中，其中所述浴含有至少一种卤化银络合物并且不含任何Ag+离子的还原剂。同样，没有任何启示如何克服改进OE器件中的电极功函数的问题，其中OSC层沉积在电极上，以增强电荷载流子注入到OSC层中。
发明概述
本发明涉及改性有机电子（OE）器件中的电极的方法，包含如下步骤：
a）提供包含具有标准电极电位的第一金属的一个电极，或者两个或更多个电极，
b）向所述一个或多个电极上沉积具有比所述第一金属的标准电极电位更高的标准电极电位的第二金属的层，
c）任选地，将所述第二金属的层暴露于包含有机化合物的组合物，其中所述有机化合物含有与所述第二金属的表面相互作用的官能团，以及
d）向所述一个或多个电极上和/或在所述电极之间的区域内沉积有机半导体层。
本发明进一步涉及包含上述步骤a）、b）、d）和任选地c）的制备OE器件的方法。
本发明进一步涉及通过如上下位所描述的方法得到的或者可得到的OE器件。
优选地，所述电极是源或漏电极或者电荷注入层。
优选地，OE器件选自有机场效应晶体管(OFET)、有机薄膜晶体管(OTFT)、有机互补薄膜晶体管（CTFT）、集成电路(IC)的元件、射频识别(RFID)标签、有机发光二极管(OLED)、电致发光显示器、平板显示器、背光灯、光检测器、传感器、逻辑电路、存储元件、电容器、有机光伏(OPV)电池、电荷注入层、肖特基二极管、平坦化层、抗静电膜、导电基底或图案、光电导体、光感受器、电子照相器件或静电印刷器件，非常优选顶栅或底栅OFET。
附图简述
图1示例性和示意性举例说明功函数的定义以及金（Au）和钙（Ca）的费米能级。
图2示例性和示意性举例说明Au电极与p-型OSC的HOMO能级之间的空穴注入势垒；以及Ca电极与n-型OSC的LUMO能级之间的电子注入势垒。
图3示意性描绘根据本发明的典型的顶栅OFET。
图4示意性描绘根据本发明的典型的底栅OFET。
图5a-d显示根据实施例1中描述的方法制备的OFET的传输特性。
图6显示根据实施例1中描述的方法制备的OFET随着时间推移测量的传输特性。
图7显示根据实施例1中描述的方法制备的OFET的饱和迁移率对VG的函数，在24小时的连续偏应力下测得。
发明详述
在下文中，术语“电极（层）”和“电荷注入层”可以互换使用。因此涉及电极（层）的也包括涉及电荷注入层，反之亦然。
术语“标准电极电位”也称为“标准电极电势（standard electrodepotential）”或者“氧化还原电位”，意指其中在左边的电极是标准氢电极（SHE，standard hydrogen electrode），也称为标准氢电极（NHE，normal hydrogen electrode），并且右边的电极是所讨论的电极的电池的电动势（参见IUPAC Green Book,第2版,第61页;PAC,1996,68,957）。在所有温度下将氢的标准电极电位E°定义为零。同样温度下任何其它电极的电位是与标准氢电极的电位相比较而言的。具有高标准电极电位的金属也称为贵金属。
将应用以下“功函数”的定义。功函数是将电子从固体移到固体表面外面的点所需要的最小能量（通常按电子伏特eV计量，或者将电子从费米能级移入真空能级所需要的能量）。因为真空能级通常定义为0eV能级，所以费米能级总是定义为负值，如图1所示。即使费米能级是负值，对于各个材料功函数（Ф）定义为Ф=Evac-EFermi，这样使得它通常将是正值。例如，金（Au）的功函数是5.1eV并且Au的费米能级是-5.1eV。因此，Au是高功函数金属，而ФCa=2.9eV的钙（Ca）是低功函数金属。
在周期表中，高功函数金属包括铂(ФPt=5.65eV)、钯(ФPd=5.12eV)、镍(ФNi=5.15eV)和铱(ФIr=5.27eV)。低功函数金属基本上是碱金属例如锂(ФLi=2.9eV)、钠(ФNa=2.75eV)、钾(ФK=2.30eV)、铯(ФCs=2.14eV)和碱土金属例如钙(ФCa=2.9eV)和钡(ФBa=2.7eV)。
这里提及的所有金属的功函数值都是基于参考文献：Herbert B.Michaelson“元素的功函数及其周期性（The work function of theelements and its periodicity）”,Journal of Applied Physics,48(11),11月，1977年。
在OSC分子的情况下，功函数不适合于描述半导体。OSC的最高占据分子轨道（HOMO）能级（其对应于无机材料中的价带）与OSC的最低未占分子轨道（LUMO）能级（其对应于无机材料中的导带）是OSC分子中涉及电荷传输的轨道的能级。对于p-型OSC，空穴传输发生在HOMO能级，而对于n-型OSC传输发生在LUMO能级。
为了在OFET和OLED中得到更好的电荷注入用于得到更好的器件性能，电极的功函数必须与OSC的HOMO（p-型）或者LUMO（n-型）能级匹配。例如，Pd(ФPd=5.15eV)和Pt(ФPt=5.65eV)是适合于p-型器件的电极，因为OSC的HOMO能级大约为-5.3eV（参见图2）。然而，用作电极的Pd和Pt是昂贵的金属。对于n-型OSC器件，Ca是良好的电极材料，因为功函数大约2.9eV，这与OSC的LUMO能级（OSC典型的LUMO介于-2.8至-3.3eV之间）相匹配。然而，Ca对氧和水分高度敏感。
Au和Ag通常用作电极材料，然而，希望用Cu代替这些金属以降低制造成本。然而，Cu是具有典型的功函数为4.6eV的低功函数材料，而对于大多数OSC材料而言，典型的HOMO能级为大约-5.3至-5.8eV。因此，希望增加电极的电极功函数以更接近OSC材料的HOMO能级以及改进从电极向OSC层的电荷载流子注入。
许多电极材料不能用于OE器件中，原因在于在功函数、稳定性和高的原材料成本方面的限制。例如，Ag的功函数为4.3eV，其太低而不能在p-型OE器件中用作电极。为了改进和提高Ag电极的功函数，可以将自组装单层（SAM）材料例如硫醇类如五氟苯硫醇施用到电极上。
对于低成本材料例如Cu（ФCu=4.65eV），功函数相对低，因此也优选使这些金属进行SAM处理以改进功函数。如果在这些金属上没有用SAM改性，则OE器件一般显示高注入势垒，其降低器件性能。
另一方面，Pt和Pd属于可以用作电极材料的高功函数和稳定的金属。然而，它们的原材料成本太高而不能用于大规模的工业应用。
本发明通过提供低成本的方法提供了上述问题的解决办法，其中可以提高便宜的但仅具有低的功函数的电极材料的功函数以使它更接近于OSC材料的HOMO能级。该方法包括在电极表面上的金属交换过程，任选地接着是SAM处理过程。其结果是可以得到具有高功函数的电极，其具有与完全由高功函数（和高成本）材料组成的电极相类似的高功函数，而使加工成本保持在低得多的水平。
根据本发明的方法包含步骤：
a）提供一个电极，或者两个或更多个电极，例如OFET或者OTFT中的源和漏电极，优选在基底上，所述一个或多个电极包含具有标准电极电位的第一金属，
b）向所述一个或多个电极上沉积具有比第一金属的标准电极电位更高的标准电极电位的第二金属的层，即第二金属是比第一金属更惰性的金属，
c）任选地，将所述第二金属的层暴露于包含有机化合物的组合物，其中所述有机化合物含有与所述第二金属的表面相互作用的官能团，使得有机化合物在第二金属上形成层，优选自组装单层（SAM），以及
d）向所述一个或多个电极上和/或所述电极之间的区域内沉积有机半导体层。
如果在OFET或者OTFT中提供两个电极，例如源和漏电极，则OSC层优选沉积在源和漏电极之间的区域内（也称为沟道区域）和任选地还沉积在电极的顶部。
本发明优选的实施方式包括但不限于以下列出的那些，包括这些实施方式的两个或更多个的任意组合：
-第二金属具有比第一金属更高的功函数，
-第一金属选自Cu、Al、Zn和Sn，
-第二金属选自Ag、Au、Co、Cu、Ir、Ni、Pd、Pt、Rh、Re和Se，
-第二金属的层通过无电镀沉积，
-第二金属的层通过离子交换法沉积，
-第二金属的层通过将电极浸入含有第二金属的离子的浴中而沉积，
-浴不含任何第二金属离子的还原剂，
-浴含有一种或多种选自离子络合剂、缓冲剂、稳定剂、盐、酸和碱的添加剂，
-浴含有有机化合物，所述有机化合物含有与所述第二金属的表面相互作用的官能团，
-第二金属具有与第一金属类似的或者比第一金属低的功函数，并且向第二金属的层上施加有机化合物的自组装单层（SAM），所述有机化合物含有与所述第二金属的表面相互作用的官能团，
-有机化合物含有显示与第二金属的相互作用比与第一金属的相互作用更好的官能团，
-有机化合物含有与有机半导体相互作用的官能团，
-含有与所述第二金属的表面相互作用的官能团的有机化合物选自脂肪族或者芳族硫醇、脂肪族或芳族二硫醇、低聚噻吩、低聚亚苯基、脂肪族或芳族二硫化物例如氰基喹啉烷基二硫化物（cyanoquinoalkanedisulfide）、硅烷、氯硅烷、硅氮烷例如六甲基二硅氮烷（HMDS）、三唑、四唑、咪唑和吡唑、羧酸如二十烷酸、膦酸、膦酸酯例如9-蒽膦酸酯，所有这些任选地被取代，以及金属氧化物例如氧化银或氧化钼，
-在如上下文所描述的步骤a)-d)之后，所述方法额外包含以下步骤：将栅绝缘体层沉积到OSC层上，将栅电极沉积到所述栅绝缘体层上，并任选地将钝化层沉积到栅电极上，
-在如上下文所描述的步骤a)-d)之前，所述方法额外包含以下步骤：将栅电极沉积到基底上，将栅绝缘体层沉积到所述栅电极上，其中将步骤a)中的一个或多个电极提供到栅绝缘体层上，并任选地在如上下文描述的步骤d)之后，该方法另外包含将钝化层沉积到OSC层上的步骤。
可用于根据本发明的方法中的其它合适并优选的将较惰性的金属镀到不那么惰性的（less novel）金属上的方法，还公开于WO 02/29132A1中，其整体内容通过引用引入到本申请中。
优选地，第一金属的电极例如Cu例如通过用合适和已知的试剂洗涤来清洁，然后浸渍在含有例如Ag+离子或者另一种较惰性金属的离子的浸渍镀浴中。这导致在表面上经由离子交换反应用第二金属（Ag）置换第一金属（Cu）。浸渍浴优选含有例如合适的第二金属的盐如AgNO3，并且优选不含任何第二金属的离子（Ag+离子）的还原剂。在浸渍一定时间例如1-5分钟之后，将电极从浴中移去并任选地例如通过用去离子水漂洗来清洁。
在本发明优选的实施方式中，在施加第二金属层之后，将有机分子的自组装的单层（SAM）施加到电极上，其含有与第二金属相互作用的官能团，以进一步增加电极的功函数和/或稳定性，并且改进与OSC层的相互作用。SAM分子选自例如硫醇类。SAM层优选是通过将电极浸渍入含有SAM分子的溶液中给定的时间例如1分钟而施加的。然后优选将过量的SAM溶液旋转甩掉或者洗掉，例如用高挥发性有机溶剂如异丙醇。
合适和优选的SAM分子例如公开于US 2009/0121192A1中，其整体内容通过引用引入本申请中。
随后，将OSC层沉积到电极上，接着例如通过蒸发过程进行栅电极沉积。
根据本发明的方法并不限于将Ag施用到Cu上，还可以应用到其它金属基电极上以降低工作器件的成本。例如可以将Pt、Pd、Se或者Au施用到Cu或者除了Cu之外的金属上。
可以通过将电极浸入含有第二金属的离子或者离子络合物的浴中来施加第二（高功函数）金属，其中作为离子交换的结果所述第二金属将形成第一金属的薄层。
用于金属离子交换过程的浴优选是溶液，例如有机溶液或者水溶液，优选水溶液。水溶液中金属离子的浓度优选＜1mM。浸渍时间可以从几秒变化到几小时。所述浴不仅仅限于用于金属交换的化合物，还可以另外含有SAM分子如芳族或者脂肪族硫醇（R-SH）、二硫醇（HS-R-SH）、硫代乙酰（R-S-Ac）、二硫化物（R-S-S-R）、低聚噻吩、低聚亚苯基或者氯硅烷，其中R是脂肪族或者芳族结构部分并且Ac是乙酰基。
金属交换之后电极的表面可以由纯的第二金属（如Ag）组成，或者可以由一种或多种通过氧化的第二金属的氧化物（如AgO或者Ag2O）组成或者含有它们。
浸渍浴优选含有金属盐。合适和优选的盐包括但不限于Au盐例如AuCN或者[KAu(CN)2]，Pd盐例如PdCl2，Pt盐例如K2PtCl4，Ag盐例如AgNO3或者AgCN，或者其它高功函数金属如Ir(ФIr=5.27eV)、Re(ФRe=4.96eV)、Rh(ФRh=4.98eV)、Co(ФCo=5.0eV)或Ni(ФNi=5.15eV)的合适的盐。
还可以向浸渍浴中加入其它组分或者添加剂，例如缓冲溶液和稳定剂。例如，可以将KOH或者KBH4加入到含有Au离子的浸渍浴中，并且可以将水合肼加入到含有Pt盐的浸渍浴中。
浸渍浴中还可以含有一种或多种选自以下的化合物：SAM分子，缓冲剂如乙酸铵或者NH4Cl，稳定剂如EDTA二钠、KCN或者硫脲，有机或者无机酸如醋酸、硫酸、柠檬酸或者HCl，或者碱如NH4OH或NaOH。
金属交换的程度可以通过改变金属离子的浓度来调节。金属交换在低浓度（0.001mM至0.1M）已经可以发生，其中颜色变化可能甚至不是肉眼可见的。例如，Cu被Ag金属交换可以通过浸渍在0.1mM的AgNO3浴中来实现，在该浓度下在Cu电极中没有观察到颜色变化。
浸渍浴或者浸渍溶液中第二金属的离子或者盐的浓度优选从0.0001至10mM，最优选从0.01至1mM，尤其优选是当使用Ag或者Pd作为第二金属时。
可以应用不同的温度以优化离子交换以及SAM过程和/或以缩短加工时间。浸渍浴的温度可以在宽范围内选择，例如从-30℃至100℃，取决于优化条件。
电极上第二金属层的厚度优选从0.3分子层至10nm。
在除去溶剂之后，提供在第二金属的层上的SAM层的厚度优选从1至10分子层。
作为电极的第一金属优选使用Cu。也可能使用Cu之外的金属，如Al、Zn或者Sn。
代替固体膜形式的金属电极，还可以在本发明的方法中使用其它物理形式或者形状的电极。例如，可能使用由包含第一金属的纳米粒子、纳米线或者纳米棒的层组成的或者含有它们的电极。在金属交换过程中，然后将第二金属的层施加到这些纳米粒子、纳米线或者纳米棒，之后将OSC层施加到电极层上或者在两个或更多个所述的电极之间的区域内。
根据本发明的方法还可以用于制造有机发光二极管（OLED）、有机光伏（OPV）器件或者有机光检测器。
除了提高的功函数之外，根据本发明的方法还可以提供其它有益的效果，例如改进的耐腐蚀性、降低的电化学迁移、降低的接触电阻、环保效益（即如果在浴中没有使用挥发性溶剂）、较低的器件生产成本以及器件生产过程的改进的可靠性。
含有第一金属的电极优选提供在基底上，可以通过溶剂基或者液体涂覆方法将它们施加在其上，例如喷涂、浸涂、网络涂覆或者旋涂，或者通过真空或者蒸气沉积法如物理气相沉积（PVS）或者化学气相沉积（CVD）或者升华。合适的基底和沉积方法对本领域技术人员来说从文献中是已知的。
优选地，在用第二金属进行金属镀之前，使电极进行初步的洗涤步骤。洗涤步骤优选包括一个或多个用有机或无机酸例如乙酸、柠檬酸或者HCl的酸洗涤步骤，暴露于例如氩等离子体、氧等离子体或者CFx等离子体的等离子体的步骤，UV和/或臭氧处理步骤，或者用例如过氧化氢的碱试剂或氧化剂洗涤的步骤。
当制备顶栅（TG）晶体管时，通常首先将源和漏电极施加到基底上，并进行金属交换和任选的SAM处理，接着是OSC沉积。然后将栅绝缘体层施加到OSC层上，并将栅电极施加到栅绝缘体层上。
当制备底栅（BG）晶体管时，通常首先将栅电极施加到基底上，并将栅绝缘体层施加到栅电极上。然后将源和漏电极施加到栅绝缘体上并进行金属交换以及任选的SAM处理过程，接着是OSC沉积。
可以容易地根据相应使用的绝缘体和OSC材料采用和优化确切的方法条件。
图3是根据本发明的典型的TG OFET的代表图，包括基底（1），含有第一金属的源（S）和漏（D）电极（2），提供在S/D电极（2）上的第二金属的层（3）和任选地SAM层（未显示），OSC材料层（4），作为栅绝缘体层的介电材料层（5），栅电极（6），和将栅电极（6）与稍后可能提供的进一步的层或器件屏蔽隔离或者用于保护它免遭环境影响的任选的钝化或保护层（7）。如通过双箭头所示的，源和漏电极（2）之间的区域是沟道区域。
图4是根据本发明的典型的BG、底部接触OFET的代表图，包括基底（1），栅电极（6），作为栅绝缘体层的介电材料层（5），含有第一金属的源（S）和漏（D）电极（2），提供在S/D电极（2）上的第二金属的层（3）和任选地SAM层，OSC材料层（4），和将OSC材料层（4）与稍后可能提供的进一步的层或器件屏蔽隔离或者用于保护它免遭环境影响的任选的钝化或保护层（7）。
用于施加OSC层的OSC材料和方法可以选自本领域技术人员已知的标准材料和方法，并描述于文献中。
所述OSC材料可以是n-或者p-型OSC，其可以通过真空或者蒸气沉积而沉积，或者优选由溶液沉积。优选地，使用具有FET迁移率大于1×10-5cm2V-1s-1的OSC材料。
所述OSC例如用作OFET中的有源沟道材料，或作为有机整流二极管的层元件。优选的是通过液体涂覆而沉积以容许环境加工的OSC。OSC优选被喷涂、浸涂、网络涂覆或旋涂或者通过任何液体涂覆技术而被沉积。喷墨沉积也是合适的。OSC任选地可以是真空或者蒸气沉积的。
半导体沟道也可以是OSC的两种或更多种同类型（即n-或p-型）的复合。此外，p-型OSC可以与n-型OSC混合用以掺杂层的效果。也可以使用多层OSC。例如，所述OSC在接近绝缘体界面处可以是本征的，另外紧接着所述本征层能够涂覆高度掺杂的区域。
所述OSC可以是单体化合物（与聚合物或大分子相对，也被称为“小分子”）、聚合物化合物或含有一种或多种选自单体和聚合物化合物的任一或两者的化合物的混合物、分散体或共混物。
在单体材料的情况下，所述OSC优选是共轭的芳族分子，并优选含有至少三个芳族环。优选的单体OSC选自含有5-、6-或7-元芳族环、更优选含有5-或6-元芳族环的共轭芳族分子。
在这些共轭的芳族分子中，每一个芳环任选含有一个或多个选自Se、Te、P、Si、B、As、N、O或S，优选选自N、O或S的杂原子。另外地或者替代地，在这些共轭芳族分子中，每个芳族环任选地被如下基团取代：烷基、烷氧基、多烷氧基、硫代烷基、酰基、芳基或取代的芳基基团、卤素特别是氟、氰基、硝基、或任选取代的仲或叔烷基胺或由-N(R3)(R4)表示的芳基胺，其中R3和R4彼此独立地表示H、任选取代的烷基、或者任选取代的芳基、烷氧基或多烷氧基基团。如果R3和/或R4是烷基或芳基，则这些任选被氟化。
在这些共轭的芳族分子中，芳族环任选是稠合的或任选通过共轭的连接基团例如-C(T1)=C(T2)-、-C≡C-、-N(R')-、-N=N-、(R')=N-、-N=C(R')-彼此连接，其中T1和T2彼此独立地表示H、Cl、F、-C≡N或C1-C10烷基基团，优选C1-4烷基基团；R'表示H、任选取代的C1-C20烷基或任选取代的C4-C30芳基。如果R'是烷基或芳基，则这些任选被氟化。
进一步优选的可以用于本发明的OSC材料包括化合物、低聚物及选自以下的化合物的衍生物：共轭的烃聚合物，如多并苯、聚亚苯基、聚(亚苯基亚乙烯基)、聚芴，包括那些共轭烃聚合物的低聚物；稠合的芳族烃例如并四苯、
Figure BDA00002640542800141
（chrysene）、并五苯、芘、苝、六苯并苯或这些的可溶性取代的衍生物；低聚的对位取代的亚苯基例如对四联苯（p-4P）、对五联苯（p-5P）、对六联苯（p-6P）或这些的可溶性取代的衍生物；共轭的杂环聚合物，例如聚(3-取代噻吩)，聚(3,4-二取代噻吩)，任选取代的聚噻吩并[2,3-b]噻吩，任选取代的聚噻吩并[3,2-b]噻吩，聚(3-取代硒吩)，聚苯并噻吩，聚异硫茚、聚(N-取代吡咯)，聚(3-取代吡咯)，聚(3,4-二取代吡咯)，聚呋喃、聚吡啶、聚-1,3,4-噁二唑，聚异硫茚，聚(N-取代苯胺)，聚(2-取代苯胺)，聚(3-取代苯胺)，聚(2,3-二取代苯胺)，聚薁，聚芘；吡唑啉化合物；聚硒吩；聚苯并呋喃；聚吲哚；聚哒嗪；联苯胺化合物；茋化合物；三嗪；取代的金属或无金属的卟吩，酞菁，氟代酞菁，萘酞菁或氟代萘酞菁；C60和C70富勒烯；N，N’-二烷基、取代的二烷基、二芳基或取代的二芳基-1,4,5,8-萘四甲酰基二酰亚胺和氟代衍生物；N，N’-二烷基、取代二烷基、二芳基或取代二芳基3,4,9,10-苝四甲酰基二酰亚胺；红菲绕啉；联苯醌；1,3,4-噁二唑；11,11,12,12-四氰基萘-2,6-喹啉二甲烷；α,α’-双(二噻吩并[3,2-b2’,3’-d]噻吩)；2,8-二烷基、取代二烷基、二芳基或二炔基双噻吩蒽；2,2’-二苯并[1,2-b:4,5-b’]二噻吩。优选的化合物是上述列表中的那些和其在有机溶剂中可溶的衍生物。
尤其优选的OSC材料选自包含一个或多个选自如下重复单元的聚合物或共聚物：噻吩-2,5-二基，3-取代噻吩-2,5-二基，硒吩-2,5-二基，3-取代硒吩-2,5-二基，任选取代的噻吩并[2,3-b]噻吩-2,5-二基，任选取代的噻吩并[3,2-b]噻吩-2,5-二基，任选取代的2,2'-联噻吩-5,5'-二基，任选取代的2,2'-联硒吩-5,5'-二基。
进一步优选的OSC材料选自取代的寡并苯，例如并五苯、并四苯或蒽，或其杂环衍生物，如6,13-双(三烷基甲硅烷基乙炔基)并五苯或5,11-双(三烷基甲硅烷基乙炔基)双噻吩蒽，如在例如US 6,690,029、WO2005/055248A1或US 7,385,221中公开的。
在本发明的另一个优选的实施方式中，所述OSC层包含一种或多种有机粘结剂以调节流变性质，如在例如WO 2005/055248A1中描述的，特别是在1,000Hz下具有3.3或更小的低介电常数ε的有机粘结剂。
粘结剂例如选自聚(α-甲基苯乙烯)、聚肉桂酸乙烯酯、聚(4-乙烯基联苯)或聚(4-甲基苯乙烯)或者其共混物。粘结剂也可以是例如选自聚芳基胺、聚芴、聚噻吩、聚螺二芴、取代的聚亚乙烯基亚苯基、聚咔唑或聚茋、或其共聚物的半导体粘结剂。优选的用于本发明的介电材料优选包含在1000Hz下具有介于1.5和3.3之间的低介电常数的材料，例如可商购自Asahi Glass的CytopTM809M。
根据本发明的晶体管器件还可以是互补有机TFT（CTFT），包含p-型半导体沟道和n-型半导体沟道两者。
根据本发明的方法不限于OFET或者OTFT，还可以用于制造任何包含电荷注入层的OE器件，例如OLED或者OPV器件。技术人员能够容易地按照上下文的描述对工艺作出改进或者变化，以将其用于制造其它类型的OE器件。
例如，根据本发明的方法还可以应用于OPV器件中的电极，例如在体异质结（BHJ）太阳能电池中。OPV器件可以是文献中的任何已知类型[参见例如Waldauf等人，Appl.Phys.Lett.89，233517(2006)]。
根据本发明优选的OPV器件包含：
-低功函数电极(例如金属如铝)和高功函数电极(例如ITO)，其中一个是透明的，
-包含空穴传输材料和电子传输材料（优选选自OSC材料）的层(也称为“活化层”)，其位于低功函数电极和高功函数电极之间；活化层例如可作为p-型和n-型半导体的双层（bilayer）或两个截然区分的层或者共混物或混合物而存在，形成体异质结(BHJ)(参见例如Coakley,K.M.and McGehee,M.D.Chem.Mater.2004,16,4533)，
-任选的导电聚合物层，例如包含PEDOT:PSS(聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)：聚(苯乙烯磺酸盐))的共混物，其位于活化层和高功函数电极之间以改变高功函数电极的功函数以提供空穴的欧姆接触，
-在低功函数电极面对活化层的一面上任选的涂层(例如LiF的)，以提供对于电子的欧姆接触，
其中使至少一个电极、优选高功函数电极历经根据本发明如上下文所描述的方法。
根据本发明的另一个优选的OPV器件是倒置OPV器件，其包含：
-低功函数电极(例如金属如金)和高功函数电极(例如ITO)，其中一个是透明的，
-层(也称为“活化层”)，其包含空穴传输材料和电子传输材料（优选选自OSC材料），其位于低功函数电极和高功函数电极之间；活化层可例如作为p-型和n-型半导体的双层或两个截然区分的层或者共混物或混合物而存在，形成BHJ，
-任选的导电聚合物层，例如包含PEDOT:PSS的共混物，其位于活化层和低功函数电极之间，以提供电子的欧姆接触，
-在高功函数电极面对活化层的一面上任选的涂层(例如TiOx的)，以提供空穴的欧姆接触。
其中使至少一个电极、优选高功函数电极历经根据本发明如上下文所描述的金属交换和任选的SAM处理过程。
因此，在本发明的OPV器件中优选至少一个电极、优选高功函数电极在其面对活化层的表面上被包含第二金属的层以及任选的SAM层（它们通过根据本发明如上下文所描述的方法施加）所覆盖。
本发明的OPV器件通常可以包括p-型（电子供体）半导体和n-型（电子受体）半导体。所述p-型半导体例如是聚合物，如聚(3-烷基-噻吩)（P3AT），优选聚(3-己基噻吩)（P3HT），或者是选自如以上列出的优选的聚合和单体的OSC材料的另一个。所述n-型半导体可以是无机材料，例如氧化锌或硒化镉，或有机材料例如富勒烯衍生物，例如(6,6)-苯基-丁酸甲酯衍生化的桥亚甲基C60富勒烯，也被称为“PCBM”或“C60PCBM”，例如在G.Yu,J.Gao,J.C.Hummelen,F.Wudl,A.J.Heeger,Science 1995，270卷，第1789页及其后中公开的，并具有以下显示的结构，或与例如C70富勒烯基团（C70PCBM）结构类似的化合物，或聚合物（参见例如Coakley,K.M.和McGehee，M.D.Chem.Mater.2004,16,4533）。
Figure BDA00002640542800171
C60PCBM
该类型的优选材料是聚合物如P3HT或另一种选自以上列出组中的聚合物与C60或C70富勒烯或改性富勒烯如PCBM的共混物或混合物。优选的聚合物:富勒烯的重量比为2:1至1:2、更优选为1.2:1至1:1.2、最优选1:1。对于共混的混合物，为最优化共混物的形态并因此最优化OPV器件的性能任选的退火步骤可能是必要的。
优选地，在如上下文所描述的方法中的各个功能层的沉积，如OSC层和绝缘层，是使用溶液加工技术进行的。这可以例如通过将制剂、优选溶液施加到之前沉积的层上接着通过蒸发溶剂来完成，其中所述制剂分别包含OSC或者介电材料并且进一步包含一种或多种有机溶剂。优选的沉积技术包括但不限于浸渍涂覆、旋涂、喷墨印刷、凸版印刷、丝网印刷、刮刀涂覆、辊筒印刷、反向辊印刷、胶版印刷、柔性版印刷、卷筒纸印刷（web printing）、喷涂、刷涂或者移印。非常优选的溶液沉积技术是旋涂、柔性版印刷和喷墨印刷。
在根据本发明的OFET器件中，栅绝缘体层的介电材料优选有机材料。优选介电层是溶液涂覆的，这允许环境加工，但是也可以通过各种真空沉积技术来沉积。当电介质被图案化时，它可以起到层间绝缘的功能或者作为OFET的栅绝缘体。优选的沉积技术包括但不限于浸渍涂覆、旋涂、喷墨印刷、凸版印刷、丝网印刷、刮刀涂覆、辊筒印刷、反向辊印刷、胶版印刷、柔性版印刷、卷筒纸印刷、喷涂、刷涂或者移印。特别优选喷墨印刷，因为它允许制备高分辨率的层和器件。任选地，介电材料可以交联或者固化以实现对溶剂更好的电阻率和/或结构完整性和/或以使得能够图案化（光刻）。优选的栅绝缘体是提供对于有机半导体的低介电常数界面的那些。
合适的溶剂选自包括但不限于如下这些地溶剂：烃溶剂、芳族溶剂、环脂族环醚、环醚、乙酸化的（acetated）、酯、内酯、酮、酰胺、环状碳酸酯或上述这些的多组分混合物。优选的溶剂的例子包括环己酮、均三甲苯、二甲苯、2-庚酮、甲苯、四氢呋喃、MEK、MAK(2-庚酮)、环己酮、4-甲基苯甲醚、丁基苯基醚和环己基苯，非常优选MAK、丁基苯基醚或环己烷基苯。
制剂中各个功能材料（OSC或者栅电介质）的总浓度优选为0.1-30wt.%，优选0.1-5wt.%。特别地，具有高沸点的有机酮溶剂对于用于喷墨和柔性版印刷的溶液中是有利的。
当使用旋涂作为沉积方法时，例如以1000至2000rpm旋转OSC或介电材料一段时间例如30秒以产生典型的层厚度为0.5至1.5μm的层。在旋涂之后，在升高的温度下加热膜以除去所有残留的挥发性溶剂。
为了交联，使可交联的介电材料在沉积之后优选暴露于电子束或电磁（光化）辐射例如X-射线、UV或可见辐射。例如，可以使用波长为50nm至700nm、优选200至450nm、最优选300至400nm的光化辐射。适当的辐射剂量通常为25至3,000mJ/cm2。适当的辐射源包括汞、汞/氙、汞/卤素和氙灯，氩或氙激光源，X-射线或电子束。暴露于光化辐射会在暴露区域中引起介电材料可交联的基团发生交联反应。例如同样可以使用波长在可交联基团吸收谱带外的光源，并向可交联的材料添加辐射敏感的光敏剂。
任选地，将所述介电材料层在暴露于辐射之后进行退火，例如在70℃至130℃的温度下，退火例如1至30分钟、优选1至10分钟的时间。在升高的温度下的退火步骤可用于完成通过使介电材料可交联的基团暴露于光辐射而引发的交联反应。
上下文描述的所有方法步骤都可以使用现有技术中描述的和本领域技术人员公知的已知技术和标准设备进行。例如，在光辐射步骤中，可以使用市售可得的UV灯和光掩模，并且退火步骤可以在烘箱或者在热板上进行。
根据本发明的电子器件中的功能层（OSC层或者介电层）的厚度优选为1nm（在单层的情况下）至10μm，非常优选1nm至1μm，最优选5nm至500nm。
可以将各种基底用于有机电子器件的制造，例如硅晶片，玻璃或塑料，优选塑料材料，例子包括醇酸树脂、烯丙基酯、苯并环丁烯、丁二烯-苯乙烯、纤维素、醋酸纤维素、环氧化物、环氧聚合物、乙烯-氯三氟乙烯、乙烯-四氟乙烯、玻璃纤维增强的塑料、氟碳聚合物、六氟丙烯偏二氟乙烯共聚物、高密度聚乙烯、聚对二甲苯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚芳酰胺、聚二甲基硅氧烷、聚醚砜，聚乙烯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酮、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚砜、聚四氟乙烯、聚氨酯、聚氯乙烯、硅橡胶和硅树脂。
优选的基底材料是聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺和聚萘二甲酸乙二醇酯。所述基底可以是任何涂覆有上述材料的塑料材料、金属或玻璃。基底应当优选是均质的以确保良好的图案清晰度。基底还可以是通过挤出、拉伸、摩擦或者通过光化学技术均匀预配向的，以诱导有机半导体取向，从而提高载流子迁移率。
除非上下文另外清楚地指出，如本发明中使用的术语的复数形式被理解为包括单数形式，反之亦然。
应理解能够对本发明前述的实施方式进行改变，而仍落在本发明的范围内。在说明书中公开的每一个特征，除非另有说明，可被充当相同、等同或类似目的的可选特征代替。因此，除非另有说明，每一个公开的特征仅是等同或类似特征的上位系列的一个实例。
在该说明书中公开的所有特征能够以任何的组合结合，除了其中这些特征和/或步骤的至少某些是互相排斥的组合。特别是，本发明的优选特征适用于本发明所有的方面，并可以用于任何的组合。同样，描述于非必要组合中的特征可以分别地（不以组合形式）使用。
应理解如上所述的许多特征，特别是优选实施方式的许多特征，凭它们自身的因素是有创造性的，而非仅仅作为本发明实施方式的一部分。除当前要求的任何发明之外或当前要求任何发明的可选替代方案，可以寻求对这些特征独立的保护。
现在通过参考下列实施例更详细地描述本发明，其仅仅用于说明解释而非限制本发明的范围。
使用下列参数：
μLIN是线性电荷载流子迁移率
μSAT是饱和电荷载流子迁移率
W是源和漏电极的长度（也称为“沟道宽度”）
L是漏和源电极之间的距离（也称为“沟道长度”）
ID是源-漏电流
COX是每单位面积的栅电介质的电容
VG是栅电压
VDS是源-漏电压
Sqrt(ID)是线性电荷载流子迁移率
除非另有说明，如上下文给出的所有物理参数的特定值如介电常数（ε）、电荷载流子迁移率（μ）、溶解度参数（δ）和粘度（η）涉及20℃（+/-1℃）的温度，并且百分比以wt%给出。
实施例1
按照如下制备顶栅OFET器件。
用金属荫罩在基底顶部经由热蒸发过程将铜电极沉积在玻璃基底上。之后，通过浸入1%的乙酸中5分钟接着用去离子水漂洗几次来清洁基底。然后，将该预清洁的铜基底浸入0.0001M的AgNO3浴中不同的时间（在这种情况下，t=2、3和4分钟），并随后用去离子水漂洗至少5次。之后，将基底旋转甩干，接着在
Figure BDA00002640542800201
M001（可由德国Darmstadt的Merck KGaA商购获得）中浸渍Ag改性的Cu基底1分钟。然后用IPA漂洗基底并旋转甩干，之后将它们放到100℃的热板上持续1分钟。
在M001处理之后，将用于顶栅OFET的OSC制剂
Figure BDA00002640542800212
S1200（由德国Darmstadt的Merck KGaA商购的）以2000rpm的旋转速率旋涂到改性的电极上，接着是100℃热板退火1分钟。然后将基底转移以将
Figure BDA00002640542800213
D139（可由德国Darmstadt的Merck KGaA商购获得）的介电层沉积到OSC层顶部，通过以1600rpm旋涂电介质30秒并在100℃下退火1分钟来沉积。最后，通过热蒸发过程使用荫罩将Cu栅电极沉积到介电层的顶部。
然后分析OFET器件的性能。得到的结果如下所示。
晶体管特性：
使用连接到装备有Karl Suss PH100探针头的探针台的Agilent4155C半导体分析仪来表征晶体管。
晶体管特性测量如下：
VD=-5V并且VG由+20V至-60V扫描，并且以1V梯级返回（back）（线性模式）
VD=-60V并且VG由+20V至-60V扫描，并且以1V梯级返回（饱和模式）
使用下列公式计算迁移率值：
线性模式：
μ LIN = - L W * Cox * VD * ∂ ID ∂ VG
饱和模式：
μ SAT = 2 L W * Cox * ( ∂ sqrtID ∂ VG ) 2
使用Kelvin探针进行功函数测量
Figure BDA00002640542800216
OFET器件性能
测量和总结来自各个基底的6个OFET器件的平均性能。OFET的相应的传输特性显示于图5a-d中。
a）在0.1mM AgNO3浸渍2分钟
μlinear:2.18cm2/Vs
μsat:2.08cm2/Vs
Ioff:3.8×10-9A
Ion/off:1.9×104
b)在0.1mM AgNO3浸渍3分钟
μlinear:2.68cm2/Vs
μsat:2.27cm2/Vs
Ioff:4.48×10-9A
Ion/off:1.8×104
c)在0.1mM AgNO3浸渍4分钟
μlinear:2.32cm2/Vs
μsat:2.19cm2/Vs
Ioff:8×10-9A
Ion/off:9×104
d)具有
Figure BDA00002640542800221
M001的Cu（没有任何金属交换过程）
μlinear:0.5cm2/Vs
μsat:0.16cm2/Vs
Ioff:10-10A
Ion/off:2×104
这些结果显示，与历经表面处理但不进行金属交换过程的具有CuS/D电极的OFET器件（d）相比（μ＜0.5cm2/Vs），历经金属交换过程和表面处理过程的具有Cu S/D电极的OFET器件（a-c）具有高3至4倍的迁移率（μ＞2cm2/Vs）。也可以看到，金属交换处理时间可以从2至4分钟变化，或者甚至更长，而不改变整体性能。这意味着该方法还可以在更大的处理窗口内使用。
在一个3分钟OFET器件上在-60V栅电压应力下已经进行了24小时的偏应力测试。结果显示在图6和7中。从图6可以看出，在偏应力下在24小时内，在VGate=-60V下的ID~8×10-4A不随时间改变，而Ioff在偏应力过程中更低。这表明在整个偏应力过程中OFET器件的性能是非常一致的，并且在24小时的应力时间内没有观察到劣化。图7说明了在起始偏应力过程下饱和迁移率的变化，以及偏应力每12小时的后续迁移率。与起始值相比，样品的迁移率在12小时之后略微降低。在12和24小时的测量之间，在迁移率方面没有观察到进一步的降低。这表明在起始压力之后没有观察到进一步的劣化。
实施例2
底栅（BG）OFET按照实施例1中所述来制造，使用具有Cu-Ag金属交换处理和通过
Figure BDA00002640542800231
M001SAM层的表面处理的Cu S/D电极。基本的器件结构（功能层顺序）如下：
基底/Cu(栅)/
Figure BDA00002640542800232
D206(栅电介质)/具有Ag金属交换和M001处理的Cu(S/D)/OSC旋涂层
图8显示金属交换过程3分钟之后该器件的传输特性。器件显示在Vgate~0V时的急转，且平均迁移率大约0.3cm2/Vs。饱和和线性状态（regimes）的开关比高于2×104。
实施例3
顶栅（TG）OFET器件按照实施例1中所述制造，但是其中使Cu S/D电极历经使用含有Pd(NH3)4(NO3)2的浸渍浴进行的Cu-Pd金属交换过程，接着是
Figure BDA00002640542800234
M001表面处理。器件性能显示于图9中。
器件显示在大约-3V的Vturn-on和2.5cm2/Vs的最大μlin并且μsat=1.8cm2/Vs。线性和饱和状态的开关比高于104。与仅仅进行
Figure BDA00002640542800235
M001处理的具有Cu S/D电极的器件相比，具有Cu S/D电极经历Pd金属交换加上M001处理的器件在迁移率方面显示3到4倍更好的性能。

Claims (17)

1.改性有机电子器件中的电极的方法，包含步骤：
a）提供包含第一金属的一个电极，或者两个或更多个电极，
b）向所述一个或多个电极上沉积第二金属的层，所述第二金属具有比第一金属更高的标准电极电位，
c）任选地，将所述第二金属的层暴露于包含有机化合物的组合物，其中所述有机化合物含有与所述第二金属的表面相互作用的官能团，以及
d）向所述一个或多个电极上和/或所述电极之间的区域内沉积有机半导体层。
2.根据权利要求1的方法，特征在于所述第二金属具有比第一金属更高的功函数。
3.根据权利要求1或2的方法，特征在于所述第一金属选自Cu、Al、Sn和Zn。
4.根据权利要求1至3的一项或多项的方法，特征在于所述第二金属选自Ag、Au、Co、Cu、Ir、Ni、Pd、Pt、Rh和Re。
5.根据权利要求1至4的一项或多项的方法，特征在于所述第二金属的层是通过无电镀沉积的。
6.根据权利要求1至5的一项或多项的方法，特征在于所述第二金属的层是通过离子交换过程沉积的。
7.根据权利要求1至6的一项或多项的方法，特征在于所述第二金属的层是通过将电极浸入含有所述第二金属的离子的浴中而沉积的。
8.根据权利要求7的方法，特征在于所述浴不含任何所述第二金属离子的还原剂。
9.根据权利要求7或8的方法，特征在于所述浴含有有机化合物，所述有机化合物含有与所述第二金属的表面相互作用的官能团。
10.根据权利要求7至9的一项或多项的方法，特征在于所述浴含有一种或多种选自离子络合剂、缓冲剂、稳定剂、盐、酸和碱的添加剂。
11.根据权利要求1至10的一项或多项的方法，特征在于所述第二金属具有与第一金属类似的或者比第一金属低的功函数，并且在第二金属层上施加有机化合物的自组装单层，所述有机化合物含有与所述第二金属的表面相互作用的官能团。
12.根据权利要求1至11的一项或多项的方法，特征在于所述含有与所述第二金属的表面相互作用的官能团的有机化合物选自脂肪族或者芳族的硫醇、脂肪族或芳族的二硫醇、低聚噻吩、低聚亚苯基、脂肪族或者芳族的二硫化物、氰基喹啉烷基二硫化物、硅烷、氯硅烷、硅氮烷、六甲基二硅氮烷（HMDS）、三唑、四唑、咪唑和吡唑、羧酸如二十烷酸、膦酸、膦酸酯、9-蒽膦酸酯，所有这些任选地被取代，金属氧化物，氧化银和氧化钼。
13.根据权利要求1至12的一项或多项的方法，另外包含步骤：将栅绝缘体层沉积到OSC层上，将栅电极沉积到所述栅绝缘体层上，并任选地将钝化层沉积到栅电极上。
14.制备有机电子器件的方法，包含根据权利要求1至13的一项或多项的方法。
15.由根据权利要求14的方法得到的或者可得到的有机电子器件。
16.根据权利要求15的有机电子器件，特征在于它是有机场效应晶体管(OFET)、有机薄膜晶体管(OTFT)、集成电路(IC)的元件、射频识别(RFID)标签、有机发光二极管(OLED)、电致发光显示器、平板显示器、背光灯、光检测器、传感器、逻辑电路、存储元件、电容器、有机光伏(OPV)电池、电荷注入层、肖特基二极管、平坦化层、抗静电膜、导电基底或图案、光电导体、光感受器、电子照相器件或静电印刷器件。
17.根据权利要求15或16的电子器件，特征在于其是顶栅或底栅OFET。
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