JP5261744B2 - 有機tftの製造方法、及び有機tft - Google Patents
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前記ソース・ドレイン電極は、
所定の部材の上にパターン化された下地層を形成する工程と、
前記下地層の上に該下地層を部分的に露出させる複数の開口を有する不連続な電極表面層を形成する工程と、の少なくとも2つの工程によって形成され、
前記有機半導体層は、前記電極表面層および前記複数の開口を介して部分的に露出した前記下地層の上に成膜することを特徴とする有機TFTの製造方法。
最初に、AgナノインクをIJ法を用いて住友ベークライト社製のPES基板Pの上にゲート電極Gの形状に印刷しゲート電極Gを形成した。続いてゲート電極Gの上に、JSR社製のアクリル樹脂PC403をスピンコートし、ゲート絶縁膜IFを形成した。
図3に比較例1によるソース電極S、ドレイン電極Dの構成を示す。図3に示すように比較例1によるソース電極S、ドレイン電極Dの構成は単層構成である。スパッタ法を用いてゲート絶縁膜IFの上にAu層107を形成した後、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることにより、厚みが200nmの連続な膜であるソース電極S、ドレイン電極Dを形成した。
実施例2によるソース電極S、ドレイン電極Dの構成は、実施例1の場合と同様であるが、置換Auめっき液への浸漬時間を、実施例1の場合の1/3とし、電極表面層(置換Auめっき層)103の厚みを0〜70nmの不連続な膜に形成した。
比較例2によるソース電極S、ドレイン電極Dの構成は、実施例1の場合と同様であるが、下地層(Niめっき層)102の表面が完全に置換Auめっきされるまで置換Auめっき液へ浸漬し、電極表面層(置換Auめっき層)103の厚みを100〜300nmの連続な膜に形成した。
比較例3によるソース電極S、ドレイン電極Dの構成は、電極表面層(置換Auめっき層)103を設けず、下地層(Niめっき層)102のみの単層構成とした。
101 触媒層(AgPdナノインク)
102 Niめっき層(下地層)
103 置換Auめっき層(電極表面層)
107 Au層
D ドレイン電極
G ゲート電極
IF ゲート絶縁膜
P 基板
PF パッシベーション膜
S ソース電極
SF 有機半導体膜(有機半導体層)
Claims (8)
- ソース・ドレイン電極と該ソース・ドレイン電極の上に成膜される有機半導体層を有する有機TFTの製造方法であって、
前記ソース・ドレイン電極は、
所定の部材の上にパターン化された下地層を形成する工程と、
前記下地層の上に該下地層を部分的に露出させる複数の開口を有する不連続な電極表面層を形成する工程と、の少なくとも2つの工程によって形成され、
前記有機半導体層は、前記電極表面層および前記複数の開口を介して部分的に露出した前記下地層の上に成膜され、
前記電極表面層は、置換めっき法によって形成されることを特徴とする有機TFTの製造方法。 - ソース・ドレイン電極と該ソース・ドレイン電極の上に成膜される有機半導体層を有する有機TFTの製造方法であって、
前記ソース・ドレイン電極は、
所定の部材の上にパターン化された下地層を形成する工程と、
前記下地層の上に該下地層を部分的に露出させる複数の開口を有する不連続な電極表面層を形成する工程と、の少なくとも2つの工程によって形成され、
前記有機半導体層は、前記電極表面層および前記複数の開口を介して部分的に露出した前記下地層の上に成膜され、
前記下地層は、下地触媒型めっき法によって形成されることを特徴とする有機TFTの製造方法。 - 前記電極表面層は、金であることを特徴とする請求項1または2に記載の有機TFTの製造方法。
- 前記下地層は、ニッケルまたは銅であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の有機TFTの製造方法。
- 前記下地層は、下地触媒型めっき法によって形成されることを特徴とする請求項1に記載の有機TFTの製造方法。
- 前記下地層の厚みは、20nm以上、2000nm以下であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の有機TFTの製造方法。
- 前記有機半導体層は、印刷法によって成膜されることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の有機TFTの製造方法。
- 請求項1乃至7のいずれか1項に記載の有機TFTの製造方法を用いて製造されることを特徴とする有機TFT。
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