JP2000026977A - 貴金属を化学的還元析出によって得るための水溶液 - Google Patents
貴金属を化学的還元析出によって得るための水溶液Info
- Publication number
- JP2000026977A JP2000026977A JP10197272A JP19727298A JP2000026977A JP 2000026977 A JP2000026977 A JP 2000026977A JP 10197272 A JP10197272 A JP 10197272A JP 19727298 A JP19727298 A JP 19727298A JP 2000026977 A JP2000026977 A JP 2000026977A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acid
- compound
- noble metal
- aqueous solution
- compd
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/42—Coating with noble metals
- C23C18/44—Coating with noble metals using reducing agents
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
Abstract
新規な水溶液を提供する。 【解決手段】 特定のメルカプト化合物又はスルフィド
化合物を新規な還元剤として用いることによって、還元
剤濃度を高くすることが錯化剤濃度を高くすることに繋
がり、保管時の安定性が極めて高い貴金属を化学的還元
析出によって得るための水溶液を調製・提供することを
可能とした。
Description
に関し、特に、貴金属を含む水溶液に−SH又は−S−
を含む化合物を還元剤として含有させることによる貴金
属の化学的還元析出方法に関する。
に還元し析出させる方法は、還元型無電解めっきと称さ
れる金属皮膜を得る方法として、また、触媒等に用いる
金属(微)粒子を作成する方法として利用されている。
元剤としては、金については、例えば水素化ホウ素、ジ
メチルアミンボラン、ホスフィン酸、ヒドラジン、ヒド
ロキシルアミン、ヒドラジンボロン、チオ尿素、アスコ
ルビン酸、三塩化チタン、ホルムアルデヒド、酒石酸、
グリオキシル酸、ギ酸等が、白金については、例えばヒ
ドラジン等が、銀については、例えばグルコース、ホル
マリン、デキストリン、グリオキサール、アスコルビン
酸、ソルビトール、ヒドロキシルアミン、ヒドラジン、
水素化ホウ素、ジメチルアミンボラン等が、さらに、パ
ラジウムについては、例えばヒドラジン、ホスフィン酸
塩、トリメチルアミンボラン等が報告されている。(以
上それぞれの塩の形を含む)
外の還元剤でも析出が可能なものはあるが、金、白金、
銀、パラジウムなどは貴金属であり、析出電位が貴で、
還元され易いために、かえって析出速度の制御が容易で
はない。すなわち、生産性の観点からは、析出速度は大
きい方が望ましいのであるが、析出速度が大きい条件
は、一方で溶液が、即ち、錯体が不安定であることに繋
がるという二律背反する条件となることが一般であっ
た。
属を化学的還元析出によって得るための新規な還元剤を
開発し、大きい析出速度の条件下においても溶液が安定
であるような貴金属を化学的還元析出によって得るため
の水溶液を開発することを本願発明の課題とした。
は、−SH或いは−S−の形で硫黄を含む化合物に還元
作用があるとともに、金、白金、銀、パラジウムなどの
貴金属に対する錯化作用もあることに着目し、そのよう
な化合物を還元剤として用いた場合には、析出速度を増
大させるために還元剤濃度を高くすることが、同時に錯
化剤濃度をも高くすることに繋がり、溶液の安定化が達
成できるとの考えに基づき、鋭意研究した結果、下記の
ような化合物が金、白金、銀、パラジウムなどの貴金属
に対する新規な還元剤となることを見い出し、貴金属の
化学的還元析出法による貴金属皮膜若しくは微粒子の作
成における工業的課題を解決した。
ジウムから選ばれる金属の水溶性の化合物又は錯体の1
種又は2種以上を析出させる金属の供給源として含有
し、かつ、メルカプト化合物又はスルフィド化合物或い
はそれらの塩類の1種又は2種以上を還元剤として含有
することを特徴とする貴金属を化学的還元析出によって
得るための水溶液である。
合物を還元剤として用いた場合に、上述の二律背反の条
件を満足するような溶液の調製が可能であることを見い
出し、上記問題を解決した。(A)下記一般式(1)
がともに0であることはない。X1及びX2は、それぞれ
独立に、水素、OH、NH2又はCOOHを表し、X
3は、水素、OH、NH2、SO3H又はCOOHを表す
が、X1,X2又はX3が重複してCOOHとなることは
なく、さらにCOOHとSO3Hが重複することもな
く、また、すべてが水素であることもない。X4は、水
素、メチル基、NHCOCH3又はグルコースの水酸基
と縮合してエステル化したカルボキシル基を表す。ただ
し、X4がNHCOCH3の場合は、l、m及びnはとも
に1である。Rは水素、メチル基、エチル基を表す。]
で表されるメルカプト化合物又はスルフィド化合物及び
(又は)それらの塩、(B)下記一般式(2) HS−φ−(X)n (2) [ここで、nは0〜3の整数を表し、φはベンゼン環を
表し、Xは水素、NH2又はCOOHを表し、nが2又
は3の場合には異なってもよい。]で表される芳香族メ
ルカプト化合物、及び(又は)(C)イミダゾール、ベ
ンゾイミダゾール、チアゾール、ベンゾチアゾール、イミ
ダゾリン、チアゾリン、トリアゾール、ベンゾトリアゾー
ル、チアジアゾールの5員環の炭素の水素がメルカプト
基で置換された化合物等である。
に一層好適な化合物の例として、メルカプト酢酸、2−
メルカプトプロピオン酸、2−アミノエタンチオール、
2−メルカプトエタノール、グルコースシステイン、1
−チオグリセロール、メルカプトプロパンスルホン酸ナ
トリウム、N−アセチルメチオニン、チオサリチル酸、
2−チアゾリン−2−チオール、2,5−ジメルカプト
−1,3,4−チアジアゾール、2−ベンゾチアゾール
チオール又は2−ベンズイミダゾールチオール等を挙げ
ることができる。
速度等によって適宜選択されるが、一般には1〜100
g/l、一層好適には5〜50g/lである。
有するとともに該金属に対する錯化作用を有していると
ころから、常温で保存する場合には極めて安定した溶液
を提供し、適度に加温することによって所望する速度で
還元析出を生じせしめることができる。
等によって適宜変更できるが、一般には40℃から沸点
まで、さらに好適には50〜90℃の範囲で用いること
ができる。
る水溶液を調製するに際しては、析出させる金属の供給
源として含有される金、白金、銀及びパラジウムから選
ばれる金属の水溶性の化合物又は錯体として、塩素、臭
素、ヨウ素、酢酸、硝酸、亜硝酸、硫酸、チオ硫酸、亜
硫酸、チオ亜硫酸、チオシアン酸、シアン、アンモニ
ア、エチレンジアミン、クエン酸、酒石酸、グルコン
酸、下記一般式(3)
は、水素、アミノ基又は−NH−CO−CH3を表
す。]で表されるメルカプトカルボン酸、下記一般式
(4)
れ独立に水素、アミノ基又はC1〜C5のアルキルを表
す。Rc及びRdはそれぞれ独立に水素又はC1〜C5のア
ルキル、アルケニル又はフェニルを表し、該アルキル、
アルケニル及び/又はフェニルの水素は水酸基又はアミ
ノ基、モノメチルアミノ基若しくはジメチルアミノ基で
置換されていてよく、RcとRdは結合して環を形成して
よい。Reはアルキル基、アリル基、ヒドロキシ基を表
す。]で示される尿素、チオ尿素又はチオアセトアミド
及びそれらの誘導体。 下記一般式(5)、 R−SO3H (5) [ここで、RはC1〜C12のアルキル基又はC2〜C3の
アルケニル基を表し、該Rの水素は、0〜3個の範囲で
水酸基、アルキル基、アリール基、アルキルアリール
基、カルボキシル基又はスルホン酸基で置換されていて
よく、そして該Rの任意の位置にあってよい。]で表さ
れる脂肪族スルホン酸、下記一般式(6)
及び/又はフッ素のハロゲンを表し、該Rの任意の位置
にあってよく、該Rの水素と置換された該ハロゲンの置
換数n1は1から該Rに配位したすべての水素が飽和置
換されたものまでを表し、置換されたハロゲン種は1種
類又は2種類である。水酸基は、該Rの任意の位置にあ
ってよく、該Rの水素と置換された該水酸基の置換数n
2は0又は1である。Yはスルホン酸基を表し、該Rの
任意の位置にあってよく、Yで表されるスルホン酸基の
置換数n3は0から2の範囲にある。]で表されるハロ
ゲン化アルカンスルホン酸又はハロゲン化アルカノール
スルホン酸、下記一般式(7) Xn−φ−SO3H (7) [ここで、φはベンゼン環を表す。Xは水酸基、アルキ
ル基、アリール基、アルキルアリール基、アルデヒド
基、カルボキシル基、ニトロ基、メルカプト基、スルホ
ン酸基又はアミノ基を表し、或いは2個のXはベンゼン
環と一緒になってナフタレン環を形成でき、該基の置換
数nは0〜3の範囲にある。]で表される芳香族スルホ
ン酸、から選ばれる化合物又は元素及び(又は)それら
の化合物又は元素が水溶液中で生成するイオン種の1種
又は2種以上を含む金、白金、銀又はパラジウムの化合
物又は錯体を用いることができる。
示すれば、一般式(3)で示したメルカプトカルボン酸
の例として、メルカプトコハク酸、L−システイン、ア
セチルシステイン等を挙げることができる。
チオアセトアミド及びそれらの誘導体の例として、チオ
尿素、イミダゾリジノン、2−イミダゾリジンチオン、
トリメチルチオ尿素、N,N’−ジ−n−ブチルチオ尿
素、テトラメチルチオ尿素、1−アリル2−チオ尿素、
N,N’ジエチルチオ尿素、1,3−ビス(ジメチルア
ミノプロピル)−2−チオ尿素、N,Nジメチルチオ尿
素、N,N−ジメチロール尿素、チオセミカルバジド、
4−フェニル−3−チオセミカルバジド、2−チオバル
ビツル酸等を挙げることができる。
例として、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロ
パンスルホン酸、2−プロパンスルホン酸、ブタンスル
ホン酸、2−ブタンスルホン酸、ペンタンスルホン酸、
ヘキサンスルホン酸、デカンスルホン酸、ドデカンスル
ホン酸、2−ヒドロキシエタン−1−スルホン酸(イセ
チオン酸)、2−ヒドロキシプロパン−1−スルホン
酸、1−ヒドロキシプロパン−2−スルホン酸、3−ヒ
ドロキシプロパン−1−スルホン酸、2−ヒドロキシブ
タン−1−スルホン酸、2−ヒドロキシペンタン−1−
スルホン酸、2−ヒドロキシブタン−1−スルホン酸、
2−ヒドロキシペンタン−1−スルホン酸、2−ヒドロ
キシヘキサン−1−スルホン酸、2−ヒドロキシデカン
−1−スルホン酸、2−ヒドロキシドデカン−1−スル
ホン酸、1−カルボキシエタンスルホン酸、2−カルボ
キシエタンスルホン酸、1,3−プロパンジスルホン
酸、2−スルホ酢酸、2−スルホプロピオン酸、3−ス
ルホプロピオン酸、スルホコハク酸、スルホフマル酸、
アリルスルホン酸等を挙げることができる。
スルホン酸又はハロゲン化アルカノールスルホン酸の例
として、モノクロロメタンスルホン酸、パークロロエタ
ンスルホン酸、トリクロロジフルオロプロパンスルホン
酸、パーフルオロエタンスルホン酸、モノクロロジフル
オロメタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン
酸、トリフルオロエタンスルホン酸、テトラクロロプロ
パンスルホン酸、トリクロロジフルオロエタンスルホン
酸、モノクロロエタノールスルホン酸、ジクロロプロパ
ノールスルホン酸、モノクロロジフルオロヒドロキシプ
ロパンスルホン酸等を挙げることができる。
例として、ベンゼンスルホン酸、p−フェノールスルホ
ン酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、ニト
ロベンゼンスルホン酸、スルホ安息香酸、スルホサリチ
ル酸、ベンズアルデヒドスルホン酸、フェノール−2,
4−ジスルホン酸、スルホフタール酸等を挙げることが
できる。
速度等によって適宜選択されるが、その中の金属成分に
換算して、一般には0.01〜100g/l、一層好適
には0.1〜80g/lである。
界面活性剤及び(又は)不純物金属隠蔽錯化剤等を添加
し、溶液の一層の安定化、析出物の均一化、溶液の長寿
命化等を図ることができる。
明の貴金属を還元析出によって得るための水溶液には、
さらにpH緩衝剤を添加して用いることができる。
には、従来から一般にpH緩衝剤として用いられるリン
酸、酢酸、炭酸、硼酸、クエン酸などのナトリウム、カ
リウム或いはアンモニウム塩及び(又は)それらの酸性
塩などが、適宜単独又は併用して用いられる。その使用
量は、明確な限界はないが、一般に5〜200g/lが
用いられ、さらに好適には10〜100g/lが用いら
れる。
っき対象物が該溶液で迅速に濡れるように、或いは析出
物の外観を向上させるために、また貴金属微粒子を得る
目的に用いる場合には微粒子が凝集してしまわないよう
に、本発明の貴金属を還元析出によって得るための水溶
液には、さらに界面活性剤を添加して用いることができ
る。
には、従来からめっき浴において用いられてきたカチオ
ン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、ノニオン系界
面活性剤、両性界面活性剤のいずれもが、適宜単独又は
併用して用いられる。
面活性剤には、テトラ低級アルキルアンモニウムハライ
ド、アルキルトリメチルアンモニウムハライド、ヒドロ
キシエチルアルキルイミダゾリン、ポリオキシエチレン
アルキルメチルアンモニウムハライド、アルキルベンザ
ルコニウムハライド、ジアルキルジメチルアンモニウム
ハライド、アルキルジメチルベンジルアンモニウムハラ
イド、アルキルアミン塩酸塩、アルキルアミン酢酸塩、
アルキルアミンオレイン酸塩、アルキルアミノエチルグ
リシン、アルキルピリジニウムハライド系等が挙げられ
る。
はホルマリン縮合物)−β−ナフタレンスルホン酸(又
はその塩)、脂肪酸セッケン、アルキルスルホン酸塩
系、α−オレフィンスルホン酸塩、アルキルベンゼンス
ルホン酸塩、アルキル(又はアルコキシ)ナフタレンス
ルホン酸塩、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸
塩、アルキルエーテルスルホン酸塩、アルキル硫酸エス
テル塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸エス
テル塩、ポリオキシエチレンアルキルフェノールエーテ
ル硫酸エステル酸塩、高級アルコールリン酸モノエステ
ル塩、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルリン酸
(塩)、ポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテ
ルリン酸塩、ポリオキシアルキレンフェニルエーテルリ
ン酸塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテル酢酸塩、
アルカノイルザルコシン、アルカノイルザルコシネー
ト、アルカノイルメチルアラニン塩、アルキルスルホ酢
酸塩、アシルメチルタウリン酸塩、アルキル脂肪酸グリ
セリン硫酸エステル塩、硬化ヤシ油脂肪酸グリセリル硫
酸塩、アルキルスルホカルボン酸エステル塩、アルキル
スルホコハク酸塩、ジアルキルスルホコハク酸塩、アル
キルポリオキシエチレンスルホコハク酸、スルホコハク
酸モノオレイルアミドナトリウム塩(又はアンモニウ
ム、TEA塩)等が挙げられる。
ルキレンアルキルエーテル(又はエステル)、ポリオキ
シアルキレンフェニル(又はアルキルフェニル)エーテ
ル、ポリオキシアルキレンナフチル(又はアルキルナフ
チル)エーテル、ポリオキシアルキレンスチレン化フェ
ニルエーテル(又は該フェニル基にさらにポリオキシア
ルキレン鎖を付加した活性剤)、ポリオキシアルキレン
ビスフェノールエーテル、ポリオキシエチレンポリオキ
シプロピレンブロックポリマー、ポリオキシアルキレン
ソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシアルキレンソル
ビット脂肪酸エステル、ポリエチレングリコール脂肪酸
エステル、ポリオキシアルキレングリセリン脂肪酸エス
テル、ポリオキシアルキレンアルキルアミン、エチレン
ジアミンのポリオキシアルキレン縮合物付加物、ポリオ
キシアルキレン脂肪酸アミド、ポリオキシアルキレンヒ
マシ(又は/及び硬化ヒマシ油)油、ポリオキシアルキ
レンアルキルフェニルホルマリン縮合物、グリセリン
(又はポリグリセリン)脂肪酸エステル、ペンタエリス
リトール脂肪酸エステル、ソルビタンモノ(セスキ、ト
リ)脂肪酸エステル、高級脂肪酸モノ(ジ)エタノール
アミド、アルキル・アルキロールアミド、オキシエチレ
ンアルキルアミン等が挙げられる。
カルボキシメチル(又はエチル)−N−ヒドロキシエチ
ル(又はメチル)イミダゾリニウムベタイン、2−アル
キル−N−カルボキシメチル(又はエチル)−N−カル
ボキシメチルオキシエチルイミダゾリニウムベタイン、
ジメチルアルキルベタイン、N−アルキル−β−アミノ
プロピオン酸(又はそのナトリウム塩)、アルキル(ポ
リ)アミノエチルグリシン、N−アルキル−N−メチル
−β−アラニン(又はそのナトリウム塩)、脂肪酸アミ
ドプロピルジメチルアミノ酢酸ベタイン等が挙げられ
る。
れるが、概ね0.001g/l〜50g/lの範囲で用
いられ、さらに好適には0.01g/l〜50g/lの
範囲で用いられる。
し該溶液に混入した金属微粒子やめっき対象物などから
溶出した不純物金属イオン、例えば銅、ニッケル、鉄な
どのイオンが、目的とする析出金属に共析したり、該溶
液を劣化させるのを防止又は抑制するために、本発明の
貴金属を還元析出によって得るための水溶液には、さら
に不純物金属隠蔽錯化剤を添加して用いることができ
る。
錯化剤として使用されている化合物を適宜単独又は併用
して用いることができるが、好適に用いられる錯化剤に
は、オキシカルボン酸又は多価カルボン酸としてグリコ
ール酸、マロン酸、乳酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸
又はグルコン酸など(及びそれらの塩)が好適に用いら
れる。
アミン四酢酸、1,2−ジアミノシクロヘキサン−N,
N,N’,N’−四酢酸、1,3−ジアミノヒドロキシ
プロパン−N,N,N’,N’−四酢酸、、ジエチルト
リアミン−N,N,N’,N”,N”−五酢酸、N,N
−ビス(2−ヒドロキシエチル)グリシン、イミノ二酢
酸、ニトリロ三酢酸、ニトリロ三プロピオン酸など(及
びそれらの塩)も好適に用いられる。
蔽錯化剤の使用量は1〜100g/lであり、一層好適
には、1〜20g/lが用いられる。
性を向上させるために従来から用いられている、安定
剤、例えば2−メルカプトベンゾチアゾール、6−エト
キシ−2−メルカプトベンゾチアゾール及びそれらのシ
クロヘキシルアミン塩又は−S−プロパンスルホン酸ナ
トリウム塩、ジチゾン又は1,10−フェナントロリン
塩化物等の化合物をさらに添加して用いることもでき
る。
析出によって得るための水溶液は、水溶液からの金、白
金、銀及びパラジウム或いはそれらの合金の還元剤によ
る還元即ち還元型無電解めっき又は化学的還元析出によ
る金属微粒子の製造或いは金属の回収等に好適に用いら
れる。
するが、本発明は下記数例の実施例に限定されるもので
はなく、用途・目的によって請求の範囲において適宜そ
の条件を変更して用いることができる。
1)を調製し、80℃に保った該溶液に純金板を2時間
浸漬し、浸漬前後の重量差から皮膜厚さを計算した。約
2.5μmの金皮膜が得られた。(溶液1)は3ケ月以
上にわたって、常温での保管に対して極めて安定してい
た。
酸塩を除いた(溶液2)を調製して、実施例1と同様に
純金板を浸漬した。(溶液2)からは金は析出せず、2
−アミノエタンチオールが還元剤として作用しているこ
とが確認された。
いながらめっきを継続し経時試験を行った。図1に示す
ように20時間以上にわたって良好な外観を有しためっ
き皮膜が析出した。図1の最後のプロットの時点は約
2.6ターンに相当し、極めて安定した溶液であること
がわかった。
0.7μmの良好な金皮膜が析出した。(溶液4)は3
ケ月以上にわたって、常温での保管に対して極めて安定
していた。
0.5μmの良好な金皮膜が析出した。(溶液5)は3
ケ月以上にわたって、常温での保管に対して極めて安定
していた。
を2時間浸漬した。良好な金皮膜が析出した。金皮膜の
析出速度を表1に示した。溶液は極めて安定であった。
た。極めて微細な金粒子を得た。(溶液7)は3ケ月以
上にわたって、常温での保管に対して極めて安定してい
た。
料を該溶液に約5時間浸漬した。EDAXによって試料
上に白金が析出していることが確認された。(溶液8)
は3ケ月以上にわたって、常温での保管に対して極めて
安定していた。
た。極めて微細な銀粒子を得た。(溶液9)は3ケ月以
上にわたって、常温での保管に対して極めて安定してい
た。
間浸漬した。EDAXによって試料上にパラジウムが析
出していることが確認された。(溶液10)は3ケ月以
上にわたって、常温での保管に対して極めて安定してい
た。
化合物又はスルフィド化合物を新規な還元剤として用い
ることによって、それらが還元作用を有するとともに錯
化作用をも有するところから、還元剤を添加することが
錯化剤を添加することに繋がるために、溶液の調製が容
易で、常温での保管時には極めて安定であり、適切な加
温によって所望する析出速度が得られ易い貴金属を還元
析出によって得るための水溶液を提供することが可能と
なった。
を示すグラフである。
Claims (4)
- 【請求項1】 金、白金、銀及びパラジウムから選ばれ
る金属の水溶性の化合物又は錯体の1種又は2種以上を
析出させる金属の供給源として含有し、かつ、メルカプ
ト化合物又はスルフィド化合物或いはそれらの塩類の1
種又は2種以上を還元剤として含有することを特徴とす
る貴金属を化学的還元析出によって得るための水溶液。 - 【請求項2】 還元剤として含有されるメルカプト化合
物又はスルフィド化合物が、(A)下記一般式(1) 【化1】 [ここで、l、m及びnは1又は0の整数を表し、全て
がともに0であることはない。X1及びX2は、それぞれ
独立に、水素、OH、NH2又はCOOHを表し、X
3は、水素、OH、NH2、SO3H又はCOOHを表す
が、X1,X2又はX3が重複してCOOHとなることは
なく、さらにCOOHとSO3Hが重複することもな
く、また、すべてが水素であることもない。X4は、水
素、メチル基、NHCOCH3又はグルコースの水酸基
と縮合してエステル化したカルボキシル基を表す。ただ
し、X4がNHCOCH3の場合は、l、m及びnはとも
に1である。Rは水素、メチル基、エチル基を表す。]
で表されるメルカプト化合物又はスルフィド化合物及び
(又は)それらの塩、(B)下記一般式(2) HS−φ−(X)n (2) [ここで、nは0〜3の整数を表し、φはベンゼン環を
表し、Xは水素、NH2又はCOOHを表し、nが2又
は3の場合には異なってもよい。]で表される芳香族メ
ルカプト化合物、及び(又は)、(C)イミダゾール、
ベンゾイミダゾール、チアゾール、ベンゾチアゾール、イ
ミダゾリン、チアゾリン、トリアゾール、ベンゾトリアゾ
ール、チアジアゾールの5員環の炭素の水素がメルカプ
ト基で置換された化合物、のいずれかであることを特徴
とする請求項1記載の貴金属を化学的還元析出によって
得るための水溶液。 - 【請求項3】 (A)の化合物が、メルカプト酢酸、2
−メルカプトプロピオン酸、2−アミノエタンチオー
ル、2−メルカプトエタノール、グルコースシステイ
ン、1−チオグリセロール、メルカプトプロパンスルホ
ン酸ナトリウム又はN−アセチルメチオニンであり、
(B)の化合物が、チオサリチル酸であり、(C)の化
合物が、2−チアゾリン−2−チオール、2,5−ジメ
ルカプト−1,3,4−チアジアゾール、2−ベンゾチ
アゾールチオール又は2−ベンズイミダゾールチオール
である請求項1〜2のいずれかに記載の貴金属を化学的
還元析出によって得るための水溶液。 - 【請求項4】 貴金属を化学的還元析出によって得るた
めの水溶液が無電解めっき液である請求項1〜3のいず
れかに記載の貴金属を化学的還元析出によって得るため
の水溶液。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19727298A JP3920462B2 (ja) | 1998-07-13 | 1998-07-13 | 貴金属を化学的還元析出によって得るための水溶液 |
US09/340,892 US6235093B1 (en) | 1998-07-13 | 1999-06-28 | Aqueous solutions for obtaining noble metals by chemical reductive deposition |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19727298A JP3920462B2 (ja) | 1998-07-13 | 1998-07-13 | 貴金属を化学的還元析出によって得るための水溶液 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000026977A true JP2000026977A (ja) | 2000-01-25 |
JP3920462B2 JP3920462B2 (ja) | 2007-05-30 |
Family
ID=16371716
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19727298A Expired - Fee Related JP3920462B2 (ja) | 1998-07-13 | 1998-07-13 | 貴金属を化学的還元析出によって得るための水溶液 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6235093B1 (ja) |
JP (1) | JP3920462B2 (ja) |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002004060A (ja) * | 2000-06-21 | 2002-01-09 | Ishihara Chem Co Ltd | 無電解金メッキ浴 |
JP2002088481A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-03-27 | Ishihara Chem Co Ltd | 無電解スズ−銀合金メッキ浴 |
EP1332244A1 (en) * | 2000-10-03 | 2003-08-06 | MacDermid, Incorporated | Method for enhancing the solderability of a surface |
WO2004111287A2 (ja) * | 2003-06-10 | 2004-12-23 | Nikko Materials Co Ltd | 無電解金めっき液 |
JP2006111960A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-04-27 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 非シアン無電解金めっき液及び無電解金めっき方法 |
JP2007523067A (ja) * | 2004-01-28 | 2007-08-16 | サイトイミューン サイエンシズ インコーポレイテッド | 官能化コロイド金属組成物および方法 |
WO2008105104A1 (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-04 | Kojima Chemicals Co., Ltd. | 無電解純パラジウムめっき液 |
WO2009157334A1 (ja) * | 2008-06-26 | 2009-12-30 | 日本高純度化学株式会社 | 還元型無電解スズめっき液及びそれを用いたスズ皮膜 |
JP2012158830A (ja) * | 2011-01-28 | 2012-08-23 | Senka Kk | 貴金属含有液中からの貴金属回収方法 |
JP5545688B1 (ja) * | 2014-02-12 | 2014-07-09 | 小島化学薬品株式会社 | 金めっき用ノンシアン金塩の製造方法 |
JP5610500B1 (ja) * | 2014-05-21 | 2014-10-22 | 小島化学薬品株式会社 | 有機金錯体 |
JP2015151628A (ja) * | 2014-02-18 | 2015-08-24 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | 連続白金層の無電解堆積 |
WO2016035855A1 (ja) * | 2014-09-04 | 2016-03-10 | 住友化学株式会社 | 金属系粒子集合体の製造方法 |
JP2016113372A (ja) * | 2014-12-11 | 2016-06-23 | 小島化学薬品株式会社 | ノンシアン金化合物の新規製造法 |
JP2018519419A (ja) * | 2015-05-28 | 2018-07-19 | マクダーミッド インコーポレーテッドMacdermid,Incorporated | 無電解めっき用の前処理方法 |
CN111455360A (zh) * | 2020-05-06 | 2020-07-28 | 广东工业大学 | 一种化学镀钯还原剂及化学镀钯液 |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7229841B2 (en) | 2001-04-30 | 2007-06-12 | Cytimmune Sciences, Inc. | Colloidal metal compositions and methods |
JP2000212763A (ja) * | 1999-01-19 | 2000-08-02 | Shipley Far East Ltd | 銀合金メッキ浴及びそれを用いる銀合金被膜の形成方法 |
EP2339050A1 (en) * | 2001-10-24 | 2011-06-29 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Stabilizers for electroless plating solutions and methods of use thereof |
US6645567B2 (en) * | 2001-12-19 | 2003-11-11 | Intel Corporation | Electroless plating bath composition and method of using |
CN100480425C (zh) * | 2004-04-05 | 2009-04-22 | 日矿金属株式会社 | 化学镀金液 |
SE0403042D0 (sv) * | 2004-12-14 | 2004-12-14 | Polymer Kompositer I Goeteborg | Improved stabilization and performance of autocatalytic electroless process |
US20070175359A1 (en) * | 2006-02-01 | 2007-08-02 | Kilnam Hwang | Electroless gold plating solution and method |
JP4759416B2 (ja) * | 2006-03-20 | 2011-08-31 | 新光電気工業株式会社 | 非シアン無電解金めっき液及び無電解金めっき方法 |
EP1892320A1 (de) * | 2006-08-22 | 2008-02-27 | Enthone, Incorporated | Elektrolytzusammensetzung und Verfahren zur elektrolytischen Abscheidung von palladiumhaltigen Schichten |
IL181126A0 (en) * | 2006-11-01 | 2007-07-04 | S B Biotechnologies Ltd | Preparation of gold-containing nano-liposome particles and their use in medical therapy |
US8992756B2 (en) * | 2006-11-06 | 2015-03-31 | C. Uyemura & Co., Ltd. | Direct plating method and solution for palladium conductor layer formation |
JP5041214B2 (ja) | 2007-06-15 | 2012-10-03 | ソニー株式会社 | 金属薄膜の形成方法および電子デバイスの製造方法 |
CA2700378A1 (en) * | 2007-09-21 | 2009-03-29 | Cytimmune Sciences, Inc. | Nanotherapeutic colloidal metal compositions and methods |
US20110014118A1 (en) * | 2007-09-21 | 2011-01-20 | Lawrence Tamarkin | Nanotherapeutic colloidal metal compositions and methods |
JP2012511105A (ja) * | 2008-12-05 | 2012-05-17 | オーエムジー、アメリカズ、インク | 無電解パラジウムめっき液及び使用法 |
JP4511623B1 (ja) * | 2009-05-08 | 2010-07-28 | 小島化学薬品株式会社 | 無電解パラジウムめっき液 |
WO2013070653A1 (en) | 2011-11-09 | 2013-05-16 | Board Of Trustees Michigan State University | Metallic nanoparticle synthesis with carbohydrate capping agent |
MY181612A (en) | 2014-12-17 | 2020-12-29 | Atotech Deutschland Gmbh | Plating bath composition and method for electroless plating of palladium |
US10844282B2 (en) * | 2019-03-11 | 2020-11-24 | King Fahd University Of Petroleum And Minerals | Corrosion inhibiting formulations and uses thereof |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3960564A (en) * | 1972-06-21 | 1976-06-01 | U.S. Philips Corporation | Physical development process utilizing a physical developer containing a specific reducing agent, a thiol compound |
US5202151A (en) * | 1985-10-14 | 1993-04-13 | Hitachi, Ltd. | Electroless gold plating solution, method of plating with gold by using the same, and electronic device plated with gold by using the same |
CN1003524B (zh) * | 1985-10-14 | 1989-03-08 | 株式会社日立制作所 | 无电浸镀金溶液 |
DE3640028C1 (de) * | 1986-11-24 | 1987-10-01 | Heraeus Gmbh W C | Saures Bad fuer das stromlose Abscheiden von Goldschichten |
JP2972209B2 (ja) * | 1988-04-20 | 1999-11-08 | 株式会社日立製作所 | 金めっきされた電子装置 |
US5258062A (en) * | 1989-06-01 | 1993-11-02 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Electroless gold plating solutions |
JPH0432575A (ja) * | 1990-05-29 | 1992-02-04 | Electroplating Eng Of Japan Co | 無電解金メッキ浴 |
DE4040446A1 (de) * | 1990-12-18 | 1992-06-25 | Degussa | Gold(i)mercaptocarbonsaeureester, verfahren zu ihrer herstellung und verwendung |
US5232492A (en) * | 1992-01-23 | 1993-08-03 | Applied Electroless Concepts Inc. | Electroless gold plating composition |
DE69224914T2 (de) * | 1992-11-25 | 1998-10-22 | Kanto Kagaku | Stromloses goldbeschichtungsbad |
US5322553A (en) * | 1993-02-22 | 1994-06-21 | Applied Electroless Concepts | Electroless silver plating composition |
US5338343A (en) * | 1993-07-23 | 1994-08-16 | Technic Incorporated | Catalytic electroless gold plating baths |
US5318621A (en) * | 1993-08-11 | 1994-06-07 | Applied Electroless Concepts, Inc. | Plating rate improvement for electroless silver and gold plating |
JPH07331452A (ja) * | 1994-06-09 | 1995-12-19 | C Uyemura & Co Ltd | 無電解金めっき浴及び無電解金めっき方法 |
JP2901523B2 (ja) * | 1995-08-09 | 1999-06-07 | 日本カニゼン株式会社 | 無電解黒色めっき浴組成と皮膜の形成方法 |
-
1998
- 1998-07-13 JP JP19727298A patent/JP3920462B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-06-28 US US09/340,892 patent/US6235093B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4660800B2 (ja) * | 2000-06-21 | 2011-03-30 | 石原薬品株式会社 | 無電解金メッキ浴 |
JP2002004060A (ja) * | 2000-06-21 | 2002-01-09 | Ishihara Chem Co Ltd | 無電解金メッキ浴 |
JP2002088481A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-03-27 | Ishihara Chem Co Ltd | 無電解スズ−銀合金メッキ浴 |
EP1332244A1 (en) * | 2000-10-03 | 2003-08-06 | MacDermid, Incorporated | Method for enhancing the solderability of a surface |
EP1332244A4 (en) * | 2000-10-03 | 2004-10-06 | Macdermid Inc | PROCESS FOR IMPROVING THE WELDABILITY OF A SURFACE |
WO2004111287A2 (ja) * | 2003-06-10 | 2004-12-23 | Nikko Materials Co Ltd | 無電解金めっき液 |
WO2004111287A3 (ja) * | 2003-06-10 | 2005-03-03 | Nikko Materials Co Ltd | 無電解金めっき液 |
KR100749992B1 (ko) * | 2003-06-10 | 2007-08-16 | 닛코킨조쿠 가부시키가이샤 | 무전해 금도금액 |
JP2007523067A (ja) * | 2004-01-28 | 2007-08-16 | サイトイミューン サイエンシズ インコーポレイテッド | 官能化コロイド金属組成物および方法 |
JP4833862B2 (ja) * | 2004-01-28 | 2011-12-07 | サイトイミューン サイエンシズ インコーポレイテッド | 官能化コロイド金属組成物および方法 |
JP2006111960A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-04-27 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 非シアン無電解金めっき液及び無電解金めっき方法 |
KR100933243B1 (ko) * | 2004-09-17 | 2009-12-22 | 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 | 무전해 금 도금 공정 및 금층 형성 공정 |
US7981202B2 (en) | 2007-02-28 | 2011-07-19 | Kojima Chemicals Co., Ltd. | Electroless pure palladium plating solution |
WO2008105104A1 (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-04 | Kojima Chemicals Co., Ltd. | 無電解純パラジウムめっき液 |
KR20110028252A (ko) * | 2008-06-26 | 2011-03-17 | 니혼 고쥰도가가쿠 가부시키가이샤 | 환원형 무전해 주석 도금액 및 그것을 사용한 주석 피막 |
WO2009157334A1 (ja) * | 2008-06-26 | 2009-12-30 | 日本高純度化学株式会社 | 還元型無電解スズめっき液及びそれを用いたスズ皮膜 |
JP5368442B2 (ja) * | 2008-06-26 | 2013-12-18 | 日本高純度化学株式会社 | 還元型無電解スズめっき液及びそれを用いたスズ皮膜 |
KR101579334B1 (ko) | 2008-06-26 | 2015-12-21 | 니혼 고쥰도가가쿠 가부시키가이샤 | 환원형 무전해 주석 도금액 및 그것을 사용한 주석 피막 |
JP2012158830A (ja) * | 2011-01-28 | 2012-08-23 | Senka Kk | 貴金属含有液中からの貴金属回収方法 |
JP5545688B1 (ja) * | 2014-02-12 | 2014-07-09 | 小島化学薬品株式会社 | 金めっき用ノンシアン金塩の製造方法 |
KR20150097412A (ko) * | 2014-02-18 | 2015-08-26 | 램 리써치 코포레이션 | 연속적인 백금층의 무전해 디포지션 |
JP2015151628A (ja) * | 2014-02-18 | 2015-08-24 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | 連続白金層の無電解堆積 |
KR102455120B1 (ko) | 2014-02-18 | 2022-10-14 | 램 리써치 코포레이션 | 연속적인 백금층의 무전해 디포지션 |
JP5610500B1 (ja) * | 2014-05-21 | 2014-10-22 | 小島化学薬品株式会社 | 有機金錯体 |
WO2016035855A1 (ja) * | 2014-09-04 | 2016-03-10 | 住友化学株式会社 | 金属系粒子集合体の製造方法 |
JPWO2016035855A1 (ja) * | 2014-09-04 | 2017-06-22 | 住友化学株式会社 | 金属系粒子集合体の製造方法 |
JP2016113372A (ja) * | 2014-12-11 | 2016-06-23 | 小島化学薬品株式会社 | ノンシアン金化合物の新規製造法 |
JP2018519419A (ja) * | 2015-05-28 | 2018-07-19 | マクダーミッド インコーポレーテッドMacdermid,Incorporated | 無電解めっき用の前処理方法 |
CN111455360A (zh) * | 2020-05-06 | 2020-07-28 | 广东工业大学 | 一种化学镀钯还原剂及化学镀钯液 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3920462B2 (ja) | 2007-05-30 |
US6235093B1 (en) | 2001-05-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2000026977A (ja) | 貴金属を化学的還元析出によって得るための水溶液 | |
JP3816241B2 (ja) | 金属を還元析出させるための水溶液 | |
KR101930585B1 (ko) | 니켈층들의 무전해 성막을 위한 도금욕 | |
JP4171604B2 (ja) | 無電解めっき浴及び該めっき浴を用いて得られた金属被覆物 | |
KR100529984B1 (ko) | 무전해 금 도금액 및 무전해 금 도금 방법 | |
CH622829A5 (ja) | ||
ES2929860T3 (es) | Baño acuoso de galvanoplastia anelectrolítica de níquel y método para utilizar el mismo | |
JPH0341549B2 (ja) | ||
JP3972158B2 (ja) | 無電解パラジウムメッキ液 | |
US3649308A (en) | Stabilized electroless plating solutions | |
JP3479639B2 (ja) | 無電解ニッケルめっき液 | |
JP5526462B2 (ja) | 無電解金めっき液及び無電解金めっき方法 | |
JP6732751B2 (ja) | パラジウム無電解めっき用のめっき浴組成物およびパラジウムの無電解めっき方法 | |
JP4660806B2 (ja) | 無電解銀メッキ浴 | |
JPH10317157A (ja) | 置換金めっき浴 | |
JPH0774475B2 (ja) | 銀めっきの前処理液 | |
JP2008274444A (ja) | 無電解ニッケルめっき浴及びそれを用いためっき方法 | |
JP4901039B2 (ja) | 置換ビスマスメッキ浴 | |
JPH0259871B2 (ja) | ||
JP3645955B2 (ja) | 錫−銀合金酸性めっき浴 | |
CA2853422C (en) | Method and composition for electroless nickel and cobalt deposition | |
JP4078977B2 (ja) | 無電解金めっき液及び無電解金めっき方法 | |
JP2004010964A (ja) | 無電解金めっき液及び無電解金めっき方法 | |
JP6934396B2 (ja) | 無電解ニッケル−リン−コバルトめっき浴及び無電解ニッケル−リン−コバルトめっき皮膜 | |
JP2012082444A (ja) | 還元型無電解銀めっき液 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050125 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060718 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060725 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060925 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070206 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070215 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110223 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120223 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120223 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130223 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |