JP2000212763A - 銀合金メッキ浴及びそれを用いる銀合金被膜の形成方法 - Google Patents
銀合金メッキ浴及びそれを用いる銀合金被膜の形成方法Info
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- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
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- H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
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- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
- C25D3/64—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of silver
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/34—Pretreatment of metallic surfaces to be electroplated
Abstract
(57)【要約】
【課題】 鉛を含有しないので環境汚染を引き起こす恐
れがなく労働衛生上も優れ、また溶融した半田槽に浸漬
することがないので熱による損傷がなく、さらに酸化さ
れ難く半田付け性に優れるので搭載部品との間の接点不
良がなく、しかも得られた被膜の膜厚にバラツキがない
ので高密度化実装に適しているプリント配線板を製造す
るのに有用な銀合金メッキ浴及びそれを用いる銀合金被
膜の形成方法を提供する。 【解決手段】 Ａｇイオンと、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ及びＲ
ｈイオンの１以上の金属イオンとを少なくとも含み、Ａ
ｇイオンと金属イオンとの濃度が０．００１〜０．０１
mol/lであり、Ａｇイオンに対する金属イオンのモル比
が１：０．０１〜０．１である銀合金メッキ浴及びこの
銀合金メッキ浴を用いて銀より卑な金属の表面を置換メ
ッキにより銀合金被膜を形成する銀合金被膜の形成方
法。
れがなく労働衛生上も優れ、また溶融した半田槽に浸漬
することがないので熱による損傷がなく、さらに酸化さ
れ難く半田付け性に優れるので搭載部品との間の接点不
良がなく、しかも得られた被膜の膜厚にバラツキがない
ので高密度化実装に適しているプリント配線板を製造す
るのに有用な銀合金メッキ浴及びそれを用いる銀合金被
膜の形成方法を提供する。 【解決手段】 Ａｇイオンと、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ及びＲ
ｈイオンの１以上の金属イオンとを少なくとも含み、Ａ
ｇイオンと金属イオンとの濃度が０．００１〜０．０１
mol/lであり、Ａｇイオンに対する金属イオンのモル比
が１：０．０１〜０．１である銀合金メッキ浴及びこの
銀合金メッキ浴を用いて銀より卑な金属の表面を置換メ
ッキにより銀合金被膜を形成する銀合金被膜の形成方
法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、銀合金メッキ浴及
びそれを用いる銀合金被膜の形成方法に関し、更に詳し
くは、鉛を含有しないので環境汚染を引き起こす恐れが
なく労働衛生上も優れ、また溶融した半田槽に浸漬しな
いので熱によるプリント配線板の損傷がなく、さらに酸
化され難く半田付け性に優れるので搭載部品との間の接
点不良がなく、しかも得られた銀合金被膜の膜厚にバラ
ツキがないので高密度化実装に適したプリント配線板を
製造するのに有用な銀合金メッキ浴及びそれを用いる銀
合金被膜の形成方法に関する。
びそれを用いる銀合金被膜の形成方法に関し、更に詳し
くは、鉛を含有しないので環境汚染を引き起こす恐れが
なく労働衛生上も優れ、また溶融した半田槽に浸漬しな
いので熱によるプリント配線板の損傷がなく、さらに酸
化され難く半田付け性に優れるので搭載部品との間の接
点不良がなく、しかも得られた銀合金被膜の膜厚にバラ
ツキがないので高密度化実装に適したプリント配線板を
製造するのに有用な銀合金メッキ浴及びそれを用いる銀
合金被膜の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、プリント配線板に電子部品を実
装するまでの間に、プリント配線板の導体表面の酸化及
び腐食により半田付け性が劣化することを防止するため
に種々の表面処理方法によりプリント配線板の導体表面
に金属の保護被膜を設けることが行われている。これら
の表面処理方法の一つとして半田レベラー処理がある。
半田レベラー処理は、最も一般的なプリント配線板の表
面処理方法であり、プリント配線板上の半田付けランド
以外の部分にソルダレジストをコーティングした後、プ
リント配線板を溶融した錫／鉛合金の半田槽に浸漬して
ソルダレジストで被覆されていないランド部分に半田を
付着させるものであるが、そのままでは付着する半田量
が多すぎたり、半田がつらら状になったり、ブリッジを
形成するので、プリント配線板を引き上げる際に熱風を
用いて余分の半田を吹き飛ばして適度の量の半田が残る
ようにしている。
装するまでの間に、プリント配線板の導体表面の酸化及
び腐食により半田付け性が劣化することを防止するため
に種々の表面処理方法によりプリント配線板の導体表面
に金属の保護被膜を設けることが行われている。これら
の表面処理方法の一つとして半田レベラー処理がある。
半田レベラー処理は、最も一般的なプリント配線板の表
面処理方法であり、プリント配線板上の半田付けランド
以外の部分にソルダレジストをコーティングした後、プ
リント配線板を溶融した錫／鉛合金の半田槽に浸漬して
ソルダレジストで被覆されていないランド部分に半田を
付着させるものであるが、そのままでは付着する半田量
が多すぎたり、半田がつらら状になったり、ブリッジを
形成するので、プリント配線板を引き上げる際に熱風を
用いて余分の半田を吹き飛ばして適度の量の半田が残る
ようにしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、熱風を
用いて余分の半田を吹き飛ばしているために熱風の圧力
により半田の厚みにバラツキができ、得られた表面処理
済みプリント配線板は高密度化実装に適していないこ
と、溶融した半田槽に浸漬するときに熱によりプリント
配線板が損傷すること、更には半田に含有される鉛の有
害性により環境汚染を引き起こす恐れがあり、労働衛生
上も問題があり今後の使用は困難であるなどの問題があ
った。
用いて余分の半田を吹き飛ばしているために熱風の圧力
により半田の厚みにバラツキができ、得られた表面処理
済みプリント配線板は高密度化実装に適していないこ
と、溶融した半田槽に浸漬するときに熱によりプリント
配線板が損傷すること、更には半田に含有される鉛の有
害性により環境汚染を引き起こす恐れがあり、労働衛生
上も問題があり今後の使用は困難であるなどの問題があ
った。
【０００４】このため、半田レベラー処理以外のその他
の処理方法に変更することが要望されており、当該処理
方法としては、例えば、金メッキ処理がある。金メッキ
処理は、プリント配線板の高密度化実装には有利な処理
方法であるけれども、製造コストが高くなるなどの問題
がある。そこで、金よりも電気伝導性が高く、コスト的
に有利な銀メッキ処理を行う場合がある。しかしなが
ら、得られた銀被膜は不安定で酸化しやすく、酸化した
銀被膜は半田付け性に劣るため、プリント配線板と搭載
部品との間で接点不良を起こす可能性があるなどの問題
があった。
の処理方法に変更することが要望されており、当該処理
方法としては、例えば、金メッキ処理がある。金メッキ
処理は、プリント配線板の高密度化実装には有利な処理
方法であるけれども、製造コストが高くなるなどの問題
がある。そこで、金よりも電気伝導性が高く、コスト的
に有利な銀メッキ処理を行う場合がある。しかしなが
ら、得られた銀被膜は不安定で酸化しやすく、酸化した
銀被膜は半田付け性に劣るため、プリント配線板と搭載
部品との間で接点不良を起こす可能性があるなどの問題
があった。
【０００５】そこで、本発明者らは、上記問題点を解決
すべく鋭意検討したところ、銅表面に、銅よりも貴な金
属、例えば、パラジウム、白金、金及びロジウムからな
る群から選ばれた少なくとも一つの金属を銀と共に析出
させて銀合金被膜を形成することにより上記問題点が解
決されることを見出し、本発明をなすに至った。
すべく鋭意検討したところ、銅表面に、銅よりも貴な金
属、例えば、パラジウム、白金、金及びロジウムからな
る群から選ばれた少なくとも一つの金属を銀と共に析出
させて銀合金被膜を形成することにより上記問題点が解
決されることを見出し、本発明をなすに至った。
【０００６】すなわち、本発明は、鉛を含有しないので
環境汚染を引き起こす恐れがなく労働衛生上も優れ、ま
た溶融した半田槽に浸漬しないので熱による損傷がな
く、さらに酸化され難く半田付け性に優れるので搭載部
品との間の接点不良がなく、しかも得られた銀合金被膜
の膜厚にバラツキがないので高密度化実装に適している
プリント配線板を製造するのに有用な銀合金メッキ浴及
びそれを用いる銀合金被膜の形成方法を提供することを
目的とする。
環境汚染を引き起こす恐れがなく労働衛生上も優れ、ま
た溶融した半田槽に浸漬しないので熱による損傷がな
く、さらに酸化され難く半田付け性に優れるので搭載部
品との間の接点不良がなく、しかも得られた銀合金被膜
の膜厚にバラツキがないので高密度化実装に適している
プリント配線板を製造するのに有用な銀合金メッキ浴及
びそれを用いる銀合金被膜の形成方法を提供することを
目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の銀合金メッキ浴
は、銀イオンと、パラジウムイオン、白金イオン、金イ
オン及びロジウムイオンよりなる群から選ばれた少なく
とも一つの金属イオンとを少なくとも含み、該銀イオン
と該少なくとも一つの金属イオンとの濃度が、０．００
１〜０．０１mol/lであり、該銀イオンに対する該少な
くとも一つの金属イオンの比（モル比）が、１：０．０
１〜０．１であることを特徴とし、本発明の銀合金被膜
の形成方法は、本発明の銀合金メッキ浴を用いて、銀よ
り卑な金属の表面に置換メッキにより銀合金被膜を形成
することを特徴とする。
は、銀イオンと、パラジウムイオン、白金イオン、金イ
オン及びロジウムイオンよりなる群から選ばれた少なく
とも一つの金属イオンとを少なくとも含み、該銀イオン
と該少なくとも一つの金属イオンとの濃度が、０．００
１〜０．０１mol/lであり、該銀イオンに対する該少な
くとも一つの金属イオンの比（モル比）が、１：０．０
１〜０．１であることを特徴とし、本発明の銀合金被膜
の形成方法は、本発明の銀合金メッキ浴を用いて、銀よ
り卑な金属の表面に置換メッキにより銀合金被膜を形成
することを特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の銀合金メッキ浴に使用さ
れる銀イオンの銀イオン源は、水溶性銀塩であればよ
く、例えば、硝酸銀、酢酸銀、硫酸銀、乳酸銀、安息香
酸銀、亜硝酸銀、炭酸銀、チオシアン酸銀、リン酸銀、
クエン酸銀などを挙げることができる。好ましくは硝酸
銀、硫酸銀である。
れる銀イオンの銀イオン源は、水溶性銀塩であればよ
く、例えば、硝酸銀、酢酸銀、硫酸銀、乳酸銀、安息香
酸銀、亜硝酸銀、炭酸銀、チオシアン酸銀、リン酸銀、
クエン酸銀などを挙げることができる。好ましくは硝酸
銀、硫酸銀である。
【０００９】本発明の銀合金メッキ浴に使用されるパラ
ジウムイオン、白金イオン、金イオン又はロジウムイオ
ンのイオン源は、それぞれ水溶性の塩であればよく、例
えば、硝酸パラジウム（II）、硫酸パラジウム（II）、
酢酸パラジウム（II）、テトラアンミン硝酸パラジウム
（II）などの水溶性パラジウム塩、テトラアンミン硝酸
白金（II）、ジアミンジニトロ白金（II）、ビスエタノ
ールアンモニウム水酸化白金（II）などの水溶性白金
塩、ジシアノ金（Ｉ）酸カリウム、テトラシアノ金（II
I）酸カリウム、シアン化金（Ｉ）などの水溶性金塩、
硝酸ロジウム（III）、酢酸ロジウム（II）などの水溶
性ロジウム塩を挙げることができ、好ましくは硝酸パラ
ジウム（II）、硝酸ロジウム（III）、テトラアンミン
硝酸白金（II）、テトラシアノ金（III）カリウムであ
る。
ジウムイオン、白金イオン、金イオン又はロジウムイオ
ンのイオン源は、それぞれ水溶性の塩であればよく、例
えば、硝酸パラジウム（II）、硫酸パラジウム（II）、
酢酸パラジウム（II）、テトラアンミン硝酸パラジウム
（II）などの水溶性パラジウム塩、テトラアンミン硝酸
白金（II）、ジアミンジニトロ白金（II）、ビスエタノ
ールアンモニウム水酸化白金（II）などの水溶性白金
塩、ジシアノ金（Ｉ）酸カリウム、テトラシアノ金（II
I）酸カリウム、シアン化金（Ｉ）などの水溶性金塩、
硝酸ロジウム（III）、酢酸ロジウム（II）などの水溶
性ロジウム塩を挙げることができ、好ましくは硝酸パラ
ジウム（II）、硝酸ロジウム（III）、テトラアンミン
硝酸白金（II）、テトラシアノ金（III）カリウムであ
る。
【００１０】本発明の銀合金メッキ浴中の銀イオンと、
パラジウムイオン、白金イオン、金イオン及びロジウム
イオンからなる群から選ばれた少なくとも一つの金属イ
オンとの濃度は、０．００１〜０．０１mol/lである。
その濃度が、０．０１mol/lを超えるとメッキ浴が不安
定になり、０．００１mol/l未満であると銀及びパラジ
ウム、白金、金若しくはロジウムが析出し難くなり銀合
金被膜が形成され難くなるからである。好ましくは０．
００３〜０．００９mol/l、最も好ましくは０．００５
〜０．００７mol/lである。
パラジウムイオン、白金イオン、金イオン及びロジウム
イオンからなる群から選ばれた少なくとも一つの金属イ
オンとの濃度は、０．００１〜０．０１mol/lである。
その濃度が、０．０１mol/lを超えるとメッキ浴が不安
定になり、０．００１mol/l未満であると銀及びパラジ
ウム、白金、金若しくはロジウムが析出し難くなり銀合
金被膜が形成され難くなるからである。好ましくは０．
００３〜０．００９mol/l、最も好ましくは０．００５
〜０．００７mol/lである。
【００１１】本発明の銀合金メッキ浴中の銀イオンに対
するパラジウムイオン、白金イオン、金イオン及びロジ
ウムイオンからなる群から選ばれた少なくとも一つの金
属イオンの比（モル比）は、１：０．０１〜０．１であ
る。銀イオンに対するこれらの少なくとも一つの金属イ
オンの比（モル比）が、０．１を超えると本発明の銀合
金メッキ浴を用いる方法により銀より卑な金属表面に形
成される銀合金被膜の組成が後述する組成の範囲を外れ
てしまい、銀合金被膜表面のパラジウム、白金、金及び
ロジウムなどの割合が高くなって金属表面の色調及び半
田付け性が悪くなったり且つコストが高くなるからであ
る。０．０１未満ではパラジウム、白金、金又はロジウ
ムが析出し難くなるからである。好ましくは１：０．０
２〜０．０８、最も好ましくは１：０．０３〜０．０７
である。
するパラジウムイオン、白金イオン、金イオン及びロジ
ウムイオンからなる群から選ばれた少なくとも一つの金
属イオンの比（モル比）は、１：０．０１〜０．１であ
る。銀イオンに対するこれらの少なくとも一つの金属イ
オンの比（モル比）が、０．１を超えると本発明の銀合
金メッキ浴を用いる方法により銀より卑な金属表面に形
成される銀合金被膜の組成が後述する組成の範囲を外れ
てしまい、銀合金被膜表面のパラジウム、白金、金及び
ロジウムなどの割合が高くなって金属表面の色調及び半
田付け性が悪くなったり且つコストが高くなるからであ
る。０．０１未満ではパラジウム、白金、金又はロジウ
ムが析出し難くなるからである。好ましくは１：０．０
２〜０．０８、最も好ましくは１：０．０３〜０．０７
である。
【００１２】本発明の銀合金メッキ浴に含有される錯化
剤は、置換反応が過度に急速に進行して、金属表面に形
成される銀合金被膜が、多孔性となり、平坦でなくな
り、接着性に劣ることを防止するために含有させるもの
である。錯化剤は、銀イオン、パラジウムイオン、白金
イオン、金イオン及びロジウムイオンを錯化し得るもの
であればよく、例えば、エチレンジアミン四酢酸、ジエ
チレントリアミン五酢酸、トリエチレンテトラミン六酢
酸、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）イミノ二酢酸、ジヒ
ドロキシエチルグリシン、ニトリロ三酢酸若しくはＮ−
（２−ヒドロキシエチル）エチレンジアミン三酢酸など
のアミノカルボン酸又はアミノトリ（メチレンホスホン
酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン
酸）、ヘキサンメチレンジアミンテトラ（メチレンホス
ホン酸）若しくはニトリロトリス（メチレンホスホン
酸）などのアミノホスホン酸を挙げることができ、これ
らの１種又は２種以上を混合して使用してもよい。好ま
しくはジエチレントリアミン五酢酸である。本発明のメ
ッキ浴は、錯化剤をメッキ浴中の銀イオン、パラジウム
イオン、白金イオン、金イオン及びロジウムイオンを錯
化合物とするのに十分な量含有するものである。したが
って、錯化剤は、銀イオンと、パラジウムイオン、白金
イオン、金イオン及びロジウムイオンからなる群から選
ばれた少なくとも１つの金属イオンとの少なくとも等モ
ル量で存在する。錯化剤は、銀イオン、パラジウムイオ
ン、白金イオン、金イオン及びロジウムイオンを完全に
錯化するのに必要な化学量論的な量以上の量で存在する
ことが好ましい。即ち、銀イオンと、パラジウムイオ
ン、白金イオン、金イオン及びロジウムイオンからなる
群から選ばれた少なくとも１つの金属イオンとの濃度に
対する錯化剤の濃度の比（モル比）は、１：１〜１００
である。好ましくは１：２〜８０、最も好ましくは１：
５〜５０である。
剤は、置換反応が過度に急速に進行して、金属表面に形
成される銀合金被膜が、多孔性となり、平坦でなくな
り、接着性に劣ることを防止するために含有させるもの
である。錯化剤は、銀イオン、パラジウムイオン、白金
イオン、金イオン及びロジウムイオンを錯化し得るもの
であればよく、例えば、エチレンジアミン四酢酸、ジエ
チレントリアミン五酢酸、トリエチレンテトラミン六酢
酸、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）イミノ二酢酸、ジヒ
ドロキシエチルグリシン、ニトリロ三酢酸若しくはＮ−
（２−ヒドロキシエチル）エチレンジアミン三酢酸など
のアミノカルボン酸又はアミノトリ（メチレンホスホン
酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン
酸）、ヘキサンメチレンジアミンテトラ（メチレンホス
ホン酸）若しくはニトリロトリス（メチレンホスホン
酸）などのアミノホスホン酸を挙げることができ、これ
らの１種又は２種以上を混合して使用してもよい。好ま
しくはジエチレントリアミン五酢酸である。本発明のメ
ッキ浴は、錯化剤をメッキ浴中の銀イオン、パラジウム
イオン、白金イオン、金イオン及びロジウムイオンを錯
化合物とするのに十分な量含有するものである。したが
って、錯化剤は、銀イオンと、パラジウムイオン、白金
イオン、金イオン及びロジウムイオンからなる群から選
ばれた少なくとも１つの金属イオンとの少なくとも等モ
ル量で存在する。錯化剤は、銀イオン、パラジウムイオ
ン、白金イオン、金イオン及びロジウムイオンを完全に
錯化するのに必要な化学量論的な量以上の量で存在する
ことが好ましい。即ち、銀イオンと、パラジウムイオ
ン、白金イオン、金イオン及びロジウムイオンからなる
群から選ばれた少なくとも１つの金属イオンとの濃度に
対する錯化剤の濃度の比（モル比）は、１：１〜１００
である。好ましくは１：２〜８０、最も好ましくは１：
５〜５０である。
【００１３】本発明の銀合金メッキ浴に含有される界面
活性剤は、メッキ浴の表面張力を下げて析出膜厚を均一
にするために含有させるものであり、その種類は特に限
定されるものではなく、例えば、ポリオキシエチレンア
ルキルエーテルカルボン酸、アルキルエーテル硫酸塩、
アルキルベンゼンスルホン酸塩、ポリオキシエチレンア
ルキルエーテルリン酸塩などのアニオン系界面活性剤、
高級アルキルアミン塩、第４級アルキルアンモニウム塩
などのカチオン系界面活性剤、アミノカルボン酸塩、イ
ミダゾリン誘導体などの両性界面活性剤、ポリオキシエ
チレンアルキルアミン、ポリオキシエチレングリコール
脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルフェニル
エーテルなどのノニオン系界面活性剤を挙げることがで
き、１種又は２種以上を混合して使用してもよい。好ま
しくはポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテルで
ある。
活性剤は、メッキ浴の表面張力を下げて析出膜厚を均一
にするために含有させるものであり、その種類は特に限
定されるものではなく、例えば、ポリオキシエチレンア
ルキルエーテルカルボン酸、アルキルエーテル硫酸塩、
アルキルベンゼンスルホン酸塩、ポリオキシエチレンア
ルキルエーテルリン酸塩などのアニオン系界面活性剤、
高級アルキルアミン塩、第４級アルキルアンモニウム塩
などのカチオン系界面活性剤、アミノカルボン酸塩、イ
ミダゾリン誘導体などの両性界面活性剤、ポリオキシエ
チレンアルキルアミン、ポリオキシエチレングリコール
脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルフェニル
エーテルなどのノニオン系界面活性剤を挙げることがで
き、１種又は２種以上を混合して使用してもよい。好ま
しくはポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテルで
ある。
【００１４】本発明の銀合金メッキ浴のpHは６．０〜１
０．０である。銀合金メッキ浴のpHが、６．０未満の場
合には、メッキ浴が不安定になり、pH１０．０を超える
場合には、銀合金被膜が形成し難くなるからである。好
ましくはpH６．０〜９．０、最も好ましくはpH６．５〜
８．０である。メッキ浴のpHを調整するためのpH調整剤
としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化
リチウムなどを挙げることができ、好ましくは水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウムである。
０．０である。銀合金メッキ浴のpHが、６．０未満の場
合には、メッキ浴が不安定になり、pH１０．０を超える
場合には、銀合金被膜が形成し難くなるからである。好
ましくはpH６．０〜９．０、最も好ましくはpH６．５〜
８．０である。メッキ浴のpHを調整するためのpH調整剤
としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化
リチウムなどを挙げることができ、好ましくは水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウムである。
【００１５】本発明の銀合金メッキ浴中には、必要に応
じて緩衝剤を含有させて浴のpHを所望の範囲内に保持し
てもよい。緩衝剤としては、銀イオン、パラジウムイオ
ン、白金イオン、金イオン、ロジウムイオンと反応して
沈殿を生じないものであればよく、例えば、炭酸及び炭
酸ナトリウム、酢酸及び酢酸ナトリウムなどを挙げるこ
とができる。
じて緩衝剤を含有させて浴のpHを所望の範囲内に保持し
てもよい。緩衝剤としては、銀イオン、パラジウムイオ
ン、白金イオン、金イオン、ロジウムイオンと反応して
沈殿を生じないものであればよく、例えば、炭酸及び炭
酸ナトリウム、酢酸及び酢酸ナトリウムなどを挙げるこ
とができる。
【００１６】本発明の銀合金メッキ浴は、以下のとおり
製造することができる。即ち、非金属製の槽中に、先
ず、上記の水、錯化剤及び界面活性剤を加え、次に上記
の水溶性銀塩及び、パラジウム塩、白金塩、金塩及びロ
ジウム塩から選ばれた少なくとも一つの上記水溶性の塩
の水溶液の形態で加えて、所望の銀イオンと、パラジウ
ムイオン、白金イオン、金イオン及びロジウムイオンか
ら選ばれた一つの金属イオンとの濃度、所望の銀イオン
に対するパラジウムイオン、白金イオン、金イオン及び
ロジウムイオンから選ばれた一つの金属イオンの比（モ
ル比）、所望の錯化剤のモル濃度及び界面活性剤の濃度
にする。次にpH調整剤を加えて所望のpHとする。次に得
られた銀合金メッキ浴を作用温度、例えば４５〜５０℃
にまで加熱すればよい。
製造することができる。即ち、非金属製の槽中に、先
ず、上記の水、錯化剤及び界面活性剤を加え、次に上記
の水溶性銀塩及び、パラジウム塩、白金塩、金塩及びロ
ジウム塩から選ばれた少なくとも一つの上記水溶性の塩
の水溶液の形態で加えて、所望の銀イオンと、パラジウ
ムイオン、白金イオン、金イオン及びロジウムイオンか
ら選ばれた一つの金属イオンとの濃度、所望の銀イオン
に対するパラジウムイオン、白金イオン、金イオン及び
ロジウムイオンから選ばれた一つの金属イオンの比（モ
ル比）、所望の錯化剤のモル濃度及び界面活性剤の濃度
にする。次にpH調整剤を加えて所望のpHとする。次に得
られた銀合金メッキ浴を作用温度、例えば４５〜５０℃
にまで加熱すればよい。
【００１７】本発明の銀合金メッキ液を用いる銀合金被
膜の形成方法は、先ず置換メッキに先立ち、予め脱脂液
を用いて銀より卑な金属の表面を脱脂処理する。脱脂処
理は、銀より卑な金属の表面の油分及び酸化物を除去
し、これにより銀より卑な金属の表面に均一な厚さの銀
合金被膜が得られる。脱脂処理の方法は、例えば、銀よ
り卑な金属の表面を脱脂液と接触、例えば、浸漬、吹き
付け又は塗布すればよい。脱脂液は、酸性、中性又は塩
基性の脱脂液が使用可能であるが、酸性脱脂液を使用す
ることが好ましい。酸性脱脂液としては、例えば、シプ
レイ・ファーイースト社製のACID CLEANER 1022-B、ACI
D CLEANER 811-B、PREPOSIT SPRAY CLEANER742などを挙
げることができる。脱脂液の液温は、室温〜７０℃であ
り、好ましくは６０℃である。
膜の形成方法は、先ず置換メッキに先立ち、予め脱脂液
を用いて銀より卑な金属の表面を脱脂処理する。脱脂処
理は、銀より卑な金属の表面の油分及び酸化物を除去
し、これにより銀より卑な金属の表面に均一な厚さの銀
合金被膜が得られる。脱脂処理の方法は、例えば、銀よ
り卑な金属の表面を脱脂液と接触、例えば、浸漬、吹き
付け又は塗布すればよい。脱脂液は、酸性、中性又は塩
基性の脱脂液が使用可能であるが、酸性脱脂液を使用す
ることが好ましい。酸性脱脂液としては、例えば、シプ
レイ・ファーイースト社製のACID CLEANER 1022-B、ACI
D CLEANER 811-B、PREPOSIT SPRAY CLEANER742などを挙
げることができる。脱脂液の液温は、室温〜７０℃であ
り、好ましくは６０℃である。
【００１８】本発明の方法に適用される銀より卑な金属
は、例えば、銅、黄銅及びその他の銅合金、アルミニウ
ム、ニッケル、錫、鉄、亜鉛などの金属であり、その形
状は特に限定されない。
は、例えば、銅、黄銅及びその他の銅合金、アルミニウ
ム、ニッケル、錫、鉄、亜鉛などの金属であり、その形
状は特に限定されない。
【００１９】次に、脱脂処理した銀より卑な金属の表面
を水洗して脱脂液を除去後、化学研磨液を用いて鏡面処
理する。鏡面処理は、金属表面を均一な鏡面仕上げを得
るための前処理であり、例えば、銀より卑な金属表面を
化学研磨液と接触、例えば、浸漬、吹き付け又は塗布す
ればよい。鏡面処理により得られる金属表面の表面粗さ
は、プリント配線板の場合には、表面粗さを１μm以下
にする必要がある。
を水洗して脱脂液を除去後、化学研磨液を用いて鏡面処
理する。鏡面処理は、金属表面を均一な鏡面仕上げを得
るための前処理であり、例えば、銀より卑な金属表面を
化学研磨液と接触、例えば、浸漬、吹き付け又は塗布す
ればよい。鏡面処理により得られる金属表面の表面粗さ
は、プリント配線板の場合には、表面粗さを１μm以下
にする必要がある。
【００２０】化学研磨液は、例えば、シプレイ・ファー
イースト社製のCHEM-POLISH 151L-2、CHEM-POLISH 15
2、CHEM-POLISH 153、CHEM-POLISH 14などを挙げること
ができる。化学研磨液は、濃度及び混合比によりエッチ
ング速度を自由に変えることができ、プリント配線板の
場合には、化学研磨液の濃度は、硫酸５００〜６００g/
l及び硝酸ナトリウム２００〜２８０g/lの混合溶液が好
ましい。化学研磨液の液温は、室温〜３５℃、好ましく
は２３〜２７℃である。化学研磨液中での処理時間は、
１０秒〜２分間、好ましくは１０〜６０秒である。
イースト社製のCHEM-POLISH 151L-2、CHEM-POLISH 15
2、CHEM-POLISH 153、CHEM-POLISH 14などを挙げること
ができる。化学研磨液は、濃度及び混合比によりエッチ
ング速度を自由に変えることができ、プリント配線板の
場合には、化学研磨液の濃度は、硫酸５００〜６００g/
l及び硝酸ナトリウム２００〜２８０g/lの混合溶液が好
ましい。化学研磨液の液温は、室温〜３５℃、好ましく
は２３〜２７℃である。化学研磨液中での処理時間は、
１０秒〜２分間、好ましくは１０〜６０秒である。
【００２１】次に、鏡面処理した銀より卑な金属の表面
を水洗後、金属表面の酸化被膜の除去及びメッキ液に水
洗時の洗浄液が混入することを防ぐために、メッキ処理
前にアミノカルボン酸溶液又はアミノホスホン酸溶液或
はこれらの混合溶液に浸漬してプレディップ処理を施す
ことが好ましい。プレディップ処理で使用するアミノカ
ルボン酸溶液又はアミノホスホン酸溶液は、錯化剤とし
て用いた前記アミノカルボン酸又は前記アミノホスホン
酸の１種又は２種以上の混合溶液でよく、その濃度は、
通常、０．００５〜１mol/lであり、好ましくは０．０
２〜０．５mol/lである。アミノカルボン酸溶液の液温
は、通常、２０〜５０℃、処理時間は、通常、１〜２分
間である。
を水洗後、金属表面の酸化被膜の除去及びメッキ液に水
洗時の洗浄液が混入することを防ぐために、メッキ処理
前にアミノカルボン酸溶液又はアミノホスホン酸溶液或
はこれらの混合溶液に浸漬してプレディップ処理を施す
ことが好ましい。プレディップ処理で使用するアミノカ
ルボン酸溶液又はアミノホスホン酸溶液は、錯化剤とし
て用いた前記アミノカルボン酸又は前記アミノホスホン
酸の１種又は２種以上の混合溶液でよく、その濃度は、
通常、０．００５〜１mol/lであり、好ましくは０．０
２〜０．５mol/lである。アミノカルボン酸溶液の液温
は、通常、２０〜５０℃、処理時間は、通常、１〜２分
間である。
【００２２】次に、銀より卑な金属表面を、所望の厚さ
の銀合金被膜が形成されるまで前記した本発明の銀合金
メッキ浴と接触、例えば、浸漬、吹き付け又は塗布して
置換メッキすればよい。得られる銀合金被膜の膜厚は、
通常、０．０５〜０．２μm、好ましくは０．０７〜
０．１５μmである。この厚さの銀合金被膜を得るのに
必要な時間は、通常、１〜１０分間、好ましくは２〜７
分間である。メッキ浴の温度は、銀合金の析出速度及び
銀合金被膜の厚さに影響を及ぼし、通常、２０〜６０
℃、好ましくは２５〜５０℃である。
の銀合金被膜が形成されるまで前記した本発明の銀合金
メッキ浴と接触、例えば、浸漬、吹き付け又は塗布して
置換メッキすればよい。得られる銀合金被膜の膜厚は、
通常、０．０５〜０．２μm、好ましくは０．０７〜
０．１５μmである。この厚さの銀合金被膜を得るのに
必要な時間は、通常、１〜１０分間、好ましくは２〜７
分間である。メッキ浴の温度は、銀合金の析出速度及び
銀合金被膜の厚さに影響を及ぼし、通常、２０〜６０
℃、好ましくは２５〜５０℃である。
【００２３】本発明の銀合金メッキ浴を用いる方法によ
り金属表面に形成される銀合金被膜の組成は、銀９０．
０〜９９．９重量％、パラジウム、白金、金及びロジウ
ムからなる群から選ばれた少なくとも１つの金属０．１
〜１０重量％である。銀含有量が９０．０重量％未満で
は銀合金被膜表面のパラジウム、白金、金及びロジウム
からなる群から選ばれた少なくとも一つの金属の割合が
高くなって金属表面の色調及び半田付け性が悪くなり、
且つコストが高くなる。銀含有量が９９．９重量％を超
えると銀が酸化し易くなり、そのため半田付け性も悪く
なる。好ましくは銀９５．０〜９９．５重量％、パラジ
ウム、白金、金及びロジウムからなる群から選ばれた少
なくとも１つの金属０．５〜５重量％である。
り金属表面に形成される銀合金被膜の組成は、銀９０．
０〜９９．９重量％、パラジウム、白金、金及びロジウ
ムからなる群から選ばれた少なくとも１つの金属０．１
〜１０重量％である。銀含有量が９０．０重量％未満で
は銀合金被膜表面のパラジウム、白金、金及びロジウム
からなる群から選ばれた少なくとも一つの金属の割合が
高くなって金属表面の色調及び半田付け性が悪くなり、
且つコストが高くなる。銀含有量が９９．９重量％を超
えると銀が酸化し易くなり、そのため半田付け性も悪く
なる。好ましくは銀９５．０〜９９．５重量％、パラジ
ウム、白金、金及びロジウムからなる群から選ばれた少
なくとも１つの金属０．５〜５重量％である。
【００２４】本発明の銀合金メッキ浴及びそれを用いた
方法により形成された銀合金被膜は、鉛を含有しないの
で環境汚染を引き起こす恐れがなく、労働衛生上も優れ
ている。また得られた銀合金被膜は、置換メッキにより
形成されるのでプリント配線板を半田レベラー処理のよ
うに溶融した半田槽に浸漬することはない。したがっ
て、熱によるプリント配線板の損傷はない。さらに得ら
れた銀合金被膜は、パラジウム、白金、金及びロジウム
から選ばれた少なくとも一つの金属を含有するため銀被
膜よりも酸化され難く半田付け性に優れる。したがっ
て、プリント配線板と搭載部品との間の接点不良がな
い。しかも本発明の銀合金被膜の形成方法は、置換メッ
キに先立ち、予め脱脂液を用いる脱脂処理及び化学研磨
液を用いる鏡面処理を施しているので、得られた銀合金
被膜は均質かつ平坦でバラツキがない。したがって、高
密度化実装に適したプリント配線板が得られる。
方法により形成された銀合金被膜は、鉛を含有しないの
で環境汚染を引き起こす恐れがなく、労働衛生上も優れ
ている。また得られた銀合金被膜は、置換メッキにより
形成されるのでプリント配線板を半田レベラー処理のよ
うに溶融した半田槽に浸漬することはない。したがっ
て、熱によるプリント配線板の損傷はない。さらに得ら
れた銀合金被膜は、パラジウム、白金、金及びロジウム
から選ばれた少なくとも一つの金属を含有するため銀被
膜よりも酸化され難く半田付け性に優れる。したがっ
て、プリント配線板と搭載部品との間の接点不良がな
い。しかも本発明の銀合金被膜の形成方法は、置換メッ
キに先立ち、予め脱脂液を用いる脱脂処理及び化学研磨
液を用いる鏡面処理を施しているので、得られた銀合金
被膜は均質かつ平坦でバラツキがない。したがって、高
密度化実装に適したプリント配線板が得られる。
【００２５】本発明の方法で得られた銀合金被膜上に搭
載部品を半田付けするには、一般に使用されるいかなる
半田も適しているが、鉛の有害性から鉛を含有しない半
田、例えば、錫／銀、錫／ビスマス／銀／銅、錫／ビス
マス、錫／ビスマス／銀が好ましい。
載部品を半田付けするには、一般に使用されるいかなる
半田も適しているが、鉛の有害性から鉛を含有しない半
田、例えば、錫／銀、錫／ビスマス／銀／銅、錫／ビス
マス、錫／ビスマス／銀が好ましい。
【００２６】
【実施例】以下に、本発明を一実施態様により説明する
が、本発明は、これらに限定されるものではない。 実施例１ 銀／パラジウム合金メッキ浴の製造 脱イオン水中に、ポリオキシエチレンノニルフェニルエ
ーテル、ジエチレントリアミン五酢酸を溶解し、次に硝
酸銀を加え攪拌して溶解した。得られた溶液に、硝酸及
び純水の混合液に硝酸パラジウム（II）を溶解した溶液
を加えた。次に水酸化ナトリウムを加えてpH７に調整し
た。得られた銀合金メッキ浴の組成は、硝酸銀１g/l
（０．００６mol/l）、硝酸パラジウム（II）０．０２g
/l（８．７×１０- 5mol/l）、ジエチレントリアミン五
酢酸２０g/l（０．０５mol/l）、ポリオキシエチレンノ
ニルフェニルエーテル１g/lであった。
が、本発明は、これらに限定されるものではない。 実施例１ 銀／パラジウム合金メッキ浴の製造 脱イオン水中に、ポリオキシエチレンノニルフェニルエ
ーテル、ジエチレントリアミン五酢酸を溶解し、次に硝
酸銀を加え攪拌して溶解した。得られた溶液に、硝酸及
び純水の混合液に硝酸パラジウム（II）を溶解した溶液
を加えた。次に水酸化ナトリウムを加えてpH７に調整し
た。得られた銀合金メッキ浴の組成は、硝酸銀１g/l
（０．００６mol/l）、硝酸パラジウム（II）０．０２g
/l（８．７×１０- 5mol/l）、ジエチレントリアミン五
酢酸２０g/l（０．０５mol/l）、ポリオキシエチレンノ
ニルフェニルエーテル１g/lであった。
【００２７】銀／パラジウム合金被膜の形成 ＩＰＣテストパターン基板をACID CLEANER 811-B（商品
名、シプレイ・ファーイースト社製）１５重量％と濃硫
酸５重量％とを含む水溶液に４５℃で２分間浸漬して脱
脂した。次いで２分間水洗後エッチング液CHEM-POLISH
151L-2（商品名、シプレイ・ファーイースト社製）に室
温で３０秒間浸漬して鏡面処理後２分間水洗した。得ら
れたＩＰＣテストパターン基板の銅表面の表面粗さは、
０．２μmであった。次いでジエチレントリアミン五酢
酸２０g/l水溶液中に室温で１分間浸漬後、前記工程で
製造した銀／パラジウム合金メッキ浴中に４５℃で３分
間浸漬して置換メッキした。ＩＰＣテストパターン基板
を銀合金メッキ浴から取り出して水洗し乾燥した。ＩＰ
Ｃテストパターン基板の導体上に光沢のある平坦な銀／
パラジウム合金被膜が形成された。得られた銀／パラジ
ウム合金被膜の組成は、銀９８重量％、パラジウム２重
量％であった。膜厚１．３μmであった。
名、シプレイ・ファーイースト社製）１５重量％と濃硫
酸５重量％とを含む水溶液に４５℃で２分間浸漬して脱
脂した。次いで２分間水洗後エッチング液CHEM-POLISH
151L-2（商品名、シプレイ・ファーイースト社製）に室
温で３０秒間浸漬して鏡面処理後２分間水洗した。得ら
れたＩＰＣテストパターン基板の銅表面の表面粗さは、
０．２μmであった。次いでジエチレントリアミン五酢
酸２０g/l水溶液中に室温で１分間浸漬後、前記工程で
製造した銀／パラジウム合金メッキ浴中に４５℃で３分
間浸漬して置換メッキした。ＩＰＣテストパターン基板
を銀合金メッキ浴から取り出して水洗し乾燥した。ＩＰ
Ｃテストパターン基板の導体上に光沢のある平坦な銀／
パラジウム合金被膜が形成された。得られた銀／パラジ
ウム合金被膜の組成は、銀９８重量％、パラジウム２重
量％であった。膜厚１．３μmであった。
【００２８】銀／パラジウム被膜の変色 銀／パラジウム合金被膜を形成したＩＰＣテストパター
ン基板を、相対湿度９０％の雰囲気中に４０℃で２４時
間放置して銀／パラジウム合金被膜の変色を目視で観察
した。結果を表１に示した。
ン基板を、相対湿度９０％の雰囲気中に４０℃で２４時
間放置して銀／パラジウム合金被膜の変色を目視で観察
した。結果を表１に示した。
【００２９】半田付け性の評価 銀／パラジウム合金被膜を形成したＩＰＣテストパター
ン基板の半田付け性を、メニスコグラフ法に基づいて評
価した。即ち、銀／パラジウム合金被膜を形成したＩＰ
Ｃテストパターン基板をプリフラックス中に３秒間浸漬
し、５秒間液切りした。次いで３℃/秒で加熱し、１５
０℃で８０秒間保持して予熱した。次いで２４５℃の、
錫９０／ビスマス７．５／銀２／銅０．５からなる溶融
半田に５秒間浸漬して半田付けを行った。半田付け性を
動的濡れ時間で評価した。結果を表１に示した。動的濡
れ時間は、短時間であることが好ましい。
ン基板の半田付け性を、メニスコグラフ法に基づいて評
価した。即ち、銀／パラジウム合金被膜を形成したＩＰ
Ｃテストパターン基板をプリフラックス中に３秒間浸漬
し、５秒間液切りした。次いで３℃/秒で加熱し、１５
０℃で８０秒間保持して予熱した。次いで２４５℃の、
錫９０／ビスマス７．５／銀２／銅０．５からなる溶融
半田に５秒間浸漬して半田付けを行った。半田付け性を
動的濡れ時間で評価した。結果を表１に示した。動的濡
れ時間は、短時間であることが好ましい。
【００３０】実施例２ 硝酸パラジウム（II）の代わりにテトラアンミン硝酸白
金（II）０．０３４g/l（８．７×１０- 5mol/1）を用い
た以外は、実施例１と同様にして銀合金メッキ浴を製造
し、実施例１と同様にしてＩＰＣテストパターン基板の
導体上に銀合金被膜を形成した。次いで実施例１と同様
にして銀合金被膜の変色及び半田付け性を評価した。結
果を表１に示した。
金（II）０．０３４g/l（８．７×１０- 5mol/1）を用い
た以外は、実施例１と同様にして銀合金メッキ浴を製造
し、実施例１と同様にしてＩＰＣテストパターン基板の
導体上に銀合金被膜を形成した。次いで実施例１と同様
にして銀合金被膜の変色及び半田付け性を評価した。結
果を表１に示した。
【００３１】実施例３ 硝酸パラジウム（II）の代わりに硝酸ロジウム（III）
０．０２５g/l（８．７×１０- 5mol/1）を用いた以外
は、実施例１と同様にして銀合金メッキ浴を製造し、実
施例１と同様にしてＩＰＣテストパターン基板の導体上
に銀合金被膜を形成した。次いで実施例１と同様にして
銀合金被膜の変色及び半田付け性を評価した。結果を表
１に示した。
０．０２５g/l（８．７×１０- 5mol/1）を用いた以外
は、実施例１と同様にして銀合金メッキ浴を製造し、実
施例１と同様にしてＩＰＣテストパターン基板の導体上
に銀合金被膜を形成した。次いで実施例１と同様にして
銀合金被膜の変色及び半田付け性を評価した。結果を表
１に示した。
【００３２】比較例１ 硝酸パラジウム（II）を加えなかった以外は実施例１と
同様にして銀メッキ浴を製造し、実施例１と同様にして
ＩＰＣテストパターン基板の導体上に銀被膜を形成し
た。次いで実施例１と同様にして銀被膜の変色及び半田
付け性を評価した。結果を表１に示した。
同様にして銀メッキ浴を製造し、実施例１と同様にして
ＩＰＣテストパターン基板の導体上に銀被膜を形成し
た。次いで実施例１と同様にして銀被膜の変色及び半田
付け性を評価した。結果を表１に示した。
【００３３】
【表１】
【００３４】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
銀合金メッキ浴及びそれを用いた方法により形成された
銀合金被膜は、鉛を含有しないので環境汚染を引き起こ
す恐れがなく、労働衛生上も優れている。また得られた
銀合金被膜は、置換メッキにより形成されるので、プリ
ント配線板を半田レベラー処理のように溶融した半田槽
に浸漬することはない。したがって、熱によるプリント
配線板の損傷はない。さらに得られた銀合金被膜は、パ
ラジウム、白金、金及びロジウムからなる群から選ばれ
た少なくとも一つの金属を含有しているので、銀被膜よ
りも酸化され難く半田付け性に優れる。したがって、プ
リント配線板と搭載機器との間で接点不良を起こすこと
はない。しかも本発明の銀合金被膜の形成方法は、置換
メッキに先立ち、予め脱脂液を用いる脱脂処理及び化学
研磨液を用いる鏡面処理を施しているので、得られた銀
合金被膜は、均質かつ平坦でバラツキがない。したがっ
て、得られたプリント配線板は、高密度化実装に適して
いる。
銀合金メッキ浴及びそれを用いた方法により形成された
銀合金被膜は、鉛を含有しないので環境汚染を引き起こ
す恐れがなく、労働衛生上も優れている。また得られた
銀合金被膜は、置換メッキにより形成されるので、プリ
ント配線板を半田レベラー処理のように溶融した半田槽
に浸漬することはない。したがって、熱によるプリント
配線板の損傷はない。さらに得られた銀合金被膜は、パ
ラジウム、白金、金及びロジウムからなる群から選ばれ
た少なくとも一つの金属を含有しているので、銀被膜よ
りも酸化され難く半田付け性に優れる。したがって、プ
リント配線板と搭載機器との間で接点不良を起こすこと
はない。しかも本発明の銀合金被膜の形成方法は、置換
メッキに先立ち、予め脱脂液を用いる脱脂処理及び化学
研磨液を用いる鏡面処理を施しているので、得られた銀
合金被膜は、均質かつ平坦でバラツキがない。したがっ
て、得られたプリント配線板は、高密度化実装に適して
いる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 神田 隆 新潟県北蒲原郡笹神村大字女堂字金屋原 300 シプレイ・フアーイースト株式会社 笹神工場内 Ｆターム(参考） 4K022 AA02 AA42 BA01 BA03 BA18 BA32 CA03 DA03 DB01 DB02 DB04 DB07 DB08
Claims (8)
- 【請求項１】 銀イオンと、パラジウムイオン、白金イ
オン、金イオン及びロジウムイオンよりなる群から選ば
れた少なくとも一つの金属イオンとを少なくとも含み、
該銀イオンと該少なくとも一つの金属イオンとの濃度
が、０．００１〜０．０１mol/lであり、該銀イオンに
対する該少なくとも一つの金属イオンの比（モル比）
が、１：０．０１〜０．１であることを特徴とする銀合
金メッキ浴。 - 【請求項２】 該銀イオンと該少なくとも一つの金属イ
オンとの濃度が、０．００３〜０．００９mol/lであ
り、かつ該銀イオンに対する該少なくとも一つの金属イ
オンの比（モル比）が、１：０．０３〜０．０９である
請求項１に記載の銀合金メッキ浴。 - 【請求項３】 該銀イオンと該少なくとも１つの金属イ
オンとの濃度が、０．００５〜０．００７mol/lであ
り、かつ該銀イオンに対する該少なくとも一つの金属イ
オンの比（モル比）が、１：０．０５〜０．０７である
請求項２に記載の銀合金メッキ浴。 - 【請求項４】 さらに錯化剤及び界面活性剤を含み、か
つpHが６．０〜１０．０である請求項１〜３のいずれか
一項に記載の銀合金メッキ浴。 - 【請求項５】 該錯化剤が、エチレンジアミン四酢酸、
ジエチレントリアミン五酢酸、トリエチレンテトラミン
六酢酸、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）イミノ二酢酸、
ジヒドロキシエチルグリシン、ニトリロ三酢酸又はＮ−
（２−ヒドロキシエチル）エチレンジアミン三酢酸であ
る請求項４に記載の銀合金メッキ浴。 - 【請求項６】 該錯化剤が、アミノトリ（メチレンホス
ホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン
酸）、ヘキサンメチレンジアミンテトラ（メチレンホス
ホン酸）又はニトリロトリス（メチレンホスホン酸）で
ある請求項４に記載の銀合金メッキ浴。 - 【請求項７】 請求項１〜６のいずれか一項に記載の銀
合金メッキ浴を用いて、銀より卑な金属の表面に置換メ
ッキにより銀合金被膜を形成することを特徴とする銀合
金被膜の形成方法。 - 【請求項８】 該置換メッキに先立ち、該銀より卑な金
属の表面を、予め脱脂液を用いて脱脂し、次いで化学研
磨液を用いて鏡面処理する請求項７に記載の銀合金被膜
の形成方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11010879A JP2000212763A (ja) | 1999-01-19 | 1999-01-19 | 銀合金メッキ浴及びそれを用いる銀合金被膜の形成方法 |
| KR1020000001641A KR20000062466A (ko) | 1999-01-19 | 2000-01-14 | 은 합금 도금조 및 이를 이용하여 은 합금 필름을형성하는 방법 |
| TW089100618A TW476814B (en) | 1999-01-19 | 2000-01-17 | Silver alloy plating bath and a method of forming a silver alloy film by means of the same |
| EP00100935A EP1024211A3 (en) | 1999-01-19 | 2000-01-18 | Silver alloy plating bath and a method of forming a silver alloy film by means of the same |
| US09/487,564 US6527840B1 (en) | 1999-01-19 | 2000-01-19 | Silver alloy plating bath and method of forming a silver alloy film by means of the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11010879A JP2000212763A (ja) | 1999-01-19 | 1999-01-19 | 銀合金メッキ浴及びそれを用いる銀合金被膜の形成方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000212763A true JP2000212763A (ja) | 2000-08-02 |
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ID=11762624
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|---|---|---|---|
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|---|---|
| US (1) | US6527840B1 (ja) |
| EP (1) | EP1024211A3 (ja) |
| JP (1) | JP2000212763A (ja) |
| KR (1) | KR20000062466A (ja) |
| TW (1) | TW476814B (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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