JP2003160876A - 無電解メッキ用触媒および金属メッキパターンの形成方法 - Google Patents
無電解メッキ用触媒および金属メッキパターンの形成方法Info
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- JP2003160876A JP2003160876A JP2001358158A JP2001358158A JP2003160876A JP 2003160876 A JP2003160876 A JP 2003160876A JP 2001358158 A JP2001358158 A JP 2001358158A JP 2001358158 A JP2001358158 A JP 2001358158A JP 2003160876 A JP2003160876 A JP 2003160876A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 無電解金属メッキ膜から金属メッキパターン
を形成する工程を簡素化できる無電解メッキ用触媒およ
び金属メッキパターンの形成方法を提供すること。 【解決手段】 ＰｄとＰｔとからなる第１群から選ばれ
る１種と、ＡｇとＣｕとからなる第２群から選ばれる少
なくとも１種との合金コロイドが含まれている無電解メ
ッキ用触媒とする。
を形成する工程を簡素化できる無電解メッキ用触媒およ
び金属メッキパターンの形成方法を提供すること。 【解決手段】 ＰｄとＰｔとからなる第１群から選ばれ
る１種と、ＡｇとＣｕとからなる第２群から選ばれる少
なくとも１種との合金コロイドが含まれている無電解メ
ッキ用触媒とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、無電解メッキに用
いられる貴金属系の触媒、および金属メッキパターンの
形成方法に関し、特に、プリント基板、電子デバイス実
装パッケージ、半導体デバイス、ＬＣＤ、ＥＬ、ＰＤＰ
等の電子ディスプレイ、ＩＣカード等の電子機器、ある
いはコンデンサ等の電子部品などの金属配線または金属
電極、あるいは各種電子機器の電磁波シールド膜などを
構成する金属メッキパターンとなる金属メッキ膜を、無
電解メッキによって形成する際に好適に使用される無電
解メッキ用触媒、およびこの触媒を使用した金属メッキ
により形成された無電解金属メッキ膜を用いる金属メッ
キパターンの形成方法に関する。
いられる貴金属系の触媒、および金属メッキパターンの
形成方法に関し、特に、プリント基板、電子デバイス実
装パッケージ、半導体デバイス、ＬＣＤ、ＥＬ、ＰＤＰ
等の電子ディスプレイ、ＩＣカード等の電子機器、ある
いはコンデンサ等の電子部品などの金属配線または金属
電極、あるいは各種電子機器の電磁波シールド膜などを
構成する金属メッキパターンとなる金属メッキ膜を、無
電解メッキによって形成する際に好適に使用される無電
解メッキ用触媒、およびこの触媒を使用した金属メッキ
により形成された無電解金属メッキ膜を用いる金属メッ
キパターンの形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、無電解メッキに用いられる無電解
メッキ用触媒としては、Ｐｄ金属からなるＰｄ触媒やＰ
ｔ金属からなるＰｔ触媒などが用いられていた。例え
ば、無電解メッキ用触媒としてＰｄ触媒である塩化第１
錫を使用し、エポキシ等の樹脂基板上に無電解メッキに
よって金属メッキ膜を形成する場合には、まず、塩化第
１錫溶液に基板を侵漬させて、基板上に塩化第１錫を付
与した後、塩化パラジウム溶液にその基板を侵漬させ
て、錫とパラジウムとをイオン交換させることにより基
板上の塩化第１錫を塩化パラジウムとさせ、その後、還
元性の溶液に浸漬させて基板上の塩化パラジウムをパラ
ジウムに還元させることで、金属パラジウムを基板上に
付与させ、続いて、この基板を無電解メッキ浴に侵漬さ
せることで、金属メッキ膜を形成させていた。
メッキ用触媒としては、Ｐｄ金属からなるＰｄ触媒やＰ
ｔ金属からなるＰｔ触媒などが用いられていた。例え
ば、無電解メッキ用触媒としてＰｄ触媒である塩化第１
錫を使用し、エポキシ等の樹脂基板上に無電解メッキに
よって金属メッキ膜を形成する場合には、まず、塩化第
１錫溶液に基板を侵漬させて、基板上に塩化第１錫を付
与した後、塩化パラジウム溶液にその基板を侵漬させ
て、錫とパラジウムとをイオン交換させることにより基
板上の塩化第１錫を塩化パラジウムとさせ、その後、還
元性の溶液に浸漬させて基板上の塩化パラジウムをパラ
ジウムに還元させることで、金属パラジウムを基板上に
付与させ、続いて、この基板を無電解メッキ浴に侵漬さ
せることで、金属メッキ膜を形成させていた。
【０００３】また、無電解メッキによって得られた金属
メッキ膜（以下、「無電解金属メッキ膜」という。）
を、金属配線、金属電極、あるいは電磁波シールド膜を
構成する所定の金属メッキパターンに形成する場合に
は、無電解金属メッキ膜上に所定パターンのレジスト膜
を形成させた後、無電解金属メッキ膜の不要部分をエッ
チング液によりエッチング除去させ、さらに、無電解金
属メッキ膜を形成する際に使用したＰｄ触媒の成分を専
用のＰｄ除去液に侵漬させて溶解除去させていた。
メッキ膜（以下、「無電解金属メッキ膜」という。）
を、金属配線、金属電極、あるいは電磁波シールド膜を
構成する所定の金属メッキパターンに形成する場合に
は、無電解金属メッキ膜上に所定パターンのレジスト膜
を形成させた後、無電解金属メッキ膜の不要部分をエッ
チング液によりエッチング除去させ、さらに、無電解金
属メッキ膜を形成する際に使用したＰｄ触媒の成分を専
用のＰｄ除去液に侵漬させて溶解除去させていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たように、無電解メッキ用触媒として、Ｐｄ触媒やＰｔ
触媒を使用した場合には、得られた無電解金属メッキ膜
をパターニングして金属メッキパターンを形成する工程
において、無電解金属メッキ膜のエッチング処理後に、
無電解金属メッキ膜を形成する際に使用した無電解メッ
キ用触媒の成分の除去を行う必要があるため、金属メッ
キパターンを形成する工程が煩雑であるという問題があ
った。しかし、無電解メッキ用触媒の成分の除去を行わ
ないと、無電解メッキ用触媒の成分に起因する絶縁性不
良やエレクトロマイグレーションが発生してしまうた
め、無電解メッキ用触媒の成分を除去する手間を省くこ
とにより、金属メッキパターンを形成する工程を簡素化
することはできなかった。
たように、無電解メッキ用触媒として、Ｐｄ触媒やＰｔ
触媒を使用した場合には、得られた無電解金属メッキ膜
をパターニングして金属メッキパターンを形成する工程
において、無電解金属メッキ膜のエッチング処理後に、
無電解金属メッキ膜を形成する際に使用した無電解メッ
キ用触媒の成分の除去を行う必要があるため、金属メッ
キパターンを形成する工程が煩雑であるという問題があ
った。しかし、無電解メッキ用触媒の成分の除去を行わ
ないと、無電解メッキ用触媒の成分に起因する絶縁性不
良やエレクトロマイグレーションが発生してしまうた
め、無電解メッキ用触媒の成分を除去する手間を省くこ
とにより、金属メッキパターンを形成する工程を簡素化
することはできなかった。
【０００５】また、無電解メッキ用触媒の成分を除去す
る際に、無電解メッキ用触媒の成分のみを除去すること
は困難であるため、無電解メッキ用触媒の成分を除去す
る際の条件によっては、金属メッキパターンを溶解させ
てしまったり、無電解メッキ用触媒の成分が十分に除去
されなかったりする場合があった。
る際に、無電解メッキ用触媒の成分のみを除去すること
は困難であるため、無電解メッキ用触媒の成分を除去す
る際の条件によっては、金属メッキパターンを溶解させ
てしまったり、無電解メッキ用触媒の成分が十分に除去
されなかったりする場合があった。
【０００６】本発明は、上記の事情を鑑みてなされたも
ので、無電解金属メッキ膜から金属メッキパターンを形
成する工程を従来と比較して簡素化することができ、無
電解金属メッキ膜から金属メッキパターンを形成する工
程において、無電解金属メッキ膜を形成する際に使用し
た無電解メッキ用触媒の成分を容易かつ十分に除去する
ことができ、しかも無電解金属メッキ膜を形成する際に
は十分な金属メッキ膜形成性が得られる無電解メッキ用
触媒を提供することを課題としている。また、エッチン
グ処理後に無電解メッキ用触媒の除去を行う必要がな
く、容易に金属メッキパターンを形成することができる
金属メッキパターンの形成方法を提供することを課題と
している。
ので、無電解金属メッキ膜から金属メッキパターンを形
成する工程を従来と比較して簡素化することができ、無
電解金属メッキ膜から金属メッキパターンを形成する工
程において、無電解金属メッキ膜を形成する際に使用し
た無電解メッキ用触媒の成分を容易かつ十分に除去する
ことができ、しかも無電解金属メッキ膜を形成する際に
は十分な金属メッキ膜形成性が得られる無電解メッキ用
触媒を提供することを課題としている。また、エッチン
グ処理後に無電解メッキ用触媒の除去を行う必要がな
く、容易に金属メッキパターンを形成することができる
金属メッキパターンの形成方法を提供することを課題と
している。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の無電解メッキ用触媒は、ＰｄとＰｔとから
なる第１群から選ばれる１種と、ＡｇとＣｕとからなる
第２群から選ばれる少なくとも１種との合金コロイドが
含まれていることを特徴とする。本発明の無電解メッキ
用触媒において、第１群から選ばれる１種と第２群から
選ばれる少なくとも１種とは、原子レベルで混在された
いわゆる合金コロイドの形態となっている。この合金コ
ロイドは、後述するように、金属メッキ膜のエッチング
液、例えば、過酸化水素などの酸化剤を含む硝酸、硫酸
などの無機酸や、蓚酸などの有機酸溶液に容易に溶解す
る。したがって、本発明の無電解メッキ用触媒を使用し
て得られた無電解金属メッキ膜を金属メッキパターンに
形成する場合には、無電解金属メッキ膜の不要部分をエ
ッチング液によりエッチング除去させる際に、無電解金
属メッキ膜をエッチングするエッチング液により、無電
解金属メッキ膜を形成する際に使用した無電解メッキ用
触媒の成分も溶解される。
に、本発明の無電解メッキ用触媒は、ＰｄとＰｔとから
なる第１群から選ばれる１種と、ＡｇとＣｕとからなる
第２群から選ばれる少なくとも１種との合金コロイドが
含まれていることを特徴とする。本発明の無電解メッキ
用触媒において、第１群から選ばれる１種と第２群から
選ばれる少なくとも１種とは、原子レベルで混在された
いわゆる合金コロイドの形態となっている。この合金コ
ロイドは、後述するように、金属メッキ膜のエッチング
液、例えば、過酸化水素などの酸化剤を含む硝酸、硫酸
などの無機酸や、蓚酸などの有機酸溶液に容易に溶解す
る。したがって、本発明の無電解メッキ用触媒を使用し
て得られた無電解金属メッキ膜を金属メッキパターンに
形成する場合には、無電解金属メッキ膜の不要部分をエ
ッチング液によりエッチング除去させる際に、無電解金
属メッキ膜をエッチングするエッチング液により、無電
解金属メッキ膜を形成する際に使用した無電解メッキ用
触媒の成分も溶解される。
【０００８】しかし、無電解メッキ用触媒が、第１群か
ら選ばれる１種と第２群から選ばれる少なくとも１種と
から構成されていたとしても、合金コロイドの形態とな
っていない場合、例えば、Ｐｄの金属コロイドあるいは
Ｐｔの金属コロイドと、Ａｇの金属コロイドあるいはＣ
ｕの金属コロイドとが単に混合されているものである場
合には、ＡｇやＣｕの金属コロイドは無電解金属メッキ
膜をエッチングするエッチング液に溶解するが、Ｐｄや
Ｐｔの金属コロイドは溶解しない。したがって、無電解
メッキ用触媒が、合金コロイドの形態となっていない場
合には、無電解メッキ用触媒を使用して得られた無電解
金属メッキ膜を金属メッキパターンに形成する際に、無
電解金属メッキ膜のエッチング処理後に改めてＰｄやＰ
ｔの金属コロイドの除去を行う必要がある。
ら選ばれる１種と第２群から選ばれる少なくとも１種と
から構成されていたとしても、合金コロイドの形態とな
っていない場合、例えば、Ｐｄの金属コロイドあるいは
Ｐｔの金属コロイドと、Ａｇの金属コロイドあるいはＣ
ｕの金属コロイドとが単に混合されているものである場
合には、ＡｇやＣｕの金属コロイドは無電解金属メッキ
膜をエッチングするエッチング液に溶解するが、Ｐｄや
Ｐｔの金属コロイドは溶解しない。したがって、無電解
メッキ用触媒が、合金コロイドの形態となっていない場
合には、無電解メッキ用触媒を使用して得られた無電解
金属メッキ膜を金属メッキパターンに形成する際に、無
電解金属メッキ膜のエッチング処理後に改めてＰｄやＰ
ｔの金属コロイドの除去を行う必要がある。
【０００９】これに対し、本発明の無電解メッキ用触媒
では、上述したように、第１群から選ばれる１種と第２
群から選ばれる少なくとも１種とが合金化された状態で
コロイド粒子となっているので、エッチング液に溶解し
やすい第２群（Ａｇ、Ｃｕ）がエッチング液に溶解する
と、結合を切られた第１群（Ｐｄ、Ｐｔ）がイオン化し
てエッチング液中に溶け出していく。このため、本発明
の無電解メッキ用触媒は、無電解金属メッキ膜をエッチ
ングする際に、エッチング液によって溶解され、エッチ
ング液とともに除去される。したがって、本発明の無電
解メッキ用触媒を用いて形成された無電解金属メッキ膜
からなる金属メッキパターン膜を形成する際には、無電
解金属メッキ膜のエッチング処理後に無電解メッキ用触
媒の成分の除去を行う必要がなく、無電解金属メッキ膜
から金属メッキパターンを形成する工程を従来と比較し
て簡素化することができる。
では、上述したように、第１群から選ばれる１種と第２
群から選ばれる少なくとも１種とが合金化された状態で
コロイド粒子となっているので、エッチング液に溶解し
やすい第２群（Ａｇ、Ｃｕ）がエッチング液に溶解する
と、結合を切られた第１群（Ｐｄ、Ｐｔ）がイオン化し
てエッチング液中に溶け出していく。このため、本発明
の無電解メッキ用触媒は、無電解金属メッキ膜をエッチ
ングする際に、エッチング液によって溶解され、エッチ
ング液とともに除去される。したがって、本発明の無電
解メッキ用触媒を用いて形成された無電解金属メッキ膜
からなる金属メッキパターン膜を形成する際には、無電
解金属メッキ膜のエッチング処理後に無電解メッキ用触
媒の成分の除去を行う必要がなく、無電解金属メッキ膜
から金属メッキパターンを形成する工程を従来と比較し
て簡素化することができる。
【００１０】また、本発明の無電解メッキ用触媒におい
ては、合金コロイドの粒径は１００ｎｍ以下であること
が好ましい。このような無電解メッキ用触媒とすること
で、無電解金属メッキ膜をエッチングするエッチング液
により一層溶解されやすいものとなり、この無電解メッ
キ用触媒を用いて形成された無電解金属メッキ膜からな
る金属メッキパターン膜を形成する際に、無電解メッキ
用触媒の成分がより一層効果的に除去されるものとな
る。
ては、合金コロイドの粒径は１００ｎｍ以下であること
が好ましい。このような無電解メッキ用触媒とすること
で、無電解金属メッキ膜をエッチングするエッチング液
により一層溶解されやすいものとなり、この無電解メッ
キ用触媒を用いて形成された無電解金属メッキ膜からな
る金属メッキパターン膜を形成する際に、無電解メッキ
用触媒の成分がより一層効果的に除去されるものとな
る。
【００１１】また、本発明の無電解メッキ用触媒におい
ては、前記合金コロイドの合計量に対する前記第２群の
量の割合が、４０〜９５重量％であることが望ましい。
具体的には、Ｐｄと、Ａｇとの合金コロイドである場合
には、前記合金コロイドの合計量に対するＡｇ量の割合
が、Ｐｄと、Ｃｕとの合金コロイドである場合には、前
記合金コロイドの合計量に対するＣｕ量の割合が、Ｐｄ
と、ＡｇとＣｕとの合金コロイドである場合には、前記
合金コロイドの合計量に対するＡｇとＣｕの合計量の割
合が、４０〜９５重量％であることが好ましい。Ｐｄの
変わりに、Ｐｔを用いた場合も同様である。このような
無電解メッキ用触媒とすることで、無電解メッキ用触媒
を用いて形成された無電解金属メッキ膜からなる金属メ
ッキパターン膜を形成する際に、無電解金属メッキ膜を
エッチングするエッチング液に溶解されやすく、無電解
メッキ用触媒の成分が容易に十分に除去され、なおか
つ、無電解金属メッキ膜を形成する際に、優れた金属メ
ッキ膜形成性が得られ、効率よく無電解金属メッキ膜を
形成することができる無電解メッキ用触媒とすることが
できる。
ては、前記合金コロイドの合計量に対する前記第２群の
量の割合が、４０〜９５重量％であることが望ましい。
具体的には、Ｐｄと、Ａｇとの合金コロイドである場合
には、前記合金コロイドの合計量に対するＡｇ量の割合
が、Ｐｄと、Ｃｕとの合金コロイドである場合には、前
記合金コロイドの合計量に対するＣｕ量の割合が、Ｐｄ
と、ＡｇとＣｕとの合金コロイドである場合には、前記
合金コロイドの合計量に対するＡｇとＣｕの合計量の割
合が、４０〜９５重量％であることが好ましい。Ｐｄの
変わりに、Ｐｔを用いた場合も同様である。このような
無電解メッキ用触媒とすることで、無電解メッキ用触媒
を用いて形成された無電解金属メッキ膜からなる金属メ
ッキパターン膜を形成する際に、無電解金属メッキ膜を
エッチングするエッチング液に溶解されやすく、無電解
メッキ用触媒の成分が容易に十分に除去され、なおか
つ、無電解金属メッキ膜を形成する際に、優れた金属メ
ッキ膜形成性が得られ、効率よく無電解金属メッキ膜を
形成することができる無電解メッキ用触媒とすることが
できる。
【００１２】また、上記課題を解決するために、本発明
の金属メッキパターンの形成方法は、上記のいずれかに
記載の無電解メッキ用触媒を使用した無電解メッキによ
り、基材上に無電解金属メッキ膜を形成し、前記無電解
金属メッキ膜上に、所定パターンのレジスト膜を形成し
た後、前記無電解金属メッキ膜の不要部分をエッチング
液によりエッチング除去するとともに、前記基材上に残
存する前記無電解メッキ用触媒の成分を前記エッチング
液により溶解除去することを特徴とする。このような金
属メッキパターンの形成方法においては、本発明の無電
解メッキ用触媒を使用した無電解メッキにより無電解金
属メッキ膜を形成しているので、前記無電解金属メッキ
膜を前記エッチング液によりエッチング除去するととも
に、無電解メッキ用触媒の成分を前記エッチング液によ
り溶解除去することができ、エッチング処理後に無電解
メッキ用触媒の除去を行う必要がなく、無電解金属メッ
キ膜から金属メッキパターンを形成する工程を従来と比
較して簡素化することができ、容易に金属メッキパター
ンを形成することができる。
の金属メッキパターンの形成方法は、上記のいずれかに
記載の無電解メッキ用触媒を使用した無電解メッキによ
り、基材上に無電解金属メッキ膜を形成し、前記無電解
金属メッキ膜上に、所定パターンのレジスト膜を形成し
た後、前記無電解金属メッキ膜の不要部分をエッチング
液によりエッチング除去するとともに、前記基材上に残
存する前記無電解メッキ用触媒の成分を前記エッチング
液により溶解除去することを特徴とする。このような金
属メッキパターンの形成方法においては、本発明の無電
解メッキ用触媒を使用した無電解メッキにより無電解金
属メッキ膜を形成しているので、前記無電解金属メッキ
膜を前記エッチング液によりエッチング除去するととも
に、無電解メッキ用触媒の成分を前記エッチング液によ
り溶解除去することができ、エッチング処理後に無電解
メッキ用触媒の除去を行う必要がなく、無電解金属メッ
キ膜から金属メッキパターンを形成する工程を従来と比
較して簡素化することができ、容易に金属メッキパター
ンを形成することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳しく説明する。
本実施の形態の無電解メッキ用触媒は、ＰｄとＰｔとか
らなる第１群から選ばれる１種と、ＡｇとＣｕとからな
る第２群から選ばれる少なくとも１種との合金コロイド
からなるものであり、
本実施の形態の無電解メッキ用触媒は、ＰｄとＰｔとか
らなる第１群から選ばれる１種と、ＡｇとＣｕとからな
る第２群から選ばれる少なくとも１種との合金コロイド
からなるものであり、
【課題を解決するための手段】において説明したよう
に、第１群から選ばれる１種と第２群から選ばれる少な
くとも１種とは、原子レベルで混在されたいわゆる合金
コロイドの形態となっている。この合金コロイドは、金
属メッキ膜のエッチング液、例えば、過酸化水素などの
酸化剤を含む硝酸、硫酸などの無機酸や、蓚酸などの有
機酸溶液に容易に溶解するものである。
に、第１群から選ばれる１種と第２群から選ばれる少な
くとも１種とは、原子レベルで混在されたいわゆる合金
コロイドの形態となっている。この合金コロイドは、金
属メッキ膜のエッチング液、例えば、過酸化水素などの
酸化剤を含む硝酸、硫酸などの無機酸や、蓚酸などの有
機酸溶液に容易に溶解するものである。
【００１４】合金コロイドの粒径は、１００ｎｍ以下が
好ましく、２０ｎｍ以下がさらに好ましい。合金コロイ
ドの粒径が１００ｎｍを超えると、エッチング液に対す
る溶解性が著しく低下してしまうため、合金コロイドが
エッチング処理後に残さとして残留し、エッチング処理
後にＰｄあるいはＰｔを溶解除去させる操作が必要とな
る場合があり好ましくない。
好ましく、２０ｎｍ以下がさらに好ましい。合金コロイ
ドの粒径が１００ｎｍを超えると、エッチング液に対す
る溶解性が著しく低下してしまうため、合金コロイドが
エッチング処理後に残さとして残留し、エッチング処理
後にＰｄあるいはＰｔを溶解除去させる操作が必要とな
る場合があり好ましくない。
【００１５】また、本実施の形態の無電解メッキ用触媒
においては、無電解メッキ時の触媒となる第１群（Ｐ
ｄ、Ｐｔ）と、第１群をイオン化してエッチング液中に
溶け出させるための第２群（Ａｇ、Ｃｕ）との含有量に
ついて、特に制限を加えるものではないが、合金コロイ
ドの合計量に対する前記第２群の量の割合が、４０〜９
５重量％であることが望ましい。具体的には、Ｐｄと、
Ａｇとの合金コロイドである場合には、前記合金コロイ
ドの合計量に対するＡｇ量の割合が、Ｐｄと、Ｃｕとの
合金コロイドである場合には、前記合金コロイドの合計
量に対するＣｕ量の割合が、Ｐｄと、ＡｇとＣｕとの合
金コロイドである場合には、前記合金コロイドの合計量
に対するＡｇとＣｕの合計量の割合が、４０〜９５重量
％であることが好ましい。Ｐｄの変わりに、Ｐｔを用い
た場合も同様である。
においては、無電解メッキ時の触媒となる第１群（Ｐ
ｄ、Ｐｔ）と、第１群をイオン化してエッチング液中に
溶け出させるための第２群（Ａｇ、Ｃｕ）との含有量に
ついて、特に制限を加えるものではないが、合金コロイ
ドの合計量に対する前記第２群の量の割合が、４０〜９
５重量％であることが望ましい。具体的には、Ｐｄと、
Ａｇとの合金コロイドである場合には、前記合金コロイ
ドの合計量に対するＡｇ量の割合が、Ｐｄと、Ｃｕとの
合金コロイドである場合には、前記合金コロイドの合計
量に対するＣｕ量の割合が、Ｐｄと、ＡｇとＣｕとの合
金コロイドである場合には、前記合金コロイドの合計量
に対するＡｇとＣｕの合計量の割合が、４０〜９５重量
％であることが好ましい。Ｐｄの変わりに、Ｐｔを用い
た場合も同様である。
【００１６】この比率が、９５重量％を超えると、無電
解メッキ時の触媒としての機能が低くなるので、無電解
メッキで無電解金属メッキ膜を形成させる際に長時間か
かってしまうため好ましくない。また、この比率が、４
０％未満では、エッチング液に対する溶解性が著しく低
下してしまい、コロイド粒子がエッチング操作後に残さ
として残留してしまうので、エッチング処理後にＰｄあ
るいはＰｔを溶解除去させる操作が必要となる場合があ
り好ましくない。
解メッキ時の触媒としての機能が低くなるので、無電解
メッキで無電解金属メッキ膜を形成させる際に長時間か
かってしまうため好ましくない。また、この比率が、４
０％未満では、エッチング液に対する溶解性が著しく低
下してしまい、コロイド粒子がエッチング操作後に残さ
として残留してしまうので、エッチング処理後にＰｄあ
るいはＰｔを溶解除去させる操作が必要となる場合があ
り好ましくない。
【００１７】このような合金コロイドは、ＰｄとＰｔと
からなる第１群から選ばれる１種と、ＡｇとＣｕとから
なる第２群から選ばれる少なくとも１種とを合金化させ
ることにより得られる。合金コロイドの合成方法として
は、第１群から選ばれる１種の金属元素を含む金属塩
と、第２群から選ばれる少なくとも１種の金属元素を含
む金属塩とを、コロイド保護剤の存在下で、還元剤で還
元して合金コロイドを析出させて合金コロイドを得る液
相還元法が例示できる。
からなる第１群から選ばれる１種と、ＡｇとＣｕとから
なる第２群から選ばれる少なくとも１種とを合金化させ
ることにより得られる。合金コロイドの合成方法として
は、第１群から選ばれる１種の金属元素を含む金属塩
と、第２群から選ばれる少なくとも１種の金属元素を含
む金属塩とを、コロイド保護剤の存在下で、還元剤で還
元して合金コロイドを析出させて合金コロイドを得る液
相還元法が例示できる。
【００１８】具体的には、第１群から選ばれる１種の金
属元素の金属塩を含む金属塩溶液と、第２群から選ばれ
る少なくとも１種の金属元素の金属塩を含む金属塩溶液
とを混合した後、コロイド保護剤を溶解させた溶液を加
え、混合均一化した後、所定の温度下で、還元剤を溶解
させた溶液と接触させることによって、溶液中に合金コ
ロイドを析出させて合金コロイドを製造することができ
る。
属元素の金属塩を含む金属塩溶液と、第２群から選ばれ
る少なくとも１種の金属元素の金属塩を含む金属塩溶液
とを混合した後、コロイド保護剤を溶解させた溶液を加
え、混合均一化した後、所定の温度下で、還元剤を溶解
させた溶液と接触させることによって、溶液中に合金コ
ロイドを析出させて合金コロイドを製造することができ
る。
【００１９】上記の金属塩としては、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａ
ｇ、Ｃｕの硝酸塩、亜硝酸塩、酢酸塩、亜硫酸塩などが
挙げられる。また、ここで使用されるコロイド保護剤と
しては、クエン酸ナトリウム、クエン酸カリウム、クエ
ン酸アンモニウムなどのヒドロキシルカルボン酸塩や、
ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリメ
チルビニルエーテル、ゼラチンなどの高分子などが挙げ
られる。還元剤としては、第１鉄塩や、水酸化硼素ナト
リウム、水酸化硼素カリウムなどの水酸化物や、ヒドラ
ジン、ホルムアルデヒド、あるいはアルコール類、グリ
コール類などが挙げられる。
ｇ、Ｃｕの硝酸塩、亜硝酸塩、酢酸塩、亜硫酸塩などが
挙げられる。また、ここで使用されるコロイド保護剤と
しては、クエン酸ナトリウム、クエン酸カリウム、クエ
ン酸アンモニウムなどのヒドロキシルカルボン酸塩や、
ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリメ
チルビニルエーテル、ゼラチンなどの高分子などが挙げ
られる。還元剤としては、第１鉄塩や、水酸化硼素ナト
リウム、水酸化硼素カリウムなどの水酸化物や、ヒドラ
ジン、ホルムアルデヒド、あるいはアルコール類、グリ
コール類などが挙げられる。
【００２０】また、このような２種以上の金属種を同時
に還元析出させて得られる合金コロイドの製造方法にお
いては、第１群から選ばれる１種の金属元素を含む金属
塩の還元反応速度と、第２群から選ばれる少なくとも１
種の金属元素を含む金属塩の還元反応速度とを同程度に
することが望ましい。上記の金属塩の還元反応速度は、
還元反応時の温度によって変化するものであり、第１群
から選ばれる１種の金属元素を含む金属塩の還元反応速
度と、第２群から選ばれる少なくとも１種の金属元素を
含む金属塩の還元反応速度とを同程度にするためには、
還元反応時の温度を２０℃以上とすることが望ましい。
また、より均一な合金コロイドを製造するためには、還
元反応時の温度を３０℃以上とするのが好ましい。さら
に好ましくは、還元反応時の温度を３０℃〜８０℃の範
囲とするのがよい。
に還元析出させて得られる合金コロイドの製造方法にお
いては、第１群から選ばれる１種の金属元素を含む金属
塩の還元反応速度と、第２群から選ばれる少なくとも１
種の金属元素を含む金属塩の還元反応速度とを同程度に
することが望ましい。上記の金属塩の還元反応速度は、
還元反応時の温度によって変化するものであり、第１群
から選ばれる１種の金属元素を含む金属塩の還元反応速
度と、第２群から選ばれる少なくとも１種の金属元素を
含む金属塩の還元反応速度とを同程度にするためには、
還元反応時の温度を２０℃以上とすることが望ましい。
また、より均一な合金コロイドを製造するためには、還
元反応時の温度を３０℃以上とするのが好ましい。さら
に好ましくは、還元反応時の温度を３０℃〜８０℃の範
囲とするのがよい。
【００２１】続いて、基板（特許請求の範囲における
「基材」に相当する。）上に、本発明の無電解メッキ用
触媒を用いて形成された無電解金属メッキ膜からなる金
属メッキパターン膜を形成する方法について例示する。
例えば、予め表面が粗化処理されたエポキシ等の樹脂基
板上に、本発明の無電解メッキ用触媒を分散させた液
を、スプレー、スピンコート、ディップコートやロール
コート等の方法によって塗布して付着させる。その後、
銅、ニッケル、銀、金などの所定の無電解メッキ浴に、
所定の時間浸漬させることで、樹脂基板上に無電解金属
メッキ膜を形成させる。なお、ここで使用される無電解
メッキ液の種類には何ら制限はなく、従来のＰｄ触媒あ
るいはＰｔ触媒で金属を析出可能な無電解メッキ液は全
て使用可能である。
「基材」に相当する。）上に、本発明の無電解メッキ用
触媒を用いて形成された無電解金属メッキ膜からなる金
属メッキパターン膜を形成する方法について例示する。
例えば、予め表面が粗化処理されたエポキシ等の樹脂基
板上に、本発明の無電解メッキ用触媒を分散させた液
を、スプレー、スピンコート、ディップコートやロール
コート等の方法によって塗布して付着させる。その後、
銅、ニッケル、銀、金などの所定の無電解メッキ浴に、
所定の時間浸漬させることで、樹脂基板上に無電解金属
メッキ膜を形成させる。なお、ここで使用される無電解
メッキ液の種類には何ら制限はなく、従来のＰｄ触媒あ
るいはＰｔ触媒で金属を析出可能な無電解メッキ液は全
て使用可能である。
【００２２】続いて、無電解金属メッキ膜が形成された
樹脂基板上に、所定パターンのレジスト膜を形成した
後、希硝酸溶液や過酸化水素などの酸化剤を含む蓚酸溶
液などの有機酸溶液等のエッチング液で、無電解金属メ
ッキ膜の不要部分をエッチング除去して金属メッキパタ
ーンを形成させるとともに、無電解金属メッキ膜がエッ
チング除去された部分の下の合金コロイドを溶解除去さ
せる。無電解メッキ用触媒の成分は、ここでのエッチン
グ処理の時間や温度を適切に制御することにより、完全
に除去することが可能である。
樹脂基板上に、所定パターンのレジスト膜を形成した
後、希硝酸溶液や過酸化水素などの酸化剤を含む蓚酸溶
液などの有機酸溶液等のエッチング液で、無電解金属メ
ッキ膜の不要部分をエッチング除去して金属メッキパタ
ーンを形成させるとともに、無電解金属メッキ膜がエッ
チング除去された部分の下の合金コロイドを溶解除去さ
せる。無電解メッキ用触媒の成分は、ここでのエッチン
グ処理の時間や温度を適切に制御することにより、完全
に除去することが可能である。
【００２３】よって、本実施形態の無電解メッキ用触媒
を用いて形成された無電解金属メッキ膜からなる金属メ
ッキパターン膜を形成する際には、無電解金属メッキ膜
のエッチング処理後に無電解メッキ用触媒の成分の除去
を行う必要がなく、無電解金属メッキ膜から金属メッキ
パターンを形成する工程を従来と比較して簡素化するこ
とができる。
を用いて形成された無電解金属メッキ膜からなる金属メ
ッキパターン膜を形成する際には、無電解金属メッキ膜
のエッチング処理後に無電解メッキ用触媒の成分の除去
を行う必要がなく、無電解金属メッキ膜から金属メッキ
パターンを形成する工程を従来と比較して簡素化するこ
とができる。
【００２４】「実施例」以下、基板上に、無電解メッキ
用触媒を用いて無電解金属メッキ膜を形成し、得られた
無電解金属メッキ膜をエッチング除去した場合の試験例
を挙げて説明する。なお、以下の試験例１〜試験例６の
うち、試験例１〜試験例４は、本発明の無電解メッキ用
触媒を用いた場合の例であり、試験例５および試験例６
は、従来の無電解メッキ用触媒を用いた場合の例であ
る。
用触媒を用いて無電解金属メッキ膜を形成し、得られた
無電解金属メッキ膜をエッチング除去した場合の試験例
を挙げて説明する。なお、以下の試験例１〜試験例６の
うち、試験例１〜試験例４は、本発明の無電解メッキ用
触媒を用いた場合の例であり、試験例５および試験例６
は、従来の無電解メッキ用触媒を用いた場合の例であ
る。
【００２５】（試験例１）表面が粗化処理されたアクリ
ルエポキシ樹脂基板(表面粗さＲａ＝０．３μｍ)上に、
平均粒子径が１０ｎｍのＰｄ−Ａｇ合金コロイド（Ａｇ
／（Ｐｄ＋Ａｇ）＝９５／１００重量比）の０．５重量
％の水分散液を、スピンコートにより２００ｒｐｍ−３
０秒の条件で塗布し、６０℃で乾燥後、銅の無電解メッ
キ液（奥野製薬株式会社製ＯＲＣ−７００無電解銅Ｍ）
浴に２３℃で４０分浸漬させて、基板上に銅メッキ膜を
形成させた。得られた銅メッキ膜の厚みを重量法により
測定した。その結果、銅メッキ膜の厚みは、０．９２μ
ｍであった。
ルエポキシ樹脂基板(表面粗さＲａ＝０．３μｍ)上に、
平均粒子径が１０ｎｍのＰｄ−Ａｇ合金コロイド（Ａｇ
／（Ｐｄ＋Ａｇ）＝９５／１００重量比）の０．５重量
％の水分散液を、スピンコートにより２００ｒｐｍ−３
０秒の条件で塗布し、６０℃で乾燥後、銅の無電解メッ
キ液（奥野製薬株式会社製ＯＲＣ−７００無電解銅Ｍ）
浴に２３℃で４０分浸漬させて、基板上に銅メッキ膜を
形成させた。得られた銅メッキ膜の厚みを重量法により
測定した。その結果、銅メッキ膜の厚みは、０．９２μ
ｍであった。
【００２６】その後、銅メッキ膜上にエッチング液（水
に、３５％過酸化水素水３１ｇと、硫酸２００ｇと、微
量の海面活性剤とを加え、１０００ｇとしたもの）をス
プレー法（スプレー圧０．９ｋｇ／ｃｍ2、温度３０
℃、スプレー時間１００秒）で吹き付けて、銅メッキ膜
をエッチング除去させた。そして、エッチング除去され
た基板を希王水中で煮沸し、基板上に残留する金属成分
を溶解させた溶液について、原子吸光法でＰｄ成分の分
析を行なった。その結果、基板上のＰｄ残量は、０．０
１μｇ／ｃｍ2であった。
に、３５％過酸化水素水３１ｇと、硫酸２００ｇと、微
量の海面活性剤とを加え、１０００ｇとしたもの）をス
プレー法（スプレー圧０．９ｋｇ／ｃｍ2、温度３０
℃、スプレー時間１００秒）で吹き付けて、銅メッキ膜
をエッチング除去させた。そして、エッチング除去され
た基板を希王水中で煮沸し、基板上に残留する金属成分
を溶解させた溶液について、原子吸光法でＰｄ成分の分
析を行なった。その結果、基板上のＰｄ残量は、０．０
１μｇ／ｃｍ2であった。
【００２７】（試験例２）試験例１と同様の基板上に、
平均粒子径が１０ｎｍのＰｄ−Ａｇ合金コロイド（Ａｇ
／（Ｐｄ＋Ａｇ）＝７０／１００重量比）の０．５重量
％の水分散液を用い、試験例１と同様にして銅メッキ膜
を形成させ、試験例１と同様にして厚みを測定した。そ
の結果、銅メッキ膜の厚みは、１．０７μｍであった。
その後、試験例１と同様にして、銅メッキ膜をエッチン
グ除去し、試験例１と同様にしてＰｄ成分の分析を行な
った。その結果、基板上のＰｄ残量は、０．０１μｇ／
ｃｍ2であった。
平均粒子径が１０ｎｍのＰｄ−Ａｇ合金コロイド（Ａｇ
／（Ｐｄ＋Ａｇ）＝７０／１００重量比）の０．５重量
％の水分散液を用い、試験例１と同様にして銅メッキ膜
を形成させ、試験例１と同様にして厚みを測定した。そ
の結果、銅メッキ膜の厚みは、１．０７μｍであった。
その後、試験例１と同様にして、銅メッキ膜をエッチン
グ除去し、試験例１と同様にしてＰｄ成分の分析を行な
った。その結果、基板上のＰｄ残量は、０．０１μｇ／
ｃｍ2であった。
【００２８】（試験例３）試験例１と同様の基板上に、
平均粒子径が１０ｎｍのＰｄ−Ａｇ合金コロイド（Ａｇ
／（Ｐｄ＋Ａｇ）＝４０／１００重量比）の０．５重量
％の水分散液を用い、試験例１と同様にして銅メッキ膜
を形成させ、試験例１と同様にして厚みを測定した。そ
の結果、銅メッキ膜の厚みは、１．１５μｍであった。
その後、銅メッキ膜上に試験例１と同様のエッチング液
をスプレー法（スプレー圧０．９ｋｇ／ｃｍ2、温度３
０℃、スプレー時間３００秒）で吹き付けて、銅メッキ
膜をエッチング除去し、試験例１と同様にしてＰｄ成分
の分析を行なった。その結果、基板上のＰｄ残量は、
０．０３μｇ／ｃｍ2であった。
平均粒子径が１０ｎｍのＰｄ−Ａｇ合金コロイド（Ａｇ
／（Ｐｄ＋Ａｇ）＝４０／１００重量比）の０．５重量
％の水分散液を用い、試験例１と同様にして銅メッキ膜
を形成させ、試験例１と同様にして厚みを測定した。そ
の結果、銅メッキ膜の厚みは、１．１５μｍであった。
その後、銅メッキ膜上に試験例１と同様のエッチング液
をスプレー法（スプレー圧０．９ｋｇ／ｃｍ2、温度３
０℃、スプレー時間３００秒）で吹き付けて、銅メッキ
膜をエッチング除去し、試験例１と同様にしてＰｄ成分
の分析を行なった。その結果、基板上のＰｄ残量は、
０．０３μｇ／ｃｍ2であった。
【００２９】（試験例４）試験例１と同様の基板上に、
平均粒子径が１０ｎｍのＰｄ−Ｃｕ合金コロイド（Ｃｕ
／（Ｐｄ＋Ｃｕ）＝７０／１００重量比）の０．５重量
％の水分散液を用い、試験例１と同様にして銅メッキ膜
を形成させ、試験例１と同様にして厚みを測定した。そ
の結果、銅メッキ膜の厚みは、１．１１μｍであった。
その後、試験例１と同様にして、銅メッキ膜をエッチン
グ除去し、試験例１と同様にしてＰｄ成分の分析を行な
った。その結果、基板上のＰｄ残量は、０．０１μｇ／
ｃｍ2であった。
平均粒子径が１０ｎｍのＰｄ−Ｃｕ合金コロイド（Ｃｕ
／（Ｐｄ＋Ｃｕ）＝７０／１００重量比）の０．５重量
％の水分散液を用い、試験例１と同様にして銅メッキ膜
を形成させ、試験例１と同様にして厚みを測定した。そ
の結果、銅メッキ膜の厚みは、１．１１μｍであった。
その後、試験例１と同様にして、銅メッキ膜をエッチン
グ除去し、試験例１と同様にしてＰｄ成分の分析を行な
った。その結果、基板上のＰｄ残量は、０．０１μｇ／
ｃｍ2であった。
【００３０】（試験例５）試験例１と同様の基板上に、
平均粒子径が７ｎｍのＰｄコロイドの０．５重量％の水
分散液を用い、試験例１と同様にして銅メッキ膜を形成
させ、試験例１と同様にして厚みを測定した。その結
果、銅メッキ膜の厚みは、１．１８μｍであった。その
後、試験例３と同様にして、銅メッキ膜をエッチング除
去し、試験例１と同様にしてＰｄ成分の分析を行なっ
た。その結果、基板上のＰｄ残量は、５８μｇ／ｃｍ2
であった。
平均粒子径が７ｎｍのＰｄコロイドの０．５重量％の水
分散液を用い、試験例１と同様にして銅メッキ膜を形成
させ、試験例１と同様にして厚みを測定した。その結
果、銅メッキ膜の厚みは、１．１８μｍであった。その
後、試験例３と同様にして、銅メッキ膜をエッチング除
去し、試験例１と同様にしてＰｄ成分の分析を行なっ
た。その結果、基板上のＰｄ残量は、５８μｇ／ｃｍ2
であった。
【００３１】（試験例６）試験例１と同様の基板上を、
塩化第一錫溶液（奥野製薬株式会社製 ＯＰＣ−ＳＡ
Ｌ：１８０ｇ／ｌ、３５％ＨＣｌ３０ｍｌ／ｌ）に侵漬
後、引き続き、塩化パラジウム溶液（奥野製薬株式会社
製 ＯＰＣ−８０：５０ｍｌ／ｌ、ＯＰＣ−ＳＡＬ：２
６０ｇ／ｌ）に侵漬後、パラジウム還元液（奥野製薬株
式会社製 ＯＰＣアクセレーター ＭＸ−１：１００ｍ
ｌ／ｌ）に侵漬させて基板上に金属パラジウムを付着さ
せた。この基板を試験例１と同様に、銅の無電解メッキ
液（奥野製薬株式会社製 ＯＰＣ−７００無電解銅Ｍ）
浴に２３℃で４０分侵漬させて、基板上に銅メッキ膜を
形成させ、試験例１と同様にして厚みを測定した。その
結果、銅メッキ膜の厚みは、１．１５μｍであった。そ
の後、試験例３と同様にして、銅メッキ膜をエッチング
除去し、試験例１と同様にしてＰｄ成分の分析を行なっ
た。その結果、基板上のＰｄ残量は、７４μｇ／ｃｍ2
であった。
塩化第一錫溶液（奥野製薬株式会社製 ＯＰＣ−ＳＡ
Ｌ：１８０ｇ／ｌ、３５％ＨＣｌ３０ｍｌ／ｌ）に侵漬
後、引き続き、塩化パラジウム溶液（奥野製薬株式会社
製 ＯＰＣ−８０：５０ｍｌ／ｌ、ＯＰＣ−ＳＡＬ：２
６０ｇ／ｌ）に侵漬後、パラジウム還元液（奥野製薬株
式会社製 ＯＰＣアクセレーター ＭＸ−１：１００ｍ
ｌ／ｌ）に侵漬させて基板上に金属パラジウムを付着さ
せた。この基板を試験例１と同様に、銅の無電解メッキ
液（奥野製薬株式会社製 ＯＰＣ−７００無電解銅Ｍ）
浴に２３℃で４０分侵漬させて、基板上に銅メッキ膜を
形成させ、試験例１と同様にして厚みを測定した。その
結果、銅メッキ膜の厚みは、１．１５μｍであった。そ
の後、試験例３と同様にして、銅メッキ膜をエッチング
除去し、試験例１と同様にしてＰｄ成分の分析を行なっ
た。その結果、基板上のＰｄ残量は、７４μｇ／ｃｍ2
であった。
【００３２】上述したように、銅メッキ膜をエッチング
除去した後のＰｄ触媒の残量は、試験例１〜４では、
０．０１〜０．０３μｇ／ｃｍ2であり、、Ｐｄ触媒が
エレクトロマイグレーションを起こす限界値である０．
６μｇ／ｃｍ2に比べ十分に小さな値であった。一方、
Ｐｄ触媒の残量は、試験例５では、５８μｇ／ｃｍ2、
試験例６では、７４μｇ／ｃｍ2であり、このままでは
使用できないものであった。
除去した後のＰｄ触媒の残量は、試験例１〜４では、
０．０１〜０．０３μｇ／ｃｍ2であり、、Ｐｄ触媒が
エレクトロマイグレーションを起こす限界値である０．
６μｇ／ｃｍ2に比べ十分に小さな値であった。一方、
Ｐｄ触媒の残量は、試験例５では、５８μｇ／ｃｍ2、
試験例６では、７４μｇ／ｃｍ2であり、このままでは
使用できないものであった。
【００３３】また、銅メッキ膜の厚みは、試験例１〜４
では、０．９２〜１．１５μｍであり、試験例５では、
１．１８μｍ、試験例６では、１．１５μｍであり、本
発明の無電解メッキ用触媒は、試験例５および試験例６
で使用した従来の無電解メッキ用触媒と比較して、遜色
ない金属メッキ膜形成性が得られることが確認できた。
では、０．９２〜１．１５μｍであり、試験例５では、
１．１８μｍ、試験例６では、１．１５μｍであり、本
発明の無電解メッキ用触媒は、試験例５および試験例６
で使用した従来の無電解メッキ用触媒と比較して、遜色
ない金属メッキ膜形成性が得られることが確認できた。
【００３４】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明の
無電解メッキ用触媒を用いて形成された無電解金属メッ
キ膜からなる金属メッキパターン膜を形成する際には、
無電解金属メッキ膜のエッチング処理後に無電解メッキ
用触媒の成分の除去を行う必要がなく、無電解金属メッ
キ膜から金属メッキパターンを形成する工程を従来と比
較して簡素化することができる。また、本発明の金属メ
ッキパターンの形成方法においては、本発明の無電解メ
ッキ用触媒を使用した無電解メッキにより形成された無
電解金属メッキ膜を用いているので、無電解金属メッキ
膜をエッチング液によりエッチング除去するとともに、
無電解メッキ用触媒の成分を前記エッチング液により溶
解除去することができる。
無電解メッキ用触媒を用いて形成された無電解金属メッ
キ膜からなる金属メッキパターン膜を形成する際には、
無電解金属メッキ膜のエッチング処理後に無電解メッキ
用触媒の成分の除去を行う必要がなく、無電解金属メッ
キ膜から金属メッキパターンを形成する工程を従来と比
較して簡素化することができる。また、本発明の金属メ
ッキパターンの形成方法においては、本発明の無電解メ
ッキ用触媒を使用した無電解メッキにより形成された無
電解金属メッキ膜を用いているので、無電解金属メッキ
膜をエッチング液によりエッチング除去するとともに、
無電解メッキ用触媒の成分を前記エッチング液により溶
解除去することができる。
Claims (4)
- 【請求項１】 ＰｄとＰｔとからなる第１群から選ば
れる１種と、 ＡｇとＣｕとからなる第２群から選ばれる少なくとも１
種との合金コロイドが含まれていることを特徴とする無
電解メッキ用触媒。 - 【請求項２】 前記合金コロイドの粒径が、１００ｎ
ｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の無電解
メッキ用触媒。 - 【請求項３】 前記合金コロイドの合計量に対する前
記第２群の量の割合が、４０〜９５重量％であることを
特徴とする請求項１または請求項２に記載の無電解メッ
キ用触媒。 - 【請求項４】 請求項１ないし請求項５のいずれか一
項に記載の無電解メッキ用触媒を使用した無電解メッキ
により、基材上に無電解金属メッキ膜を形成し、 前記無電解金属メッキ膜上に、所定パターンのレジスト
膜を形成した後、前記無電解金属メッキ膜の不要部分を
エッチング液によりエッチング除去するとともに、前記
基材上に残存する前記無電解メッキ用触媒の成分を前記
エッチング液により溶解除去することを特徴とする金属
メッキパターンの形成方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001358158A JP3964189B2 (ja) | 2001-11-22 | 2001-11-22 | 無電解メッキ用触媒および金属メッキパターンの形成方法 |
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| JP2001358158A JP3964189B2 (ja) | 2001-11-22 | 2001-11-22 | 無電解メッキ用触媒および金属メッキパターンの形成方法 |
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|---|---|
| JP2003160876A true JP2003160876A (ja) | 2003-06-06 |
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