JPH07183335A - 二層ｔａｂの製造方法 - Google Patents
二層ｔａｂの製造方法Info
- Publication number
- JPH07183335A JPH07183335A JP32295593A JP32295593A JPH07183335A JP H07183335 A JPH07183335 A JP H07183335A JP 32295593 A JP32295593 A JP 32295593A JP 32295593 A JP32295593 A JP 32295593A JP H07183335 A JPH07183335 A JP H07183335A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- metal fine
- fine particles
- metal
- electroless plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 下地金属層の溶解除去の工程のない二層
ＴＡＢの製造方法の改良法の提供を目的とする。 【構成】 絶縁体フィルムの表面を親水化し、その
表面にパラジウム等の触媒活性の高い活性金属微粒子を
付与して基板を作成し、この基板に感光性レジストを塗
布し、露光し、現像して所望の配線パターンを形成して
前記活性金属微粒子を露出させ、基板をｐＨ１３以下の
還元剤溶液に浸漬し、次いで無電解めっき法、要すれば
引き続き電気めっき法により電気回路を形成し、次いで
レジスト層を除去し、露出した活性金属微粒子を絶縁体
フイルムと共にソフトエッチングして除去して二層ＴＡ
Ｂをえる。 【効果】 断線などの不良も激減し歩留まりの大き
な向上が期待でき、また微細部分や複雑形状表面への無
電解めっきの着き回りや均一析出性の高さから極めてフ
ァインな配線パターンの二層ＴＡＢ作製が可能となる。
ＴＡＢの製造方法の改良法の提供を目的とする。 【構成】 絶縁体フィルムの表面を親水化し、その
表面にパラジウム等の触媒活性の高い活性金属微粒子を
付与して基板を作成し、この基板に感光性レジストを塗
布し、露光し、現像して所望の配線パターンを形成して
前記活性金属微粒子を露出させ、基板をｐＨ１３以下の
還元剤溶液に浸漬し、次いで無電解めっき法、要すれば
引き続き電気めっき法により電気回路を形成し、次いで
レジスト層を除去し、露出した活性金属微粒子を絶縁体
フイルムと共にソフトエッチングして除去して二層ＴＡ
Ｂをえる。 【効果】 断線などの不良も激減し歩留まりの大き
な向上が期待でき、また微細部分や複雑形状表面への無
電解めっきの着き回りや均一析出性の高さから極めてフ
ァインな配線パターンの二層ＴＡＢ作製が可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＬＳＩ等の実装用に用い
られる二層ＴＡＢの製造方法に関する。
られる二層ＴＡＢの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ等の実装用として用いられる二層
ＴＡＢは、下記の配線パターン形成工程を有する製造工
程により作製されるのが一般的である。
ＴＡＢは、下記の配線パターン形成工程を有する製造工
程により作製されるのが一般的である。
【０００３】（ａ）絶縁体フィルムの任意の面にスパッ
タリング法などの乾式法、または無電解めっきあるいは
無電解めっき後電解めっきを施すことにより下地金属層
を形成して基板を得、（ｂ）この基板の下地金属層の表
面にレジスト層を設け、（ｃ）レジスト層の上に所望の
配線パターンの露光マスクを用いて密接、又は近接、あ
るいは投影露光をし、現像して所望のレジストパターン
を得、（ｄ）露出した金属層上に電気めっきを施して所
望の厚さの金属層を施し、配線パターン前形体を形成
し、（ｅ）レジスト層を除去し、（ｆ）下地金属層を除
去する。
タリング法などの乾式法、または無電解めっきあるいは
無電解めっき後電解めっきを施すことにより下地金属層
を形成して基板を得、（ｂ）この基板の下地金属層の表
面にレジスト層を設け、（ｃ）レジスト層の上に所望の
配線パターンの露光マスクを用いて密接、又は近接、あ
るいは投影露光をし、現像して所望のレジストパターン
を得、（ｄ）露出した金属層上に電気めっきを施して所
望の厚さの金属層を施し、配線パターン前形体を形成
し、（ｅ）レジスト層を除去し、（ｆ）下地金属層を除
去する。
【０００４】以上の工程では、絶縁体フィルム表面に下
地金属層を設けて基板としているので、工程（ｅ）を終
えた基板は配線パターン前形体以外の場所に不要な下地
金属層が残存した状態となる。よって、配線の短絡を回
避し、電気的に独立した配線パターンを確保する為には
この下地金属層を溶解除去する工程（ｆ）が不可欠とな
る。
地金属層を設けて基板としているので、工程（ｅ）を終
えた基板は配線パターン前形体以外の場所に不要な下地
金属層が残存した状態となる。よって、配線の短絡を回
避し、電気的に独立した配線パターンを確保する為には
この下地金属層を溶解除去する工程（ｆ）が不可欠とな
る。
【０００５】この工程（ｆ）では、下地金属層のみなら
ず配線パターン前形体も同時に部分的に溶解され、形状
の劣化、寸法安定性及び精度の低下、断線などが発生し
やすい。このため工程（ｆ）は、不良率を上げる要因の
一つとなっている。
ず配線パターン前形体も同時に部分的に溶解され、形状
の劣化、寸法安定性及び精度の低下、断線などが発生し
やすい。このため工程（ｆ）は、不良率を上げる要因の
一つとなっている。
【０００６】近年、配線パターンのインナーリード部
は、ＬＳＩなどの高集積化に追従して急激な多ピン化、
狭ピッチ化の傾向にある。そのため、前記した工程
（ｆ）は多ピン化、狭ピッチ化へのより大きな障害とな
っている。
は、ＬＳＩなどの高集積化に追従して急激な多ピン化、
狭ピッチ化の傾向にある。そのため、前記した工程
（ｆ）は多ピン化、狭ピッチ化へのより大きな障害とな
っている。
【０００７】そこで、上記の問題を解消すべく下地金属
層の溶解除去の工程のない二層ＴＡＢの製造方法が検討
されている。この方法は、絶縁体フィルムの表面を親水
化し、その表面にパラジウム等の触媒活性の高い活性金
属微粒子を付与し、次いで感光性レジストを塗布し、露
光し、現像して所望の配線パターンを形成して前記活性
金属微粒子を露出させ、それを核として無電解めっき法
により電気回路を形成し、次いでレジスト層を除去し、
露出した活性金属微粒子を絶縁体フイルムと共にソフト
エッチングして除去するといったものであった。この方
法によれば下地金属層の溶解除去なる工程が削除され、
結果として前述した諸問題は解消された。
層の溶解除去の工程のない二層ＴＡＢの製造方法が検討
されている。この方法は、絶縁体フィルムの表面を親水
化し、その表面にパラジウム等の触媒活性の高い活性金
属微粒子を付与し、次いで感光性レジストを塗布し、露
光し、現像して所望の配線パターンを形成して前記活性
金属微粒子を露出させ、それを核として無電解めっき法
により電気回路を形成し、次いでレジスト層を除去し、
露出した活性金属微粒子を絶縁体フイルムと共にソフト
エッチングして除去するといったものであった。この方
法によれば下地金属層の溶解除去なる工程が削除され、
結果として前述した諸問題は解消された。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、感光性
レジストによる配線パターンの形成後に無電解めっき液
に浸漬し、配線部分にメタライジングした後のめっき表
面には、通常の無電解めっきに比べてピットやスキップ
などのめっき被膜の薄い部分や、未析出部分が多く生じ
る場合が少なくなかった。
レジストによる配線パターンの形成後に無電解めっき液
に浸漬し、配線部分にメタライジングした後のめっき表
面には、通常の無電解めっきに比べてピットやスキップ
などのめっき被膜の薄い部分や、未析出部分が多く生じ
る場合が少なくなかった。
【０００９】これは、活性金属微粒子の表面活性が低下
し、無電解めっき時の金属未析出部分を発生させるため
である。活性金属微粒子の表面活性の低下は、この活性
金属微粒子の付与後、無電解めっき工程に至るまでのい
くつかの工程で生じる。このような工程として、例えば
レジスト塗布前、レジスト塗布後、レジスト現像後の３
つの乾燥工程がある。これらの工程では活性金属微粒子
の表面が酸化されるからである。また、活性金属微粒子
がレジストや、レジストの現像液に直接的に接触するこ
とにより、その表面活性度が低下することもある。
し、無電解めっき時の金属未析出部分を発生させるため
である。活性金属微粒子の表面活性の低下は、この活性
金属微粒子の付与後、無電解めっき工程に至るまでのい
くつかの工程で生じる。このような工程として、例えば
レジスト塗布前、レジスト塗布後、レジスト現像後の３
つの乾燥工程がある。これらの工程では活性金属微粒子
の表面が酸化されるからである。また、活性金属微粒子
がレジストや、レジストの現像液に直接的に接触するこ
とにより、その表面活性度が低下することもある。
【００１０】本発明は上記状況を考慮してなされたもの
であり、前記活性金属微粒子上へのめっき金属の析出を
より完全なものとする二層ＴＡＢの製造工程の提供にあ
る。
であり、前記活性金属微粒子上へのめっき金属の析出を
より完全なものとする二層ＴＡＢの製造工程の提供にあ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者は上記課題を解
決すべく、種々の検討を試みた結果、ある種の還元性剤
を無電解めっき前に活性金属微粒子と接触させること
で、低下した表面触媒活性度を再び高めることが可能で
あることを見出だし本発明に至った。
決すべく、種々の検討を試みた結果、ある種の還元性剤
を無電解めっき前に活性金属微粒子と接触させること
で、低下した表面触媒活性度を再び高めることが可能で
あることを見出だし本発明に至った。
【００１２】すなわち、上記課題を解決するための本発
明の方法は、無電解めっき液に浸漬してメタライジング
する工程の直前に、基板をｐＨ１３以下の還元剤溶液に
浸漬して金属微粒子表面を活性化させるものである。
明の方法は、無電解めっき液に浸漬してメタライジング
する工程の直前に、基板をｐＨ１３以下の還元剤溶液に
浸漬して金属微粒子表面を活性化させるものである。
【００１３】本発明の還元剤溶液に使用できる還元剤は
次亜リン酸塩、ヒドラジンや硫酸ヒドラジンなどのヒド
ラジン類、硫酸ヒドロキシルアミンや塩酸ヒドロキシル
アミンなどのヒドロキシルアミン類、ジメチルアミンボ
ランなどの水素化ホウ素化合物、アスコルビン酸、ある
いは塩化すずや三塩化チタンなどの還元性金属塩水溶液
などが使用できる。
次亜リン酸塩、ヒドラジンや硫酸ヒドラジンなどのヒド
ラジン類、硫酸ヒドロキシルアミンや塩酸ヒドロキシル
アミンなどのヒドロキシルアミン類、ジメチルアミンボ
ランなどの水素化ホウ素化合物、アスコルビン酸、ある
いは塩化すずや三塩化チタンなどの還元性金属塩水溶液
などが使用できる。
【００１４】本発明に用いる活性金属種としては、無電
解めっき液の系において添加される錯体化された金属イ
オン種より電位的に貴であれば良い。具体的には金、白
金、銀、パラジウムなどである。しかし、簡便さを考慮
すれば触媒付与液として広く市販されているパラジウム
溶液を用いることが好ましい。
解めっき液の系において添加される錯体化された金属イ
オン種より電位的に貴であれば良い。具体的には金、白
金、銀、パラジウムなどである。しかし、簡便さを考慮
すれば触媒付与液として広く市販されているパラジウム
溶液を用いることが好ましい。
【００１５】また、本発明において使用する無電解めっ
き液の種類は、触媒層として触媒活性金属種を用いてい
るので、めっき液に含まれる金属イオンの種類が金、
銀、白金、パラジウム、銅、ニッケル、コバルト、クロ
ムなどの自己触媒性を有するものであり、ヒドラジン、
ホスフィン酸ナトリウム、ホルマリンなどの還元剤によ
り還元され金属析出する還元析出型が適している。
き液の種類は、触媒層として触媒活性金属種を用いてい
るので、めっき液に含まれる金属イオンの種類が金、
銀、白金、パラジウム、銅、ニッケル、コバルト、クロ
ムなどの自己触媒性を有するものであり、ヒドラジン、
ホスフィン酸ナトリウム、ホルマリンなどの還元剤によ
り還元され金属析出する還元析出型が適している。
【００１６】
【作用】本発明によれば、金属微粒子層を設けた絶縁体
フィルムを基板とし、該金属微粒子層の表面にレジスト
層を形成し、以後、従来法に従い所望の配線レジストパ
ターンを設ければ該金属微粒子層が露出する。露出した
該金属微粒子層を還元性溶液に浸漬、接触させることで
不活性化した該金属微粒子層の表面を再活性化すること
が可能となる。引く続いて所望の金属塩を含む無電解め
っき液を用いて金属薄膜層を形成すれば、所望の配線パ
ターン下にのみ従来の下地金属層と同様の役割をする金
属薄膜層を設けることができる。
フィルムを基板とし、該金属微粒子層の表面にレジスト
層を形成し、以後、従来法に従い所望の配線レジストパ
ターンを設ければ該金属微粒子層が露出する。露出した
該金属微粒子層を還元性溶液に浸漬、接触させることで
不活性化した該金属微粒子層の表面を再活性化すること
が可能となる。引く続いて所望の金属塩を含む無電解め
っき液を用いて金属薄膜層を形成すれば、所望の配線パ
ターン下にのみ従来の下地金属層と同様の役割をする金
属薄膜層を設けることができる。
【００１７】以後、従来法に従って該金属薄膜層上に無
電解めっき、あるいは電気めっきを施して金属層を形成
し、レジストを剥離し、残存する不要な触媒層を除去す
れば、得られる配線パターンの断線といった不良の原因
は解消され得る、といった大きな効果が得られる。
電解めっき、あるいは電気めっきを施して金属層を形成
し、レジストを剥離し、残存する不要な触媒層を除去す
れば、得られる配線パターンの断線といった不良の原因
は解消され得る、といった大きな効果が得られる。
【００１８】なお、本発明の方法において、還元剤溶液
のｐＨを１３以下とするのは、露出している絶縁体フィ
ルム表面、すなわち金属微粒子が担持されている絶縁体
フィルムの表面層を侵さないようにするためである。
のｐＨを１３以下とするのは、露出している絶縁体フィ
ルム表面、すなわち金属微粒子が担持されている絶縁体
フィルムの表面層を侵さないようにするためである。
【００１９】
【実施例】次に本発明の実施例について述べる。
【００２０】（実施例１）厚さ５０ミクロンのポリイミ
ドフィルム（東レ・デュポン社製 製品名「カプトン２
００Ｖ」）の両面を、通常の強アルカリ性のエッチング
溶液にてソフトエッチングした。次いで、希塩酸溶液に
浸漬して基板表面を中和した。次いでキャタライジング
液、アクセレーティング液（共に奥野製薬製）に浸漬
し、ポリイミドフィルム表面に触媒核としてのパラジウ
ムを付与し、その後これを乾燥し、基板とした。
ドフィルム（東レ・デュポン社製 製品名「カプトン２
００Ｖ」）の両面を、通常の強アルカリ性のエッチング
溶液にてソフトエッチングした。次いで、希塩酸溶液に
浸漬して基板表面を中和した。次いでキャタライジング
液、アクセレーティング液（共に奥野製薬製）に浸漬
し、ポリイミドフィルム表面に触媒核としてのパラジウ
ムを付与し、その後これを乾燥し、基板とした。
【００２１】次ぎに、基板の両面に富士薬品工業製フォ
トレジストＦＳＲ−Ｓを塗布し各３０ミクロンのフォト
レジスト膜を形成した。その後、フォトマスクを使用し
て４８ｍｍ幅テープが縦に２列、計４ピースのＴＣＰパ
ターンに対して配線リードパターンと、ＶＩＡホールパ
ターン形成用金属マスクパターンの２つのパターンのマ
スクをそれぞれ両面のフォトレジスト層（第１面に配線
リードパターンと電気めっきの際の引き込み線、第２面
にＶＩＡホールパターン）に密接し、１回目の両面露光
を露光量８００ｍＪ／ｃｍ2で行った。次に、ＦＳＲ現
像液、ＦＳＲリンス（共に富士薬品工業製）を原液のま
ま室温にて用いてレジスト膜を現像してパターンを形成
した。
トレジストＦＳＲ−Ｓを塗布し各３０ミクロンのフォト
レジスト膜を形成した。その後、フォトマスクを使用し
て４８ｍｍ幅テープが縦に２列、計４ピースのＴＣＰパ
ターンに対して配線リードパターンと、ＶＩＡホールパ
ターン形成用金属マスクパターンの２つのパターンのマ
スクをそれぞれ両面のフォトレジスト層（第１面に配線
リードパターンと電気めっきの際の引き込み線、第２面
にＶＩＡホールパターン）に密接し、１回目の両面露光
を露光量８００ｍＪ／ｃｍ2で行った。次に、ＦＳＲ現
像液、ＦＳＲリンス（共に富士薬品工業製）を原液のま
ま室温にて用いてレジスト膜を現像してパターンを形成
した。
【００２２】引き続き、基板を０．０５モル／リットル
の次亜リン酸ナトリウム溶液に５分間浸漬し、次いで水
洗した後に、硫酸銅、ＥＤＴＡなどを含む一般的な無電
解銅めっき液に１０分間浸漬した。そして露出している
ポリイミドフィルム面に、下地金属層としての無電解銅
めっき被膜を析出させた。その後、セミアディティブ法
により第１面に配線リードを、第２面にＶＩＡホール形
成用金属マスクを形成した。この際、硫酸銅、硫酸系の
一般的な液組成の銅めっき液を用いた。また、電解条件
も室温にて電流密度が２Ａ／ｄｍ2とごく一般的な条件
で行った。
の次亜リン酸ナトリウム溶液に５分間浸漬し、次いで水
洗した後に、硫酸銅、ＥＤＴＡなどを含む一般的な無電
解銅めっき液に１０分間浸漬した。そして露出している
ポリイミドフィルム面に、下地金属層としての無電解銅
めっき被膜を析出させた。その後、セミアディティブ法
により第１面に配線リードを、第２面にＶＩＡホール形
成用金属マスクを形成した。この際、硫酸銅、硫酸系の
一般的な液組成の銅めっき液を用いた。また、電解条件
も室温にて電流密度が２Ａ／ｄｍ2とごく一般的な条件
で行った。
【００２３】引き続き、両表面にあるフォトレジストを
ＦＳＲ剥離液（富士薬品工業製）にて除去し、第１面全
面を覆う形でＦＳＲ（富士薬品工業製）を塗布して２０
ミクロンの厚さの保護レジスト層を形成し、次いで第２
面に露出するポリイミド部分を、一般に使用されている
強アルカリ性エッチング液にてエッチングしてＶＩＡホ
ール孔を形成した。
ＦＳＲ剥離液（富士薬品工業製）にて除去し、第１面全
面を覆う形でＦＳＲ（富士薬品工業製）を塗布して２０
ミクロンの厚さの保護レジスト層を形成し、次いで第２
面に露出するポリイミド部分を、一般に使用されている
強アルカリ性エッチング液にてエッチングしてＶＩＡホ
ール孔を形成した。
【００２４】次いで、前述の無電解めっき液を用いて第
２面のＶＩＡホール孔壁面部を含む基板全面に銅被膜を
形成し、引き続きこの被膜の上に厚さ１５ミクロンの電
気銅めっき層を設けた。
２面のＶＩＡホール孔壁面部を含む基板全面に銅被膜を
形成し、引き続きこの被膜の上に厚さ１５ミクロンの電
気銅めっき層を設けた。
【００２５】次いで第２面の銅被膜表面に東京応化工業
製フォトレジストＰＭＥＲを塗布して厚さ１５ミクロン
のレジスト膜を形成し、１回目の露光で使用したものと
同じサイズのガラスマスクを用いて、露光・現像を行
い、デバイスホールやアウタリードホールなどのグラウ
ンド形状にパターン化した。そして、このパターンをエ
ッチングマスクとして第２面に露出している金属層及び
第１面の金属層とを常法に従い溶解除去した。
製フォトレジストＰＭＥＲを塗布して厚さ１５ミクロン
のレジスト膜を形成し、１回目の露光で使用したものと
同じサイズのガラスマスクを用いて、露光・現像を行
い、デバイスホールやアウタリードホールなどのグラウ
ンド形状にパターン化した。そして、このパターンをエ
ッチングマスクとして第２面に露出している金属層及び
第１面の金属層とを常法に従い溶解除去した。
【００２６】次ぎに、第２面上のフォトレジストを除去
し、得られた第２面のグラウンド金属層をエッチングマ
スクとしてポリイミドフィルムを強アルカリエッチング
液にてエッチングし、次いで前述したＦＳＲ剥離液にて
第１面の保護レジストを除去した。その後、配線リード
を独立させるためにパンチングを行った。次に強アルカ
リエッチング液を用いたソフトエッチングにより、第１
面の露出したポリイミドフィルム上に存在する触媒金属
層を除去した。
し、得られた第２面のグラウンド金属層をエッチングマ
スクとしてポリイミドフィルムを強アルカリエッチング
液にてエッチングし、次いで前述したＦＳＲ剥離液にて
第１面の保護レジストを除去した。その後、配線リード
を独立させるためにパンチングを行った。次に強アルカ
リエッチング液を用いたソフトエッチングにより、第１
面の露出したポリイミドフィルム上に存在する触媒金属
層を除去した。
【００２７】最後に、第１面の配線リード部に表面処理
を行って、絶縁体層の両面に金属層を有する二層ＴＡＢ
を得た。
を行って、絶縁体層の両面に金属層を有する二層ＴＡＢ
を得た。
【００２８】得られた二層ＴＡＢは周波数１ＧHz以上の
高速信号を処理可能な高速ＩＣの実装用として実用に足
るものであった。
高速信号を処理可能な高速ＩＣの実装用として実用に足
るものであった。
【００２９】なお、基板を得るための本実施例以外の方
法としては以下のようなものが検討されている。
法としては以下のようなものが検討されている。
【００３０】(ア)ポリアミック酸に金属微粒子を分散さ
せ絶縁体であるポリイミド表面上に塗布し、イミド化
し、その表面を強アルカリ性水溶液にてソフトエッチン
グし、担持させた金属微粒子を一部露出させて触媒とす
る。
せ絶縁体であるポリイミド表面上に塗布し、イミド化
し、その表面を強アルカリ性水溶液にてソフトエッチン
グし、担持させた金属微粒子を一部露出させて触媒とす
る。
【００３１】(イ)ポリイミド表面上にポリアミック酸を
塗布し、その表面に金属微粒子をサンドブラストの要領
で吹き付けた後にポリアミック酸の層をイミド化させ無
電解めっきの触媒層とする。
塗布し、その表面に金属微粒子をサンドブラストの要領
で吹き付けた後にポリアミック酸の層をイミド化させ無
電解めっきの触媒層とする。
【００３２】本発明の方法においては配線レジストパタ
ーンを設ける際に、活性金属微粒子層が実質的に除去さ
れないことが必要である。使用するレジストの種類は、
現像に際して活性金属微粒子を逆に担持して脱離させる
ものは不適である。例えば、ｐＨ１３．５以下の有機弱
アルカリ性あるいは無機弱アルカリ性の現像液を用いる
場合、適用できるレジストにはアクリル系樹脂、ノボラ
ック系樹脂がある。また、有機中性型の現像液を用いる
場合、適用できるレジストにはゴム系樹脂等がある。
ーンを設ける際に、活性金属微粒子層が実質的に除去さ
れないことが必要である。使用するレジストの種類は、
現像に際して活性金属微粒子を逆に担持して脱離させる
ものは不適である。例えば、ｐＨ１３．５以下の有機弱
アルカリ性あるいは無機弱アルカリ性の現像液を用いる
場合、適用できるレジストにはアクリル系樹脂、ノボラ
ック系樹脂がある。また、有機中性型の現像液を用いる
場合、適用できるレジストにはゴム系樹脂等がある。
【００３３】なお、現像時に活性金属微粒子を脱離させ
ることも防止しなければならないが、これを満足させる
現像方法・現像条件は、活性金属微粒子が吸着している
絶縁体表面層の状態により、限定できない。よって、予
備実験により予め求めておくことが好ましい。
ることも防止しなければならないが、これを満足させる
現像方法・現像条件は、活性金属微粒子が吸着している
絶縁体表面層の状態により、限定できない。よって、予
備実験により予め求めておくことが好ましい。
【００３４】本発明の方法では配線パターン以外の部分
に残存する不要な触媒層を、二層ＴＡＢの電気的信頼性
を確実にするために除去することが必要である。本実施
は例では絶縁体表面を親水化するために使用した強アル
カリエッチング液を用いたが、ｐＨ１３．５以下のアル
カリ水溶液を用いてソフトエッチングしてやれば良い。
に残存する不要な触媒層を、二層ＴＡＢの電気的信頼性
を確実にするために除去することが必要である。本実施
は例では絶縁体表面を親水化するために使用した強アル
カリエッチング液を用いたが、ｐＨ１３．５以下のアル
カリ水溶液を用いてソフトエッチングしてやれば良い。
【００３５】なお、本実施例は、ポリイミドフィルムの
両面に金属層を有する二層ＴＡＢについての例である
が、ポリイミドフィルムの片面にのみ配線リードを有す
る二層ＴＡＢについても本発明は適用されるものであ
る。
両面に金属層を有する二層ＴＡＢについての例である
が、ポリイミドフィルムの片面にのみ配線リードを有す
る二層ＴＡＢについても本発明は適用されるものであ
る。
【００３６】
【発明の効果】以上述べたように本発明は、表面活性度
の低下した触媒金属微粒子を希硫酸や希塩酸などの酸溶
液に接触させることで再活性化させるため、無電解めっ
きの析出不良を解消しうるものとなった。よって断線な
どの不良も激減し歩留まりの大きな向上が期待でき、ま
た微細部分や複雑形状表面への無電解めっきの着き回り
や均一析出性の高さから極めてファインな配線パターン
の二層ＴＡＢ作製が可能となる。
の低下した触媒金属微粒子を希硫酸や希塩酸などの酸溶
液に接触させることで再活性化させるため、無電解めっ
きの析出不良を解消しうるものとなった。よって断線な
どの不良も激減し歩留まりの大きな向上が期待でき、ま
た微細部分や複雑形状表面への無電解めっきの着き回り
や均一析出性の高さから極めてファインな配線パターン
の二層ＴＡＢ作製が可能となる。
Claims (6)
- 【請求項１】 絶縁体フィルムの表面を親水化し、そ
の表面にパラジウム等の触媒活性の高い活性金属微粒子
を付与して基板を作成し、この基板に感光性レジストを
塗布し、露光し、現像して所望の配線パターンを形成し
て前記活性金属微粒子を露出させ、それを核として無電
解めっき法、要すれば引き続き電気めっき法により電気
回路を形成し、次いでレジスト層を除去し、露出した活
性金属微粒子を絶縁体フイルムと共にソフトエッチング
して除去して二層ＴＡＢをえる方法において、パターン
形成後で、無電解めっきをする直前に、基板をｐＨ１３
以下の還元剤溶液に浸漬して金属微粒子表面を活性化さ
せることを特徴とする二層ＴＡＢの製造方法。 - 【請求項２】 還元剤として次亜リン酸塩、ヒドラジ
ンや硫酸ヒドラジンなどのヒドラジン類、硫酸ヒドロキ
シルアミンや塩酸ヒドロキシルアミンなどのヒドロキシ
ルアミン類、ジメチルアミンボランなどの水素化ホウ素
化合物、アスコルビン酸、あるいは塩化すずや三塩化チ
タンなどの少なくともいずれか一つを用いることを特徴
とする請求項１記載の二層ＴＡＢの製造方法。 - 【請求項３】 前記活性金属微粒子の金属種が、無電
解めっき液の系において添加される錯体化された金属イ
オン種より電位的に貴であることを特徴とする請求項１
又は２記載の二層ＴＡＢの製造方法。 - 【請求項４】 前記活性金属微粒子の金属種が金、白
金、銀、パラジウムの少なくともいずれか１種であるこ
とを特徴とする請求項１〜３記載のいずれかの二層ＴＡ
Ｂの製造方法。 - 【請求項５】 無電解めっき液に含まれる金属イオン
の種類が金、銀、白金、パラジウム、銅、ニッケル、コ
バルト、クロムなどの自己触媒性を有するものであり、
ヒドラジン、ホスフィン酸ナトリウム、ホルマリンなど
の還元剤により還元され金属析出する還元析出型のもの
であることを特徴とする請求項１〜４記載のいずれかの
二層ＴＡＢの製造方法。 - 【請求項６】 前記活性金属微粒子表面に塗布するレ
ジストが少なくともアクリル系樹脂、ゴム系樹脂、ノボ
ラック系樹脂に類する内の一種であり、レジストパター
ンを設ける際に適用する現像方法がｐＨ１３．５以下の
有機系あるいは無機系現像液を用いることを特徴とする
請求項１〜５記載の二層ＴＡＢの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32295593A JPH07183335A (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | 二層ｔａｂの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32295593A JPH07183335A (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | 二層ｔａｂの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07183335A true JPH07183335A (ja) | 1995-07-21 |
Family
ID=18149511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32295593A Pending JPH07183335A (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | 二層ｔａｂの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07183335A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001335951A (ja) * | 2000-05-26 | 2001-12-07 | Murata Mfg Co Ltd | 導体の形成方法および電子部品 |
| JP2003160876A (ja) * | 2001-11-22 | 2003-06-06 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 無電解メッキ用触媒および金属メッキパターンの形成方法 |
-
1993
- 1993-12-22 JP JP32295593A patent/JPH07183335A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001335951A (ja) * | 2000-05-26 | 2001-12-07 | Murata Mfg Co Ltd | 導体の形成方法および電子部品 |
| JP2003160876A (ja) * | 2001-11-22 | 2003-06-06 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 無電解メッキ用触媒および金属メッキパターンの形成方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5380560A (en) | Palladium sulfate solution for the selective seeding of the metal interconnections on polyimide dielectrics for electroless metal deposition | |
| US5158860A (en) | Selective metallization process | |
| US5167992A (en) | Selective electroless plating process for metal conductors | |
| JPH047117B2 (ja) | ||
| JPH0455553B2 (ja) | ||
| US5043244A (en) | Process for defined etching of substrates | |
| US7338752B2 (en) | Method for forming metal pattern and electromagnetic interference filter using pattern formed by the method | |
| JPH10135607A (ja) | 配線基板及びその製造方法 | |
| TW200407057A (en) | Method for the manufacture of printed circuit boards with integral plated resistors | |
| JP2881871B2 (ja) | 光ディスクの原盤作成方法 | |
| JP2003160876A (ja) | 無電解メッキ用触媒および金属メッキパターンの形成方法 | |
| JPH07183335A (ja) | 二層ｔａｂの製造方法 | |
| JPH048958B2 (ja) | ||
| JP3125838B2 (ja) | ２層フレキシブル基板の製造方法 | |
| JPH07201929A (ja) | ２層ｔａｂの製造方法 | |
| JP2000336486A (ja) | 触媒核が付与された基体、基体への触媒化処理方法及び無電解めっき方法 | |
| JPH0669289A (ja) | ２層ｔａｂの製造方法 | |
| JPH06256960A (ja) | 銅被覆アラミド基板の製造方法 | |
| JP3121421B2 (ja) | 非導電性物質のメッキ方法 | |
| JPH07202382A (ja) | 導体層パターンの形成方法 | |
| JP2000151077A (ja) | 高密度配線基板の製造方法 | |
| JP2513158B2 (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| JPH09137277A (ja) | 無電解めっき液、無電解めっき方法およびプリント配線板の製造方法 | |
| JPH1060661A (ja) | ２層フレキシブル基板の製造方法 | |
| JPH06232220A (ja) | ２ 層 ｔ ａ ｂ の 製 造 方 法 |