JP2001335951A - 導体の形成方法および電子部品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】高アスペクト比で高周波特性の良好な導体を形
成可能な無電解めっき法を用いた導体の形成方法を提供
する。 【解決手段】基板上に光活性化触媒液からなる感光膜を
形成する第一の工程と、感光膜に光を照射して光活性化
触媒を活性化し、金属触媒を析出させる第二の工程と、
金属触媒の析出した基板上に感光性樹脂膜を形成する第
三の工程と、感光性樹脂膜に選択的に光を照射した後、
現像により開口部を設けて金属触媒の析出した基板の一
部を露出させ、熱硬化させる第四の工程と、開口部内の
金属触媒上に無電解めっきを施す第五の工程とを有する
導体の形成方法を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、無電解めっき法を
用いた電子部品の導体形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年の通信機器の小型化や高周波化を達
成するためには、電子部品に形成される導体に関して微
細化、高密度化が望まれている。すなわち、導体は幅が
狭く厚さが厚い高アスペクト比を有し、かつ、導体間の
間隔が短いことが望ましい。また、ロスが少ない高周波
特性の良好な導体を得るためには、導体のエッジはなる
べく直角に近いことが望まれる。このような導体のファ
インライン（高アスペクト比のライン）を形成する方法
のひとつとして無電解めっき法が用いられる。

【０００３】従来より、無電解めっき法を用いた導体の
形成方法として、フルアディティブ法が主に用いられて
きた。フルアディティブ法の一般的な手法は、次のよう
な工程に従う。まず基板を例えば塩化すずと塩化パラジ
ウムを含む触媒液に浸漬して、基板上に無電解めっきの
触媒核である、すず−パラジウムヒドロゾルコロイドを
吸着させる。次に、基板上に感光性樹脂膜を形成し、選
択的に光を照射して硬化させた後、有機溶剤を用いた現
像によって感光性樹脂膜に所定のパターンの開口部を形
成し、触媒核の一部を露出させる。最後に、硬化した感
光性樹脂膜をレジストとして前記開口部に無電解めっき
法を用いて導体を形成した後、感光性樹脂膜を除去す
る。

【０００４】ところで、前記感光性樹脂膜の現像には有
機溶剤を用いて現像（光による硬化処理を施していない
部分を有機溶剤で溶解除去する）する方法に代わりアル
カリ現像液を使用する方法がしばしば用いられるように
なってきた。アルカリ現像液を用いた現像は有機溶剤の
現像とは違って、水洗が可能で処理が容易なことや安価
なこと等のメリットを有する。このようなアルカリ現像
液を用いた現像が可能な感光性樹脂膜には、フェノール
系樹脂やエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等がある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記アルカリ
現像液を用いた無電解めっき法には次のような問題が生
じる。すなわち、アルカリ現像可能なエポキシ樹脂等の
感光性樹脂は、基板との密着力が大きいという特質を有
している。一方、従来の無電解めっき法における触媒核
のすず−パラジウムヒドロゾルコロイドは、基板に吸着
しているのみで基板との結合力が弱かった。したがっ
て、基板上に触媒核が吸着している上から感光性樹脂膜
を形成し、アルカリ現像液を用いた現像により開口部を
形成すると、樹脂の除去と同時に触媒核が大部分離脱し
てしまい、その結果、後の無電解めっき工程において導
体となるべき金属めっき層の析出がほとんどできないと
いう問題があった。

【０００６】一方、無電解めっき法における触媒とし
て、前記すず−パラジウムヒドロゾルコロイドに代わっ
て光活性化触媒を用いる方法がある。光活性化触媒を用
いた無電解めっきの一般的な手法は、次のような工程に
従う。まず、基板に光活性化触媒液よりなる感光膜を形
成し、フォトマスク等を用いて所望のパターンに光を照
射することで照射部分の感光膜を活性化させ金属触媒を
析出させる。活性化のメカニズムは、光の照射によって
基板から放出された電子を光活性化触媒が捕捉し、金属
触媒が析出するというものである。最後に基板を無電解
めっき液に浸漬し無電解めっきを行うと、基板の金属触
媒析出部分に金属めっき層が析出する。

【０００７】この光活性化触媒を用いた手法では、基板
から放出された電子を光活性化触媒が捕捉することによ
って基板と強固に結合した金属触媒を析出させることが
できるため、金属触媒の上からアルカリ現像可能な感光
性樹脂膜を形成し、アルカリ現像により樹脂のパターニ
ングを行っても、樹脂の除去と同時に触媒が容易に離脱
することない。したがって、後に行う無電解めっき工程
において、導体となるべき金属めっき層を十分に析出さ
せることができる。

【０００８】しかし、光活性化触媒を用いた無電解めっ
きには次のような問題がある。すなわち、光活性化触媒
を用いた無電解めっきを行う際には、上述のようにフォ
トマスク等を用いて所望のパターンに光を照射し、照射
部分の感光膜に金属触媒を析出させ、該金属触媒析出部
分に無電解めっき層を析出させる（特開平９−１１１４
６３、特開平９−２７２９８０、特開平１０−２９８７
７０）。しかし、これらの手法ではレジストを用いずに
無電解めっき層を析出させるため、導体のファインライ
ンを形成する場合、導体めっき層を厚く形成しようとす
ると、導体のエッジ部分が崩れやすく、高周波特性が良
好で高アスペクト比の導体を形成するのが困難となる。

【０００９】本発明の導体の形成方法は、上述の問題を
鑑みてなされたものであり、これらの問題を解決し、高
アスペクト比で高周波特性の良好な導体を形成可能な無
電解めっき法を用いた導体の形成方法を提供することを
目的としている。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の導体の形成方法は、触媒として光活性化触媒を
用い、さらにレジストを用いて無電解めっきを行う。こ
のように、レジストを用いて無電解めっきを行うため、
導体のファインラインを形成する場合に導体めっき層を
厚く形成しても導体のエッジ部分が崩れることがなく、
高アスペクト比で高周波特性が良好な導体の形成が可能
になる。

【００１１】また、光活性化触媒を用いることで基板と
強固に結合した金属触媒を析出させることができるた
め、レジストとしてアルカリ現像が可能な感光性樹脂膜
を用いた場合であっても、樹脂の除去と同時に触媒が容
易に離脱することはない。したがって、後に行う無電解
めっき工程において、導体となるべき金属めっき層を十
分に析出させることができる。

【００１２】本発明の請求項１は、基板上に光活性化触
媒液からなる感光膜を形成する第一の工程と、感光膜に
光を照射して光活性化触媒を活性化し、金属触媒を析出
させる第二の工程と、金属触媒の析出した基板上に感光
性樹脂膜を形成する第三の工程と、感光性樹脂膜に選択
的に光を照射した後、現像により開口部を設けて金属触
媒の析出した基板の一部を露出させる、開口部を有する
樹脂膜を形成する第四の工程と、開口部内の金属触媒上
に無電解めっきを施す第五の工程とを有する導体の形成
方法を提供する。

【００１３】上述のように、本発明では無電解めっきの
触媒として光活性化触媒を用いるため、触媒は基板と強
固に結合している。したがって、感光性樹脂膜に光を照
射した後開口部を設ける際に現像や水洗を十分に行って
も触媒が離脱することもなく金属めっき層を十分に析出
させることができる。またレジストがある状態で金属め
っきを行うことで、導体のエッジが直角に近い高アスペ
クト比のファインラインが実現できる。また、必要に応
じて、開口部を有する樹脂膜を除去することなく永久レ
ジストとして用いることもできる。その場合には導体を
より安定に保つことができる。

【００１４】本発明の請求項２は、基板上に光活性化触
媒液からなる感光膜を形成する第一の工程と、感光膜に
選択的に光を照射して光活性化触媒を活性化することに
より、照射部分に金属触媒を析出させる第二の工程と、
金属触媒の析出した基板上に感光性樹脂膜を形成する第
三の工程と、感光性樹脂膜に選択的に光を照射した後、
現像により開口部を設けて基板の金属触媒析出部分を露
出させる、開口部を有する樹脂膜を形成する第四の工程
と、開口部内の金属触媒上に無電解めっきを施す第五の
工程とを有する導体の形成方法を提供する。

【００１５】光活性化触媒はフォトマスク等を使用した
選択的な活性化が可能であるため、無電解めっきにより
導体を形成すべき部分の触媒のみを活性化させることが
できる。そうすることで、樹脂膜の開口部にめっきを行
う際には、めっきレジストとして残されている樹脂膜と
基板との間には活性化した触媒が存在しないこととなる
ため、樹脂膜の下部を通じて金属めっき層が成長し導体
が電気的に短絡する恐れがなくなる。

【００１６】本発明の請求項３は、基板上に感光性樹脂
膜を形成する第一の工程と、感光性樹脂膜に選択的に光
を照射した後、現像により開口部を設ける、開口部を有
する樹脂膜を形成する第二の工程と、開口部を有する樹
脂膜を含む前記基板上に光活性化触媒液からなる感光膜
を形成する第三の工程と、開口部の底部および側部に形
成された感光膜に選択的に光を照射して、光活性化触媒
を活性化することにより照射部分に金属触媒を析出させ
る第四の工程と、開口部内の金属触媒上に無電解めっき
を施す第五の工程とを有することを特徴とする導体の形
成方法を提供する。

【００１７】このように、まず基板上に感光性樹脂膜を
形成して、現像により開口部を設けた後、その上から感
光膜を形成し、開口部に選択的に光を照射して金属触媒
を析出させれば、基板上に金属触媒を析出させた後に感
光性樹脂膜を形成し開口部を設ける場合にありうる金属
触媒の、除去される樹脂膜との同時離脱の可能性を完全
に防ぐことができる。

【００１８】本発明の請求項４は、基板上に感光性樹脂
膜を形成する第一の工程と、感光性樹脂膜に選択的に光
を照射した後、現像により開口部を設ける、開口部を有
する樹脂膜を形成する第二の工程と、開口部を有する樹
脂膜を含む前記基板上に光活性化触媒液からなる感光膜
を形成する第三の工程と、開口部の底部および側部に形
成された感光膜に選択的に光を照射するとともに、開口
部外に形成された感光膜の少なくとも一部に選択的に光
を照射して、光活性化触媒を活性化し、照射部分に金属
触媒を析出させる第四の工程と、前記開口部内および開
口部外の金属触媒上に無電解めっきを施す第五の工程と
を有する導体の形成方法を提供する。

【００１９】このように、樹脂膜に形成された開口部外
の部分の光活性化触媒を活性化させて金属触媒を析出さ
せれば、開口部内だけでなく周りの樹脂膜上にも無電解
めっき層からなる導体ラインを形成することができるよ
うになる。また、開口部内に形成された導体ラインと樹
脂膜上に形成された導体ラインとを組み合わせることに
よって、立体的な導体ラインの形成が可能になる。

【００２０】上記感光性樹脂膜がアルカリ現像液で現像
可能な樹脂膜である場合、本発明は特に有利に適用でき
る。、上述のように、本発明では無電解めっきの触媒と
して光活性化触媒を用いるため、触媒は基板と強固に結
合しており、感光性樹脂に開口部を設ける際に同時に触
媒が離脱することもほとんどないためである。またこの
ようにアルカリ現像液で現像可能な樹脂膜としては、エ
ポキシ樹脂膜やポリイミド樹脂膜、フェノール系樹脂膜
等を用いることができる。

【００２１】また、上記のような導体の形成方法を用い
て導体を形成する工程と、前記導体を含む基板上に感光
性樹脂膜を形成し、基板を平坦化する工程と、前記耐熱
性絶縁樹脂膜にビアホールを設け、ビアホール内にビア
ホール導体を形成する工程と、を繰り返して導体を多層
化することで、多層配線基板を形成することも可能であ
る。

【００２２】上記のような導体の形成方法は、感光性樹
脂膜を最終工程において除去することなく永久レジスト
として用いる場合、この感光性樹脂膜はビルドアップ法
により多層配線を形成する場合の導体間の絶縁層として
そのまま利用することができる。すなわち、本発明では
導体間にはすでに耐熱性絶縁樹脂膜が存在しているた
め、導体間を耐熱性絶縁樹脂膜で埋める工程が省略で
き、導体層上に形成する絶縁層の平坦化が容易になる。

【００２３】また、上記のような導体の形成方法は電子
部品の導体形成に適用することができ、これらの導体は
非常に微細で高密度化されていることから、特に高周波
用の電子部品の導体形成に適している。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例である導体
の形成方法を、図１〜６に基づいて説明する。 （実施例１）本発明の第１の実施例を図１を用いて説明
する。まず、セラミック基板１１の表面に、乳酸銅、乳
酸亜鉛、塩化パラジウムを含むアンモニア水溶液からな
る光活性化触媒液を塗布して感光膜１４を形成する（図
１（ａ））。次いで、エキシマランプを用いて波長１７
２ｎｍの光を基板全面に照射し感光膜を活性化させ、基
板全面にパラジウム触媒１５を析出させる（図１
（ｂ））。次に、パラジウム触媒１５の析出した基板上
に感光性を有するポリイミド樹脂塗料（東レ BG2480）
をスピンコーティングにより塗布、９０℃で加熱乾燥
し、感光性のポリイミド樹脂膜１６を形成する（図１
（ｃ））。続いて、フォトマスク１９を介して紫外線を
露光後（図１（ｄ））、市販のアルカリ現像液（東レ
DV-605ジメチルアセトアミド）により現像を行ってポリ
イミド樹脂膜１６の一部を除去し、ポリイミド樹脂膜１
６にの開口部１７を形成、基板の一部を露出させる（図
１（ｅ））。ポリイミドを加熱硬化の後、残っている樹
脂膜の幅が２５μｍ／開口部幅が２５μｍ、深さが２５
μｍであることが確認できた。最後に銅、ＥＤＴＡ、ホ
ルマリンを含む無電解めっき浴に基板を６時間浸漬し、
開口部１７に無電解銅めっき層１８を形成することによ
って導体が完成する（図１（ｆ））。完成後の導体の断
面を観察したところ、ライン／スペース＝２５μｍ／２
５μｍ、厚み２０μｍの導体であることが確認できた。

【００２５】本発明では無電解めっきの触媒として光活
性化触媒を用いるため、析出したパラジウム触媒は基板
と強固に結合している。したがって、ポリイミド樹脂膜
の一部を除去する際に十分な現像や水洗を行ってもパラ
ジウム触媒が離脱することがなく、微細な開口部におい
ても金属めっき層を十分に析出させることができる。

【００２６】また、このように、本実施例ではポリイミ
ド樹脂膜１６の開口部１７にめっき層１８を形成するた
め、ポリイミド樹脂膜１６がめっきレジストとしての役
割を果たし、めっき層のエッジ部分が崩れるのを防ぐこ
とができる。したがって、導体損失の少ない高アスペク
ト比の導体を形成することが可能となり、電子部品の回
路の集積度を向上させることができる。また、ポリイミ
ド樹脂膜を最終工程において除去することなく永久レジ
ストとして用いるため、本実施例のように高アスペクト
比の導体であっても安定して保持することができる。一
方、アスペクト比の大きさ次第で導体の保持が可能であ
るのならば、ポリイミド樹脂膜を最終工程において除去
してもよい。

【００２７】さらに、本実施例に続いて導体および導体
間のポリイミド樹脂膜を覆うように別のポリイミド樹脂
膜を形成する工程、別のポリイミド樹脂膜にスルーホー
ル導体を形成する工程、無電解めっきにより導体を形成
する工程を繰り返すことにより、多層配線基板を形成す
ることも可能になる。

【００２８】（実施例２）別の実施例を図２、３を用い
て説明する。まず、ガラスエポキシ基板２１の表面に、
平坦化用材料としてエポキシ樹脂塗料（シプレイ ＸＰ
−９５００）をスピンコーティングにより塗布、１６０
℃で加熱硬化し、膜厚２０μｍの第１のエポキシ樹脂膜
２２を形成する（図２（ａ））。次に、基板を過マンガ
ン酸アルカリ（シプレイ MLB213）を含む溶液に５分間
浸漬し、第１のエポキシ樹脂膜の表面をエッチングする
（２３はエッチング部分を示す）（図２（ｂ））。この
ようにして表面のエッチングされた第１のエポキシ樹脂
膜２２表面に、乳酸銅、乳酸亜鉛、塩化パラジウムを含
むアンモニア水溶液からなる光活性化触媒液を塗布して
感光膜２４を形成する（図２（ｃ））。次いで、マスク
部分の幅が３０μｍ、透過部分の幅が２０μｍのパター
ンを有するフォトマスク２９を介して照射エキシマラン
プを用いて波長１７２ｎｍの光を基板に照射して、露光
部分の感光膜２４を活性化し、パラジウム触媒２５を析
出させた後（図２（ｄ））、水洗し感光膜２４を除去す
る。次に、パラジウム触媒２５の析出部分を含む第１の
エポキシ樹脂膜２２上に再び感光性を有するエポキシ樹
脂塗料（シプレイＸＰ−９５００）をスピンコーティン
グにより塗布、９０℃で加熱乾燥し、第２のエポキシ樹
脂膜２６を形成する（図３（ｅ））。続いて、第２のエ
ポキシ樹脂膜２６に選択的に光を照射して硬化させた
後、現像して開口部２７を形成し（現像液 シプレイ
ＸＰ91254）、前記パラジウム触媒２５の析出部分を含
む第１のエポキシ樹脂膜２２の一部を露出させ（図３
（ｆ））、１６０℃で加熱硬化させる。測定により、ラ
イン／スペースが２５／２５μｍ、深さが２０μｍの開
口部が形成されていることが確認できた。最後に、銅、
ＥＤＴＡ，ホルマリンを含む無電解めっき浴に基板２１
を６時間浸漬し、開口部２７に無電解銅めっき層２８を
形成した後（図３（ｇ））、第２のエポキシ樹脂膜２６
を完全に除去することによって導体が完成した（図３
（ｈ））。完成後の導体の断面を観察したところ、ライ
ン／スペース＝２５μｍ／２５μｍ、厚み２０μｍの導
体であることが確認できた。

【００２９】本実施例では感光膜２４のうち導体を形成
する部分のみを選択的に活性化しているため、めっき層
２８の形成時において第２のエポキシ樹脂膜２６の下部
にパラジウム触媒２５が存在せず、第２のエポキシ樹脂
膜２６の下部を通じてめっき層が成長し、導体が電気的
に短絡するのを確実に防ぐことができる。

【００３０】また、本実施例では実施例１の場合と同様
に、無電解めっきの触媒として光活性化触媒を用いるた
め、析出したパラジウム触媒は基板と強固に結合してお
り、微細な開口部において十分な現像や水洗を行って
も、隅部のエポキシ樹脂膜の残さをなくしたうえで金属
めっき層を十分に析出させることができる。また、第２
のエポキシ樹脂膜２６がめっきレジストとしての役割を
果たすため、導体損失の少ない高アスペクト比の導体を
形成することが可能となり、電子部品の回路の集積度を
向上させることができる。さらに、本実施例のように高
アスペクト比の導体を安定して析出させた後、エポキシ
樹脂膜を最終工程において除去してもよい。 （実施例３）さらに別の実施例を図４、５を用いて説明
する。まず、ガラス基板３１の表面に、めっき用の下地
としてポリイミド樹脂塗料（東レ BG2480）をスピンコ
ーティングにより塗布、４００℃で加熱硬化し、第１の
ポリイミド樹脂膜３２を形成する（図４（ａ））。次
に、第１のポリイミド樹脂膜３２の表面に、再び感光性
を有するポリイミド樹脂塗料（東レ BG2480）をスピン
コーティングにより塗布し、９０℃で乾燥させ第２の感
光性ポリイミド樹脂膜３６を得た（図４（ｂ））。続い
て、第２の感光性ポリイミド樹脂膜３６をフォトマスク
を使用して露光・現像してパターニングすることによ
り、開口部３７を形成し、第１のポリイミド樹脂膜３２
の一部を露出させ、４００℃で感光性ポリイミド樹脂膜
３６を加熱硬化させる（図４（ｃ））。次に、開口部３
７を含むパターニングされた基板３１をエチレンジアミ
ンとヒドラジンとを含む溶液に３分間浸漬し、第２のポ
リイミド樹脂膜３６の表面、および第１のポリイミド樹
脂膜３２の露出部分をエッチングする（３３はエッチン
グ部分を示す）（図４（ｄ））。このようにして表面の
エッチングされた第１のポリイミド樹脂膜３２の露出部
分、および第２のポリイミド樹脂膜３６表面に、乳酸
銅、乳酸亜鉛、塩化パラジウムを含むアンモニア水溶液
からなる光活性化触媒液を塗布して感光膜３４を形成
（図５（ｅ））する。次いで、マスク部分の幅が３０μ
ｍ、透過部分の幅が２０μｍのパターンを有するフォト
マスク３９を介してＨｇＸｅ光源を有するマスクアライ
ナーを用いて主波長２４８ｎｍの光を開口部３７の底部
および側部に照射し、露光部分の感光膜３４を活性化さ
せ、パラジウム触媒３５を析出させた後（図５
（ｆ））、水洗し感光膜３４を除去する。最後に、銅、
ＥＤＴＡ，ホルマリンを含む無電解めっき浴に基板３１
を６時間浸漬し、開口部３７に無電解銅めっき層３８を
形成することによって、導体が完成した（図５
（ｇ））。完成後の導体の断面を観察したところ、ライ
ン／スペース＝２５μｍ／２５μｍ、厚み２０μｍの導
体であることが確認できた。

【００３１】本実施例では第２のポリイミド樹脂膜３６
に開口部３７を形成した後、開口部３７にパラジウム触
媒３５を析出させる。したがって、基板やポリイミド樹
脂膜上にパラジウム触媒を析出させた上からポリイミド
樹脂膜を形成し開口部を設ける場合のように、第２のポ
リイミド樹脂膜の一部を除去する際にその下部に存在す
るパラジウム触媒３５が一緒に離脱する恐れはない。

【００３２】また、本実施例では実施例１、２の場合と
同様に、無電解めっきの触媒として光活性化触媒を用い
るため、析出したパラジウム触媒は基板と強固に結合お
り、微細な開口部においても金属めっき層を十分に析出
させることができる。また、第２のポリイミド樹脂膜３
６がめっきレジストとしての役割を果たすため、導体損
失の少ない高アスペクト比の導体を形成することが可能
となり、電子部品の回路の集積度を向上させることがで
きる。さらに、ポリイミド樹脂膜を最終工程において除
去することなく永久レジストとして用いるため、本実施
例のような高アスペクト比の導体であっても安定して析
出させることができる。一方、アスペクト比の大きさ次
第で導体の保持が可能であるのならば、ポリイミド樹脂
膜を最終工程において除去してもよい。

【００３３】さらに、本実施例では開口部３７内の感光
膜３４に光を照射し、パラジウム触媒３５を析出させた
が、同時に開口部３７外の部分に形成された感光膜３４
の一部にも選択的に光を照射してパラジウム触媒３５を
析出させれば、続いて無電解めっき処理を行うことによ
って、開口部３７内だけでなく第２のポリイミド樹脂膜
３６の上にも導体ラインを形成することができ、立体的
な導体ラインの形成が可能になる。

【００３４】（実施例４）第４の実施例を図６を用いて
説明する。まず、０．３５ｍｍ厚みの９６％アルミナ基
板４１で、直径０．２ｍｍのスルーホール４２を形成し
たものを用意し、基板の両表面およびスルーホールの内
壁に、乳酸銅、乳酸亜鉛、塩化パラジウムを含むアンモ
ニア水溶液からなる光活性化触媒液をディップコーティ
ングにより塗布し、感光膜４４を形成する（図６
（ａ））。次いで、エキシマランプを用いて波長１７２
ｎｍの光を基板の両側から全面に照射し、感光膜を活性
化させ、基板の両面全面およびスルーホールの内壁にパ
ラジウム触媒４５を析出させる（図６（ｂ））。

【００３５】次に、パラジウム触媒の析出している基板
４１の一方の表面に感光性を有するフェノール系レジス
ト樹脂をローラーにより塗布し、フェノール系樹脂膜４
６を形成する（図６（ｃ））。続いて、フォトマスクを
介してフェノール系樹脂膜表面に紫外線を照射後、アル
カリ現像し、幅４０μｍの平行電極２個を４０μｍの間
隔を空けて対向させたフィルター用電極パターン、スル
ーホールを形成する部分に開口部４７を形成する（図６
（ｄ））。

【００３６】最後に、次亜リン酸を還元剤とする無電解
ニッケルめっき浴に基板を浸漬後、更に無電解金めっき
浴に浸漬し、開口部４７、スルーホール内、基板裏面に
膜厚５μｍのニッケルめっき層と膜厚５μｍの金めっき
層の積層構造を有する無電解めっき層４８を形成するこ
とによって、３０GHz帯バンドパスフィルターが完成す
る（図６（ｅ））。以上のように、スルーホールを含む
基板にも本発明技術は適用できる。

【００３７】（比較例１）次に、比較例として、実施例
４と同一の基板にフェノール系樹脂膜をレジストとして
用いずに、３０GHz帯バンドパスフィルターを形成す
る。具体的には、図６（ａ）と同様の工程で、基板に光
活性化触媒液をディップコーティングにより塗布し、感
光膜４４を形成した後、エキシマランプを用いて波長１
７２ｎｍの光を基板の一方面からは全面に、他方面から
は図６（ｃ）で用いたものと同様のフォトマスクを介し
て照射し、基板の一方面全面、スルーホールの内壁、お
よび、基板の他方面に幅４０μｍの平行電極２個を４０
μｍの間隔を空けて対向させたフィルター用電極パター
ンにパラジウム触媒４５を析出させる。最後に、次亜リ
ン酸を還元剤とする無電解ニッケルめっき浴に基板を浸
漬後、更に無電解金めっき浴に浸漬し、ニッケルめっき
層と金めっき層の積層構造を有する無電解めっき層を形
成する。

【００３８】上記実施例４では周波数特性および挿入損
失特性の良好なバンドパスフィルターが得られた。めっ
きレジストとしての役割を果たすエポキシ樹脂膜２６を
形成しなかった比較例１では、無電解めっき層が安定に
高さ方向に成長することができず、幅４０μｍの平行電
極２個を４０μｍの間隔を空けて対向させたフィルター
用電極の明確なパターンが得られなかった。その結果、
バンドパスフィルターとしての特性が得られなかった。

【００３９】（実施例５）ステップ１ 実施例１と同様
の方法で、セラミック基板上に光活性化触媒を塗布して
エキシマランプを用いて波長１７２nmの光を全面に照射
して全面にパラジウム触媒を析出させた後、ステップ２
ロッシェル塩銅ホルマリン系の無電解銅めっき液によ
り、基板の片表面に２μｍ厚みに無電解銅めっきした。

【００４０】ステップ３ エポキシ−ノボラック系のSU
-８（マクタ゛ーミット社）樹脂塗料を銅めっき部の上に塗布し
て露光し、導体線路の下地となる部分及び引き出し電極
の下地となる部分を形成した。

【００４１】なお、導体線路の下地となる部分の寸法
は、厚み２０μｍ、幅２００μｍm、長さ10mmであり、
電極の下地となる部分の寸法は、幅５００μｍ、長さ５
００μｍであった。

【００４２】ステップ４ 次に同様の樹脂塗料を塗布し
て、導体線路の下地部上に幅20μｍ、長さ10ｍｍの凸部
２個を２０μｍの間隔で形成し（凸部に２個で、凹部を
形成）した後、光活性化触媒を塗布して、凹部の間に
幅２０μｍ長さ10ｍｍの導体線路と引出し電極下地部
上に300μｍ×300μｍの引き出し電極部を形成するため
にフォトマスクにより波長248nmで露光して、先と同様
の無電解銅めっき液により図７（ａ）に示すような断面
形状の厚み10μｍ、幅20μｍ、長さ10ｍｍの導体線路と
300×300μｍの引き出し電極部を形成した。

【００４３】ステップ５ その後、エポキシ−ノボラッ
ク系のSU-８（マクタ゛ーミット社）樹脂塗料を塗布、露光する
ことにより、導体線路部上面に寸法が幅200μｍ、長さ1
0.1ｍｍ、厚み２０μｍの樹脂膜を形成した。

【００４４】ステップ６ さらに、基板上に形成された
樹脂膜の外周部に光活性化触媒を塗布して、導体線路の
外側を覆い、かつ、基板上の無電解銅めっき部と接続す
るように露光した後、無電解銅めっきにより、導体線路
を取り巻くシールド電極を作製した。

【００４５】（比較例２）次に、比較例として、同一の
基板上に凹部を形成せずに導体線路を形成方法について
説明する。

【００４６】実施例５のステップ１〜３と同様の方法
で、導体線路の下地となる部分および電極の下地となる
部分を作製する。

【００４７】その後、光活性化触媒を下地部上に塗布し
て、幅20μｍ長さ10ｍｍの導体線路と、引出し電極
下地部上に300μｍ×300μｍの引き出し電極部を形成す
るためにフォトマスクにより波長248nmで露光して、無
電解銅めっき液により、幅20μｍ、長さ10ｍｍの導体線
路と300×300μｍの引き出し電極部形成した。導体線路
部のめっき厚みは、２μｍであった。

【００４８】導体線路の断面形状は図７（ｂ）のよう
に、台形状であった。台形鋭角部の角度は約45度の角度
であった。また、その上面寸法は1６μｍであった。

【００４９】次に、実施例５のステップ５と同様の方法
で、導体線路部上面に寸法が幅200μｍ、長さ10.1ｍ
ｍ、厚み２０μｍの樹脂膜を形成した。

【００５０】その後、実施例５のステップ６と同様の方
法で、無電解銅めっきにより、導体線路を取り巻くシー
ルド電極を作製した。

【００５１】実施例５および比較例２で形成した導体ラ
インの導体損失を測定すると、図８に示すような結果が
得られた。実施例５で形成された導体パターンは比較例
２で形成された導体パターンに比べて、大幅に導体損失
が低減されている。

【００５２】図８の導体損失は長さ1mmあたりの損失特
性を示す。このように、本発明の導体の形成方法を用い
ることによって、従来の方法と比べて優れた電気特性を
示す導体を得ることができた。またその特性は、高周波
領域において特に優れていることがわかった。本発明の
導体形成方法は、上記実施例で示した高周波導体線路に
限られず、共振器パターン等種々の高周波用電子部品の
導体パターンに応用することができるものである。

【００５３】なお、上記実施例では無電解めっきのみを
用いて導体を形成したが、これに限られず無電解めっき
を用いて形成した導体の上からさらに電解めっきを行っ
て導体を成長させてもよい。

【００５４】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、無電解め
っきの触媒として従来のすず−パラジウムヒドロゾルコ
ロイドに代えて光活性化触媒を用いるため、基板と強固
に結合した金属触媒を析出させることができる。その結
果、金属触媒の上からエポキシやポリイミド等の耐熱性
絶縁樹脂のワニスを塗布し、アルカリ現像や有機溶剤を
用いた現像により樹脂のパターニングを行っても、樹脂
の除去と同時に触媒が容易に離脱することがなく、後に
行う無電解めっき工程において、導体となるべき金属め
っき層を十分に析出させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の実施例を示す断面
工程図である。

【図２】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の別の実施例を示す
断面工程図である。

【図３】（ｅ）〜（ｈ）は、図２（ａ）〜（ｄ）の工程
に続く断面工程図である。

【図４】（ａ）〜（ｄ）は、本発明のさらに別の実施例
を示す断面工程図である。

【図５】（ｅ）〜（ｇ）は、図４（ａ）〜（ｄ）の工程
に続く断面工程図である。

【図６】（ａ）〜（ｅ）は、本発明のさらに別の実施例
を示す断面工程図である。

【図７】本発明の実施例により形成された導体、および
比較例により形成された導体示す断面図である。

【図８】本発明の実施例により形成された導体、および
比較例により形成された導体の導体損失を示す図であ
る。

【符号の説明】

１１、２１、３１、４１ 基板 １４、２４、３４、４４ 感光膜 １５、２５、３５、４５ パラジウム触媒 １６、２２、２６、３２、３６、４６ 樹脂膜 １７、２７、３７、４７ 開口部 １８、２８、３８、４８ 無電解めっき層 ２９、３９ フォトマスク

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板上に光活性化触媒液からなる感光膜を
   形成する第一の工程と、 前記感光膜に光を照射して光活性化触媒を活性化し、金
   属触媒を析出させる第二の工程と、 前記金属触媒の析出した基板上に感光性樹脂膜を形成す
   る第三の工程と、 前記感光性樹脂膜に選択的に光を照射した後、現像によ
   り開口部を設けて金属触媒の析出した基板の一部を露出
   させる、開口部を有する樹脂膜を形成する第四の工程
   と、 前記開口部内の金属触媒上に無電解めっきを施す第五の
   工程とを有することを特徴とする導体の形成方法。
2. 【請求項２】基板上に光活性化触媒液からなる感光膜を
   形成する第一の工程と、 前記感光膜に選択的に光を照射して光活性化触媒を活性
   化することにより、照射部分に金属触媒を析出させる第
   二の工程と、 前記金属触媒の析出した基板上に感光性樹脂膜を形成す
   る第三の工程と、 前記感光性樹脂膜に選択的に光を照射した後、現像によ
   り開口部を設けて基板の金属触媒析出部分を露出させ
   る、開口部を有する樹脂膜を形成する第四の工程と、 前記開口部内の金属触媒上に無電解めっきを施す第五の
   工程とを有することを特徴とする導体の形成方法。
3. 【請求項３】基板上に感光性樹脂膜を形成する第一の工
   程と、 前記感光性樹脂膜に選択的に光を照射した後、現像によ
   り開口部を設ける、開口部を有する樹脂膜を形成する第
   二の工程と、 前記開口部を有する樹脂膜を含む前記基板上に光活性化
   触媒液からなる感光膜を形成する第三の工程と、 前記開口部の底部および側部に形成された前記感光膜に
   選択的に光を照射して、光活性化触媒を活性化すること
   により照射部分に金属触媒を析出させる第四の工程と、 前記開口部内の金属触媒上に無電解めっきを施す第五の
   工程とを有することを特徴とする導体の形成方法。
4. 【請求項４】基板上に感光性樹脂膜を形成する第一の工
   程と、 前記感光性樹脂膜に選択的に光を照射した後、現像によ
   り開口部を設ける、開口部を有する樹脂膜を形成する第
   二の工程と、 前記開口部を有する樹脂膜を含む前記基板上に光活性化
   触媒液からなる感光膜を形成する第三の工程と、 前記開口部の底部および側部に形成された前記感光膜に
   選択的に光を照射するとともに、前記開口部外に形成さ
   れた感光膜の少なくとも一部に選択的に光を照射して、
   光活性化触媒を活性化し、照射部分に金属触媒を析出さ
   せる第四の工程と、 前記開口部内および開口部外の金属触媒上に無電解めっ
   きを施す第五の工程とを有することを特徴とする導体の
   形成方法。
5. 【請求項５】前記無電解めっきを施す工程の後に、前記
   開口部を有する樹脂膜を除去する工程を有する、請求項
   １ないし４のいずれかに記載の導体の形成方法。
6. 【請求項６】前記感光性樹脂膜は、アルカリ現像液で現
   像可能な樹脂膜であることを特徴とする、請求項１ない
   し５のいずれかに記載の導体の形成方法。
7. 【請求項７】前記感光性樹脂膜は、エポキシ樹脂膜、ポ
   リイミド樹脂膜またはフェノール系樹脂膜であることを
   特徴とする、請求項１ないし６のいずれかに記載の導体
   の形成方法。
8. 【請求項８】請求項１ないし７に記載の方法を用いて形
   成された導体を有することを特徴とする、電子部品。