JP4507779B2 - 抵抗素子内蔵プリント配線板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、抵抗素子内蔵プリント配線板の製造方法に係わり、特に、従来の方法より、抵抗体の精度が高く、プリント配線板への内蔵に適した抵抗素子内蔵プリント配線板の製造方法に関する。

近年、携帯電話やデジタルカメラなどの機器の小型化と軽量化が進むにつれて、プリント配線板に実装する素子においては、素子の小型化や素子同士の間隔の削減といった従来の実装技術では対応が難しくなり、これら素子をプリント配線板内に内蔵した多層プリント配線板への期待が高まっている。受動素子（キャパシタ、抵抗、インダクタ）は既存のチップ素子を埋め込めば機器メーカーが必要とする特性を比較的容易に満たすことができるが、素子を内蔵した基板が厚くなってしまうという問題点がある。薄い部品や薄膜素子で十分に特性を満たすことができる方法の開発などが急がれている。

プリント配線板内部に抵抗素子を作り込む方法としては、銅箔上に金属薄膜で抵抗層を形成する方法、絶縁性基板上にめっきで形成する方法、抵抗性の厚膜ポリマーを印刷する方法などがある。抵抗値、精度、形状、価格などから用途に応じて形成方法を選択していく必要がある。厚膜ポリマーを印刷する方法では、高抵抗なものを形成できるが、微細な寸法になると形成が困難である。金属材料を用いた薄膜タイプは、厚膜タイプに比べ、抵抗値範囲が低抵抗に制約されるが、小さなサイズで高精度に形成できる。

銅箔上に金属薄膜で抵抗層を形成した材料には、Ｏｍｅｇａ ＴｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓのＯｍｅｇａ−Ｐｌｙがある（例えば、特許文献１参照。）。これは、銅箔上に電解ニッケル、リンめっきにより薄膜抵抗層を形成したものを絶縁性基板上に積層形成したものである。銅箔と薄膜抵抗層を一括エッチングして配線形成し、所定の配線部をエッチングし、下の抵抗層を露出させることにより、抵抗体を形成する。しかしこの構造では、一括エッチングをする際、銅よりニッケルの方がエッチング速度が遅いことから、エッチング加工が難しいという問題があった。また、特別なエッチャントを用いて、ニッケルをエッチングせずに、銅だけエッチングする必要があるが、それでもニッケルが多少エッチングされてしまうという問題があった。

絶縁性基板上にめっきで抵抗層を形成した材料には、ＭａｃｄｅｒｍｉｄのＭ−Ｐａｓｓがある。絶縁性基板上に配線の一部が分離している配線パターンを形成した後に、抵抗層をこの一部分離している配線と配線の間に無電解ニッケル・リンめっきによって形成する。抵抗層は配線の厚み分の段差がある面にめっきされるため、めっき膜厚が薄いと配線と抵抗素子の接続信頼性が悪くなるという問題があった（例えば、特許文献２参照。）。
米国特許第４８０８９６７号明細書 特開平１０−１９０１８３号公報

本発明はかかる課題に鑑みてなされたもので、抵抗素子内蔵プリント配線板において、従来の方法より、精度が高い抵抗体を有する抵抗素子内蔵プリント配線板の製造方法を提供することを課題とする。

本発明は、上述の課題に鑑みてなされたものであり、抵抗素子内蔵プリント配線板の製造方法において、少なくとも
（ａ）絶縁性基板上にパターニングされた抵抗層を形成する工程、
（ｂ）前記絶縁性基板上に、前記抵抗層に接する配線パターンを形成し、抵抗素子内蔵プリント配線板を作製する工程、
を含み、
前記（ｂ）工程は、
１．前記パターニングされた抵抗層を設けた絶縁性基板にＰｄ触媒処理を施した後、パターン状のレジストを形成する工程、
２．前記パターニングされた抵抗層を設けた絶縁性基板のレジスト非形成部分に導体層を形成し、レジストを除去することによって、パターニングされた導体層を形成する工程、
３．前記パターニングされた抵抗層と導体層を設けた導電性基板にパターン状のエッチングレジストを形成する工程、
４．前記導体層をエッチングした後、エッチングレジストを除去することで配線パターンを完成させる工程、
を含むことを特徴とする抵抗素子内蔵プリント配線板の製造方法である。

本発明の請求項２の発明は、前記（ａ）工程が、
１．絶縁性基板上に抵抗層を形成する工程、
２．前記抵抗層上にパターン状のエッチングレジストを形成する工程、
３．前記抵抗層をエッチングした後、エッチングレジストを除去することによって、抵抗層をパターニングする工程、
を含むことを特徴とする請求項１記載の抵抗素子内蔵プリント配線板の製造方法である。

本発明の請求項３の発明は、前記（ａ）工程が、
１．絶縁性基板上にＰｄ触媒処理を施した後、パターン状のレジストを形成する工程、
２．前記絶縁性基板上のレジスト非形成部分に抵抗層を形成し、レジストを除去することによって、パターニングされた抵抗層を形成する工程、
を含むことを特徴とする請求項１記載の抵抗素子内蔵プリント配線板の製造方法である。

本発明の請求項４の発明は、前記（ａ）工程が、
１．絶縁性基板上にＰｄ触媒処理を施した後、パターン状のレジストを形成する工程、
２．前記絶縁性基板上のレジスト非形成部分にＵＶ露光し、レジストを除去する工程、
３．前記絶縁性基板上のＵＶ非露光部分にめっきすることによって、パターニングされた抵抗層を形成する工程、
を含むことを特徴とする請求項１記載の抵抗素子内蔵プリント配線板の製造方法である。

本発明の請求項５の発明は、前記（ａ）工程が、
１．絶縁性基板上にＰｄ触媒処理を施した後、パターン状のレジストを形成する工程、
２．前記絶縁性基板上のレジスト非形成部分のＰｄ触媒をＰｄ除去液にて除去した後、レジストを除去する工程、
３．前記絶縁性基板上のＰｄ触媒上にめっきすることによって、パターニングされた抵抗層を形成する工程、
を含むことを特徴とする請求項１記載の抵抗素子内蔵プリント配線板の製造方法である。

本発明の請求項６の発明は、前記抵抗層が、ニッケル・リン二元系合金またはニッケル・リン三元系合金からなる材料であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の抵抗素子内蔵プリント配線板の製造方法である。

本発明は、絶縁性基板上に抵抗層をめっきによって部分的に形成した後に、配線パターンを形成するので、抵抗層と導体層の一括エッチングや、抵抗層上の導体層の選択エッチングを必要としないため抵抗層、導体層ともに精度の高いパターニングが可能である。また、抵抗素子の抵抗体は段差の無い一面上に形成されるため、精度が高く、歩留まりの良い抵抗素子内蔵プリント配線板を製造することができる。

以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。

請求項１に係わる抵抗素子内蔵プリント配線板の製造方法は、以下の順序の段階（ａ），（ｂ）からなる工程により抵抗素子内蔵プリント配線板を製造する。図１（Ａ），（Ｂ）は、本製造方法の工程を示す断面図である。

まず、（ａ）絶縁性基板１全面に抵抗層２をめっきによって部分的に形成する。めっきは無電解めっきを用いて行い、めっき膜が所定の体積抵抗率を満たすめっき液を選択し、所定のシート抵抗値になるようなめっき膜厚でめっきする（図１（Ａ）参照）。この（ａ）工程は、請求項２〜５のいずれかに記載の方法によって実施することが好ましい。抵抗層２の形状は、所定の抵抗値になるように、長方形や、ミアンダ構造などに形成する。高抵抗にするために、抵抗体幅をより細くするには、請求項３記載の方法がよい。また、リン濃度が高い高抵抗なめっき被膜は、エッチングが困難であるため、請求項３または請求項４記載の方法がよい。

本発明で使用することのできる絶縁性基板１としては、特に限定されず、各種の合成樹脂からなる板や可撓性シート、ガラス板、セラミックス板、表面に絶縁層を有する金属製基板の中から、用途などに応じて適宜選択して用いることができる。

本発明において抵抗層２として用いられる抵抗性材料は、ニッケル・リン二元系合金またはニッケル・リン三元系合金からなる材料を用いる。例えば、ニッケル・リン、ニッケル・リン・鉄、ニッケル・リン・タングステン、ニッケル・リン・モリブデン、ニッケル・リン・レニウム、ニッケル・リン・クロムからなる無電解めっきによって抵抗層２を形成する。高抵抗な抵抗素子を安定して形成するためには、体積抵抗率が高く、めっき析出速度が遅いめっき液ほど好ましい。また、めっき液のＰ濃度、錯化剤濃度、還元剤濃度、温度やｐＨを調整することで抵抗値やめっき析出速度を調整することができる。

次に、（ｂ）前記絶縁性基板１上に、前記抵抗層２に接する配線パターン３を形成し、抵抗素子内蔵プリント配線板を作製する。この配線パターン３の材料としては、金、銀、銅、ニッケル、アルミニウムなどの導電性の良好な金属材料が好ましい。この（ｂ）工程は、図６または図７に示す方法によって実施することが好ましい。より高密度な配線を形成する場合には、図６に示す方法よりも、図７に示す方法の方がよい（図１（Ｂ）参照）。

請求項２に係わる抵抗素子内蔵プリント配線板の製造方法は、請求項１記載の発明の（ａ）工程において、アディティブ法を用いた製造方法であり、以下の順序の段階（１）〜（３）からなる工程により抵抗素子内蔵プリント配線板を製造する方法である。図２（Ａ）〜（Ｃ）は、本製造方法の工程を示す断面図である。

まず、（１）絶縁性基板１全面に抵抗層２ａをめっきする（図２（Ａ）参照）。

次に、（２）前記抵抗層２ａ上にエッチングレジスト４を形成する。エッチングレジスト４は、形成する抵抗層２ｂの形状となるように形成する（図２（Ｂ）参照）。

次に、（３）抵抗層２ａをエッチングし、その後エッチングレジスト４を除去することによって、絶縁性基板１上に、パターニングされた抵抗層２ｂを形成する。エッチング液は、抵抗層２ａを構成する抵抗性材料をエッチングしやすい液を選定する必要がある（図２（Ｃ）参照）。

請求項３に係わる抵抗素子内蔵プリント配線板の製造方法は、請求項１記載の発明の（ａ）工程において、アディティブ法を用いた製造方法であり、以下の順序の段階（１）〜（３）からなる工程により抵抗素子内蔵プリント配線板を製造する方法である。図３（Ａ）〜（Ｃ）は、本製造方法の工程を示す断面図である。

まず、（１）絶縁性基板１全面にＰｄ触媒処理を施した後、抵抗層形成部分を除く絶縁性基板１全面にレジスト５を形成する（図３（Ａ）参照）。

次に、（２）前記絶縁性基板１のレジスト５非形成部分に抵抗層２ｃをめっきにより形成する（図３（Ｂ）参照）。

次に、（３）レジスト５を除去することによって、絶縁性基板１上に、パターニングされた抵抗層２ｃを形成する（図３（Ｃ）参照）。

請求項４に係わる抵抗素子内蔵プリント配線板の製造方法は、請求項１記載の発明の（ａ）工程において、Ｐｄ触媒処理後にＵＶ露光した部分にはめっきが析出しない効果を利用した製造方法であり、以下の順序の段階（１）〜（３）からなる工程により抵抗素子内蔵プリント配線板を製造する方法である。図４（Ａ）〜（Ｃ）は、本製造方法の工程を示す断面図である。

まず、（１）絶縁性基板１全面にＰｄ触媒処理を施した後、抵抗層形成部分にレジスト６を形成する（図４（Ａ）参照）。

次に、（２）前記絶縁性基板１のレジスト６非形成部分にＵＶ露光した後、レジスト６を除去する（図４（Ｂ）参照）。

次に、（３）前記絶縁性基板１上のＵＶ非露光部分に抵抗性材料をめっきすることによって、絶縁性基板１上に、パターニングされた抵抗層２ｄを形成する（図４（Ｃ）参照）。

請求項５に係わる抵抗素子内蔵プリント配線板の製造方法は、請求項１記載の発明の（ａ）工程において、Ｐｄ触媒を除去した部分にはめっきが析出しない効果を利用した製造方法であり、以下の順序の段階（１）〜（３）からなる工程により抵抗素子内蔵プリント配線板を製造する方法である。図５（Ａ）〜（Ｃ）は、本製造方法の工程を示す断面図である。

まず、（１）絶縁性基板１全面にＰｄ触媒処理（Ｐｄ触媒は図示せず）を施した後、抵抗層形成部分にレジスト６を形成する（図５（Ａ）参照）。

次に、（２）前記絶縁性基板１のレジスト６非形成部分のＰｄ触媒をＰｄ除去液によって除去した後、レジスト６を除去する（図５（Ｂ）参照）。

次に、（３）前記絶縁性基板１上に抵抗性材料をめっきすることによって、絶縁性基板１上に、パターニングされた抵抗層２ｅを形成する（図５（Ｃ）参照）。

本発明に係わる抵抗素子内蔵プリント配線板の製造方法は、請求項１記載の発明の（ｂ）工程において、サブトラクティブ法を用いた製造方法であり、以下の順序の段階（１）〜（５）からなる工程により抵抗素子内蔵プリント配線板を製造する方法である。図６（Ａ）〜（Ｅ）は、本製造方法の工程を示す断面図である。

まず、（１）パターニングされた抵抗層２ｆが形成された絶縁性基板１全面にＰｄ触媒処理（Ｐｄ触媒は図示せず）を施す（図６（Ａ）参照）。

次に、（２）抵抗層２ｆ上にレジスト７を形成する（図６（Ｂ）参照）。

次に、（３）前記絶縁性基板１上のレジスト７非形成部分に配線層８ａをめっきした後、レジスト７を除去する（図６（Ｃ）参照）。

次に、（４）導電層８ａ及び抵抗層２ｆ上にエッチングレジスト９を形成する（図６（Ｄ）参照）。

次に、（５）導電層８ａをエッチングした後、エッチングレジスト９を除去することによって、配線パターン３ａを形成する（図６（Ｅ）参照）。

図７は請求項１記載の発明の（ｂ）工程において、サブトラクティブ法を用いた製造方法の他の例であり、以下の順序の段階（１）〜（４）からなる工程により抵抗素子内蔵プリント配線板を製造する方法である。図７（Ａ）〜（Ｅ）は、本製造方法の工程を示す断面図である。

まず、（１）パターニングされた抵抗層２ｇが形成された絶縁性基板１（図７（Ａ）参照）の全面にシード層１０をめっきする（図７（Ｂ）参照）。このシード層１０は、導電性材料であればよく、無電解めっきで形成される銅、銀、ニッケルなどが好ましい。

次に、（２）配線パターン３ｂ形成部位を除く部分と抵抗層２ｇ上にレジスト１１を形成する（図７（Ｃ）参照）。

次に、（３）絶縁性基板１のレジスト１１非形成部分に導電層８ｂをめっき（図７（Ｃ）参照）した後、レジスト１１を除去する（図７（Ｄ）参照）。

次に、（４）配線パターン３ｂ形成部位を除く部分と抵抗層２ｇ上のシード層１０をエッチング除去することによって、配線パターン３ｂを形成する（図７（Ｅ）参照）。シード層１０をエッチングする際には、抵抗層２ｇがエッチングされにくいエッチング液を用いることが望ましい。

以下に本発明の実施例を示し詳細に説明を行う。
（ａ）工程
絶縁性基板としてＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる厚さ０．４ｍｍの基板表面をコンディショニングクリーナー（奥野製薬工業製：ＯＰＣ−３８０コンディクリーンＭ）で洗浄し、Ｐｄ−Ｓｎコロイド溶液（奥野製薬工業製：ＯＰＣ−８０キャタリスト）でＰｄ触媒を付与し、活性化剤（奥野製薬工業製：ＯＰＣ−５５５アクセレーターＭ）を用いて活性化した。次に、無電解ニッケルめっき液（奥野製薬工業製：トップニコロンＮＡＣ）で０．３μｍほどのニッケル・リン合金からなる抵抗層を絶縁性基板全面に形成した。

次に、抵抗層の全面に、ネガ型ドライフィルムレジスト（日立化成工業製：ＲＹ−３２１５）をラミネートした。次に、ネガパターンを介して紫外線を照射し、選択的にレジストを露光した。ネガパターンは、長方形や、ミアンダ構造などの目的とするパターンの抵抗層上のレジストが露光される（残る）ようにデザインした。レジストの非露光部分は、現像液（１％炭酸ナトリウム水溶液）を用いて３０℃、６０秒ディップで除去し、パターン状のレジストとした。

次に、レジストで保護されていない抵抗層を硫酸銅−硫酸溶液（硫酸銅２５０ｇ／Ｌ、硫酸５ｍＬ／Ｌ）を用いて９０℃でエッチング除去した。次に、剥離液（５％水酸化ナトリウム水溶液）でレジストを除去し、絶縁性基板上にパターニングされた抵抗層を形成した。

（ｂ）工程
パターニングされた抵抗層を設けた絶縁性基板の全面にＰｄ−Ｓｎコロイド溶液（奥野製薬工業製：ＯＰＣ−８０キャタリスト）でＰｄ触媒（図示せず）を付与し、活性化剤（奥野製薬工業製：ＯＰＣ−５５５アクセレーターＭ）を用いて活性化した。この上へ、ネガ型ドライフィルムレジスト（日立化成工業製：ＲＹ−３２１５）を塗布した。次に、ネガパターンを介して紫外線を照射し、選択的にレジストを露光した。ネガパターンは、パターニングされた抵抗層上のレジストが露光される（残る）ようにデザインした。レジストの非露光部分は、現像液（１％炭酸ナトリウム水溶液）を用いて３０℃、６０秒ディップで除去し、パターン状のレジストとした。

次に、パターン状のレジストの非形成部分に、無電解銅プロセス（シブレイ・ファーイースト ＣＵＰＯＳＩＴ）で０．３μｍ程度めっきし、さらに電解銅めっきで１０μｍ程度めっきし、導体層とした。次に、剥離液（５％水酸化ナトリウム水溶液）でレジストを除去した。

次に、パターニングされた抵抗層と導体層を設けた絶縁性基板の全面にネガ型ドライフィルムレジスト（日立化成工業製：ＲＹ−３２１５）を塗布した。次に、ネガパターンを介して紫外線を照射し、選択的にレジストを露光した。ネガパターンは、パターニングされた抵抗層上と所望の配線パターン上のレジストが露光される（残る）ようにデザインした。レジストの非露光部分は、現像液（１％炭酸ナトリウム水溶液）を用いて３０℃、６０秒ディップで除去し、パターン状のレジストとした。

次に、レジストで保護されていない導体層（銅）を、塩化第二鉄液を用いて６５℃でエッチング除去し、所望の配線パターンを形成した。次に、剥離液（５％水酸化ナトリウム水溶液）でレジストを除去し、配線パターンと抵抗素子を完成した。

次に、配線パターン上にさらにＢＴ樹脂を積層して絶縁層とし、ビアホールを開け、フィルドビアめっきを行い、抵抗素子の導通を取ると同時に絶縁層上に導体層を形成した。この導体層をパターニングし、本発明の抵抗素子内蔵２層プリント配線板を作製した。

（ａ）工程
絶縁性基板としてＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる厚さ０．４ｍｍの基板表面をコンディショニングクリーナー（奥野製薬工業製：ＯＰＣ−３８０コンディクリーンＭ）で洗浄し、Ｐｄ−Ｓｎコロイド溶液（奥野製薬工業製：ＯＰＣ−８０キャタリスト）でＰｄ触媒（図示せず）を付与し、活性化剤（奥野製薬工業製：ＯＰＣ−５５５アクセレーターＭ）を用いて活性化した。次に、全面にネガ型ドライフィルムレジスト（日立化成工業製：ＲＹ−３２１５）をラミネートした。次に、ネガパターンを介して紫外線を照射し、選択的にレジストを露光した。ネガパターンは、長方形や、ミアンダ構造などの目的とするパターンの抵抗層上のレジストが露光される（残る）ようにデザインした。レジストの非露光部分は、現像液（１％炭酸ナトリウム水溶液）を用いて３０℃、６０秒ディップで除去し、パターン状のレジストとした。

次に、パターン状のレジストの非形成部分にＵＶ露光した後、剥離液（５％水酸化ナトリウム水溶液）でレジストを除去した。

次に、部分的にＵＶ露光された絶縁性基板の全面に無電解ニッケルめっき液（奥野製薬工業製：トップニコロンＮＡＣ）で無電解めっきを行ったところ、ＵＶ露光されなかった部分に０．３μｍほどのパターニングされた抵抗層が形成された。

（ｂ）工程
パターニングされた抵抗層を設けた絶縁性基板の全面にＰｄ−Ｓｎコロイド溶液（奥野製薬工業製：ＯＰＣ−８０キャタリスト）でＰｄ触媒（図示せず）を付与し、活性化剤（奥野製薬工業製：ＯＰＣ−５５５アクセレーターＭ）を用いて活性化した。次いで、無電解銅プロセス（シブレイ・ファーイースト ＣＵＰＯＳＩＴ）で０．３μｍ程度めっきし、シード層とした。

次に、シード層を形成した絶縁性基板の全面に、ネガ型ドライフィルムレジスト（日立化成工業製：ＲＹ−３２１５）をラミネートした。次に、ネガパターンを介して紫外線を照射し、選択的にレジストを露光した。ネガパターンは、パターニングされた抵抗層と所望の配線パターン上のレジストが露光されない（残らない）ようにデザインした。レジストの非露光部分は、現像液（１％炭酸ナトリウム水溶液）を用いて３０℃、６０秒ディップで除去し、パターン状のレジストとした。

次に、パターン状のレジストの非形成部分に電解銅めっきで１０μｍ程度めっきし、導体層とした。次に、剥離液（５％水酸化ナトリウム水溶液）でレジストを除去した。

次に、アルカリ性エッチング液（メルテックス製：Ａプロセス）を用いて、シード層及び導体層のエッチングを行い、配線パターンを残し、表面に露光した不要なシード層をエッチング除去することによって配線パターンと抵抗素子を形成した。

次に、配線パターン上にさらにＢＴ樹脂を積層して絶縁層とし、ビアホールを開け、フィルドビアめっきを行い、抵抗素子の導通を取ると同時に絶縁層上に導体層を形成した。次に、この導体層をパターニングし、本発明の抵抗素子内蔵２層プリント配線板を作製した。

（ａ）工程
絶縁性基板としてＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる厚さ０．４ｍｍの基板表面をコンディショニングクリーナー（奥野製薬工業製：ＯＰＣ−３８０コンディクリーンＭ）で洗浄し、Ｐｄ−Ｓｎコロイド溶液（奥野製薬工業製：ＯＰＣ−８０キャタリスト）でＰｄ触媒（図示せず）を付与し、活性化剤（奥野製薬工業製：ＯＰＣ−５５５アクセレーターＭ）を用いて活性化した。次に、全面にネガ型ドライフィルムレジスト（日立化成工業製：ＲＹ−３２１５）をラミネートした。次に、ネガパターンを介して紫外線を照射し、選択的にレジストを露光した。ネガパターンは、長方形や、ミアンダ構造などの目的とするパターンの抵抗層上のレジストが露光される（残る）ようにデザインした。レジストの非露光部分は、現像液（１％炭酸ナトリウム水溶液）を用いて３０℃、６０秒ディップで除去し、パターン状のレジストとした。

次に、パターン状のレジストの非形成部分に、無電解ニッケルめっき液（奥野製薬工業製：トップニコロンＮＡＣ）で０．３μｍ程度の抵抗層を形成した。次に、剥離液（５％水酸化ナトリウム水溶液）でレジストを除去し、絶縁性基板上にパターニングされた抵抗層を形成した。

（ｂ）工程
以後の工程は実施例１と同様に行い、本発明の抵抗素子内蔵２層プリント配線板を作製した。

（ａ）工程
絶縁性基板としてＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる厚さ０．４ｍｍの基板表面をコンディショニングクリーナー（奥野製薬工業製：ＯＰＣ−３８０コンディクリーンＭ）で洗浄し、Ｐｄ−Ｓｎコロイド溶液（奥野製薬工業製：ＯＰＣ−８０キャタリスト）でＰｄ触媒（図示せず）を付与し、活性化剤（奥野製薬工業製：ＯＰＣ−５５５アクセレーターＭ）を用いて活性化した。次に、全面にネガ型ドライフィルムレジスト（日立化成工業製：ＲＹ−３２１５）をラミネートした。次に、ネガパターンを介して紫外線を照射し、選択的にレジストを露光した。ネガパターンは、長方形や、ミアンダ構造などの目的とするパターンの抵抗層上のレジストが露光される（残る）ようにデザインした。レジストの非露光部分は、現像液（１％炭酸ナトリウム水溶液）を用いて３０℃、６０秒ディップで除去し、パターン状のレジストとした。

次に、パターン状のレジストで保護されていないＰｄ触媒処理面をＰｄ除去液（アルメックス製：ＰＴＨ−パラジウムリレーサー）で処理し、Ｐｄ触媒を取り除いた後、剥離液（５％水酸化ナトリウム水溶液）でレジストを除去した。

次に、部分的にＰｄ触媒が残った絶縁性基板１の全面に無電解ニッケルめっき液（奥野製薬工業製：トップニコロンＮＡＣ）で無電解めっきを行ったところ、Ｐｄ触媒が残っている部分に厚さ０．３μｍ程度のパターニングされた抵抗層が形成された。

（ｂ）工程
以後の工程は実施例１と同様に行い、本発明の抵抗素子内蔵２層プリント配線板を作製した。

無電解ニッケルめっき液に代えて、無電解ニッケル・鉄・リン合金めっき液（奥野製薬工業製：トップニコロンＦＹ−２）を用いた以外は、実施例４と同様に（ａ）工程と（ｂ）工程を行い、本発明の抵抗素子内蔵２層プリント配線板を作製した。

請求項１に係わるプリント配線板の製造方法の工程を示す断面図である。 請求項２に係わるプリント配線板の製造方法の工程を示す断面図である。 請求項３に係わるプリント配線板の製造方法の工程を示す断面図である。 請求項４に係わるプリント配線板の製造方法の工程を示す断面図である。 請求項５に係わるプリント配線板の製造方法の工程を示す断面図である。 請求項１に係わるプリント配線板の製造方法の（ｂ）工程を示す断面図である。 （ｂ）工程の他の例を示す断面図である。

符号の説明

１…絶縁性基板
２，２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ，２ｆ，２ｇ…抵抗層
３，３ａ，３ｂ…配線パターン
４，５，６，７，９，１１…レジスト
８ａ，８ｂ…導電層
１０…シード層
１００…ＵＶ非露光部分
１１０…Ｐｄ触媒付与部分

Claims (6)

1. 抵抗素子内蔵プリント配線板の製造方法において、少なくとも
   （ａ）絶縁性基板上にパターニングされた抵抗層を形成する工程、
   （ｂ）前記絶縁性基板上に、前記抵抗層に接する配線パターンを形成し、抵抗素子内蔵プリント配線板を作製する工程、
   を含み、
   前記（ｂ）工程は、
   １．前記パターニングされた抵抗層を設けた絶縁性基板にＰｄ触媒処理を施した後、パターン状のレジストを形成する工程、
   ２．前記パターニングされた抵抗層を設けた絶縁性基板のレジスト非形成部分に導体層を形成し、レジストを除去することによって、パターニングされた導体層を形成する工程、
   ３．前記パターニングされた抵抗層と導体層を設けた導電性基板にパターン状のエッチングレジストを形成する工程、
   ４．前記導体層をエッチングした後、エッチングレジストを除去することで配線パターンを完成させる工程、
   を含むことを特徴とする抵抗素子内蔵プリント配線板の製造方法。
2. 前記（ａ）工程は、
   １．絶縁性基板上に抵抗層を形成する工程、
   ２．前記抵抗層上にパターン状のエッチングレジストを形成する工程、
   ３．前記抵抗層をエッチングした後、エッチングレジストを除去することによって、抵抗層をパターニングする工程、
   を含むことを特徴とする請求項１記載の抵抗素子内蔵プリント配線板の製造方法。
3. 前記（ａ）工程は、
   １．絶縁性基板上にＰｄ触媒処理を施した後、パターン状のレジストを形成する工程、
   ２．前記絶縁性基板上のレジスト非形成部分に抵抗層を形成し、レジストを除去することによって、パターニングされた抵抗層を形成する工程、
   を含むことを特徴とする請求項１記載の抵抗素子内蔵プリント配線板の製造方法。
4. 前記（ａ）工程は、
   １．絶縁性基板上にＰｄ触媒処理を施した後、パターン状のレジストを形成する工程、
   ２．前記絶縁性基板上のレジスト非形成部分にＵＶ露光し、レジストを除去する工程、
   ３．前記絶縁性基板上のＵＶ非露光部分にめっきすることによって、パターニングされた抵抗層を形成する工程、
   を含むことを特徴とする請求項１記載の抵抗素子内蔵プリント配線板の製造方法。
5. 前記（ａ）工程は、
   １．絶縁性基板上にＰｄ触媒処理を施した後、パターン状のレジストを形成する工程、
   ２．前記絶縁性基板上のレジスト非形成部分のＰｄ触媒をＰｄ除去液にて除去した後、レジストを除去する工程、
   ３．前記絶縁性基板上のＰｄ触媒上にめっきすることによって、パターニングされた抵抗層を形成する工程、
   を含むことを特徴とする請求項１記載の抵抗素子内蔵プリント配線板の製造方法。
6. 前記抵抗層は、ニッケル・リン二元系合金またはニッケル・リン三元系合金からなる材料であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の抵抗素子内蔵プリント配線板の製造方法。

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