JP4448702B2 - 回路付サスペンション基板の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、回路付サスペンション基板の製造方法、詳しくは、ハードディスクドライブの磁気ヘッドを実装する回路付サスペンション基板の製造方法に関する。
回路付サスペンション基板は、ハードディスクドライブの磁気ヘッドを実装して、その磁気ヘッドを、磁気ヘッドと磁気ディスクとが相対的に走行する時の空気流に抗して、磁気ディスクとの間に微小な間隔を保持しながら支持するものである。
このような回路付サスペンション基板は、通常、ステンレスからなるサスペンション基板と、そのサスペンション基板の上に形成されるベース絶縁層と、そのベース絶縁層の上に、配線回路パターンとして形成される導体層と、その導体層を被覆するようにベース絶縁層の上に形成されるカバー絶縁層とを備えている。
そして、このような回路付サスペンション基板は、上記した各層、すなわち、サスペンション基板、ベース絶縁層、導体層およびベース絶縁層を順次形成した後、例えば、サスペンション基板を、塩化第二鉄、塩化第二銅などのエッチング液を用いる化学エッチングによって、所定のパターンに外形加工することにより、形成するようにしている（例えば、特許文献１参照。）。
なお、サスペンション基板の外形加工時には、同時に、磁気ヘッドの実装時やロードビームとのスポット溶接時に位置決めのために用いられる基準孔を、サスペンション基板内に形成するようにしている。
特開平１０−２６５５７２号公報
しかるに、磁気ヘッドの実装位置の精度向上を図るべく、基準孔の加工精度の向上が要求されている。また、サスペンション基板のサスペンションとしての機能向上を図るべく、外形加工精度もまた重要である。
しかし、サスペンション基板を、上記したように化学エッチングすると、化学エッチングされたサスペンション基板の端面が、エッチング液により不均一に腐食されてしまい、基準孔の孔径にばらつきを生じたり、あるいは、安定した外形が得られないという不具合を生じる。
本発明の目的は、サスペンション基板内に形成する基準孔などのばらつきを低減することができ、また、サスペンション基板の安定した外形を得ることができる、回路付サスペンション基板の製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明は、サスペンション基板を用意する工程と、前記サスペンション基板の上に、ベース絶縁層を形成する工程と、前記サスペンション基板および前記ベース絶縁層の全面に、スパッタリング法により導体薄膜からなる種膜を形成するスパッタリング工程と、前記種膜の上に、所定のパターンでめっきレジストを形成し、前記種膜における前記めっきレジストが形成されていない表面に、めっきにより配線回路パターンを形成する工程と、前記めっきレジスト、および、前記めっきレジストが積層されていた部分の種膜を除去する工程と、前記配線回路パターンの表面、および、前記サスペンション基板の表面に、無電解めっきによって金属薄膜を形成する無電解めっき工程と、前記サスペンション基板の表面に形成された金属薄膜を除去する工程と、前記サスペンション基板を形成する材料よりもエッチングされにくい材料を、前記サスペンション基板の表面に付着させた状態で、前記サスペンション基板をエッチングするエッチング工程とを含み、サスペンション基板を形成する前記材料が、ステンレスであり、サスペンション基板を形成する材料よりもエッチングされにくい前記材料が、ジルコニウムまたはパラジウムであり、前記材料がジルコニウムである場合には、前記スパッタリング工程において、ジルコニウムから形成されている電極を用いて、導体薄膜をスパッタリングすることにより、前記エッチング工程の直前において、前記サスペンション基板の表面に、ジルコニウムを付着させ、前記材料がパラジウムである場合には、前記無電解めっき工程において、パラジウムを含む触媒を用いて、金属薄膜を無電解めっきすることにより、前記エッチング工程の直前において、前記サスペンション基板の表面に、パラジウムを付着させることを特徴としている。
また、本発明では、サスペンション基板を形成する前記材料が、ステンレスであり、サスペンション基板を形成する材料よりもエッチングされにくい前記材料が、ジルコニウムまたはパラジウムであることが好適である。
また、本発明では、サスペンション基板の表面に、スパッタリング法により導体薄膜を形成するスパッタリング工程をさらに含み、前記スパッタリング工程において、ジルコニウムから形成されている電極を用いて、導体薄膜をスパッタリングすることにより、サスペンション基板の表面に、ジルコニウムを付着させることが好適である。
また、本発明では、サスペンション基板の表面に、無電解めっきにより金属薄膜を形成する無電解めっき工程をさらに含み、前記無電解めっき工程において、パラジウムを含む触媒を用いて、金属薄膜を無電解めっきすることにより、サスペンション基板の表面に、パラジウムを付着させることも好適である。
本発明の回路付サスペンション基板の製造方法によれば、サスペンション基板をエッチングする工程において、そのサスペンション基板の表面に、サスペンション基板を形成する材料よりもエッチングされにくい材料が付着されている。そのため、エッチング液により、サスペンション基板の端面を均一にエッチングすることができ、その端面を平滑化して、加工精度の向上を図ることができる。
その結果、サスペンション基板をエッチングする工程において形成される基準孔などのばらつきを低減することができ、また、サスペンション基板の安定した外形加工を実現することができる。
図１は、本発明の回路付サスペンション基板の一実施形態を示す平面図である。この回路付サスペンション基板は、ハードディスクドライブの磁気ヘッド（図示せず）を実装して、その磁気ヘッドを、磁気ヘッドと磁気ディスクとが相対的に走行する時の空気流に抗して、磁気ディスクとの間に微小な間隔を保持しながら支持するものであり、磁気ヘッドと、リード・ライト基板とを接続するための配線が、配線回路パターンとして一体的に形成されている。
図１において、この回路付サスペンション基板１は、長手方向に延びるサスペンション基板２の上に、絶縁体からなるベース絶縁層３が形成されており、そのベース絶縁層３の上に、配線回路パターンとして形成される導体層４が形成されている。なお、この配線回路パターンは、互いに所定間隔を隔てて並列配置される複数の配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄとして形成されている。
サスペンション基板２の先端部には、そのサスペンション基板２を切り抜くことによって、磁気ヘッドを実装するためのジンバル５が形成されている。また、そのサスペンション基板２の先端部には、磁気ヘッドと各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄとを接続するための磁気ヘッド側接続端子部６が形成されている。
また、サスペンション基板２の後端部には、リード・ライト基板７の接続端子部８と各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄとを接続するための外部側接続端子部９が形成されている。
なお、図１においては、図示されていないが、実際には、導体層４の上には、絶縁体からなるカバー絶縁層１０が被覆されている。
次に、この回路付サスペンション基板１の製造方法について、図２〜図５を参照して説明する。なお、図２〜図５は、回路付サスペンション基板１の幅方向（長手方向に直交する方向）の断面図として示されている。
この方法では、図２（ａ）に示すように、まず、サスペンション基板２を用意する。サスペンション基板２としては、金属箔または金属薄板が用いられ、ステンレスが用いられる。また、その厚さが、１０〜６０μｍ、さらには、１５〜３０μｍのものが好ましく用いられる。
なお、この方法では、長尺のサスペンション基板２を用意して、以下に述べるベース絶縁層３、導体層４およびカバー絶縁層１０を順次積層するパターンを、その長尺のサスペンション基板２に複数形成した後、後述するサスペンション基板２を化学エッチングする工程において、個々のサスペンション基板２の外形形状に沿って切り抜くようにして、各回路付サスペンション基板１を製造するようにしている。
次に、この方法では、図２（ｂ）〜図２（ｄ）に示すように、サスペンション基板２の上に、ベース絶縁層３を所定のパターンで形成する。
ベース絶縁層３を形成するための絶縁体としては、例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエーテルニトリル系樹脂、ポリエーテルスルホン系樹脂、ポリエチレンテレフタレート系樹脂、ポリエチレンナフタレート系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂などの合成樹脂が用いられる。これらのうち、所定のパターンでベース絶縁層３を形成するためには、好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミド樹脂が用いられる。
そして、例えば、感光性ポリイミド樹脂を用いて、サスペンション基板２の上に、所定のパターンでベース絶縁層３を形成する場合には、まず、図２（ｂ）に示すように、感光性ポリイミド樹脂の前駆体（ポリアミック酸樹脂）の溶液を、そのサスペンション基板２の全面に塗工した後、例えば、６０〜１５０℃、好ましくは、８０〜１２０℃で加熱することにより、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜３ａを形成する。
次に、図２（ｃ）に示すように、その皮膜３ａを、フォトマスク１１を介して露光させ、必要により所定温度に加熱した後、現像することにより、皮膜３ａを、所定のパターンに形成する。なお、フォトマスク１１を介して照射する照射線は、その露光波長が、３００〜４５０ｎｍ、さらには、３５０〜４２０ｎｍであることが好ましく、その露光積算光量が、１００〜１０００ｍＪ／ｃｍ２、さらには、２００〜７００ｍＪ／ｃｍ２であることが好ましい。
また、照射された皮膜３ａの露光部分は、例えば、１３０℃以上１５０℃未満で加熱することにより、次の現像処理において可溶化（ポジ型）し、また、例えば、１５０℃以上１８０℃以下で加熱することにより、次の現像処理において不溶化（ネガ型）する。また、現像は、例えば、アルカリ現像液などの公知の現像液を用いて、浸漬法やスプレー法などの公知の方法によって処理することができる。なお、この方法においては、ネガ型でパターンを得ることが好ましく、図２においては、ネガ型でパターンニングする態様として示されている。
そして、図２（ｄ）に示すように、このようにしてパターン化された感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜３ａを、例えば、最終的に２５０℃以上に加熱することによって、硬化（イミド化）させ、これによって、ポリイミド樹脂からなるベース絶縁層３を、所定のパターンで、サスペンション基板２の上に形成する。
なお、感光性の合成樹脂を用いない場合には、例えば、サスペンション基板２の上に、合成樹脂を、所定のパターンで塗工またはドライフィルムとして貼着すればよい。
また、このようにして形成されるベース絶縁層３の厚みは、例えば、２〜３０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。
次いで、この方法では、ベース絶縁層３の上に、配線回路パターンで導体層４を形成する。配線回路パターンとして形成する導体層４は、導体からなり、そのような導体としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などが用いられる。好ましくは、銅が用いられる。また、配線回路パターンで導体層４を形成するには、ベース絶縁層３の表面に、導体層４を、アディティブ法によって、配線回路パターンとして形成する。
また、アディティブ法では、まず、ベース絶縁層３の上に、導体薄膜からなる種膜を形成し、次いで、この種膜の上に、配線回路パターンと逆パターンでめっきレジストを形成した後、種膜におけるめっきレジストが形成されていない表面に、めっきにより、配線回路パターンとして導体層４を形成し、その後に、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた部分の種膜を除去するようにする。
すなわち、アディティブ法では、まず、図２（ｅ）に示すように、サスペンション基板２およびベース絶縁層３の全面に、導体薄膜からなる種膜１２を形成する。種膜１２の形成は、真空蒸着法、とりわけ、スパッタリング法が好ましく用いられる。また、種膜１２となる導体は、クロムや銅などが好ましく用いられる。より具体的には、例えば、サスペンション基板２およびベース絶縁層３の全面に、クロム薄膜と銅薄膜とをスパッタリング法によって、順次形成することが好ましい。なお、クロム薄膜の厚みが、１００〜６００Å、銅薄膜の厚みが、５００〜２０００Åであることが好ましい。
次いで、図３（ｆ）に示すように、その種膜１２の上に、配線回路パターンと逆パターンのめっきレジスト１３を形成する。めっきレジスト１３は、例えば、ドライフィルムレジストなどを用いて公知の方法により、上記したレジストパターンとして形成する。次いで、図３（ｇ）に示すように、種膜１２におけるめっきレジスト１３が形成されていない部分に、めっきにより、配線回路パターンの導体層４を形成する。めっきは、電解めっき、無電解めっきのいずれでもよいが、電解めっきが好ましく用いられ、とりわけ、電解銅めっきが好ましく用いられる。なお、この配線回路パターンは、例えば、図１に示されるように、互いに所定間隔を隔てて並列配置される、複数の配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄのパターンとして形成する。
導体層４の厚みは、例えば、２〜２５μｍ、好ましくは、５〜２０μｍであり、各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄの幅は、例えば、１０〜５００μｍ、好ましくは、３０〜３００μｍであり、各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ間の間隔は、例えば、１０〜１０００μｍ、好ましくは、１０〜５００μｍである。
そして、図３（ｈ）に示すように、めっきレジスト１３を、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法または剥離によって除去した後、図３（ｉ）に示すように、めっきレジスト１３が形成されていた部分の種膜１２を、同じく、化学エッチング（ウェットエッチング）など公知のエッチング法により除去する。これによって、ベース絶縁層３の上に、導体層４が配線回路パターンとして形成される。
次いで、この方法では、図３（ｊ）に示すように、導体層４の表面に、金属皮膜１４を形成する。この金属皮膜１４は、無電解めっきによって、硬質の金属薄膜として形成し、例えば、無電解ニッケルめっきによって、硬質のニッケル薄膜として形成する。その厚みは、導体層４の表面が露出しない程度であればよく、例えば、０．０５〜０．１μｍである。また、この金属皮膜１４は、無電解めっきによって、サスペンション基板２の表面にも形成される。
次いで、図４（ｋ）〜図４（ｍ）に示すように、導体層４を被覆するためのカバー絶縁層１０を、所定のパターンとして形成する。カバー絶縁層１０を形成するための絶縁体としては、ベース絶縁層３と同様の絶縁体が用いられ、好ましくは、感光性ポリイミド樹脂が用いられる。
そして、例えば、感光性ポリイミド樹脂を用いて、カバー絶縁層１０を形成する場合には、図４（ｋ）に示すように、ベース絶縁層３および金属皮膜１４の上に、感光性ポリイミド樹脂の前駆体（ポリアミック酸樹脂）の溶液を、その全面に塗工した後、例えば、６０〜１５０℃、好ましくは、８０〜１２０℃で加熱することにより、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜１０ａを形成し、次に、図４（ｌ）に示すように、その皮膜１０ａを、フォトマスク１５を介して露光させ、必要により所定温度に加熱した後、現像することにより、皮膜１０ａを、導体層４を被覆する所定のパターンに形成する。
なお、この露光および現像の条件は、ベース絶縁層３を露光および現像する条件と同様の条件が用いられる。また、ネガ型でパターンを得ることが好ましく、図４においては、ネガ型でパターンニングする態様として示されている。
そして、このようにしてパターン化されたポリイミド樹脂の前駆体の皮膜１０ａを、図４（ｍ）に示すように、例えば、最終的に２５０℃以上に加熱することによって、硬化（イミド化）させ、これによって、ポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層１０を、導体層４を含むベース絶縁層３の上に形成する。なお、カバー絶縁層１０の厚みは、例えば、１〜３０μｍ、好ましくは、２〜２０μｍである。
次いで、この方法では、図４（ｎ）に示すように、サスペンション基板２の上に形成されている金属皮膜１４を剥離した後、図４（ｏ）に示すように、サスペンション基板２を、化学エッチングによって所定形状に加工し、これによって、回路付サスペンション基板１を得る。
この加工では、サスペンション基板２内において、ジンバル５や、磁気ヘッドの実装時やロードビームとのスポット溶接時に位置決めのために用いられる基準孔１６などの所定の形状に切り抜くとともに、サスペンション基板２の外形を、切り抜くようにする。
そして、この方法では、この加工において、サスペンション基板２を形成する材料よりも化学エッチングされにくい材料を、サスペンション基板２の表面に予め付着させた状態で、サスペンション基板２を化学エッチングする。
サスペンション基板２を形成する材料よりも化学エッチングされにくい材料としては、ジルコニウムやパラジウムが挙げられる。
また、サスペンション基板２を形成する材料よりも化学エッチングされにくい材料を、サスペンション基板２の表面に予め付着させるには、ジルコニウムを、サスペンション基板２の表面に予め付着させる場合には、上記した種膜１２の形成工程において、ジルコニウムから形成されている電極を用いて、種膜１２を形成する導体をスパッタリングする。そうすると、放電ガス（例えば、アルゴンガス）の衝突によって、電極からジルコニウムが飛散して、その飛散したジルコニウムがサスペンション基板２の表面に付着する。
このようにしてサスペンション基板２の表面に付着したジルコニウムは、ある程度の付着量が確保されることで、サスペンション基板２を化学エッチングする、この工程に至るまで、サスペンション基板２の表面に残留する。
ジルコニウムのサスペンション基板２の表面に対する付着量は、スパッタリング終了直後において、例えば、０．２〜１５．０ａｔｏｍｉｃ％であり、サスペンション基板２の化学エッチング直前において、例えば、０．１〜１０．０ａｔｏｍｉｃ％、さらには、０．１〜５．０ａｔｏｍｉｃ％であることが好ましい。上記の範囲を外れて、ジルコニウムの付着量が少なくなると、サスペンション基板２の端面１７を均一にエッチングすることができなくなる場合があり、また、上記の範囲を外れて、ジルコニウムの付着量が多くなると、ジルコニウムが異物となり、製品不良の原因となる。なお、ジルコニウムの付着量は、ＥＳＣＡを用いる表面分析によって、単位面積当たりの元素比率として求めることができる。
また、このようなジルコニウムの付着量は、スパッタリングの条件によって調整することができる。そのスパッタリングの条件としては、電力が、例えば、０．２ｋＷ以上、好ましくは、１．０〜６．５ｋＷであり、処理時間が、例えば、５秒以上、好ましくは、１０〜４０秒である。
また、パラジウムを、サスペンション基板２の表面に予め付着させる場合には、上記した金属皮膜１４の形成工程において、パラジウムを含む触媒を用いて、金属皮膜１４を形成する硬質の金属薄膜を無電解めっきする。そうすると、無電解めっき液に、サスペンション基板２を浸漬したときに、その無電解めっき液に触媒として含まれているパラジウムがサスペンション基板２の表面に付着する。
このようにしてサスペンション基板２の表面に付着したパラジウムは、ある程度の付着量が確保されることで、サスペンション基板２を化学エッチングする、この工程に至るまで、サスペンション基板２の表面に残留する。
パラジウムのサスペンション基板２の表面に対する付着量は、無電解めっき終了直後において、例えば、０．５〜１５．０ａｔｏｍｉｃ％であり、サスペンション基板２の化学エッチング直前において、例えば、０．１〜１０．０ａｔｏｍｉｃ％、さらには、０．１〜５．５ａｔｏｍｉｃ％であることが好ましい。上記の範囲を外れて、パラジウムの付着量が少なくなると、サスペンション基板２の端面１７を均一にエッチングすることができなくなる場合があり、また、上記の範囲を外れて、パラジウムの付着量が多くなると、パラジウムが異物となり、製品不良の原因となる。なお、パラジウムの付着量は、ＥＳＣＡを用いる表面分析によって、単位面積当たりの元素比率として求めることができる。
また、このようなパラジウムの付着量は、無電解めっきの条件によって調整することができる。その無電解めっきの条件としては、例えば、無電解めっき液として、塩酸パラジウム系溶液を用いて、その塩酸パラジウム系溶液のパラジウム濃度が、例えば、３５〜７５ｐｐｍ、好ましくは、４５〜６０ｐｐｍであり、塩酸濃度が、９０〜１３０ｇ／Ｌ、好ましくは、１００〜１２０ｇ／Ｌであり、また、液温が、例えば、２３〜２７℃であり、浸漬時間が、例えば、４０秒以上、好ましくは、５０〜８０秒である。
なお、この方法においては、ジルコニウムおよびパラジウムの両方を、サスペンション基板２の表面に付着させてもよく、また、いずれか一方のみを、サスペンション基板２の表面に付着させてもよい。
上記したように、ジルコニウムまたはパラジウムを、サスペンション基板２の表面に予め付着させれば、回路付サスペンション基板の製造工程中において、格別に、サスペンション基板２の表面に予め付着させるための工程を設ける必要がなく、工数の低減化を図りつつ、確実に、ジルコニウムまたはパラジウムを、サスペンション基板２の表面に予め付着させることができる。そのため、製造工程の簡略化および製造効率の向上を図ることができる。
そして、サスペンション基板２を化学エッチングするには、特に制限されないが、例えば、サスペンション基板２における化学エッチングする部分以外を、フォトレジストやドライフィルムレジストなどを用いて、所定のパターンで被覆した後、エッチング液として、例えば、塩化第二鉄、塩化第二銅などの水溶液を用いて、エッチングし、その後、必要により、水洗および乾燥すればよい。
このとき、この方法では、サスペンション基板２の表面に、サスペンション基板２を形成する材料よりもエッチングされにくい材料が付着されているので、エッチング液により、サスペンション基板２の端面１７を均一にエッチングすることができ、その端面１７を平滑化して、加工精度の向上を図ることができる。
すなわち、サスペンション基板２の表面に、サスペンション基板２を形成する材料よりもエッチングされにくい材料が付着されていない場合には、図５に示すように、化学エッチングされたサスペンション基板２の端面１７が、エッチング液により不均一に腐食される場合がある。
しかし、この方法のように、サスペンション基板２の表面に、サスペンション基板２を形成する材料よりもエッチングされにくい材料が付着されている場合には、図６に示すように、化学エッチングされたサスペンション基板２の端面１７が、エッチング液により均一にエッチングされるので、端面１７を、均一かつ平滑に形成することができる。
なお、この場合、端面１７は、より具体的には、サスペンション基板２の厚さ方向において、表面から裏面に向かって均一に内側に傾斜する形状（表面から裏面に向かって開口部が均一に幅広となる形状）に形成される。
その結果、この方法によれば、サスペンション基板２をエッチングする工程において形成される基準孔１６などのばらつきを低減することができ、また、サスペンション基板２の安定した外形加工を実現することができる。
なお、上記の方法において、磁気ヘッド側接続端子部６および外部側接続端子部９は、例えば、カバー絶縁層１０の形成において、磁気ヘッド側接続端子部６および外部側接続端子部９を形成する位置には、開口部が形成されるようにしておき、その後、その開口部から露出する金属皮膜１４を、サスペンション基板２の上に形成されている金属皮膜１４と同時に除去した後に、露出する導体層４の表面に、電解ニッケルめっきと、電解金めっきとを順次施して、ニッケルめっき層および金めっき層からなるパッド部を形成することによって、形成することができる。なお、ニッケルめっき層および金めっき層の厚さは、例えば、０．２〜５μｍである。
また、上記の方法では、種膜１２を除去した後に、金属皮膜１４を形成したが、種膜１２を除去する前に、金属皮膜１４を形成してもよい。より具体的には、例えば、種膜１２を、クロム薄膜と銅薄膜とを順次積層して形成する場合において、まず、銅薄膜を除去し、次いで、金属皮膜１４を形成し、その後、クロム薄膜を除去するようにしてもよい。
なお、上記した回路付サスペンション基板１の製造方法は、実際には、ロールツーロール法などの生産ラインを用いて、実施することができる。その場合には、例えば、サスペンション基板２の上に、ベース絶縁層３、導体層４およびカバー絶縁層１０の各層をロールツーロール法により連続して積層した後に、各回路付サスペンション基板１ごとに切り抜くようにする。
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されることはない。
実施例１
下記の各工程を、ロールツーロール法を用いて実施することにより、回路付サスペンション基板を得た。
下記の各工程を、ロールツーロール法を用いて実施することにより、回路付サスペンション基板を得た。
幅３００ｍｍ、厚み２０μｍ、長さ１２０ｍのステンレスからなるサスペンション基板を用意し（図２（ａ）参照）、ポリアミック酸樹脂の溶液を、そのサスペンション基板の全面に塗工した後、１００℃で加熱することにより、厚み２５μｍのポリアミック酸樹脂の皮膜を形成した（図２（ｂ）参照）。その皮膜を、フォトマスクを介して、７２０ｍＪ／ｃｍ２で露光させ、１８０℃で加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像した（図２（ｃ）参照）。その後、最高温度４２０℃で硬化させることにより、ポリイミド樹脂からなるベース絶縁層を、所定のパターンで形成した（図２（ｄ）参照）。このベース絶縁層の厚みは、１０μｍであった。
次いで、サスペンション基板およびベース絶縁層の全面に、厚み４００Åのクロム薄膜と厚み７００Åの銅薄膜とを、スパッタリング法によって順次形成することにより種膜を形成した（図２（ｅ）参照）。
なお、スパッタリングは、ジルコニウムから形成されている電極を用いて、電力１．０ｋＷ、処理時間１０秒で処理し、スパッタリング終了直後におけるジルコニウムのサスペンション基板の表面に対する付着量は、１．０ａｔｏｍｉｃ％であった。
その後、種膜の上に、感光性ドライフィルムレジストを積層した後、フォトマスクを介して２３５ｍＪ／ｃｍ２で露光させ、アルカリ現像液を用いて現像することにより、配線回路パターンと逆パターンのめっきレジストを形成した（図３（ｆ）参照）。
そして、ベース絶縁層におけるめっきレジストが形成されていない部分に、電解銅めっきにより、導体層を配線回路パターンとして形成した（図３（ｇ）参照）。導体層の厚みは１２μｍであり、各配線の幅は２８０μｍ、各配線間の間隔は４８０μｍであった。
その後、めっきレジストを剥離した後（図３（ｈ）参照）、めっきレジストが形成されていた部分の種膜を化学エッチングにより除去し（図３（ｉ）参照）、次いで、導体層およびサスペンション基板の表面に、無電解ニッケルめっきによって、厚み０．１μｍの硬質のニッケル薄膜からなる金属皮膜を形成した（図３（ｊ）参照）。
なお、無電解ニッケルめっきは、パラジウム濃度５５ｐｐｍ、塩酸濃度１１５ｇ／Ｌの塩酸パラジウム系溶液を無電解めっき液として、液温２５℃、浸漬時間５５秒で処理し、無電解めっき終了直後におけるパラジウムのサスペンション基板の表面に対する付着量は、９．９ａｔｏｍｉｃ％であった。
次いで、ベース絶縁層および金属皮膜の上に、ポリアミック酸樹脂の溶液を、その全面に塗工した後、１００℃で加熱することにより、厚み２０μｍのポリアミック酸樹脂の皮膜を形成し（図４（ｋ）参照）、その皮膜を、フォトマスクを介して、７２０ｍＪ／ｃｍ２で露光させ、１８０℃で加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像することにより、皮膜を、導体層が被覆されるようにパターンとして形成した（図４（ｌ）参照）。その後、最高温度４２０℃で硬化させることにより、ポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層を、所定のパターンで形成した（図４（ｍ）参照）。このカバー絶縁層の厚みは、５μｍであった。
次いで、サスペンション基板の表面およびカバー絶縁層から露出する金属皮膜を、化学エッチングにより除去した（図４（ｎ）参照）。その後、感光性ドライフィルムレジストを、ジンバルや基準孔を形成する部分を除いて、サスペンション基板の外形を被覆するように積層した後、１０５ｍＪ／ｃｍ２で露光させ、アルカリ現像液を用いて現像することによりエッチングレジストを形成した。その後、そのエッチングレジストをレジストとして、塩化第二鉄溶液を用いて、化学エッチングすることにより、回路付サスペンション基板ごと打ち抜くととともに、その回路付サスペンション基板にジンバルや基準孔（孔径０．５ｍｍに設定）を同時に形成した（図４（ｏ）参照）。
なお、サスペンション基板の化学エッチング直前における、ジルコニウムのサスペンション基板の表面に対する付着量は、０．９ａｔｏｍｉｃ％であり、パラジウムのサスペンション基板の表面に対する付着量は、５．１ａｔｏｍｉｃ％であった。
比較例１
スパッタリングを、ジルコニウムから形成されている電極を用いて、電力０．１ｋＷ、処理時間５秒で処理し、また、無電解ニッケルめっきを、パラジウム濃度１０ｐｐｍ、塩酸濃度１５０ｇ／Ｌの塩酸パラジウム系溶液を無電解めっき液として、液温２５℃、浸漬時間２０秒で処理した以外は、実施例１と同様の操作により、回路付サスペンション基板を得た。
スパッタリングを、ジルコニウムから形成されている電極を用いて、電力０．１ｋＷ、処理時間５秒で処理し、また、無電解ニッケルめっきを、パラジウム濃度１０ｐｐｍ、塩酸濃度１５０ｇ／Ｌの塩酸パラジウム系溶液を無電解めっき液として、液温２５℃、浸漬時間２０秒で処理した以外は、実施例１と同様の操作により、回路付サスペンション基板を得た。
なお、スパッタリング終了直後におけるジルコニウムのサスペンション基板の表面に対する付着量は、０．１ａｔｏｍｉｃ％であり、無電解めっき終了直後におけるパラジウムのサスペンション基板の表面に対する付着量は、０．２ａｔｏｍｉｃ％であった。
また、サスペンション基板の化学エッチング直前における、ジルコニウムのサスペンション基板の表面に対する付着量は、０ａｔｏｍｉｃ％であり、パラジウムのサスペンション基板の表面に対する付着量は、０ａｔｏｍｉｃ％であった。
評価
実施例１および比較例１の回路付サスペンション基板において、最終工程で形成した基準孔の寸法精度を、実施例および比較例の各基準孔の平均孔径、最高孔径、最低孔径、標準偏差を求めることにより評価した。その結果を表１に示す。
実施例１および比較例１の回路付サスペンション基板において、最終工程で形成した基準孔の寸法精度を、実施例および比較例の各基準孔の平均孔径、最高孔径、最低孔径、標準偏差を求めることにより評価した。その結果を表１に示す。
１ 回路付サスペンション基板
２ サスペンション基板
１２ 種膜
１４ 金属皮膜
２ サスペンション基板
１２ 種膜
１４ 金属皮膜
Claims (1)
- サスペンション基板を用意する工程と、
前記サスペンション基板の上に、ベース絶縁層を形成する工程と、
前記サスペンション基板および前記ベース絶縁層の全面に、スパッタリング法により導体薄膜からなる種膜を形成するスパッタリング工程と、
前記種膜の上に、所定のパターンでめっきレジストを形成し、前記種膜における前記めっきレジストが形成されていない表面に、めっきにより配線回路パターンを形成する工程と、
前記めっきレジスト、および、前記めっきレジストが積層されていた部分の種膜を除去する工程と、
前記配線回路パターンの表面、および、前記サスペンション基板の表面に、無電解めっきによって金属薄膜を形成する無電解めっき工程と、
前記サスペンション基板の表面に形成された金属薄膜を除去する工程と、
前記サスペンション基板を形成する材料よりもエッチングされにくい材料を、前記サスペンション基板の表面に付着させた状態で、前記サスペンション基板をエッチングするエッチング工程と
を含み、
サスペンション基板を形成する前記材料が、ステンレスであり、
サスペンション基板を形成する材料よりもエッチングされにくい前記材料が、ジルコニウムまたはパラジウムであり、
前記材料がジルコニウムである場合には、
前記スパッタリング工程において、ジルコニウムから形成されている電極を用いて、導体薄膜をスパッタリングすることにより、前記エッチング工程の直前において、前記サスペンション基板の表面に、ジルコニウムを付着させ、
前記材料がパラジウムである場合には、
前記無電解めっき工程において、パラジウムを含む触媒を用いて、金属薄膜を無電解めっきすることにより、前記エッチング工程の直前において、前記サスペンション基板の表面に、パラジウムを付着させることを特徴とする、回路付サスペンション基板の製造方法。
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