JP2004140085A - 回路基板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】回路基板を製造する場合において、安価で簡便なサブトラクティブ法を用い、しかも導体パターンの微細化や樹脂基材と導体パターンとの接着力を高めることを課題とする。
【解決手段】絶縁基材(1)の表面に第2導体層であるニッケル(8)を介在させて、これと異なる金属材料からなる第1導体層の銅(2)を形成した回路基板素材(10)を用い、第1導体層の表面にマスキング(4)を形成する工程と、マスキングを介して第2導体層よりも第1導体層に対するエッチング速度の速いエッチング液Aを適用して主として第1導体層を溶解する工程と、前記マスキングを介して第1導体層よりも第2導体層に対するエッチング速度の速いエッチング液Bを適用して主として第2導体層を溶解する工程と、を含むことを特徴とする。
【選択図】 図3
【解決手段】絶縁基材(1)の表面に第2導体層であるニッケル(8)を介在させて、これと異なる金属材料からなる第1導体層の銅(2)を形成した回路基板素材(10)を用い、第1導体層の表面にマスキング(4)を形成する工程と、マスキングを介して第2導体層よりも第1導体層に対するエッチング速度の速いエッチング液Aを適用して主として第1導体層を溶解する工程と、前記マスキングを介して第1導体層よりも第2導体層に対するエッチング速度の速いエッチング液Bを適用して主として第2導体層を溶解する工程と、を含むことを特徴とする。
【選択図】 図3
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は回路基板及びその製造方法に関し、更に詳しくは、サブトラクティブ法又はセミアディティブ法によって絶縁基材上に導体パターンを形成する回路基板の製造方法及びその方法によって製造した回路基板に関する。
【0002】
【従来の技術】
回路基板を製造する場合において、サブトラクティブ法は安価で簡便な方法であり、最も広く使用されている。その半面、近年における半導体装置の高密度化、微細化に伴って、回路基板における微細な導体パターンを得るという点では、不利な面もある。
【0003】
図1はサブトラクティブ法により回路基板を製造する工程を示す断面図で、エッチングにより樹脂基材の上に導体パターンを形成する工程を示す。図1(a)がエッチング前の状態、図1(b)がエッチング後の状態、図1(c)は図1(b)のA部の拡大図である。
【0004】
まず、図1(a)に示すように、樹脂基材1に銅箔2を貼り付けた基板素材3を準備し、銅箔2の表面にマスキング用として、ドライ・フィルム・レジスト(DFR)を形成し又は液状レジストを塗布することにより、レジストを形成し、周知の方法で露光、現像を行って、レジストパターン4を形成する。そして、レジストパターンのエッチング液通過部分4aを介してエッチング液を吹き付けて銅箔2のレジストパターンのエッチング液通過部分4aの対応する領域を溶解させて銅パターン部分を残す。図1(b)はエッチング後の状態を示すもので、その後、レジスト4を除去することにより、残された銅箔の部分が導体パターン6となる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のサブトラクティブ法による回路基板の製造方法によると、図1(b)に示すように、エッチングが進行するにしたがって、エッチング液により溶解される銅箔の領域が広がり、その領域が銅箔2と樹脂基材1との間の界面5にまで達する。
【0006】
ところで、この界面5は一般に銅箔2と樹脂基材1との間の接着強度を高めるために銅箔2の界面5が粗面であって微小な凹凸を有するもので、この凹凸が樹脂基材1に食い込んでアンカー効果を発揮し、樹脂基材1と銅箔2との間の接着強度を高めている。
【0007】
このため、図1(c)に示すように、この凹凸部分にてコア層である樹脂1の凹凸部分の溝に嵌まり込んでいる金属片2aが溶解されにくく、金属片2aが完全に溶解されるまでに、導体パターン6の溶解不要なサイド領域6aが過剰エッチングとなり、その結果、レジスト4の下部のアンダーカットが進行することとなり導体パターン6の幅が不均一で細くなる。導体パターン6の上部の幅(a)と下部の幅(b)との差が開き、導体パターン6間のピッチ(c)を小さくすることもできず、回路基板の細密化や高密度化に支障をきたすこととなる。
【0008】
また、セミアディティブ法により回路基板を製造する場合は、サブトラクティブ法の場合と同様、フラッシュエッチング時に導体パターンの全面をエッチングすることとなるので、導体パターンの幅を十分確保することが困難となる。また、導体パターンの厚みが不均一となるという問題がある。
【0009】
そこで、本発明では、回路基板を製造する場合において、安価で簡便なサブトラクティブ法又はセミアディティブ法を用い、その場合であっても、導体パターンの微細化を達成することのできる回路基板の製造方法、及びこのような方法によって製造された回路基板を得ることを課題とする。
【0010】
また、本発明は、回路基板を製造する場合において、樹脂基材と金属パターンとの接合力を増加させた安定した回路基板を得ることを課題とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を達成するために、サブトラクティブ法による場合は、本発明によると、絶縁基材の表面に第2導体層を介在させて、該第2導体層とは異なる金属材料からなる、第1導体層を形成した回路基板素材を用い、前記第1導体層の表面にマスキングを形成する工程と、該マスキングを介して第2導体層よりも第1導体層に対するエッチング速度の速い第1エッチング液を適用して主として第1導体層を溶解する工程と、前記マスキングを介して第1導体層よりも第2導体層に対するエッチング速度の速い第2エッチング液を適用して主として第2導体層を溶解する工程と、を含むことを特徴とする回路基板の製造方法が提供される。
【0012】
また、セミアディティブ法による場合は、本発明によると、絶縁基材の表面に第2導体層を形成した回路基板素材を用い、該第2導体層上にめっきレジスト・パターンを形成した後、該レジスト・パターンの形成されていない部位に、前記第2導体層とは異なる金属材料からなる、第1導体層のパターンをめっきにより形成する工程と、前記レジスト・パターンを除去した後、前記第1導体層パターンの形成されていない個所の前記第2導体層を第1導体層よりも第2導体層に対するエッチング速度の速いエッチング液を適用して除去する工程と、を含むことを特徴とする回路基板の製造方法が提供される。
【0013】
第1導体層は銅又は銅系合金であり、第2導体層はニッケル、又はニッケル系合金ないし鉄ニッケル系合金であることを特徴とする。
【0014】
また、本発明によると、絶縁基材の表面に第2導体層のパターンを介在させて、該第2導体層とは異なり且つ特定のエッチング液に対する溶解速度が、該第2導体層に対する溶解速度より遅い金属材料からなる、第1導体層パターンが形成されていることを特徴とする回路基板が提供される。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【0016】
図2及び図3はサブトラクティブ法を用いた本発明による半導体回路基板の製造工程を断面図で示したものである。
【0017】
図2(a)は基板素材3の断面図であって、樹脂基材1に周知の方法にて薄いニッケル層8(第2導体層)を介して比較的厚い銅層2(第1導体層)を形成して基板素材10とした状態を示す。
【0018】
図示のように、ニッケル層8と樹脂基材1との間の界面5は粗面ないし凹凸面であって金属であるニッケル層8がコア層である樹脂基材1の中に食い込んでいてアンカー効果を果たし金属・樹脂間の接合強度を高めている。
【0019】
一方、銅層2とニッケル層8との間の界面15は金属間接合であるため、図2(b)に示すように緩やかな凹凸面か、或いは図2(c)に示すように殆ど平坦面かであって、いずれの場合でも比較的滑らかである。しかし、銅層2とニッケル層8との間の金属相互間の接着強度としては十分である。
【0020】
樹脂基材1としては、一般的にエポキシ系樹脂或いはガラス・エポキシ系樹脂が使用される。
【0021】
図3(a)は、図2に示す基板素材10の銅層2の表面にマスキング用として、ドライフィルムレジスト(DFR)を形成し、又は液状レジストを塗布し、周知の方法で露光、現像を行って、レジストパターン4を形成したものである。なお、レジストの形成方法としては、金属の存在している部分のみにレジストを付着させる電着(Electro Deposition)によってもよい。
【0022】
図3(b)において、レジストパターンのエッチング液通過部分4aを介してエッチング液Aを吹き付けて銅箔2のレジストパターンのエッチング液通過部分4aに対応する領域を溶解させて導体パターン部分6を残す。この場合において、使用するエッチング液は、銅をエッチングするために通常使用される、塩化第二鉄(FeCl3)又は塩化第二銅(CuCl2)水溶液等が使用される。
【0023】
この場合のエッチングは、銅層2とニッケル層8との界面15が平坦面に近いか又は緩やかな凹凸面であるので、銅層2の溶解部分は比較的短い時間でこの界面15にまで達し、ニッケル層8も部分的に溶解される。しかし、この場合のエッチングは、主として銅層2を溶解させるためのもので、ニッケル層8に対する溶解はあまり問題とはしていない。いずれにしても、図1の従来例で示したような、導体パターン6のサイド部分が過剰エッチング部6aとならない程度に、エッチング条件、例えばエッチング時間等が設定される。
【0024】
次に、洗浄後、図3(c)に示すように、エッチング液Bを用い同じレジストパターンのエッチング液通過部分4aを介してエッチングを行う。この場合のエッチング液Bは、銅に対しては反応が遅く、一方ニッケルに対しては反応の速いエッチング液を選ぶ。
【0025】
このようなエッチング液Bとしては、例えば、メック株式会社から市販されているメックリバーNH−1862(商品名)がある。このエッチング液Bは、銅とニッケルが共存する基板から銅を殆ど侵さずにニッケルをエッチングする、ニッケル優先エッチング液である。
【0026】
したがって、エッチング液Bでは、銅の部分である導体パターン6のサイド領域6aを過剰にエッチングすることなく、ニッケル8のみを溶解させる。そして、その溶解部分は、ニッケル層8と樹脂層1との間の界面5に迅速に到達し、凹凸の激しい界面5における谷部分に付着しているニッケル片に対しも容易に溶解させることができる。
【0027】
上記のようにこの実施形態では、凹凸の激しい界面5の谷部分に付着しているニッケルのエッチングに時間を要しても導体パターン6の溶解不要なサイド領域6aを過剰エッチングすることはなく、その結果、導体パターン6の幅を細くし過ぎることはなく、均一な厚みや幅を持った導体パターン6とすることができる。
【0028】
図4はセミアディティブ法を用いた本発明の回路基板の製造工程を断面図で示したものである。セミアディティブ法による場合は、絶縁基材である樹脂層1の表面に第2導体層であるニッケル層8を形成した回路基板素材20を使用する。ニッケル層8樹脂層1との間の界面5は、金属・樹脂間の接合領域であるから、前述のように粗面とし、凹凸を持った面である。
【0029】
まず図4(a)に示すように、ニッケル層8の表面にめっきレジスト・パターン14を形成した後、レジスト・パターンの形成されていない部位、即ち開放部14aに、銅層2(導体パターン)を電解めっきにより形成する。
【0030】
次に、図4(b)に示すように、レジスト14を剥離した後、前述のエッチング液Bによりエッチングを行うことで、導体パターン6の形成されていない樹脂層1の上面に存在していたニッケル層8を溶解させる。これにより、導体パターン6が形成される。
【0031】
なお、エッチング液Bによるエッチングの際に導体パターン6自体も多少は溶解されるが、前述のように、このエッチング液Bは銅に対してはエッチング速度が遅く、ニッケルに対してはエッチング速度が速いので、銅の導体パターン6の上面領域やサイド領域での過剰エッチング部分6bは極くわずかであるので、導体パターン6の厚みや幅に大きな影響を与えることはない。
【0032】
以上のようにして、本発明の回路基板の製造方法では、サブトラクティブ法又はセミアディティブ法のいずれによっても回路基板の製造が可能である。
【0033】
以上添付図面を参照して本発明の実施の形態について説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の精神ないし範囲内において種々の形態、変形、修正等が可能である。
【0034】
例えば、上述の実施形態においては、第1導体層を銅とし、第2導体層をニッケルとして説明したが、第1導体層を例えば銅系合金、第2導体層をニッケル系合金又は鉄ニッケル系合金としても良い。或いは、第1導体層と第2導体層は特定のエッチング液に対しエッチング速度が互いに異なる金属材料であれば、あらゆる金属の組み合わせが可能である。
【0035】
一方、上述の実施形態においては、エッチング液Aを塩化第二鉄水溶液あるいは塩化第二銅水溶液、エッチング液BをメックリバーNH−1862(商品名)として説明したが、特定の金属に対してエッチング速度が互いに異なるエッチング液であればあらゆるエッチング液の組み合わせが可能である。
【0036】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の回路基板の製造方法は、サブトラクティブ法でもセミアディティブ法のいずれも適用可能である。また、回路基板において導体パターンの金属材料を2層に形成したので、導体パターンの樹脂基材に対する接着力が強固で、且つ微細で高密度の導体パターンの形成が可能となる。また、十分な厚みや幅をもった平滑な表面の導体パターンを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】サブトラクティブ法による従来の回路基板の製造工程の断面図である。
【図2】サブトラクティブ法による本発明の回路基板の製造に用いる回路基板素材の断面図である。
【図3】サブトラクティブ法による本発明の回路基板の製造工程の断面図である。
【図4】セミアディティブ法による本発明の回路基板の製造工程の断面図である。
【符号の説明】
1…樹脂基材
2…第1金属層(銅)
10、20…基板素材
5、15…界面
4…レジスト
4a、14a…エッチング液通過部
14…めっきレジスト
6…導体パターン
6a、6b…過剰エッチング部分
8…第2金属層(ニッケル)
【発明の属する技術分野】
本発明は回路基板及びその製造方法に関し、更に詳しくは、サブトラクティブ法又はセミアディティブ法によって絶縁基材上に導体パターンを形成する回路基板の製造方法及びその方法によって製造した回路基板に関する。
【0002】
【従来の技術】
回路基板を製造する場合において、サブトラクティブ法は安価で簡便な方法であり、最も広く使用されている。その半面、近年における半導体装置の高密度化、微細化に伴って、回路基板における微細な導体パターンを得るという点では、不利な面もある。
【0003】
図1はサブトラクティブ法により回路基板を製造する工程を示す断面図で、エッチングにより樹脂基材の上に導体パターンを形成する工程を示す。図1(a)がエッチング前の状態、図1(b)がエッチング後の状態、図1(c)は図1(b)のA部の拡大図である。
【0004】
まず、図1(a)に示すように、樹脂基材1に銅箔2を貼り付けた基板素材3を準備し、銅箔2の表面にマスキング用として、ドライ・フィルム・レジスト(DFR)を形成し又は液状レジストを塗布することにより、レジストを形成し、周知の方法で露光、現像を行って、レジストパターン4を形成する。そして、レジストパターンのエッチング液通過部分4aを介してエッチング液を吹き付けて銅箔2のレジストパターンのエッチング液通過部分4aの対応する領域を溶解させて銅パターン部分を残す。図1(b)はエッチング後の状態を示すもので、その後、レジスト4を除去することにより、残された銅箔の部分が導体パターン6となる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のサブトラクティブ法による回路基板の製造方法によると、図1(b)に示すように、エッチングが進行するにしたがって、エッチング液により溶解される銅箔の領域が広がり、その領域が銅箔2と樹脂基材1との間の界面5にまで達する。
【0006】
ところで、この界面5は一般に銅箔2と樹脂基材1との間の接着強度を高めるために銅箔2の界面5が粗面であって微小な凹凸を有するもので、この凹凸が樹脂基材1に食い込んでアンカー効果を発揮し、樹脂基材1と銅箔2との間の接着強度を高めている。
【0007】
このため、図1(c)に示すように、この凹凸部分にてコア層である樹脂1の凹凸部分の溝に嵌まり込んでいる金属片2aが溶解されにくく、金属片2aが完全に溶解されるまでに、導体パターン6の溶解不要なサイド領域6aが過剰エッチングとなり、その結果、レジスト4の下部のアンダーカットが進行することとなり導体パターン6の幅が不均一で細くなる。導体パターン6の上部の幅(a)と下部の幅(b)との差が開き、導体パターン6間のピッチ(c)を小さくすることもできず、回路基板の細密化や高密度化に支障をきたすこととなる。
【0008】
また、セミアディティブ法により回路基板を製造する場合は、サブトラクティブ法の場合と同様、フラッシュエッチング時に導体パターンの全面をエッチングすることとなるので、導体パターンの幅を十分確保することが困難となる。また、導体パターンの厚みが不均一となるという問題がある。
【0009】
そこで、本発明では、回路基板を製造する場合において、安価で簡便なサブトラクティブ法又はセミアディティブ法を用い、その場合であっても、導体パターンの微細化を達成することのできる回路基板の製造方法、及びこのような方法によって製造された回路基板を得ることを課題とする。
【0010】
また、本発明は、回路基板を製造する場合において、樹脂基材と金属パターンとの接合力を増加させた安定した回路基板を得ることを課題とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を達成するために、サブトラクティブ法による場合は、本発明によると、絶縁基材の表面に第2導体層を介在させて、該第2導体層とは異なる金属材料からなる、第1導体層を形成した回路基板素材を用い、前記第1導体層の表面にマスキングを形成する工程と、該マスキングを介して第2導体層よりも第1導体層に対するエッチング速度の速い第1エッチング液を適用して主として第1導体層を溶解する工程と、前記マスキングを介して第1導体層よりも第2導体層に対するエッチング速度の速い第2エッチング液を適用して主として第2導体層を溶解する工程と、を含むことを特徴とする回路基板の製造方法が提供される。
【0012】
また、セミアディティブ法による場合は、本発明によると、絶縁基材の表面に第2導体層を形成した回路基板素材を用い、該第2導体層上にめっきレジスト・パターンを形成した後、該レジスト・パターンの形成されていない部位に、前記第2導体層とは異なる金属材料からなる、第1導体層のパターンをめっきにより形成する工程と、前記レジスト・パターンを除去した後、前記第1導体層パターンの形成されていない個所の前記第2導体層を第1導体層よりも第2導体層に対するエッチング速度の速いエッチング液を適用して除去する工程と、を含むことを特徴とする回路基板の製造方法が提供される。
【0013】
第1導体層は銅又は銅系合金であり、第2導体層はニッケル、又はニッケル系合金ないし鉄ニッケル系合金であることを特徴とする。
【0014】
また、本発明によると、絶縁基材の表面に第2導体層のパターンを介在させて、該第2導体層とは異なり且つ特定のエッチング液に対する溶解速度が、該第2導体層に対する溶解速度より遅い金属材料からなる、第1導体層パターンが形成されていることを特徴とする回路基板が提供される。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【0016】
図2及び図3はサブトラクティブ法を用いた本発明による半導体回路基板の製造工程を断面図で示したものである。
【0017】
図2(a)は基板素材3の断面図であって、樹脂基材1に周知の方法にて薄いニッケル層8(第2導体層)を介して比較的厚い銅層2(第1導体層)を形成して基板素材10とした状態を示す。
【0018】
図示のように、ニッケル層8と樹脂基材1との間の界面5は粗面ないし凹凸面であって金属であるニッケル層8がコア層である樹脂基材1の中に食い込んでいてアンカー効果を果たし金属・樹脂間の接合強度を高めている。
【0019】
一方、銅層2とニッケル層8との間の界面15は金属間接合であるため、図2(b)に示すように緩やかな凹凸面か、或いは図2(c)に示すように殆ど平坦面かであって、いずれの場合でも比較的滑らかである。しかし、銅層2とニッケル層8との間の金属相互間の接着強度としては十分である。
【0020】
樹脂基材1としては、一般的にエポキシ系樹脂或いはガラス・エポキシ系樹脂が使用される。
【0021】
図3(a)は、図2に示す基板素材10の銅層2の表面にマスキング用として、ドライフィルムレジスト(DFR)を形成し、又は液状レジストを塗布し、周知の方法で露光、現像を行って、レジストパターン4を形成したものである。なお、レジストの形成方法としては、金属の存在している部分のみにレジストを付着させる電着(Electro Deposition)によってもよい。
【0022】
図3(b)において、レジストパターンのエッチング液通過部分4aを介してエッチング液Aを吹き付けて銅箔2のレジストパターンのエッチング液通過部分4aに対応する領域を溶解させて導体パターン部分6を残す。この場合において、使用するエッチング液は、銅をエッチングするために通常使用される、塩化第二鉄(FeCl3)又は塩化第二銅(CuCl2)水溶液等が使用される。
【0023】
この場合のエッチングは、銅層2とニッケル層8との界面15が平坦面に近いか又は緩やかな凹凸面であるので、銅層2の溶解部分は比較的短い時間でこの界面15にまで達し、ニッケル層8も部分的に溶解される。しかし、この場合のエッチングは、主として銅層2を溶解させるためのもので、ニッケル層8に対する溶解はあまり問題とはしていない。いずれにしても、図1の従来例で示したような、導体パターン6のサイド部分が過剰エッチング部6aとならない程度に、エッチング条件、例えばエッチング時間等が設定される。
【0024】
次に、洗浄後、図3(c)に示すように、エッチング液Bを用い同じレジストパターンのエッチング液通過部分4aを介してエッチングを行う。この場合のエッチング液Bは、銅に対しては反応が遅く、一方ニッケルに対しては反応の速いエッチング液を選ぶ。
【0025】
このようなエッチング液Bとしては、例えば、メック株式会社から市販されているメックリバーNH−1862(商品名)がある。このエッチング液Bは、銅とニッケルが共存する基板から銅を殆ど侵さずにニッケルをエッチングする、ニッケル優先エッチング液である。
【0026】
したがって、エッチング液Bでは、銅の部分である導体パターン6のサイド領域6aを過剰にエッチングすることなく、ニッケル8のみを溶解させる。そして、その溶解部分は、ニッケル層8と樹脂層1との間の界面5に迅速に到達し、凹凸の激しい界面5における谷部分に付着しているニッケル片に対しも容易に溶解させることができる。
【0027】
上記のようにこの実施形態では、凹凸の激しい界面5の谷部分に付着しているニッケルのエッチングに時間を要しても導体パターン6の溶解不要なサイド領域6aを過剰エッチングすることはなく、その結果、導体パターン6の幅を細くし過ぎることはなく、均一な厚みや幅を持った導体パターン6とすることができる。
【0028】
図4はセミアディティブ法を用いた本発明の回路基板の製造工程を断面図で示したものである。セミアディティブ法による場合は、絶縁基材である樹脂層1の表面に第2導体層であるニッケル層8を形成した回路基板素材20を使用する。ニッケル層8樹脂層1との間の界面5は、金属・樹脂間の接合領域であるから、前述のように粗面とし、凹凸を持った面である。
【0029】
まず図4(a)に示すように、ニッケル層8の表面にめっきレジスト・パターン14を形成した後、レジスト・パターンの形成されていない部位、即ち開放部14aに、銅層2(導体パターン)を電解めっきにより形成する。
【0030】
次に、図4(b)に示すように、レジスト14を剥離した後、前述のエッチング液Bによりエッチングを行うことで、導体パターン6の形成されていない樹脂層1の上面に存在していたニッケル層8を溶解させる。これにより、導体パターン6が形成される。
【0031】
なお、エッチング液Bによるエッチングの際に導体パターン6自体も多少は溶解されるが、前述のように、このエッチング液Bは銅に対してはエッチング速度が遅く、ニッケルに対してはエッチング速度が速いので、銅の導体パターン6の上面領域やサイド領域での過剰エッチング部分6bは極くわずかであるので、導体パターン6の厚みや幅に大きな影響を与えることはない。
【0032】
以上のようにして、本発明の回路基板の製造方法では、サブトラクティブ法又はセミアディティブ法のいずれによっても回路基板の製造が可能である。
【0033】
以上添付図面を参照して本発明の実施の形態について説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の精神ないし範囲内において種々の形態、変形、修正等が可能である。
【0034】
例えば、上述の実施形態においては、第1導体層を銅とし、第2導体層をニッケルとして説明したが、第1導体層を例えば銅系合金、第2導体層をニッケル系合金又は鉄ニッケル系合金としても良い。或いは、第1導体層と第2導体層は特定のエッチング液に対しエッチング速度が互いに異なる金属材料であれば、あらゆる金属の組み合わせが可能である。
【0035】
一方、上述の実施形態においては、エッチング液Aを塩化第二鉄水溶液あるいは塩化第二銅水溶液、エッチング液BをメックリバーNH−1862(商品名)として説明したが、特定の金属に対してエッチング速度が互いに異なるエッチング液であればあらゆるエッチング液の組み合わせが可能である。
【0036】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の回路基板の製造方法は、サブトラクティブ法でもセミアディティブ法のいずれも適用可能である。また、回路基板において導体パターンの金属材料を2層に形成したので、導体パターンの樹脂基材に対する接着力が強固で、且つ微細で高密度の導体パターンの形成が可能となる。また、十分な厚みや幅をもった平滑な表面の導体パターンを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】サブトラクティブ法による従来の回路基板の製造工程の断面図である。
【図2】サブトラクティブ法による本発明の回路基板の製造に用いる回路基板素材の断面図である。
【図3】サブトラクティブ法による本発明の回路基板の製造工程の断面図である。
【図4】セミアディティブ法による本発明の回路基板の製造工程の断面図である。
【符号の説明】
1…樹脂基材
2…第1金属層(銅)
10、20…基板素材
5、15…界面
4…レジスト
4a、14a…エッチング液通過部
14…めっきレジスト
6…導体パターン
6a、6b…過剰エッチング部分
8…第2金属層(ニッケル)
Claims (5)
- 絶縁基材の表面に第2導体層を介在させて、該第2導体層とは異なる金属材料からなる、第1導体層を形成した回路基板素材を用い、
前記第1導体層の表面にマスキングを形成する工程と、
該マスキングを介して第2導体層よりも第1導体層に対するエッチング速度の速い第1エッチング液を適用して主として第1導体層を溶解する工程と、
前記マスキングを介して第1導体層よりも第2導体層に対するエッチング速度の速い第2エッチング液を適用して主として第2導体層を溶解する工程と、
を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。 - 絶縁基材の表面に第2導体層を形成した回路基板素材を用い、該第2導体層上にめっきレジスト・パターンを形成した後、該レジスト・パターンの形成されていない部位に、前記第2導体層とは異なる金属材料からなる、第1導体層のパターンをめっきにより形成する工程と、
前記レジスト・パターンを除去した後、前記第1導体層パターンの形成されていない個所の前記第2導体層を第1導体層よりも第2導体層に対するエッチング速度の速いエッチング液を適用して除去する工程と、
を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。 - 第1導体層は銅又は銅系合金であり、第2導体層はニッケル、又はニッケル系合金ないし鉄ニッケル系合金であることを特徴とする請求項1又は2に記載の回路基板の製造方法。
- 絶縁基材の表面に第2導体層のパターンを介在させて、該第2導体層とは異なり且つ特定のエッチング液に対する溶解速度が該第2導体層に対する溶解速度より遅い金属材料からなる、第1導体層パターンが形成されていることを特徴とする回路基板。
- 第1導体層は銅又は銅系合金であり、第2導体層はニッケル、又はニッケル系合金ないし鉄ニッケル系合金であることを特徴とする請求項4に記載の回路基板。
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