JP2003008170A - 両面可撓性回路基板の製造法 - Google Patents
両面可撓性回路基板の製造法Info
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- JP2003008170A JP2003008170A JP2001183149A JP2001183149A JP2003008170A JP 2003008170 A JP2003008170 A JP 2003008170A JP 2001183149 A JP2001183149 A JP 2001183149A JP 2001183149 A JP2001183149 A JP 2001183149A JP 2003008170 A JP2003008170 A JP 2003008170A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】絶縁べ−ス材の加工及びビアホ−ル形成の為の
導通用孔を好適に形成できる両面可撓性回路基板の製造
法を提供する。 【解決手段】片面銅張積層板の絶縁べ−ス材１上に導電
性等の薄膜層３を設け、この薄膜層３を利用して絶縁べ
−ス材１に対する導通用孔５の加工処理を施した後、メ
ッキ手段でビアホ−ル６及び所要の配線パタ−ン７を形
成する。次いで、片面銅張積層板の導体層２に対するエ
ッチング処理でビアホ−ル６と電気的に接続された配線
パタ−ン８及び他の所要の配線パタ−ン９を形成する。
導通用孔を好適に形成できる両面可撓性回路基板の製造
法を提供する。 【解決手段】片面銅張積層板の絶縁べ−ス材１上に導電
性等の薄膜層３を設け、この薄膜層３を利用して絶縁べ
−ス材１に対する導通用孔５の加工処理を施した後、メ
ッキ手段でビアホ−ル６及び所要の配線パタ−ン７を形
成する。次いで、片面銅張積層板の導体層２に対するエ
ッチング処理でビアホ−ル６と電気的に接続された配線
パタ−ン８及び他の所要の配線パタ−ン９を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は両面可撓性回路基板
の製造法に関し、特には、樹脂エッチング、プラズマエ
ッチング手法によって絶縁ベース材の加工及びビアホー
ル形成の為の導通用孔を好適に形成する両面可撓性回路
基板の製造法に関する。
の製造法に関し、特には、樹脂エッチング、プラズマエ
ッチング手法によって絶縁ベース材の加工及びビアホー
ル形成の為の導通用孔を好適に形成する両面可撓性回路
基板の製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術とその問題点】近年、電子機器の小型化と
高機能化は益々促進されてきており、その為に回路配線
基板にも、高密度実装に対応可能な回路配線パターンの
狭ピッチ化の要求が高まってきている。
高機能化は益々促進されてきており、その為に回路配線
基板にも、高密度実装に対応可能な回路配線パターンの
狭ピッチ化の要求が高まってきている。
【０００３】これに対して、従来の両面可撓性回路基板
は、両面銅張積層板の第一の導体層を絶縁ベース材に対
して両面の導通用孔を開口するためのマスク層として用
い、レーザー加工、プラズマエッチング、ウエットエッ
チング手法を用いて孔加工を行い、導電化処理及びメッ
キを施しビアホールを形成し、両面の導通を確保した上
で両面の導体層に対してエッチング処理を施すことによ
り、回路配線パターンを形成していた。
は、両面銅張積層板の第一の導体層を絶縁ベース材に対
して両面の導通用孔を開口するためのマスク層として用
い、レーザー加工、プラズマエッチング、ウエットエッ
チング手法を用いて孔加工を行い、導電化処理及びメッ
キを施しビアホールを形成し、両面の導通を確保した上
で両面の導体層に対してエッチング処理を施すことによ
り、回路配線パターンを形成していた。
【０００４】図３はこのような従来手法による両面可撓
性回路基板の製造工程図を示すもので、同図（１）の如
く絶縁べース材２０の両面に銅箔等の導体層２１，２２
を有する両面銅張積層板から両面可撓性回路基板を製造
する際に、同図（２）に示すように一方の導体層２１か
ら絶縁ベース材２０をレーザー加工、プラズマエッチン
グ、ウエットエッチング手法で孔加工及び溝加工する際
のマスク層となるように所定位置に開口部２３を有する
導体層２１に形成する。
性回路基板の製造工程図を示すもので、同図（１）の如
く絶縁べース材２０の両面に銅箔等の導体層２１，２２
を有する両面銅張積層板から両面可撓性回路基板を製造
する際に、同図（２）に示すように一方の導体層２１か
ら絶縁ベース材２０をレーザー加工、プラズマエッチン
グ、ウエットエッチング手法で孔加工及び溝加工する際
のマスク層となるように所定位置に開口部２３を有する
導体層２１に形成する。
【０００５】次に同図（３）に示すようにマスク層とな
る導体層２１を用いて絶縁ベース材２０にレーザー加
工、プラズマエッチング、ウエットエッチング手法で導
通用孔２４の形成処理を行う。
る導体層２１を用いて絶縁ベース材２０にレーザー加
工、プラズマエッチング、ウエットエッチング手法で導
通用孔２４の形成処理を行う。
【０００６】更に、同図（４）に示すように導電化処理
及びメッキ処理を施してビアホール、２５を形成した
後、同図（５）に示すように一方面にビアホールを有す
る配線パターン２６と他の所要の配線パターン２７を形
成すると共に、他方面にもビアホールで接続された配線
パターン２８と他の所要の配線パターン２９を形成する
ことにより両面可撓性回路基板を製作する。
及びメッキ処理を施してビアホール、２５を形成した
後、同図（５）に示すように一方面にビアホールを有す
る配線パターン２６と他の所要の配線パターン２７を形
成すると共に、他方面にもビアホールで接続された配線
パターン２８と他の所要の配線パターン２９を形成する
ことにより両面可撓性回路基板を製作する。
【０００７】この方法を用いて製造された両面可撓性回
路基板は一方の導体層の上に更にメッキを厚付けする
為、導体層全体の厚みが増加し、両面に微細な配線パタ
ーンを形成することは困難であった。
路基板は一方の導体層の上に更にメッキを厚付けする
為、導体層全体の厚みが増加し、両面に微細な配線パタ
ーンを形成することは困難であった。
【０００８】また、両面の導通用孔をレーザー加工で形
成した場合には単位面積当たりの孔数の増加に伴い生産
性が低下することが問題となっており、面で加工できる
プラズマエッチング、ウエットエッチング手法を用いた
場合にはエッチングファクターが1〜１．5程度と小さく
安定的に微細な孔加工を行うことは困難であった。
成した場合には単位面積当たりの孔数の増加に伴い生産
性が低下することが問題となっており、面で加工できる
プラズマエッチング、ウエットエッチング手法を用いた
場合にはエッチングファクターが1〜１．5程度と小さく
安定的に微細な孔加工を行うことは困難であった。
【０００９】そこで、本発明は上記従来の問題を好適に
解消できる両面可撓性回路基板の製造法を提供するもの
である。
解消できる両面可撓性回路基板の製造法を提供するもの
である。
【００１０】
【課題を解決するための手段】その為に本発明に係る両
面可撓性回路基板の製造法では、片面銅張積層板の絶縁
ベース材上に薄膜層を形成し、前記薄膜層をマスク層と
して前記絶縁ベース材に対する導通用の孔加工を行う手
法を採用したものである。
面可撓性回路基板の製造法では、片面銅張積層板の絶縁
ベース材上に薄膜層を形成し、前記薄膜層をマスク層と
して前記絶縁ベース材に対する導通用の孔加工を行う手
法を採用したものである。
【００１１】ここで、前記薄膜層にはエッチングレジス
トとなる導電性の薄膜層を用いることができ、また、こ
の薄膜層をウエットエッチング液に対するエッチング速
度が前記絶縁べース材よりも遅い導電性の薄膜層で形成
する場合には、前記導通用孔の加工時に前記薄膜層の除
去と同時に前記絶縁べース材を薄く加工できる。
トとなる導電性の薄膜層を用いることができ、また、こ
の薄膜層をウエットエッチング液に対するエッチング速
度が前記絶縁べース材よりも遅い導電性の薄膜層で形成
する場合には、前記導通用孔の加工時に前記薄膜層の除
去と同時に前記絶縁べース材を薄く加工できる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図示の実施例を参照しなが
ら本発明を更に説明する。図１は、本発明の一実施例に
よる両面可撓性配線基板の製造工程図である。
ら本発明を更に説明する。図１は、本発明の一実施例に
よる両面可撓性配線基板の製造工程図である。
【００１３】先ず、同図（１）のように絶縁べース材１
の片面に銅箔等の導体層２を有する片面銅張積層板を用
意し、その絶縁ベース材１上にＣｒ或いはＮｉ等のエッ
チングレジストになりうる厚さ０．１μm程度の導電性
の薄膜層３をスパッタリングあるいは蒸着等の手法で形
成する。
の片面に銅箔等の導体層２を有する片面銅張積層板を用
意し、その絶縁ベース材１上にＣｒ或いはＮｉ等のエッ
チングレジストになりうる厚さ０．１μm程度の導電性
の薄膜層３をスパッタリングあるいは蒸着等の手法で形
成する。
【００１４】この導電性の薄膜層３の厚さが薄いほどエ
ッチングファクターが大きくなり、また、薄膜層３と絶
縁ベース材１の密着強度が高いほど、サイドエッチング
量が減少する傾向もあるので、薄膜層３と絶縁ベース材
１の密着強度を向上させる前処理を行うことも有効であ
る。
ッチングファクターが大きくなり、また、薄膜層３と絶
縁ベース材１の密着強度が高いほど、サイドエッチング
量が減少する傾向もあるので、薄膜層３と絶縁ベース材
１の密着強度を向上させる前処理を行うことも有効であ
る。
【００１５】そこで、同図（２）に示すように薄膜層３
から絶縁ベース材１をプラズマエッチングやウエットエ
ッチング手法で孔加工する為に必要な薄膜層の除去部４
を形成する。
から絶縁ベース材１をプラズマエッチングやウエットエ
ッチング手法で孔加工する為に必要な薄膜層の除去部４
を形成する。
【００１６】次に、同図（３）に示すように薄膜層３を
マスク層として用いて絶縁ベース材１にプラズマエッチ
ングやウエットエッチング手法で孔加工を行って、導通
用孔５を形成する。
マスク層として用いて絶縁ベース材１にプラズマエッチ
ングやウエットエッチング手法で孔加工を行って、導通
用孔５を形成する。
【００１７】その後、同図（４）に示すように導電化処
理を施してメッキすることによってビアホール６及び所
要の配線パターン７を形成し、フラッシュエッチング処
理で不要な薄膜層３を除去する。例えばＣｒで薄膜層３
を形成した場合には、Ｃｒは[Fe(CN)6]K3・NaOH水溶液
等でエッチング可能なので、Ｃｕメッキによる配線パタ
ーンをフラッシュエッチングマスクとして用いることが
できる。
理を施してメッキすることによってビアホール６及び所
要の配線パターン７を形成し、フラッシュエッチング処
理で不要な薄膜層３を除去する。例えばＣｒで薄膜層３
を形成した場合には、Ｃｒは[Fe(CN)6]K3・NaOH水溶液
等でエッチング可能なので、Ｃｕメッキによる配線パタ
ーンをフラッシュエッチングマスクとして用いることが
できる。
【００１８】最後に、同図（５）に示すように導体層２
に対する配線パターン加工処理により、ビアホール６と
電気的に接続された配線パターン８及び他の所要の配線
パターン９を形成して両面可撓性回路基板を得ることが
できる。
に対する配線パターン加工処理により、ビアホール６と
電気的に接続された配線パターン８及び他の所要の配線
パターン９を形成して両面可撓性回路基板を得ることが
できる。
【００１９】図２は、本発明の他の実施例による両面可
撓性回路基板の製造工程図であり、同図（１）の如く絶
縁べース材１の片面に導体層２を有する片面銅張積層板
を用い、その絶縁ベース材１上にＣｕ等のウエットエッ
チング液に対するエッチング速度がポリイミド等の絶縁
べース材１よりも著しく遅い材質で厚さ０．１μm程度
の薄膜層１０をスパッタリング或いは蒸着等の手法で形
成する。
撓性回路基板の製造工程図であり、同図（１）の如く絶
縁べース材１の片面に導体層２を有する片面銅張積層板
を用い、その絶縁ベース材１上にＣｕ等のウエットエッ
チング液に対するエッチング速度がポリイミド等の絶縁
べース材１よりも著しく遅い材質で厚さ０．１μm程度
の薄膜層１０をスパッタリング或いは蒸着等の手法で形
成する。
【００２０】例えばＣｕの場合はポリイミドのエッチン
グ速度の２０分の１〜数百分の１のエッチング速度であ
る。数値に大きな差があるのはポリイミドのエッチング
速度がポリイミド種によって大きく異なるためである。
この薄膜層１０の厚さが薄いほどエッチングファクター
が大きくなる。また、前述のように薄膜層１０と絶縁ベ
ース材１の密着強度が高いほど、サイドエッチング量が
減少する傾向もあるので、薄膜層１０と絶縁ベース材１
の密着強度を向上させる前処理を行うことも有効であ
る。
グ速度の２０分の１〜数百分の１のエッチング速度であ
る。数値に大きな差があるのはポリイミドのエッチング
速度がポリイミド種によって大きく異なるためである。
この薄膜層１０の厚さが薄いほどエッチングファクター
が大きくなる。また、前述のように薄膜層１０と絶縁ベ
ース材１の密着強度が高いほど、サイドエッチング量が
減少する傾向もあるので、薄膜層１０と絶縁ベース材１
の密着強度を向上させる前処理を行うことも有効であ
る。
【００２１】そこで、同図（２）に示すように薄膜層１
０から絶縁ベース材１をウエットエッチング手法で孔加
工する際のマスク層となるように薄膜層１０の所定の位
置に薄膜層の除去部１１を形成する。
０から絶縁ベース材１をウエットエッチング手法で孔加
工する際のマスク層となるように薄膜層１０の所定の位
置に薄膜層の除去部１１を形成する。
【００２２】次に、同図（３）に示すようにそのマスク
層を用いて絶縁ベース材１にウエットエッチング手法で
孔加工を行って導通用孔１３を形成する。さらにエッチ
ングを継続するとマスク層としての薄膜層１０もエッチ
ングされると共に、ポリイミド等の絶縁べース材１の面
全体が薄くエッチングされて薄く加工された絶縁べース
材１２を得ることができる。このときの絶縁ベース材１
２の厚さはエッチング時間を制御することにより任意に
制御可能である。また、薄膜層１０はエッチング時に除
去されるので剥離工程は不要である。
層を用いて絶縁ベース材１にウエットエッチング手法で
孔加工を行って導通用孔１３を形成する。さらにエッチ
ングを継続するとマスク層としての薄膜層１０もエッチ
ングされると共に、ポリイミド等の絶縁べース材１の面
全体が薄くエッチングされて薄く加工された絶縁べース
材１２を得ることができる。このときの絶縁ベース材１
２の厚さはエッチング時間を制御することにより任意に
制御可能である。また、薄膜層１０はエッチング時に除
去されるので剥離工程は不要である。
【００２３】その後、同図（４）に示すように導電化処
理を施してメッキすることにより、ビアホール１４及び
所要の配線パターン１５を形成し、次いで同図（５）に
示すように導体層２に対する配線パターン加工処理を施
すことによって、ビアホール１４と電気的に接続された
配線パターン１６及び他の所要の配線パターン１７を形
成して両面可撓性回路基板を製作することができる。
理を施してメッキすることにより、ビアホール１４及び
所要の配線パターン１５を形成し、次いで同図（５）に
示すように導体層２に対する配線パターン加工処理を施
すことによって、ビアホール１４と電気的に接続された
配線パターン１６及び他の所要の配線パターン１７を形
成して両面可撓性回路基板を製作することができる。
【００２４】
【発明の効果】本発明による両面可撓性回路基板の製造
法では、薄膜層を絶縁ベース材のエッチングマスクとし
て用いるのでエッチングファクターが向上し、より微細
なビアホールの形成が可能になる一方、配線パターンに
メッキを厚付けすることなくビアホールを形成可能であ
るので、従来の両面可撓性基板の製造方法では困難であ
った両面の配線パターンに於ける狭ピッチ化を好適に達
成できる。
法では、薄膜層を絶縁ベース材のエッチングマスクとし
て用いるのでエッチングファクターが向上し、より微細
なビアホールの形成が可能になる一方、配線パターンに
メッキを厚付けすることなくビアホールを形成可能であ
るので、従来の両面可撓性基板の製造方法では困難であ
った両面の配線パターンに於ける狭ピッチ化を好適に達
成できる。
【００２５】また、本発明の他の方法によれば、上述の
効果に加えて、絶縁べース材の厚さを任意に制御できる
ので、従来の両面可撓性基板の製造方法では困難であっ
た可撓性の制御を好適に達成できる。
効果に加えて、絶縁べース材の厚さを任意に制御できる
ので、従来の両面可撓性基板の製造方法では困難であっ
た可撓性の制御を好適に達成できる。
【図１】本発明の一実施例による両面可撓性回路基板の
製造工程図。
製造工程図。
【図２】本発明の他の実施例による両面可撓性回路基板
の製造工程図。
の製造工程図。
【図３】従来法による両面可撓性回路基板の製造工程
図。
図。
１ 絶縁べース材
２ 導体層
３ 薄膜層
４ 除去部
５ 導通用孔
６ ビアホール
７ 配線パターン
８ 配線パターン
９ 配線パターン
Claims (4)
- 【請求項１】片面銅張積層板の絶縁ベース材上に薄膜層
を形成し、前記薄膜層をマスク層として前記絶縁ベース
材に対する導通用の孔加工を行うことを特徴とする両面
可撓性回路基板の製造法。 - 【請求項２】前記薄膜層がエッチングレジストとなる導
電性の薄膜層で形成された請求項１の両面可撓性回路基
板の製造法。 - 【請求項３】前記薄膜層がウエットエッチング液に対す
るエッチング速度が前記絶縁べース材よりも遅い導電性
の薄膜層で形成された請求項１の両面可撓性回路基板の
製造法。 - 【請求項４】前記導通用孔の加工時に前記薄膜層の除去
と同時に前記絶縁べース材を薄く加工する工程を含む請
求項３の両面可撓性回路基板の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001183149A JP2003008170A (ja) | 2001-06-18 | 2001-06-18 | 両面可撓性回路基板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001183149A JP2003008170A (ja) | 2001-06-18 | 2001-06-18 | 両面可撓性回路基板の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003008170A true JP2003008170A (ja) | 2003-01-10 |
Family
ID=19023133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001183149A Pending JP2003008170A (ja) | 2001-06-18 | 2001-06-18 | 両面可撓性回路基板の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003008170A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008021960A (ja) * | 2006-07-13 | 2008-01-31 | Samsung Electro Mech Co Ltd | リジッドフレキシブルプリント基板及びその製造方法 |
| CN100384308C (zh) * | 2006-01-12 | 2008-04-23 | 珠海元盛电子科技股份有限公司 | 制作单面镂空板的方法 |
-
2001
- 2001-06-18 JP JP2001183149A patent/JP2003008170A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100384308C (zh) * | 2006-01-12 | 2008-04-23 | 珠海元盛电子科技股份有限公司 | 制作单面镂空板的方法 |
| JP2008021960A (ja) * | 2006-07-13 | 2008-01-31 | Samsung Electro Mech Co Ltd | リジッドフレキシブルプリント基板及びその製造方法 |
| JP4499126B2 (ja) * | 2006-07-13 | 2010-07-07 | 三星電機株式会社 | リジッドフレキシブルプリント基板及びその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060510 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081216 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090421 |