JP2009260216A

JP2009260216A - 配線基板の製造方法

Info

Publication number: JP2009260216A
Application number: JP2008223635A
Authority: JP
Inventors: Hironari Kojima; 弘成小島
Original assignee: Shinko Electric Industries Co Ltd
Current assignee: Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority date: 2008-03-19
Filing date: 2008-09-01
Publication date: 2009-11-05
Also published as: US20090238956A1

Abstract

【課題】本発明は、絶縁層上に配置されたシード層上にめっき用レジスト膜を設け、シード層を給電層とする電解めっき法により、シード層上に配線を形成する配線基板の製造方法に関し、シード層からめっき用レジスト膜が剥がれることを防止できると共に、不要なシード層を除去する際のエッチング時間を短縮することが可能となり、シード層除去工程後の配線のサイズが所定のサイズとなるように配線を形成することのできる配線基板の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】絶縁層１１の平滑な上面１１Ａを覆うようにシード層１２を形成し、次いで、シード層１２の上面１２Ａを粗化し、その後、配線１３の形成領域に対応する部分のシード層１２の上面１２Ａを露出する開口部１５Ａを有しためっき用レジスト膜１５を形成し、次いで、シード層１２を給電層とする電解めっき法によりシード層１２の上面１２Ａに配線１３を形成し、次いで、めっき用レジスト膜１５を除去し、その後、配線１３が形成されていない部分の不要なシード層１２を除去する。
【選択図】図９

Description

本発明は、配線基板の製造方法に関し、特に、絶縁層上に配置されたシード層上にめっき用レジスト膜を設け、シード層を給電層とする電解めっき法により、シード層上に配線を形成する配線基板の製造方法に関する。

図１は、従来の配線基板の断面図である。

図１を参照するに、従来の配線基板１００は、絶縁層１０１と、シード層１０２と、配線１０３とを有する。絶縁層１０１の上面１０１Ａは、粗化処理されている。これにより、絶縁層１０１の上面１０１Ａには、微細な凹凸が形成されている。この微細な凹凸は、絶縁層１０１の上面１０１Ａに形成されるシード層１０２の上面１０２Ａに微細な凹凸を形成（具体的には、微細な凹凸を転写）するためのものである。絶縁層１０１の上面１０１Ａの算術平均粗さＲａは、例えば、０．５μｍ以上とすることができる。絶縁層１０１としては、例えば、樹脂層を用いることができる。

シード層１０２は、配線１０３の形成領域に対応する部分の絶縁層１０１の上面１０１Ａに形成されている。シード層１０２の下部は、絶縁層１０１の上面１０１Ａに形成された微細な凹部に入り込むように形成されている。シード層１０２の上面１０２Ａには、微細な凹凸が形成されている。シード層１０２は、電解めっき法により配線１０３を形成する際、給電層として使用する層である。シード層１０２としては、例えば、Ｃｕ層を用いることができる。シード層１０２としてＣｕ層を用いた場合、シード層１０２の厚さは、例えば、１μｍとすることができる。

配線１０３は、シード層１０２上に設けられている。配線１０３は、例えば、シード層１０２を給電層とする電気めっき法により、シード層１０２の上面１０２ＡにＣｕめっき膜を析出成長させることで形成する。

図２〜図８は、従来の配線基板の製造工程を示す図である。図２〜図８において、従来の配線基板１００と同一構成部分には同一符号を付す。

図２〜図８を参照して、従来の配線基板１００の製造方法について説明する。始めに、図２に示す工程では、絶縁層１０１を形成する。この段階では、絶縁層１０１の表面１０１Ａは、平滑な面とされている。

次いで、図３に示す工程では、図２に示す絶縁層１０１の上面１０１Ａの粗化処理（例えば、デスミア処理）を行う。この工程では、絶縁層１０１の上面１０１Ａの算術平均粗さＲａが０．５μｍ程度となるように、絶縁層１０１の上面１０１Ａの粗化処理を行う。これにより、絶縁層１０１の上面１０１Ａに微細な凹凸が形成される。

次いで、図４に示す工程では、図３に示す絶縁層１０１の上面１０１Ａを覆うように、シード層１０２を形成する。このとき、絶縁層１０１の上面１０１Ａに形成された微細な凹凸が、シード層１０２に転写されるため、シード層１０２の上面１０２Ａ側に微細な凹凸が形成される。また、シード層１０２の下部は、絶縁層１０１の上面１０１Ａに形成された微細な凹部に入り込むように形成される。シード層１０２としては、例えば、Ｃｕ層を用いることができる。

次いで、図５に示す工程では、シード層１０２の上面１０２Ａにめっき用レジスト膜１０５を形成する。めっき用レジスト膜１０５は、配線１０３の形成領域に対応する部分のシード層１０２の上面１０２Ａを露出する開口部１０５Ａを有する。

このように、シード層１０２の上面１０２Ａ側に微細な凹凸を形成することにより、シード層１０２とめっき用レジスト膜１０５との間の密着性を向上させることができる。

次いで、図６に示す工程では、シード層１０２を給電層とする電解めっき法により、微細な凹凸が形成されたシード層１０２の上面１０２Ａ側にＣｕめっき膜を析出成長させることで、配線１０５を形成する。このとき、めっき用レジスト膜１０５の下部は、シード層１０２の上面側に形成された微細な凹凸の凹部に入り込むように形成されている。そのため、めっき液がシード層１０２とめっき用レジスト膜１０５との間に侵入して、めっき用レジスト膜１０５が剥がれることを防止できる。

次いで、図７に示す工程では、図６に示すめっき用レジスト膜１０５を除去する。次いで、図８に示す工程では、Ｃｕをエッチングするエッチング液に図７に示す構造体を浸漬させることで、配線１０５に覆われていない部分のシード層１０２を除去する。これにより、従来の配線基板１００が製造される（例えば、特許文献１参照。）。
特開平１１−２１４８２８号公報

しかしながら、従来の配線基板１００では、微細な凹凸が形成された絶縁層１０１の上面１０１Ａにシード層１０２を形成していたため、図８に示す工程において、絶縁層１０１の上面１０１Ａ側の微細な凹部に形成された不要なシード層１０２を、エッチングにより除去するために多くの時間（エッチング時間）が必要となってしまう。

これにより、シード層１０２を除去するためのエッチング液により、配線１０３がエッチングされて、不要な部分のシード層１０２を除去後の配線１０５のサイズが所定のサイズ（具体的には、設計上の配線１０５の幅及び厚さ）よりも小さくなってしまうという問題があった。特に、配線幅の狭い配線１０５（例えば、配線幅が１０μｍ以下の配線）を形成する場合に、上記問題は大きな問題となる。

そこで本発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであり、シード層上に形成されるめっき用レジスト膜の剥がれを防止できると共に、不要なシード層を除去する際のエッチング時間を短縮することが可能となり、シード層除去工程後の配線のサイズが所定のサイズとなるように配線を形成することができる配線基板の製造方法を提供することを目的とする。

本発明の一観点によれば、平滑な上面を有する絶縁層と、前記絶縁層の前記平滑な上面に形成されたシード層と、前記シード層上に形成された配線と、を備えた配線基板の製造方法であって、前記絶縁層の前記平滑な上面を覆うように、前記シード層を形成するシード層形成工程と、前記シード層の上面を粗化するシード層粗化工程と、前記シード層粗化工程後、前記配線の形成領域に対応する部分の前記シード層の上面を露出する開口部を有しためっき用レジスト膜を前記シード層の上面に形成するめっき用レジスト膜形成工程と、前記シード層を給電層とする電解めっき法により、前記シード層の上面に前記配線を形成する配線形成工程と、前記配線形成工程後に、前記めっき用レジスト膜を除去するめっき用レジスト膜除去工程と、前記配線が形成されていない部分の不要な前記シード層を除去するシード層除去工程と、を含むことを特徴とする配線基板の製造方法が提供される。

本発明によれば、絶縁層の平滑な上面を覆うようにシード層を形成し、次いで、シード層の上面を粗化し、その後、配線の形成領域に対応する部分のシード層の上面を露出する開口部を有しためっき用レジスト膜をシード層の上面に形成することにより、シード層からめっき用レジスト膜が剥がれることを防止できる。

また、シード層粗化工程後、配線の形成領域に対応する部分のシード層の上面を露出する開口部を有しためっき用レジスト膜をシード層の上面に形成し、次いで、シード層を給電層とする電解めっき法により、シード層の上面に配線を形成し、次いで、めっき用レジスト膜を除去し、その後、配線が形成されていない部分の不要なシード層を除去することにより、例えば、不要な部分のシード層をエッチング液により除去する際、従来よりも短時間で不要な部分のシード層を除去することが可能となる。これにより、シード層除去工程において、配線がエッチングされにくくなるため、シード層除去工程後の配線のサイズが所定のサイズ（具体的には、設計上の配線の厚さ及び配線幅）となるように配線を形成することができる。

本発明によれば、シード層上に形成されるめっき用レジスト膜の剥がれを防止できると共に、不要なシード層を除去する際のエッチング時間を短縮することが可能となり、シード層除去工程後の配線のサイズが所定のサイズとなるように配線を形成することができる。

次に、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。

（実施の形態）
図９は、本発明の実施の形態に係る配線基板の断面図である。

図９を参照するに、本実施の形態の配線基板１０は、絶縁層１１と、シード層１２と、配線１３とを有する。配線基板１０としては、例えば、コアレス基板やコア付きビルドアップ基板等を用いることができる。なお、図９では、配線基板１０の主要部のみ図示する。

絶縁層１１は、シード層１２を形成するための層である。絶縁層１１の上面１１Ａは、従来の絶縁層１０１の上面１０１Ａよりも平滑な面（例えば、算術平均粗さＲａがＲａ≦０．４μｍとなるような面）とされている。

このように、絶縁層１１の上面１１Ａを平滑な面とすることにより、不要な部分のシード層２１を除去する際（後述する図１６に示す工程参照）、従来よりも短時間で不要な部分のシード層２１を除去することが可能となるので、シード層除去工程後の配線１３のサイズが所定のサイズとなるように配線１３を形成することができる。

絶縁層１１としては、例えば、樹脂層を用いることができる。また、樹脂層の材料としては、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等を用いることができる。

シード層１２は、配線１３の形成領域に対応する部分の絶縁層１１の上面１１Ａに設けられている。シード層１２は、電解めっき法により配線１３を形成する際の給電層である。シード層１２の上面１２Ａには、配線１３を形成するためのめっき用レジスト膜１５（後述する図１３参照）が形成される。シード層１２の上面１２Ａは、粗化された面であり、微細な凹凸が形成されている。シード層１２の上面１２Ａの算術平均粗さＲａは、例えば、Ｒａ≧０．１０μｍとすることができる。

このように、シード層１２の上面１２Ａの算術平均粗さＲａをＲａ≧０．１０μｍにすることにより、配線１３を形成するためのめっき用レジスト膜１５がシード層１２から剥がれることを防止できる。なお、シード層１２の上面１２Ａの算術平均粗さＲａがＲａ＜０．１０μｍの場合、配線１３を形成するためのめっき用レジスト膜１５がシード層１２から剥がれてしまう。

又、シード層１２の上面１２Ａの算術平均粗さＲａをＲａ≧０．１０μｍにすることにより、従来の配線基板１００のシード層１０２と比較して、シード層１２の表面積が大きくなる。そのため、シード層１２の方が、不要なシード層１２を除去する際に、エッチング液と反応する面積が大きくなり、エッチング液と反応する量が増える。その結果、シード層１０２とシード層１２が同じ質量であるとすると、シード層１２の方がエッチング時間を短縮することが可能となり、シード層１２以外の部分（配線１３等）の不要なエッチングを抑えることができる。配線１３の不要なエッチングが抑えられるため、特に、配線幅の狭い配線１３（具体的には、配線幅が１０μｍ以下の配線１３）を形成する際に有効である。

また、好ましくは、例えば、シード層１２の上面１２Ａの算術平均粗さＲａを０．１０μｍ≦Ｒａ≦０．５μｍにするとよい。

このように、シード層１２の上面１２Ａの算術平均粗さＲａを０．１０μｍ≦Ｒａ≦０．５μｍにすることにより、配線幅の狭い配線１３（例えば、配線幅が１０μｍ以下の配線１３）を精度良く形成することが可能となる。なお、シード層１２の上面１２Ａの算術平均粗さＲａがＲａ＞０．５μｍの場合、配線幅の狭い配線１３（具体的には、配線幅が１０μｍ以下の配線１３）を精度良く形成することが困難となる。

シード層１２としては、例えば、Ｃｕ層を用いることができる。シード層１２としてＣｕ層を用いた場合、上面１２Ａが粗化されたシード層１２の厚さは、例えば、１μｍとすることができる。

配線１３は、粗化されたシード層１２の上面１２Ａに設けられている。配線１３の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。

図１０〜図１６は、本発明の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図である。図１０〜図１６において、本実施の形態の配線基板１０と同一構成部分には、同一符号を付す。

図１０〜図１６を参照して、本実施の形態の配線基板１０の製造方法について説明する。始めに、図１０に示す工程では、上面１１Ａが平滑化された絶縁層１１を形成する。絶縁層１１としては、例えば、樹脂層を用いることができる。また、樹脂層としては、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等を用いることができる。具体的には、例えば、絶縁層１１として樹脂層を用いる場合、半硬化状態とされた樹脂フィルムをラミネートし、その後、樹脂フィルムを硬化させることで樹脂層を形成する。絶縁層１１の上面１１Ａは、従来の粗化された絶縁層１０１の上面１０１Ａよりも平滑な面（例えば、算術平均粗さＲａがＲａ≦０．４μｍの面）とされている。

このように、絶縁層１１の上面１１Ａを平滑な面とすることにより、後述する図１６に示す工程（シード層除去工程）において、エッチング液により不要な部分のシード層２１を除去する際、従来よりも短時間でシード層２１を除去することが可能となる。これにより、後述する図１６に示す工程（シード層除去工程）において、配線１３がエッチングされにくくなるため、所定のサイズ（具体的には、所定の配線１３の幅及び厚さ）となるように配線１３を形成することができる。なお、所定の配線１３の幅とは、設計上の配線１３の幅のことである。また、所定の配線１３の厚さとは、設計上の配線１３の厚さのことである。

次いで、図１１に示す工程では、平滑な面とされた絶縁層１１の上面１１Ａを覆うようにシード層１２を形成する（シード層形成工程）。具体的には、例えば、無電解めっき法、スパッタ法、蒸着法等の方法によりシード層１２を形成する。この段階では、シード層１２の上面１２Ａは、平滑な面とされている。シード層１２としては、例えば、Ｃｕ層を用いることができる。

また、この段階でのシード層１２の厚さは、後述する図１２に示す工程（シード層粗化工程）におけるシード層１２の膜減りを考慮して、先に説明した図９に示すシード層１２の厚さよりも厚くなるように設定するとよい。

具体的には、シード層１２としてＣｕ層を用いると共に、図９に示すシード層１２の厚さが１μｍの場合、シード層形成工程におけるシード層１２の厚さは、例えば、２μｍ〜３μｍとすることができる。

次いで、図１２に示す工程では、図１１に示すシード層１２の上面１２Ａを粗化する（シード層粗化工程）。具体的には、シード層１２の粗化は、例えば、シード層１２の上面１２Ａをエッチング（例えば、エッチング液を噴霧器から霧状に噴き出させることで行うエッチング）、或いはシード層１２の上面１２Ａをブラスト処理することで行う。これにより、シード層１２の上面１２Ａに微細な凹凸が形成される。エッチング液の噴霧によりシード層１２の上面１２Ａの粗化処理を行う場合、エッチング液としては、例えば、ＣＺ−８１０１（メック株式会社製）を用いることができる。ＣＺ−８１０１（メック株式会社製）は、１０％以下のギ酸を含んだエッチング液である。エッチング液としてＣＺ−８１０１（メック株式会社製）を用いた場合、噴霧器からエッチング液を噴霧させる際の圧力としては、例えば、０．２ＭＰａを用いることができる。この場合の処理温度は、例えば、３０℃を用いることができ、処理時間は、例えば、３０秒〜６０秒とすることができる。

シード層粗化工程では、シード層１２の上面１２Ａの算術平均粗さＲａがＲａ≧０．１０μｍとなるように粗化処理を行う。

このように、シード層１２の上面１２Ａの算術平均粗さＲａをＲａ≧０．１０μｍにすることにより、シード層１２の上面１２Ａに形成されるめっき用レジスト膜１５（後述する図１３参照）とシード層１２との密着性が向上するため、めっき用レジスト膜１５がシード層１２から剥がれることを防止できる。なお、シード層１２の上面１２Ａの算術平均粗さＲａがＲａ＜０．１０μｍの場合、めっき用レジスト膜１５とシード層１２との密着性が不十分となるため、シード層１２からめっき用レジスト膜１５が剥がれてしまう。

また、好ましくは、シード層１２の上面１２Ａの算術平均粗さＲａを、例えば、０．１０μｍ≦Ｒａ≦０．５μｍにするとよい。

シード層１２としては、例えば、Ｃｕ層を用いることができる。シード層１２としてＣｕ層を用いた場合、粗化処理後のシード層１２の厚さは、例えば、１μｍとすることができる。

なお、上記説明したエッチングの代わりに、ブラスト処理（例えば、サンドブラスト処理）により、シード層１２の上面１２Ａの算術平均粗さＲａがＲａ≧０．１０μｍとなるように、シード層１２の上面１２Ａを粗化してもよい。この場合、エッチングによりシード層１２の上面１２Ａを粗化した場合と同様な効果を得ることができる。

次いで、図１３に示す工程では、粗化処理されたシード層１２の上面１２Ａに、開口部１５Ａを有しためっき用レジスト膜１５を形成する（めっき用レジスト膜形成工程）。このとき、めっき用レジスト膜１５の下部は、シード層１２の上面１２Ａ側に形成された微細な凹部に入り込むように形成される。開口部１５Ａは、配線１３の形成領域に対応する部分のシード層１２の上面１２Ａ（粗化された上面）を露出するように形成する。

このように、粗化されたシード層１２の上面１２Ａにめっき用レジスト膜１５を形成することにより、シード層１２とめっき用レジスト膜１５との密着性が向上するため、シード層１２からめっき用レジスト膜１５が剥がれることを防止できる。

次いで、図１４に示す工程では、シード層１２を給電層とする電解めっき法により、シード層１２の上面１２Ａにめっき膜を析出成長させることで、めっき膜を母材とする配線１３を形成する（配線形成工程）。この際、めっき用レジスト膜１５の下部が微細な凹凸形状を有したシード層１２の上面１２Ａの形状に追従するように形成されているため、シード層１２とめっき用レジスト膜１５との界面に、配線１３を形成する際のめっき液が侵入することが抑制され、シード層１２からめっき用レジスト膜１５が剥がれることを防止できる。配線１３の母材となるめっき膜としては、例えば、Ｃｕめっき膜を用いることができる。

次いで、図１５に示す工程では、図１４に示す構造体に設けられためっき用レジスト膜１５を除去する（めっき用レジスト膜除去工程）。次いで、図１６に示す工程では、配線１３に覆われていない部分のシード層１２（不要な部分のシード層１２）を除去する（シード層除去工程）。具体的には、例えば、エッチング液を用いたウエットエッチングにより、不要な部分のシード層１２を除去する。シード層除去工程で使用するエッチング液としては、例えば、硫酸・過酸化水素系のエッチング液を用いることができる。これにより、本実施の形態の配線基板１０が製造される。この際、先に説明したように、シード層１２は、平滑な面とされた絶縁層１１の上面１１Ａに形成されているため、従来よりも短時間のエッチング時間で不要な部分のシード層１２を除去することが可能となるので、シード層除去工程後の配線１３のサイズが所定のサイズ（具体的には、設計上の配線１３の厚さ及び配線幅）となるように配線１３を形成することができる。

又、先に説明したように、従来の配線基板１００のシード層１０２と比較して、シード層１２の表面積が大きいため、エッチング液と反応する面積が大きくなり、エッチング液と反応する量が増える。その結果、シード層１０２とシード層１２が同じ質量であるとすると、シード層１２の方がエッチング時間を短縮することが可能となり、シード層１２以外の部分（配線１３等）の不要なエッチングを抑えることができる。配線１３の不要なエッチングが抑えられるため、特に、配線幅の狭い配線１３（具体的には、配線幅が１０μｍ以下の配線１３）を形成する際に有効である。

本実施の形態の配線基板の製造方法によれば、絶縁層１１の平滑な上面１１Ａを覆うようにシード層１２を形成し、次いで、シード層１２の上面１２Ａを粗化し、その後、配線１３の形成領域に対応する部分のシード層１２の上面１２Ａを露出する開口部１５Ａを有しためっき用レジスト膜１５をシード層１２の上面１２Ａに形成することにより、シード層１２からめっき用レジスト膜１５が剥がれることを防止できる。

また、シード層粗化工程後、配線１３の形成領域に対応する部分のシード層１２の上面を露出する開口部１５Ａを有しためっき用レジスト膜１５をシード層１２の上面１２Ａに形成し、次いで、シード層１２を給電層とする電解めっき法により、シード層１２の上面１２Ａに配線を形成し、次いで、めっき用レジスト膜１５を除去し、その後、配線１３が形成されていない部分の不要なシード層１２を除去することにより、例えば、不要な部分のシード層１２をエッチング液により除去する際、従来よりも短時間で不要な部分のシード層１２を除去することが可能となるため、シード層除去工程後の配線１３のサイズが所定のサイズ（具体的には、設計上の配線１３の厚さ及び配線幅）となるように配線１３を形成することができる。

なお、本実施の形態で説明したシード層形成工程及びシード層粗化工程の代わりに、絶縁層１１の平滑な上面１１Ａに、無電解めっき法を用いて針状とされたシード層１２を形成してもよい。針状とされたシード層１２としては、例えば、Ｃｕが９０ｗｔ％〜９６ｗｔ％、Ｎｉが１ｗｔ％〜５ｗｔ％、Ｐが０．５ｗｔ％〜２ｗｔ％を含んだＣｕ−Ｎｉ−Ｐ合金からなる無電解めっき層（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ合金層）を用いるとよい。このような組成とされたＣｕ−Ｎｉ−Ｐ合金をシード層１２として用いることで、無電解めっき法により形成されるシード層１２（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ合金層）の上面側に微細な針状の凹凸を形成することができる。

シード層１２（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ合金層）の上面１２Ａの算術平均粗さＲａは、例えば、Ｒａ≧０．１０μｍとすることができる。また、好ましくは、例えば、シード層１２（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ合金層）の上面１２Ａの算術平均粗さＲａを０．１０μｍ≦Ｒａ≦０．５μｍにするとよい。このようにすることにより、先に説明した効果と同様の効果を奏する。

（粗化処理とエッチング速度との関係）
続いて、粗化処理の有無とエッチング速度との関係について調査した結果を示す。始めに表１に示す４種類のサンプル（サンプル１〜４）を準備した。サンプル１〜４は、結果の再現性を確認するため、各２個ずつ作製した。

サンプル１は、シード層１２に相当する層として無電解銅めっきを用い、その上面に対して粗化処理を行っていないものであり、上面の算術平均粗さＲａは０．０７μｍである。サンプル２は、シード層１２に相当する層としてとして無電解銅めっきを用い、その上面に対して粗化処理を行ったものであり、上面の算術平均粗さＲａは０．３１μｍである。サンプル３は、シード層１２に相当する層としてとして電解銅箔を用い、その上面に対して粗化処理を行っていないものであり、上面の算術平均粗さＲａは０．０９μｍである。サンプル４は、シード層１２に相当する層としてとして電解銅箔を用い、その上面に対して粗化処理を行ったものであり、上面の算術平均粗さＲａは０．２４μｍである。

なお、粗化処理は、エッチング液としてＣＺ−８１０１（メック株式会社製）を用い、噴霧器からエッチング液を噴霧させる際の圧力は０．２ＭＰａ、処理温度は３０℃、処理時間は３０秒〜６０秒とした。又、表１に示す算術平均粗さＲａは、レーザー顕微鏡を用いて測定した。

図１７は、サンプル１〜４の各条件におけるエッチング膜厚を例示する図である。図１７において、ＦＥ条件とはフラッシュエッチ条件（＝エッチング時間）であり、サンプル１〜４について、１．５ｍ／ｍｉｎ及び２．０ｍ／ｍｉｎの２種類のＦＥ条件でエッチングを行った。図１７において、サンプル１とサンプル２を比較すると、ＦＥ条件に依存せず、サンプル２の方がエッチングされる膜厚が厚いことがわかる。又、サンプル３とサンプル４を比較すると、ＦＥ条件に依存せず、サンプル４の方がエッチングされる膜厚が厚いことがわかる。すなわち、無電解銅めっき及び電解銅箔の何れについても、粗化処理有の方がエッチングされる膜厚が厚い（エッチング速度が速い）ことがわかる。粗化処理有の場合のエッチング速度は、粗化処理無の場合のエッチング速度よりも１．２〜１．３倍程度速くなっている。

この結果は、粗化処理をすることにより、銅の表面積が大きくなり、エッチング液と反応する面積が増えたためと考えられる。これにより、単位時間当たりのエッチング量は、粗化処理された銅の表面の方が多くなり、エッチング時間を短縮することができると推察される。このように、粗化処理をすることにより、エッチング時間を短縮することが可能となり、不要なエッチングを抑えることができることが確認された。

以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

本発明は、絶縁層上に配置されたシード層上にめっき用レジスト膜を設け、シード層を給電層とする電解めっき法により、シード層上に配線を形成する配線基板の製造方法に適用できる。

従来の配線基板の断面図である。従来の配線基板の製造方法を示す図（その１）である。従来の配線基板の製造工程を示す図（その２）である。従来の配線基板の製造工程を示す図（その３）である。従来の配線基板の製造工程を示す図（その４）である。従来の配線基板の製造工程を示す図（その５）である。従来の配線基板の製造工程を示す図（その６）である。従来の配線基板の製造工程を示す図（その７）である。本発明の実施の形態に係る配線基板の断面図である。本発明の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その１）である。本発明の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その２）である。本発明の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その３）である。本発明の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その４）である。本発明の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その５）である。本発明の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その６）である。本発明の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その７）である。サンプル１〜４の各条件におけるエッチング膜厚を例示する図である。

符号の説明

１０配線基板
１１絶縁層
１１Ａ，１２Ａ上面
１２シード層
１３配線
１５めっき用レジスト膜
１５Ａ開口部

Claims

平滑な上面を有する絶縁層と、前記絶縁層の前記平滑な上面に形成されたシード層と、前記シード層上に形成された配線と、を備えた配線基板の製造方法であって、
前記絶縁層の前記平滑な上面を覆うように、前記シード層を形成するシード層形成工程と、
前記シード層の上面を粗化するシード層粗化工程と、
前記シード層粗化工程後、前記配線の形成領域に対応する部分の前記シード層の上面を露出する開口部を有しためっき用レジスト膜を前記シード層の上面に形成するめっき用レジスト膜形成工程と、
前記シード層を給電層とする電解めっき法により、前記シード層の上面に前記配線を形成する配線形成工程と、
前記配線形成工程後に、前記めっき用レジスト膜を除去するめっき用レジスト膜除去工程と、
前記配線が形成されていない部分の不要な前記シード層を除去するシード層除去工程と、を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
前記シード層形成工程と前記シード層粗化工程とに代えて、前記絶縁層の前記平滑な上面を覆うように、前記シード層となる、上面に微細な針状の凹凸を有したＣｕ−Ｎｉ−Ｐ合金からなる無電解めっき層を形成するＣｕ−Ｎｉ−Ｐ合金層形成工程を有することを特徴とする請求項１記載の配線基板の製造方法。
前記シード層粗化工程では、前記シード層の上面の算術平均粗さＲａが０．１０μｍ≦Ｒａ≦０．５μｍとなるように粗化処理を行うことを特徴とする請求項１記載の配線基板の製造方法。
前記Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ合金層形成工程では、前記Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ合金層の上面の算術平均粗さＲａが０．１０μｍ≦Ｒａ≦０．５μｍとなるように無電解めっきを行うことを特徴とする請求項２記載の配線基板の製造方法。