JP2009260216A5 - - Google Patents

Claims (4)

1. 平滑な上面を有する絶縁層と、前記絶縁層の前記平滑な上面に形成されたシード層と、前記シード層上に形成された配線と、を備えた配線基板の製造方法であって、
   前記絶縁層の前記平滑な上面を覆うように、前記シード層を形成するシード層形成工程と、
   前記シード層の上面を粗化するシード層粗化工程と、
   前記シード層粗化工程後、前記配線の形成領域に対応する部分の前記シード層の上面を露出する開口部を有しためっき用レジスト膜を前記シード層の上面に形成するめっき用レジスト膜形成工程と、
   前記シード層を給電層とする電解めっき法により、前記シード層の上面に前記配線を形成する配線形成工程と、
   前記配線形成工程後に、前記めっき用レジスト膜を除去するめっき用レジスト膜除去工程と、
   前記配線が形成されていない部分の不要な前記シード層を除去するシード層除去工程と、を含み、
   前記シード層粗化工程では、前記シード層の上面の算術平均粗さＲａが０．１０μｍ≦Ｒａ≦０．５μｍとなるように粗化処理を行うことを特徴とする配線基板の製造方法。
2. 前記配線の配線幅は１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の配線基板の製造方法。
3. 前記シード層形成工程と前記シード層粗化工程とに代えて、前記絶縁層の前記平滑な上面を覆うように、前記シード層となる、上面に微細な針状の凹凸を有したＣｕ−Ｎｉ−Ｐ合金からなる無電解めっき層を形成するＣｕ−Ｎｉ−Ｐ合金層形成工程を有することを特徴とする請求項１又は２記載の配線基板の製造方法。
4. 前記Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ合金層形成工程では、前記Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ合金層の上面の算術平均粗さＲａが０．１０μｍ≦Ｒａ≦０．５μｍとなるように無電解めっきを行うことを特徴とする請求項３記載の配線基板の製造方法。