JP2009272571A5 - - Google Patents
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Claims (12)
- 絶縁基材の表面に、下地層と、この上にセミアディティブ法により形成された銅めっき層を含む配線パターンを有し、前記端子部の配線のピッチが３０μｍ以下、線幅が６μｍ以上、幅線間の間隔が１５μｍ以下であり、配線の厚さが６〜１５μｍであり、当該配線の表面が平坦であり且つ側面の垂直面に対する傾きが５°以下であることを特徴とするプリント配線基板。
- 前記配線パターンが、絶縁基材の表面に導電性の下地層を形成し、該下地層の表面にフォトレジスト層を形成して該フォトレジスト層に所定のパターンを露光・現像してパターニングすることにより前記下地層を露出させる凹部を形成し、この凹部の下地層上に銅めっき層を形成し、その後、パターニングされたフォトレジスト層を剥離し、次いで、フォトレジスト層の剥離により露出した下地層を除去することにより形成されたものであることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線基板。
- 前記銅めっき層上の少なくとも端子部に金めっき層が形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のプリント配線基板。
- 前記銅めっき層の形成をＰＰＲ（周期的逆電流パルス）めっき法で行い、その際に硫酸銅五水和物の濃度が５０〜９０ｇ／Ｌで硫酸濃度が１８０〜２１０ｇ／Ｌのめっき液を用い、印加するパルスの電流密度比を正：負＝１：１．２〜１：１．８の範囲のめっき条件とすることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載のプリント配線基板。
- 前記銅めっき層の形成で印加するパルスの印加時間を、正を１８〜２０ｍｓｅｃ、負を０．５〜１．５ｍｓｅｃとすることを特徴とする請求項４に記載のプリント配線基板。
- 前記下地層が、Ｎｉ−Ｃｒ合金からなるシード層と銅薄膜層とからなることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載のプリント配線基板。
- 絶縁基材の表面に導電性の下地層を形成し、該下地層の表面にフォトレジスト層を形成して該フォトレジスト層に所定のパターンを露光・現像してパターニングすることにより前記下地層を露出させる凹部を形成し、この凹部の下地層上に銅めっき層を形成し、その後、パターニングされたフォトレジスト層を剥離し、次いで、フォトレジスト層の剥離により露出した下地層を除去して配線パターンを形成することを特徴とするプリント配線基板の製造方法。
- 前記銅めっき層上の少なくとも端子部に金めっき層を形成した後、前記パターニングされたフォトレジスト層を剥離することを特徴とする請求項７に記載のプリント配線基板の製造方法。
- 前記銅めっき層の形成をＰＰＲ（周期的逆電流パルス）めっき法で行い、その際に硫酸銅五水和物の濃度が５０〜９０ｇ／Ｌで硫酸濃度が１８０〜２１０ｇ／Ｌのめっき液を用い、印加するパルスの電流密度比を正：負＝１：１．２〜１：１．８の範囲のめっき条件とすることを特徴とする請求項７又は８に記載のプリント配線基板の製造方法。
- 前記銅めっき層の形成で印加するパルスの印加時間を、正を１８〜２０ｍｓｅｃ、負を０．５〜１．５ｍｓｅｃとすることを特徴とする請求項９に記載のプリント配線基板の製造方法。
- 配線のピッチが３０μｍ以下、線幅が６μｍ以上、幅線間の間隔が１５μｍ以下であり、配線の厚さが６〜１５μｍであり、当該配線の表面が平坦であり且つ側面の垂直面に対する傾きが５°以下である配線パターンを形成することを特徴とする請求項７〜１０の何れか１項に記載のプリント配線基板の製造方法。
- 前記下地層が、Ｎｉ−Ｃｒ合金からなるシード層と銅薄膜層とで形成することを特徴とする請求項７〜１１の何れか１項に記載のプリント配線基板の製造方法。
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